CN1669121B - 曝光用转写掩模及曝光用转写掩模的图形更换方法 - Google Patents

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Abstract

本发明为具备具有各自形成预定图形开口的多个单元的掩模部的曝光用转写掩模。所述多个单元各自根据在该单元上形成的开口图形，在使带电粒子从该单元一侧照射时，将该带电粒子束透过至该单元另一侧。由此，在该单元另一侧上配置被处理基板时，在该被处理基板上转写所述单元的开口图形，进而在该被处理基板上形成曝光图形。此外，在所述掩模部上，所述多个单元的一部分或全部可以更换。

Description

曝光用转写掩模及曝光用转写掩模的图形更换方法
技术领域
本发明涉及一种由电子束等带电粒子束产生的曝光处理中所使用的曝光用转写掩模及曝光转写掩模的图形更换方法。
背景技术
在半导体设备制造中，为了形成图形而使用光学蚀刻技术。作为这样的蚀刻技术，目前主流为使用掩模的缩小投影光学蚀刻技术。在缩小投影光学蚀刻技术得到较高的生产能力。可是，在缩小投影光学蚀刻技术需要几千万到1亿日元的极其高价的掩模组(mask set)。在今天的半导体产业中，由于开始从通用LSI向以少量多品种生产为主流的系统LSI转换，所以很难回收上述的掩模组。此外，掩模制造周期长达1个月，在需要短TAT(turn-around time研发周期)的系统LSI中也是致命的。
作为解决这种问题的下一代蚀刻技术，着眼于电子束直接描图技术。根据电子束直接描图技术，不使用目前的缩小投影光学蚀刻技术的高价掩模，也可形成0.15μm以下的细微图形。即，可以解决伴随掩模的上述问题点。可是，电子束直接描图技术具有所谓生产能力低的缺点。
作为在电子束光学蚀刻技术中提高生产能力的技术，提出有字符投影(character projection)(CP)方式的技术。在该技术中，制作被称为具备形成有多个字符图形的多个单元的CP缝隙掩模的曝光用转写掩模。在该CP缝隙掩模的特定字符图形上有选择地照射电子束，进而在半导体晶上使图形曝光。由此，在目前的可变成形描图方式等中，可以通过一次照射工序曝光需要多次拍摄(shot)数的图形。由此，可以显著提升描图速度，即，能够大幅度提高生产能力。
可是，在这样的字符投影方式中，需要预先在CP缝隙掩模上形成种种字符图形。因此，在想改变图形的情况或在一部分单元产生不适合的情况下，需要再次制造CP缝隙掩模。这就在CP缝隙掩模成本及交货期层面上产生了问题。
发明内容
本发明鉴于该种情况所制作出来的，其目的在于，在字符投影方式的技术中，提供一种可以应对在欲变更图形的情况或在一部分单元上存在不合适情况下的曝光用转写掩模，以及该曝光转写掩模的图形更换方法。
为了解决上述课题，本发明为具备掩模部的曝光用转写掩模，所属掩模部具有分别形成有预定图形开口的多个单元，其中，上述多个单元的各个单元根据在该单元上形成的开口图形，在从该单元一侧照射带电粒子束时，向该单元另一侧透过该带电粒子束，由此，在该单元的另一侧上配置有被处理基板时，在该被处理基板上转写上述单元的开口图形，进而在该被处理基板上形成曝光图形，并在上述掩模部上，可更换上述多个单元的一部分或全部。
根据这样的构成，因为可更换形成有预定图形开口的多个单元的一部分或者全部，所以在欲变更图形的情况或在一部分图形上存在不合适情况下，可以更换含有该图形的单元。因此，在欲变更图形的情况或在一部分图形上存在不合适的情况下，不需要从新制造新的曝光用转写掩模。因此，不会产生新的曝光用转写掩模成本或交货期等的问题。
优选上述掩模部具有含有一个或多个单元的一个或多个块(block)，上述多个单元为每块各自可更换。这种情况下，可任意地设定一起更换的单元数量。
此外，优选上述块以使围绕上述块整体的圆(外接圆)的直径为最小的方式设置。由此，可以尽量减小电粒子束偏转。
例如，上述块各自包含正方形地配置的多个矩形单元。
优选上述掩模部主要由硅构成。
此外，本发明为具备掩模部的曝光用转写掩模，所述掩模部具有分别形成预定图形开口的多个单元，上述掩模部具有：各个含有一个或多个单元的一个或多个块，支持上述一个或多个块的一个或多个支持部，在粘接上述一个或多个块和上述一个或多个支持部的同时、在任意时间被除去而得到的一个或多个粘接部件，上述一个或多个块通过除去对应的上述一个或多个粘接部件，既可更换成新的块。
根据这样的构成，因为上述一个或多个块通过除去对应的一个或多个粘接部件，既可更换成新的块，所以在欲更换图形的情况或在一部分图形中存在不合适情况下，可以更换包含该图形的块。因此，在欲变更图形的情况或在一部分图形存在不合适情况下，不需要重新制造新的曝光用转写掩模。因此，不会产生新的曝光用转写掩模成本费或交货期的问题。
因为仅通过除去粘接材料就可以取出块，所以可以容易地更换块。
优选上述支持部各自具有：通过述粘接部件、对对应的上述块定位的制动器(stopper)部，和在支持制动器部的同时、以向对应的块下方突出的方式设置的梁部。
在这种情况下，由于在取出之前的块之后，可以将新的块载置在梁部，并且，新的块也由制动器部定位，所以新的块的安装很容易。
优选上述支持部各自以围绕对应的上述块的方式设置，并在该块周围的整周或多个地方设置有粘接部件。
此外，优选上述块被以围绕上述块的整体的圆直径为最小的方式配置。由此，可以尽可能地减小带电粒子束的偏转。
例如上述块各自包含呈正方形地配置的多个矩形单元。
优选上述块及上述支持部主要由硅构成，上述粘接材料由含有碳的材料构成。
此外，本发明为具备掩模部的曝光用转写掩模，所述掩模部具有分别形成预定图形开口的多个单元，上述掩模部具有，各自含有一个或多个单元的一个或多个块，支持上述一个或多个块的一个或多个支持部，在粘接上述一个或多个块和上述一个或多个支持部的同时、可在任意时间被除去的一个或多个粘接部件，上述支持部各自具有，通过上述粘接部件、对对应的上述块定位的制动器部，和在支持上述制动器部的同时、被以一部分向对应的上述块下方突出的方式设置的梁部，曝光用转写掩模的图形更换方法具有，除去粘接具有可更换的图形的块的粘接部件、进而取出该块的工序，在与被取出的块相对应的支持部的梁部上、载置新的块的工序，通过粘接部件、粘接与被取出块相对应的支持部的制动器部和上述新的块的粘接工序。
根据该方法，可以现实且容易地实施更换曝光用转写掩模上的图形。
另外，粘接部件的除去例如可通过灰化法来进行。
此外，本发明为具备掩模部的曝光用转写掩模，所述掩模部具有分别形成预定图形开口的多个单元，上述掩模具有，各自包含一个或多个单元的一个或多个块，支持上述一个或多个块的一个或多个支持部，在粘接上述一个或多个块和上述一个或多个支持部的同时、可在任意时间被除去得到的一个或多个粘接部件，上述支持部分别具有，通过上述粘接部件、对对应的上述块定位的制动器部，和在支持上述制动器部的同时、被以一部分向对应的上述块下方突出的方式设置的支持部，制造曝光用转写掩模的制造方法具有，利用干蚀刻而形成上述多个块及上述制动器部的工序，并用机械加工和蚀刻而形成上述梁部的工序，通过上述粘接部件、连接上述多个块和上述制动器部的工序。
