TWI286997B - Silver powder coated with silver compound and manufacturing method thereof - Google Patents

Description

1286997 九、發明說明： ’ 【發明所屬之技術領域】 • 本發明係關於銀粒子表面被覆有氧化銀、碳酸銀或己 酸銀等銀化合物之銀粉（本案中亦稱之為「銀化合物被覆銀 • 粉」。）及其製造方法。更詳言之係有關於，適作為電子電 ，路基板配線用、多層電子基板之介層孔配線用之導電性糊 的材料之銀化合物被覆銀粉及其製造方法。 •【先前技術】 近年來，隨電子機器之小型化·積體化，例如作為電 子電路用基板之多層電子基板等已普及化，為於這些基板 形成電子電路之配線，一般係使用導電性糊。 並且，該導電性糊中，作為導電性金屬每每以合適之 電導高的銀粉混入使用。銀之熔點為961· gyC，因容易形 成電子電路用配線，尤以樹脂多層基板用配線，宜在相當 φ低於上述熔點之燒結溫度，使混入於導電性糊之銀粉粒子 互相燒結。 而，一般為降低使金屬粉粒子互相燒結之燒結溫度， 有將構成金屬粉之金屬粒子微細化之方法。但是，金屬粉 過度微細化則金屬粒子互相凝集，金屬粉之分散性變差， 結果，煅燒後於配線部產生空洞，易有導電性隨配線部位 而異之缺失。因此，為降低燒結溫度僅將金屬粉（本發明為 銀粉）微細化仍不夠。 另一方面，對於混入銀粉之導電性糊來說，銀粒子之 2213-7010-PF;Ahddub 5 1286997 - 於低温互相燒結，且銀粉具有優良之分散性，乃實現作為 電子電路之配線的優良導電性及於電子電路基板上之優良 印刷性的必須要件。因此，上述微粒化有關之問題即該導 電性糊製造上之課題。 因而’為解決上述課題，向來有利用微粒之具有低於 粗粒之燒結溫度，於粗粒銀粉混合一定比率之微粒銀粉製 作導電性銀糊，降低全體之燒結溫度的技術之揭示，此時， 所混合之微粒銀粉易有分散性之不夠，無法滿足上述對於 修印刷性之要求。 又’電子電路用樹脂多層基板之市場中，導電性糊於 樹脂多層基板之介層孔，有以銅箔及導電性銀糊得導電性 良好的介層連接之要求。 例如，第ίο圖示該介層孔導電連接部（部分）之習知每 術（參考專利文獻3)。以下簡單說明其内容。 第10圖係由絕緣基板3、介層孔5、金屬箔（銅箔、 金屬粒子(銀粉粒子)7、低熔點金屬(Sn、Inw8及以該低 溶點金屬8形成之低炫點金屬層9構成的，锻燒前之介層 孔導電連接部。第i。圖雖未示’介層孔5係形成於絕緣基 板^厚度方向，係深度相當於絕緣基板3之厚度的貫通 孔，弟10圖之介層孔導電連接部之下部（圖雖未示）亦與第 10圖示意圖大致對稱形成有與該圖同樣之構造。 ^ I头技術者’為提咼銅箔6之銅與混入銀之 糊中的銀㈣子7間之㈣連接可W在有sn、in 低紅點金屬8。如此Sn、in的添加量之設定繁雜，又， 22l3-7〇l〇.pF;Ahddub 6 1286997 為抑制绝些添加物Sn、In等之氧化更須添加劑等，導電性 銀f月的材料混合之際配方自由度狹窄，同時材料費架高成 本亦係要因。又再離子化傾向與銀7不同之諸金屬8因隨 銀含於配線部應亦會形成局部電池。

因而，本發明利用第1圖（a)及第1圖（b)作說明，係 構成為於銀粉粒子7以氧化銀等銀化合物10被覆，銀化合 物1 〇在低於銀之熔點的熱分解溫度熱分解。結果，如第1 圖（b) ’經熱分解產生之熔融銀使銀粉粒子7互相熔 著，結果熱分解產生之熔融銀1〇〇(以下簡稱為「熔融銀 1〇〇」。）發揮上述習知技術的Sn、In等低熔融金屬之作用 (本案中「熔著」係指藉由熔融銀100，使銀粒子互相接 著）此牯’經煅燒至完全由銀形成導電配線部以前銀粉

