JP2006286122A - 転写用原盤及びその製造技術 - Google Patents

Abstract

【課題】 転写パターンのさらなる高精細化が進んでも高精度転写を実施可能な転写用原盤の製造技術を提供する。
【解決手段】 平坦基板２０へのレジスト３１の塗布、露光及び現像を実施して、径方向の異なる位置に周方向に延びる複数の凹凸パターンを有するレジストパターンＲを形成する工程（Ａ）と、レジストパターンＲをマスクとして、外周側から内周側に向けてエッチングレートが大きくなる条件で平坦基板２０をエッチングし、エッチング部分を凹部２１とする表面凹凸パターンＰ１と補完的な反転パターンＰ２を形成する工程（Ｂ）とを順次実施して、転写用原盤基板の型４０を製造する。
【選択図】 図３

Description

本発明は、被転写体の表面に所定の信号パターンを磁気転写するために使用される転写用原盤とその製造技術に係り、特に転写用原盤基板の型の製造方法に関するものである。

磁気記録媒体の製造技術として、所定の表面凹凸パターン（転写パターン）を有し少なくとも表面が磁性を有する転写用原盤（マスタ担体）を用い、該転写用原盤の表面に被転写体（スレーブ媒体）を密着させて、被転写体に転写用原盤の表面凹凸パターンに応じた信号パターンを磁気転写する技術がある。転写用原盤としては、表面凹凸パターンを有する転写用原盤基板（マスタ基板）に磁性層が成膜されたものが広く使用されている。

転写用原盤基板は、転写用原盤基板の反転パターンを有する型を用いて効率よく製造される。特許文献１には、転写用原盤基板の型の製造方法として、平坦基板の表面にレジストの塗布・露光・現像を実施してレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして平坦基板をエッチングし、さらに残存レジストを除去して、エッチング部分を凹部とする反転パターンを有する型を製造する方法が開示されている。同文献には、得られた型を用いて電鋳により転写用原盤基板を成形し、転写用原盤基板に磁性層を成膜して転写用原盤を製造する方法が開示されている。
特開２００１−２５６６４４号公報

磁気記録媒体に対するさらなる高密度記録化の要求は高く、その製造に用いる転写用原盤には転写パターンの高精細化と高精細転写パターンの高精度転写がより一層求められるようになってきている。

本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、転写パターンのさらなる高精細化が進んでも高精度転写を実施可能な転写用原盤の製造技術、及び該製造技術により製造される転写用原盤を提供することを目的とするものである。

本発明者は上記課題を解決するべく検討し、転写用原盤基板の型を製造する際の平坦基板の「エッチング深さ」に着目した。転写用原盤の表面凹凸パターンは、パターン線幅及びパターンピッチが転写用原盤の表面全体で一様ではなく、径方向視、内周側から外周側に向けてパターン線幅及びパターンピッチが次第に大きくなるパターンである。すなわち、転写用原盤の表面凹凸パターンは、異なるパターン線幅及びパターンピッチの複数の周方向凹凸パターンからなり、平坦基板をエッチングする際のマスクであるレジストパターンもそれに対応したものとなっている。

本発明者は、図４（ａ）に示す如く、パターン線幅及びパターンピッチの異なる複数のパターンからなるレジストパターンをマスクとして平坦基板のエッチングを実施すると、レジストパターンのパターン線幅及びパターンピッチが小さい内周側は平坦基板が浅くエッチングされ、パターン線幅及びパターンピッチが大きい外周側は平坦基板が深くエッチングされる傾向にあることを知見した。すなわち、製造される転写用原盤基板の型の凹部深さ（エッチング深さ）は、内周側から外周側に向けて次第に大きくなる傾向にあることを知見した。

図４（ａ）中、符号Ｒはレジストパターン、符号Ｓは平坦基板、Ｅはエッチングにより形成される凹部を示している。この図ではレジストパターンの最内端と最外端の周方向凹凸パターンについて図示してあり、最内端の周方向凹凸パターンにおけるエッチング深さに符号ｄｉ、最外端の周方向凹凸パターンにおけるエッチング深さにｄｏを付してある。従来はｄｉ＜ｄｏである。

本発明者は、レジストパターンの最内端の周方向パターンと最外端の周方向パターンの中心に位置する周方向パターンにおける凹部深さをｄｃとすれば、例えば、ｄｃ＝１５０ｎｍに対してｄｉ＝１４０ｎｍ程度／ｄｏ＝１６０ｎｍ程度であり、ｄｃ＝１００ｎｍに対してｄｉ＝９５ｎｍ程度／ｄｏ＝１０２ｎｍ程度であることを知見している。

転写用原盤基板の型の凹部底面は、転写用原盤の凸部表面（被転写体と密着する転写面）に対応するため、転写用原盤基板の型の凹部深さに径方向の分布があることは、転写用原盤の被転写体と密着する凸部表面の高さが径方向で異なることになる。本発明者は、現状の磁気転写では上記凹部深さの分布が磁気転写に与える影響は特にないが、今後さらなる転写パターンの高精細化が進めば、上記凹部深さの分布が無視できなくなり、磁気転写精度への影響が懸念されることに想到した。

図４（ｂ）に破線で示す如く、半導体製造プロセス等ではエッチングレートを基板全面で均一に設定することが常識とされているが、本発明者は、図４（ｂ）に実線で示す如く、外周側から内周側（中心側）に向けてエッチングレートが大きくなる条件でエッチングを実施することで、図４（ｃ）に示す如く、エッチング深さの均一化を図ることができることを見出し、本発明を完成した。本発明によれば、レジストパターンの最内端の周方向凹凸パターンにおけるエッチング深さｄｉと、最外端の周方向凹凸パターンにおけるエッチング深さｄｏとの差を従来よりも小さくすることができ、図示する如く、ｄｉ≒ｄｏとすることも可能である。

本発明の転写用原盤基板の型の製造方法は、被転写体の表面に所定の信号パターンを磁気転写するために使用され、前記信号パターンに応じた表面凹凸パターンを有する転写用原盤基板の上に少なくとも磁性層が積層されてなるディスク状の転写用原盤の前記転写用原盤基板を成形する型の製造方法において、
平坦基板へのレジストの塗布、露光及び現像を実施して、径方向の異なる位置に周方向に延びる複数の凹凸パターン（周方向凹凸パターン）を有するレジストパターンを形成する工程（Ａ）と、
前記レジストパターンをマスクとして、外周側から内周側に向けてエッチングレートが大きくなる条件で前記平坦基板をエッチングし、エッチング部分を凹部とする前記表面凹凸パターンと補完的な反転パターンを形成する工程（Ｂ）とを順次有することを特徴とするものである。

本発明の製造方法において、上記工程（Ｂ）では、外周側から内周側に向けてエッチングレートが大きくなる条件でエッチングを実施すればよいので、外周側から内周側に向けて、エッチングレートが連続的に大きくなる条件であってもよいし、段階的に大きくなる条件であってもよい。

本明細書において、「エッチングレート」とは、同じパターン線幅及びパターンピッチの基準パターンに対してエッチングを実施した際の単位時間当たりのエッチング深さを意味する。最内端の周方向パターンと最外端の周方向パターンの中心に位置する周方向パターンを「基準パターン」とすることが好ましいが、基準パターンのパターン線幅及びパターンピッチは任意に設定できる。

本明細書において、「反転パターン」とは、信号パターンに応じた表面凹凸パターンの凸部に対応する部分が凹部、同表面凹凸パターンの凹部に対応する部分が凸部のパターンである。

前記工程（Ｂ）は例えば、雰囲気圧力を３〜５Ｐａとし、プラズマドライエッチングにより実施することができる。

本発明の転写用原盤の製造方法は、上記の本発明の転写用原盤基板の型の製造方法により製造された型を用いて転写用原盤基板を成形し、該転写用原盤基板の表面に少なくとも磁性層を積層することを特徴とするものである。

本発明の転写用原盤は、上記の本発明の転写用原盤の製造方法により製造されたものであることを特徴とするものである。

本発明によれば、被転写体の表面に所定の信号パターンを磁気転写するために使用され、前記信号パターンに応じた表面凹凸パターンを有する転写用原盤基板の上に少なくとも磁性層が積層されてなるディスク状の転写用原盤において、前記表面凹凸パターンは、径方向の異なる位置に周方向に延びる複数の凹凸パターンを有するものであり、該表面凹凸パターンの凹部深さが下記式（１）及び（２）を充足する転写用原盤を提供することができる。

|ｄｉ−ｄｃ|／ｄｃ×１００≦１．５％・・・（１）
|ｄｏ−ｄｃ|／ｄｃ×１００≦１．５％・・・（２）
（式中、ｄｉは最内端の周方向パターンの凹部深さ、ｄｏは最外端の周方向パターンの凹部深さ、ｄｃは最内端の周方向パターンと最外端の周方向パターンの中心に位置する周方向パターンの凹部深さを各々示す。）

本発明の転写用原盤基板の型の製造方法では、平坦基板へのレジストの塗布、露光及び現像を実施してレジストパターンを形成し（工程（Ａ））、このレジストパターンをマスクとして、外周側から内周側に向けてエッチングレートが大きくなる条件で平坦基板をエッチングする（工程（Ｂ））構成としている。

レジストパターンは径方向視、内周側から外周側に向けてパターン線幅及びパターンピッチが次第に大きくなるパターンであり、エッチングレートが同一の条件では、レジストパターンのパターン線幅及びパターンピッチが小さい内周側は浅くエッチングされ、パターン線幅及びパターンピッチが大きい外周側は深くエッチングされる傾向にある。

本発明では、レジストパターンのパターン線幅及びパターンピッチの径方向分布を考慮して、レジストパターンのパターン線幅及びパターンピッチが大きく深くエッチングされやすい外周側からパターン線幅及びパターンピッチが小さく深くエッチングされにくい内周側に向けてエッチングレートが大きくなる条件で、平坦基板をエッチングする構成としているので、平坦基板のエッチング深さを均一化することができ、転写用原盤基板の型の凹部深さを均一化することができる。

本発明の製造方法により製造される転写用原盤基板の型を用いることで、表面凹凸パターンの凸部表面（被転写体と密着する転写面）の高さが径方向で均一化され、転写パターンのさらなる高精細化が進んでも高精度転写を実施可能な転写用原盤を安定的に提供することが可能となる。

次に、図面を参照して本発明に係る実施形態について説明する。各図においては、視認しやすくするため実際のものとは縮尺やパターンを異ならせてある。

「転写用原盤、磁気転写方法」
本発明は特に転写用原盤基板の型の製造方法が特徴的であるが、はじめに、転写用原盤基板の型を用いて製造される転写用原盤の一例、及びこれを用いた磁気転写方法について簡単に説明する。図１は転写用原盤の平面図、図２は転写用原盤等の周方向（トラック方向）厚み断面図である。

図１に示す如く、転写用原盤１０は平面視、中心部に開口部を有するディスク状物であり、被転写体１３に転写する信号パターンに応じた微細な表面凹凸パターンを有する複数の信号転写領域１５と、隣接する信号転写領域１５の間に位置し表面凹凸パターンを有しない非信号転写領域１６とを有するものである。複数の信号転写領域１５は中心側から放射状に延び、隣接する信号転写領域１５の間に略扇形の非信号転写領域１６がある。転写用原盤１０全体の表面凹凸パターンに符号ＰＳを付してある。

転写用原盤１０は、周方向視、信号転写領域１５と非信号転写領域１６とを繰り返し有するものであり、表面凹凸パターンＰＳは径方向の異なる位置に周方向に延びる複数の凹凸パターンＸ（以下、「周方向凹凸パターンＸ」と言う。）を有している。複数の周方向凹凸パターンＸはパターン線幅及びパターンピッチが一様なものではなく、内周側から外周側に向けて周方向凹凸パターンＸのパターン線幅及びパターンピッチが次第に大きくなっている。

非信号転写領域１６には表面凹凸パターンがないので、本明細書で言う「パターン線幅及びパターンピッチ」は信号転写領域１５のパターン線幅及びパターンピッチである。

図２（ｂ）に示す如く、転写用原盤１０の信号転写領域１５は周方向断面視、被転写体１３に転写する信号パターンに対応した表面凹凸パターンＰ１を有する金属製の転写用原盤基板（マスタ基板）１１と、その表面形状に沿って積層され、複数の周方向凹凸パターンＸからなる表面凹凸パターンＰＳを有する磁性層１２とから構成されている。

被転写体１３としては、片面又は両面に磁気記録層（図示略）を有するディスク状のスレーブ媒体が使用される。図２（ａ）に示すように、あらかじめ被転写体１３に対して周方向又は厚み方向に磁界Ｈ_ｉｎを印加し、磁気記録層（図示略）を初期磁化させる（周方向に磁界Ｈ_ｉｎを印加した場合について図示してある）。この状態で被転写体１３を転写用原盤１０の表面に供給し、両者を密着させる。次に、図２（ｂ）に示すように、密着させた転写用原盤１０及び被転写体１３に対して初期磁化方向と略反対方向に転写用磁界Ｈ_ｄｕを印加する。この際、転写用磁界Ｈ_ｄｕは、転写用原盤１０において被転写体１３と密着した磁性層１２の凸部１２ａにのみ略選択的に吸い込まれる。その結果、面内記録の場合、被転写体１３の磁気記録層では、凸部１２ａに密着した部分の初期磁化は反転せずその他の部分の初期磁化が反転する。垂直記録の場合には逆に、被転写体１３の磁気記録層では、凸部１２ａに密着した部分の初期磁化が反転しその他の部分の初期磁化は反転しない。このようにして、転写用原盤１０の表面凹凸パターンＰＳに対応した磁化パターンが被転写体１３に磁気転写され、磁気記録媒体が製造される。

「転写用原盤基板の型の製造方法、転写用原盤の製造方法」
次に、図３に基づいて、上記転写用原盤１０を製造する場合を例として、本発明に係る実施形態の転写用原盤基板の型の製造方法、及び転写用原盤の製造方法について説明する。図３は図２と同様の周方向厚み断面図である。

（転写用原盤基板の型の製造方法）
＜工程（Ａ）＞
はじめに、図３（ａ）に示す如く、平坦基板２０を用意し、その表面全体にスピンコート法等によりポジ型又はネガ型のレジスト３１を塗布する。平坦基板２０としては制限されず、以下の工程において半導体技術で使用される装置をそのまま利用できることから、シリコンウエハが好ましく用いられる。

次に、レジスト３１の露光及び現像を実施し、転写用原盤基板１１に形成する表面凹凸パターンＰ１（転写用原盤１０の表面凹凸パターンＰＳ）に対応した図３（ｂ）に示すレジストパターンＲを形成する。レジストパターンＲは、径方向の異なる位置に転写用原盤１０の周方向凹凸パターンＸに対応した複数の周方向凹凸パターンを有するパターンであり、内周側から外周側に向けて周方向凹凸パターンのパターン線幅及びパターンピッチが次第に大きくなるパターンである（図４（ｃ）参照）。

レジスト３１の露光は、平坦基板２０を回動させながらレジスト３１に対してレーザ光又は電子線を走査し照射することで実施できる。レーザ光又は電子線は、用いるレジスト３１の種類に応じて、製造される転写用原盤基板１１の型において凸部となる部分にレジスト３１が残るよう照射する。露光後現像前には、必要に応じて熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）を実施する。

レジスト３１としては制限されず、高感度かつ高解像度を有し高精細パターンを形成できることから、化学増幅型レジストが好ましく用いられる。化学増幅型レジストは、電子線等による露光で酸が発生し、露光後に熱処理（ＰＥＢ）することで発生した酸を触媒としてレジスト反応が進行するものである。

＜工程（Ｂ）＞
次に、図３（ｃ）に示す如く、工程（Ａ）で形成したレジストパターンＲをマスクとして平坦基板２０をエッチングし、平坦基板２０に凹部２１を形成する。凹部２１は製造される型を用いて得られる転写用原盤基板１１の凸部となる部分である。エッチング方法としては制限なく、高精細エッチングが可能なことからドライエッチングが好ましく、特にＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチング）等のプラズマドライエッチングが好ましい。

従来はエッチングレートを基板全面で均一に設定しており、例えば、パターン線幅１５０ｎｍ、パターンピッチ３００ｎｍの凹凸パターンをエッチングレートを求める際の基準パターンとした場合、エッチングレートを１０〜２５ｎｍ／ｍｉｎとしている。これに対して、本実施形態では、外周側から内周側（中心側）に向けてエッチングレートが大きくなる条件でエッチングを実施する。かかる構成とすることで、基板全体のエッチング深さを均一化することができる。

本実施形態では、レジストパターンＲの最内端の周方向パターンにおけるエッチングレートＥＲｉが、最外端の周方向パターンにおけるエッチングレートＥＲｏより大きくなる条件でエッチングを実施する。好ましくは、図４（ｂ）に示す如く、レジストパターンＲの最内端の周方向パターンにおけるエッチングレートＥＲｉが従来のエッチングレートより大きく、レジストパターンＲの最外端の周方向パターンにおけるエッチングレートＥＲｏが従来のエッチングレートより小さくなる条件でエッチングを実施する。好ましくは、最内端と最外端のエッチングレートの比（ＥＲｉ／ＥＲｏ）が１．０５〜１．２０となる条件でエッチングを実施する。

エッチングレートの制御方法としては特に制限なく、プラズマドライエッチングの場合プラズマ発生量に分布を持たせる等が挙げられる。例えば、雰囲気圧力を従来（通常１Ｐａ以下）よりも高く３〜５Ｐａとしてプラズマドライエッチングを実施することで、プラズマ発生量に自然に分布が生じて、外周側から内周側に向けてプラズマ発生量が多くなる条件とすることができ、外周側から内周側に向けてエッチングレートを大きくすることができる。

エッチング終了後、図３（ｄ）に示す如く、酸素プラズマアッシング等を実施して残存するレジスト３１を除去する。工程（Ｂ）終了後、表面凹凸パターンＰ１と補完的な反転パターンＰ２を有する型４０が製造される。反転パターンＰ２は、表面凹凸パターンＰ１の凸部に対応する部分が凹部２１、表面凹凸パターンＰ１の凹部に対応する部分が凸部２２のパターンである。

（転写用原盤の製造方法）
＜工程（Ｃ）＞
図３（ｅ）に示す如く、転写用原盤基板の型４０の上に転写用原盤基板１１を成形する。転写用原盤基板１１は、型４０の表面全体に金属スパッタリング等により導電層５１を成膜しその後電鋳を実施することで成形できる。導電層５１は、反転パターンＰ２が壊れないよう薄く成膜する。導電層５１は転写用原盤基板１１と同一材質（例えばニッケル）で成膜することが好ましい。導電層５１は電鋳により転写用原盤基板１１の一部となる。

＜工程（Ｄ）＞
次に、図３（ｆ）に示す如く、転写用原盤基板１１を型４０から剥離し、転写用原盤基板１１が製造される。本実施形態によれば、転写用原盤基板１１の表面凹凸パターンＰ１の凹部深さを均一化することができる。具体的には、表面凹凸パターンＰ１の凹部深さが下記式（１）及び（２）を充足する転写用原盤基板１１を製造することができる。

|ｄｉ−ｄｃ|／ｄｃ×１００≦１．５％・・・（１）
|ｄｏ−ｄｃ|／ｄｃ×１００≦１．５％・・・（２）
（式中、ｄｉは最内端の周方向パターンの凹部深さ、ｄｏは最外端の周方向パターンの凹部深さ、ｄｃは最内端の周方向パターンと最外端の周方向パターンの中心に位置する周方向パターンの凹部深さを各々示す。）
上記工程（Ｃ）と（Ｄ）を繰り返し実施することで、１つの型４０から複数の転写用原盤基板１１を簡易に効率よく製造できる。

＜工程（Ｅ）＞
成形された転写用原盤基板１１の表面に磁性材料をスパッタリングするなどして、転写用原盤基板１１の表面形状に沿って磁性層１２を積層し、図１及び図２（ｂ）に示した転写用原盤１０が完成する。磁性層１２は、少なくとも転写用原盤基板１１の表面凸部の上に成膜すればよい。転写用原盤１０の製造にあたっては、磁性層１２の他、必要に応じて他の層を成膜することができる。例えば、転写用原盤基板１１と磁性層１２との間に非磁性層を介在させたり、磁性層１２の上に保護層を設けることができる。

本実施形態の転写用原盤基板の型４０の製造方法では、平坦基板２０へのレジストの塗布、露光及び現像を実施してレジストパターンＲを形成し（工程（Ａ））、このレジストパターンＲをマスクとして、外周側から内周側に向けてエッチングレートが大きくなる条件で平坦基板２０をエッチングする（工程（Ｂ））構成としている。

レジストパターン２０は径方向視、内周側から外周側に向けてパターン線幅及びパターンピッチが次第に大きくなるパターンであり、エッチングレートが同一の条件では、レジストパターンＲのパターン線幅及びパターンピッチが小さい内周側は浅くエッチングされ、パターン線幅及びパターンピッチが大きい外周側は深くエッチングされる傾向にある。

本実施形態では、レジストパターンＲのパターン線幅及びパターンピッチの径方向分布を考慮して、レジストパターンＲのパターン線幅及びパターンピッチが大きく深くエッチングされやすい外周側からパターン線幅及びパターンピッチが小さく深くエッチングされにくい内周側に向けてエッチングレートが大きくなる条件で、平坦基板２０をエッチングする構成としているので、平坦基板２０のエッチング深さを均一化することができ、転写用原盤基板の型４０の凹部深さを均一化することができる。

本実施形態の製造方法により製造される転写用原盤基板の型４０を用いることで、表面凹凸パターンＰＳの凸部１２表面（被転写体１３と密着する転写面）の高さが径方向で均一化され、転写パターンのさらなる高精細化が進んでも高精度転写を実施可能な転写用原盤１０を安定的に提供することが可能となる。

本発明の技術は、被転写体の表面に所定の信号パターンを磁気転写するために使用される転写用原盤に適用することができる。

転写用原盤の平面図 （ａ）、（ｂ）は転写用原盤の周方向断面図と磁気転写方法を示す図 （ａ）〜（ｆ）は本発明に係る実施形態の転写用原盤基板の型の製造方法、及び転写用原盤の製造方法を示す工程図 （ａ）〜（ｃ）は本発明の転写用原盤基板の型の製造方法の工程（Ｂ）を説明するための説明図

符号の説明

１０ 転写用原盤
１１ 転写用原盤基板
１２ 磁性層
１３ 被転写体
２０ 平坦基板
２１ 凹部
３１ レジスト
４０ 転写用原盤基板の型
Ｐ１ 転写用原盤基板の表面凹凸パターン
Ｐ２ 反転パターン
ＰＳ 転写用原盤の表面凹凸パターン
Ｘ 転写用原盤の表面凹凸パターンをなす周方向凹凸パターン
Ｒ レジストパターン

Claims (5)

1. 被転写体の表面に所定の信号パターンを磁気転写するために使用され、前記信号パターンに応じた表面凹凸パターンを有する転写用原盤基板の上に少なくとも磁性層が積層されてなるディスク状の転写用原盤の前記転写用原盤基板を成形する型の製造方法において、
   平坦基板へのレジストの塗布、露光及び現像を実施して、径方向の異なる位置に周方向に延びる複数の凹凸パターンを有するレジストパターンを形成する工程（Ａ）と、
   前記レジストパターンをマスクとして、外周側から内周側に向けてエッチングレートが大きくなる条件で前記平坦基板をエッチングし、エッチング部分を凹部とする前記表面凹凸パターンと補完的な反転パターンを形成する工程（Ｂ）とを順次有することを特徴とする転写用原盤基板の型の製造方法。
2. 前記工程（Ｂ）は、雰囲気圧力を３〜５Ｐａとし、プラズマドライエッチングにより実施することを特徴とする請求項１に記載の転写用原盤基板の型の製造方法。
3. 請求項１又は２に記載の転写用原盤基板の型の製造方法により製造された型を用いて転写用原盤基板を成形し、該転写用原盤基板の表面に少なくとも磁性層を積層することを特徴とする転写用原盤の製造方法。
4. 請求項３に記載の転写用原盤の製造方法により製造されたものであることを特徴とする
   転写用原盤。
5. 被転写体の表面に所定の信号パターンを磁気転写するために使用され、前記信号パターンに応じた表面凹凸パターンを有する転写用原盤基板の上に少なくとも磁性層が積層されてなるディスク状の転写用原盤において、
   前記表面凹凸パターンは、径方向の異なる位置に周方向に延びる複数の凹凸パターンを有するものであり、該表面凹凸パターンの凹部深さが下記式（１）及び（２）を充足することを特徴とする転写用原盤。
   |ｄｉ−ｄｃ|／ｄｃ×１００≦１．５％・・・（１）
   |ｄｏ−ｄｃ|／ｄｃ×１００≦１．５％・・・（２）
   （式中、ｄｉは最内端の周方向パターンの凹部深さ、ｄｏは最外端の周方向パターンの凹部深さ、ｄｃは最内端の周方向パターンと最外端の周方向パターンの中心に位置する周方向パターンの凹部深さを各々示す。）

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