JP2010015629A - モールド構造体の原盤の製造方法、原盤、及びモールド構造体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】凸部間のばらつきを抑制したモールド構造体用原盤の製造方法等の提供。
【解決手段】原盤用基板の表面にレジスト層を形成し、該レジスト層を露光及び現像して、該原盤用基板の表面に、前記原盤凹凸パターンを形成するための略同心円弧状の原盤レジストパターンを形成する原盤レジストパターン形成工程と、前記略同心円弧状の原盤レジストパターンのうち、内周側のレジストパターンが外周側のレジストパターンよりも多く削られる条件で、又は外周側のレジストパターンが内周側のレジストパターンよりも多く削られる条件で、前記原盤レジストパターンを選択的にエッチングする選択的エッチング工程と、前記選択的エッチング工程後の原盤レジストパターンをマスクとして、前記原盤用基板をエッチングし原盤凹凸パターンを形成する原盤凹凸パターン形成工程とを含むモールド構造体用原盤の製造方法である。
【選択図】図４
【解決手段】原盤用基板の表面にレジスト層を形成し、該レジスト層を露光及び現像して、該原盤用基板の表面に、前記原盤凹凸パターンを形成するための略同心円弧状の原盤レジストパターンを形成する原盤レジストパターン形成工程と、前記略同心円弧状の原盤レジストパターンのうち、内周側のレジストパターンが外周側のレジストパターンよりも多く削られる条件で、又は外周側のレジストパターンが内周側のレジストパターンよりも多く削られる条件で、前記原盤レジストパターンを選択的にエッチングする選択的エッチング工程と、前記選択的エッチング工程後の原盤レジストパターンをマスクとして、前記原盤用基板をエッチングし原盤凹凸パターンを形成する原盤凹凸パターン形成工程とを含むモールド構造体用原盤の製造方法である。
【選択図】図４
Description
本発明は、ディスクリートトラックメディア、パターンドメディア等の磁気記録媒体の製造に用いられるモールド構造体を製造するための原盤の製造方法、該製造方法により得られる原盤、及び該原盤を用いたモールド構造体の製造方法に関する。
近年、高記録密度化可能な磁気記録媒体として、ディスクリートトラックメディア及びパターンドメディアが注目されている。
ディスクリートトラックメディアは、隣接するトラック間に非磁性領域を備え、個々のトラックが磁気的に分離されている。そのため、記録密度を高めるために、トラック間隔を狭く設定しても、隣接トラック間の磁気的干渉（クロストーク）を非磁性領域によって抑制できるという特徴を有する。
パターンドメディアは、一定の距離を保って規則的に配列した、信号記録のためのビットを有する。個々のビットは独立しているため、ビット間隔を狭く設定して記録密度を高めても、熱揺らぎの影響を受け難いという特徴を有する。
ディスクリートトラックメディアは、隣接するトラック間に非磁性領域を備え、個々のトラックが磁気的に分離されている。そのため、記録密度を高めるために、トラック間隔を狭く設定しても、隣接トラック間の磁気的干渉（クロストーク）を非磁性領域によって抑制できるという特徴を有する。
パターンドメディアは、一定の距離を保って規則的に配列した、信号記録のためのビットを有する。個々のビットは独立しているため、ビット間隔を狭く設定して記録密度を高めても、熱揺らぎの影響を受け難いという特徴を有する。
上記ディスクリートトラックメディア及びパターンドメディアは、何れも表面に凹凸パターンを有する。このように表面に凹凸パターン（磁気記録凹凸パターン）を有する磁気記録媒体は、該凹凸パターンが反転した凹凸パターン（モールド凹凸パターン）を有するモールド構造体を用いて製造される（特許文献１参照）。なお、該モールド構造体は、電子線描画装置等の所定の設計パターンに基づいて作製された凹凸パターン（原盤凹凸パターン）を有する原盤から製造される。
上記磁気記録媒体の製造の際、該モールド構造体の凹凸パターン（モールド凹凸パターン）が、磁性層の表面に形成されたレジスト層に押し当てられ、該磁性層表面にレジストパターンが形成される。その後、該レジストパターンをマスクとして、該磁性層表面がエッチングされ、該磁性層表面に凹凸パターン（磁気記録凹凸パターン）が形成される。
上記ディスクリートトラックメディア及びパターンドメディアを製造するために用いられる原盤は、その中心側から外側へ向けて、トラック又はビットに対応した同一形状の複数の凸部が、等間隔で同心円状に配置している。
このような凸部（凹凸パターン）を形成するためのレジストパターンを、光又は電子ビームの露光によって得ようとすると、露光条件によっては、中心側のレジストパターンが外側のレジストパターンよりも漸次、細くなり、或いは反対に、中心側のレジストパターンが外側のレジストパターンよりも漸次、太くなることがある。この原因は、中心側と外側とにおける露光後の静置時間の違いによるレジストパターンの収縮率の違い等によるものと推測される。
このような凸部（凹凸パターン）を形成するためのレジストパターンを、光又は電子ビームの露光によって得ようとすると、露光条件によっては、中心側のレジストパターンが外側のレジストパターンよりも漸次、細くなり、或いは反対に、中心側のレジストパターンが外側のレジストパターンよりも漸次、太くなることがある。この原因は、中心側と外側とにおける露光後の静置時間の違いによるレジストパターンの収縮率の違い等によるものと推測される。
このようなレジストパターンを用いて、原盤の凹凸パターンを形成すると、本来、同一形状の複数の凸部を、等間隔等の所定間隔で配置したいにもかかわらず、これらの凸部間にばらつきが生じ、問題となっている。
このような原盤を用いて製造したモールド構造体、及び該モールド構造体を用いて製造したディスクリートトラックメディア等の磁気記録媒体は、加工精度が悪くなり、問題となる。
