JP2003257243A - 導電性ペースト - Google Patents
導電性ペーストInfo
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- JP2003257243A JP2003257243A JP2002051498A JP2002051498A JP2003257243A JP 2003257243 A JP2003257243 A JP 2003257243A JP 2002051498 A JP2002051498 A JP 2002051498A JP 2002051498 A JP2002051498 A JP 2002051498A JP 2003257243 A JP2003257243 A JP 2003257243A
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- JP
- Japan
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- substrate
- electrode
- conductive paste
- silver powder
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電極／基板間の電気的接合と接合強度とを確
保することができる導電性ペーストを提供する。 【解決手段】 銀粉と、ガラスフリットと、有機ビヒク
ルとを含み、凹凸を有する基板に電極を形成するための
導電性ペーストであって、上記銀粉は、ＢＥＴ径が０．
１０μｍより大きく、０．５０μｍ以下であり、平均粒
子径（Ｄ50）が０．２μｍより大きく、２．０μｍ未満
であり、平均粒子径（Ｄ50）／ＢＥＴ径が１０以下であ
る。
保することができる導電性ペーストを提供する。 【解決手段】 銀粉と、ガラスフリットと、有機ビヒク
ルとを含み、凹凸を有する基板に電極を形成するための
導電性ペーストであって、上記銀粉は、ＢＥＴ径が０．
１０μｍより大きく、０．５０μｍ以下であり、平均粒
子径（Ｄ50）が０．２μｍより大きく、２．０μｍ未満
であり、平均粒子径（Ｄ50）／ＢＥＴ径が１０以下であ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板上、特
に表面に凹凸が設けられた基板上に、スクリーン印刷に
て電極を形成するのに好適な導電性ペーストに関するも
のである。
に表面に凹凸が設けられた基板上に、スクリーン印刷に
て電極を形成するのに好適な導電性ペーストに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、太陽電池、電子部品等に用い
られる基板には、導電性ペーストを用いて電極が形成さ
れている。この導電性ペーストは、スクリーン印刷等に
より基板に塗布され、焼成されることにより電極とな
る。このように形成された電極は、基板との電気的接合
および接合強度が重要となっている。
られる基板には、導電性ペーストを用いて電極が形成さ
れている。この導電性ペーストは、スクリーン印刷等に
より基板に塗布され、焼成されることにより電極とな
る。このように形成された電極は、基板との電気的接合
および接合強度が重要となっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】表面に幅数１０〜数１
００μｍ、深さ数μｍ〜数μｍ程度の凹凸がある基板、
例えば太陽電池用Ｓｉ基板のような基板においては、導
電性ペーストをスクリーン印刷で印刷したときに導電性
ペースト中の金属粒子（例えば銀粒子）が上記凹凸の角
の部分に入り込むことができない場合がある。そのた
め、基板と銀粉との間に隙間を生じることがしばしば見
られる。このような導電性ペーストの塗膜を焼成した場
合、その隙間はそのまま残ることが多く、形成された電
極と基板との接触面積が低下し、電気的接合が低下する
問題があった。
００μｍ、深さ数μｍ〜数μｍ程度の凹凸がある基板、
例えば太陽電池用Ｓｉ基板のような基板においては、導
電性ペーストをスクリーン印刷で印刷したときに導電性
ペースト中の金属粒子（例えば銀粒子）が上記凹凸の角
の部分に入り込むことができない場合がある。そのた
め、基板と銀粉との間に隙間を生じることがしばしば見
られる。このような導電性ペーストの塗膜を焼成した場
合、その隙間はそのまま残ることが多く、形成された電
極と基板との接触面積が低下し、電気的接合が低下する
問題があった。
【０００４】また、基板とリード端子とを半田により接
合する場合、半田が電極内部に浸透し、基板／電極界面
における酸素架橋による、ガラスフリットと金属との接
合を破壊することが原因で、接合強度が低下することが
しばしば問題となっていた。
合する場合、半田が電極内部に浸透し、基板／電極界面
における酸素架橋による、ガラスフリットと金属との接
合を破壊することが原因で、接合強度が低下することが
しばしば問題となっていた。
【０００５】基板の凹凸部にて発生する問題は、銀粒子
の粒径が大きいこと、あるいは１次径が小さくても凝集
によりみかけの粒径が大きくなることから、微細な隙間
に粒子が入り込めないために生じていると考えられる。
さらに、従来の粒子径の大きいもの、および凝集の強い
ものは、焼成後の電極の密度が低下したり、部分的に焼
結し、焼結された電極膜に大きなクレバスが生じること
がある。このような電極膜において半田付けを行うと、
電極膜の空孔から半田が浸透（侵入）し、容易に電極／
基板界面に達する。そのため、ガラスフリットと金属と
の間の酸素架橋が切断されるために生じると考えられ
る。
の粒径が大きいこと、あるいは１次径が小さくても凝集
によりみかけの粒径が大きくなることから、微細な隙間
に粒子が入り込めないために生じていると考えられる。
さらに、従来の粒子径の大きいもの、および凝集の強い
ものは、焼成後の電極の密度が低下したり、部分的に焼
結し、焼結された電極膜に大きなクレバスが生じること
がある。このような電極膜において半田付けを行うと、
電極膜の空孔から半田が浸透（侵入）し、容易に電極／
基板界面に達する。そのため、ガラスフリットと金属と
の間の酸素架橋が切断されるために生じると考えられ
る。
【０００６】従って、本発明は上記の問題点に鑑みなさ
れたものであり、その目的は、焼成して電極を形成とき
に、電極／基板間の電気的接合と接合強度とを十分に確
保することができる導電性ペーストを提供することであ
る。
れたものであり、その目的は、焼成して電極を形成とき
に、電極／基板間の電気的接合と接合強度とを十分に確
保することができる導電性ペーストを提供することであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の導電性ペースト
