JP2002334614A - 導電性粒子 - Google Patents
導電性粒子Info
- Publication number
- JP2002334614A JP2002334614A JP2001136235A JP2001136235A JP2002334614A JP 2002334614 A JP2002334614 A JP 2002334614A JP 2001136235 A JP2001136235 A JP 2001136235A JP 2001136235 A JP2001136235 A JP 2001136235A JP 2002334614 A JP2002334614 A JP 2002334614A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- particles
- metal
- conductive
- solution
- palladium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 優れた導電特性と焼結特性を示し、比較的低
温の焼成でも優れた電極を形成する導電性粒子を提供す
る。 【解決手段】 相対的に融点が高い金属からなる核粒子
と、その周囲に形成された相対的に融点が低い金属から
なる被覆層とからなる導電性粒子、そして該導電性粒子
を製造するために好ましい、還元剤溶液に核粒子が分散
してなり、攪拌下にある分散液に金属塩溶液を添加して
金属被覆粒子を製造する方法、及び攪拌下にある核粒子
の分散液に、金属塩溶液と還元剤とを同時に添加して貴
金属被覆粒子を製造する方法。
温の焼成でも優れた電極を形成する導電性粒子を提供す
る。 【解決手段】 相対的に融点が高い金属からなる核粒子
と、その周囲に形成された相対的に融点が低い金属から
なる被覆層とからなる導電性粒子、そして該導電性粒子
を製造するために好ましい、還元剤溶液に核粒子が分散
してなり、攪拌下にある分散液に金属塩溶液を添加して
金属被覆粒子を製造する方法、及び攪拌下にある核粒子
の分散液に、金属塩溶液と還元剤とを同時に添加して貴
金属被覆粒子を製造する方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、導電性粒子とその
組成物に関し、特に、導電性粒子、導電性ペースト、電
子部品、積層セラミックコンデンサ、そして導電性金属
被覆粒子の製造方法に関する。
組成物に関し、特に、導電性粒子、導電性ペースト、電
子部品、積層セラミックコンデンサ、そして導電性金属
被覆粒子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】パラジウム、白金、銀などの貴金属は導
電性に優れているところから、電極形成材料として多用
されている。電極の形成に際しては通常、貴金属粉末
（貴金属粒子）と可燃性結合剤そして溶剤を混合して導
電性ペーストとした後、この導電性ペーストをセラミッ
ク基板などの基板に塗布し、次いでこの導電性ペースト
塗布基板を所定温度で焼成することにより、可燃性結合
剤を燃焼除去と、貴金属粉末の焼結を行ない、実質的に
貴金属成分のみからなる電極層とする方法が採用され
る。
電性に優れているところから、電極形成材料として多用
されている。電極の形成に際しては通常、貴金属粉末
（貴金属粒子）と可燃性結合剤そして溶剤を混合して導
電性ペーストとした後、この導電性ペーストをセラミッ
ク基板などの基板に塗布し、次いでこの導電性ペースト
塗布基板を所定温度で焼成することにより、可燃性結合
剤を燃焼除去と、貴金属粉末の焼結を行ない、実質的に
貴金属成分のみからなる電極層とする方法が採用され
る。
【０００３】貴金属材料の電極を形成する際には通常、
貴金属粉末の適切な焼結を実現させるために、基板の焼
成温度と近接した融点を持つ貴金属材料などの高導電性
材料が用いられる。すなわち、上記の導電性ペーストを
塗布する基板としては通常、未焼成の基板前駆体（グリ
ーンシートと呼ばれる）が用いられ、この基板前駆体
は、電極の焼成形成と同時に焼成され、電極付き基板と
される。従って、電極材料となる貴金属材料は、グリー
ンシートの焼成温度に合わせて、その融点を考慮して選
ばれる。従来は、グリーンシートの焼成温度は、およそ
１２００〜１４００℃の範囲で選択されてきたため、そ
の範囲の焼成温度よりも若干融点が高く、貴金属粉末の
適切な焼結が起こりやすいパラジウムが電極形成用貴金
属材料として一般的に用いられきた。ただし、近年で
は、グリーンシートの焼結温度を下げて、比較的低融点
で安価な導電性貴金属を用いて電極付き基板を製造する
技術の開発を目指した研究も行なわれている。
貴金属粉末の適切な焼結を実現させるために、基板の焼
成温度と近接した融点を持つ貴金属材料などの高導電性
材料が用いられる。すなわち、上記の導電性ペーストを
塗布する基板としては通常、未焼成の基板前駆体（グリ
ーンシートと呼ばれる）が用いられ、この基板前駆体
は、電極の焼成形成と同時に焼成され、電極付き基板と
される。従って、電極材料となる貴金属材料は、グリー
ンシートの焼成温度に合わせて、その融点を考慮して選
ばれる。従来は、グリーンシートの焼成温度は、およそ
１２００〜１４００℃の範囲で選択されてきたため、そ
の範囲の焼成温度よりも若干融点が高く、貴金属粉末の
適切な焼結が起こりやすいパラジウムが電極形成用貴金
属材料として一般的に用いられきた。ただし、近年で
は、グリーンシートの焼結温度を下げて、比較的低融点
で安価な導電性貴金属を用いて電極付き基板を製造する
技術の開発を目指した研究も行なわれている。
【０００４】パラジウムあるいは白金は、代表的な電極
形成用の高融点の貴金属（パラジウム：１５５２℃、白
金：１７６９℃）であり、高価ではあるが、セラミック
基板などの通常の焼成温度よりも適度に高い融点を持
ち、グリーンシートの焼成によるセラミック基板の形成
工程に於ける電極層の形成を適度な焼結特性により高精
度に実現するという利点がある。
形成用の高融点の貴金属（パラジウム：１５５２℃、白
金：１７６９℃）であり、高価ではあるが、セラミック
基板などの通常の焼成温度よりも適度に高い融点を持
ち、グリーンシートの焼成によるセラミック基板の形成
工程に於ける電極層の形成を適度な焼結特性により高精
度に実現するという利点がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】電極付き基板の製造時
における、グリーンシートの焼成と電極の形成に際して
は、従来、グリーンシートの焼成特性を考慮して、１３
５０℃程度の高い焼成温度が利用されてきたが、高温焼
成に必要な大量のエネルギーを低減するため、そして高
温焼成により発生しやすい、電極や基板材料の酸化劣化
などを考慮して、近年、焼成温度を下げようとする技術
的方向が示されている。
における、グリーンシートの焼成と電極の形成に際して
は、従来、グリーンシートの焼成特性を考慮して、１３
５０℃程度の高い焼成温度が利用されてきたが、高温焼
成に必要な大量のエネルギーを低減するため、そして高
温焼成により発生しやすい、電極や基板材料の酸化劣化
などを考慮して、近年、焼成温度を下げようとする技術