また、特許文献２には、磁気記録媒体のサーボ領域に、サーボ信号を磁気転写するためのマスター担体が提案されており、該マスター担体は、その表面にサーボ信号に対応した凹凸パターンを有する。この特許文献２では、該マスター担体を製造するための型のパターン線幅が製造毎に僅かながらばらつくことを問題としているが、１つの型における凹凸パターンのばらつきを問題とするものではない。
本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、凸部間のばらつきを抑制した原盤凹凸パターンを有する原盤、及び該原盤の製造方法、並びに該原盤を用いたモールド構造体の製造方法を提供することを目的とする。
前記課題を解決するための手段は、以下の通りである。即ち、
＜１＞ 独立した複数の磁気記録される凸部と、該凸部間の凹部とが略同心円弧状に配列してなる磁気記録凹凸パターンを有する磁気記録媒体の製造時に、該磁気記録凹凸パターンのエッチング用マスクとして用いられるインプリントレジストパターンを形成するためのモールド凹凸パターンを有するモールド構造体を製造するための原盤であって、原盤用基板と、該原盤用基板の表面に形成される、前記モールド凹凸パターンが反転した略同心円弧状の原盤凹凸パターンと、を備える原盤、の製造方法において、
前記原盤用基板の表面にレジスト層を形成し、該レジスト層を露光及び現像して、該原盤用基板の表面に、前記原盤凹凸パターンを形成するための略同心円弧状の原盤レジストパターンを形成する原盤レジストパターン形成工程と、
前記略同心円弧状の原盤レジストパターンのうち、内周側のレジストパターンが外周側のレジストパターンよりも多く削られる条件で、又は外周側のレジストパターンが内周側のレジストパターンよりも多く削られる条件で、前記原盤レジストパターンを選択的にエッチングする選択的エッチング工程と、
前記選択的エッチング工程後の原盤レジストパターンをマスクとして、前記原盤用基板をエッチングし原盤凹凸パターンを形成する原盤凹凸パターン形成工程と、含むことを特徴とするモールド構造体の原盤の製造方法である。
該＜１＞に記載のモールド構造体の原盤の製造方法においては、原盤用基板の表面に設けられた略同心円弧状の原盤レジストパターンのうち、内周側のレジストパターンが外周側のレジストパターンよりも多く削られる条件で、又は外周側のレジストパターンが内周側のレジストパターンよりも多く削られる条件で、前記原盤レジストパターンを選択的にエッチングすることにより、該原盤レジストパターンのばらつきを抑制し、該選択的エッチング後の原盤レジストパターンをマスクとして、該原盤用基板をエッチングすることにより、凸部間のばらつきが抑制された原盤凹凸パターンを有する原盤が得られる。
＜１＞ 独立した複数の磁気記録される凸部と、該凸部間の凹部とが略同心円弧状に配列してなる磁気記録凹凸パターンを有する磁気記録媒体の製造時に、該磁気記録凹凸パターンのエッチング用マスクとして用いられるインプリントレジストパターンを形成するためのモールド凹凸パターンを有するモールド構造体を製造するための原盤であって、原盤用基板と、該原盤用基板の表面に形成される、前記モールド凹凸パターンが反転した略同心円弧状の原盤凹凸パターンと、を備える原盤、の製造方法において、
前記原盤用基板の表面にレジスト層を形成し、該レジスト層を露光及び現像して、該原盤用基板の表面に、前記原盤凹凸パターンを形成するための略同心円弧状の原盤レジストパターンを形成する原盤レジストパターン形成工程と、
前記略同心円弧状の原盤レジストパターンのうち、内周側のレジストパターンが外周側のレジストパターンよりも多く削られる条件で、又は外周側のレジストパターンが内周側のレジストパターンよりも多く削られる条件で、前記原盤レジストパターンを選択的にエッチングする選択的エッチング工程と、
前記選択的エッチング工程後の原盤レジストパターンをマスクとして、前記原盤用基板をエッチングし原盤凹凸パターンを形成する原盤凹凸パターン形成工程と、含むことを特徴とするモールド構造体の原盤の製造方法である。
該＜１＞に記載のモールド構造体の原盤の製造方法においては、原盤用基板の表面に設けられた略同心円弧状の原盤レジストパターンのうち、内周側のレジストパターンが外周側のレジストパターンよりも多く削られる条件で、又は外周側のレジストパターンが内周側のレジストパターンよりも多く削られる条件で、前記原盤レジストパターンを選択的にエッチングすることにより、該原盤レジストパターンのばらつきを抑制し、該選択的エッチング後の原盤レジストパターンをマスクとして、該原盤用基板をエッチングすることにより、凸部間のばらつきが抑制された原盤凹凸パターンを有する原盤が得られる。
＜２＞ 原盤レジストパターン形成工程後の原盤レジストパターンのパターン幅を測定し、その測定結果に基づいて、選択的エッチングを行う前記＜１＞に記載のモールド構造体の原盤の製造方法である。
＜３＞ 最も内周側に位置する原盤レジストパターンのパターン幅と、最も外周側に位置する原盤レジストパターンのパターン幅と、を少なくとも測定する前記＜２＞に記載のモールド構造体の原盤の製造方法である。
＜４＞ 予め取得しておいたパターン幅の減少量のデータに基づいて、原盤レジストパターンを選択的にエッチングする前記＜１＞に記載のモールド構造体の原盤の製造方法である。
＜５＞ 前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載のモールド構造体の原盤の製造方法により製造された原盤であって、原盤凹凸パターンの最外周凹部パターンサイズと、最内周凹部パターンサイズとの比（最外周凹部パターンサイズ／最内周凹部パターンサイズ）が、０．９〜１．１であることを特徴とする原盤である。
＜６＞ 前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載のモールド構造体の原盤の製造方法により製造された原盤、又は前記＜５＞に記載の原盤を、被加工基板の一方の表面に塗布されたインプリントレジスト層に対して押し当てて、該原盤の原盤凹凸パターンを該インプリントレジスト層に転写する転写工程と、前記インプリントレジスト層を硬化させる硬化工程と、該硬化工程において硬化したインプリントレジスト層をマスクにして前記被加工基板の一方の表面のエッチングを行い、前記被加工基板の一方の表面上に凹凸形状のモールド凹凸パターンを形成するパターン形成工程とを含むことを特徴とするモールド構造体の製造方法である。
＜７＞ 前記＜６＞に記載のモールド構造体の製造方法により製造されたモールド構造体に形成されたモールド凹凸パターンを、基板上に塗布されたインプリントレジスト層に対して転写する第２の転写工程と、該第２の転写工程において転写されたインプリントレジストパターンに基づいて磁気記録凹凸パターンを前記基板上に形成する磁気記録凹凸パターン形成工程とを含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
本発明によると、従来における前記諸問題を解決することができ、凸部間のばらつきを抑制した原盤凹凸パターンを有する原盤、及び該原盤の製造方法、並びに該原盤を用いたモールド構造体の製造方法を提供することができる。
〔原盤〕
本発明の原盤は、ディスクリートトラックメディア、ビットパターンドメディア等の磁気記録媒体の磁気記録凹凸パターンを形成するためのインプリントレジストパターンに対応した凹凸パターン（モールド凹凸パターン）を有するモールド構造体を製造するためのものである。
該原盤は、原盤用基板と、該原盤用基板の表面に形成される、前記モールド凹凸パターンが反転した同心円弧状の原盤凹凸パターンと、を有する。該原盤用基板は、Ｓｉ基板等からなる。
以下、一実施形態に係る原盤を例に挙げ、本発明の原盤の説明を行う。
本発明の原盤は、ディスクリートトラックメディア、ビットパターンドメディア等の磁気記録媒体の磁気記録凹凸パターンを形成するためのインプリントレジストパターンに対応した凹凸パターン（モールド凹凸パターン）を有するモールド構造体を製造するためのものである。
該原盤は、原盤用基板と、該原盤用基板の表面に形成される、前記モールド凹凸パターンが反転した同心円弧状の原盤凹凸パターンと、を有する。該原盤用基板は、Ｓｉ基板等からなる。
以下、一実施形態に係る原盤を例に挙げ、本発明の原盤の説明を行う。
図１は、原盤の概略を示す平面図である。図１において符号Ａで示される矢印（矢印Ａ）は、原盤１１の円周方向を表し、符号Ｂで示される矢印（矢印Ｂ）は、原盤１１の半径方向を表す。
本実施形態に係る原盤１１は、円盤状であり、その表面に、前記磁気記録媒体のデータ領域に対応する凹凸パターン１１０と、前記磁気記録媒体のサーボ領域に対応する凹凸パターン１２０とを少なくとも有する。
なお、本実施形態において、原盤凹凸パターンは、データ領域に対応する凹凸パターン１１０（以下、原盤凹凸パターン１１０）。
該原盤凹凸パターン１１０は、原盤１１の表面（原盤用基板の表面）に同心円弧状に配設されている。該原盤凹凸パターン１１０は、凸部と、凹部とからなる。
本実施形態に係る原盤１１は、円盤状であり、その表面に、前記磁気記録媒体のデータ領域に対応する凹凸パターン１１０と、前記磁気記録媒体のサーボ領域に対応する凹凸パターン１２０とを少なくとも有する。
なお、本実施形態において、原盤凹凸パターンは、データ領域に対応する凹凸パターン１１０（以下、原盤凹凸パターン１１０）。
該原盤凹凸パターン１１０は、原盤１１の表面（原盤用基板の表面）に同心円弧状に配設されている。該原盤凹凸パターン１１０は、凸部と、凹部とからなる。
図２は、ディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）を作製するために用いられる原盤の原盤凹凸パターン１１０の説明図である。図２に示される原盤凹凸パターン１１０は、略同心円弧状に形成されている。
図２に示される原盤凹凸パターン１１０は、磁気記録媒体（ディスクリートトラックメディア）の磁性部（磁気記録凸部）に対応する凸部１１１と、該磁気記録媒体の非磁性部に対応する凹部１１２とを有する。
該凸部１１１は、円周方向に沿った線状の部であり、その半径方向の断面が略矩形状となっている。該凸部１１１は、半径方向に沿って、略同心円弧状に配設されている。該凹部１１２は、隣り合う凸部１１１の間に形成される空間部である。
図２に示される原盤凹凸パターン１１０は、磁気記録媒体（ディスクリートトラックメディア）の磁性部（磁気記録凸部）に対応する凸部１１１と、該磁気記録媒体の非磁性部に対応する凹部１１２とを有する。
該凸部１１１は、円周方向に沿った線状の部であり、その半径方向の断面が略矩形状となっている。該凸部１１１は、半径方向に沿って、略同心円弧状に配設されている。該凹部１１２は、隣り合う凸部１１１の間に形成される空間部である。
図３は、パターンドメディアを作製するために用いられる原盤の凹凸パターン１１０の説明図である。図３に示される原盤凹凸パターン１１０は、同心円弧状に形成されている。
図３に示される原盤凹凸パターン１１０は、磁気記録媒体（パターンドメディア）の磁性部（磁気記録凸部）に対応する凸部１１１と、該磁気記録媒体の非磁性部に対応する凹部１１２とを有する。
図３に示される該凸部１１１は、略円柱状であり、複数の凸部１１１が円周方向に沿って、配設されている。また、該凸部１１１は半径方向に沿っても配設されている。該凸部１１１の半径方向の断面は、略矩形状となっている。
図３に示される原盤凹凸パターン１１０は、磁気記録媒体（パターンドメディア）の磁性部（磁気記録凸部）に対応する凸部１１１と、該磁気記録媒体の非磁性部に対応する凹部１１２とを有する。
図３に示される該凸部１１１は、略円柱状であり、複数の凸部１１１が円周方向に沿って、配設されている。また、該凸部１１１は半径方向に沿っても配設されている。該凸部１１１の半径方向の断面は、略矩形状となっている。
〔原盤の製造方法〕
本発明のモールド構造体の原盤の製造方法は、原盤レジストパターン形成工程、選択的エッチング工程、及び原盤凹凸パターン形成工程を有する。
本発明のモールド構造体の原盤の製造方法は、原盤レジストパターン形成工程、選択的エッチング工程、及び原盤凹凸パターン形成工程を有する。
前記原盤レジストパターン形成工程は、前記原盤用基板の表面にレジスト層を形成し、該レジスト層を露光及び現像して、該原盤用基板の表面に、前記原盤凹凸パターンを形成するための同心円弧状の原盤レジストパターンを形成する工程である。
前記選択的エッチング工程は、前記同心円弧状の原盤レジストパターンのうち、内周側のレジストパターンが外周側のレジストパターンよりも多く削られる条件で、又は外周側のレジストパターンが内周側のレジストパターンよりも多く削られる条件で、前記原盤レジストパターンを選択的にエッチングする工程である。
なお、本発明の選択的エッチング工程は、主として、原盤レジストパターンをエッチングすることを意図するものであり、前記原盤用基板を、積極的にエッチングすることを意図しない。
なお、本発明の選択的エッチング工程は、主として、原盤レジストパターンをエッチングすることを意図するものであり、前記原盤用基板を、積極的にエッチングすることを意図しない。
前記原盤凹凸パターン形成工程は、前記選択的エッチング工程後の原盤レジストパターンをマスクとして、前記原盤用基板をエッチングし原盤凹凸パターンを形成する工程である。
以下、一実施形態に係るモールド構造体の原盤の製造方法を、図４を用いて説明する。図４は、原盤の製造工程を示す説明図（断面図）である。
＜原盤レジストパターン形成工程＞
図４（ａ）に示されるように、円盤状のＳｉ基板（原盤用基板）１０上に、スピンコート等でレジスト液を塗布し、レジスト層２１を形成する。なお図４中の矢印Ｂは、半径方向を表し、矢印Ｂの向きが円盤状の原盤用基板１０の中心側を表す。
その後、該Ｓｉ基板１０を回転させながら、前記磁気記録凹凸パターンに対応して変調したレーザー光（又は電子ビーム）を照射し、レジスト層２１を露光する。
その後、レジスト層２１を現像処理し、露光部分を除去して、レジスト層２１のパターン２２（原盤レジストパターン２２）を得る（図４（ｂ）及び（ｃ）参照）。
図４（ａ）に示されるように、円盤状のＳｉ基板（原盤用基板）１０上に、スピンコート等でレジスト液を塗布し、レジスト層２１を形成する。なお図４中の矢印Ｂは、半径方向を表し、矢印Ｂの向きが円盤状の原盤用基板１０の中心側を表す。
その後、該Ｓｉ基板１０を回転させながら、前記磁気記録凹凸パターンに対応して変調したレーザー光（又は電子ビーム）を照射し、レジスト層２１を露光する。
その後、レジスト層２１を現像処理し、露光部分を除去して、レジスト層２１のパターン２２（原盤レジストパターン２２）を得る（図４（ｂ）及び（ｃ）参照）。
＜選択的エッチング工程＞
図４（ｃ）において示されるように、本実施形態においては、外周側の原盤レジストパターン２２の凹部パターン幅が、内周側の原盤レジストパターン２２の凹部パターン幅よりも、太くなっている。
該選択的エッチング工程は、パターン幅が異なる原盤レジストパターン２２をエッチングして、半径方向におけるパターン幅を等しくし、揃える工程である。なお、図４（ｃ）における矢印Ｂの向きが原盤レジストパターン２２の内周側を表す。
図４（ｃ）において示されるように、本実施形態においては、外周側の原盤レジストパターン２２の凹部パターン幅が、内周側の原盤レジストパターン２２の凹部パターン幅よりも、太くなっている。
該選択的エッチング工程は、パターン幅が異なる原盤レジストパターン２２をエッチングして、半径方向におけるパターン幅を等しくし、揃える工程である。なお、図４（ｃ）における矢印Ｂの向きが原盤レジストパターン２２の内周側を表す。
原盤レジストパターン２２の幅を等しくするために、本実施形態においては、外周側の原盤レジストパターン２２の凸部よりも、内周側の原盤レジストパターン２２の凸部を、より多く削れる条件で、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等のエッチングを行う。該選択的エッチング工程後の原盤レジストパターン２２のパターン幅は、図４（ｄ）において示されるように、半径方向において等しく揃えられる。
なお、他の実施形態において、内周側の原盤レジストパターンの凹部パターン幅が、外周側の原盤レジストパターンの凹部パターン幅よりも、太くなっている場合は、内周側の原盤レジストパターンよりも、外周側の原盤レジストパターンを、より多く削れる条件で、エッチングすればよい。
なお、エッチングに用いるガス（気体）、圧力、電力等のエッチング条件（トリミング条件）の決定方法は、特に制限がなく、目的に応じて適宜選択される。
該決定方法としては、例えば、原盤レジストパターンのパターン幅を、ＣＤ−ＳＥＭ等の計測装置を用いて測定し、その測定結果に基づいて、エッチング条件を決定する方法がある。
また、予め取得しておいた原盤レジストパターンのパターン幅の減少量のデータに基づいて、エッチング条件を決定する方法がある。
該決定方法としては、例えば、原盤レジストパターンのパターン幅を、ＣＤ−ＳＥＭ等の計測装置を用いて測定し、その測定結果に基づいて、エッチング条件を決定する方法がある。
また、予め取得しておいた原盤レジストパターンのパターン幅の減少量のデータに基づいて、エッチング条件を決定する方法がある。
なお、原盤レジストパターンのパターン幅を、所定の計測装置を用いて測定する場合、例えば、少なくとも半径方向において、異なる２つの位置の原盤レジストパターンのパターン幅を測定すればよい。
この場合、最も内周側に位置する原盤レジストパターンのパターン幅と、最も外周側に位置する原盤レジストパターンのパターン幅とを、測定することが特に好ましい。
原盤レジストパターンの半径方向におけるパターン幅のばらつきは、内周側から外周側へ向けて漸次増加する場合と、反対に、外周側から内周側へ向けて漸次増加する場合とがある。
そこで、例えば、最も内周側に位置する原盤レジストパターンのパターン幅と、最も外周側に位置する原盤レジストパターンのパターン幅とを、測定すれば、その測定結果に基づいて、内周側、外周側の何れのパターンを、より多く削る必要があるのかを把握できる。
例えば、最も内周側に位置する原盤レジストパターンのパターン幅と、最も外周側に位置する原盤レジストパターンのパターン幅との差分をとり、このパターン幅の差分に基づいて、エッチング条件を決定できる。
この場合、最も内周側に位置する原盤レジストパターンのパターン幅と、最も外周側に位置する原盤レジストパターンのパターン幅とを、測定することが特に好ましい。
原盤レジストパターンの半径方向におけるパターン幅のばらつきは、内周側から外周側へ向けて漸次増加する場合と、反対に、外周側から内周側へ向けて漸次増加する場合とがある。
そこで、例えば、最も内周側に位置する原盤レジストパターンのパターン幅と、最も外周側に位置する原盤レジストパターンのパターン幅とを、測定すれば、その測定結果に基づいて、内周側、外周側の何れのパターンを、より多く削る必要があるのかを把握できる。
例えば、最も内周側に位置する原盤レジストパターンのパターン幅と、最も外周側に位置する原盤レジストパターンのパターン幅との差分をとり、このパターン幅の差分に基づいて、エッチング条件を決定できる。
＜原盤凹凸パターン形成工程＞
図４（ｄ）において示されるように、選択的エッチング工程後の原盤レジストパターン２２をマスクとして、Ｓｉ基板（原盤用基板１０）をエッチングする。該エッチングは、ＲＩＥ等の公知のエッチング方法を用いることができる。なお、該エッチング条件は、半径方向においてＳｉ基板（原盤用基板１０）が一様に削れるように、適宜設定される。
該エッチング後、該原盤用基板１０の表面に原盤凹凸パターン１１０（図４（ｅ）及び（ｆ）参照）が形成され、原盤１１が得られる。なお、残存したマスク（原盤レジストパターン２２）は、適宜、除去される（図４（ｅ）参照）。
図４（ｄ）において示されるように、選択的エッチング工程後の原盤レジストパターン２２をマスクとして、Ｓｉ基板（原盤用基板１０）をエッチングする。該エッチングは、ＲＩＥ等の公知のエッチング方法を用いることができる。なお、該エッチング条件は、半径方向においてＳｉ基板（原盤用基板１０）が一様に削れるように、適宜設定される。
該エッチング後、該原盤用基板１０の表面に原盤凹凸パターン１１０（図４（ｅ）及び（ｆ）参照）が形成され、原盤１１が得られる。なお、残存したマスク（原盤レジストパターン２２）は、適宜、除去される（図４（ｅ）参照）。
〔原盤の原盤凹凸パターン幅〕
本発明の原盤の製造方法により製造された原盤は、半径方向において、原盤凹凸パターンのパターン幅（凸部、及び凹部のパターン幅）が揃えられ、ばらつきが抑えられる。
本発明の原盤の製造方法によれば、最も外周側に位置する原盤凹凸パターンの凹部パターン幅（最外周凹部パターンサイズ）と、最も内周側に位置する原盤凹凸パターンの凹部パターン幅（最内周凹部パターンサイズ）との比（最外周凹部パターンサイズ／最内周凹部パターンサイズ）を０．９〜１．１にできる。
なお、本発明の原盤とは、（最外周凹部パターンサイズ／最内周凹部パターンサイズ）が０．９〜１．１であるものをいう。
本発明の原盤の製造方法により製造された原盤は、半径方向において、原盤凹凸パターンのパターン幅（凸部、及び凹部のパターン幅）が揃えられ、ばらつきが抑えられる。
本発明の原盤の製造方法によれば、最も外周側に位置する原盤凹凸パターンの凹部パターン幅（最外周凹部パターンサイズ）と、最も内周側に位置する原盤凹凸パターンの凹部パターン幅（最内周凹部パターンサイズ）との比（最外周凹部パターンサイズ／最内周凹部パターンサイズ）を０．９〜１．１にできる。
なお、本発明の原盤とは、（最外周凹部パターンサイズ／最内周凹部パターンサイズ）が０．９〜１．１であるものをいう。
ここで、ディスクリートトラックメディアを作製するための原盤の場合、及びパターンドメディアを作製するための原盤の場合を例に挙げて、外周パターンサイズと内周パターンサイズとの比について、更に説明する。
ディスクリートトラックメディアを作製するための原盤は、上記の通り、図２に示されるような、原盤凹凸パターン１１０を有する。
図２において示される符号Ｗｄ１は、最も外周側に位置する原盤凹凸パターンの半径方向における凹部パターン幅（最外周凹部パターンサイズ）を表し、符号Ｗｄ２は、最も内周側に位置する原盤凹凸パターンの半径方向における凹部パターン幅（最内周凹部パターンサイズ）を表す。
この場合、（最外周凹部パターンサイズ／最内周凹部パターンサイズ）は、Ｗｄ１／Ｗｄ２となる。
本発明の原盤の製造方法によれば、Ｗｄ１／Ｗｄ２を０．９〜１．１にできる。
図２において示される符号Ｗｄ１は、最も外周側に位置する原盤凹凸パターンの半径方向における凹部パターン幅（最外周凹部パターンサイズ）を表し、符号Ｗｄ２は、最も内周側に位置する原盤凹凸パターンの半径方向における凹部パターン幅（最内周凹部パターンサイズ）を表す。
この場合、（最外周凹部パターンサイズ／最内周凹部パターンサイズ）は、Ｗｄ１／Ｗｄ２となる。
本発明の原盤の製造方法によれば、Ｗｄ１／Ｗｄ２を０．９〜１．１にできる。
また、パターンドメディアを作製するための原盤は、上記の通り、図３に示されるような、原盤凹凸パターン１１０を有する。
図３において示される符号Ｗｐ１は、最も外周側に位置する原盤凹凸パターンの半径方向における凹部パターン幅（最外周凹部パターンサイズ）を表し、符号Ｗｐ２は、最も内周側に位置する原盤凹凸パターンの半径方向における凹部パターン幅（最内周凹部パターンサイズ）を表す。
この場合、（最外周凹部パターンサイズ／最内周凹部パターンサイズ）は、Ｗｐ１／Ｗｐ２となる。
本発明の原盤の製造方法によれば、Ｗｐ１／Ｗｐ２を０．９〜１．１にできる。
図３において示される符号Ｗｐ１は、最も外周側に位置する原盤凹凸パターンの半径方向における凹部パターン幅（最外周凹部パターンサイズ）を表し、符号Ｗｐ２は、最も内周側に位置する原盤凹凸パターンの半径方向における凹部パターン幅（最内周凹部パターンサイズ）を表す。
この場合、（最外周凹部パターンサイズ／最内周凹部パターンサイズ）は、Ｗｐ１／Ｗｐ２となる。
本発明の原盤の製造方法によれば、Ｗｐ１／Ｗｐ２を０．９〜１．１にできる。
〔モールド構造体の製造方法〕