此外，本发明的曝光装置具备，射出带电粒子束的带电粒子枪，形成矩形缝隙的成形缝隙掩模，具备具有各自形成有预定图形开口的多个单元的掩模部的曝光用转写掩模，上述多个单元各自根据在该单元上形成的开口图形，从带电粒子枪射出的带电粒子束通过成形的缝隙掩模，进而在从该单元一侧照射时，使该带电粒子束透过至该单元另一侧，由此，在该单元另一侧上配置被处理基板时，在该被处理基板上转写上述单元的开口图形，进而在该被处理基板上形成曝光图形，并在上述掩模部上可以更换上述多个单元的一部分或全部。
此外，本发明用曝光装置的具备，射出带电粒子的带电粒子枪，形成矩形缝隙的成形缝隙掩模，具备具有各自形成有预定图形开口的多个单元的掩模部的曝光用转写掩模，上述多个单元各自根据在该单元上形成的开口图形，从带电粒子枪射出的带电粒子束通过成形的缝隙掩模，进而在从该单元一侧照射时，使该带电粒子束透过至该单元另一侧，由此，在该单元另一侧上配置被处理基板时，在该被处理基板上转写上述单元的开口图形，进而在该被处理基板上形成曝光图形，在上述掩模部上可以更换上述多个单元一部分或全部，使用该曝光装置的曝光方法具有，从带电粒子枪射出带电粒子束、并通过成形缝隙掩模的工序，通过成形缝隙掩模的带电粒子束从上述多个单元各自一侧照射、进而将在该带电粒子束透过至该单元另一侧，由此在该单元另一侧上配置的被处理基板上转写上述单元的开口图形，进而在该被处理基板上形成曝光图形的工序。
附图说明
图1为表示使用本发明的第一实施方式的曝光用转写掩模的字符投影(CP)方式的电子束曝光装置的示意图。
图2为表示本发明第二实施方式的CP缝隙掩模的平面图。
图3为表示本发明第二实施方式的CP缝隙掩模的截面图。
图4为在本发明第二实施方式的CP缝隙掩模上，通过粘接部件粘接块和制动器部之间多个地方的状态的图。
图5为表示本发明第二实施方式的CP缝隙掩模的表面加工工序的截面图。
图6为表示本发明第二实施方式的CP缝隙掩模上里面加工工序的截面图。
图7为说明本发明第二实施方式的CP缝隙掩模块更换顺序的截面图。
图8为表示可实现用于图形更换的块更换的块固定部的尺寸一例的截面图。
图9为表示可实现用于图形更换的块更换的块固定部的尺寸一例的截面图。
图10为表示在1个块上搭载1个单元时的块及块固定部尺寸一例的平面图。
图11为表示在1个块上搭载1个单元时，使包含块及块固定部的圆的直径成为最小的块的配置的平面图。
图12为表示在1个块上搭载4个单元时的块及块固定部尺寸一例的平面图。
图13为表示在1个块上搭载4个单元时，使包含块及块固定部的圆直径成为最小的块的配置平面图。
图14为表示在1个块上搭载16个单元时的块及块固定部尺寸一例的平面图。
图15为表示在1个块上搭载16个单元时，使包含块及块固定部的圆直径成为最小的块的配置的平面图。
图16为表示在1个块上搭载25个单元时的块及块固定部尺寸一例的平面图。
图17为表示在1个块上搭载25个单元时，使包含块及块固定部的圆直径成为最小的块的配置平面图。
图18为表示在1个块上搭载100个单元时的块及块固定部尺寸一例的平面图。
图19为表示在1个块上搭载100个单元时，使包含块及块固定部的圆直径成为最小的块的配置平面图。
图20为表示在1个块上搭载400个单元时的块及块固定部尺寸一例的平面图。
图21为表示将块配置成圆形的一例的平面图。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的实施方式加以说明。
图1是表示使用本发明第一实施方式的曝光用转写掩模的字符投影(CP)方式的电子束曝光装置的示意图。
