JP2008251324A - 導電性ペースト - Google Patents

導電性ペースト Download PDF

Info

Publication number
JP2008251324A
JP2008251324A JP2007090546A JP2007090546A JP2008251324A JP 2008251324 A JP2008251324 A JP 2008251324A JP 2007090546 A JP2007090546 A JP 2007090546A JP 2007090546 A JP2007090546 A JP 2007090546A JP 2008251324 A JP2008251324 A JP 2008251324A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
particles
mass
silver
frit glass
granular
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007090546A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4885781B2 (ja
Inventor
Shinichi Tachizono
信一 立薗
Kei Yoshimura
圭 吉村
Yoshito Kanega
由人 金賀
Yuji Hashiba
裕司 橋場
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Powdered Metals Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Powdered Metals Co Ltd filed Critical Hitachi Powdered Metals Co Ltd
Priority to JP2007090546A priority Critical patent/JP4885781B2/ja
Publication of JP2008251324A publication Critical patent/JP2008251324A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4885781B2 publication Critical patent/JP4885781B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

【課題】環境に悪影響を与える鉛、また鉛副産物であるビスマスを含まず、また、実質的にアルカリ金属を含まないフリットガラスによる、貴金属系の導電性ペーストを提供する。
【解決手段】有機ビヒクルと、この有機ビヒクルに添加される、バナジウム、リン、アンチモンおよびバリウムを酸化物換算でV:50〜65質量%、P:15〜27質量%、Sb:5〜25質量%、BaO:1〜15質量%で含有するフリットガラスおよび銀粒子を基本構成とする導電性ペーストにする。銀粒子はフレーク状粒子と粒状粒子の混合物とし、フレーク状粒子の平均粒子径を2〜5μm、粒状粒子の平均粒子径を0.1〜3μmとする。フレーク状粒子と粒状粒子の配合割合は質量比で50:50〜90:10とし、フリットガラスを銀粒子に対して5〜30質量%含むようにする。
【選択図】なし