的方向が示されている。
【０００６】焼成温度が下げられると、従来用いられて
きたパラジウムや白金などの高融点金属では、焼成温度
で充分な焼結が実現しにくくなり、従って形成される電
極の電気的特性、機械的特性の低下が問題となる。一
方、融点が低い高導電性金属材料としては銀（融点：９
６０．８℃）が知られているが、現段階で推測予定され
ている焼成温度は、銀の融点程度までには下げることが
できない。
きたパラジウムや白金などの高融点金属では、焼成温度
で充分な焼結が実現しにくくなり、従って形成される電
極の電気的特性、機械的特性の低下が問題となる。一
方、融点が低い高導電性金属材料としては銀（融点：９
６０．８℃）が知られているが、現段階で推測予定され
ている焼成温度は、銀の融点程度までには下げることが
できない。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、相対的に融点
が高い金属からなる核粒子と、その周囲に形成された相
対的に融点が低い金属からなる被覆層とからなる導電性
粒子にある。
が高い金属からなる核粒子と、その周囲に形成された相
対的に融点が低い金属からなる被覆層とからなる導電性
粒子にある。
【０００８】本発明はまた、上記の本発明の導電性粒子
を含む導電性ペースト、そして該導電性ペーストから形
成された電極層を含む電子部品にもある。
を含む導電性ペースト、そして該導電性ペーストから形
成された電極層を含む電子部品にもある。
【０００９】本発明はまた、上記の導電性ペーストから
形成された電極層を備えたセラミックシートとから形成
された積層セラミックコンデンサにもある。この積層セ
ラミックコンデンサは、該導電性ペーストを塗布した未
焼成セラミックシートを９００〜１３００℃の範囲の温
度で焼成することによって有利に製造される。
形成された電極層を備えたセラミックシートとから形成
された積層セラミックコンデンサにもある。この積層セ
ラミックコンデンサは、該導電性ペーストを塗布した未
焼成セラミックシートを９００〜１３００℃の範囲の温
度で焼成することによって有利に製造される。
【００１０】本発明者は、本発明の導電性粒子の製造に
際して、核粒子を還元剤溶液に分散させた分散液を予め
調製し、これを攪拌しながら被覆層形成用金属錯体溶液
を添加させる方法、あるいは、攪拌下にある核粒子の分
散液に対して、還元剤溶液と金属錯体溶液とを同時に添
加する方法を利用することによって、核粒子の体積量に
対する被覆金属層の体積の割合が１もしくはそれ以上で
あっても、核粒子の周囲に均質な金属被覆層を形成させ
ることができることを見出した。
際して、核粒子を還元剤溶液に分散させた分散液を予め
調製し、これを攪拌しながら被覆層形成用金属錯体溶液
を添加させる方法、あるいは、攪拌下にある核粒子の分
散液に対して、還元剤溶液と金属錯体溶液とを同時に添
加する方法を利用することによって、核粒子の体積量に
対する被覆金属層の体積の割合が１もしくはそれ以上で
あっても、核粒子の周囲に均質な金属被覆層を形成させ
ることができることを見出した。
【００１１】従って、本発明は、還元剤溶液に核粒子が
分散してなり、攪拌下にある分散液に金属塩溶液を添加
することを特徴とする導電性粒子の製造方法にもある。
また、本発明は、攪拌下にある核粒子分散液に金属塩溶
液と還元剤とを同時に添加することを特徴とする導電性
粒子の製造方法にもある。
分散してなり、攪拌下にある分散液に金属塩溶液を添加
することを特徴とする導電性粒子の製造方法にもある。
また、本発明は、攪拌下にある核粒子分散液に金属塩溶
液と還元剤とを同時に添加することを特徴とする導電性
粒子の製造方法にもある。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の好ましい態様を次に挙げ
る。 （１）導電性粒子の核粒子が貴金属からなる。 （２）核粒子と被覆層との重量比率が９：１乃至１：９
の範囲にある。 （３）核粒子と被覆層との重量比率が９：１乃至４：６
の範囲にある。 （４）核粒子の融点と被覆層の融点との差が、５０℃以
上（好ましくは１００℃以上、９００℃以下）である。 （５）導電性粒子の平均粒径が０．０１〜０．８μｍの
範囲に有る。
る。 （１）導電性粒子の核粒子が貴金属からなる。 （２）核粒子と被覆層との重量比率が９：１乃至１：９
の範囲にある。 （３）核粒子と被覆層との重量比率が９：１乃至４：６
の範囲にある。 （４）核粒子の融点と被覆層の融点との差が、５０℃以
上（好ましくは１００℃以上、９００℃以下）である。 （５）導電性粒子の平均粒径が０．０１〜０．８μｍの
範囲に有る。
【００１３】（６）核粒子が、パラジウム、白金、金、
ニッケルからなる群より選ばれる一以上の金属から形成
されている。 （７）金属被覆層が、パラジウム、金、銀、銅およびニ
ッケルからなる群より選ばれる一以上の金属から形成さ
れている。 （８）金属被覆層が、パラジウム、金、銀、銅およびニ
ッケルからなる群より選ばれる二以上の合金からなる。
ニッケルからなる群より選ばれる一以上の金属から形成
されている。 （７）金属被覆層が、パラジウム、金、銀、銅およびニ
ッケルからなる群より選ばれる一以上の金属から形成さ
れている。 （８）金属被覆層が、パラジウム、金、銀、銅およびニ
ッケルからなる群より選ばれる二以上の合金からなる。
【００１４】（９）金属被覆層が、パラジウム、金、
銀、銅およびニッケルからなる群より選ばれる二種の金
属の合金からなり、該合金が相対的に高い融点を持つ金
属と相対的に低い融点を持つ金属とを１：９乃至９：１
の範囲内の重量比にて含む。 （１０）被覆層の金属の元素組成と貴金属粒子の元素組
成とが共通成分を含む。 （１１）導電性ペーストを塗布した未焼成セラミックシ
ートを金属被覆層の融点の±１００℃の範囲の温度で焼
成して得られた電極層と焼成セラミックシートとからな
る積層セラミックコンデンサ。
銀、銅およびニッケルからなる群より選ばれる二種の金
属の合金からなり、該合金が相対的に高い融点を持つ金
属と相対的に低い融点を持つ金属とを１：９乃至９：１
の範囲内の重量比にて含む。 （１０）被覆層の金属の元素組成と貴金属粒子の元素組
成とが共通成分を含む。 （１１）導電性ペーストを塗布した未焼成セラミックシ
ートを金属被覆層の融点の±１００℃の範囲の温度で焼
成して得られた電極層と焼成セラミックシートとからな
る積層セラミックコンデンサ。
【００１５】本発明の導電性粒子の核粒子の材料の例と
しては、パラジウム（融点：１５５２℃）、白金（融
点：１７６９℃）、金（融点：１０６３℃）、ニッケル
（融点：１４５３℃）などを挙げることができる。これ
らは合金であってもよい。核粒子の平均粒径は０．０１
〜０．７μｍの範囲にあることが好ましく、特に０．０
５〜０．５μｍの範囲にあることが好ましい。最も好ま
しい範囲は０．１〜０．４μｍの範囲である。
しては、パラジウム（融点：１５５２℃）、白金（融
点：１７６９℃）、金（融点：１０６３℃）、ニッケル
（融点：１４５３℃）などを挙げることができる。これ
らは合金であってもよい。核粒子の平均粒径は０．０１
〜０．７μｍの範囲にあることが好ましく、特に０．０
５〜０．５μｍの範囲にあることが好ましい。最も好ま
しい範囲は０．１〜０．４μｍの範囲である。
【００１６】無機物粒子の周囲に相対的に低融点の金属
被覆層を形成する方法には特に限定はなく、これまでに
知られている各種の被覆方法を利用することができる。
しかしながら、核粒子に比較的薄膜な金属被覆層を均一
性高く、かつ高純度にて形成させるためには、本明細書
で初めて開示する下記の方法のうちのいずれかの方法を
利用することが望ましい。
被覆層を形成する方法には特に限定はなく、これまでに
知られている各種の被覆方法を利用することができる。
しかしながら、核粒子に比較的薄膜な金属被覆層を均一
性高く、かつ高純度にて形成させるためには、本明細書
で初めて開示する下記の方法のうちのいずれかの方法を
利用することが望ましい。
【００１７】（１）還元剤溶液に核粒子が分散してな
り、攪拌下にある分散液に金属塩溶液を添加して金属被
覆粒子を製造する方法。
り、攪拌下にある分散液に金属塩溶液を添加して金属被
覆粒子を製造する方法。
【００１８】（２）攪拌下にある核粒子の分散液に、金
属塩溶液と還元剤とを同時に添加して金属被覆粒子を製
造する方法（同時添加被覆法）。
属塩溶液と還元剤とを同時に添加して金属被覆粒子を製
造する方法（同時添加被覆法）。
【００１９】核粒子の分散液（水系媒体分散液）または
核粒子を分散状態で含有する還元剤溶液（還元剤水溶
液）には、増粘剤として機能する水溶性ポリマーを溶解
させておくことが望ましい。水溶性ポリマーとしては、
ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセル
ロース、メチルセルロース、ヒドロキシエチルメチルセ
ルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、カル
ボキシメチルセルロースなどの水溶性セルロース誘導
体、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドンなど
の水溶性合成ポリマー、あるいはゼラチン、カゼインな
どの水溶性天然物ポリマーなどの各種のポリマーを用い
ることができる。
核粒子を分散状態で含有する還元剤溶液（還元剤水溶
液）には、増粘剤として機能する水溶性ポリマーを溶解
させておくことが望ましい。水溶性ポリマーとしては、
ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセル
ロース、メチルセルロース、ヒドロキシエチルメチルセ
ルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、カル
ボキシメチルセルロースなどの水溶性セルロース誘導
体、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドンなど
の水溶性合成ポリマー、あるいはゼラチン、カゼインな
どの水溶性天然物ポリマーなどの各種のポリマーを用い
ることができる。
【００２０】還元剤としては、ヒドラジン、塩酸ヒドラ
ジン、ギ酸、ホルマリン、次亜リン酸などの還元剤が利
用され、通常は、水溶液として用いる。
ジン、ギ酸、ホルマリン、次亜リン酸などの還元剤が利
用され、通常は、水溶液として用いる。
【００２１】核粒子の周囲に形成される金属被覆層は、
核粒子に比較して低い融点（好ましくは５０℃以上低
く、さらに好ましくは１００℃以上低い）を示す金属材
料の被覆層である。そのような金属材料としては、パラ
ジウム（融点：１５５２℃）、金（融点：１０６３
℃）、銀（融点：９６０．８℃）、ニッケル（融点：１
４５３℃）、亜鉛（融点：４１９℃）、錫（融点：２３
２℃）などを挙げることができる。これらの金属は合金
として利用してもよい。
核粒子に比較して低い融点（好ましくは５０℃以上低
く、さらに好ましくは１００℃以上低い）を示す金属材
料の被覆層である。そのような金属材料としては、パラ
ジウム（融点：１５５２℃）、金（融点：１０６３
℃）、銀（融点：９６０．８℃）、ニッケル（融点：１
４５３℃）、亜鉛（融点：４１９℃）、錫（融点：２３
２℃）などを挙げることができる。これらの金属は合金
として利用してもよい。
【００２２】金属被覆層形成の原料となる金属錯体の例
としては、テトラクロロパラジウム酸アンモニウム塩、
テトラアンミンパラジウム酸クロライド、ジアンミン金
酸クロライド、テトラアンミン金酸トリニトレート、ジ
アンミン硝酸銀、ジクロロジアンミン銀、そして硝酸
銅、塩化銅、硝酸ニッケル、塩化ニッケルなどの水溶性
錯体をあげることができる。
としては、テトラクロロパラジウム酸アンモニウム塩、
テトラアンミンパラジウム酸クロライド、ジアンミン金
酸クロライド、テトラアンミン金酸トリニトレート、ジ
アンミン硝酸銀、ジクロロジアンミン銀、そして硝酸
銅、塩化銅、硝酸ニッケル、塩化ニッケルなどの水溶性
錯体をあげることができる。
【００２３】なお、上記のいずれの金属被覆層の形成方
法においても、核粒子を含む水系媒体に還元剤を加える
際には、核粒子の分散状態を高めるために、攪拌のみで
はなく、超音波処理を行なうことが望ましい。
法においても、核粒子を含む水系媒体に還元剤を加える
際には、核粒子の分散状態を高めるために、攪拌のみで
はなく、超音波処理を行なうことが望ましい。
【００２４】本発明の導電性粒子（金属被覆粒子）は、
公知の方法に従い、導電性ペーストの導電性成分として
有利に利用することができる。そして、導電性ペースト
は、前述のように、焼成済み基板あるいは未焼成基板
（グリーンシート）にスクリーン印刷法などを利用して
印刷塗布し、この導電性ペースト塗布基板を所定の温度
で焼成することによって、電極付き基板を得ることがで
きる。
公知の方法に従い、導電性ペーストの導電性成分として
有利に利用することができる。そして、導電性ペースト
は、前述のように、焼成済み基板あるいは未焼成基板
（グリーンシート）にスクリーン印刷法などを利用して
印刷塗布し、この導電性ペースト塗布基板を所定の温度
で焼成することによって、電極付き基板を得ることがで
きる。
【００２５】本発明の導電性粒子を用いて製造される電
極付き基板は、各種の電気製品、電子部品、電気器具な
どに組込んで利用される。電極付き基板が組込まれる具
体的な製品の例としては、セラミックコンデンサ、サー
ミスタ、バリスタ、各種の抵抗器、ＣＲ複合部品、ＩＣ
基板、プリント配線用導電パターンなどの電子部品と積
層コンデンサ、積層バリスタ、積層コイル、多層ＩＣパ
ッケージ、ＢＬセラミックコンデンサなどを挙げること
ができる。
極付き基板は、各種の電気製品、電子部品、電気器具な
どに組込んで利用される。電極付き基板が組込まれる具
体的な製品の例としては、セラミックコンデンサ、サー
ミスタ、バリスタ、各種の抵抗器、ＣＲ複合部品、ＩＣ
基板、プリント配線用導電パターンなどの電子部品と積
層コンデンサ、積層バリスタ、積層コイル、多層ＩＣパ
ッケージ、ＢＬセラミックコンデンサなどを挙げること
ができる。
【００２６】
【実施例】［実施例１］Ａｇ／Ｐｄ被覆パラジウム粒子
の製造−１ （１）パラジウムコロイド液の調製 硝酸パラジウム溶液０．５６ｇ（Ｐｄとして０．１ｇを
含む）を純水３００ｍＬで希釈し、これに硝酸アンモニ
ウム０．１４ｇトヒドロキシエチルセルロース２．０ｇ