如图1所示，在射出电子束的电子枪1下方配置有形成矩形缝隙3的缝隙掩模2。在成形缝隙掩模2的下方配置有具有分别形成字符图形的多个单元5的CP缝隙掩模4。该CP缝隙掩模4为本实施方式的曝光用转写掩模。各单元5的字符图形是各种各样的。在CP缝隙掩模4的下方，被图形曝光的半导体晶片6配置在载物台(未图示)上。
在图1所示的CP方式电子束曝光装置，从电子枪1射出的电子束EB通过成形缝隙掩模2的矩形缝隙3，进而成为成形束SB。该成形束SB有选择地照射在形成CP缝隙掩模4的预定字符图形的预定单元上，并通过CP缝隙图形4而成为束图形BP。该束图形BP作为图形7被缩小投影到半导体晶片6上。
通过使用这样的CP方式的电束曝光装置，可以通过一次照射工序曝光1个字符图形。因此，与需要多次拍摄(shot)的目前的可变成形描图方式相比较，其可以显著提高描图速度。
其次，对上述CP方式的电子束装置所适用的本发明的第二实施方式的CP缝隙掩模加以说明。图2为表示本实施方式的CP缝隙掩模的平面图，图3为其截面图。
本实施形的CP缝隙掩模10具有，形成有相互各异的字符图形的400个单元12的掩模部11，和在支持该掩模部11的同时、具有作为保持部(holder)的导向(guide)功能的导向部13。
掩模部11被分割成4个块14，且每个块14各自可更换。各块14包含正方形配置的100个单元12。在块14周围设置有对块定位的制动器部15。通过包含碳的粘接部件16粘接制动器部15和各块14。如图3所示，制动器部15通过SiO2构成的连接部19被梁部17所支持。由此，制动器部15及梁部17作为块14的支持部发挥功能。另外，粘接部件16在图2中被设置在块14的整个周围，但如图4所示，也可以仅被设置在块14周围的多个位置上。
各块14由硅制的膜状体21构成，并被形成有与100个单元12对应的100个字符图形22。制动器部15及梁部17也由硅形成。
如上所示的掩模部11，如后面所述的，可以通过将硅晶片蚀刻及机加工而形成。
如果由成形缝隙掩模的矩形缝隙成形的成形束SB有选择地照射到CP缝隙掩模10预定单元12，则通过该单元12的字符图形生成束图形。该束图形被缩小投影在半导体晶片上。
另外，在1个CP缝隙掩模10上所设置的单元数并不限于400个。如后面所述，在1个块内包含的单元数也不限于100个。
接下来对这样的CP缝隙掩模10的制造方法加以说明。图5(a)至图5(f)为用于说明CP缝隙掩模10的制造工序的表面加工工序的截面图。图6(a)至图6(e)为用于说明CP缝隙掩模10的制造工序的里面加工工序的截面图。
首先，参照图5(a)至图5(f)对表面加工工序加以说明。
最初，准备SOI晶片31。该SOI晶片31，如图5(a)所示，在其表面附近具有SiO2膜32。通过该SiO2膜32。使表层Si部31a和本体Si部31b分离。如果SOI晶体31的整体厚度为725μm，则是够用的。表层Si部31a的厚度需要为可以完全遮断电子束的厚度，并且在使用5eV的电子束的情况下，需要为约2μm以上。此外，SiO2膜32为现在实用化的亚微米的厚度就够用了。
其次，如图5(b)所示，在表层Si部31a的上面成膜TEOS膜33。在ITOS膜33上形成感光胶膜34。而且，通过光刻工序在光刻胶膜34上形成预定图形。
接下来，如图5(c)所示，将光刻胶膜作为掩模使用，并对TEOS膜33干蚀刻。此外，如图5(d)所示，通过灰化除去光刻胶膜34。
在这里，与图形化相关也可以使用电子束描图技术。在这种情况下，电子束用刻胶被涂布在TEOS膜33上。通过电子束描图形成图形。而且，将电子束用刻胶作为掩模来使用，对TEOS膜33进行蚀刻，并且使用氧等离子体灰化除去电子束刻胶。
其后，如图5(e)所示，将TEOS膜33作为膜板，对表层Si部31a蚀刻。由此，形成与图3对应的图形22。此时，SiO2膜32作为制动层发挥功能。