Description

本発明は、導電性ペーストに係り、特に厚膜配線回路や高電圧引き出し用の電極形成に適した導電被膜形成用ペースト組成物に関する。
貴金属を導電粒子とした導電性ペーストは、導電性被膜を形成する用途に多く適用されている。
近年の環境影響評価やヨーロッパのRoHS指令対応として鉛レス化の動きがあり、導電性ペーストにも鉛レス化が要求されている。鉛レス導電性ペーストの一例として、特許文献1には、銀粉末と銀フレークを混合した銀粒子とBi−Zn−Si系のガラスフリットによる銀含有コーティング組成物が記載されている。また、特許文献2には、RuO、ポリ酸化ルテニウムとビスマスガラスを含んだ黒色導電性組成物が記載されている。
特許第3574683号公報(特許請求の範囲) 特開2006−339139号公報(要約)
しかしながら、これらの鉛レス導電性組成物で用いられるビスマス(Bi)系フリットガラスの主原料であるビスマスは鉛精製時の副産物であるため、ビスマスを用いることは鉛を生産し使用することが前提になる。また、ビスマス系フリットガラスはアルカリ金属を添加して低融化されるが、アルカリ金属は半導体やガラス基板中で移動し、抵抗値が変わるため、好ましくはアルカリ金属成分を含まない鉛レス導電性組成物とすることが望まれている。
本発明の目的は、環境に悪影響を与える鉛、また鉛副産物であるビスマスを含まず、また、実質的にアルカリ金属を含まないフリットガラスによる、貴金属系の導電性ペーストを提供することにある。
本発明は、分散剤を含有する有機媒体と、前記有機媒体中に添加されたバナジウム、リン、アンチモンおよびバリウムを含有するフリットガラスと銀粒子を基本構成とする導電性ペーストである。フリットガラスの組成は酸化物換算で、V:50〜65質量%、P:15〜27質量%、Sb:5〜25質量%、BaO:1〜15質量%よりなる。銀粒子はフレーク状粒子と粒状粒子を含み、フレーク状粒子の平均粒子径は2〜5μm、粒状粒子の平均粒子径は0.1〜3μmである。また、フレーク状粒子と粒状粒子の配合割合は質量比で、50:50〜90:10であり、フリットガラスを銀粒子に対して5〜30質量%の範囲で含む。
本発明により、鉛やビスマスおよびアルカリ金属をフリットガラスとして含まない、導電性に優れた銀系導電性ペーストを提供することができた。
本発明の導電性ペーストはV−P−Ba−Sb系のバナジン酸フリットガラスと、銀粒子および、分散剤を有機媒体中に含む有機ビヒクルとからなる。V−P−Ba−Sb系フリットガラスと銀粒子の配合組成は質量比で、V−P−Ba−Sb系フリットガラスが5〜30質量%、銀粒子が70〜95質量%である。V−P−Ba−Sb系フリットガラスと銀粒子の固体量に対して、有機ビヒクルを7〜35質量%の範囲で配合させることが好ましい。
有機ビヒクルとしては、V−P−Ba−Sb系フリットガラスと銀粒子を有機媒体中に分散させる天然または人造の樹脂材料が分散剤として選択され、例えば、エチルセルロース、ニトロセルロース、アクリル樹脂などが好ましい。有機媒体としては、これら樹脂材料(分散剤)と相溶性のある、例えば、テルピネオール、エチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテートなどの有機溶剤が好ましい。また、ペーストの粘性や粘度の調整を目的に、粘性改善剤や増稠材などの有機物質を適宜添加することができる。
本発明の導電性ペーストには、さらにフィラーやセラミックス粒子などのように熱膨張調整や熱伝導性改善などを狙った材料を適宜添加することができる。
本発明に使用するフリットガラスはV−P−Ba−Sb系であり、酸化物換算でV:50〜65質量%、P:15〜27質量%、Sb:5〜25質量%、BaO:1〜15質量%の組成を有するが、これに、さらに軟化温度、作業温度などガラス特性温度を調整する材料を添加することもできる。
V−P−Ba−Sb系フリットガラスの組成範囲を限定した理由について説明する。
はPと共にガラスにするために必須の成分である。酸化物換算でVが50重量%未満であると、ガラスの特性温度が高くなり、焼成温度の上昇を招く。焼成温度の上昇は、プラズマディスプレイパネル(以下、PDPと記載する)の電極や厚膜配線等の導電性ペーストに使用するには適切でない。一方、Vが65重量%を超えると、耐候性が低下し、導電性配線の信頼性が損なわれる。
が15重量%未満である場合は、結晶化し易く、配線が脆くなる。一方、Pが27重量%を超えると、ガラスの特性温度が高くなり、焼成温度の上昇を招くため、PDPの電極や厚膜配線等の導電性ペーストに使用するには適切でない。
Sbが5重量%未満であると、耐候性が低下し、配線の信頼性に欠ける。一方、Sbが25重量%を超えると、軟化挙動が悪くなり、膜形成が困難になる。
BaOは、化学安定性向上のために1重量%以上含有することが好ましいが、BaOが15重量%を超えると、ガラスの特性温度が高くなり、焼成温度の上昇を招くため、PDPの電極や厚膜配線等の導電性ペーストに使用するには適切でない。
なお、前記組成範囲を有するV−P−Ba−Sb系フリットガラスに一価の陽イオン酸化物やTeOを0〜10質量%の範囲内で添加することは好ましく、溶解温度や化学的安定性を調整することができる。ただし、10重量%を超えて添加すると、安定性が悪くなる。アルカリの拡散が問題にならない対象物については、一価の陽イオン酸化物としてアルカリ酸化物を添加することもできる。
銀粒子については、フレーク状粒子と粒状粒子の混合物として用いる。粒状粒子は球形状の粒子が特に好ましい。銀粒子の平均粒子径は、フレーク状粒子が2〜5μm、粒状粒子が0.1〜3μmの範囲とする。また、フレーク状粒子と粒状粒子の配合割合は、質量比で50:50〜90:10の範囲とする。この構成により、フレーク状の銀粒子間を粒状の銀粒子が埋めるように充填されて、粒子間の接触機会が増加し、良好な導電ネットワークを形成できるようになる。