は、上記課題を解決するために、銀粉と、ガラスフリッ
トと、有機ビヒクルとを含み、凹凸を有する基板に電極
を形成するための導電性ペーストであって、上記銀粉
は、ＢＥＴ径が０．１０μｍより大きく、０．５０μｍ
以下であり、平均粒子径（Ｄ50）が０．２μｍより大き
く、２．０μｍ未満であり、平均粒子径（Ｄ50）／ＢＥ
Ｔ径が１０以下であることを特徴としている。
は、上記課題を解決するために、銀粉と、ガラスフリッ
トと、有機ビヒクルとを含み、凹凸を有する基板に電極
を形成するための導電性ペーストであって、上記銀粉
は、ＢＥＴ径が０．１０μｍより大きく、０．５０μｍ
以下であり、平均粒子径（Ｄ50）が０．２μｍより大き
く、２．０μｍ未満であり、平均粒子径（Ｄ50）／ＢＥ
Ｔ径が１０以下であることを特徴としている。
【０００８】上記の構成によれば、基板の凹凸の細部ま
で上記銀粉を充填することができるので、焼成した際に
緻密な電極を形成することができる導電性ペーストを提
供することができる。この形成された電極は、基板の凹
凸の細部まで充填されているので基板との隙間がほとん
どなく、基板との接触面積が確保されているので電気的
接合を向上させることができる。また、上記電極は緻密
に形成されるので、基板との接合強度を十分得ることが
でき、半田等の電極／基板間への拡散・浸透を防ぐこと
ができ、接合強度が劣化することがほとんどない。
で上記銀粉を充填することができるので、焼成した際に
緻密な電極を形成することができる導電性ペーストを提
供することができる。この形成された電極は、基板の凹
凸の細部まで充填されているので基板との隙間がほとん
どなく、基板との接触面積が確保されているので電気的
接合を向上させることができる。また、上記電極は緻密
に形成されるので、基板との接合強度を十分得ることが
でき、半田等の電極／基板間への拡散・浸透を防ぐこと
ができ、接合強度が劣化することがほとんどない。
【０００９】なお、上記ＢＥＴ径とは、ＢＥＴ法で測定
した粒子の比表面積（ｍ2／ｇ）をもとに、粒子が球状
であるとして求めた粒子径（平均）を指す。上記平均粒
子径（Ｄ50）とは、平均粒子径を表す指標の１つであ
り、ある粒子分布をもつ粒子の母集団に対し、小さい粒
子から順番に積算した際の５０％体積にあたる粒子径を
指す。以下、平均粒子径（Ｄ50）を単にＤ50と略記す
る。
した粒子の比表面積（ｍ2／ｇ）をもとに、粒子が球状
であるとして求めた粒子径（平均）を指す。上記平均粒
子径（Ｄ50）とは、平均粒子径を表す指標の１つであ
り、ある粒子分布をもつ粒子の母集団に対し、小さい粒
子から順番に積算した際の５０％体積にあたる粒子径を
指す。以下、平均粒子径（Ｄ50）を単にＤ50と略記す
る。
【００１０】本発明の導電性ペーストは、上記の構成に
加えて、上記基板が、太陽電池用半導体基板であること
が好ましい。
加えて、上記基板が、太陽電池用半導体基板であること
が好ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態について図
１ないし図５に基づいて説明すれば、以下の通りであ
る、本実施の形態にかかる導電性ペーストは、銀粉と、
ガラスフリットと、有機ビヒクルとを含むものである。
上記導電性ペーストは、例えば、表面に凹凸を有する基
板上に塗布されたとき、上記銀粉が上記凹凸の細部にま
で充填される。これにより、この基板上に塗布された導
電性ペーストは、焼成することにより電極等を形成する
ことができる。
１ないし図５に基づいて説明すれば、以下の通りであ
る、本実施の形態にかかる導電性ペーストは、銀粉と、
ガラスフリットと、有機ビヒクルとを含むものである。
上記導電性ペーストは、例えば、表面に凹凸を有する基
板上に塗布されたとき、上記銀粉が上記凹凸の細部にま
で充填される。これにより、この基板上に塗布された導
電性ペーストは、焼成することにより電極等を形成する
ことができる。
【００１２】上記銀粉において、ＢＥＴ径は０．１μｍ
より大きいことが必要であり、０．５０μｍ以下である
ことが必要である。また、上記銀粉において、Ｄ50は
０．２μｍより大きいことが必要であり、２．０μｍ未
満であることが必要である。さらに、上記銀粉におい
て、Ｄ50／ＢＥＴ径は１０以下であることが必要であ
る。上記Ｄ50／ＢＥＴ径比は、粒子の凝集径を反映する
Ｄ50と、粒子の１次径を反映するＢＥＴ形との比であ
り、粒子の分散性を表す指標となる。つまり、上記銀粉
は、微粒であり、かつ高分散であることが必要である。
より大きいことが必要であり、０．５０μｍ以下である
ことが必要である。また、上記銀粉において、Ｄ50は
０．２μｍより大きいことが必要であり、２．０μｍ未
満であることが必要である。さらに、上記銀粉におい
て、Ｄ50／ＢＥＴ径は１０以下であることが必要であ
る。上記Ｄ50／ＢＥＴ径比は、粒子の凝集径を反映する
Ｄ50と、粒子の１次径を反映するＢＥＴ形との比であ
り、粒子の分散性を表す指標となる。つまり、上記銀粉
は、微粒であり、かつ高分散であることが必要である。
【００１３】また、上記銀粉の形状は限定されるもので
はなく、球状、塊状、不定形、鱗片状等が挙げられる。
上記銀粉は、単独で用いても、または粒子径あるいは形
状の異なるもの等を混合して使用してもよい上記ガラス
フリットには、特に限定されるものではないが、ＰｂＯ
−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラスやＢｉ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3−Ｓｉ
Ｏ2系ガラス、ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス等を用
いることができる。また、これらのガラスを混合して用
いてもよい。
はなく、球状、塊状、不定形、鱗片状等が挙げられる。
上記銀粉は、単独で用いても、または粒子径あるいは形
状の異なるもの等を混合して使用してもよい上記ガラス
フリットには、特に限定されるものではないが、ＰｂＯ
−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラスやＢｉ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3−Ｓｉ
Ｏ2系ガラス、ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス等を用
いることができる。また、これらのガラスを混合して用
いてもよい。
【００１４】上記有機ビヒクルは、バインダー機能を有
する樹脂を有機溶剤に溶解したものであり、導電性ペー