在图形形成后，如图5(f)所示，在使TEOS膜33灰化的同时形成图形保护膜35。
其次，参照图6(a)至图6(e)，对里面加工工序加以说明。
如图6(a)所示，结束其表面加工的晶片被上下倒置而配置。其次，如图6(b)所示，通过钻孔加工和喷砂等机械加工，在本体Si部31b梁部形成预定部分之外的部分上形成深孔37。该深孔优选为500μm以上的深度，更优选为600μm以上。接下来，如图6(c)所示，通过干蚀刻完全除去本体Si部的31b的梁部形成预定部分以外的部分。由此，形成梁部17。
其后，如图6(d)所示，除去图形保护膜35，并通过粘接部件16固定块14的分离预定连结部分。其后，如图6(e)所示，通过湿刻蚀，残留连接部19而除去SiO2膜32。由此，形成具有图3所示状态的、可更换的块14的CP缝隙掩模10。
这样一来，通过干蚀刻、在表面上形成掩模图形，同时通过对里面并用机械加工和蚀刻(干、湿)加工，可以迅速地制造CP缝隙掩模。
其次，参照图7(a)至图7(d)对更换这样的CP缝隙掩模10图形的方法加以说明。
在本实施方式中，形成有相互各异的字符图形的100个单元12构成1个可更换的块14。因此，通过更换块14，实现图形所希望的更换。
首先，在图3所示的CP缝隙掩模10上，如图7(a)所示，通过灰化等、除去应更换的块14的粘接部件16。由此，使块14分离，并落下至梁部17上。
其次，如图7(b)所示，除去被分离的块14。而且，如图7(c)所示，使包含所希望图形的新块14’，边通过制动器部15定位、边被安置在梁部17上。这种情况下，通过与本实施方式相关连的所述的方法相同的制造方法、预先准备好新的块14’。
其后，如图7(d)所示，在梁部17上放置的新块14’和制动器部15被通过粘接部件粘接。在这种情况下，新的块14’的配置高度仅比最初的块14的配置高度低接合部19的厚度。可是，由于接合部19的厚度通常为亚微米，所以上述方式的块的配置高度不同完全不影响曝光。
这样一来，通过灰化、除去粘接具有应更换图形的块14粘接的粘接部件16，取出该块14，并且在与梁部17上的被取出的块14大体对应的位置上、边通过制动器部15定位边载置新块14’，其后，通过以所谓由粘接部件16粘接新块14’和制动器部15的极现实的方法更换块14，可以容易地实现图形更换。
其次，对于可以实现用于如上所述的图形更换的块更换的块固定部的尺寸一例加以说明。
为了实现上述的块更换，需要附加在目前的CP缝隙掩模上不需要的用于制动器部及块粘接的边缘等。边极力减少这些附加部分，边考虑块更换时的误差，需要决定块固定部的尺寸。
首先，参照图8，对在多个部位粘接块14和制动器部15的情况加以说明。
构成块14的膜状体(薄膜)21的厚度为可遮断电子束的厚度。在使用5eV的电子束的情况下，约为2μm程度就足够了。连接部19的厚度如果为亚微米、则足够用，从SOI晶片的实绩为0.2μm。
此外，如果将制动器部15和块14之间距离定为a，并且将梁部17和块14之间重叠部分宽度定为b，则考虑在更换块时新块时的最大偏置时的边缘而取a∶b＝1∶2。在表面加工工序，在以TEOS膜33为掩模对表层Si进行干蚀刻时，在表层Si的侧壁上产生称作咬边(under cut)的现象(在TEOS膜下蚀刻部分产生绕回现象)。该绕回量(咬边量)为表层Si厚度的10％(单侧5％)。这种情况下，由于膜状体21(表层Si)的厚度为2μm，所以咬边量为0.2μm。如果咬边量是距离a的2～5％，则距离a可以吸收咬边量部分的模糊(blur)。因而，在咬边量为0.2μm时，得到a＝4～10μm。考虑到这点，设定a＝5μm。此时b＝10μm。
