JP2010287554A - 導電性組成物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】銀粉末と、ガラス粉末と、樹脂と、溶剤と、を含有し、前記銀粉末及び前記ガラス粉末からなる粉末成分の含有量が、60質量%以上90質量%以下とされ、前記粉末成分中における前記銀粉末の重量Aと前記ガラス粉末の重量Gの比A/Gが、80/20から99/1の範囲内に設定されており、焼成することにより生成される前記導電接合層が、前記ガラス粉末が軟化して形成されるガラス層と、前記ガラス層上に銀粉末が焼結されたAg層と、を備えており、前記ガラス層内部に導電性粒子が分散されていることを特徴とする。
【選択図】なし
Description
この金属板は回路層とされ、回路層の上には、はんだ材を介してパワー素子としての半導体素子が搭載される。なお、セラミックス基板の下面にも放熱のためにAl等の金属板が接合されて金属層とされ、この金属層を介して冷却器が接合されたものが提案されている。
そこで、従来は、例えば特許文献1に開示されているように、回路層の表面に無電解めっき等によってNiめっき膜を形成し、このNiめっき膜上にはんだ材を配設して半導体素子を接合していた。
また、特許文献2には、はんだ材を用いずにAgナノペーストを用いて半導体素子を接合する技術が提案されている。
さらに、半導体素子を接合するまでの過程においてNiめっき膜の表面が酸化等によって劣化し、はんだ材を介して接合した半導体素子との接合信頼性が低下するおそれがあった。
以上のことから、Niめっき膜を設けることなく、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層とはんだ層とを導通させる導電接合層を形成することができる導電性組成物が求められていた。
よって、例えば、回路層上にはんだ材を介して半導体素子を接合する場合において、この導電性組成物を焼成して得られる導電接合層によって回路層と半導体素子とを導通させることが可能となり、パワーモジュール等の半導体装置を構成することができる。
この場合、比較的低温でこの導電性組成物を焼成して導電接合層を形成することが可能となり、導電性組成物を焼成する際にアルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層が劣化することを防止することができる。
これらの酸化物を含有したガラス粉末は、その軟化温度が比較的低くなり、焼成温度を低く設定することができる。また、前記ガラス粉末が軟化することによって形成されるガラス層とアルミニウム酸化皮膜とを確実に反応させることができる。
この場合、銀粉末の粒径が0.05μm以上1.0μm以下とされているので、この導電性組成物を回路層上に塗布した際に、導電性粒子が均一に分散することになり、この導電性組成物を焼成することによって均一な導電接合層を形成することが可能となり、導電接合層を介して半導体素子と回路層とを確実に導通させることができる。
また、本実施形態では、導電性組成物の粘度が10Pa・s以上500Pa・s以下、より好ましくは50Pa・s以上300Pa・s以下に調整されている。
ガラス粉末は、例えば、酸化鉛、酸化亜鉛、酸化ケイ素、酸化ホウ素、酸化リン及び酸化ビスマスのいずれか1種又は2種以上を含有しており、その軟化温度が600℃以下とされている。本実施形態では、酸化鉛と酸化亜鉛と酸化ホウ素とからなり、平均粒径が0.5μmのガラス粉末を使用した。
また、銀粉末の重量Aとガラス粉末の重量Gとの重量比A/Gは、80/20から99/1の範囲内に調整されており、本実施形態では、A/G=80/5とした。
樹脂は、導電性組成物の粘度を調整するものであり、500℃以上で分解されるものが適しており、例えば、アクリル樹脂、アルキッド樹脂等を適用することができる。なお、本実施形態では、エチルセルロースを用いている。
また、本実施形態では、ジカルボン酸系の分散剤を添加している。なお、分散剤を添加することなく導電性組成物を構成してもよい。
まず、前述した銀粉末とガラス粉末とを混合して混合粉末を生成する(混合粉末形成工程S1)。また、溶剤と樹脂とを混合して有機混合物を生成する(有機物混合工程S2)。
そして、混合粉末形成工程S1で得られた混合粉末と、有機物混合工程S2で得られた有機混合物と、分散剤と、をミキサーによって予備混合する(予備混合工程S3)。
次いで、予備混合物を、複数のロールを有するロールミル機を用いて練り込みながら混合する(混錬工程S4)。
混錬工程S4によって得られた混錬物を、ペーストろ過機によってろ過する(ろ過工程S5)。
このようにして、本実施形態である導電性組成物が製出されることになる。
このパワーモジュール1は、回路層12が配設されたパワーモジュール用基板10と、回路層12の表面にはんだ層2を介して接合された半導体チップ3と、冷却器40とを備えている。
セラミックス基板11は、回路層12と金属層13との間の電気的接続を防止するものであって、絶縁性の高いAlN(窒化アルミ)で構成されている。また、セラミックス基板11の厚さは、0.2〜1.5mmの範囲内に設定されており、本実施形態では、0.635mmに設定されている。
なお、導電接合層30は、図2に示すように、回路層12の表面全体には形成されておらず、半導体チップ3が配設される部分にのみ選択的に形成されている。
このパワーモジュール用基板10においては、回路層12の表面(図3及び図4において上面)に、前述の導電接合層30が形成されている。この導電接合層30は、はんだ層2を介して半導体チップ3を接合する前の状態では、図3に示すように、回路層12側に形成されたガラス層31と、このガラス層31上に形成されたAg層32と、を備えている。そして、このガラス層31内部には、粒径が数ナノメートル程度の微細な導電性粒子33が分散されている。本実施形態においては、この導電性粒子33は、Ag又はAlの少なくとも一方を含有する結晶性粒子とされている。
まず、回路層12となるアルミニウム板及び金属層13となるアルミニウム板を準備し、これらのアルミニウム板を、セラミックス基板11の一方の面及び他方の面にそれぞれろう材を介して積層し、加圧・加熱後冷却することによって、前記アルミニウム板とセラミックス基板11とを接合する(回路層接合工程S11)。なお、このろう付けの温度は、640℃〜650℃に設定されている。
この焼成工程S4により、ガラス層31とAg層32とを備えた導電接合層30が形成される。このとき、ガラス層31によって、回路層12の表面に自然発生していたアルミニウム酸化皮膜12Aが溶融除去されることになり、回路層12に直接ガラス層31が形成される。また、ガラス層31の内部に、微細な導電性粒子33が分散される。この導電性粒子33は、Ag又はAlの少なくとも一方を含有する結晶性粒子とされており、焼成の際にガラス層31内部に析出したものと推測される。
これにより、はんだ層2を介して半導体チップ3が回路層12上に接合されたパワーモジュール1が製出されることになる。
よって、導電接合層30及びはんだ層2を介して、半導体チップ3と回路層12との間で電気を確実に導通することが可能となり、信頼性の高いパワーモジュール1を構成することができる。
さらに、導電性組成物に含有されるガラス粉末が、酸化鉛、酸化亜鉛、酸化ケイ素、酸化ホウ素、酸化リン及び酸化ビスマスのいずれか1種又は2種以上を含有しているので、ガラス層31と、アルミニウム酸化皮膜とを確実に反応させることができる。
導電接合層30のAg層32の厚さta、ガラス層31の厚さtgを変更するとともに、Ag粉末の重量Aとガラス粉末の重量Gとの重量比A/Gを変更し、本発明例1−5を製出した。なお、このときのガラス粉末としては、PbO−ZnO−SiO2系ガラスを用いた。また、導電接合層30を、上面視して一辺の長さが15mmの正方形状に成形した。
このようにして得られた本発明例1−5の試料について、図5及び図6に記載された方法により、テスタ(KEITHLEY社製:2010MULTIMETER)を用いて、導電接合層30の厚さ方向の電気抵抗値Pを測定した。測定結果を表1に示す。
例えば、形成される導電接合層におけるガラス層とAg層の厚さ比は、図4に例示したものに限定されることはない。
例えば、ガラス粉末は、ガラス粉末は、酸化鉛、酸化亜鉛、酸化ケイ素、酸化ホウ素、酸化リン及び酸化ビスマスのいずれか1種又は2種以上を主成分として含有していれば、その他にアルカリ金属や遷移金属等を有していてもよく、軟化温度がアルミ二ウムの融点以下、より好ましくは600℃以下とされていればよい。
また、樹脂としては、アクリル樹脂、アルキッド樹脂等を用いてもよい。さらに、溶剤としては、α―テルピネオール、ブチルカルビトールアセテート等を用いても良い。
2 はんだ層
3 半導体チップ(半導体素子)
10 パワーモジュール用基板
12 回路層
12A アルミニウム酸化皮膜
30 導電接合層
31 ガラス層
32 Ag層
33 導電性粒子
Claims (4)
- 半導体素子が搭載されるアルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層上に配設され、焼成されることによって前記回路層と導通する導電接合層を形成する導電性組成物であって、
銀粉末と、ガラス粉末と、樹脂と、溶剤と、を含有し、
前記銀粉末及び前記ガラス粉末からなる粉末成分の含有量が、60質量%以上90質量%以下とされ、
前記粉末成分中における前記銀粉末の重量Aと前記ガラス粉末の重量Gの比A/Gが、80/20から99/1の範囲内に設定されており、
焼成することにより生成される前記導電接合層が、前記ガラス粉末が軟化して形成されるガラス層と、前記ガラス層上に銀粉末が焼結されたAg層と、を備えており、前記ガラス層内部に導電性粒子が分散されていることを特徴とする導電性組成物。 - 前記ガラス粉末の軟化温度が600℃以下とされていることを特徴とする請求項1に記載の導電性組成物。
- 前記ガラス粉末が、酸化鉛、酸化亜鉛、酸化ケイ素、酸化ホウ素、酸化リン及び酸化ビスマスのいずれか1種又は2種以上を含有していることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の導電性組成物。
- 前記銀粉末の粒径が、0.05μm以上1.0μm以下とされていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の導電性組成物。
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