を純水で希釈した水溶液を加えた。この混合液を、純水
でさらに希釈して、液量を６８０ｍＬとし、攪拌を行な
った。これに、ヒドラジン一水和物０．３ｍＬを３００
ｍＬに希釈した水溶液を加え、１時間、室温で攪拌し、
次いで全体の液量を１０００ｍＬに調整して、パラジウ
ムコロイド液（Ｐｄとして１０００ｍＬ中に０．１ｇを
含む）を得た。
の製造−１ （１）パラジウムコロイド液の調製 硝酸パラジウム溶液０．５６ｇ（Ｐｄとして０．１ｇを
含む）を純水３００ｍＬで希釈し、これに硝酸アンモニ
ウム０．１４ｇトヒドロキシエチルセルロース２．０ｇ
を純水で希釈した水溶液を加えた。この混合液を、純水
でさらに希釈して、液量を６８０ｍＬとし、攪拌を行な
った。これに、ヒドラジン一水和物０．３ｍＬを３００
ｍＬに希釈した水溶液を加え、１時間、室温で攪拌し、
次いで全体の液量を１０００ｍＬに調整して、パラジウ
ムコロイド液（Ｐｄとして１０００ｍＬ中に０．１ｇを
含む）を得た。
【００２７】（２）硝酸ジアンミン銀溶液の調製 硝酸銀９．５ｇ（Ａｇとして６．０ｇを含む）を、１
０．０ｍＬの純水に溶解し、これにアンモニア水２８．
０ｍＬを加えて、硝酸銀のアンミン錯体（硝酸ジアンミ
ン銀）溶液を得た。
０．０ｍＬの純水に溶解し、これにアンモニア水２８．
０ｍＬを加えて、硝酸銀のアンミン錯体（硝酸ジアンミ
ン銀）溶液を得た。
【００２８】（３）硝酸テトラアンミンパラジウム溶液
の調製 硝酸パラジウム２２．２ｇ（Ｐｄとして４．０ｇを含
む）を純水で４０．０ｍＬに希釈し、これにアンモニア
水２８．０ｍＬを加えて、硝酸パラジウムのアンミン錯
体（硝酸テトラアンミンパラジウム）溶液を得た。
の調製 硝酸パラジウム２２．２ｇ（Ｐｄとして４．０ｇを含
む）を純水で４０．０ｍＬに希釈し、これにアンモニア
水２８．０ｍＬを加えて、硝酸パラジウムのアンミン錯
体（硝酸テトラアンミンパラジウム）溶液を得た。
【００２９】（４）硝酸ジアンミン銀と硝酸テトラアン
ミンパラジウムの混合溶液の調製 上記（３）で得た硝酸テトラアンミンパラジウム溶液
に、上記（２）で得た硝酸ジアンミン銀溶液を加え、攪
拌し、次いで溶液量を１１２．５ｍＬとなるように純水
で希釈して、硝酸ジアンミン銀と硝酸テトラアンミンパ
ラジウムの混合溶液を得た。
ミンパラジウムの混合溶液の調製 上記（３）で得た硝酸テトラアンミンパラジウム溶液
に、上記（２）で得た硝酸ジアンミン銀溶液を加え、攪
拌し、次いで溶液量を１１２．５ｍＬとなるように純水
で希釈して、硝酸ジアンミン銀と硝酸テトラアンミンパ
ラジウムの混合溶液を得た。
【００３０】（５）Ａｇ／Ｐｄ被覆パラジウム粒子の製
造 ヒドロキシエチルセルロース０．８ｇを純水４０．０ｍ
Ｌに溶解し、これにアンモニア水２０．０ｍＬ、酒石酸
２．０ｇ、そしてヒドラジン一水和物６．０ｍＬを加え
て、酒石酸が溶解するまで攪拌した。これに、上記
（１）で得たパラジウムコロイド液６．０ｍＬを加え、
液温を３０℃に調整し、上記（４）で得た硝酸ジアンミ
ン銀と硝酸テトラアンミンパラジウムの混合溶液を８０
分間かけて滴下し、その後６０分間攪拌したところ、Ａ
ｇ／Ｐｄ被覆パラジウム粒子が沈殿した。この沈殿粒子
（１０．０ｇ）を分離乾燥して、成分と平均粒径と表面
積を測定したところ、銀６０重量％とパラジウム４０重
量％とからなる粒子であって、平均粒径が０．５μｍ、
比表面積が１．３ｍ2／ｇであった。
造 ヒドロキシエチルセルロース０．８ｇを純水４０．０ｍ
Ｌに溶解し、これにアンモニア水２０．０ｍＬ、酒石酸
２．０ｇ、そしてヒドラジン一水和物６．０ｍＬを加え
て、酒石酸が溶解するまで攪拌した。これに、上記
（１）で得たパラジウムコロイド液６．０ｍＬを加え、
液温を３０℃に調整し、上記（４）で得た硝酸ジアンミ
ン銀と硝酸テトラアンミンパラジウムの混合溶液を８０
分間かけて滴下し、その後６０分間攪拌したところ、Ａ
ｇ／Ｐｄ被覆パラジウム粒子が沈殿した。この沈殿粒子
（１０．０ｇ）を分離乾燥して、成分と平均粒径と表面
積を測定したところ、銀６０重量％とパラジウム４０重
量％とからなる粒子であって、平均粒径が０．５μｍ、
比表面積が１．３ｍ2／ｇであった。
【００３１】［実施例２］Ａｇ／Ｐｄ被覆パラジウム粒
子の製造−２ （１）パラジウムコロイド液の調製 実施例１の（１）の操作によってパラジウムコロイド液
を調製した。
子の製造−２ （１）パラジウムコロイド液の調製 実施例１の（１）の操作によってパラジウムコロイド液
を調製した。
【００３２】（２）硝酸ジアンミン銀溶液の調製 硝酸銀１１．０ｇ（Ａｇとして７．０ｇを含む）を、１
０．０ｍＬの純水に溶解し、これにアンモニア水２８．
０ｍＬを加えて、硝酸銀のアンミン錯体（硝酸ジアンミ
ン銀）溶液を得た。
０．０ｍＬの純水に溶解し、これにアンモニア水２８．
０ｍＬを加えて、硝酸銀のアンミン錯体（硝酸ジアンミ
ン銀）溶液を得た。
【００３３】（３）硝酸テトラアンミンパラジウム溶液
の調製 硝酸パラジウム１６．６ｇ（Ｐｄとして２．０ｇを含
む）を純水で３５．０ｍＬに希釈し、これにアンモニア
水２４．０ｍＬを加えて、硝酸パラジウムのアンミン錯
体（硝酸テトラアンミンパラジウム）溶液を得た。
の調製 硝酸パラジウム１６．６ｇ（Ｐｄとして２．０ｇを含
む）を純水で３５．０ｍＬに希釈し、これにアンモニア
水２４．０ｍＬを加えて、硝酸パラジウムのアンミン錯
体（硝酸テトラアンミンパラジウム）溶液を得た。
【００３４】（４）硝酸ジアンミン銀と硝酸テトラアン
ミンパラジウムの混合溶液の調製 上記（３）で得た硝酸テトラアンミンパラジウム溶液
に、上記（２）で得た硝酸ジアンミン銀溶液を加え、攪
拌し、次いで溶液量を１００ｍＬとなるように純水で希
釈して、硝酸ジアンミン銀と硝酸テトラアンミンパラジ
ウムの混合溶液を得た。
ミンパラジウムの混合溶液の調製 上記（３）で得た硝酸テトラアンミンパラジウム溶液
に、上記（２）で得た硝酸ジアンミン銀溶液を加え、攪
拌し、次いで溶液量を１００ｍＬとなるように純水で希
釈して、硝酸ジアンミン銀と硝酸テトラアンミンパラジ
ウムの混合溶液を得た。
【００３５】（５）Ａｇ／Ｐｄ被覆パラジウム粒子の製
造 上記（１）のパラジウムコロイド液と（４）の硝酸ジア
ンミン銀と硝酸テトラアンミンパラジウムの混合溶液を
用いて、実施例１の（５）の操作を行なったところ、銀
７０重量％とパラジウム３０重量％とからなる粒子であ
って、平均粒径が０．５μｍ、比表面積が１．４ｍ2／
ｇのＡｇ／Ｐｄ被覆パラジウム粒子が得られた。
造 上記（１）のパラジウムコロイド液と（４）の硝酸ジア
ンミン銀と硝酸テトラアンミンパラジウムの混合溶液を
用いて、実施例１の（５）の操作を行なったところ、銀
７０重量％とパラジウム３０重量％とからなる粒子であ
って、平均粒径が０．５μｍ、比表面積が１．４ｍ2／
ｇのＡｇ／Ｐｄ被覆パラジウム粒子が得られた。
【００３６】［実施例３］Ａｇ／Ｐｄ被覆パラジウム粒
子の製造−３ （１）パラジウムコロイド液の調製 実施例１の（１）の操作によってパラジウムコロイド液
を調製した。
子の製造−３ （１）パラジウムコロイド液の調製 実施例１の（１）の操作によってパラジウムコロイド液
を調製した。
【００３７】（２）硝酸ジアンミン銀溶液の調製 硝酸銀１２．６ｇ（Ａｇとして８．０ｇを含む）を、１
０．０ｍＬの純水に溶解し、これにアンモニア水２８．
０ｍＬを加えて、硝酸銀のアンミン錯体（硝酸ジアンミ
ン銀）溶液を得た。
０．０ｍＬの純水に溶解し、これにアンモニア水２８．
０ｍＬを加えて、硝酸銀のアンミン錯体（硝酸ジアンミ
ン銀）溶液を得た。
【００３８】（３）硝酸テトラアンミンパラジウム溶液
の調製 硝酸パラジウム１１．１ｇ（Ｐｄとして２．０ｇを含
む）を純水で２０．０ｍＬに希釈し、これにアンモニア
水２０．０ｍＬを加えて、硝酸パラジウムのアンミン錯
体（硝酸テトラアンミンパラジウム）溶液を得た。
の調製 硝酸パラジウム１１．１ｇ（Ｐｄとして２．０ｇを含
む）を純水で２０．０ｍＬに希釈し、これにアンモニア
水２０．０ｍＬを加えて、硝酸パラジウムのアンミン錯
体（硝酸テトラアンミンパラジウム）溶液を得た。
【００３９】（４）硝酸ジアンミン銀と硝酸テトラアン
ミンパラジウムの混合溶液の調製 上記（３）で得た硝酸テトラアンミンパラジウム溶液
に、上記（２）で得た硝酸ジアンミン銀溶液を加え、攪
拌し、次いで溶液量を９０ｍＬとなるように純水で希釈
して、硝酸ジアンミン銀と硝酸テトラアンミンパラジウ
ムの混合溶液を得た。
ミンパラジウムの混合溶液の調製 上記（３）で得た硝酸テトラアンミンパラジウム溶液
に、上記（２）で得た硝酸ジアンミン銀溶液を加え、攪
拌し、次いで溶液量を９０ｍＬとなるように純水で希釈
して、硝酸ジアンミン銀と硝酸テトラアンミンパラジウ
ムの混合溶液を得た。
【００４０】（５）Ａｇ／Ｐｄ被覆パラジウム粒子の製
造 上記（１）のパラジウムコロイド液と（４）の硝酸ジア
ンミン銀と硝酸テトラアンミンパラジウムの混合溶液を
用いて、実施例１の（５）の操作を行なったところ、銀
８０重量％とパラジウム２０重量％とからなる粒子であ
って、平均粒径が０．５μｍ、比表面積が１．３ｍ2／
ｇのＡｇ／Ｐｄ被覆パラジウム粒子が得られた。
造 上記（１）のパラジウムコロイド液と（４）の硝酸ジア
ンミン銀と硝酸テトラアンミンパラジウムの混合溶液を
用いて、実施例１の（５）の操作を行なったところ、銀
８０重量％とパラジウム２０重量％とからなる粒子であ
って、平均粒径が０．５μｍ、比表面積が１．３ｍ2／
ｇのＡｇ／Ｐｄ被覆パラジウム粒子が得られた。
【００４１】［実施例４］Ａｇ／Ｐｄ被覆パラジウム粒
子の製造−４（同時添加） （１）パラジウムコロイド液の調製 実施例１の（１）の操作を実施して、パラジウムコロイ
ド液を得た。
子の製造−４（同時添加） （１）パラジウムコロイド液の調製 実施例１の（１）の操作を実施して、パラジウムコロイ
ド液を得た。
【００４２】（２）硝酸ジアンミン銀溶液の調製 実施例１の（２）の操作を実施して、硝酸銀のアンミン
錯体（硝酸ジアンミン銀）溶液を得た。
錯体（硝酸ジアンミン銀）溶液を得た。
【００４３】（３）硝酸テトラアンミンパラジウム溶液
の調製 実施例１の（３）の操作を実施して、硝酸パラジウムの
アンミン錯体（硝酸テトラアンミンパラジウム）溶液を
得た。
の調製 実施例１の（３）の操作を実施して、硝酸パラジウムの
アンミン錯体（硝酸テトラアンミンパラジウム）溶液を
得た。
【００４４】（４）硝酸ジアンミン銀と硝酸テトラアン
ミンパラジウムの混合溶液の調製 実施例１の（４）の操作を実施して、硝酸ジアンミン銀
と硝酸テトラアンミンパラジウムの混合溶液を得た。
ミンパラジウムの混合溶液の調製 実施例１の（４）の操作を実施して、硝酸ジアンミン銀
と硝酸テトラアンミンパラジウムの混合溶液を得た。
【００４５】（５）Ａｇ／Ｐｄ被覆パラジウム粒子の製
造 ヒドロキシエチルセルロース０．８ｇを純水４０．０ｍ
Ｌに溶解し、これにアンモニア水２０．０ｍＬと酒石酸
２．０ｇを加えて、酒石酸が溶解するまで攪拌した。こ
れに、上記（１）で得たパラジウムコロイド液６．０ｍ
Ｌを加え、液温を３０℃に調整した。次いで、上記
（４）で得た硝酸ジアンミン銀と硝酸テトラアンミンパ
ラジウムの混合溶液とヒドラジン一水和物６．０ｍＬを
純水で５０．０ｍＬに希釈したヒドラジン水溶液をそれ
ぞれ同時にを８０分間かけて滴下し、その後６０分間攪
拌したところ、Ａｇ／Ｐｄ被覆パラジウム粒子が沈殿し
た。この沈殿粒子（１０．０ｇ）を分離乾燥して、成分
と平均粒径と表面積を測定したところ、銀６０重量％と
パラジウム４０重量％とからなる粒子であって、平均粒
径が０．５μｍ、比表面積が１．３ｍ2／ｇであった。
造 ヒドロキシエチルセルロース０．８ｇを純水４０．０ｍ
Ｌに溶解し、これにアンモニア水２０．０ｍＬと酒石酸
２．０ｇを加えて、酒石酸が溶解するまで攪拌した。こ
れに、上記（１）で得たパラジウムコロイド液６．０ｍ
Ｌを加え、液温を３０℃に調整した。次いで、上記
（４）で得た硝酸ジアンミン銀と硝酸テトラアンミンパ
ラジウムの混合溶液とヒドラジン一水和物６．０ｍＬを
純水で５０．０ｍＬに希釈したヒドラジン水溶液をそれ
ぞれ同時にを８０分間かけて滴下し、その後６０分間攪
拌したところ、Ａｇ／Ｐｄ被覆パラジウム粒子が沈殿し
た。この沈殿粒子（１０．０ｇ）を分離乾燥して、成分
と平均粒径と表面積を測定したところ、銀６０重量％と
パラジウム４０重量％とからなる粒子であって、平均粒
径が０．５μｍ、比表面積が１．３ｍ2／ｇであった。
【００４６】［実施例５］Ａｇ／Ｐｄ被覆パラジウム粒
子の製造−５（同時添加） （１）パラジウムコロイド液の調製 実施例１の（１）の操作によってパラジウムコロイド液
を調製した。
子の製造−５（同時添加） （１）パラジウムコロイド液の調製 実施例１の（１）の操作によってパラジウムコロイド液
を調製した。
【００４７】（２）硝酸ジアンミン銀溶液の調製 硝酸銀１１．０ｇ（Ａｇとして７．０ｇを含む）を、１
０．０ｍＬの純水に溶解し、これにアンモニア水２８．
０ｍＬを加えて、硝酸銀のアンミン錯体（硝酸ジアンミ
ン銀）溶液を得た。
０．０ｍＬの純水に溶解し、これにアンモニア水２８．
０ｍＬを加えて、硝酸銀のアンミン錯体（硝酸ジアンミ
ン銀）溶液を得た。
【００４８】（３）硝酸テトラアンミンパラジウム溶液
の調製 硝酸パラジウム１６．６ｇ（Ｐｄとして２．０ｇを含
む）を純水で３５．０ｍＬに希釈し、これにアンモニア
水２４．０ｍＬを加えて、硝酸パラジウムのアンミン錯
体（硝酸テトラアンミンパラジウム）溶液を得た。
の調製 硝酸パラジウム１６．６ｇ（Ｐｄとして２．０ｇを含
む）を純水で３５．０ｍＬに希釈し、これにアンモニア
水２４．０ｍＬを加えて、硝酸パラジウムのアンミン錯
体（硝酸テトラアンミンパラジウム）溶液を得た。
【００４９】（４）硝酸ジアンミン銀と硝酸テトラアン
ミンパラジウムの混合溶液の調製 上記（３）で得た硝酸テトラアンミンパラジウム溶液
に、上記（２）で得た硝酸ジアンミン銀溶液を加え、攪
拌し、次いで溶液量を１００ｍＬとなるように純水で希
釈して、硝酸ジアンミン銀と硝酸テトラアンミンパラジ
ウムの混合溶液を得た。
ミンパラジウムの混合溶液の調製 上記（３）で得た硝酸テトラアンミンパラジウム溶液
に、上記（２）で得た硝酸ジアンミン銀溶液を加え、攪
拌し、次いで溶液量を１００ｍＬとなるように純水で希
釈して、硝酸ジアンミン銀と硝酸テトラアンミンパラジ
ウムの混合溶液を得た。
【００５０】（５）Ａｇ／Ｐｄ被覆パラジウム粒子の製
造 上記（１）のパラジウムコロイド液と（４）の硝酸ジア