此外，在多处粘接块14和制动器部15的情况下，如图6(e)所示，在湿刻SiO2膜32而形成连接部19时，蚀刻液在制动器部15下绕回。由此，b(10μm)部分的SiO2膜32的一半(5μm)因蚀刻液的绕回被蚀刻。为了保持制动器部15的强度，如果令制动器部15的宽度∶残存的SiO2膜32的宽度(即连接部19的宽度)＝5∶4，则制动器部15的宽度为50μm。
其次，参照图9对全面粘接块14和制动器械部15的情况加以说明。
在这种情况下，对于薄膜21的厚度，连接部19的厚度，a的宽度及b的宽度与图8相同。然而，这种情况下，在对SiO2膜32湿蚀刻而形成连接部19时，因为蚀刻液没有在制动器部15下绕回，所以制动器部15的宽度不同。即，在这种情况下，决定制动器部15的宽度，使得薄膜21的咬边(under cut)0.2与制动器部15宽度的百分之几相当。如果薄膜21的咬边量0.2μm为制动器部15宽度为2％，则制动器部15宽度成为10μm。如果湿蚀刻的蚀刻率大约为0.1μm/min，则可以控制连接部19宽度为8μm以上。因此，可以充分保持制动器部的强度。
其次，对在1个块14上形成的单元12的个数变化的情况的块14的配置及此时的尺寸加以说明。
在CP缝隙掩模上需要极力减小电子束的偏转。为此，以使包含掩模部11内的最外周的块14的圆(外接圆)成为最小的方式设置块14。此外，如果考虑备用的块的制作容易或在CP缝隙掩模上高密度地配置单元12，则优选以使块14成为正方形的方式配置单元12。
在这里考虑这些而在1个CP缝隙掩模上配置400个正方形单元12，而且，对1个块14正方形地配置有单元12的情况加以表示。以下为在1个块114上配置的单元12数量是1、4、16、25、100、400的6种类型。此外，各单元12作成边长为20μm的正方形。由于电子束为□20μm+α(边长为20μm+α的正方形束)，所以在块14内的相邻的单元和单元间的宽度取为5μm。
首先，图10表示在1个块14由1个单元12构成的情况下的块14及块固定部(制动器部15的侧壁面)的尺寸一例。另外，这里表示粘接部件16被设置在块14周围多处的情况下的尺寸一例。如图10所示，在这种情况下，该块14及制动部15形成边长为110μm的正方形。如果正方形地配置它们，则因为单元12的个数为400，所以全部块14及块固定部形成边长为2120μm的正方形。此时包含全部块14及块固定部的圆直径为2998.1μm。如果图11那样地准多边形地配置由块14及制动部15构成的正方形，则包含全部块14及块固定部的外接圆的直径为2536.2μm。即，这种情况下，在准多边形配置时，包含掩模11全部的块14及块固定部的外接圆直径成为最小。
其次，图12表示1个块14由4个单元12构成的情况下的块14及块固定部尺寸一例。另外，这里也表示在粘接部件16被设置在块14周围多处情况下的尺寸一例。如图12所示，这种情况下，该块14及制动器部15形成边长为135μm的正方形。如果正方形地配置它们，则因为单元12的个数为400，所以全部块14及块固定部形成边长为1270μm的正方形。这时，包含全部块14及块固定部的圆直径为1796.1μm。如果以图13所示的准多边形地配置由块14及制动器部15构成的正方形，则包含全部块14及块固定部的外接圆直径为1573.9μm。即，这种情况下，也在准多边形地配置时，使包含掩模部11的全部块14及块固定部的外接圆直径成为最小。另外，图12省略了粘接部件的图示。