ストに印刷性を付与できるものであれば特に限定される
ものではない。上記樹脂としては、エチルセルロース樹
脂、ニトロセルロース樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹
脂、スチレン樹脂およびフェノール樹脂等が挙げられ
る。また、上記有機溶剤としては、α−テルピネオー
ル、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテー
ト、ジアセトンアルコールおよびメチルイソブチルケト
ン等が挙げられる。
する樹脂を有機溶剤に溶解したものであり、導電性ペー
ストに印刷性を付与できるものであれば特に限定される
ものではない。上記樹脂としては、エチルセルロース樹
脂、ニトロセルロース樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹
脂、スチレン樹脂およびフェノール樹脂等が挙げられ
る。また、上記有機溶剤としては、α−テルピネオー
ル、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテー
ト、ジアセトンアルコールおよびメチルイソブチルケト
ン等が挙げられる。
【００１５】また、導電性ペーストには、上記の成分以
外にも、必要に応じて分散剤、チクソ剤、および金属酸
化物等の添加物を加えてもよいことは言うまでもない。
外にも、必要に応じて分散剤、チクソ剤、および金属酸
化物等の添加物を加えてもよいことは言うまでもない。
【００１６】上記導電性ペーストは、上記各成分を、調
合−ミキシング後、３本ロールミルで分散処理すること
により製造する。
合−ミキシング後、３本ロールミルで分散処理すること
により製造する。
【００１７】本発明の導電性ペーストは、シリコン基板
等の基板に塗布され、焼成されることにより電極を形成
することができる。
等の基板に塗布され、焼成されることにより電極を形成
することができる。
【００１８】以下、凹凸のある基板に導電性ペーストを
塗布したときの、導電性ペースト中の銀粉の状態を説明
する。
塗布したときの、導電性ペースト中の銀粉の状態を説明
する。
【００１９】本発明の導電性ペーストは、図１に示すよ
うに、基板１に塗布された場合、基板１の表面にある凹
凸２に対し、その凹凸２の谷部の最低部まで導電性ペー
ストの銀粒子（銀粉）３が充填される。
うに、基板１に塗布された場合、基板１の表面にある凹
凸２に対し、その凹凸２の谷部の最低部まで導電性ペー
ストの銀粒子（銀粉）３が充填される。
【００２０】これに対して、図２に示すように、上記銀
粒子４の粒子径が大きい場合には、基板１の表面にある
凹凸２に対し、その凹凸２の谷部の最低部までは導電性
ペーストの銀粒子４が充填されない。従って、銀粒子４
と基板１との界面に隙間が生じる。
粒子４の粒子径が大きい場合には、基板１の表面にある
凹凸２に対し、その凹凸２の谷部の最低部までは導電性
ペーストの銀粒子４が充填されない。従って、銀粒子４
と基板１との界面に隙間が生じる。
【００２１】また、図３に示すように、上記銀粒子５は
微粒子であるので、凝集性の強い粒子である場合には、
銀粒子のミクロな部分的充填性は高まる。しかしなが
ら、マクロに観察した場合、上記銀粒子５は凝集してい
るため、銀粒子５の凝集体同士の間に大きなクレバス状
のキレツが生じる。この断面を観察すると、上記キレツ
は内部にまで伸びており、基板１に達していることがし
ばしばある。この状態で焼結させるとそのキレツはさら
に広がり、電極と基板との界面における接触が低下する
だけでなく、電極内部に大きな欠陥が生じることとな
る。
微粒子であるので、凝集性の強い粒子である場合には、
銀粒子のミクロな部分的充填性は高まる。しかしなが
ら、マクロに観察した場合、上記銀粒子５は凝集してい
るため、銀粒子５の凝集体同士の間に大きなクレバス状
のキレツが生じる。この断面を観察すると、上記キレツ
は内部にまで伸びており、基板１に達していることがし
ばしばある。この状態で焼結させるとそのキレツはさら
に広がり、電極と基板との界面における接触が低下する
だけでなく、電極内部に大きな欠陥が生じることとな
る。
【００２２】以上のように、本発明の導電性ペーストに
よれば、例えば表面に凹凸があるような基板において
も、単にスクリーン印刷するのみで、上記凹凸に銀粉が
入り込むことができる。つまり、上記凹凸の細部にまで
銀粉を充填することができる。これにより、上記導電性
ペーストを焼成した場合、基板と導電性ペーストにより
形成された電極との接触面積が確保され、電気的接合を
向上させることができる。また、上記電極は、緻密に形
成されるので、基板との物理的接合強度を十分得ること
ができ、半田の拡散・浸透を防ぐことで接合強度が劣化
することがない。
よれば、例えば表面に凹凸があるような基板において
も、単にスクリーン印刷するのみで、上記凹凸に銀粉が
入り込むことができる。つまり、上記凹凸の細部にまで
銀粉を充填することができる。これにより、上記導電性
ペーストを焼成した場合、基板と導電性ペーストにより
形成された電極との接触面積が確保され、電気的接合を
向上させることができる。また、上記電極は、緻密に形
成されるので、基板との物理的接合強度を十分得ること
ができ、半田の拡散・浸透を防ぐことで接合強度が劣化
することがない。
【００２３】これにより、上記導電性ペーストは、特
に、表面に凹凸のある太陽電池用の半導体基板等に電極
を形成する際に好適に用いることができる。
に、表面に凹凸のある太陽電池用の半導体基板等に電極
を形成する際に好適に用いることができる。
【００２４】
【実施例】以下、実施例および比較例により、本発明の
導電性ペーストについてさらに詳細に説明するが、本発
明はこれらにより何ら限定されるものではない。
導電性ペーストについてさらに詳細に説明するが、本発
明はこれらにより何ら限定されるものではない。
【００２５】〔実施例１〜７、比較例１〜５〕以下の各
実施例および比較例において、表１に示す銀粉、ガラス
フリット、および有機ビヒクルの組成比率で導電性ペー
ストを作製した。上記ガラスフリットには、ＰｂＯ−Ｂ
2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラスを用い、上記有機ビヒクルに
は、エチルセルロースをα−ターピネオールに溶解した
ものを用いた。
実施例および比較例において、表１に示す銀粉、ガラス
フリット、および有機ビヒクルの組成比率で導電性ペー
ストを作製した。上記ガラスフリットには、ＰｂＯ−Ｂ
2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラスを用い、上記有機ビヒクルに
は、エチルセルロースをα−ターピネオールに溶解した
