CN214846232U - 曝光装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种曝光装置，用来对设置在一待光刻件的一外表面的一光阻层曝光。曝光装置包括一光源、位置临近于光源的一凹透镜、以及间隔地设置在凹透镜相对远离光源的一侧的一微透镜阵列。光源用来发射一光线，并且光线能用来照射光阻层，使光阻层形成一图案化光阻层。凹透镜用来扩散光线，并且微透镜阵列用来调整光线的行走路径。借此，本实用新型的曝光装置能取代制造成本与结构复杂度皆相对高的现有光罩，进而降低曝光装置的整体制造成本。

Description

曝光装置

技术领域

本实用新型涉及一种曝光装置，特别是涉及一种无版缝曝光装置。

背景技术

现有的光刻曝光设备对一金属滚轮或一金属平板基材曝光时，为形成特定的图案结构，往往会搭配光罩以进行曝光。然，为了能在曝光时形成更加精细的图案，光罩的微结构的复杂度不断提升，进而导致光罩的制造成本上升，也使得现有的光刻曝光设备的整体制造成本提升。

于是，上述缺陷被认为可改善，乃特潜心研究并配合科学原理的运用，终于提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本实用新型。

实用新型内容

本实用新型实施例在于提供一种曝光装置，其能有效地改善现有曝光装置所可能产生的缺陷。

本实用新型的其中一个实施例公开一种曝光装置，用来对设置在一待光刻件的一外表面的一光阻层曝光，所述曝光装置包括：一光源，用来发射一光线，并且所述光线能用来照射所述光阻层，使所述光阻层形成一图案化光阻层；一凹透镜，位置临近于所述光源，并且所述凹透镜用来扩散所述光线；以及一微透镜阵列，间隔地设置在所述凹透镜相对远离所述光源的一侧，并且所述微透镜阵列用来调整所述光线的行走路径。

优选地，所述光源包含多个发光二极管，多个所述发光二极管用来发出波长范围200至400纳米的紫外光。

优选地，所述光源包含多个雷射二极管，多个所述雷射二极管用来发出波长范围300至450纳米的雷射光。

优选地，所述微透镜阵列包含多个凸透镜单元，多个所述凸透镜单元能用来汇聚所述光线。

优选地，所述光源与所述凹透镜间隔有一扩散距离，并且所述扩散距离小于所述凹透镜与所述微透镜阵列之间的距离。

优选地，所述微透镜阵列能用来与所述光阻层间隔有一曝光距离，并且所述曝光距离小于所述凹透镜与所述微透镜阵列之间的距离。

优选地，所述曝光距离介于10微米至20微米之间。

优选地，所述曝光距离介于1微米至10微米之间。

优选地，所述曝光装置进一步包含一反射镜，所述反射镜位于所述凹透镜与所述微透镜阵列之间，并且所述反射镜能用来改变所述光线的行走路径。

优选地，所述反射镜和所述凹透镜之间的距离与所述反射镜和所述微透镜阵列之间的距离相同。

综上，本实用新型的其中一有益效果在于，本实用新型所提供的所述曝光装置，其能通过“所述微透镜阵列间隔地设置在所述凹透镜相对远离所述光源的一侧，并且所述微透镜阵列用来调整所述光线的行走路径”的技术方案，取代制造成本与结构复杂度皆相对高的现有光罩，进而降低所述曝光装置的整体制造成本。

为能进一步了解本实用新型的特征及技术内容，请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图，但是此等说明与附图仅用来说明本实用新型，而非对本实用新型的保护范围作任何的限制。

附图说明

图1为本实用新型实施例的曝光装置的示意图。

图2为本实用新型实施例的曝光装置的另一示意图。

具体实施方式

以下是通过特定的具体实施例来说明本实用新型所公开有关“曝光装置”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本实用新型的优点与效果。本实用新型可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不背离本实用新型的构思下进行各种修改与变更。另外，本实用新型的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。此外，以下如有指出请参阅特定图式或是如特定图式所示，其仅是用以强调于后续说明中，所述及的相关内容大部份出现于该特定图式中，但不限制该后续说明中仅可参考所述特定图式。以下的实施方式将进一步详细说明本实用新型的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本实用新型的保护范围。

应当可以理解的是，虽然本文中可能会使用到“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种组件或者信号，但这些组件或者信号不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一组件与另一组件，或者一信号与另一信号。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。

请参阅图1至图2所示，其为本实用新型的实施例，需先说明的是，本实施例所对应到的附图及其所提及的相关数量与外形，仅用来具体地说明本实用新型的实施方式，以便于了解本实用新型的内容，而非用来局限本实用新型的保护范围。

如图1所示，本实用新型实施例提供一种曝光装置100，用来对设置在一待光刻件200的一外表面201的一光阻层202曝光。其中，在本实施例中，所述待光刻件200优选为一金属滚轮，但本实用新型并不限于此。举例来说，在本实用新型未绘示的其他实施例中，所述待光刻件200也可以为一金属平板。

需要说明的是，所述金属滚轮与所述金属平板优选由不锈钢制成，但本实用新型并不限于此。举例来说，所述金属滚轮与所述金属平板也可以由锡、铅、锌、铝、铜、黄铜、铁、镍、钴、钨、铬或其硬度大于铬的金属制成，而所述金属滚轮与所述金属平板的尺寸也能以依需求进行设计。

需要说明的是，所述光阻层202在本实施例中由正光阻剂形成，其可以是由酚醛树脂(Phenol-formaldehyde resin)或环氧树脂(Epoxy resin)等正光阻剂材料制成，但本实用新型并不限于此。举例来说，所述光阻层202也可以由聚异戊二烯橡胶(Polyisoprenerubber)、环氧基聚合物(Epoxy-based polymer)、或硫醇烯聚合物(Thiol-enes(OSTE)polymer)等负光阻剂材料制成。

如图1所示，所述曝光装置100包括一光源1、位置临近于所述光源1的一凹透镜2、以及间隔地设置在所述凹透镜2相对远离所述光源1的一侧的一微透镜阵列3。其中，所述凹透镜2用来扩散所述光线，但本实用新型并不限于此。举例来说，如图2所示，所述曝光装置100也可以包含位于所述凹透镜2与所述微透镜阵列3之间的一反射镜4。

如图1所示，所述光源1用来发射一光线，并且所述光线能用来照射所述光阻层202，使所述光阻层202形成一图案化光阻层。其中，所述光源1包含多个发光二极管(图未绘)，多个所述发光二极管用来发出波长范围200至400纳米的紫外光，但本实用新型并不限于此。举例来说，在本实用新型未绘示的其他实施例中，所述光源也可以包含多个雷射二极管，多个所述雷射二极管用来发出波长范围300至450纳米的雷射光。

需要说明的是，当多个所述发光二极管是用来发出紫外光时，多个所述发光二极管优选用来发出波长365纳米的紫外光；当多个所述发光二极管是用来发出雷射光时，多个所述发光二极管优选用来发出波长405纳米的雷射光。

如图1所示，所述微透镜阵列3用来调整所述光线的行走路径，并且所述微透镜阵列3包含多个凸透镜单元31，多个所述凸透镜单元31能用来汇聚所述光线。

如图2所示，所述反射镜4位于所述凹透镜2与所述微透镜阵列3之间，并且所述反射镜4能用来改变所述光线的行走路径。其中，所述反射镜4和所述凹透镜2之间的距离与所述反射镜4和所述微透镜阵列3之间的距离相同。

需要说明的是，所述光源1与所述凹透镜2间隔有一扩散距离L1，并且所述扩散距离L1小于所述凹透镜2与所述微透镜阵列3之间的距离；所述微透镜阵列3能用来与所述光阻层202间隔有一曝光距离L2，并且所述曝光距离L2小于所述凹透镜与所述微透镜阵列3之间的距离。其中，所述曝光距离L2介于10微米至20微米之间，但本实用新型并不限于此。举例来说，在本实用新型未绘示的其他实施例中，所述曝光距离L2也可以介于1微米至10微米之间。

[实施例的有益效果]

本实用新型的其中一有益效果在于，本实用新型所提供的所述曝光装置100，其能通过“所述微透镜阵列3间隔地设置在所述凹透镜2相对远离所述光源1的一侧，并且所述微透镜阵列3用来调整所述光线的行走路径”的技术方案，取代制造成本与结构复杂度皆相对高的现有光罩，进而降低所述曝光装置100的整体制造成本。

以上所公开的内容仅为本实用新型的优选可行实施例，并非因此局限本实用新型的申请专利范围，所以凡是运用本实用新型说明书及图式内容所做的等效技术变化，均包含于本实用新型的申请专利范围内。

Claims (10)

1.一种曝光装置，其特征在于，所述曝光装置用来对设置在一待光刻件的一外表面的一光阻层曝光，所述曝光装置包括：

一光源，用来发射一光线，并且所述光线能用来照射所述光阻层，使所述光阻层形成一图案化光阻层；

一凹透镜，位置临近于所述光源，并且所述凹透镜用来扩散所述光线；以及

一微透镜阵列，间隔地设置在所述凹透镜相对远离所述光源的一侧，并且所述微透镜阵列用来调整所述光线的行走路径。

2.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述光源包含多个发光二极管，多个所述发光二极管用来发出波长范围200至400纳米的紫外光。

3.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述光源包含多个雷射二极管，多个所述雷射二极管用来发出波长范围300至450纳米的雷射光。

4.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述微透镜阵列包含多个凸透镜单元，多个所述凸透镜单元能用来汇聚所述光线。

5.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述光源与所述凹透镜间隔有一扩散距离，并且所述扩散距离小于所述凹透镜与所述微透镜阵列之间的距离。

6.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述微透镜阵列能用来与所述光阻层间隔有一曝光距离，并且所述曝光距离小于所述凹透镜与所述微透镜阵列之间的距离。

7.根据权利要求6所述的曝光装置，其特征在于，所述曝光距离介于10微米至20微米之间。

8.根据权利要求6所述的曝光装置，其特征在于，所述曝光距离介于1微米至10微米之间。

9.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述曝光装置进一步包含一反射镜，所述反射镜位于所述凹透镜与所述微透镜阵列之间，并且所述反射镜能用来改变所述光线的行走路径。

10.根据权利要求9所述的曝光装置，其特征在于，所述反射镜和所述凹透镜之间的距离与所述反射镜和所述微透镜阵列之间的距离相同。

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