フレーク状粒子の平均粒子径が2μmを切ると、接触面積が増加するために抵抗値が上昇する。また、フレーク状粒子の平均粒子径が5μmを超えると細線印刷等の形成時に塗膜の面が粗くなり好ましくない。フレーク状粒子の平均粒子径は3〜4μmの範囲が特に好ましい。
粒状粒子の平均粒子径が0.1μmを切ると、接触抵抗が大きくなり抵抗値が高くなる。また、粒状粒子の平均粒子径が3μmを超えるとフレーク状粒子の形成配列を乱すために抵抗値が上昇する。粒状粒子の特に好ましい平均粒子径は1〜2μmである。なお、粒状粒子は球形状の粒子が最も好ましいが、必ずしも球形である必要は無く、粒状の粒子およびその凝集体であっても同様の効果が得られる。
銀粒子におけるフレーク状粒子と粒状粒子の配合割合は質量比で50:50〜90:10、好ましくは60:40〜80:20、特に好ましくは65:35〜75:25とし、フレーク状粒子を多目に配合するのが良い。
なお、導電粒子の主たる構成が銀粒子であれば、さらに金、銀、パラジウムおよびニッケルなどの貴金属粒子、または銅およびアルミニウムなどの卑金属粒子、または黒鉛およびカーボンブラックなどの炭素粒子を適宜添加することができる。
ただし、導電性ガラスペーストは焼成時、高温の酸化雰囲気に曝されるため、卑金属粒子や炭素粒子では酸化して抵抗値が高くなり、また、ガス化して導通が取れなくなるおそれもある。このため、銀粒子に組み合わせる他の導電粒子としては、貴金属粒子が好ましく、卑金属粒子や炭素粒子を採用する場合は、酸化防止策を施すことが望ましい。
以下、実施例を記載するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
<ガラスフリットの作製と調整>
ガラスの全量を500gとして、V:275g(55質量%)、Sb:55g(11質量%)、BaO:25g(5質量%)、P:125g(25質量%)、TeO:20g(4質量%)の原料酸化物を配合した。この配合物を、白金製ルツボを用いて大気中、1000℃に30分間加熱保持して溶解し、その後、冷却してガラス化し、ガラス(軟化温度:420℃)を調製した。
得られたガラスを乳鉢で粗粉砕した後、さらにボールミルを用いて微粉化し、平均粒子径が10μmのガラスフリットとした。なお、平均粒子径は、レーザー光学式の粒度分布測定装置SALD−2000(島津製作所製)を用いて測定した。
<導電性ペーストの作製と調整>
銀粒子には、平均粒子径が3.6μmのフレーク状銀粒子(横沢金属工業製の商品名NEV27)と、平均粒子径が1μmの球形状銀粒子(横沢金属工業製の商品名AY−410)を用いた。銀粒子の総量を40gとし、V−P−Ba−Sb系ガラスフリットを10gとして、エチルセルロースをブチルカルビトール(固形分40質量%)に溶解した有機ビヒクル5gを添加し、これらの材料を乳鉢で混合した後、さらに三本ロールミルを用いて分散化処理を行った。
<試料の作製>
作製した導電性ペーストを用いて、アルミニウム膜付きガラス基板1にスクリーン印刷機を用いて20mmピッチで直径5mm、厚さ30μmの塗膜2を3個形成し、150℃の温度で10分間乾燥した後、450℃の温度で30分間焼成し、評価用試料を作製した。
<評価>
導電性と塗膜の接着性を評価した。
導電性はADVANTEST製DIGITAL MULTIMETERを用いて、図1に示す(a),(b),(c)の部分の電気抵抗値を測定した。
塗膜の接着性はメンディングテープを厚着し、剥離した時の剥離状態を観察した。
作製したペーストの銀粒子配合組成および得られた試料の評価結果を表1に示す。
Figure 2008251324
試料番号11の銀粒子が球形粒子だけの場合、試料番号18の銀粒子がフレーク状粒子だけの場合、および試料番号12の銀粒子がフレーク状粒子と球形状粒子の混合物であるが、質量比が40:60の場合では、導電パターン間(b)の導電性が約100Ω〜10kΩ以上と高いため、実使用の適用は難しいと判断された。
それに対して、フレーク状銀粒子と球形状銀粒子を混合した(但し、試料番号12を除く)試料番号13〜17の試料では好ましい結果が得られ、特にフレーク状粒子を70質量%、球形状粒子を30質量%配合した試料番号15の試料で、極小値を持つ導電性の結果が得られた。
このことから、フレーク状粒子と粒状粒子、特に球形状粒子の混合が有効であることが分かった。
フレーク状銀粒子が70質量%、球形状銀粒子が30質量%の配合におけるフリットガラスの量の状況を検討した。なお、フリットガラスには、実施例1で用いたV−P−Ba−Sb系ガラスフリットを用いた。また、ペーストの調整および評価も実施例1と同様とした。
各配合組成および評価結果を表2に示す。
Figure 2008251324
フリットガラス配合量の変化として、銀粒子に対するフリットガラス配合量が少ない試料番号24,25では電気抵抗値は低くなるが、試料番号25のように銀粒子40gに対するフリットガラス量が3gでは製作した塗膜が剥離してしまった。
一方、試料番号15に対しフリットガラス配合量が多くなる試料番号21〜23の例では、接着性は良好であるが、配合量の増加と共に電気抵抗値は増大し、試料番号21,22の試料は実用できないことが分かった。
以上の実施例1と実施例2から、V−P−Ba−Sb系ガラスフリットを用いた銀系の導電性ペーストの導電粒子として、フレーク状銀粒子と粒状銀粒子を混合して採用することにより、良好な導電性を有する導電性ペーストが得られることが分かった。
本発明の導電性ペーストの抵抗測定法を示した図。
符号の説明
1…アルミニウム付きガラス基板、2…導電性塗膜。