ものを用いた。
【００２６】
【表１】
【００２７】各実施例および比較例において、上記銀粉
には、表２に示すＢＥＴ径およびＤ 50の異なる銀粉
（１）〜（１２）を用いた。各銀粉（１）〜（１２）を
用いた導電性ペーストを、それぞれ導電性ペースト
（１）〜（１２）とする。
には、表２に示すＢＥＴ径およびＤ 50の異なる銀粉
（１）〜（１２）を用いた。各銀粉（１）〜（１２）を
用いた導電性ペーストを、それぞれ導電性ペースト
（１）〜（１２）とする。
【００２８】
【表２】
【００２９】なお、上記導電性ペースト１（比較例１）
は、ペースト化することができなかったため製造するこ
とができなかった。ＢＥＴ径が０．１μｍ以下となる粒
子は、一般的にコロイド粉と類別されるものがあり、Ｄ
50も小さくなるが、粉末の吸油量が多いためペースト化
が困難である。ゆえに、導電性ペーストに用いるには、
実用的ではない。その上、上記ＢＥＴ径が０．１μｍ以
下となる銀粒子は、非常に高価であるため使用に耐えな
い。
は、ペースト化することができなかったため製造するこ
とができなかった。ＢＥＴ径が０．１μｍ以下となる粒
子は、一般的にコロイド粉と類別されるものがあり、Ｄ
50も小さくなるが、粉末の吸油量が多いためペースト化
が困難である。ゆえに、導電性ペーストに用いるには、
実用的ではない。その上、上記ＢＥＴ径が０．１μｍ以
下となる銀粒子は、非常に高価であるため使用に耐えな
い。
【００３０】〔電気的接合〕まず、本実施例および比較
例では、上記導電性ペースト（２）〜（１２）を用いて
形成した電極とシリコン基板との電気的接合について評
価した。なお、導電性ペースト（１）は、製造すること
ができなかったため評価の対象外とした。評価の方法と
しては、上記電極の接触抵抗値Ｒｃの測定、およびＳＥ
Ｍによる上記電極とシリコン基板との断面の観察により
行った。
例では、上記導電性ペースト（２）〜（１２）を用いて
形成した電極とシリコン基板との電気的接合について評
価した。なお、導電性ペースト（１）は、製造すること
ができなかったため評価の対象外とした。評価の方法と
しては、上記電極の接触抵抗値Ｒｃの測定、およびＳＥ
Ｍによる上記電極とシリコン基板との断面の観察により
行った。
【００３１】導電性ペーストにより形成された電極とシ
リコン基板との接触抵抗値の測定は、以下のようにして
行った。
リコン基板との接触抵抗値の測定は、以下のようにして
行った。
【００３２】上記導電性ペースト（２）〜（１２）を、
シリコン基板にスクリーン印刷し、焼成することにより
電極を形成した。上記シリコン基板は、長さ１０ｍｍ×
幅７ｍｍの大きさであり、表面処理を行っていない。上
記電極は、６ｍｍ×２００μｍのパターンを３５０メッ
シュＳＵＳスクリーンパターンを使用して、６本形成し
た。また、焼成は、近赤外炉を使用し、ピーク温度８０
０℃で行った。そして、形成された各電極の接触抵抗値
ＲｃをＴＬＭ（Transmission Line Model）法により測
定した。その結果を表３に示す。なお、接触抵抗値Ｒｃ
の上限値は３．０Ωである。この値以下では、上記電極
は、十分実用的である。
シリコン基板にスクリーン印刷し、焼成することにより
電極を形成した。上記シリコン基板は、長さ１０ｍｍ×
幅７ｍｍの大きさであり、表面処理を行っていない。上
記電極は、６ｍｍ×２００μｍのパターンを３５０メッ
シュＳＵＳスクリーンパターンを使用して、６本形成し
た。また、焼成は、近赤外炉を使用し、ピーク温度８０
０℃で行った。そして、形成された各電極の接触抵抗値
ＲｃをＴＬＭ（Transmission Line Model）法により測
定した。その結果を表３に示す。なお、接触抵抗値Ｒｃ
の上限値は３．０Ωである。この値以下では、上記電極
は、十分実用的である。
【００３３】
【表３】
【００３４】表３より、良好な接触抵抗値Ｒｃを有する
電極は、導電性ペースト（２）〜（８）（実施例１〜
７）から形成した電極であった。
電極は、導電性ペースト（２）〜（８）（実施例１〜
７）から形成した電極であった。
【００３５】導電性ペースト（２）〜（１２）により形
成された電極とシリコン基板との断面のＳＥＭ観察は、
以下のようにして行った。
成された電極とシリコン基板との断面のＳＥＭ観察は、
以下のようにして行った。
【００３６】すなわち、上記電極が形成された基板を切
断し、鏡面加工した。そして、この鏡面加工された断面
をＳＥＭにより観察した。観察した断面の代表例を、図
４、５に示す。図４は、導電性ペースト（３）を用いて
形成した電極と基板との断面のＳＥＭ写真である。図５
は、導電性ペースト（１０）を用いて形成した電極と基
板との断面のＳＥＭ写真である。
断し、鏡面加工した。そして、この鏡面加工された断面
をＳＥＭにより観察した。観察した断面の代表例を、図
４、５に示す。図４は、導電性ペースト（３）を用いて
形成した電極と基板との断面のＳＥＭ写真である。図５
は、導電性ペースト（１０）を用いて形成した電極と基
板との断面のＳＥＭ写真である。
【００３７】図４から、導電性ペースト（３）を用いて
形成した電極９は、空孔がほとんどなく、基板７に形成
されている凹凸８の最低部まで充填されている。つま
り、電極９は、緻密に焼結し、かつ基板７との界面にお
いて基板７と隙間なく接合していることが判る。なお、
上記では導電性ペースト（３）の例を挙げたが、導電性
ペースト（２）、（４）〜（８）を用いて形成した電極
についても、同様に、緻密に焼結し、かつ基板との界面
において基板と隙間なく接合していた。
形成した電極９は、空孔がほとんどなく、基板７に形成
されている凹凸８の最低部まで充填されている。つま
り、電極９は、緻密に焼結し、かつ基板７との界面にお
いて基板７と隙間なく接合していることが判る。なお、
上記では導電性ペースト（３）の例を挙げたが、導電性
ペースト（２）、（４）〜（８）を用いて形成した電極
についても、同様に、緻密に焼結し、かつ基板との界面
において基板と隙間なく接合していた。
【００３８】また、図５から、導電性ペースト（１０）
を用いて形成した電極９ａは、空孔１０が形成されてお
り、さらに基板７に形成されている凹凸８の最低部まで
充填されていないことが判る。つまり、この電極９ａ
は、緻密に焼結することができず、基板７との界面に隙
間が生じていることが判る。なお、導電性ペースト
（９）、（１１）、（１２）を用いて形成した電極につ
いても、同様に、緻密に焼結することができず、基板と
の界面に隙間が生じていた。
を用いて形成した電極９ａは、空孔１０が形成されてお
り、さらに基板７に形成されている凹凸８の最低部まで
充填されていないことが判る。つまり、この電極９ａ
は、緻密に焼結することができず、基板７との界面に隙
間が生じていることが判る。なお、導電性ペースト
（９）、（１１）、（１２）を用いて形成した電極につ
いても、同様に、緻密に焼結することができず、基板と
の界面に隙間が生じていた。
【００３９】上記のように、導電性ペースト２〜８を用
いて電極を形成した場合、銀粉を基板の凹凸の最低部に
まで充填することができる。この導電性ペーストを焼成
することにより形成した電極では、電極／基板の接触面
積が増加している。これにより電極と基板との電気的な
接合が向上し、接触抵抗値を低減できる。
いて電極を形成した場合、銀粉を基板の凹凸の最低部に
まで充填することができる。この導電性ペーストを焼成
することにより形成した電極では、電極／基板の接触面
積が増加している。これにより電極と基板との電気的な
接合が向上し、接触抵抗値を低減できる。
【００４０】以上のように、銀粉のＢＥＴ径について、
下限値を０．１μｍより大きくし、上限値を０．５μｍ
以下にした導電性ペーストを使用することにより、電気
的接合が向上した電極を形成できる。また、上記銀粉の
ＢＥＴ径の下限値は、０．１３μｍ以上であることがよ
り好ましい。
下限値を０．１μｍより大きくし、上限値を０．５μｍ
以下にした導電性ペーストを使用することにより、電気
的接合が向上した電極を形成できる。また、上記銀粉の
ＢＥＴ径の下限値は、０．１３μｍ以上であることがよ
り好ましい。
【００４１】また、銀粉のＤ50について、下限値を０．
２μｍより大きし、上限値を２．０μｍ未満にした導電
性ペーストを使用することにより、電気的接合が向上し
た電極を形成できる。また、上記銀粉のＤ50の下限値
は、０．２６μｍ以上であることがより好ましく、上限
値は１．９５μｍ以下であることがより好ましい。
２μｍより大きし、上限値を２．０μｍ未満にした導電
性ペーストを使用することにより、電気的接合が向上し
た電極を形成できる。また、上記銀粉のＤ50の下限値
は、０．２６μｍ以上であることがより好ましく、上限
値は１．９５μｍ以下であることがより好ましい。
【００４２】さらに、銀粉のＤ50／ＢＥＴ径を１０以下
にした導電性ペーストを使用することにより、電気的接
合が向上した電極を形成できる。
にした導電性ペーストを使用することにより、電気的接
合が向上した電極を形成できる。
【００４３】導電性ペースト（１１）・（１２）に代表
されるように、Ｄ50／ＢＥＴ径が１０を超える導電性ペ
ーストの銀粉（１１）・（１２）では、ＢＥＴ径から非
常に細かい粒子であることが判るが、Ｄ50から上記細か
い粒子は凝集してより大きな凝集体となっていることが
判る。この凝集体となっている粒子からは、緻密で均一
な電極を形成することができない。従って、電極と基板
との電気的接合は不良となる。
されるように、Ｄ50／ＢＥＴ径が１０を超える導電性ペ
ーストの銀粉（１１）・（１２）では、ＢＥＴ径から非
常に細かい粒子であることが判るが、Ｄ50から上記細か
い粒子は凝集してより大きな凝集体となっていることが
判る。この凝集体となっている粒子からは、緻密で均一
な電極を形成することができない。従って、電極と基板
との電気的接合は不良となる。
【００４４】〔接合強度〕さらに、上記導電性ペースト
（２）〜（１２）を用いて形成した電極とシリコン基板
との接合強度について評価した。導電性ペースト（１）
は製造することができなかったため、評価の対象外とし
た。評価の方法としては、上記電極と基板とにおける接
合強度試験（破壊強度試験）、およびＸＰＳにより表面
分析による電極成分の銀（Ａｇ）と半田成分の錫（Ｓ
ｎ）との強度比Ｓｎ／Ａｇ比により行った。
（２）〜（１２）を用いて形成した電極とシリコン基板
との接合強度について評価した。導電性ペースト（１）
は製造することができなかったため、評価の対象外とし
た。評価の方法としては、上記電極と基板とにおける接
合強度試験（破壊強度試験）、およびＸＰＳにより表面
分析による電極成分の銀（Ａｇ）と半田成分の錫（Ｓ
ｎ）との強度比Ｓｎ／Ａｇ比により行った。
【００４５】導電性ペーストにより形成された電極と基
板との接合強度試験は、以下のようにして行った。
板との接合強度試験は、以下のようにして行った。
【００４６】まず、上記導電性ペースト（２）〜（１
２）を、基板に２ｍｍ口のパッドとして印刷した。この
パッドを焼成して電極を形成した。次いで、形成した電
極に０．６φの半田引き軟銅線を半田にて取り付けた。
この半田引き軟銅線の引張試験を行い、上記電極の破壊
（剥離）によって電極と基板との接合強度（引張強度）
を測定した。その結果を表３に示す。また、電極の破壊
（剥離）モードについても示す。電極の破壊モードと
は、引張試験において、電極が基板から破壊（剥離）さ
れる際の状態を示す。
２）を、基板に２ｍｍ口のパッドとして印刷した。この
パッドを焼成して電極を形成した。次いで、形成した電
極に０．６φの半田引き軟銅線を半田にて取り付けた。
この半田引き軟銅線の引張試験を行い、上記電極の破壊
（剥離）によって電極と基板との接合強度（引張強度）
を測定した。その結果を表３に示す。また、電極の破壊
（剥離）モードについても示す。電極の破壊モードと
は、引張試験において、電極が基板から破壊（剥離）さ
れる際の状態を示す。
【００４７】Ｒｃが良好であった導電性ペースト（２）
〜（８）を用いて形成した電極については、破壊モード
が基板凝集破壊であった。この基板凝集破壊とは、基板
が部分的に破壊されて電極と共に剥離するモードを言
う。このときの、引張強度は、全て１．０ｋｇｆ／２ｍ
ｍ口以上であった。つまり、電極と基板との接合強度が
強いといえる。
〜（８）を用いて形成した電極については、破壊モード
が基板凝集破壊であった。この基板凝集破壊とは、基板
が部分的に破壊されて電極と共に剥離するモードを言
う。このときの、引張強度は、全て１．０ｋｇｆ／２ｍ
ｍ口以上であった。つまり、電極と基板との接合強度が
強いといえる。
【００４８】これに対し、Ｒｃが不良であった導電性ペ
ースト（９）〜（１２）については、破壊モードが界面
剥離であった。この界面剥離とは、電極と基板との界面
で接合が破壊され剥離するモードを言う。実際に測定さ
れた引張強度は、０〜０．２ｋｇｆ／２ｍｍ口と低いも
のであった。つまり、電極と基板との接合強度が弱いと
いえる。
ースト（９）〜（１２）については、破壊モードが界面
剥離であった。この界面剥離とは、電極と基板との界面
で接合が破壊され剥離するモードを言う。実際に測定さ
れた引張強度は、０〜０．２ｋｇｆ／２ｍｍ口と低いも
のであった。つまり、電極と基板との接合強度が弱いと
いえる。
【００４９】さらに、上記電極が基板から剥離されたと
きの、各電極と基板との界面についてＸＰＳにより表面
分析を行った。その結果を、半田成分であるＳｎと電極
成分であるＡｇとの強度比Ｓｎ／Ａｇで表し、表３に示
す。このＳｎ／Ａｇを比較することにより、半田の浸透
度を評価する。
きの、各電極と基板との界面についてＸＰＳにより表面
分析を行った。その結果を、半田成分であるＳｎと電極
成分であるＡｇとの強度比Ｓｎ／Ａｇで表し、表３に示
す。このＳｎ／Ａｇを比較することにより、半田の浸透
度を評価する。
【００５０】表３より、導電性ペースト（２）〜（８）
を用いて形成された接合強度の強い電極では、半田成分
であるＳｎの量が少なくなっており、半田の電極への拡
散度が低いという結果が得られた。これは、上記導電性
ペースト（２）〜（８）を用いた電極が緻密に形成され
ていることを示している。つまり、Ｓｎ／Ａｇ比は、電
極の充填性の指標となる。
を用いて形成された接合強度の強い電極では、半田成分
であるＳｎの量が少なくなっており、半田の電極への拡
散度が低いという結果が得られた。これは、上記導電性
ペースト（２）〜（８）を用いた電極が緻密に形成され
ていることを示している。つまり、Ｓｎ／Ａｇ比は、電
極の充填性の指標となる。
【００５１】また、表３より、導電性ペースト（９）〜
（１２）を用いて形成された接合強度の弱い電極では、
半田成分であるＳｎの量が多くなっており、半田の電極
への拡散度が高く、半田の拡散が電極と基板との界面ま
で達している（浸透している）という結果が得られた。
この浸透した半田により、電極とシリコン基板との接合
強度が低下すると考えられる。これは、電極とシリコン
基板との界面におけるＡｇとガラスフリットとの酸素結
合が、浸透した半田により破壊されることを示してい
る。
（１２）を用いて形成された接合強度の弱い電極では、
半田成分であるＳｎの量が多くなっており、半田の電極
への拡散度が高く、半田の拡散が電極と基板との界面ま
で達している（浸透している）という結果が得られた。
この浸透した半田により、電極とシリコン基板との接合
強度が低下すると考えられる。これは、電極とシリコン
基板との界面におけるＡｇとガラスフリットとの酸素結
合が、浸透した半田により破壊されることを示してい
る。
【００５２】以上のことより、上記Ｓｎ／Ａｇ比は、電
極の充填性（緻密性）、電極と基板との接合強度の関係
を表していることが判る。
極の充填性（緻密性）、電極と基板との接合強度の関係
を表していることが判る。
【００５３】従って、銀粉のＢＥＴ径について、下限値
を０．１μｍより大きくし、上限値を０．５μｍ以下に
した導電性ペーストを使用することにより、接合強度が
向上した電極を形成できる。また、上記銀粉のＢＥＴ径
の下限値は、０．１３μｍ以上であることがより好まし
い。
を０．１μｍより大きくし、上限値を０．５μｍ以下に
した導電性ペーストを使用することにより、接合強度が
向上した電極を形成できる。また、上記銀粉のＢＥＴ径
の下限値は、０．１３μｍ以上であることがより好まし
い。
【００５４】また、銀粉のＤ50について、下限値を０．
２μｍより大きし、上限値を２．０μｍ未満にした導電
性ペーストを使用することにより、接合強度が向上した
電極を形成できる。また、上記銀粉のＤ50の下限値は、
０．２６μｍ以上であることがより好ましく、上限値は
１．９５μｍ以下であることがより好ましい。
２μｍより大きし、上限値を２．０μｍ未満にした導電
性ペーストを使用することにより、接合強度が向上した
電極を形成できる。また、上記銀粉のＤ50の下限値は、
０．２６μｍ以上であることがより好ましく、上限値は
１．９５μｍ以下であることがより好ましい。
【００５５】さらに、銀粉のＤ50／ＢＥＴ径は１０以下
にした導電性ペーストを使用することにより、接合強度
が向上した電極を形成できる。
にした導電性ペーストを使用することにより、接合強度
が向上した電極を形成できる。
【００５６】
【発明の効果】本発明の導電性ペーストは、以上のよう
に、銀粉と、ガラスフリットと、有機ビヒクルとを含
み、凹凸を有する基板に電極を形成するための導電性ペ
ーストであって、上記銀粉は、ＢＥＴ径が０．１０μｍ
より大きく、０．５０μｍ以下であり、平均粒子径（Ｄ
50）が０．２μｍより大きく、２．０μｍ未満であり、
平均粒子径（Ｄ50）／ＢＥＴ径が１０以下である構成で
ある。
に、銀粉と、ガラスフリットと、有機ビヒクルとを含
み、凹凸を有する基板に電極を形成するための導電性ペ
ーストであって、上記銀粉は、ＢＥＴ径が０．１０μｍ
より大きく、０．５０μｍ以下であり、平均粒子径（Ｄ
50）が０．２μｍより大きく、２．０μｍ未満であり、
平均粒子径（Ｄ50）／ＢＥＴ径が１０以下である構成で
ある。
【００５７】上記の構成によれば、基板の凹凸の細部ま
で上記銀粉を充填することができるので、焼成した際に
緻密な電極を形成することができる導電性ペーストを提
供することができるという効果を奏する。この形成され
た電極は、基板の凹凸の細部まで充填されているので基
板との隙間がほとんどなく、基板との接触面積が確保さ
れているので電気的接合を向上させることができる。ま
た、上記電極は緻密に形成されるので、基板との接合強
度を十分得ることができ、半田等の電極／基板間への拡
散・浸透を防ぐことができ、接合強度が劣化することが
ほとんどない。
で上記銀粉を充填することができるので、焼成した際に
緻密な電極を形成することができる導電性ペーストを提
供することができるという効果を奏する。この形成され
た電極は、基板の凹凸の細部まで充填されているので基
板との隙間がほとんどなく、基板との接触面積が確保さ
れているので電気的接合を向上させることができる。ま
た、上記電極は緻密に形成されるので、基板との接合強
度を十分得ることができ、半田等の電極／基板間への拡
散・浸透を防ぐことができ、接合強度が劣化することが
ほとんどない。
【図１】本発明にかかる銀粒子を含む導電性ペーストを
基板に塗布した状態を説明する図である。
基板に塗布した状態を説明する図である。
【図２】上記導電性ペーストにおいて銀粒子の粒子径が
大きい、本発明の範囲外の場合を説明する図である。
大きい、本発明の範囲外の場合を説明する図である。
【図３】上記導電性ペーストにおいて銀粒子が凝集して
いる、本発明の範囲外の場合を説明する図である。
いる、本発明の範囲外の場合を説明する図である。
【図４】本発明にかかる導電性ペーストを基板に塗布し
て焼成して形成した電極の断面構造を示すＳＥＭ写真で
ある。
て焼成して形成した電極の断面構造を示すＳＥＭ写真で
ある。
【図５】銀粒子の粒子径が大きい場合あるいは銀粒子が
凝集している場合の、本発明の範囲外の上記導電性ペー
ストを焼成して形成した電極の断面構造を示すＳＥＭ写
真である。
凝集している場合の、本発明の範囲外の上記導電性ペー
ストを焼成して形成した電極の断面構造を示すＳＥＭ写
真である。
１ 基板
２ 凹凸
３ 銀粒子（銀粉）
７ 基板
９ 電極
フロントページの続き
(72)発明者 足立 史哉
京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式
会社村田製作所内
Ｆターム(参考） 5F051 AA02 CB13 FA10
5G301 DA03 DA34 DD01
Claims (2)
- 【請求項１】銀粉と、ガラスフリットと、有機ビヒクル
とを含み、凹凸を有する基板に電極を形成するための導
電性ペーストであって、 上記銀粉は、 ＢＥＴ径が０．１０μｍより大きく、０．５０μｍ以下
であり、 平均粒子径（Ｄ50）が０．２μｍより大きく、２．０μ
ｍ未満であり、 平均粒子径（Ｄ50）／ＢＥＴ径が１０以下であることを
特徴とする導電性ペースト。 - 【請求項２】上記基板は、太陽電池用半導体基板である
ことを特徴とする請求項１に記載の導電性ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002051498A JP3800108B2 (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | 導電性ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002051498A JP3800108B2 (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | 導電性ペースト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003257243A true JP2003257243A (ja) | 2003-09-12 |
| JP3800108B2 JP3800108B2 (ja) | 2006-07-26 |
Family
ID=28663454
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002051498A Expired - Fee Related JP3800108B2 (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | 導電性ペースト |
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| JP (1) | JP3800108B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006008896A1 (ja) * | 2004-07-16 | 2006-01-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | 電極材料及び太陽電池、並びに太陽電池の製造方法 |
| WO2007089273A1 (en) * | 2006-02-02 | 2007-08-09 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Paste for solar cell electrode and solar cell |
| JP2007258677A (ja) * | 2006-01-11 | 2007-10-04 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | 銀導電膜およびその製造法 |
| WO2008026415A1 (en) * | 2006-08-31 | 2008-03-06 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for forming semiconductor substrate and electrode, and method for manufacturing solar battery |
| JP2010287554A (ja) * | 2009-05-15 | 2010-12-24 | Mitsubishi Materials Corp | 導電性組成物 |
| JP2011507233A (ja) * | 2007-12-07 | 2011-03-03 | キャボット コーポレイション | 複数のインクから光起電性の導電性フィーチャを形成するプロセス |
| CN102592703A (zh) * | 2012-02-13 | 2012-07-18 | 江苏瑞德新能源科技有限公司 | 一种太阳能电池背面电极用银导体浆料 |
| JP2014003285A (ja) * | 2012-06-01 | 2014-01-09 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | 低金属含量導電性ペースト組成物 |
| US9123835B2 (en) | 2006-10-10 | 2015-09-01 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Connected structure and method for manufacture thereof |
| US9173302B2 (en) | 2006-08-29 | 2015-10-27 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Conductive adhesive film and solar cell module |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5772755B2 (ja) | 2012-08-02 | 2015-09-02 | 信越化学工業株式会社 | 太陽電池電極用ペースト組成物 |
-
2002
- 2002-02-27 JP JP2002051498A patent/JP3800108B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006008896A1 (ja) * | 2004-07-16 | 2006-01-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | 電極材料及び太陽電池、並びに太陽電池の製造方法 |
| KR101082114B1 (ko) | 2004-07-16 | 2011-11-10 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 전극 재료, 태양 전지 및 태양 전지의 제조 방법 |
| CN100411104C (zh) * | 2004-07-16 | 2008-08-13 | 信越化学工业株式会社 | 电极材料、太阳能电池及太阳能电池的制造方法 |
| US7705236B2 (en) | 2004-07-16 | 2010-04-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Electrode material, solar cell, and method for producing solar cell |
| AU2005264235B2 (en) * | 2004-07-16 | 2010-07-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Electrode material, solar cell and process for producing solar cell |
| JP2007258677A (ja) * | 2006-01-11 | 2007-10-04 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | 銀導電膜およびその製造法 |
| WO2007089273A1 (en) * | 2006-02-02 | 2007-08-09 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Paste for solar cell electrode and solar cell |
| KR101028331B1 (ko) | 2006-02-02 | 2011-04-12 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 태양 전지 전극용 페이스트 및 태양 전지 |
| US7648730B2 (en) | 2006-02-02 | 2010-01-19 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Paste for solar cell electrode and solar cell |
| US7767254B2 (en) | 2006-02-02 | 2010-08-03 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Paste for solar cell electrode and solar cell |
| US9173302B2 (en) | 2006-08-29 | 2015-10-27 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Conductive adhesive film and solar cell module |
| JPWO2008026415A1 (ja) * | 2006-08-31 | 2010-01-14 | 信越半導体株式会社 | 半導体基板並びに電極の形成方法及び太陽電池の製造方法 |
| WO2008026415A1 (en) * | 2006-08-31 | 2008-03-06 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for forming semiconductor substrate and electrode, and method for manufacturing solar battery |
| CN101512778B (zh) * | 2006-08-31 | 2012-05-09 | 信越半导体股份有限公司 | 半导体基板、形成电极的方法、及太阳能电池的制造方法 |
| US8766089B2 (en) | 2006-08-31 | 2014-07-01 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Semiconductor substrate, electrode forming method, and solar cell fabricating method |
| US8253011B2 (en) | 2006-08-31 | 2012-08-28 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Semiconductor substrate, electrode forming method, and solar cell fabricating method |
| AU2007289892B2 (en) * | 2006-08-31 | 2012-09-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for forming semiconductor substrate and electrode, and method for manufacturing solar battery |
| JP5118044B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2013-01-16 | 信越半導体株式会社 | 半導体基板並びに電極の形成方法及び太陽電池の製造方法 |
| US9123835B2 (en) | 2006-10-10 | 2015-09-01 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Connected structure and method for manufacture thereof |
| JP2011507233A (ja) * | 2007-12-07 | 2011-03-03 | キャボット コーポレイション | 複数のインクから光起電性の導電性フィーチャを形成するプロセス |
| JP2010287554A (ja) * | 2009-05-15 | 2010-12-24 | Mitsubishi Materials Corp | 導電性組成物 |
| CN102592703A (zh) * | 2012-02-13 | 2012-07-18 | 江苏瑞德新能源科技有限公司 | 一种太阳能电池背面电极用银导体浆料 |
| JP2014003285A (ja) * | 2012-06-01 | 2014-01-09 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | 低金属含量導電性ペースト組成物 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3800108B2 (ja) | 2006-07-26 |
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