TWI287141B - In-plane switching type liquid crystal display device and method of manufacturing the same - Google Patents
In-plane switching type liquid crystal display device and method of manufacturing the same Download PDFInfo
- Publication number
- TWI287141B TWI287141B TW090101462A TW90101462A TWI287141B TW I287141 B TWI287141 B TW I287141B TW 090101462 A TW090101462 A TW 090101462A TW 90101462 A TW90101462 A TW 90101462A TW I287141 B TWI287141 B TW I287141B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- common
- forming
- shorting bar
- liquid crystal
- display device
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/121—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode common or background
Description
1287141 A7 ___B7_____ 五、發明說明。~' - 、主案係明求如案韓國專利申請案第2〇〇〇_6〇539號,申 月2000年10月U日,其内容整體併述於此以供參 考。 發明領域 .本發明係有m顯示裝klcd)及其製法,以及特別 =有關同平面切換型或側向電場型液晶顯示裝置及其製 身 登明背景 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 /用薄膜電晶體液晶顯示裝置包括—片具有多個像素電 極的基板,-片具有共用電極的對側基板以及液晶材料夹 =於其間。於其中-片基板上,設置多個開關元件其個別 置於個像素内俾控制加諸液晶材料的電場。開關元件 〈例爲金氧石夕電晶體有一閘極、一源極以及一没極。問 極由閘線之-被供給閘極電壓,閘線係於橫向設置於基板 上。源極係連結交叉閘線的資料線之一,資料線係排列於 縱向。没極係伸展而形成像素電極之一。當像素電極以及 共用電極經由對應開關元件的作動而被施加電壓時,液晶 材料分子由於像素電極與共用電極之電位差因而回應於電 場變更其方向性。LCD液晶材料根據液晶分子之方向性: 遮蔽或通過光線因而顯示影像。 但LCD具有狹窄觀視角且依據觀視方向決定。爲了獲得 寬廣觀視角’提議同平面切換型LCD。IPS LCD之一例 揭示於美國專利第5,907,379號。IPS LCD具有像素及共 用電極僅形成於一片基板上。如圖i所示,像素電極及共 本紙張尺度適家標準(CNS)A4規格⑵Q x 297公髮 -4- 1287141 A7 B7 五、發明說明(2 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 用電極係於横向方向交替設置於各像素 共==電=::科™基二广 二像素電極桿13、13=的像素電極每個像素有 用電極2。之共用電極桿二像 ,係排列於共用電極桿21、21,、二:像= 電極# 13、13,上端係藉上連 素 電極捍13、13,下端係藉下連結:;;=連結,而像素 及下連結件15、17連同二像去不彼此電連結。如此上 共用電極2〇有三根制電知m13、,13,形成矩形。 像素之縱向方向。共用電極捍21、2】21、21對正於各 分別藉上及下共用電極線23 、21"之上部及下部 及下共用電極線23、23,之共用·^彼此電互連。包括上 及於各個像素伸展,如圖2所示V20係於像素區全體以 圖2顯示習知IPS LCD之共用電& 電連結佈局]PS LCD之共用電極 二片基板上的 列。注意於圖2,共用電極2〇係 /、’’订閘線40排 極具有階梯形,有多根共用電極掉^死明,,但各個共用電 電極線23、23.於橫向方向連結= 及^ 21丨、21”。 /、用私極才千2 1、 爲了讓各個像素的共用電極捍21、 21、21,、21”。用於此項目的王I、用“碎 向方向平行資料線50排列俾電連q路桿31或33於縱 包運%共用電極2〇。如此即 閱 訂 i 5-
本紙張尺度朝_關家標準(CNS)A4規格(210 X 297公g 1287141 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(3 ) 使共用短路桿31或33僅對各共用電極線或共用電極桿的 一端供給共用電壓,於各個像素的共用電極20也被施加 如同供給各共用電極線或共用電極桿一端之相等共用電 壓,原因在於共用電極桿21、2Γ、21”係藉共用電極線 23、23’互連故。 但於僅使用一根共用短路桿31或33之例,於遠離共用 短路桿31或33之像素供給共用電極桿21、21’、21"之 共用電壓係低於要求電壓,原因在於各共用電極線23或 23’具有線電阻故。遠離共用_短路桿31或33像素之電壓 降造成閃爍不定或_音,結果導致LCD的影像品質低 劣。 爲了解決該問題,可考慮加寬共用電極線的線寬。但此 種情況下,可能出現孔口比下降以及需要額外空間來設置 放大的共用電極線的問題。 至於解決該等問題之另一種方法,也可考慮每一列像素 設置一共用短路桿。但於基板上形成共用短路桿需要額外 處理造成製品成本的增高。又仍然可能造成孔口比下降且 需要額外空間來設置放大的共用電極線的問題。 爲了解決前述問題以及對各共用電極有效供給共用電 '壓,廣泛採用一種構造,其中共用短路桿31、33係設置 於LCD之像素區兩邊,如圖2所示。 但由於於大尺寸以及高度界定之LCD之例中,像素區中 部與周邊部間之電壓差亦極大,故由於電壓不穩該種構造也 可能發生閃爍或串音問題,結果導致LCD影像品質低劣。 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1287141 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(4 ) 發明概述 本發明之目的係提供一種同平面切換型薄膜電晶體液晶 顯示裝置及其製法,其可有效防止於像素區各個像素之共 用電壓降,藉此改良LCD之影像品質。 本發明之另一目的係提供同平面切換型薄膜電晶體液晶 顯示裝置及其製法,其可改良像素區共用電壓的分布而無 需額外處理以及降低孔口比。 本發明之另一目的係提供一種同平面切換型薄膜電晶體 液晶顯示裝置及其製法其通合用於大尺寸以及高界定度 LCD 〇 此等及其它目的根據本發明可經由一種同平面切換型液 晶顯示裝置達成,該裝置包含一基板、一液晶材料層、像 素電極、共用電極、閘線及資料線。液晶顯示裝置具有共 用電極線於橫向連結共用電極桿俾供給共用電壓,以及共 用短路桿平行欲電連結共用電極的資料線排列俾供給共用 電壓給共用電極。 本發明之較佳具體實施例中,液晶顯示裝置包括多個薄 膜電晶體,各個電晶體係設置於一個像素以及三個共用短 路桿。共用短路样係於縱向方向分別設置於像素區中部及 兩邊俾對共用電極供給共用電壓。較佳設置於中央位置共 用短路桿左方之資料線係分別設置於位在中央位置共用短 路桿左方之對應像素的左側,以及設置於中央位置共用短 路桿右方之資料線係分別設置於位在中央位置共用短路桿 右方之對應像素的右側,俾提供設置中央位置共用短路样 -7- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1287141 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(5 )
需要的空間。如此經由改變資料線位置形成的中央空間允 許中央位置共用短路样容易設置於像素區中央而無需額外 空間以及降低孔口比C 又較佳共用短路桿係由一種具有導電性高於摻雜半導體 層導電性的金屬製成,以及若屬可能,共用短路样具有較 寬的線寬。較佳共用短路桿兩邊分別連結來源驅動積體電 路之共用電壓襯墊俾降低因共用短路样本身的線電阻造成 的電壓降。 又位在中央的短路桿各端可連結二來源驅動積體電路之 共用電壓襯墊俾增加冗餘,藉此改善LCD的可靠性。 根據本發明,製造同平面切換型薄膜電晶體液晶顯示裝 置之方法包含下列步驟:形成一第一導電層於一基板上, 經由圖樣化第一導電層而形成閘線以及共用電極線,形成 一閘極絕緣層於該基板上,該基板上已經形成閘線以及共 用電極線,形成一半導體層於基板上而該基板上已經形成 閘極絕緣層;經由圖樣化半導體層而形成一個主動區,於 已經形成主動區之基板上形成一第二導電層,形成多個薄 膜電晶體,各自有一源極以及一汲極,像素電極連結至汲 極以及資料線連結至源極,該等薄膜電晶體係經由圖樣化 基板上的第二導電層形成,於其上已經形成資料線之基板 上形成一層保護層,形成接觸孔而暴露出各共用電極中部 及兩端,於其上已經形成接觸孔之基板上形成第三導電 層,以及經由圖樣化第三導電層而於像素區中部以及兩邊 形成平行資料線之共用短路桿。共用短路桿係電連結各共 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -裝--------訂---------線. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1287141 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(6 ) 用電極中部及兩端,各共用電極上已經形成接觸孔。 本發明方法中,形成主動區之步驟進一步包括形成一摻 雜半導體層於基板上,該基板上已經形成半導體層,以及 摻雜半導體層係連同該半導體層圖樣化。此外,形成薄膜 電晶體之步驟包括經由連同第二導電層圖樣化摻雜半導體 層而電分離源極與汲極。 又,形成資料線之步驟包括於像素區中部以及兩邊形成 由資料線相同材料組成的共用短路桿;形成接觸孔之步驟 包括暴露由資料線之相同材料組成的各個共用短路桿之一 部份,各共用電極之中部以及兩端將電連結該部份;以及 經由圖樣化第三導電層形成共用短路桿之步驟包括讓各共 用電極之中部及兩端連結由資料線之相同材料製成的各共 用短路桿之該部份。 圖式之簡單説明 圖1爲頂視平面圖説明一般同平面切換型液晶顯示裝置 之像素之電極構造。 圖2爲習知同平面切換型液晶顯示裝置之基板之電連結 佈局圖。 圖3爲根據本發明同平面切換型液晶顯示裝置之基板之 '’電連結佈局圖。 圖4爲根據本發明之同平面切換型液晶顯示裝置之部分 頂視平面圖,其中共用短路桿係設置於像素區中部。 圖5爲沿圖4線V-V’所取之剖面圖。 圖6a至圖6e爲流程圖顯示根據本發明之同平面切換型 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 方裝--------訂---------線| 1287141 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(7 ) 液晶顯示裝置之製造方法之處理步驟,該圖係沿圖4之線 V-V’所取。 較佳具體實施例之詳細説明 後文參照附圖更完整説明本發明,附圖顯示本發明之較 佳具體實施例。但本發明可以多種不同形式具體表現而不 得視爲囿限於此處陳述之具體實施例;反而本具體實施例 僅供讓本揭示内容更爲徹底完整以及全然傳遞本發明之範 圍給業界人士。各圖中類似的編號表示類似的元件。 圖3爲根據本發明之同平®切換型液晶顯示裝置之基板 之電連結佈局圖。注意於圖3,共用電極20係以線説明, 但各自具有階梯形,有多根共用電極桿21、21’、21”以及 共用電極線23、23’於橫向連結共用電極桿21、21’、 21”。共用電極20以及閘線40係連結閘極驅動積體電路 之共用電壓襯墊70於其一邊。各資料線50或50’之上端 以及下端也分別連結源極驅動積體電路之上及下共用電壓 襯墊60。爲了讓各個像素的共用電極桿21、21’、21”被 施加相同電壓,全部共用電極20於縱向方向係藉一根共 用短路桿35連結,該共用短路桿係設置於LCD之像素區 中部。共用短路桿35係設置成平行資料線50、5(V,資料 '線50、50’於縱向方向將電連結共用電極20。共用短路桿 35之上端及下端分別連結源極驅動積體電路之上及下共用 電壓襯墊60。又其它於縱向方向排列平行資料線50、50’ 將電連結共用電極20之共用短路样31、33係設置於 LCD之像素區兩邊,如圖2習知IPS LCD所示。 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
1287141 A7 B7 五 、發明說明(8 如此當共用短路捍31、33、35對各個共用電極2〇供終 共用電壓時,於像素區之全部共用電極20由共用短路桿 31、33、35被施加相等共用電壓,在於共用短路样 1 33、35係連結各共用電極2〇中部以及兩端。 圖4爲根據本發明之时面切換型液絲示裝置之部分 頂視,面圖,其中共用短路桿35係設置於像素區中部。 圖5爲沿圖4線V-V,所取之剖面圖。 參照圖3、4及5,各共用短路桿31、33或35包含第 一共用電壓線層351以及第二共用電壓線層352,其係形 成於第-共用電壓線層351上方。第二共用電壓線層^ 有多個接觸插塞37,其係用作爲電連結第一及/或第二共 訂 用電壓線層351及/或352與共用電極2〇。接觸插塞 係位於與共用短路桿31、33、35連結的各共用電極Μ之 中邵及兩端。 現在説明根據本發明製造液晶顯示裝置之較佳具體實施 % 例。圖6a至圖6e爲流程圖顯示根據本發明之製造同二面 切換型液晶顯示裝置之方法之處理步驟,該圖係沿圖4線 V-V’所取。 、 現在參照圖6a及圖4,第一導電層形成於基板1〇〇上。 然後第一導電層經圖樣化或蝕刻而形成共用電極2〇,包括 每個像素三個共用電極桿21、21,、21”以及兩個共用電極 線23、23’以及閘線40。另外於形成第一導電層之前可形 成一層封阻層於基板100上。 第一導電層係由雙層構造形成,如圖6a所示。較佳雙層 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐 -11 - 1287141 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(9 ) 構造係由下鉻層21a及上鋁層21b組成。另外,雙層構造 可由下鉻層以及上鋁-钕合金層製成。又第一導電層可由 铭、絡或銘-钕合金等金屬組成的單獨層疊構造形成。 共用電極20係平行閘線40排列。各共用電極20具有 階梯形,其中多根共用電極样21、2Γ、21”於橫向係藉共 用電極線23、23’連結。如圖4所示,三根共用電極桿 21、2Γ、21”係設置於一像素,該項素將由黑矩陣圖樣 (圖中未顯示)之其中一個孔口暴露出,該黑矩陣圖樣之功 能係遮蔽共用電極線23、23’、像素電極10:之連結線 15、17、閘線40及資料線50、5 01。 參照圖6b及圖4,閘極絕緣層110形成於基板1〇〇 上,基板上已經形成共用電極20包括多根共用電極桿 21、21’、21”以及多條共用電極線23、23,。閘極絕緣層 110係由藉化學氣相沈積方法製成的氮化矽層形成。隨後 非晶矽層形成於基板1〇〇上作爲半導體層而形成電晶體通 道。然後N +掺雜非晶矽層形成於基板100上作爲歐姆接 觸層。主動區27係經由圖樣化此等矽層形成。較佳半導 體圖樣29保留於線交叉區俾減少線間的寄生電容,.如圖4 所示。 參照圖6c及圖4,於已經形成主動區27之基板100上 形成第二導電層。第二導電層係由雙層構造組成。較佳雙 層構造係由下鉻層13a以及上鋁層13b組成。另外雙層構 造可由下鉻層以及上鋁-钕合金層組成。隨後經由圖樣化第 二導電層而對每個像素形成各個電晶體之汲極及源極26、 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------訂-----I---線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1287141 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(10 ) 28。又形成連結汲極26的像素電極10,如圖4所示。各 個像素電極10有二像素電極捍13、13f對正於每個像素之 縱向方向。像素電極桿13、13’係平行共用電極样21、 21’、21”排列,以及各個像素電極桿13或13’係介於共用 電極桿21、2Γ、21”之二桿間交錯排列。像素電極样 13、13’之上端及下端分別係藉上及下連結件15、17電連 結。汲極26由下連結件17伸出,而源極28係由資料線 50伸出。汲極及源極26、28於主動區27彼此隔開而形 成間隙作爲電晶體通道。爲了形成汲極26與源極28間的 間隙,連同第二導電層圖樣化摻雜非晶矽層以及去除該圖 樣。 參照圖3及4,共用短路样35之第一共用電壓線層351 於縱向方向形成於基板上像素區中部。又,位於第一共用 電壓線層351右側的資料線50係分別形成於位在第一共 用電壓線層351右方的個別像素右側,以及位於第一共用 電壓線層351左側的資料線50’係分別形成於位在第一共 用電壓線層351左方的個別像素左側。平行資料線50、 50’排列的第一共用電壓線層351具有線寬度比資料線 50、50’之線寬度更寬,而於防止其經由黑矩陣圖樣之孔 口暴露之限度範圍内。又由資料線相同材料組成的其它第 一共用電壓線層係形成於基板上的像素區兩邊之縱向方向 俾形成共用短路桿31、33。 參照圖6d以及圖4,保護層120係形成於基板100 上,而該基板上方已經形成汲極及源極26、28、像素電極 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------------------^---------. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1287141 A7 B7 五、發明說明(11 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 10以及第一共用電壓線層351。保護層係由絕緣層例如氮 化矽層形成。隨後經由部份圖樣化保護層120以及閘極絕 緣層110而形成接觸孔130於各共用電極20中部,第一 共用電壓線層351將電連結該共用電極。如此各共用電極 20中部以及第一共用電壓線層351對應部份係由接觸孔 ί30部份暴露,如圖6d所示。又,其它接觸孔130也形 成於各共用電極20兩端,因此各共用電極20兩端以及第 一共用電壓線層351之對應部份將藉此而部份暴露。 參照圖6e及4,第三導電層係形成於已經形成有接觸孔 130之基板100上。然後第二共用電壓線層352係經由圖 樣化第三導電層而形成於像素區中部。又接觸插塞37係 形成於接觸孔130俾電連結第一及第二共用電壓線層 35 1、352於各個共用電極20。接觸插塞37係位在共用 短路桿35所連結之各共用電極20中部。 另外未形成第二共用電壓線層352於像素區中部,僅形 成接觸插塞37於接觸孔130,接觸孔係位在共用電極20 中部俾電連結第一共用電壓線層351與各共用電極20。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 又其它第二共用電壓線層352及接觸插塞37分別形成 於像素區兩邊俾形成共用短路桿31、33。此種情況下,亦 未形成第二共用電壓線層352於像素區兩邊,僅形成接觸 插塞37於接觸孔13 0,其位在各個共用電極20兩側部俾 電連結第一共用電壓線層351與各共用電極20。 本發明之較佳具體實施例中,_共用短路桿31、33、35 分別係由包括第一及第二共用電壓線層351、352的雙層 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1287141 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(12 ) 構造形成。特減佳位在像素區中部之共祕路桿35係 由包括第-及第二共用電壓線層351、352之雙層構造形 成俾降低線電阻,原因在於共用短路桿35比較位在像素 區兩邊的共用短路捍31、33由於孔口比限制故具有相對 小的線寬。但若有所需’可删除共驗路桿31、33之第 一及第二共用€祕層351、352之-以及着共用短路 桿35。又較佳第三導電層係由具有相對低電阻係數之金屬 製成。 各,、用釔路桿31 ' 33或35兩端中之至少_端係連結源 極驅動積體電路之共用電壓襯塾6()。較佳各共用短路样 31、33或35兩端相«結祕縣龍電路之上及下 共用«« 60俾減少由料用短路桿本身的線電阻造 成的k在像素區中部之共用短路桿Μ各端 可連結源極驅動積體電路之共用電壓鱗6Q之二觀整。 此種情況下,即使連結共用短路桿35 —端之二共用電壓 襯整60 d $ ’共用短路桿35仍可被供給共用電壓, 藉此改進LCD的可靠度。 由前文説明顯然易知本發明提供改良之液晶顯示裝置及 其製法’該裝置可防止讀素區的各個像素發生共用電壓 降’且無需額外處理以及縮小孔口比,藉此改良lcd的 影像品質。 又本發綴供-種適合用於大型尺寸及高界定度之lcd 之液晶顯示裝置及其製法。 附圖及説明中揭示本發明之典型較佳具體實施例,雖然 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)Ai^T^; 297公f ~----- -----------農--------訂---------^9— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1287141 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(13 ) 採用特定術語,但僅係以一般説明性意義使用而絕非意圖 囿限如下申請專利範圍所陳述之本發明之範圍。 -16- -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
Claims (1)
- A8 B8 C8 D8 -、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1287141 申請專利範圍 1. 一種液晶顯示裝置,包含: 多條隔開的閘線,其係設置於由多個像素組成之一像 素區之第一方向; 多條隔開的資料線,其係設置於垂直第一方向的第二 方向; 多個像素電極,其分別係設置於各個像素,各該像素 係侷限於由毗鄰閘線及資料線所包圍的一區; 多個共用電極,其係設置於該像素區;以及 一共用短路桿,其係譟置於該像素區中部於第二方 向,俾供給共用電壓給該等共用電極。 2. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置,其中位在該共 用短路桿左側之資料線分別係設置於該共用短路样左方 對應像素左側,以及位在該共用短路桿右側之資料線分 別係設置於該共用短路桿右方對應像素右側。 3. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置,進一步包括至 少一共用短路桿,其係設置於像素區兩邊之至少一邊上 於第二方向,俾供給共用電壓給共用電極。 4. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置,其中共用短路 桿之兩端中之至少一端係連結至源極驅動積體電路之共 用電壓襯塾中之至少一襯螯。 5. 一種製造液晶顯示裝置之方法,包含下列步驟: 形成一第一導電層於一片基板上; 經由圖樣化第一導電層而形成閘線及共用電極線; 於其上已經形成閘線及共用電極線之基板上形成一閘 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) !------金--------tr---------ί (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A8 B8 C8 D8 -\ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1287141 申請專利範圍 極絕緣層; 於其上已經形成閘極絕緣層之基板上形成一半導體 層; 經由圖樣化半導體層而形成一個主動區; 於其上已經形成主動區之基板上形成一第二導電層; 經由圖樣化基板上的第二導電層而形成多個薄膜電晶 體,其各自由一源極及一汲極、像素電極連結至汲極, 以及資料線連結至源極; 於其上已經形成資料線_之基板上形成一層保護層; 形成接觸孔,俾暴露共用電極中部; 於其上已經形成接觸孔之基板上形成第三導電層;以 及 經由圖樣化第三導電層而於該像素區中部形成一條平 行資料線之共用短路桿,該共用短路桿係電連結各共用 電極中部而共用電極其上已經形成接觸孔。 6. 如申請專利範圍第5項之製造液晶顯示裝置之方法,其 中該形成主動區之步驟進一步包括於其上已經形成半導 體層之基板上形成一層摻雜半導體層,以及該摻雜半導 體層係使用該半導體層圖樣化。 7. 如申請專利範圍第6項之製造液晶顯示裝置之方法,其 中該形成薄膜電晶體之步驟包括經由圖樣化摻雜半導體 層連同第二導電層而電分隔源極與汲極。 8. 如申請專利範圍第5項之製造液晶顯示裝置之方法,其 中該形成資料線之步驟包括形成與資料線的相同材料組 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1287141經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 9 的另一共用短路桿於像素區中部。 ^申%專利範圍第8項之製造液晶顯示裝置之方法,其 自、丑)成接觸孔之步驟包括暴露與資料線相同材料製成 的=用短路捍之_部份,各共用電極中部將與該共用短 路桿部份電連結;以及該經由圖樣化第三導電層形成共 用短路捍之步驟包括讓各共用電極之中部與資料線相同 材料製成的共用短路桿之該等部份電連結。 1〇_如中請專利範®第8項之製造液晶鮮裝置之方法,其 中經由圖樣化第三導電層形成共用短路桿之步驟進一步 包括形成至少一根共用短路桿平行資料線設置於像素區 兩邊之至少一邊上。 U·如申請專利範圍第1〇項之製造液晶顯示裝置之方法, 其中該形成資料線之步驟進一步包括形成由資料線的相 同材料組成的至少一根共用短路样於像素區兩邊之 一邊上。 12·如申請專利範圍第11項之製造液晶顯示裝置之方法, 其中該形成接觸孔之步驟包括暴露與資料線相同材料製 成的至少一根共用短路桿之一部份,各共用電極兩端中 之至少一端將與該共用短路桿部份電連結;以及該經由 圖樣化第三導電層形成共用短路桿之步驟包括讓各共用 電極之兩端中之至少一端與資料線相同材料製成的共用 短路桿之該等部份電連結。 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ----------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2000-0060539A KR100414222B1 (ko) | 2000-10-14 | 2000-10-14 | 횡전계형 액정표시장치 및 그 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI287141B true TWI287141B (en) | 2007-09-21 |
Family
ID=19693533
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW090101462A TWI287141B (en) | 2000-10-14 | 2001-01-20 | In-plane switching type liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6624869B2 (zh) |
JP (1) | JP4803894B2 (zh) |
KR (1) | KR100414222B1 (zh) |
TW (1) | TWI287141B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109884832A (zh) * | 2019-01-03 | 2019-06-14 | 友达光电股份有限公司 | 显示装置 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100759965B1 (ko) * | 2000-10-27 | 2007-09-18 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
JP4199501B2 (ja) * | 2002-09-13 | 2008-12-17 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
KR100710164B1 (ko) * | 2003-12-30 | 2007-04-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계 방식 액정 표시 장치 |
TWI308248B (en) * | 2005-11-09 | 2009-04-01 | Au Optronics Corp | Display device and configuration of common electrode thereof |
KR101297804B1 (ko) | 2006-07-25 | 2013-08-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 어레이 기판 및 이를 갖는 표시패널 |
EP2023195B1 (en) * | 2007-08-09 | 2017-04-05 | LG Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
CN101644863B (zh) * | 2008-08-06 | 2011-08-31 | 北京京东方光电科技有限公司 | Tft-lcd像素结构及其制造方法 |
KR101938716B1 (ko) | 2012-05-03 | 2019-01-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
KR101319977B1 (ko) * | 2012-11-13 | 2013-10-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법 |
KR102009388B1 (ko) * | 2012-12-13 | 2019-08-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 디스플레이 장치 |
KR102081827B1 (ko) * | 2013-07-02 | 2020-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
KR102078807B1 (ko) * | 2013-07-03 | 2020-02-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
CN207380420U (zh) * | 2017-11-17 | 2018-05-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
CN112420735A (zh) * | 2019-08-20 | 2021-02-26 | 友达光电股份有限公司 | 像素阵列基板 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69332575T2 (de) * | 1992-09-18 | 2003-11-20 | Hitachi Ltd | Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung |
JP3296913B2 (ja) * | 1993-01-20 | 2002-07-02 | 株式会社日立製作所 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
US5852485A (en) * | 1996-02-27 | 1998-12-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for producing the same |
JP3199221B2 (ja) * | 1996-02-27 | 2001-08-13 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
KR100209531B1 (ko) * | 1996-06-22 | 1999-07-15 | 구자홍 | 액정표시장치 |
JP4024901B2 (ja) * | 1997-05-22 | 2007-12-19 | エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド | アクティブマトリックス型液晶表示装置 |
JPH112836A (ja) * | 1997-06-10 | 1999-01-06 | Hitachi Ltd | アクティブマトリクス液晶表示装置 |
JP3299917B2 (ja) * | 1997-09-05 | 2002-07-08 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
JP4130490B2 (ja) * | 1997-10-16 | 2008-08-06 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示装置 |
JP3636424B2 (ja) * | 1997-11-20 | 2005-04-06 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
US6215541B1 (en) * | 1997-11-20 | 2001-04-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal displays and manufacturing methods thereof |
-
2000
- 2000-10-14 KR KR10-2000-0060539A patent/KR100414222B1/ko active IP Right Grant
-
2001
- 2001-01-20 TW TW090101462A patent/TWI287141B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-04-12 JP JP2001113424A patent/JP4803894B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-04-19 US US09/837,375 patent/US6624869B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109884832A (zh) * | 2019-01-03 | 2019-06-14 | 友达光电股份有限公司 | 显示装置 |
CN109884832B (zh) * | 2019-01-03 | 2022-01-11 | 友达光电股份有限公司 | 显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6624869B2 (en) | 2003-09-23 |
JP4803894B2 (ja) | 2011-10-26 |
JP2002162640A (ja) | 2002-06-07 |
KR100414222B1 (ko) | 2004-01-07 |
US20020044227A1 (en) | 2002-04-18 |
KR20020029817A (ko) | 2002-04-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI287141B (en) | In-plane switching type liquid crystal display device and method of manufacturing the same | |
US9791749B2 (en) | Display device | |
JP4854827B2 (ja) | 薄膜トランジスタ液晶表示装置 | |
JP4050017B2 (ja) | 等抵抗配線液晶表示装置 | |
US7609351B2 (en) | Thin film transistor array panel for liquid crystal display | |
US7961263B2 (en) | Liquid crystal displays and manufacturing methods thereof | |
TW473624B (en) | Liquid crystal display | |
TW293173B (zh) | ||
KR101244897B1 (ko) | 박막 트랜지스터 기판 및 이를 구비하는 액정 표시 장치 | |
JP2007328346A (ja) | 薄膜トランジスタ基板及びこれを含む液晶表示板 | |
TW200807122A (en) | Liquid crystal display device | |
TW522461B (en) | Manufacturing method of liquid crystal display device, manufacturing method of display device and liquid crystal display device | |
JP2008009360A (ja) | 液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法 | |
US20020051114A1 (en) | Liquid crystal display | |
TW571170B (en) | Liquid crystal display device | |
TW200403859A (en) | Thin film transistor array panel | |
KR101061853B1 (ko) | 표시 장치 및 그 표시판 | |
US20100127263A1 (en) | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same | |
TW588211B (en) | Manufacturing method for liquid crystal display | |
TW536647B (en) | Liquid crystal display device and manufacturing method | |
JP2628928B2 (ja) | 薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法 | |
JP3555866B2 (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
JPH09101541A (ja) | 表示装置用アレイ基板及びその製造方法 | |
KR100646784B1 (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
TWI230819B (en) | Liquid crystal display device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |