JP3514315B2

JP3514315B2 - ステンシルレチクル

Info

Publication number: JP3514315B2
Application number: JP2001302497A
Authority: JP
Inventors: 洋一塘
Original assignee: 株式会社半導体先端テクノロジーズ
Priority date: 2001-09-28
Filing date: 2001-09-28
Publication date: 2004-03-31
Anticipated expiration: 2021-09-28
Also published as: JP2003109887A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、半導体集積回路の
製造に用いられる電子線投影露光法に係り、特に微細パ
ターンの焼き付けに用いられる投影レチクルに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体集積回路の製造におい
て、光およびレチクルによる転写を用いた光リソグラフ
ィ技術が利用されてきた。この光リソグラフィ技術は非
常にスループットが高く、量産性に優れている。近年、
電子線直接描画技術が、その高い解像性から先端デバイ
スの先行試作に用いられている。しかし、スループット
が遅いため、少量生産の半導体集積回路の製造には使用
されているものの、大量生産される半導体集積回路の製
造には使用することができないという問題があった。

【０００３】この問題を解決するために、部分一括法が
提案された。この部分一括法は、開発したデバイス製造
会社により、キャラクタープロジェクション法、セルプ
ロジェクション法、ブロック露光法などと呼ばれている
が、これらの本質的部分は同一である。部分一括法は、
比較的繰り返し出現するパターンを予めレチクルの所定
範囲に作成しておき、その繰り返し出現するパターンの
露光はレチクルを使用して行い、繰り返しが少なくレチ
クルが作成されていないパターンの露光は、可変整形ビ
ームによるパターン創成機能（直接描画）で行う方法で
ある。従って、この部分一括法を用いることによって、
全てのパターンをパターン創成機能で露光するよりもシ
ョット数が低減でき、スループットを改善することがで
きる。しかしながら、上記部分一括法を利用した場合で
も、処理速度は８インチウェハで１時間あたりせいぜい
数枚程度であり、生産性の点から量産には適用すること
ができなかった。

【０００４】そこで、電子線描画においても、上記光リ
ソグラフィ技術と同様に、完全にチップと同じイメージ
のレチクルを導入する電子線投影リソグラフィ技術が提
案されている。この電子線投影リソグラフィ技術は、レ
チクルイメージを一括転写することで、光リソグラフィ
並みの処理速度を実現しようとする技術である。そし
て、この電子線投影リソグラフィ技術は、AT&Tベル研究
所（現在Lucent Technologies社）によってSCALPELとい
う技術として、またNikonとIBMの共同研究開発組織によ
ってPREVAILという技術として具現化されようとしてい
る。

【０００５】ここで、SCALPELでは、パターン支持膜上
に配置され、パターニングされた所定の膜を、半導体集
積回路パターン（を数倍拡大したもの）を表わす散乱体
（パターン源）として用いている。すなわち、SCALPEL
では、メンブレンレチクル（メンブレンマスク）を用い
て露光を行う。一方、PREVAILでは、所定の膜（パター
ン層）に貫通穴を複数形成して（ステンシル構造）、そ
の貫通穴が形成された膜そのものを、半導体集積回路パ
ターン（を数倍拡大したもの）を表わす散乱体（パター
ン源）として用いている。すなわち、PREVAILでは、ス
テンシルレチクル（ステンシルマスク）を用いて露光を
行う。

【０００６】これらの技術は、それぞれ構造が異なるレ
チクルを用いているが、レチクルを利用して半導体集積
回路パターンを縮小投影することにより、高速でパター
ン形成を行う点で共通する。

【０００７】上述したように、PREVAILでは、メンブレ
ンレチクルではなく、ステンシルレチクルを使用する。
このステンシルレチクルは、所定の膜、すなわちＳＯＩ
基板のシリコン膜（パターン層）上に形成されたレジス
ト膜に所望の回路パターンを電子線リソグラフィ技術な
どで描画した後、現像し、さらにエッチングにより膜に
パターンを貫通させることによって作成する。また、ス
テンシルレチクルは、その構造上の制約（機械的強度）
から、大きな梁によって、上記所定の膜（シリコン膜）
を支える構造を有している。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２に
示す従来のステンシルレチクルにおいて、ドーナツ構造
を有するパターン（以下、「ドーナツパターン」とい
う。）２では、パターン抜け部（開口パターン部）２１
で囲まれた島状のパターン中央部（中心パターン）２３
が落下してしまう問題があった。また、ラインアンドス
ペースパターン１では、例えば数μｍ以上のパターン長
を有する複数のラインパターン（開口パターン部）１１
とスペースパターンとが交互に形成されている。このラ
インアンドスペースパターン１は、上記ドーナツ構造を
有していないが、レチクル作成プロセスによっては、開
口パターン部２１を挟んだスペースパターンが接触し
て、からまってしまう問題があった。

【０００９】このような理由から、従来のステンシルレ
チクルでは、コンプリメンタリ分割（相補分割）といわ
れる、レチクルパターン自体のデータの分割が必要とな
る。但し、ホール形成用のレチクルには、このようなコ
ンプリメンタリ分割は不要である。上記コンプリメンタ
リ分割を施す場合には、本来不要である同一位置での複
数回の露光が必須となる。すなわち、ある特定の場所の
パターンが２個以上のレチクルサブフィールドに分割さ
れているため、正確に位置合わせがなされた２回以上の
露光が必要となる。また、レチクル作成の際にも、この
コンプリメンタリ分割が必要な場合にはそれだけ余分な
データ処理が必要となる。なお、メンブレンレチクルで
はパターン支持膜が形成されているので、コンプリメン
タリ分割は不要である。

【００１０】以上説明したステンシルレチクルは、パタ
ーン支持膜が不要であるため、メンブレンレチクルより
も解像力的に優れているとされている。しかし、ステン
シルレチクルがドーナツパターンを含む場合には、上記
コンプリメンタリ分割が必要であるため、データ処理の
難しさ、コンプリメンタリ分割後の同一位置での複数の
パターンの位置合わせ精度の確保、複数回露光による処
理速度低下などの問題点が指摘されてきた。また、ステ
ンシルレチクルがラインアンドスペースパターンを含む
場合には、開口パターンを挟んで隣り合うスペースパタ
ーンが相互に接触したり、ねじれたりしてしまう問題が
あった。

【００１１】本発明は、上記従来の課題を解決するため
になされたもので、コンプリメンタリ分割をすることな
く、ステンシルレチクルを用いてドーナツパターンを形
成することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決する為の手段】本発明に係るステンシルレ
チクルは、電子線描画装置で用いられるステンシルレチ
クルであって、開口パターン部と、電子線描画装置の解
像限界以下のパターン幅を有し、前記開口パターン部を
支持する支持パターン部とを備え、前記支持パターン部
が、電子線描画装置の最大ショットサイズだけ間隔を空
けて複数配置されたことを特徴とするものである。

【００１３】本発明に係るステンシルレチクルにおい
て、前記開口パターン部は、島状の中心パターンを囲む
環状開口パターンであることが好適である。

【００１４】本発明に係るステンシルレチクルにおい
て、前記開口パターン部は、ラインアンドスペースパタ
ーンのラインパターンであることが好適である。

【００１５】本発明に係るステンシルレチクルにおい
て、前記支持パターン部のパターン幅が、０.０１μｍ
以下であることが好適である。

【００１６】本発明に係るステンシルレチクルにおい
て、前記支持パターン部が、５μｍ以上の間隔を空けて
複数配置されたことが好適である。

【００１７】

【００１８】本発明に係るステンシルレチクルにおい
て、前記支持パターン部が、シリコン、酸化珪素、ダイ
ヤモンド、ダイヤモンド相当炭素、導電性材料の何れ
か、或いはそれらの組み合わせで形成されたことが好適
である。

【００１９】

【００２０】

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図中、同一または相当する
部分には同一の符号を付してその説明を簡略化ないし省
略することがある。

【００２２】実施の形態１．本実施の形態１によるステ
ンシルレチクル（「ステンシルマスク」ともいう。）
は、パターン抜け部（開口パターン部）に、電子線描画
装置の解像限界以下の幅を有する支持パターンを配置し
たことを特徴とする。図１は、本発明の実施の形態１に
よるステンシルレチクルを説明するための概念図であ
る。図１において、参照符号１はラインアンドスペース
パターン（以下、「Ｌ／Ｓパターン」という。）、２は
ドーナツ構造（入れ子構造）を有するパターン（以下、
「ドーナツパターン（入れ子パターン）」という。）、
１１は開口パターン部（パターン抜け部、ラインパター
ン）、１２は支持パターン部、２１は開口パターン部
（パターン抜け部）、２２は支持パターン部、２３は開
口パターン部２１によって囲まれた島状の中央パターン
（パターン中央部）を示している。

【００２３】図１に示すように、ステンシルレチクルに
おいて、開口パターン部１１，２１が梁状の支持パター
ン部１２，２２によりそれぞれ支持されている。すなわ
ち、Ｌ／Ｓパターン１の開口パターン部１１を支持する
ように支持パターン部１２が配置され、ドーナツパター
ン２の開口パターン部２１を支持するように支持パター
ン部２２が配置されている。

【００２４】ここで、支持パターン部１２，２２は、そ
れが欠陥として転写されてしまいパターンの不必要なつ
ながりを引き起こさない太さ、すなわち電子線描画装置
の解像限界以下の太さ（パターン幅）Ａを有している。
具体的には、支持パターン部１２，２２のパターン幅Ａ
は、０．０１μｍ以下が望ましく、０．００５μｍ以下
がさらに望ましい。また、支持パターン部１２，２２
は、開口パターン部１１，２１および中央パターン２３
と同一レイヤに形成されている。また、支持パターン１
２，２２は、その周辺の遮光パターンおよび中央パター
ン２３と一体的に形成されている。かかる細い線幅を有
する支持パターン部１２，２２は、現存する電子線描画
装置で描画することは非常に困難である。しかし、レチ
クルを作成する場合、すなわち抜き部分（開口パターン
部）の形成には通常ポジ型レジストを用いるため、ＶＳ
Ｂ（可変整形ビーム）における抜き部分のショット接続
を若干離れるように調整することで、あるいは露光量を
若干アンダー目に設定することで、容易に支持パターン
部１２，２２を形成することができる。また、この支持
パターン部１２，２２の太さの寸法制御性はあまりきび
しく要求する必要はない。従って、場所によっては支持
パターン部１２，２２が一部消失していても、いくつか
の支持パターン部１２，２２が残存していればよい。

【００２５】また、支持パターン部１２，２２の配置間
隔Ｂは、レチクルの作成プロセスに依存する部分が多い
が、例えば５μｍが望ましい。これは、例えば、ライン
幅：ピッチ幅＝１：１で、１００ｎｍのライン幅（レチ
クル上は４倍の倍率であるので、４００ｎｍの幅）を有
するラインパターン（開口パターン部１１）を複数形成
する場合に、許容できるラインパターン１１の最大ライ
ン長が１０μｍ程度とされているからである。また、可
変整形ビーム型の電子線描画装置の最大ショットサイズ
と、支持パターン部１２，２２の配置間隔Ｂとを一致さ
せることにより、後述するデバイスデータの作成が容易
となる。この点からも、支持パターン部１２，２２の配
置間隔Ｂとして５μｍは好適な数値である。

【００２６】詳細は後述するが、上記支持パターン部１
２，２２の描画データを、例えば幅０．０１μｍで５μ
ｍおきに縦横に均等間隔で配置されたメッシュ状パター
ンとし、このメッシュ状パターンのデータと、開口パタ
ーン部１１，２１のパターンデータとを図形論理演算
（ＯＲ処理）することによって、レチクルに描画するデ
バイスデータ（レイアウトデータ）が得られる。ここ
で、パターンによっては幅や長さの誤差が生じる可能性
があるが、この誤差は微小であるため無視することがで
きる。なお、データの作りやすさから、規則正しいメッ
シュ状パターンを支持パターン部１２，２２のデータと
して用いているが、メッシュ状パターンというのは一例
にすぎず、支持パターン部１２，２２に対応する所定の
データを、上記開口パターン部１１，２１のパターンデ
ータに対してランダムに与えてもよい。

【００２７】ところで、上述した解像限界以下の幅Ａを
有する細い支持パターン部１２，２２によって、大きな
パターン構造を支持できるかという疑問がある。これに
ついては、μｍ単位のマイクロマシン技術などでも公知
であるように、支持されるものに対し非常に小さな支持
構造であっても、十分支持できることが確認されている
ため、上記支持パターン部１２，２２により大きなパタ
ーン構造を支持可能である。

【００２８】次に、ステンシルレチクルの製造方法につ
いて説明する。先ず、レチクルに描画するデバイスのデ
ータ（レイアウトデータ）をデータ作成装置（SX9000、
セイコー電子社製）で作成した。具体的には、支持パタ
ーン部１２，２２のデータを０．０１μｍのパターン幅
Ａで且つ５μｍのピッチで配置された縦横格子状（メッ
シュ状）パターンとして別レイヤに作成しておき、この
支持パターン部のデータと、開口パターン部１１，２１
のデバイスデータ（３サブフィールド分）との間で図形
論理演算（ＯＲ処理）を行って、最終のデバイスデータ
（レイアウトデータ）を作成した。

【００２９】そして、このデバイスデータをデータ変換
ソフトＣＡＴＳ（トランスクリプションエンタープライ
ズ社製）を用いて日立電子線描画装置用のフォーマット
（ＰＦＨ）に変換した後、電子線描画装置（HL800、日
立製作所製）に読み込んだ。ここで、デバイスデータ
は、レチクル上で複数のラインとスペースが交互に２０
０μｍ以上隣接して並ぶＬ／Ｓパターン（１）と、通常
のステンシルレチクルでそのまま作成すると落下してし
まうドーナツパターン（２）と、このドーナツパターン
と同様にドーナツ構造（入れ子構造）を有する文字（例
えば、０，６，８など）のパターンとを含んでいる。

【００３０】次に、ヘキサメチルジシラザン蒸気による
表面疎水化処理を、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）ウ
ェハのシリコン膜（パターン層）表面に施した。ここ
で、ＳＯＩウェハのベースウェハ部分は、太い梁構造に
なるように、予めＫＯＨを用いて所定部分をウェットエ
ッチングしておく。次に、ポジ型電子線用レジスト（ZE
P-520、日本ゼオン社製）を０．３μｍ厚になるように
回転塗布し、その後１１０℃で９０秒熱処理（ソフトベ
ーク）を行った。熱処理の終了後、ＳＯＩウェハをダイ
シングして、３個のサブフィールドが存在する８ｘ９ｍ
ｍの大きさのチップ（シリコンメンブレン）を作成す
る。

【００３１】次に、８ｘ９ｍｍの大きさのチップを、８
インチウェハの掘り込み部にセットし、導電性テープで
接着固定する。そして、このウェハ（ウェハパレット）
を電子線描画装置の真空室にセットし、位置合わせを行
った後、上記最終のデバイスデータ（レイアウトデー
タ）を３チップ分描画した。次に、ウェハを真空室から
取り出し、８ｘ９ｍｍチップを、主成分がメチルエチル
ケトンである専用現像液を用いてディップ法により現像
処理した。これにより、ＳＯＩウェハ（チップ）上にレ
ジストパターンが形成された。その後、リンス、乾燥を
続けて行った。

【００３２】次に、平行平板型ドライエッチング装置に
おいて、上記レジストパターンをマスクとし、塩素系ガ
スのプラズマを利用してエッチングした。このドライエ
ッチングにより、ＳＯＩウェハ（チップ）のシリコン膜
（パターン層）に開口パターン部１１，２１が形成され
るとともに、この開口パターン部１１，２２を支持する
支持パターン部１２，２２が解像限界以下のパターン幅
で残された。

【００３３】その後、レジストパターンをＲＡストリッ
パで剥離して、水洗、乾燥した。これにより、上述した
ステンシルレチクルが製造された。

【００３４】以上の工程を経て製造されたステンシルレ
チクルを外観（観察）ＳＥＭを用いて観察したところ、
落下の恐れがあるデバイスパターン、すなわち開口パタ
ーン部２１に囲まれた中央パターン２３や、ドーナツ構
造を有する文字パターンの残し部分は落下することな
く、支持パターン部２２により支えられていた。また上
記複数のラインとスペースが交互に２００μｍ以上隣接
して並ぶＬ／Ｓパターン１においても、ラインパターン
１１を挟んだスペースパターン同士が接触、ねじれ、切
断することなく、支持パターン部１２により支えられて
いた。従って、本実施の形態１によるステンシルマスク
の製造方法により、正常にステンシルレチクルを製造す
ることができた。

【００３５】次に、上記製造したステンシルレチクルを
用いて、電子線投影露光法によりレジストパターンを形
成した。以下、レジストパターンの形成の詳細について
説明する。

【００３６】先ず、ヘキサメチルジシラザン蒸気による
表面疎水化処理を、被加工基板である３インチのシリコ
ンウェハの表面に施した。次に、シリコンウェハ上にネ
ガ型電子線用化学増幅型レジスト（NEB-22、住友化学社
製）を０．３μｍ厚になるように回転塗布し、その後１
１０℃で９０秒熱処理（ソフトベーク）を行った。

【００３７】次に、このウェハを電子線投影描画装置
（ニコン社製）内の真空室にセットし、上記製造したス
テンシルレチクルをウェハ上方にセットして、電子線投
影露光法を用いて露光を行った。ここで、露光量を１５
（μＣ／ｃｍ^２）から３μＣきざみで増加させたとこ
ろ、３３（μＣ／ｃｍ^２）が適正露光量であった。次
に、露光されたウェハを１００℃で６０秒熱処理（ＰＥ
Ｂ）を行った後、ＴＭＡＨ水溶液（２．３８％）からな
る現像液を用いて現像処理を行った。その後、水洗、乾
燥を行った。これにより、シリコンウェハ上にレジスト
パターンが形成された。

【００３８】そして、上記適正露光量［３３（μＣ／ｃ
ｍ^２）］で露光された部分（３チップ分）のレジストパ
ターン（Ｌ／Ｓパターン１、ドーナツパターン２）を、
測長ＳＥＭ（S9300、日立製作所製）で観察したとこ
ろ、ステンシルレチクルの支持パターン部１２，２２由
来のものと思われる突起（残渣）等は観測されなかっ
た。従って、コンプリメンタリ分割をすることなく、ス
テンシルマスクを用いてドーナツパターン、およびドー
ナツ構造を有するパターン（例えば、０，６，８などの
文字パターン）を形成することができた。

【００３９】以上説明したように、本実施の形態１で
は、電子線描画装置で用いられるステンシルレチクルに
おいて、Ｌ／Ｓパターン１およびドーナツパターン２の
開口パターン部１１，２１を、電子線描画装置の解像限
界以下のパターン幅Ａを有する支持パターン部１２，２
２でそれぞれ支持した。上記ステンシルレチクルを用い
てドーナツパターン２を描画すると、パターン幅Ａが解
像限界以下である支持パターン部２２は描画されず、開
口パターン部２１のみが描画される。従って、コンプリ
メンタリ分割をすることなく、ドーナツパターン２を転
写することができる。これにより、レチクルの枚数を半
分以下にすることができ、実露光時間（レチクル交換時
間など含む）を低減することができ、生産性を向上させ
ることができる。また、副次的効果として、デバイスレ
イアウトデータを電子線投影露光装置にかかる形のレチ
クルパターンに変換する際に、必要とされるデータ変換
時間が、コンプリメンタリ分割が不要になる分だけ削減
することが可能となる。

【００４０】また、Ｌ／Ｓパターン１のラインパターン
（開口パターン）１１を支持パターン部１２で支持した
ことによって、ステンシルレチクル形成時に、開口パタ
ーン部１１を挟んで隣り合うパターン（スペースパター
ン）の接触やねじれを防止することができる。従って、
精度良くステンシルレチクルを製造することができ、こ
のステンシルレチクルを用いて解像性の高いレジストパ
ターンを形成することができる。

【００４１】上記実施の形態１との比較のため、後述す
る比較例１を行った。＜比較例１＞本比較例１では、解像限界以下の幅を有す
る支持パターン部が存在しない以外は上記実施の形態１
と同じデータを準備し、上記実施の形態１と同様の方法
でステンシルレチクルを作成した。しかし、ドーナツパ
ターンや例えば０，６，８などの文字パターン、すなわ
ちドーナツ構造（入れ子構造）を有するパターンでは、
従来と同様に、島状の中央パターン２３が落下してい
た。また、複数のラインパターン１１とスペースパター
ンとが交互に２００μｍ以上隣接して存在するＬ／Ｓパ
ターン１では、一部がちぎれて消失していたり、隣同士
がよじれあったりしていた。このため、本比較例１によ
るステンシルレチクルは、実際の露光に使えるものでは
なかった。

【００４２】実施の形態２．本実施の形態２では、支持
パターン部１２，２２の縦横のピッチ（配置間隔）を２
０μｍとした以外は、実施の形態１と同様の方法でステ
ンシルレチクルを形成し、このステンシルレチクルを用
いてレジストパターンを形成した。この場合、文字が極
端に小さい場合、デバイスパターンにある入れ子の部分
（中央パターン）にうまく隣接して細かい支持パターン
部が形成できなかった部分は、その中央パターンが落下
していた。Ｌ／Ｓパターン１は、レチクル上の幅が０．
４μｍのものは無事に作成されていたが、０．２８μｍ
のものは、一部が接触しているものが見られた。このた
め、解像限界以下の細かい支持パターン部の縦横の配置
間隔をあまり大きくできないことがわかった。また、５
ｘ３μｍの大きさのドーナツパターン２の中心パターン
２３が、わずか１本の０．０１μｍ幅の支持パターン部
２２で支持されている部位がみられた。