ンミン銀と硝酸テトラアンミンパラジウムの混合溶液を
用いて、実施例４の（５）の操作を行なったところ、銀
７０重量％とパラジウム３０重量％とからなる粒子であ
って、平均粒径が０．５μｍ、比表面積が１．４ｍ2／
ｇのＡｇ／Ｐｄ被覆パラジウム粒子が得られた。
造 上記（１）のパラジウムコロイド液と（４）の硝酸ジア
ンミン銀と硝酸テトラアンミンパラジウムの混合溶液を
用いて、実施例４の（５）の操作を行なったところ、銀
７０重量％とパラジウム３０重量％とからなる粒子であ
って、平均粒径が０．５μｍ、比表面積が１．４ｍ2／
ｇのＡｇ／Ｐｄ被覆パラジウム粒子が得られた。
【００５１】［実施例３］Ａｇ／Ｐｄ被覆パラジウム粒
子の製造−３ （１）パラジウムコロイド液の調製 実施例１の（１）の操作によってパラジウムコロイド液
を調製した。
子の製造−３ （１）パラジウムコロイド液の調製 実施例１の（１）の操作によってパラジウムコロイド液
を調製した。
【００５２】（２）硝酸ジアンミン銀溶液の調製 硝酸銀１２．６ｇ（Ａｇとして８．０ｇを含む）を、１
０．０ｍＬの純水に溶解し、これにアンモニア水２８．
０ｍＬを加えて、硝酸銀のアンミン錯体（硝酸ジアンミ
ン銀）溶液を得た。
０．０ｍＬの純水に溶解し、これにアンモニア水２８．
０ｍＬを加えて、硝酸銀のアンミン錯体（硝酸ジアンミ
ン銀）溶液を得た。
【００５３】（３）硝酸テトラアンミンパラジウム溶液
の調製 硝酸パラジウム１１．１ｇ（Ｐｄとして２．０ｇを含
む）を純水で２０．０ｍＬに希釈し、これにアンモニア
水２０．０ｍＬを加えて、硝酸パラジウムのアンミン錯
体（硝酸テトラアンミンパラジウム）溶液を得た。
の調製 硝酸パラジウム１１．１ｇ（Ｐｄとして２．０ｇを含
む）を純水で２０．０ｍＬに希釈し、これにアンモニア
水２０．０ｍＬを加えて、硝酸パラジウムのアンミン錯
体（硝酸テトラアンミンパラジウム）溶液を得た。
【００５４】（４）硝酸ジアンミン銀と硝酸テトラアン
ミンパラジウムの混合溶液の調製 上記（３）で得た硝酸テトラアンミンパラジウム溶液
に、上記（２）で得た硝酸ジアンミン銀溶液を加え、攪
拌し、次いで溶液量を９０ｍＬとなるように純水で希釈
して、硝酸ジアンミン銀と硝酸テトラアンミンパラジウ
ムの混合溶液を得た。
ミンパラジウムの混合溶液の調製 上記（３）で得た硝酸テトラアンミンパラジウム溶液
に、上記（２）で得た硝酸ジアンミン銀溶液を加え、攪
拌し、次いで溶液量を９０ｍＬとなるように純水で希釈
して、硝酸ジアンミン銀と硝酸テトラアンミンパラジウ
ムの混合溶液を得た。
【００５５】（５）Ａｇ／Ｐｄ被覆パラジウム粒子の製
造 上記（１）のパラジウムコロイド液と（４）の硝酸ジア
ンミン銀と硝酸テトラアンミンパラジウムの混合溶液を
用いて、実施例１の（５）の操作を行なったところ、銀
８０重量％とパラジウム２０重量％とからなる粒子であ
って、平均粒径が０．５μｍ、比表面積が１．３ｍ2／
ｇのＡｇ／Ｐｄ被覆パラジウム粒子が得られた。
造 上記（１）のパラジウムコロイド液と（４）の硝酸ジア
ンミン銀と硝酸テトラアンミンパラジウムの混合溶液を
用いて、実施例１の（５）の操作を行なったところ、銀
８０重量％とパラジウム２０重量％とからなる粒子であ
って、平均粒径が０．５μｍ、比表面積が１．３ｍ2／
ｇのＡｇ／Ｐｄ被覆パラジウム粒子が得られた。
【００５６】［実施例７］導電性ペーストの製造 実施例１で得たＡｇ／Ｐｄ被覆パラジウム粒子４５ｇ、
エチルセルロース０．８ｇ、ジブチルフタレート３．８
ｇ、そしてブチルカルビトール４２．５ｇを混合したの
ち、三本ロール型混練装置を用いて充分に混練して、電
極製造用の導電性ペーストを得た。
エチルセルロース０．８ｇ、ジブチルフタレート３．８
ｇ、そしてブチルカルビトール４２．５ｇを混合したの
ち、三本ロール型混練装置を用いて充分に混練して、電
極製造用の導電性ペーストを得た。
【００５７】［実施例８］積層コンデンサの製造 実施例７で得た導電性ペーストとチタン酸バリウム基板
（グリーンシート）とを用いて１１８０℃で焼成して、
３５層（焼成後の電極間隔：１６μｍ）の積層コンデン
サを製造した。得られた積層コンデンサの電気特性を測
定したところ、実施例７の導電性ペーストを用いて製造
した積層コンデンサは、電気的特性と機械的特性のいず
れにおいも満足できる特性を示した。
（グリーンシート）とを用いて１１８０℃で焼成して、
３５層（焼成後の電極間隔：１６μｍ）の積層コンデン
サを製造した。得られた積層コンデンサの電気特性を測
定したところ、実施例７の導電性ペーストを用いて製造
した積層コンデンサは、電気的特性と機械的特性のいず
れにおいも満足できる特性を示した。
【００５８】
【発明の効果】本発明が提供する導電性粒子（低融点金
属被覆粒子）は、比較的低温の焼成によっても充分な焼
結を示し、優れた電極を形成する。本発明が提供する金
属被覆粒子の製造法は、金属被覆層が薄膜となっても、
金属被覆層の均一性が高い被覆金属粒子を製造すること
を可能にする。
属被覆粒子）は、比較的低温の焼成によっても充分な焼
結を示し、優れた電極を形成する。本発明が提供する金
属被覆粒子の製造法は、金属被覆層が薄膜となっても、
金属被覆層の均一性が高い被覆金属粒子を製造すること
を可能にする。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｇ 4/12 ３６１ Ｈ０１Ｇ 4/12 ３６１ ５Ｇ３０７ // Ｃ０４Ｂ 35/46 Ｃ０４Ｂ 35/46 Ｄ Ｆターム(参考） 4G031 AA06 AA11 AA39 BA09 CA03 CA08 GA11 4K017 AA04 BA02 BA03 BA06 BB02 BB05 BB06 EJ01 FB07 4K018 BA01 BA02 BA04 BB04 BC23 BD04 5E001 AB03 AC09 AC10 AH09 AJ01 AJ02 5G301 DA05 DA06 DA10 DA11 DA12 DD01 DE03 5G307 AA08
Claims (16)
- 【請求項１】 相対的に融点が高い金属からなる核粒子
と、その周囲に形成された相対的に融点が低い金属から
なる被覆層とからなる導電性粒子。 - 【請求項２】 核粒子が貴金属からなる請求項１に記載
の導電性粒子。 - 【請求項３】 核粒子と被覆層との重量比率が９：１乃
至１：９の範囲にある請求項１に記載の導電性粒子。 - 【請求項４】 核粒子と被覆層との重量比率が９：１乃
至４：６の範囲にある請求項２に記載の導電性粒子。 - 【請求項５】 核粒子の融点と被覆層の融点との差が、
５０℃以上である請求項１乃至４のうちのいずれかの項
に記載の導電性粒子。 - 【請求項６】 平均粒径が０．０１〜０．８μｍの範囲
に有る請求項１乃至５のうちのいずれかの項に記載の導
電性粒子。 - 【請求項７】 核粒子が、パラジウム、白金、金、ニッ
ケル、及び銅からなる群より選ばれる一以上の金属から
形成されている請求項１および請求項３乃至６のうちの
いずれかの項に記載の導電性粒子。 - 【請求項８】 金属被覆層が、パラジウム、金、銀、銅
およびニッケルからなる群より選ばれる一以上の金属か
ら形成されている請求項１乃至７のうちのいずれかの項