其次，图14表示在1个块14由16个单元12构成的情况下的块14及块固定部的尺寸一例。另外，这里也表示粘接部件16被设置在块14周围多处的情况下的尺寸一例。如图14所示，在这种情况下，该块14及制动器部15形成边长为185μm的正方形。如果呈正方形地配置它们，则因为单元12的个数为400，所以全部块14及块固定部形成边长为845μm的正方形。此时，含有全部块14及块固定部的圆的直径为1195μm。如果如图15虚线的准多边形地配置由块14及制动器部15构成的正方形，则包含全部块14及块固定部的外接圆直径为1219.5μm。即，在这种情况下，在正方形地配置时，使包含掩模11全部块及块14周围定部的外接圆直径成为最小。另外，图14也省略了粘接部件的图示。
其次，图16表示1个块14由25个单元12构成的情况下的、块14及块固定部的尺寸一例。另外，这里也表示粘接部件16被设置在块14周围多处情况下的尺寸一例。如图16所示，在这种情况下，该块14及制动器部15形成边长为210μm的正方形。如果呈正方形地配置它们，则因为单元12的个数为400，所以全部块14及块固定部形成边长为760μm的正方形。这时，包含全部块14及块固定部的圆直径为1074.8μm。如果如图17虚线的准多边形地配置由块14及制动器部15构成的正方形，则包含全部块14及块固定部的外接圆直径为1187.1μm。即，这种情况下，在正方形地配置时，也使包含掩模部11的全部块14及块固定部的外接圆直径成为最小。另外，图16也省略了粘接部件的图示。
其次，图18表示1个块14由100个单元12构成的情况下的、块14及块固定部的尺寸一例。另外，这里也表示粘接部件16被设置在块14周围多处情况下的尺寸一例。如图18所示，在这种情况下，该块14及制动器15形成边长为335μm的正方形。如果呈正方形地配置它们，则由于单元12的个数为400而块14数为4，所以全部块14及块固定部形成边长为590μm的正方形。这时，包含全部块14及块固定部的圆直径为834.4μm。这种情况下，显而易见在这样呈正方形地配置时，包含掩模部11的全部块14及块固定部的外接圆直径成为最小。另外，图18也省略了粘接部件的图示。
其次，图20表示1个块14由400个单元12构成的情况下的、块14及块固定部的尺寸一例。另外，这里也表示粘接部件16设置在块14周围多处情况下的尺寸一例。在这种情况下，该块14及制动器部15形成边长为505μm的正方形。这时，包含全部块14及块固定部的圆直径为714.2μm。另外，图20也省略了粘接部件的图示。
如果汇集以上结果，则如表1所示。
表1
Figure B038163195D00131
如表1所示，随着1个块的单元数增加，而最小外接圆直径变小，即电子束的偏转距离变小。此外，操作性(handling)性也变好。此外，如果考虑这些点，则25、100、400单元/块成为良好的选择肢。如果考虑现实的操作，则优选100、400单元/块。然而，1个块的单元数越增加，则一次更换的单元数变得越多。即，由于更换不必要更换的单元变多，所以以块单元更换的优点减少。如果考虑这一点，则400单元/块作为单元更换的优点小。因而，如果综合地考虑这些，优选100单元/块。
在以上的例中，正方形地配置正方形单元12而构成块14，但是也可以大体正方形地配置正方形以外的矩形单元。此外，单元形状不限于矩形，也可以是其它形状。此外，各块的单元数也可以不同。另外，1个块内的单元配置不限于正方形。例如，在上述例子中，1个块14内纵横同数地配置单元12，但也可以纵横不同数地配置单元。
此外，如果掩模部11是圆形，则由于从中心到外周的距离通常是相等的，所以认为电子束的偏转距离最小。因此，如图21所示，大体呈圆形地构成掩模部11，而在中央配置圆形块14a，并且也考虑在其周围配置例如9个扇形的块14b。
本发明不限于上述实施方式，可以产生各种变形。例如在上述实施方式，由SOI晶片制作掩模部，但也不限于此。此外，通过含有碳的粘接部件粘接制动器部和块，在更换时，通过灰化除去该粘接部件，但其它方法，例如也可以应用通过药剂等的到可以除去的粘接部件。

Claims (10)

1.一种曝光用转写掩模中图形更换方法，其特征在于，
所述曝光用掩模具备具有各自形成预定图形开口的多个单元的掩模部，
所述各掩模部具有：
包含一个或数个单元的一个或数个块，
支持所述一个或数个块的一个或数个的支持部，
粘接所述一个或数个块和所述一个或数个支持部，同时在任意时间可被除去的一个或数个粘接部件，
所述各支持部具有：
通过所述粘接部件，将对应的所述块定位的制动器部，
支持所述支持部，同时以一部分向对应的所述块的下方突出的方式设置的梁部，
所述粘接部件含有碳，
其中，所述数个块与所述制动器部通过对坯料的一侧的表面进行干蚀刻形成，
所述梁部通过对所述坯料的一侧的表面的相反侧表面并用机械加工和蚀刻形成，
所述制动器部和所述块在连接的状态下，用所述粘接部件粘接，通过蚀刻，使所述制动器部和所述块的连接部分仅为粘接部件，以使所述块能够被更换，
曝光用转写掩模的图形更换方法具备，
除去粘接具有应更换的图形的块的粘接部件，取出该块的工序，
在与被取出的块对应的支持部的梁部上载置新的块的工序，
通过粘接部件，粘接与被取出的块对应的支持部的制动器部和所述新块的工序。
2.如权利要求1所述的曝光用转写掩模中图形更换方法，其特征在于，所述支持部均以围绕对应的所述块的方式设置，并在该块周围的整周或数个位置设置粘接部件。
3.如权利要求1所述的曝光用转写掩模中图形更换方法，其特征在于，所述块按照使所述掩模部内的最外周的块的外接圆最小的方式配置。
4.如权利要求1所述的曝光用转写掩模中图形更换方法，其特征在于，所述块均包含以正方形配置的数个矩形单元。
5.如权利要求1所述的曝光用转写掩模中图形更换方法，其特征在于，所述掩模部主要由硅构成。
6.一种制造曝光用转写掩模的制造方法，其特征在于，
所述曝光用转写掩模具备具有形成预定图形开口的数个单元的掩模部，
所述掩模部具有，
各自包含一个或数个单元的一个或数个块，
支持所述一个或数个块的一个或数个的支持部，
粘接所述一个或数个块和所述一个或数个支持部，同时在任意时间可被除去的一个或数个粘接部件，
所述支持部均具有，
通过所述粘接部件，将对应的所述块定位的制动器部，
支持所述支持部，同时以一部分向对应的所述块的下方突出的方式设置的梁部，
所述粘接部件含有碳，所述制造曝光用转写掩模的方法具备，
利用干蚀刻，形成所述多个块及所述制动器部的第一工序，
在所述第一工序后，并用机械加工和蚀刻，形成所述梁部的第二工序，
在所述第二工序后，以所述粘接部件，连结所述数个块和所述制动器部的第三工序。
7.如权利要求6所述的曝光用转写掩模中图形更换方法，其特征在于，所述支持部均以围绕对应的所述块的方式设置，并在该块周围的整周或数个位置设置粘接部件。
8.如权利要求6所述的曝光用转写掩模中图形更换方法，其特征在于，所述块按照使所述掩模部内的最外周的块的外接圆最小的方式配置。
9.如权利要求6所述的曝光用转写掩模中图形更换方法，其特征在于，所述块均包含以正方形配置的数个矩形单元。
10.如权利要求6所述的曝光用转写掩模中图形更换方法，其特征在于，所述掩模部主要由硅构成。
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