【００４３】実施の形態３．前述の実施の形態１，２で
は、支持パターン部１２，２２を、シリコンで形成し
た。すなわち、絶縁膜層上のシリコン膜（パターン層）
に、開口パターン部１１，２２と支持パターン部１２，
２２を形成した。本実施の形態３では、シリコンに代え
て、酸化珪素、チッ化珪素、ダイヤモンド、ダイヤモン
ド相当炭素（「ダイヤモンド・ライク・カーボン」とも
いう）、又はそれらを組み合わせた積層膜をパターン層
に用いた。詳細には、それぞれの膜を絶縁膜層上にあら
かじめ成膜して、エッチングにおけるプロセスガスの種
類を変えて、パターンを開口した。例えばダイヤモン
ド、ダイヤモンド相当炭素を上記シリコンの代わりに絶
縁膜層上に形成した場合には、酸素プラズマを用いたエ
ッチングにより、開口パターン部１１，２１および支持
パターン部１２，２２を形成した。また、酸化ケイ素、
チッ化珪素を用いた場合には、フッ素系ガスのプラズマ
を用いたエッチングにより、開口パターン部１１，２１
および支持パターン部１２，２２を形成した。本実施の
形態３によれば、５μｍピッチで細い支持パターン部を
配置したものは実施の形態１と同様の結果となり、２０
μｍのピッチで配置したものは実施の形態２と同様の結
果が得られた。従って、パターン層としてシリコン膜以
外に、上述の酸化珪素、チッ化珪素、ダイヤモンド、ダ
イヤモンド相当炭素、およびそれらを組み合わせた積層
膜を用いることができる。但し、チッ化珪素のみをパタ
ーン層に用いた場合には、サブフィールド全体に応力開
放のものとおもわれるパターンの全体的なよじれが生じ
ているのが観察された。

【００４４】実施の形態４．本実施の形態４では、パタ
ーン層としてシリコン膜の代わりに膜厚が０．０３μｍ
のＣｒ膜（導電性薄膜）を用いて、実施の形態１と同じ
方法を用いてステンシルマスクを作成した。エッチング
は塩素系ガスを用いて、その他のエッチング条件は変え
ず貫通させた。本実施の形態４によるステンシルマスク
も、実施の形態１と同様に、ドーナツパターンでのパタ
ーン落下、Ｌ／Ｓパターンでのよじれは発生しなかっ
た。

【００４５】

【発明の効果】本発明によれば、コンプリメンタリ分割
をすることなく、ステンシルレチクルを用いてドーナツ
パターンを形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１によるステンシルレチ
クルを説明するための概念図である。

【図２】従来のステンシルレチクルを説明するための
概念図である。

【符号の説明】

１ラインパターン１１開口パターン部（パターン抜け部）１２支持パターン部２ドーナツパターン２１開口パターン（パターン抜け部）２２支持パターン部２３中央パターン（パターン中央部）Ａパターン幅Ｂ配置間隔

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/087 G03F 1/08 G03F 1/16

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】電子線描画装置で用いられるステンシル
レチクルであって、開口パターン部と、電子線描画装置の解像限界以下のパターン幅を有し、前
記開口パターン部を支持する支持パターン部とを備え、前記支持パターン部が、電子線描画装置の最大ショット
サイズだけ間隔を空けて複数配置されたことを特徴とす
るステンシルレチクル。
【請求項２】請求項１に記載のステンシルレチクルに
おいて、前記開口パターン部は、島状の中心パターンを囲む環状
開口パターンであることを特徴とするステンシルレチク
ル。
【請求項３】請求項１又は２に記載のステンシルレチ
クルにおいて、前記開口パターン部は、ラインアンドスペースパターン
のラインパターンであることを特徴とするステンシルレ
チクル。
【請求項４】請求項１から３の何れかに記載のステン
シルレチクルにおいて、前記支持パターン部のパターン幅が、０.０１μｍ以下
であることを特徴とするステンシルレチクル。
【請求項５】請求項１から４の何れかに記載のステン
シルレチクルにおいて、前記支持パターン部が、５μｍ以上の間隔を空けて複数
配置されたことを特徴とするステンシルレチクル。
【請求項６】請求項１から５の何れかに記載のステン
シルレチクルにおいて、前記支持パターン部が、シリコン、酸化珪素、ダイヤモ
ンド、ダイヤモンド相当炭素、導電性材料の何れか、或
いはそれらの組み合わせで形成されたことを特徴とする
ステンシルレチクル。