Claims (1)

  1. 分散剤を含有する有機媒体と、前記有機媒体中に添加されたバナジウム、リン、アンチモンおよびバリウムを含有するフリットガラスと銀粒子を基本構成とする導電性ペーストであり、
    前記フリットガラスの組成が酸化物換算でV:50〜65質量%、P:15〜27質量%、Sb:5〜25質量%、BaO:1〜15質量%よりなり、
    前記銀粒子が、フレーク状粒子と粒状粒子を含み、
    前記フレーク状粒子の平均粒子径が2〜5μm、前記粒状粒子の平均粒子径が0.1〜3μmであり、
    前記フレーク状粒子と前記粒状粒子の配合割合が質量比で、50:50〜90:10であり、
    前記フリットガラスを前記銀粒子に対して5〜30質量%含むことを特徴とする導電性ペースト。
JP2007090546A 2007-03-30 2007-03-30 導電性ペースト Expired - Fee Related JP4885781B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007090546A JP4885781B2 (ja) 2007-03-30 2007-03-30 導電性ペースト

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007090546A JP4885781B2 (ja) 2007-03-30 2007-03-30 導電性ペースト

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008251324A true JP2008251324A (ja) 2008-10-16
JP4885781B2 JP4885781B2 (ja) 2012-02-29

Family

ID=39976031

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007090546A Expired - Fee Related JP4885781B2 (ja) 2007-03-30 2007-03-30 導電性ペースト

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4885781B2 (ja)

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010109541A1 (ja) * 2009-03-27 2010-09-30 株式会社日立製作所 導電性ペースト及びそれを用いた電極配線を具備する電子部品
JP2010287554A (ja) * 2009-05-15 2010-12-24 Mitsubishi Materials Corp 導電性組成物
WO2011090214A1 (ja) * 2010-01-25 2011-07-28 日立化成工業株式会社 電極用ペースト組成物および太陽電池
WO2011090215A1 (ja) * 2010-01-25 2011-07-28 日立化成工業株式会社 電極用ペースト組成物及び太陽電池
JP2011253867A (ja) * 2010-06-01 2011-12-15 Hitachi Chem Co Ltd ドナー元素拡散機能を有する電極形成用ペースト組成物、太陽電池セル、及び太陽電池セルの製造方法
JP2012069806A (ja) * 2010-09-24 2012-04-05 Hitachi Chem Co Ltd p型拡散層形成組成物、p型拡散層形成組成物の製造方法、p型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法
JP2012109314A (ja) * 2010-11-15 2012-06-07 Mitsubishi Materials Corp パワーモジュール用基板、冷却器付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びパワーモジュール用基板の製造方法
JP2012109315A (ja) * 2010-11-15 2012-06-07 Mitsubishi Materials Corp パワーモジュール用基板、冷却器付パワーモジュール用基板、パワーモジュールおよびパワーモジュール用基板の製造方法
JP2013168369A (ja) * 2013-02-28 2013-08-29 Hitachi Ltd 導電性ペースト及びそれを用いた電極配線を具備する電子部品
US8551368B2 (en) 2009-10-28 2013-10-08 Shoei Chemical Inc. Conductive paste for forming a solar cell electrode
EP2654087A1 (en) * 2012-04-17 2013-10-23 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken LLC Tellurium inorganic reaction systems for conductive thick film paste for solar cell contacts
EP2654086A1 (en) * 2012-04-17 2013-10-23 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken LLC Conductive thick film paste for solar cell contacts
WO2014052253A3 (en) * 2012-09-25 2014-07-03 E. I. Du Pont De Nemours And Company Conductive silver paste for a metal-wrap-through silicon solar cell
US9224517B2 (en) 2011-04-07 2015-12-29 Hitachi Chemical Company, Ltd. Paste composition for electrode and photovoltaic cell
JP2016066618A (ja) * 2010-01-25 2016-04-28 日立化成株式会社 電極用ペースト組成物及び太陽電池
US9390829B2 (en) 2010-01-25 2016-07-12 Hitachi Chemical Company, Ltd. Paste composition for electrode and photovoltaic cell
CN106098150A (zh) * 2016-08-30 2016-11-09 中国振华集团云科电子有限公司 低温烧结低银含量的电感器端涂银浆的配方及其制备方法
CN106328246A (zh) * 2015-06-19 2017-01-11 江苏正能电子科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池正银浆料
TWI603486B (zh) * 2015-09-14 2017-10-21 亞特比目股份有限公司 太陽電池及太陽電池之製造方法
TWI603483B (zh) * 2015-03-30 2017-10-21 亞特比目股份有限公司 太陽電池及太陽電池的製造方法
KR20190010644A (ko) * 2016-07-14 2019-01-30 아토비무 가부시키가이샤 태양전지 및 태양전지의 제조방법
US10252938B2 (en) 2011-07-04 2019-04-09 Hitachi, Ltd. Glass composition, glass frit containing same, glass paste containing same, and electrical/electronic component obtained using same

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08148032A (ja) * 1994-11-25 1996-06-07 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペースト
JP2005063708A (ja) * 2003-08-20 2005-03-10 Daiken Kagaku Kogyo Kk 導電性ペースト
JP2005070079A (ja) * 2003-08-21 2005-03-17 Taiyo Ink Mfg Ltd 感光性導電組成物およびプラズマディスプレイパネル
JP2006092818A (ja) * 2004-09-22 2006-04-06 Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd Pbフリー導電性組成物
JP2006347840A (ja) * 2005-06-17 2006-12-28 Hitachi Ltd 導電性接合部材、およびこの導電性接合部材を用いて接合されたスペーサを備えた画像表示装置
JP2007022853A (ja) * 2005-07-15 2007-02-01 Hitachi Ltd 導電性接合部材、およびこの導電性接合部材を用いて接合されたスペーサを備えた画像表示装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08148032A (ja) * 1994-11-25 1996-06-07 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペースト
JP2005063708A (ja) * 2003-08-20 2005-03-10 Daiken Kagaku Kogyo Kk 導電性ペースト
JP2005070079A (ja) * 2003-08-21 2005-03-17 Taiyo Ink Mfg Ltd 感光性導電組成物およびプラズマディスプレイパネル
JP2006092818A (ja) * 2004-09-22 2006-04-06 Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd Pbフリー導電性組成物
JP2006347840A (ja) * 2005-06-17 2006-12-28 Hitachi Ltd 導電性接合部材、およびこの導電性接合部材を用いて接合されたスペーサを備えた画像表示装置
JP2007022853A (ja) * 2005-07-15 2007-02-01 Hitachi Ltd 導電性接合部材、およびこの導電性接合部材を用いて接合されたスペーサを備えた画像表示装置

Cited By (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102318013B (zh) * 2009-03-27 2014-12-03 株式会社日立制作所 导电性浆料及具备使用其的电极配线的电子部件
US8945436B2 (en) 2009-03-27 2015-02-03 Hitachi, Ltd. Conductive paste and electronic part equipped with electrode wiring formed from same
DE112009004970B4 (de) 2009-03-27 2018-05-03 Hitachi, Ltd. Leitende Paste und elektronisches Bauteil, das mit einer daraus gebildetenElektrodenverdrahtung versehen ist
JP5215458B2 (ja) * 2009-03-27 2013-06-19 株式会社日立製作所 導電性ペースト及びそれを用いた電極配線を具備する電子部品
KR101269710B1 (ko) 2009-03-27 2013-05-30 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 도전성 페이스트 및 그것을 사용한 전극 배선을 구비하는 전자 부품
JPWO2010109541A1 (ja) * 2009-03-27 2012-09-20 株式会社日立製作所 導電性ペースト及びそれを用いた電極配線を具備する電子部品
WO2010109541A1 (ja) * 2009-03-27 2010-09-30 株式会社日立製作所 導電性ペースト及びそれを用いた電極配線を具備する電子部品
JP2010287554A (ja) * 2009-05-15 2010-12-24 Mitsubishi Materials Corp 導電性組成物
US10347787B2 (en) 2009-10-28 2019-07-09 Shoei Chemical Inc. Method for forming a solar cell electrode with conductive paste
US8551368B2 (en) 2009-10-28 2013-10-08 Shoei Chemical Inc. Conductive paste for forming a solar cell electrode
JP2011171272A (ja) * 2010-01-25 2011-09-01 Hitachi Chem Co Ltd 電極用ペースト組成物及び太陽電池
JP2011171274A (ja) * 2010-01-25 2011-09-01 Hitachi Chem Co Ltd 電極用ペースト組成物および太陽電池
WO2011090215A1 (ja) * 2010-01-25 2011-07-28 日立化成工業株式会社 電極用ペースト組成物及び太陽電池
US9390829B2 (en) 2010-01-25 2016-07-12 Hitachi Chemical Company, Ltd. Paste composition for electrode and photovoltaic cell
JP2016066618A (ja) * 2010-01-25 2016-04-28 日立化成株式会社 電極用ペースト組成物及び太陽電池
CN105006269A (zh) * 2010-01-25 2015-10-28 日立化成工业株式会社 电极用膏状组合物和光伏电池
WO2011090214A1 (ja) * 2010-01-25 2011-07-28 日立化成工業株式会社 電極用ペースト組成物および太陽電池
JP2011253867A (ja) * 2010-06-01 2011-12-15 Hitachi Chem Co Ltd ドナー元素拡散機能を有する電極形成用ペースト組成物、太陽電池セル、及び太陽電池セルの製造方法
JP2012069806A (ja) * 2010-09-24 2012-04-05 Hitachi Chem Co Ltd p型拡散層形成組成物、p型拡散層形成組成物の製造方法、p型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法
JP2012109315A (ja) * 2010-11-15 2012-06-07 Mitsubishi Materials Corp パワーモジュール用基板、冷却器付パワーモジュール用基板、パワーモジュールおよびパワーモジュール用基板の製造方法
JP2012109314A (ja) * 2010-11-15 2012-06-07 Mitsubishi Materials Corp パワーモジュール用基板、冷却器付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びパワーモジュール用基板の製造方法
US9224517B2 (en) 2011-04-07 2015-12-29 Hitachi Chemical Company, Ltd. Paste composition for electrode and photovoltaic cell
US10252938B2 (en) 2011-07-04 2019-04-09 Hitachi, Ltd. Glass composition, glass frit containing same, glass paste containing same, and electrical/electronic component obtained using same
US9029692B2 (en) 2012-04-17 2015-05-12 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc Tellurium inorganic reaction systems for conductive thick film paste for solar cell contacts
EP2654086A1 (en) * 2012-04-17 2013-10-23 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken LLC Conductive thick film paste for solar cell contacts
US9257578B2 (en) 2012-04-17 2016-02-09 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc Inorganic reaction system for electroconductive paste composition
EP2654085A1 (en) * 2012-04-17 2013-10-23 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken LLC Inorganic reaction system for electroconductive paste composition
EP2654087A1 (en) * 2012-04-17 2013-10-23 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken LLC Tellurium inorganic reaction systems for conductive thick film paste for solar cell contacts
US10014418B2 (en) 2012-04-17 2018-07-03 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc Conductive thick film paste for solar cell contacts
WO2014052253A3 (en) * 2012-09-25 2014-07-03 E. I. Du Pont De Nemours And Company Conductive silver paste for a metal-wrap-through silicon solar cell
US9246030B2 (en) 2012-09-25 2016-01-26 E I Du Pont De Nemours And Company Conductive silver paste for a metal-wrap-through silicon solar cell
JP2013168369A (ja) * 2013-02-28 2013-08-29 Hitachi Ltd 導電性ペースト及びそれを用いた電極配線を具備する電子部品
TWI603483B (zh) * 2015-03-30 2017-10-21 亞特比目股份有限公司 太陽電池及太陽電池的製造方法
CN106328246A (zh) * 2015-06-19 2017-01-11 江苏正能电子科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池正银浆料
TWI603486B (zh) * 2015-09-14 2017-10-21 亞特比目股份有限公司 太陽電池及太陽電池之製造方法
KR20190010644A (ko) * 2016-07-14 2019-01-30 아토비무 가부시키가이샤 태양전지 및 태양전지의 제조방법
KR102230367B1 (ko) * 2016-07-14 2021-03-19 아토비무 가부시키가이샤 태양전지 및 태양전지의 제조방법
CN106098150A (zh) * 2016-08-30 2016-11-09 中国振华集团云科电子有限公司 低温烧结低银含量的电感器端涂银浆的配方及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4885781B2 (ja) 2012-02-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4885781B2 (ja) 導電性ペースト
JP4600282B2 (ja) 導電性ペースト
US11161775B2 (en) Conductive composition, method for producing conductor, and method for forming wire of electronic component
US11174193B2 (en) Conductive composition and method for producing terminal electrode
TWI590417B (zh) 厚膜電阻體及其製造方法
JP5488282B2 (ja) 導電性ペースト
JP5988123B2 (ja) 抵抗組成物
TWI752170B (zh) 電阻器用組成物暨含有其之電阻器用糊膏及使用其之厚膜電阻器
JP6623919B2 (ja) 導電性組成物、導体の製造方法及び電子部品の配線の形成方法
JP5754090B2 (ja) ガラスフリット、およびこれを用いた導電性ペースト、電子デバイス
JP6351332B2 (ja) 低融点ガラス組成物を含む導体形成用組成物
JP2006196246A (ja) 導電性ペースト及びそれを用いた配線回路基板
JPH11130459A (ja) ガラス基板用導電性組成物および自動車用防曇窓ガラス
JP4635274B2 (ja) 導電性ペースト
WO2015194290A1 (ja) 導電性ペースト、及びガラス物品
JPH0541110A (ja) 導体ペースト
JP2018203550A (ja) 導体形成用Sb系ガラス組成物及びその製造方法
JP7390103B2 (ja) 抵抗体用組成物、抵抗ペースト、厚膜抵抗体
TWI796400B (zh) 厚膜導體形成用粉末組成物及厚膜導體形成用糊料
JP6836184B2 (ja) 厚膜導体形成用組成物および厚膜導体の製造方法
JP2012099453A (ja) 導電性ペースト
JPH06223617A (ja) 導電ペースト用組成物
JP2021193705A (ja) 厚膜抵抗体組成物及びそれを含む厚膜抵抗ペースト
JP2006196245A (ja) 導電性ペースト及びそれを用いた配線回路基板
WO2016017240A1 (ja) 導電性ペースト、及びガラス物品

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100324

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110921

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111206

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111208

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141216

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees