JP2004111666A - 補強枠付き荷電粒子線露光用レチクル及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】接着歪み及び接着歪みに起因するメンブレンに形成された微細パターンの歪みを低減できる補強枠付き荷電粒子線露光用レチクル及びその製造方法等を提供することを目的とする。
【解決手段】感光基板に転写すべきパターンが形成されたメンブレンの外周を固定してこれを支える外周枠を有するレチクルと、　前記レチクルの外周枠に接着され、レチクルを補強する補強枠と、　を有する補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルであって、　前記レチクルの外周枠には接着剤注入孔が形成され、この接着剤注入孔に注入した接着剤により前記レチクルの外周枠と補強枠とを接着してなることを特徴とする補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルとした。
【選択図】　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、荷電粒子線縮小投影装置に用いられる荷電粒子線露光用レチクル及びその製造方法に関する。特には、接着歪み及び接着歪みに起因するメンブレンに形成された微細パターンの歪みを低減できる補強枠付き荷電粒子線露光用レチクル及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路の高集積化に伴い、長年微細パターンを形成する手段の主流であった光を用いたフォトリソグラフィー技術に代わって、荷電粒子線（例えば、電子線やイオンビーム）あるいはＸ線を利用する新しい露光方式が検討され、実用化されている。このうち、電子線を利用してパターン形成する電子線露光は、電子線そのものを数ｎｍにまで絞ることができるため、０．１μｍあるいはそれ以下の微細パターンを作製できる点に大きな特徴を有している。
【０００３】
しかし、従来からある電子線露光方式は、一筆書きの方式であったため、微細パターンになればなるほど絞った電子線で描画せねばならず、描画時間が長くなり、スループット（生産性）が低いという問題があった。
【０００４】
そこで提案されたのが、光を用いたフォトリソグラフィー技術と同様に、予め転写すべき回路パターンを形成したレチクル上に電子線を照射し、そのパターンをウエハ等の感光基板上に縮小投影する方式である。この電子線投影露光方式では、露光装置の投影光学系の視野の大きさにしたがって転写するパターンが分割され、レチクル上の複数のサブフィールド（例えば、一辺が１ｍｍ程度の正方形）に分割されたパターンが形成される。そして、半導体チップ全体を露光するために、各サブフィールドを電子線にてステップ的に走査して、サブフィールドの開口に応じたパターンを感光基板上でつなぎ合わせる。このように、一回に電子線によって露光されるサブフィールドの大きさは１ｍｍ角程度（縮小投影倍率が１／４倍の場合、ウエハ上で０．２５ｍｍ角程度）であるため、従来の一筆書きの露光方式に比べると、スループットは飛躍的に向上する。
【０００５】
電子線投影露光用のレチクルとしては、例えば、厚さ２μｍ程度のメンブレン状のシリコンやダイヤモンド等に電子線透過部の開口を開けて回路パターンを形成したステンシルレチクルや、厚さ０．１μｍ程度のメンブレン状のＳｉＮに散乱体（タングステン、金、白金、タンタル等の重金属）で回路パターンを形成したメンブレンレチクルがある。電子線を上記レチクルに照射すると、ステンシルレチクルでは、メンブレンが存在する領域で電子線は散乱され、開口部を通過した電子線はウエハ上に結像されるので、開口部の配置に応じたパターンが転写される。一方、メンブレンレチクルでは、散乱体で電子線は大きく散乱されるが、散乱体の無いメンブレンのみの領域を通過した電子線はウエハ上に結像されるので、散乱体の配置に応じたパターンが転写される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、レチクルの強度を補強する、レチクルステージ等の搬送系でのレチクルの取扱いを容易にする等の観点からレチクル外周枠の下面に、より強度の高い補強枠を接合した補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルが提案されている。この補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルを製造するため、レチクル外周枠と補強枠とを接着剤により接着する方法を用いる例がある。
【０００７】
従来の接着剤による接着方法では、荷電粒子線露光用レチクルの外周枠と補強枠との貼り合わせ面に接着剤を塗っている。そのため、接着部分において接着歪みが生じ、パターン形成領域であるメンブレンに位置歪みが引き起こされ、メンブレンに形成された開口パターン等に位置歪み（例えば、２００ｎｍ程度）が引き起こされる。荷電粒子線を用いた新しい露光方式で用いられるレチクルは、集積回路の超微細化に伴い、１０数ｎｍ程度のパターン精度、位置歪み精度が要求されるので、かかる程度の位置歪みが生じることは重大な問題である。
【０００８】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであって、接着歪み及び接着歪みに起因する、メンブレンに形成された微細パターンの歪みを低減できる補強枠付き荷電粒子線露光用レチクル及びその製造方法等を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明に係る補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルは、　感光基板に転写すべきパターンが形成されたメンブレンの外周を固定してこれを支える外周枠を有するレチクルと、　前記レチクルの外周枠に接着され、レチクルを補強する補強枠と、　を有する補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルであって、　前記レチクルの外周枠には接着剤注入孔が形成され、この接着剤注入孔に注入した接着剤により前記レチクルの外周枠と補強枠とを接着してなることを特徴とする。
【００１０】
本発明によれば、レチクルの外周枠と補強枠との接着は、レチクル外周枠に形成された接着剤注入孔に注入した接着剤によってなされている。このため、レチクル外周枠と補強枠との貼り合わせ面に接着剤を塗布する必要がないので、接着歪みを最小限に抑えることができる。その結果、接着歪みに起因するメンブレンに形成された微細パターンの歪みを低減することができる。
【００１１】
また、本発明に係る補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルの製造方法は、　感光基板に転写すべきパターンが形成されたメンブレンの外周を固定してこれを支える外周枠と、この外周枠に形成された接着剤注入孔と、を有するレチクルを用意する工程と、　前記レチクルを補強する補強枠を用意する工程と、　前記接着剤注入孔に接着剤を注入し、この接着剤により前記レチクルの外周枠と補強枠とを接着する工程と、　を備えることを特徴とする。これにより、微細パターンの歪みを低減した補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルを製造することができる。
【００１２】
さらに、本発明に係るレチクルは、　感光基板に転写すべきパターンが形成されたメンブレンと、　前記メンブレンの外周を固定してこれを支える外周枠と、前記外周枠に形成された接着剤注入孔と、　を有することを特徴とする。補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルの製造に本発明のレチクルを用いることにより、レチクル外周枠に形成された接着剤注入孔に接着剤を注入してレチクルと補強枠とを接着することができる。このため、接着歪みを最小限に抑え、接着歪みに起因するメンブレンに形成された微細パターンの歪みを低減することができる。
【００１３】
本発明に係る補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルブランクは、　メンブレンの外周を固定してこれを支える外周枠を有するレチクルブランクと、　前記レチクルブランクの外周枠に接着され、レチクルブランクを補強する補強枠と、　を有する補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルブランクであって、　前記レチクルブランクの外周枠には接着剤注入孔が形成され、この接着剤注入孔に注入した接着剤により前記レチクルブランクの外周枠と補強枠とを接着してなることを特徴とする。
【００１４】
レチクルブランクの外周枠と補強枠との接着は、レチクルブランクの外周枠に形成された接着剤注入孔に注入した接着剤によってなされている。このため、レチクルブランクの外周枠と補強枠との貼り合わせ面に接着剤を塗布する必要がないので、接着歪みを最小限に抑えることができる。そして、本発明の補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルブランクのメンブレンにパターンを形成することにより、微細パターンの歪みを低減することができる。
【００１５】
また、本発明に係る補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルブランクの製造方法は、　メンブレンの外周を固定してこれを支える外周枠と、この外周枠に形成された接着剤注入孔と、を有するレチクルブランクを用意する工程と、　前記レチクルブランクを補強する補強枠を用意する工程と、　前記接着剤注入孔に接着剤を注入し、この接着剤により前記レチクルブランクの外周枠と補強枠とを接着する工程と、　を備えることを特徴とする。これにより、接着歪みを最小限に抑えた補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルブランクを製造することができる。
【００１６】
さらに、本発明に係るレチクルブランクは、　メンブレンと、　前記メンブレンの外周を固定してこれを支える外周枠と、　前記外周枠に形成された接着剤注入用の深溝又は接着剤注入孔と、　を有することを特徴とする。補強枠付き荷電粒子線露光用レチクル又は補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルブランクの製造に本発明のレチクルブランクを用いることにより、接着歪みを最小限に抑えることができる。また、接着歪みに起因するメンブレンに形成された微細パターンの歪みを低減することができる。
【００１７】
本発明に係る補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルは、　感光基板に転写すべきパターンが形成されたメンブレンの外周を固定してこれを支える外周枠を有するレチクルと、　前記レチクルの外周枠に接着され、レチクルを補強する補強枠と、　を有する補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルであって、　前記補強枠には接着剤注入孔が形成され、この接着剤注入孔に注入した接着剤によりレチクルの外周枠と補強枠とを接着してなることを特徴とする。
【００１８】
本発明によれば、レチクルの外周枠と補強枠との接着は、補強枠に形成された接着剤注入孔に注入した接着剤によってなされている。補強枠に接着剤注入孔を形成する場合の加工条件は、レチクルに接着剤注入孔を形成する場合に比べて緩いため、接着剤注入孔を形成することが容易になる。このため、容易に接着歪みを最小限に抑えることができる。その結果、接着歪みに起因するメンブレンに形成された微細パターンの歪みを容易に低減することができる。
【００１９】
また、本発明に係る補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルの製造方法は、　感光基板に転写すべきパターンが形成されたメンブレンの外周を固定してこれを支える外周枠を有するレチクルを用意する工程と、　前記レチクルを補強する補強枠であって、接着剤注入孔が形成された補強枠を用意する工程と、　前記接着剤注入孔に接着剤を注入し、この接着剤によりレチクルの外周枠と補強枠とを接着する工程と、　を備えることを特徴とする。これにより、微細パターンの歪みを低減した補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルを容易に製造することができる。
【００２０】
本発明に係る補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルブランクは、　メンブレンの外周を固定してこれを支える外周枠を有するレチクルブランクと、　前記レチクルブランクの外周枠に接着され、レチクルブランクを補強する補強枠と、　を有する補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルブランクであって、　前記補強枠には接着剤注入孔が形成され、この接着剤注入孔に注入した接着剤によりレチクルブランクの外周枠と補強枠とを接着してなることを特徴とする。
【００２１】
本発明によれば、レチクルブランクの外周枠と補強枠との接着は、補強枠に形成された接着剤注入孔に注入した接着剤によってなされている。補強枠に接着剤注入孔を形成する場合の加工条件は、レチクルブランクに接着剤注入孔を形成する場合に比べて緩いため、接着剤注入孔を形成することが容易になる。このため、容易に接着歪みを最小限に抑えることができる。そして、本発明の補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルブランクのメンブレンにパターンを形成することにより、微細パターンの歪みを容易に低減することができる。
【００２２】
また、本発明に係る補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルブランクの製造方法は、　メンブレンの外周を固定してこれを支える外周枠を有するレチクルブランクを用意する工程と、　前記レチクルブランクを補強する補強枠であって、接着剤注入孔が形成された補強枠を用意する工程と、　前記接着剤注入孔に接着剤を注入し、この接着剤によりレチクルブランクの外周枠と補強枠とを接着する工程と、　を備えることを特徴とする。これにより、接着歪みを最小限に抑えた補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルブランクを容易に製造することができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係る補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルの構成例を模式的に示す図であり、図１（Ａ）は全体の平面図であり、図１（Ｂ）は断面図である。なお、図１では、図面の簡略化のためにサブフィールドの数を省略して示している。
【００２４】
図１（Ａ）に示すように、補強枠付き荷電粒子線露光用レチクル３０（大きさは例えば直径２００ｍｍ）には、二つのメンブレン領域３１ａ、３１ｂが形成されており、各々のメンブレン領域には感光基板に転写すべき回路パターンが分割して配置されている。このメンブレン領域３１ａ、３１ｂは、一例でその平面が１３２ｍｍ×５５ｍｍの大きさの長方形形状を有している。
【００２５】
この補強枠付き荷電粒子線露光用レチクル３０は、図１（Ｂ）に示すように、メンブレン１３ａの外周を固定してこれを支える外周枠１１ｂを有するレチクル２０と、このレチクル２０を補強する補強枠４０とを有する。そして、レチクル２０の外周枠１１ｂには接着剤注入孔２１が形成され、この接着剤注入孔２１に注入した接着剤２２によりレチクル２０の外周枠１１ｂと補強枠４０とを接着した構成となっている。ここで接着剤注入孔の数、形状、位置等は、接着後に要求される接着強度及び歪み許容値によって決定される。図１（Ａ）では、接着剤注入孔２１はレチクル２０の外周枠１１ｂに３個設けられており、その平面形状は直径５ｍｍの円形である。この接着剤注入孔２１の中心２１ａは、レチクル２０の中心２０ａから９５ｍｍの位置にあり、円周状に等間隔で（図１では、３個の接着剤注入孔２１が１２０度間隔で）配置されている。補強枠４０の大きさは、内径、外径ともにレチクル２０の外周枠１１ｂの内径、外径とそれぞれほぼ同じか、それより大きく、厚さは、補強枠４０の径の大きさにもよるが、約３〜１０ｍｍである。また、内径形状は、円形に限られず、多角形であってもよい。一例で、補強枠４０は、外径が２００ｍｍ、内径が１８０ｍｍの大きさの円筒形状を有している。補強枠４０の材質はレチクル２０の材質と同じであることが好ましい。
【００２６】
次に、図２及び図３を参照しつつ、本発明の実施の形態に係る補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルの製造方法について説明する。なお、補強枠４０が付いていないレチクル２０は、前述の従来技術で示したステンシルレチクル、メンブレンレチクルのいずれのタイプであってもよいが、本発明の実施の形態では、ステンシルレチクルを用いて説明する。
【００２７】
図２は、本発明の実施の形態に係るレチクルブランクの製造方法の工程例を模式的に説明する図である。また、図３は、本発明の実施の形態に係る補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルの製造方法の工程例を模式的に説明する図である。
【００２８】
まず、図２（Ａ）に示すように、一般的な製造方法により製造したシリコン支持基板、酸化シリコン層、シリコン層からなるＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　ｏｎ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用意し、このシリコン層にボロンを拡散（熱拡散法又はイオン注入法）してシリコン活性層を形成した、シリコン支持基板１１、酸化シリコン層１２、シリコン活性層（ボロン拡散層）１３からなるＳＯＩ基板１０を作製する。
【００２９】
次に、図２（Ｂ）に示すように、シリコン支持基板１１の下面に、シリコンエッチングのマスク材料として感光剤（レジスト膜）１４を塗布する。次いで、図２（Ｃ）に示すように、このレジスト膜１４にリソグラフィー工程を施してメンブレンとなる位置に対応する部分１５のパターニングを行った後、この部分１５のレジスト膜を除去する。このとき、接着剤注入孔となる位置に対応する部分１６のパターニングも行い、この部分１６のレジスト膜を除去する。このようにして、シリコン支持基板１１上に、メンブレンとなる位置に対応する部分１５及び接着剤注入孔となる位置に対応する部分１６に開口が設けられたエッチング用マスク１７を形成する。
【００３０】
その後、図２（Ｄ）に示すように、エッチング用マスク１７に形成された開口に合わせてシリコン支持基板をエッチング（例えば、ＩＣＰドライエッチング）する。シリコンと酸化シリコンとのエッチング選択比の違いにより、シリコン支持基板のエッチングは酸化シリコン層１２まで行われる。これにより、酸化シリコン層１２及びシリコン活性層１３がシリコン製の外周枠１１ｂと支柱１１ａにより支持され、外周枠１１ｂと支柱１１ａ間及び支柱１１ａ間に凹部１５ａを有する構造体を形成する。このとき、外周枠１１ｂの接着剤注入孔となる位置に対応する部分にも凹部１６ａを形成する。
【００３１】
次に、図２（Ｅ）に示すように、凹部１５ａ及び１６ａにおいて露出した酸化シリコン層１２をフッ化水素酸により除去してシリコン活性層１３をシリコンメンブレン１３ａとし、さらに、エッチング用マスクを除去する。このようにして、メンブレン１３ａと、このメンブレン１３ａの外周を固定してこれを支える外周枠１１ｂと、この外周枠１１ｂに形成された接着剤注入用の深溝１６ｂ（後の工程で接着剤注入孔となる）と、を有するレチクルブランク１８を形成する。
【００３２】
続いて、図３（Ａ）に示すように、レチクルブランク１８のシリコンメンブレン１３ａ上にレジスト膜を塗布し、所定の微細パターンを電子線描画装置などを用いて焼き付け、転写してエッチング用マスク１９を形成する。このとき、接着剤注入孔となる位置に対応する部分２３のパターニングも行う。そして、図３（Ｂ）に示すように、エッチング用マスク１９をマスクとしてシリコンメンブレン１３ａをエッチングし、シリコンメンブレン１３ａに開口パターンを形成する。このとき、外周枠１１ｂに接着剤注入孔２１を形成する。次いで、図３（Ｃ）に示すように、エッチング用マスクを除去することにより、感光基板に転写すべきパターンが形成されたメンブレン１３ａと、このメンブレン１３ａの外周を固定してこれを支える外周枠１１ｂと、この外周枠１１ｂに形成された接着剤注入孔２１と、を有するレチクル２０を形成する。
【００３３】
次に、図３（Ｄ）に示すように、シリコンからなる補強枠４０を用意し、この補強枠４０の上にレチクル２０を載せ、両者の位置合わせを行った後、レチクル２０の接着剤注入孔２１に接着剤２２を注入する。このようにして、接着剤注入孔２１に注入した接着剤２２により、レチクル２０の外周枠１１ｂと補強枠４０とを接着した補強枠付き荷電粒子線露光用レチクル３０が完成する。
【００３４】
なお、メンブレンを形成した後、メンブレンに感光基板に転写すべき開口パターンを形成する、いわゆる「バックエッチ先行プロセス」により説明したが、ＳＯＩ基板のシリコン活性層にパターンを形成した後、シリコン支持基板、酸化シリコン層を所定のパターンにエッチングして感光基板に転写すべき開口パターンが形成されたメンブレンにする、いわゆる「バックエッチ後行プロセス」によっても同様のレチクル２０及び補強枠付き荷電粒子線露光用レチクル３０が得られる。
【００３５】
また、レチクルブランクの凹部形成時に深溝を設け、レチクルメンブレンの開口パターン形成時に接着剤注入孔を形成する例を説明したが、深溝が無いレチクルブランクや接着剤注入孔が無いレチクルを作成した後、レーザ加工等によりレチクルブランク又はレチクルの外周枠に接着剤注入孔を設けてもよい。
【００３６】
さらに、パターンが形成されたレチクルの外周枠と補強枠とを接着する場合について説明したが、レチクルブランクの外周枠と補強枠とを接着した後に、そのメンブレンに開口パターンを形成してもよい。この場合、補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルブランクは、次のような製造方法によって製造される。
【００３７】
図４は、本発明の実施の形態に係る補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルブランクの製造方法の工程例を模式的に説明する図である。
まず、図２に示す工程により外周枠１１ｂに深溝１６ｂが設けられたレチクルブランク１８を形成する。そして、図４（Ａ）に示すように、レチクルブランク１８のシリコンメンブレン１３ａ上にレジスト膜を塗布し、接着剤注入孔となる位置に対応する部分２３のパターニングを行った後、この部分２３のレジスト膜を除去する。このようにして、シリコンメンブレン１３ａ上に、接着剤注入孔となる位置に対応する部分２３に開口が設けられたエッチング用マスク２４を形成する。
【００３８】
そして、図４（Ｂ）に示すように、エッチング用マスク２４をマスクとしてシリコンメンブレン１３ａをエッチングし、外周枠１１ｂに接着剤注入孔２１を形成する。次いで、図４（Ｃ）に示すように、エッチング用マスクを除去することにより、メンブレン１３ａと、このメンブレン１３ａの外周を固定してこれを支える外周枠１１ｂと、この外周枠１１ｂに形成された接着剤注入孔２１と、を有するレチクルブランク２５を形成する。
【００３９】
次に、図４（Ｄ）に示すように、シリコンからなる補強枠４０を用意し、この補強枠４０の上にレチクルブランク２５を載せ、両者の位置合わせを行った後、レチクルブランク２５の接着剤注入孔２１に接着剤２２を注入する。このようにして、接着剤注入孔２１に注入した接着剤２２により、レチクルブランク２５の外周枠１１ｂと補強枠４０とを接着した補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルブランク３５が完成する。
【００４０】
上記実施の形態では、レチクル又はレチクルブランクに接着剤注入孔を設けているが、補強枠に接着剤注入孔を設けてもよい。この場合、補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルは図５に示すような構成となる。
【００４１】
図５は、本発明の他の実施の形態に係る補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルの構成例を模式的に示す図であり、図５（Ａ）は全体の平面図であり、図５（Ｂ）は断面図である。なお、図５では、図面の簡略化のためにサブフィールドの数を省略して示している。
【００４２】
図５（Ａ）に示すように、補強枠付き荷電粒子線露光用レチクル５０（大きさは例えば直径２００ｍｍ）には、二つのメンブレン領域５１ａ、５１ｂが形成されており、各々のメンブレン領域には感光基板に転写すべき回路パターンが分割して配置されている。このメンブレン領域５１ａ、５１ｂは、一例でその平面が１３２ｍｍ×５５ｍｍの大きさの長方形形状を有している。
【００４３】
この補強枠付き荷電粒子線露光用レチクル５０は、図５（Ｂ）に示すように、メンブレン１３ａの外周を固定してこれを支える外周枠１１ｂを有するレチクル６０と、このレチクル６０を補強する補強枠７０とを有する。そして、補強枠７０には接着剤注入孔７１が形成され、この接着剤注入孔７１に注入した接着剤７２によりレチクル６０の外周枠１１ｂと補強枠７０とを接着した構成となっている。ここで接着剤注入孔の数、形状、位置等は、接着後に要求される接着強度及び歪み許容値によって決定される。
【００４４】
次に、図６及び図７を参照しつつ、本発明の他の実施の形態に係る補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルの製造方法について説明する。なお、補強枠が付いていないレチクル６０は、前述の従来技術で示したステンシルレチクル、メンブレンレチクルのいずれのタイプであってもよいが、本発明の実施の形態では、ステンシルレチクルを用いて説明する。
【００４５】
図６は、接着剤注入孔が形成された補強枠を模式的に示す図であり、図６（Ａ）は平面図であり、図６（Ｂ）は断面図である。また、図７は、ステンシルレチクルの製造方法の工程例を模式的に説明する図である。
【００４６】
まず、レチクルを補強する補強枠を用意し、図６に示すように、補強枠７０に接着剤注入孔７１を形成する。図６（Ａ）では、補強枠７０に３個の接着剤注入孔７１が円周状に等間隔で（１２０度間隔で）３個設けられており、その平面形状は円形である。ここで、接着剤注入孔７１の形成方法は、孔を形成できる方法であれば何でもよく、例えば、穴あけ加工や切削加工等の機械加工方法やレーザ加工方法等により接着剤注入孔を形成することができる。この補強枠７０の大きさは、内径、外径ともにレチクルの外周枠の内径、外径とそれぞれほぼ同じか、それより大きく、厚さは、補強枠の径の大きさにもよるが、約３〜１０ｍｍであることが好ましい。また、内径形状は、円形に限られず、多角形であってもよい。補強枠７０の材質はレチクルの材質と同じであることが好ましい。
【００４７】
一方、図７に示す工程に従ってレチクル６０を形成する。すなわち、図７（Ａ）に示すように、一般的な製造方法により製造したシリコン支持基板、酸化シリコン層、シリコン層からなるＳＯＩ基板を用意し、このシリコン層にボロンを拡散（熱拡散法又はイオン注入法）してシリコン活性層を形成した、シリコン支持基板１１、酸化シリコン層１２、シリコン活性層（ボロン拡散層）１３からなるＳＯＩ基板１０を作製する。
【００４８】
次に、シリコン支持基板１１の下面に、シリコンエッチングのマスク材料として感光剤（レジスト膜）を塗布する。次いで、図７（Ｂ）に示すように、このレジスト膜にリソグラフィー工程を施してメンブレンとなる位置に対応する部分１５のパターニングを行った後、この部分１５のレジスト膜を除去する。このようにして、シリコン支持基板１１上に、メンブレンとなる位置に対応する部分１５に開口が設けられたエッチング用マスク１７を形成する。
【００４９】
その後、図７（Ｃ）に示すように、エッチング用マスク１７に形成された開口に合わせてシリコン支持基板をエッチング（例えば、ＩＣＰドライエッチング）する。シリコンと酸化シリコンとのエッチング選択比の違いにより、シリコン支持基板のエッチングは酸化シリコン層１２まで行われる。これにより、酸化シリコン層１２及びシリコン活性層１３がシリコン製の外周枠１１ｂと支柱１１ａにより支持され、外周枠１１ｂと支柱１１ａ間及び支柱１１ａ間に凹部１５ａを有する構造体を形成する。
【００５０】
次に、図７（Ｄ）に示すように、凹部１５ａにおいて露出した酸化シリコン層１２をフッ化水素酸により除去してシリコン活性層１３をシリコンメンブレン１３ａとし、さらに、エッチング用マスクを除去する。このようにして、メンブレン１３ａと、このメンブレン１３ａの外周を固定してこれを支える外周枠１１ｂと、を有するレチクルブランク６５を形成する。
【００５１】
続いて、図７（Ｅ）に示すように、レチクルブランク６５のシリコンメンブレン１３ａ上にレジスト膜を塗布し、所定の微細パターンを電子線描画装置などを用いて焼き付け、転写してエッチング用マスク１９を形成する。そして、図７（Ｆ）に示すように、エッチング用マスク１９をマスクとしてシリコンメンブレン１３ａをエッチングし、シリコンメンブレン１３ａに開口パターンを形成する。次いで、図７（Ｇ）に示すように、エッチング用マスクを除去することにより、感光基板に転写すべきパターンが形成されたメンブレン１３ａと、このメンブレン１３ａの外周を固定してこれを支える外周枠１１ｂと、を有するレチクル６０を形成する。
【００５２】
次に、補強枠７０の上にレチクル６０を載せ、両者の位置合わせを行った後、補強枠７０の接着剤注入孔７１に接着剤７２を注入する。このようにして、図５（Ｂ）に示すように、接着剤注入孔７１に注入した接着剤７２により、レチクル６０の外周枠１１ｂと補強枠７０とを接着した補強枠付き荷電粒子線露光用レチクル５０が完成する。
【００５３】
なお、パターンが形成されたレチクルの外周枠と補強枠とを接着する場合について説明したが、レチクルブランクの外周枠と補強枠とを接着した後に、そのメンブレンに開口パターンを形成してもよい。この場合、補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルブランクは、次のような製造方法によって製造される。
【００５４】
図８は、本発明の他の実施の形態に係る補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルブランクの製造方法の工程例を模式的に説明する図である。
まず、図８（Ａ）に示すように、図７に示す工程に従ってレチクルブランク６５を形成する。一方、図８（Ｂ）に示すように、接着剤注入孔７１が形成された補強枠７０を用意する。そして、補強枠７０の上にレチクルブランク６５を載せ、両者の位置合わせを行った後、補強枠７０の接着剤注入孔７１に接着剤７２を注入する。このようにして、図８（Ｃ）に示すように、接着剤注入孔７１に注入した接着剤７２により、レチクルブランク６５の外周枠１１ｂと補強枠７０とを接着した補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルブランク５５が完成する。
【００５５】
以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。
（実施例１）
本発明の第一の実施例では、図２及び図３に示す製造方法を用いて補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルを製造する例を示す。
【００５６】
まず、８インチのＳＯＩ基板を用意して、図２及び図３に示す工程に従って図３（Ｃ）に示すようなレチクル２０を形成した。なお、レチクル２０の外周枠１１ｂには３個の接着剤注入孔２１が設けられ、この接着剤注入孔２１の平面形状は直径５ｍｍの円形である。この接着剤注入孔２１の中心２１ａは、レチクル２０の中心２０ａから９５ｍｍの位置にあり、３個の接着剤注入孔２１がお互いに１２０度間隔で配置されている。
【００５７】
次に、外径２００ｍｍ、内径１８０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円筒状のシリコン製の補強枠４０を用意し、この補強枠４０にレチクル２０を載せ、両者の位置合わせを行った。その後、レチクル２０の接着剤注入孔２１に接着剤２２を注入した。接着剤２２は弾性接着剤であることが好ましく、例えば、ＥＰ−００１（セメダイン社製）等を使用することが好ましい。このとき、レチクル２０と補強枠４０の位置ずれを最小限に抑えるため、３個の接着剤注入孔に接着剤を少量ずつ均等に注入するようにした。
【００５８】
このようにして製造した補強枠付き荷電粒子線露光用レチクル３０について、接着前後のメンブレン内に形成された微細パターンの歪みを光波干渉式座標測定機を用いて測定したところ、歪み量が１０ｎｍ程度以下に抑制され、許容範囲内に収まっていることが判明した。
【００５９】
（実施例２）
本発明の第二の実施例では、図２及び図４に示す製造方法を用いて補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルブランクを製造する例を示す。
【００６０】
まず、８インチのＳＯＩ基板を用意して、図２及び図４に示す工程に従って図４（Ｃ）に示すようなレチクルブランク２５を形成した。なお、レチクルブランク２５の外周枠１１ｂには４個の接着剤注入孔２１が設けられ、この接着剤注入孔２１の平面形状は直径５ｍｍの円形である。この接着剤注入孔２１の中心２１ａは、レチクルブランク２５の中心２０ａから９５ｍｍの位置にあり、４個の接着剤注入孔２１がお互いに９０度間隔で配置されている。
【００６１】
次に、外径２００ｍｍ、内径１８０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円筒状のシリコン製の補強枠４０を用意し、この補強枠４０にレチクルブランク２５を載せ、両者の位置合わせを行った。その後、レチクル２０の接着剤注入孔２１に接着剤２２を注入した。接着剤２２は弾性接着剤であることが好ましい。このとき、レチクルブランク２５と補強枠４０の位置ずれを最小限に抑えるため、４個の接着剤注入孔に接着剤を少量ずつ均等に注入するようにした。
【００６２】
このようにして製造した補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルブランク３５の接着歪みを測定したところ、１０ｎｍ程度であり、許容範囲内であった。
（実施例３）
本発明の第三の実施例では、図６及び図７に示す製造方法を用いて補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルを製造する例を示す。
【００６３】
まず、８インチのＳＯＩ基板を用意して、図７に示す工程に従って図７（Ｇ）に示すようなレチクル６０を形成した。
一方、外径２００ｍｍ、内径１８０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円筒状のシリコン製の補強枠を用意して、図６に示すように、補強枠７０に接着剤注入孔７１を形成した。なお、補強枠７０には３個の接着剤注入孔７１が設けられ、この接着剤注入孔７１の平面形状は直径５ｍｍの円形である。この接着剤注入孔７１の中心７１ａは、補強枠７０の中心７０ａから９５ｍｍの位置にあり、３個の接着剤注入孔７１がお互いに１２０度間隔で配置されている。
【００６４】
次に、この補強枠７０にレチクル６０を載せ、両者の位置合わせを行った。その後、補強枠７０の接着剤注入孔７１に接着剤７２を注入した。接着剤７２は弾性接着剤であることが好ましく、例えば、ＥＰ−００１（セメダイン社製）等を使用することが好ましい。このとき、レチクル６０と補強枠７０の位置ずれを最小限に抑えるため、３個の接着剤注入孔に接着剤を少量ずつ均等に注入するようにした。
【００６５】
このようにして製造した補強枠付き荷電粒子線露光用レチクル５０について、接着前後のメンブレン内に形成された微細パターンの歪みを光波干渉式座標測定機を用いて測定したところ、歪み量が１０ｎｍ程度以下に抑制され、許容範囲内に収まっていることが判明した。
【００６６】
（実施例４）
本発明の第四の実施例では、図８に示す製造方法を用いて補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルブランクを製造する例を示す。
【００６７】
まず、８インチのＳＯＩ基板を用意して、図７に示す工程に従って図８（Ａ）に示すようなレチクルブランク６５を形成した。
一方、外径２００ｍｍ、内径１８０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円筒状のシリコン製の補強枠を用意して、図８（Ｂ）に示すように、補強枠７０に接着剤注入孔７１を形成した。なお、補強枠７０には４個の接着剤注入孔７１が設けられ、この接着剤注入孔７１の平面形状は直径５ｍｍの円形である。この接着剤注入孔７１の中心７１ａは、補強枠７０の中心７０ａから９５ｍｍの位置にあり、４個の接着剤注入孔７１がお互いに９０度間隔で配置されている。
【００６８】
次に、この補強枠７０にレチクルブランク６５を載せ、両者の位置合わせを行った。その後、補強枠７０の接着剤注入孔７１に接着剤７２を注入した。接着剤７２は弾性接着剤であることが好ましい。このとき、レチクルブランク６５と補強枠７０の位置ずれを最小限に抑えるため、４個の接着剤注入孔に接着剤を少量ずつ均等に注入するようにした。
【００６９】
このようにして製造した補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルブランク５５について、接着前後のメンブレン内に形成された微細パターンの歪みを光波干渉式座標測定機を用いて測定したところ、歪み量が１０ｎｍ程度以下に抑制され、許容範囲内に収まっていることが判明した。
【００７０】
以上、本発明の実施の形態に係る補強枠付き荷電粒子線露光用レチクル及びその製造方法について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、様々な変更を加えることができる。
【００７１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る補強枠付き荷電粒子線露光用レチクル及びその製造方法によれば、レチクルの外周枠と補強枠とを接着する際に、外周枠に形成された接着剤注入孔に接着剤を注入しているので、接着歪みを最小限に抑えることができる。このため、メンブレンに発生する応力を極めて低減させ、メンブレンに形成された微細パターンの歪みを極端に低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルの構成例を模式的に示す図であり、図１（Ａ）は全体の平面図であり、図１（Ｂ）は断面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係るレチクルブランクの製造方法の工程例を模式的に説明する図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルの製造方法の工程例を模式的に説明する図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルブランクの製造方法の工程例を模式的に説明する図である。
【図５】本発明の他の実施の形態に係る補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルの構成例を模式的に示す図であり、図５（Ａ）は全体の平面図であり、図５（Ｂ）は断面図である。
【図６】接着剤注入孔が形成された補強枠を模式的に示す図であり、図６（Ａ）は平面図であり、図６（Ｂ）は断面図である。
【図７】ステンシルレチクルの製造方法の工程例を模式的に説明する図である。
【図８】本発明の他の実施の形態に係る補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルブランクの製造方法の工程例を模式的に説明する図である。
【符号の説明】
１０・・・ＳＯＩ基板　　　　　　　１１・・・シリコン支持基板
１１ａ・・・支柱　　　　　　　　　１１ｂ・・・外周枠
１２・・・酸化シリコン層　　　　　１３・・・シリコン活性層
１３ａ・・・シリコンメンブレン　　１４・・・感光剤（レジスト膜）
１５・・・メンブレンとなる位置に対応する部分
１６・・・接着剤注入孔となる位置に対応する部分
１５ａ、１６ａ・・・凹部　　　　　１６ｂ・・・接着剤注入用の深溝
１７・・・エッチング用マスク　　　１８・・・レチクルブランク
１９・・・エッチング用マスク　　　２０・・・レチクル
２０ａ・・・レチクルの中心　　　　２１・・・接着剤注入孔
２１ａ・・・接着剤注入孔の中心　　２２・・・接着剤
２３・・・接着剤注入孔となる位置に対応する部分
２４・・・エッチング用マスク　　　２５・・・レチクルブランク
３０、５０・・・補強枠付き荷電粒子線露光用レチクル
３１ａ、３１ｂ、５１ａ、５１ｂ・・・メンブレン領域
３５、５５・・・補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルブランク
４０、７０・・・補強枠　　　　　　６０・・・レチクル
６５・・・レチクルブランク　　　　７０ａ・・・補強枠の中心
７１・・・接着剤注入孔　　　　　　７１ａ・・・接着剤注入孔の中心
７２・・・接着剤

Claims (10)

1. 感光基板に転写すべきパターンが形成されたメンブレンの外周を固定してこれを支える外周枠を有するレチクルと、
   前記レチクルの外周枠に接着され、レチクルを補強する補強枠と、
   を有する補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルであって、
   前記レチクルの外周枠には接着剤注入孔が形成され、この接着剤注入孔に注入した接着剤により前記レチクルの外周枠と補強枠とを接着してなることを特徴とする補強枠付き荷電粒子線露光用レチクル。
2. 感光基板に転写すべきパターンが形成されたメンブレンの外周を固定してこれを支える外周枠と、この外周枠に形成された接着剤注入孔と、を有するレチクルを用意する工程と、
   前記レチクルを補強する補強枠を用意する工程と、
   前記接着剤注入孔に接着剤を注入し、この接着剤により前記レチクルの外周枠と補強枠とを接着する工程と、
   を備えることを特徴とする補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルの製造方法。
3. 感光基板に転写すべきパターンが形成されたメンブレンと、
   前記メンブレンの外周を固定してこれを支える外周枠と、
   前記外周枠に形成された接着剤注入孔と、
   を有することを特徴とするレチクル。
4. メンブレンの外周を固定してこれを支える外周枠を有するレチクルブランクと、
   前記レチクルブランクの外周枠に接着され、レチクルブランクを補強する補強枠と、
   を有する補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルブランクであって、
   前記レチクルブランクの外周枠には接着剤注入孔が形成され、この接着剤注入孔に注入した接着剤により前記レチクルブランクの外周枠と補強枠とを接着してなることを特徴とする補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルブランク。
5. メンブレンの外周を固定してこれを支える外周枠と、この外周枠に形成された接着剤注入孔と、を有するレチクルブランクを用意する工程と、
   前記レチクルブランクを補強する補強枠を用意する工程と、
   前記接着剤注入孔に接着剤を注入し、この接着剤により前記レチクルブランクの外周枠と補強枠とを接着する工程と、
   を備えることを特徴とする補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルブランクの製造方法。
6. メンブレンと、
   前記メンブレンの外周を固定してこれを支える外周枠と、
   前記外周枠に形成された接着剤注入用の深溝又は接着剤注入孔と、
   を有することを特徴とするレチクルブランク。
7. 感光基板に転写すべきパターンが形成されたメンブレンの外周を固定してこれを支える外周枠を有するレチクルと、
   前記レチクルの外周枠に接着され、レチクルを補強する補強枠と、
   を有する補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルであって、
   前記補強枠には接着剤注入孔が形成され、この接着剤注入孔に注入した接着剤によりレチクルの外周枠と補強枠とを接着してなることを特徴とする補強枠付き荷電粒子線露光用レチクル。
8. 感光基板に転写すべきパターンが形成されたメンブレンの外周を固定してこれを支える外周枠を有するレチクルを用意する工程と、
   前記レチクルを補強する補強枠であって、接着剤注入孔が形成された補強枠を用意する工程と、
   前記接着剤注入孔に接着剤を注入し、この接着剤によりレチクルの外周枠と補強枠とを接着する工程と、
   を備えることを特徴とする補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルの製造方法。
9. メンブレンの外周を固定してこれを支える外周枠を有するレチクルブランクと、
   前記レチクルブランクの外周枠に接着され、レチクルブランクを補強する補強枠と、
   を有する補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルブランクであって、
   前記補強枠には接着剤注入孔が形成され、この接着剤注入孔に注入した接着剤によりレチクルブランクの外周枠と補強枠とを接着してなることを特徴とする補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルブランク。
10. メンブレンの外周を固定してこれを支える外周枠を有するレチクルブランクを用意する工程と、
    前記レチクルブランクを補強する補強枠であって、接着剤注入孔が形成された補強枠を用意する工程と、
    前記接着剤注入孔に接着剤を注入し、この接着剤によりレチクルブランクの外周枠と補強枠とを接着する工程と、
    を備えることを特徴とする補強枠付き荷電粒子線露光用レチクルブランクの製造方法。

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