に記載の導電性粒子。 - 【請求項９】 被覆層の金属の元素組成と貴金属粒子の
元素組成とが共通成分を含む請求項１乃至８のうちのい
ずれかの項に記載の導電性粒子。 - 【請求項１０】 請求項１乃至９のうちのいずれかの項
に記載の記載の導電性粒子を含む導電性ペースト。 - 【請求項１１】 請求項１０に記載の導電性ペーストか
ら形成された電極層を含む電子部品。 - 【請求項１２】 請求項１０に記載の導電性ペーストを
塗布した未焼成セラミックシートを金属被覆層の融点の
±１００℃の範囲の温度で焼成して得られた電極層と焼
成セラミックシートとからなる積層セラミックコンデン
サ。 - 【請求項１３】 還元剤溶液に核粒子が分散してなり、
攪拌下にある分散液に金属塩溶液を添加することによっ
て得られた金属被覆粒子である請求項１乃至９のうちの
いずれかの項に記載の導電性粒子。 - 【請求項１４】 攪拌下にある核粒子分散液に金属塩溶
液と還元剤とを同時に添加することによって得られた金
属被覆粒子である請求項１乃至９のうちのいずれかの項
に記載の導電性粒子。 - 【請求項１５】 還元剤溶液に核粒子が分散してなり、
攪拌下にある分散液に金属塩溶液を添加することを特徴
とする導電性粒子の製造方法。 - 【請求項１６】 攪拌下にある核粒子分散液に金属塩溶
液と還元剤とを同時に添加することを特徴とする導電性
粒子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001136235A JP2002334614A (ja) | 2001-05-07 | 2001-05-07 | 導電性粒子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001136235A JP2002334614A (ja) | 2001-05-07 | 2001-05-07 | 導電性粒子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002334614A true JP2002334614A (ja) | 2002-11-22 |
Family
ID=18983555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001136235A Pending JP2002334614A (ja) | 2001-05-07 | 2001-05-07 | 導電性粒子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002334614A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002334611A (ja) * | 2001-05-07 | 2002-11-22 | Kawakado Kimiko | 導電性粒子組成物 |
| JP2004217991A (ja) * | 2003-01-14 | 2004-08-05 | Dowa Mining Co Ltd | ニッケル被覆微粒子銅粉およびその製法 |
| JP2005008981A (ja) * | 2003-06-16 | 2005-01-13 | Jfe Mineral Co Ltd | ニッケル合金粉末及びその製造方法 |
| WO2005099939A1 (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | 銀化合物が被覆された銀粉及び当該製造方法 |
| JP2006210214A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Dowa Mining Co Ltd | 導電ペースト用金属粉および導電ペースト |
| JP2007026911A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Dowa Holdings Co Ltd | 複合金属粉体、その分散液またはペースト並びにそれらの製造法 |
| JP2007138291A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-06-07 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ニッケル粉末およびその製造方法 |
| JP2008208465A (ja) * | 2008-04-28 | 2008-09-11 | Jfe Mineral Co Ltd | ニッケル合金粉末 |
| JP2010077495A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 銀被覆銅微粒子とその分散液及びその製造方法 |
| KR100988880B1 (ko) | 2007-07-26 | 2010-10-20 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조 방법 |
| JP2013079448A (ja) * | 2012-11-08 | 2013-05-02 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 銀被覆銅微粒子とその分散液及びその製造方法 |
| JP2013094836A (ja) * | 2011-11-02 | 2013-05-20 | Mitsubishi Materials Corp | プリコート用ハンダペースト及びその製造方法 |
| KR101403370B1 (ko) | 2013-12-31 | 2014-06-03 | 충남대학교산학협력단 | 금속입자의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 금속입자, 및 이를 함유하는 전도성 페이스트 및 전자파 차폐용 재료 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07207185A (ja) * | 1994-01-21 | 1995-08-08 | Kawazumi Gijutsu Kenkyusho:Kk | 被覆パラジウム微粉末および導電性ペースト |
| JPH08212827A (ja) * | 1993-04-22 | 1996-08-20 | Ajinomoto Co Inc | 導電性粉末、その製造方法、及びそれを含有してなる導電性ペースト |
-
2001
- 2001-05-07 JP JP2001136235A patent/JP2002334614A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08212827A (ja) * | 1993-04-22 | 1996-08-20 | Ajinomoto Co Inc | 導電性粉末、その製造方法、及びそれを含有してなる導電性ペースト |
| JPH07207185A (ja) * | 1994-01-21 | 1995-08-08 | Kawazumi Gijutsu Kenkyusho:Kk | 被覆パラジウム微粉末および導電性ペースト |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002334611A (ja) * | 2001-05-07 | 2002-11-22 | Kawakado Kimiko | 導電性粒子組成物 |