粒子7相互間受助於熔融銀1〇〇之架橋（參照第9圖之 相片）’即無須如習知技術之特意配方、混合以異種金屬。 又基本上王邛v電配線部為銀，無異種金屬間之局部電池 的形成。 / 該第1圖（b)之狀態後，更施以煅燒，銀粒子開始熔 化，空洞11埋入該熔融銀，銀之導電配線部即形成於介層 孔内。 而第1圖及第1 〇圖係用以說明本發明及習知技術之示 意圖，各構件、粒徑之大小不同於實際大小。 專利文獻1日本專利特開平2〇〇2 —324966號公報 專利文獻2特開平2〇〇2-3346丨8號公報 專利文獻3特開平1 1-214575號公報 2213-7010-PF;Ahddub 7 .1286997 糊時吸油量大難以糊化。 b: 未達〇」則製糊時吸油量大難以糊化，大 於W誠形成於基板上之電子電路西己線之微細化出現障 礙〇 、c: Dmaxura)未達〇·5則實質上難以製造，大於3〇則 有導電性糊塗膜不平滑之弊病。 本發明中，上述銀化合物係相對於銀化合物被覆銀粉 10〇wt%，以5wt%〜3〇wt%之比率被覆於銀粉。又，較佳者為 相對於被覆有銀化合物之銀粉1〇〇wt%，以 比率被覆於銀粉粒子。 上述銀化合物相對於銀化合物被覆銀粉丨〇〇wt%未達 5wt%’則無法&供架橋使銀粒子互相溶著之量，另一方面， 大於30wt%則銀化合物之熱分解不順暢因而銀粒子之相互 燒結不良難以形成導電性配線部。 依本發明可以提供上述銀化合物被覆銀粉，其特徵為 如藉第1圖之說明，因在低於銀化合物被覆銀粉的銀粒子 互相之燒結溫度的銀化合物分解溫度下分解自銀化合物之 銀，銀粒子互相熔著。 在此，銀之熔點為9 61 · 9 3 °C，而將銀微粉化可以大幅 降低銀粉粒子互相燒結之溫度。而如上述，微粒化過度則 有微粉易於凝集等之缺失。 因此本發明中係以例如分解溫度遠低於銀之熔點 ( 96 1.93°C)的銀化合物，例如氧化銀(分解溫度160°C)等 被覆於銀粒子表面。結果為形成電子電路用基板之配線而 2213-7010-PF；Ahddub 9 1286997 鍛燒時’被覆於銀粒子表面之氧化銀等經熱分解產生之銀 與相鄰之銀粒子溶著。 結果，習知技術（參考專利文獻2之第2圖）中起因於 混合微粒銀粉之分散性不足的上述問題，即由效用相當於 微粒銀粉之銀化合物的被覆而解決。 又再，上述結果係，習知技術（參考專利文獻3之第ι 圖）之以Sn、In等低熔點金屬混入導電性糊之上述問題得 以解決’可具有銀金屬單獨之優良導電性。 又再，上述結果係，於樹脂多層基板之介層孔採用本 發明之導電性糊，形成於上下重疊之基板上的銅配線部相 互間介以銀而得優良之導電性。 而，本發明中，為抑制銀粉之凝集，且在近於銀化合 物之刀解ι度的溫度銀微粒子起燒結，設定銀粒子之粒徑 即可於銀化合物之分解的幾乎同時開始銀粒子之燒結。 唯當然亦可設定銀粒子之粒徑使銀粒子在高於上述熱 分解溫度之溫度燒結。亦即銀粒子之粒徑大，而銀粒子之 燒結溫度遠高於銀化合物之分解溫度日夺，亦應係首先熱分 解自銀化合物之銀熔著於相鄰之銀粒子，然後，銀粒子相 互之燒結開始。 第9圖係本發明之氧化銀被覆銀粉在煅燒中銀粒子互 相燒結之過程的SEM相片。如此應係首先銀粒子間互相燒 、’、口形成、’’罔狀，最後相片之黑色部分亦由銀粒子所埋而由 銀形成導電性配線部。該銀粒子間之燒結的開始契機應係 熱分解自被覆於銀粒子之銀化合物（例如，氧化銀）的熔融 2213-7010-PF；Ahddub 10 1286997 銀。 又，本發明提供，其特徵為上述銀化合物被覆銀粉以 有機洛劑潤濕之上述銀化合物被覆銀粉。 又，本發明提供，其特徵為上述銀化合物被覆銀粉係 混入導電糊，成為導電性銀糊之材料的上述銀化合物被覆 銀粉。 〈銀化合物被覆銀粉之製造方法> 又，依本發明可提供，包含步驟8:於確酸銀水溶液 投入銀粉，攪拌而漿體化，使硝酸銀水溶液與銀粉優予互 混之漿體化步驟，以及步驟b:於上述漿體加當量分之氫 氧化鈉溶液、氫氧化銨溶液等鹼性溶液，進行中和反應， 而銀化合物被覆於銀粉粒子上之中和步驟的，含有上述銀 粉之粒子表面被覆有上述銀化合物之銀化合物被覆銀粒子 -的銀化合物被覆銀粉之製造方法。 並可提供更包含，以水洗淨經步驟b生成之銀化合物 被覆銀粉的洗淨步驟，及使洗淨步驟中洗淨之銀化合物被 覆銀粉乾燥的乾燥步驟的，含有上述銀粉之粒子表面被覆 有上述銀化合物之銀化合物被覆銀粒子的銀化合物被覆銀 粉的製造方法。此際，上述水係以純水為佳。 又，上述洗淨步驟中上述銀化合物被覆銀粉係以甲 醇、乙醇、丙酮、丁酮、甲基異丁基酮、異丁醇、異丙醇、 己烷、甲苯、萜品醇及丁卡必醇乙酸酯等揮發性有機溶劑 洗淨，去除所含之水，而可得乾燥的銀化合物被覆銀粉。 另一方面，被覆有銀化合物之銀粉以揮發性有機溶劑 2213-7010-PF；Ahddub 11 1286997 洗淨後或將銀化合物被覆銀粉乾燥後，以 a丨J Μ上列舉之 揮發性有機溶劑潤濕，可作為有機溶劑潤濕品提供 物被覆銀粉。 、、口 上述銀化合物被覆銀粉之製造方法，詳細說明於後欽 的發明之實施方式項下。 發明效果 以本發明之銀化合物被覆銀粉，因於銀粒子表面被覆 該銀化合物，銀粒子互相燒結之溫度可予降低，不需Sn、

In等低溶點金屬之介在’可達實現高導電性之銀的電連接 (配線）之燒結，並改善混入該銀粉之導電性糊與銅箔之接 著性。 【實施方式】 以下說明本發明之最佳實施形態。 第2圖係用以說明本發明之銀化合物被覆銀粉的製程 之：圖。而’以下說明中，有各試劑、各溶液等的數值 =提，係，實施本發明時不限於以下數值，例如依先導規 权或ΐ產規模，當然可由業界適#變更各試劑、各溶液等 的及其它條件。 如第2圖’用以製作本發明之銀化合物被覆銀粉之製 程包含浆體化步驟1〇及中和步驟2〇。 於水體化步驟10 ’將4g〜25 0g之靖酸銀溶解於約 1 00Occ之水（純水為較佳）製作硝酸銀水溶液，投入 2213-7010-pp;Ahddub 12 J286997 log〜3〇〇g之銀粉（平均粒# g.2r心㈣拌而浆體 化，使硝酸銀水溶液與銀粉優予互混。 中和步驟2 0巾，至少力口入裝體化步驟1 〇巾衆體内所 合之硝酸離子（N〇3 )的中和所需之當量分的氫氧化鈉溶 液、氫氧化銨溶液等鹼性溶液，進形中和反應，於芯材銀 粉粒子表面’以氧化銀（Ag2〇)為銀化合物之代表例時，氧 化銀即被覆於銀粉粒子表面（參照下式··上述驗性溶液係氯 氧化納者）。

2AgN〇3 + 2NaOH— Ag2〇+2NaN〇3 + H2〇 被覆形態可係銀化合物被覆銀粉粒子全體表面，亦可 係被覆一部分。以全體被覆為宜。 第8圖（a)不銀化合物被覆前之銀粉粒子，第8圖（幻 示銀化合物被覆後的銀粉粒子之SEM相片。如由第8圖 可知，不只被覆有銀化合物之銀粉粒子， 或島狀固著或附著者。因此，本案中「被覆」丄= 固著或附著。 本發明之銀化合物被覆銀粉的銀化合物之被覆量係用 熱重量•微差 INSTRUMENTS 公司 熱分析裝置（TG-DTA裝置）（SEIK〇 製 TG/DTA6300)，在空氣量 15〇ml/min’ 2 C /min升概之條件下，以銀化合物被覆銀粉樣本量1 5岐 測定。 θ在此呈示，使用TG-DTA裝置之銀化合物的代表例氧化 銀量之測定方法的_例。硝魏之饋人量.設定為氧化銀 f達1〇wt%。於該裝置使至200°C之減量為0.8wt%，則 22l3-7010~PF;Ahddub 13 1286997 〇(氧）/Ag2〇(氧化銀）= 6. 89%，氧化銀之被覆量 ^/6.89x 1 00 = 1 1.6wt%。如此求出氧化銀於銀粒子之被臂 量(wt%)。順便一提，在此為確認重現性，以㈣〇於同樣 條件下求出該被覆量（wt_落纟9δ[12η之範圍，氧 化銀被覆量如目標約為1 〇wt%。 又，為使本發明之氧化銀被覆銀粉，成為相對於氧化 銀被覆銀粉lOOwt%具有5wt%~3Qwt%的氧化銀之重量比，將 硝酸銀以7.25wt%〜43 8紂%之比率適量投入即可。 因製作銀化合物必須_酸銀，另外2種，亦即碳酸銀、 己酸銀等化合物在銀粒子上之被覆量，亦可如同氧化銀之 被覆量由製作條件求出。 再回到第2圖作說明。中和步驟2〇後，亦可更含洗淨 本發明之銀化合物被覆銀粉的洗淨步驟，及得藉揮發性溶 劑之揮發去除中和步驟2Q中含於銀化合物被覆銀粉之水 分的銀化合物被覆銀粉之脫水步驟。 、亦即，洗淨步驟中以100cc~1 0000cc之水（較佳者為純 JO、先淨得自第1圖之中和步驟2。的銀化合物被覆銀粉’ 然後，於乾燥步驟，以1〇cc〜1〇〇〇〇cc之甲醇、乙醇、丙酮、 丁酮甲基異丁基酮、異丁醇、異丙醇、己烧、甲苯、蔽 品醇及丁卡必醇乙酸酯等揮發性溶劑添加，將含於銀化合 物被覆銀粉之水分連同揮發性溶劑去除，使銀化合物被覆 銀粉乾燥。 以下基於實施例具體說明本發明·。 實施例1 2213-701〇-pF;Ahddub 14 1286997 ♦〈包έ利用氳氧化鈉NaOH之中和步驟的氧化銀被覆銀粉之 製程〉 第3圖係本發明之實施例1的氧化銀被覆銀粉之製程 的流程圖。特別是實施例1於中和步驟使用氫氧化鈉之製 程。 以下參照第3圖說明實施例1。 (1) 於將21. 6g之硝酸銀投入；[000^之純水得之硝酸 銀水溶液投入285g之銀粉，攪拌而漿體化。放置5分鐘， Φ 使梢酸銀水溶液與全體銀粉優予互混。 (2) 其次，於上述漿體添加溶解9. 6g之氫氧化鈉於 29cc純水之水溶液作中和反應處理。以此，可於銀粉粒子 表面被覆氧化銀。 (3) 然後，將上述氧化銀被覆銀粉乾燥之際係加i〇〇cc 純水及5Gcc甲醇，攪拌下進形洗淨及脫水，得乾燥之氧化 銀被覆銀粉。 I 實施例2 〈包含㈣氫氧化錄Ν_之中和步驟的氧化銀被覆銀粉之 製程〉 第4圖係本發明之實施例2的氧化銀被覆銀粉之製程 的流程圖。特別是實施例2於中和步驟使用氫氧化銨之製 程。 以下參照第4圖說明實施例2。 (1)於將21.6g之硝酸銀投入1〇〇〇cc之水（純水為佳） 得之硝酸銀水溶液投入285g之銀粉，攪拌而聚體化。放置 2213-7010-PF；Ahddub 15 J286997 5分鐘，使硝酸銀水溶液與全體銀粉優予互混。 (2) 其次，於上述漿體添加18lmi之25% 氫 氧化銨，作中和反應處理。以此，可於銀粉粒子表面被覆 氣化銀。 (3) 然後，將上述氧化銀被覆銀粉乾燥之際係加lOOcc 純水（純水為佳）及50cc甲醇，授拌下進形洗淨及脫水，得 乾燥之氧化銀被覆銀粉。 實施例3 <包含利用氫氧化鈉Na0H之中和步驟的氧化銀被覆銀粉之 製程（2)> 第5圖係本發明之實施例3的氧化銀被覆銀粉之製程 的流程圖。特別是實施例3為實施例1之變化例，於上述 漿體化步驟前將銀粉投入乙二醇(實施例i中係Μ，。之 純水）’製作銀粉之乙二醇溶液係與實施例^不同之點。以 此’較之水(純水）中乙二醇溶液中銀粉於液中之分散驅於 容易。 以下參照第5圖說明實施例3。 (1) 於將50g之硝酸銀投入15〇Gg之乙二醇液得之上述 銀粉的乙二醇液’連同之水（純水為佳）投入1 6 67g 之銀粉’擾拌而漿體化’使硝酸銀水溶液與全體銀粉優予 互混。 (2) 其次，於上述漿體添加溶解& 92g之氫氧化鈉於 5〇〇cc之水（純水為佳），作中和反應處理。以此，可於銀 粉粒子表面被覆氧化銀。 2213-7010-pp. ^21^^ 16 1286997 . (3)然後，將上述氧化銀被覆銀粉乾燥之際係加5 Ο 0 cc 純水及5Occ甲醇，攪拌下進形洗淨及脫水，得乾燥之氧化 銀被覆銀粉。 實施例4 〈包含利用碳酸氫鈉NaHC〇3之中和步驟的碳酸銀被覆銀粉 之製程〉 以下參照第6圖說明實施例4。 (1) 於將1 7g之硝酸銀投入1 〇 〇 〇cc之純水得之硝酸銀 • 水溶液投入1 〇〇g之銀粉，攪拌而漿體化。放置5分鐘，使 硝酸銀水溶液與全體銀粉優予互混。 (2) 其次，於上述漿體添加溶解12g之碳酸氫鈉於 1 0Occ純水之水溶液作中和反應處理。以此，可於銀粉粒 子表面被覆碳酸銀。 (3) 然後，將上述碳酸銀被覆銀粉乾燥之際係加1 〇 〇 c c 純水及50cc甲醇，攪拌下進形洗淨及脫水，得乾燥之碳酸 銀被覆銀粉。 •實施例5 〈包含利用己酸鈉CMCIhhCOONa之中和步驟的己酸銀被覆 銀粉之製程〉 以下參照第7圖說明實施例5。 (1) 於將6g之硝酸銀投入10()cc之純水得之硝酸銀水 溶液投入100g之銀粉，攪拌而漿體化。放置5分鐘，使硝 酸銀水溶液與全體銀粉優予互混。 (2) 其次，於上述漿體添加溶解6g之已酸鈉於i〇〇cc 2213-7010-PF；Ahddub 17 .1286997 ' 純水之水溶液作中和反應處理。以此，可於銀粉粒子表面 β 被覆己酸銀。 • (3)然後，將上述己酸銀被覆銀粉乾燥之際係加l〇〇cc 純水及5〇cc甲醇，攪拌下進形洗淨及脫水，得乾燥之己酸 銀被覆銀粉。 〈實施例1〜實施例5(銀化合物被覆銀粉）以及比較例丨、2 之評估〉 表1彙整實施例1〜實施例5以及比較例i、2之評估 _結果。 貝貝。平估項目係與混入各銀化合物被覆銀粉之導電性 糊有關之，電阻率（# Ω · m)及對應於處理溫度X處理時間 之與銅4的接著性。為各實施例及比較例之精確且公平之 評估，於各實施例及比較例使SSA、D5〇、Dmax及結晶子徑 為一定進行各測定·評估。而「結晶子徑」之評估係用理 干電械（瓜）製RINT2000 X線繞射裝置，依法（利用 _ X線繞射之結晶子徑測定法）測定。 〈導電性糊之製造〉 本發明之導電性糊係以銀化合物被覆銀粉85wt%、乙 基纖維素0.75wt%、萜品醇14.25wt%之組成比率混練各物 質而製作。 〈電阻率之測定> 以本發明之銀化合物被覆銀粉用於導電性糊之際的電 阻率，係用依上述組成製作之導電，性糊於陶兗基板上到處 拉出1_寬之電路，於15(rc〜18(rc之溫度燒結加工得電 22l3~70l〇-PF；Ahddub 18 1286997 路，以之用於測定。 〈與鋼箔之密著性之測定〉 製作同上之導電性糊，於5cmx 2cm大之約30/zm厚的 銅vg (在此銅箔係用相同於採用本發明之導電性糊者。）用 塗敷機（KOSIMITSU精機Model YOA)於銅箔之大致全部表面 塗敷上述導電性糊至塗膜厚度可達5〇〇 # m。然後，於該塗 膜上貼合另一張大小同上之銅箔。更將夾有該導電性糊之 一張銅箔夾於二片l〇cmx 3cm大，約5〇〇 β m厚之陶瓷基 板。然後用如事務用雙重夾之簡易壓合·夾緊裝置（在此^ 用伊藤忠商事（股）製雙重夾形式BCS —3〇(SILVER))從陶瓷 基板上夾住，在壓合·夾緊而固定之狀態下於恆溫槽中以 1 50 c X 1小時之條件將全體加熱。加熱結束後自然冷卻， 取下雙重夾，將夾在二片陶瓷基板疊合之二張銅箱端，每 張各以左右手之食指與拇指捏住，作二張銅箱是否密合之 定性評估。銅箱互相密合者為「良好」，全然不密合=為 「密合不良」其評估列於表1特定攔。 而，密合性係宜採用JIS規袼等之定量試驗方法，定 量測定實施例1〜實施例5的銅箔密合性與比較例丨、比較 例2的銅箱密合性之差，但因比較例丨、比較例2之銅箱 完全不互相密合，且實施例丨〜實施例5經上述手動試驗作 定性密合性試驗，勉強剝離時任一實施例皆具有銅箔本身 破裂之程度的密合性。因而，有意義之定量測定難以施行 故本案之密合性試驗僅止於如上之定性測定（參照表1)。 〈關於實施例1〜實施例5以及比較例1、比較例2之評估結 2213-7010-PF;Ahddub 19 1286997 果〉 (1)電阻率之評估： 由表1知，使 製作之配線部的電 2可得實用上沒有 阻率。 用本發明之銀化合物被覆銀粉導電性糊 阻率，於實施例；1〜實施例5以及比較例 問題的值。而於比較例1則無法測定電 (2)銅箔與銀的接著性之評估： 由表1知，銀化合物被覆銀粉導電性蝴以15 〇。〇 X 1 ^ %侍與銅箔銀的良好接著性（實施例丨〜實施例5)。而非銀 化合物被覆銀粉以15(TCX 1小時之條件或溫度更高的18〇 °Cx 1小時之條件（比較例i及比較例2)仍不得與銅箔銀的 良好接著性。基於以上，可見本發明之被覆於銀粉粒子表 面之銀化合物，具有降低銀粉粒子間之燒結溫度，使與鋼 箔之接著性亦良好的效果。 表1 中和劑 SSA (m2/g) D50 (罪) D max (#m) 結晶 子徑 (nm) 電阻率 (μΩ · m) 與銅箔之55^| 處理溫度 X時間 判定 實施例1 NaOH 3. 73 0.31 0.98 7 4.1 150°C X lhr 良好 實施例2 NH4〇H 3.65 0.29 0. 97 7 3.7 150。。 x lhr 良好 實施例3 NaOH* 3.59 0.31 0.89 7 3.4 150°C x lhr 良好 實施例4 NaHCOs 3.52 0.31 0.96 7 2· 5 150°C x lhr 良好 實施例5 己酸納 3. 65 0.32 0. 95 7 3.1 150°C x lhr 良好 比較例1 只有銀 不中和（無銀 化合物被覆） 2. 54 0.31 0.97 7 無法測定 150°C x lhr 接著 不良 2213-7010-PF；Ahddub 20 J286997

產業上可利性 本發明之銀化合物被覆銀粉及其製造方法，適用作多 層樹脂基板用之介層孔的結線部等之電子電路配線部之導 電性糊用之導電性材料。 φ 【圖式簡單說明】 第1圖係含本發明之銀化合物被覆銀粉粒子的導電性 糊（銀粉）構成之介層孔部的導電部之示意圖（第1圖（&): 煅燒前介層孔内之示意圖，第！圖㈦：煅燒過程當中煅燒 溫度達銀化合物之熱分解溫度以上之溫度，銀被分解後介 層孔内之示意圖）。 f 2圖係用以說明本發明之最佳實施形態的流程圖。 • 第3圖係用以說明本發明之實施例丨的流程圖。 第4圖係用以說明本發明之實施例2的流程圖。 第5圖係用以說明本發明之實施例3的流程圖。 第6圖係用以說明本發明之實施例4的流程圖。 第7圖係用以說明本發明之實施例5的流程圖。 第8圖（a)不無銀化合物被覆之銀粉粒子的SEM相片。 第8圖（b)示被覆有銀化合物之銀粉粒子的相片。 第9圖不銀化合物被覆銀粉在燒結過程中該銀粉粒子 互相者之狀悲的SEM相片。 2213-7010-PF;Ahddub 21 .1286997 第1 〇圖係習知技術中以銀粉粒子與低熔點金屬混合 粉形成之介層孔部的導電部之示意圖。 【主要元件符號說明】 3〜絕緣基板； 5〜介層孔； 6〜金屬猪（銅、fl ); 7〜金屬粒子（銀粉粒子）； 8〜低熔點金屬； 9〜低熔點金屬層； 1 0〜銀化合物； 1 0 0〜溶融銀。 11〜空洞； 2213 -7 010-PF;Ahddub 22

Claims (1)

12¾雜741邙9隹 Γ \ 申請專利範圍修正本 修正日期· 9 6 · 3.14 十、申請專利範圍：

月ff R修 1 · 一種被覆有銀化合物之銀粉，包含被覆有銀化合物 之粒子，且該被覆有銀化合物之粒子具有作為芯材之銀粒 子、以及銀化合物的被覆部，其中該銀化合物的被覆部乃 是在該銀粒子表面之使用氧化銀、碳酸銀及己酸銀中任一 種。 2 ·如申請專利範圍第1項所述的被覆有銀化合物之銀 粉，其中具有以下粉體特性： a. SSA(mVg) ·· 〇· 1 〜5 b. Ds〇( // m) ： 0.1-10 c. Dmax(/zin) : 〇·5〜30 其中’ SSA係得自BET法之比表面積，D5G、Dmax各指得 自雷射繞射散射式粒度分布測定方法之5〇%體積累積粒 徑、最大粒徑，以下同樣表記。 3 ·如申明專利範圍第1項所述的被覆有銀化合物之銀 粉，其中上述銀化合物之被覆部係相對於被覆有銀化合物 之銀粉100wt%以5wt%〜30wt%之比率被覆於銀粉之粒子表 面。 4·如申請專利範圍第丨項所述的被覆有銀化合物之銀 粉，其中該被覆有銀化合物之銀粉係由有機溶劑潤濕。 、,5·如申明專利範圍第1項所述的被覆有銀化合物之銀 •刀，、中該被復有銀化合物之銀粉被混入導電糊成為導電 性銀糊之材料。 6· 一種被覆有銀化合物之銀粉之製造方法，該被覆有 2213-7010-PFi;Ahddub/f〇rever769 23 1286997 艮化σ物之銀粉包含銀粉粒子表面被覆有銀化合物的銀化 σ物被覆銀粒子，該方法包括： 步驟a :將銀粉投入硝酸銀水溶液，攪拌並漿體化， 而使硝酸銀水溶液與該銀粉調和之漿體化步驟；以及 步驟b :藉由在上述漿體中至少加入達到該反應系統 之石肖酸離子之當量點的中和劑而進行中和反應，使得銀化 合物被覆於上述銀粉之粒子表面的中和步驟。 7·如申請專利範圍第6項所述的被覆有銀化合物之銀 粉之製造方法，其中上述中和劑係鹼性溶液。 8·如申請專利範圍第7項所述的被覆有銀化合物之銀 粉之製造方法，其中上述鹼性溶液係氳氧化鈉溶液、碳酸 氫鈉》谷液、己酸納溶液之任一。

2213—7010 —PF1，· Ahddub/f orever7 69 24