本発明のモールド構造体の製造方法は、本発明の原盤の製造方法によって製造された原盤を用いて、モールド構造体を製造するものである。以下、一実施形態に係るモールド構造体の製造方法を例に挙げて、本発明のモールド構造体の製造方法を説明する。
本発明のモールド構造体の製造方法は、本発明の原盤の製造方法によって製造された原盤を用いて、モールド構造体を製造するものである。以下、一実施形態に係るモールド構造体の製造方法を例に挙げて、本発明のモールド構造体の製造方法を説明する。
本実施形態に係るモールド構造体の製造方法は、前記原盤を、被加工基板の一方の表面に塗布されたインプリントレジスト層に対して押し当てて、該原盤の原盤凹凸パターンを該インプリントレジスト層に転写する転写工程と、前記インプリントレジスト層を硬化させる硬化工程と、該硬化工程において硬化したインプリントレジスト層をマスクにして前記被加工基板の一方の表面のエッチングを行い、前記被加工基板の一方の表面上に凹凸形状のモールド凹凸パターンを形成するパターン形成工程とを有する。
図５は、モールド構造体の製造工程を示す説明図である。以下、図５を用いて、本実施形態に係るモールド構造体の製造方法を説明する。
＜転写工程＞
図５（ｇ）に示されるように、光硬化性樹脂を含有するインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層２４が一方の面に形成された被加工基板３０としての石英基板に対して、原盤１１を押し当て、原盤１１上の原盤凹凸パターン１１０がインプリントレジスト層２４に転写される（図５（ｈ）参照）。
＜転写工程＞
図５（ｇ）に示されるように、光硬化性樹脂を含有するインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層２４が一方の面に形成された被加工基板３０としての石英基板に対して、原盤１１を押し当て、原盤１１上の原盤凹凸パターン１１０がインプリントレジスト層２４に転写される（図５（ｈ）参照）。
本実施形態においては、被加工基板３０の材料は、モールド構造体として機能する強度を有する材料であれば、特に制限されず、目的に応じて適宜選択され、例えば、石英（ＳｉＯ２）、有機樹脂（ＰＥＴ、ＰＥＮ、ポリカーボネート、低融点フッ素樹脂）等が挙げられる。
＜硬化工程＞
前記転写工程後、インプリント層２４に紫外線等を照射して、インプリント層２４を硬化させる（図５（ｉ）参照）。硬化したインプリント層２４は、原盤凹凸パターン１１０が反転したパターンとなる。
前記転写工程後、インプリント層２４に紫外線等を照射して、インプリント層２４を硬化させる（図５（ｉ）参照）。硬化したインプリント層２４は、原盤凹凸パターン１１０が反転したパターンとなる。
＜パターン形成工程＞
前記硬化工程後、硬化したインプリント層２４をマスクにしてＲＩＥ等によりエッチングを行い（図５（ｊ）参照）、前記被加工基板３０の一方の表面上に凹凸形状のモールド凹凸パターン３１を形成し、モールド構造体３２が得られる（図５（ｋ）参照）。なお、残存したマスクは、適宜、除去される。
前記硬化工程後、硬化したインプリント層２４をマスクにしてＲＩＥ等によりエッチングを行い（図５（ｊ）参照）、前記被加工基板３０の一方の表面上に凹凸形状のモールド凹凸パターン３１を形成し、モールド構造体３２が得られる（図５（ｋ）参照）。なお、残存したマスクは、適宜、除去される。
なお、他の実施形態に係るモールド構造体の製造方法においては、前記原盤１１を母型として用い、Ｎｉ電鋳を行って、モールド構造体を製造してもよい。
〔磁気記録媒体の製造方法〕
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、本発明のモールド構造体の製造方法によって製造されたモールド構造体を用いて、磁気記録媒体を製造するものである。
以下、一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法を、図６を用いて説明する。図６は、磁気記録媒体の製造工程を示す説明図（断面図）である。本実施形態では、前記モールド構造体の製造方法によって製造されたモールド構造体を用いる。
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、本発明のモールド構造体の製造方法によって製造されたモールド構造体を用いて、磁気記録媒体を製造するものである。
以下、一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法を、図６を用いて説明する。図６は、磁気記録媒体の製造工程を示す説明図（断面図）である。本実施形態では、前記モールド構造体の製造方法によって製造されたモールド構造体を用いる。
図６（ｌ）に示されるように、磁性層５０と、ＰＭＭＡ等のインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層４４とがこの順に形成された磁気記録媒体の基板６０に対して、モールド構造体３２を押し当て（図６（ｍ）参照）、加圧することにより、モールド構造体３２上に形成されたモールド凹凸パターン３１を、基板６０上に塗布されたインプリントレジスト層４４に対して転写し、インプリントレジストパターン４５が形成される（第２の転写工程）。
なお、インプリントレジストパターン４５の硬化は、熱硬化、光硬化の何れであってもよい。前記インプリントレジスト液は、硬化方法等に応じて、適宜選択される。
なお、インプリントレジストパターン４５の硬化は、熱硬化、光硬化の何れであってもよい。前記インプリントレジスト液は、硬化方法等に応じて、適宜選択される。
その後、該インプリントレジストパターン４５をマスクとして用い、ＲＩＥ等によりエッチングを行い、前記基板６０上に磁性層５０からなる磁気記録凹凸パターン５１を形成する（磁気記録凹凸パターン形成工程）。該磁気記録凹凸パターン５１は、独立した複数の磁気記録凸部５２（磁性層５０）が同心円弧状に配列してなる。更に、凹部５３に、非磁性材料５４を埋め込み、表面を平坦化して磁気記録媒体５５が得られる。必要に応じて、保護膜等を形成してもよい。
なお、該磁気記録凸部５２とは、ディスクリートトラックメディア、ビットパターンドメディア等の磁気記録媒体において、互いに独立して凸設される磁性部のことである。
なお、該磁気記録凸部５２とは、ディスクリートトラックメディア、ビットパターンドメディア等の磁気記録媒体において、互いに独立して凸設される磁性部のことである。
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
〔原盤の製造〕
（実施例）
図４に示される原盤の製造工程に基づいて、原盤を作製した。該原盤は、ディスクリートトラックメディアを作製するための原盤である。以下、その詳細を説明する。
（実施例）
図４に示される原盤の製造工程に基づいて、原盤を作製した。該原盤は、ディスクリートトラックメディアを作製するための原盤である。以下、その詳細を説明する。
＜原盤レジストパターン形成工程＞
円盤状の８インチＳｉ基板（原盤用基板１０）を用意した。この原盤用基板１０上に、スピンコート法により、レジスト液（ＦＥＰ−１７１、富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）を塗布して、レジスト層２１を形成した。
円盤状の８インチＳｉ基板（原盤用基板１０）を用意した。この原盤用基板１０上に、スピンコート法により、レジスト液（ＦＥＰ−１７１、富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）を塗布して、レジスト層２１を形成した。
その後、レジスト層２１を形成した原盤用基板１０を、回転させながら所定のパターンに対応した電子線を照射し、レジスト層２１を露光した。なお、露光は、Ｓｉ基板の外周側から内周側へ向けて行った。電子線描画には、２０時間要した。
その後、レジスト層２１を現像処理し、露光部分を除去して、原盤レジストパターン２２を得た。
得られた原盤レジストパターン２は、ＴＰＩ（Ｔｒａｃｋ Ｐｅｒ Ｉｎｃｈ：１インチ当たりのトラック数）が、１７０，０００ＴＰＩであった。
その後、レジスト層２１を現像処理し、露光部分を除去して、原盤レジストパターン２２を得た。
得られた原盤レジストパターン２は、ＴＰＩ（Ｔｒａｃｋ Ｐｅｒ Ｉｎｃｈ：１インチ当たりのトラック数）が、１７０，０００ＴＰＩであった。
＜選択的エッチング工程＞
次に、Ｓｉ基板（原盤用基板１０）上の原盤レジストパターン２２の半径方向におけるパターン幅を計測した。該計測には、ＣＤ−ＳＥＭ（日立ハイテクノロジーズ社製、Ｓ９３８０）を用いた。
測定対象は、最も内周側に位置する原盤レジストパターン２２と、最も外周側に位置する原盤レジストパターン２２とした。
測定の結果、最も内周側の凹部パターン幅２２は、５２ｎｍであり、最も外周側の凹部パターン幅２２は、５９ｎｍであった。
なお、前記露光条件は、原盤レジストパターン２２のパターン幅が半径方向において同じになるように設定したものである。
測定対象は、最も内周側に位置する原盤レジストパターン２２と、最も外周側に位置する原盤レジストパターン２２とした。
測定の結果、最も内周側の凹部パターン幅２２は、５２ｎｍであり、最も外周側の凹部パターン幅２２は、５９ｎｍであった。
なお、前記露光条件は、原盤レジストパターン２２のパターン幅が半径方向において同じになるように設定したものである。
前記測定結果に基づいて、原盤レジストパターン２２のトリミング条件（ＲＩＥ条件）を決定した。トリミング条件は、以下の通りである。
使用ガス：Ｏ２（１００ｓｃｃｍ）、ＣＦ４（１０ｓｃｃｍ）
圧力：１２Ｐａ
ＩＣＰ電力：３０Ｗ
バイアス電力：０Ｗ
圧力：１２Ｐａ
ＩＣＰ電力：３０Ｗ
バイアス電力：０Ｗ
上記条件の下、選択的エッチング工程を行い、Ｓｉ基板の外周側の原盤フォトレジストパターン２２の凸部パターン幅よりも、内周側の原盤レジストパターン２２の凸部パターン幅の方を、多く削った。
図７は、選択的エッチング工程におけるトリミング率（Ｔｒｉｍｍｉｎｇ Ｒａｔｅ）を示す説明図である。縦軸は、選択的エッチング工程において削られた原盤フォトレジストパターン２２のトリミング率（ｎｍ／ｍｉｎ）を表し、横軸は、Ｓｉ基板の中心からの距離（ｍｍ）を表す。
なお、このトリミング率は、隣り合うパターン２２の間に存在する空間（凹部）の距離を測定して求めた。
図７に示されるように、Ｓｉ基板の外周側から中心側（内周側）にかけて多く削られていることが確かめられた。
なお、このトリミング率は、隣り合うパターン２２の間に存在する空間（凹部）の距離を測定して求めた。
図７に示されるように、Ｓｉ基板の外周側から中心側（内周側）にかけて多く削られていることが確かめられた。
選択的エッチング工程においてトリミングされた原盤レジストパターン２２をマスクとしてＳｉ基板をエッチングした。該エッチングには、フルオロカーボン系ガスとＡｒガス等の混合ガスを使用した。
前記エッチングにより、Ｓｉ基板を削り、原盤凹凸パターンを有する原盤を得た。なお、該原盤凹凸パターンの表面に残存したマスクは、酸素プラズマアッシング等により除去した。
＜評価＞
得られた原盤における、（最外周凹部パターンサイズ／最内周凹部パターンサイズ）の比を求めた。その結果、Ｗｄ１／Ｗｄ２＝１．０８であった。
得られた原盤における、（最外周凹部パターンサイズ／最内周凹部パターンサイズ）の比を求めた。その結果、Ｗｄ１／Ｗｄ２＝１．０８であった。
〔比較例〕
選択的エッチング工程を行わなかったこと以外は、上記実施例と同様にして、原盤を作製した。
選択的エッチング工程を行わなかったこと以外は、上記実施例と同様にして、原盤を作製した。
＜評価＞
上記実施例と同様に、（外周パターンサイズ／内周パターンサイズ）の比を求めた。
その結果、Ｗｄ１／Ｗｄ２＝１．１５であった。
上記実施例と同様に、（外周パターンサイズ／内周パターンサイズ）の比を求めた。
その結果、Ｗｄ１／Ｗｄ２＝１．１５であった。
〔参考例〕
上記実施例１の選択的エッチング工程におけるトリミング条件（ＲＩＥ条件）を下記内容に変更すると、Ｓｉ基板の外周側の原盤レジストパターン２２のパターン幅を、内周側の原盤レジストパターン２２のパターン幅よりも、多く削ることができる。
上記実施例１の選択的エッチング工程におけるトリミング条件（ＲＩＥ条件）を下記内容に変更すると、Ｓｉ基板の外周側の原盤レジストパターン２２のパターン幅を、内周側の原盤レジストパターン２２のパターン幅よりも、多く削ることができる。
＜トリミング条件＞
使用ガス：Ｏ２（１００ｓｃｃｍ）、ＣＦ４（５ｓｃｃｍ）
圧力：１０Ｐａ
ＩＣＰ電力：１００Ｗ
バイアス電力：０Ｗ
使用ガス：Ｏ２（１００ｓｃｃｍ）、ＣＦ４（５ｓｃｃｍ）
圧力：１０Ｐａ
ＩＣＰ電力：１００Ｗ
バイアス電力：０Ｗ
上記トリミング条件で、実施例１と同様の原盤レジストパターンのエッチングを行った。
図８は、参考例のトリミング率（Ｔｒｉｍｍｉｎｇ Ｒａｔｅ）を示す説明図である。
縦軸は、削られた原盤レジストパターンのトリミング率（ｎｍ／ｍｉｎ）を表し、横軸は、Ｓｉ基板の中心からの距離（ｍｍ）を表す。なお、このトリミング率は、隣り合うパターンの間に存在する空間（凹部）の距離を測定して求めたものである。
図８に示されるように、Ｓｉ基板の中心側（内周側）から外周側へかけて多く削られていることが確かめられた。
したがって、Ｓｉ基板上の原盤レジストパターンが、外周側のパターン凹部幅よりも内周側のパターン凹部幅の方が、太くなった場合、本参考例のような、トリミング率に設定すれば、外周側の凸部パターン幅を、内周側の凸部パターン幅よりも多く削ることができる。
縦軸は、削られた原盤レジストパターンのトリミング率（ｎｍ／ｍｉｎ）を表し、横軸は、Ｓｉ基板の中心からの距離（ｍｍ）を表す。なお、このトリミング率は、隣り合うパターンの間に存在する空間（凹部）の距離を測定して求めたものである。
図８に示されるように、Ｓｉ基板の中心側（内周側）から外周側へかけて多く削られていることが確かめられた。
したがって、Ｓｉ基板上の原盤レジストパターンが、外周側のパターン凹部幅よりも内周側のパターン凹部幅の方が、太くなった場合、本参考例のような、トリミング率に設定すれば、外周側の凸部パターン幅を、内周側の凸部パターン幅よりも多く削ることができる。
１０ 原盤用基板
１１ 原盤
２１ レジスト層
２２ 原盤レジストパターン
２４ インプリントレジスト層
３０ 被加工基板
３１ モールド凹凸パターン
３２ モールド構造体
４４ インプリントレジスト層
４５ インプリントレジストパターン
５０ 磁性層
５１ 磁気記録凹凸パターン
５２ 磁気記録凸部
５３ 凹部
５４ 非磁性材料
５５ 磁気記録媒体
６０ 基板
１１０ 原盤凹凸パターン
１１ 原盤
２１ レジスト層
２２ 原盤レジストパターン
２４ インプリントレジスト層
３０ 被加工基板
３１ モールド凹凸パターン
３２ モールド構造体
４４ インプリントレジスト層
４５ インプリントレジストパターン
５０ 磁性層
５１ 磁気記録凹凸パターン
５２ 磁気記録凸部
５３ 凹部
５４ 非磁性材料
５５ 磁気記録媒体
６０ 基板
１１０ 原盤凹凸パターン
Claims (6)
- 独立した複数の磁気記録される凸部と、該凸部間の凹部とが略同心円弧状に配列してなる磁気記録凹凸パターンを有する磁気記録媒体の製造時に、該磁気記録凹凸パターンのエッチング用マスクとして用いられるインプリントレジストパターンを形成するためのモールド凹凸パターンを有するモールド構造体を製造するための原盤であって、原盤用基板と、該原盤用基板の表面に形成される、前記モールド凹凸パターンが反転した略同心円弧状の原盤凹凸パターンと、を備える原盤、の製造方法において、
前記原盤用基板の表面にレジスト層を形成し、該レジスト層を露光及び現像して、該原盤用基板の表面に、前記原盤凹凸パターンを形成するための略同心円弧状の原盤レジストパターンを形成する原盤レジストパターン形成工程と、
前記略同心円弧状の原盤レジストパターンのうち、内周側のレジストパターンが外周側のレジストパターンよりも多く削られる条件で、又は外周側のレジストパターンが内周側のレジストパターンよりも多く削られる条件で、前記原盤レジストパターンを選択的にエッチングする選択的エッチング工程と、
前記選択的エッチング工程後の原盤レジストパターンをマスクとして、前記原盤用基板をエッチングし原盤凹凸パターンを形成する原盤凹凸パターン形成工程と、含むことを特徴とするモールド構造体の原盤の製造方法。 - 原盤レジストパターン形成工程後の原盤レジストパターンのパターン幅を測定し、その測定結果に基づいて、選択的エッチングを行う請求項１に記載のモールド構造体の原盤の製造方法。
- 最も内周側に位置する原盤レジストパターンのパターン幅と、最も外周側に位置する原盤レジストパターンのパターン幅と、を少なくとも測定する請求項２に記載のモールド構造体の原盤の製造方法。
- 予め取得しておいたパターン幅の減少量のデータに基づいて、原盤レジストパターンを選択的にエッチングする請求項１に記載のモールド構造体の原盤の製造方法。
- 請求項１から４のいずれかに記載のモールド構造体の原盤の製造方法により製造された原盤であって、
原盤凹凸パターンの最外周凹部パターンサイズと、最内周凹部パターンサイズとの比（最外周凹部パターンサイズ／最内周凹部パターンサイズ）が、０．９〜１．１であることを特徴とする原盤。 - 請求項１から４のいずれかに記載のモールド構造体の原盤の製造方法により製造された原盤、又は請求項５に記載の原盤を、被加工基板の一方の表面に塗布されたインプリントレジスト層に対して押し当てて、該原盤の原盤凹凸パターンを該インプリントレジスト層に転写する転写工程と、
前記インプリントレジスト層を硬化させる硬化工程と、
該硬化工程において硬化したインプリントレジスト層をマスクにして前記被加工基板の一方の表面のエッチングを行い、前記被加工基板の一方の表面上に凹凸形状のモールド凹凸パターンを形成するパターン形成工程と、を含むことを特徴とするモールド構造体の製造方法。
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