| JP2004217991A (ja) * | 2003-01-14 | 2004-08-05 | Dowa Mining Co Ltd | ニッケル被覆微粒子銅粉およびその製法 |
| JP2005008981A (ja) * | 2003-06-16 | 2005-01-13 | Jfe Mineral Co Ltd | ニッケル合金粉末及びその製造方法 |
| WO2005099939A1 (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | 銀化合物が被覆された銀粉及び当該製造方法 |
| JP4613362B2 (ja) * | 2005-01-31 | 2011-01-19 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 導電ペースト用金属粉および導電ペースト |
| JP2006210214A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Dowa Mining Co Ltd | 導電ペースト用金属粉および導電ペースト |
| JP2007026911A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Dowa Holdings Co Ltd | 複合金属粉体、その分散液またはペースト並びにそれらの製造法 |
| JP2007138291A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-06-07 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ニッケル粉末およびその製造方法 |
| KR100988880B1 (ko) | 2007-07-26 | 2010-10-20 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조 방법 |
| JP2008208465A (ja) * | 2008-04-28 | 2008-09-11 | Jfe Mineral Co Ltd | ニッケル合金粉末 |
| JP2010077495A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 銀被覆銅微粒子とその分散液及びその製造方法 |
| JP2013094836A (ja) * | 2011-11-02 | 2013-05-20 | Mitsubishi Materials Corp | プリコート用ハンダペースト及びその製造方法 |
| JP2013079448A (ja) * | 2012-11-08 | 2013-05-02 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 銀被覆銅微粒子とその分散液及びその製造方法 |
| KR101403370B1 (ko) | 2013-12-31 | 2014-06-03 | 충남대학교산학협력단 | 금속입자의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 금속입자, 및 이를 함유하는 전도성 페이스트 및 전자파 차폐용 재료 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3734731B2 (ja) | セラミック電子部品及びその製造方法 | |
| US6632524B1 (en) | Nickel powder, method for preparing the same and paste for use in making electrodes for electronic parts | |
| JP2002334614A (ja) | 導電性粒子 | |
| JPH07207185A (ja) | 被覆パラジウム微粉末および導電性ペースト | |
| JP2002298651A (ja) | 導体ペースト及びその製造方法 | |
| JP2002334611A (ja) | 導電性粒子組成物 | |
| JPH06168620A (ja) | 導電性ペースト組成物 | |
| JPH026206B2 (ja) | ||
| JP2003013103A (ja) | 導電粉末の製造方法、導電粉末、導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品 | |
| JP3414502B2 (ja) | 高温焼成対応貴金属粉末および導体ペースト | |
| JP2002080902A (ja) | 導電粉末の製造方法、導電粉末、導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品 | |
| JPH0266101A (ja) | 導電性粒子およびその製造方法 | |
| JP2799916B2 (ja) | 導電性金属被覆セラミックス粉末 | |
| JP5942791B2 (ja) | ニッケル粉末の製造方法 | |
| JP2002275509A (ja) | 金属粉末の製造方法，金属粉末，これを用いた導電性ペーストならびにこれを用いた積層セラミック電子部品 | |
| JPH08212827A (ja) | 導電性粉末、その製造方法、及びそれを含有してなる導電性ペースト | |
| JP2808639B2 (ja) | セラミック電子部品の電極用導電性粒子 | |
| JP2014093142A (ja) | 導電性ペースト、導電性ペーストの製造方法およびセラミック積層電子部品 | |
| JP3316235B2 (ja) | 貴金属被覆セラミック粉末の製造法 | |
| JPH01313803A (ja) | 導電性ペースト | |
| JPH03215916A (ja) | 電極の形成方法およびそれを用いた電子部品 | |
| JP3698098B2 (ja) | 導電粉末の製造方法、導電粉末、導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品 | |
| JPS634332B2 (ja) | ||
| JPH03214716A (ja) | 電極の形成方法およびそれを用いた電子部品 | |
| JPWO2004066319A1 (ja) | 白金被覆粉末およびその製造方法、ならびに導電性ペースト |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080422 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100805 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100928 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110208 |