TWI283766B - Thin film transistor substrate and method of manufacturing the same - Google Patents

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TWI283766B TW093115238A TW93115238A TWI283766B TW I283766 B TWI283766 B TW I283766B TW 093115238 A TW093115238 A TW 093115238A TW 93115238 A TW93115238 A TW 93115238A TW I283766 B TWI283766 B TW I283766B
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Description

1283766 五、發明說明（2) 線22、2 〇閘極端電極1 5、閘極導線2、閘極導 ^ ^： ,τ: ^5(;}r" 1 q、Β Μ + ^ /及極導線27、靜電保護7L件 :二=保f導線4的附近。第5⑻圖係沿著第5⑷圖 中，A j1線所得的剖面圖。第4(a)圖（以及第5(a)圖） 為了：化，略圖顯示的薄膜電晶體 =㈣電極15ι極導線2、及閘極導線22。 圖及^及沒極端點3及8附近的結構將參考第4⑷、4⑻ S及第5(a)、5(b)圖說明。 驟中& = ί =的19作，開極導線材料。在間極導線光阻步 極導線2甲一、端點j和靜電保護導線4與在透明*板1上與閘 成ί，接著^冗積閑極絕緣膜5，並在其上形 電極）7 Ί /接者利用單層的銷形成汲極導線（包括沒極 端點8和源極電極9。形成個別的膜薄電晶體 二同時，間極導線2和沒極導線7經由 ί=: 靜電保護導線4。接著，閑極端點 鱼;括保端點電極16及覆蓋這些端點電極的極化膜17 點元件接觸窗12和13和1το組成的書素 緣膜11 一起形成。最後，靜電保護導線4和 及極端點3、8間的閘極和波極導線22和27被切斷以 々者最後的TFT基板1〇〇的邊緣從包括 的TFT基板20。分開靜電保護導線4和靜電保護二W 具有IT 0間極端點電極的閘極端點元 文件K日本專利公開號6_951 46，見第[咖]行二圖1 2131-6358-PF(N2);Ahddub.ptd 第7頁 1283766 圖式簡單說明 苐1 (a)和1 (b )圖係根據本發明的一實施例的薄膜電晶 體基板的實施例中的閘極端點附近的平面圖及第1 ( a )圖中 取自II-II線的剖面圖； 第2 ( a )和2 ( b )圖係根據本發明的一實施例的薄膜電晶 體基板的實施例中的汲極端點附近的平面圖及取自第2 ( a ) 圖中11 - I I線的剖面圖； 第3圖係顯示薄膜電晶體基板的端點附近的部^ 圖； 77千面 第4(a)圖和4(b)圖係習知薄膜電晶體基板的閉山 附近的平面圖及取自第4(a)圖中II-II線的剖面圖/端點 第5(a)圖和5(b)圖係習知薄膜電晶體基板的及山 附近的平面圖及取自第5(a)圖中II-II線的剖面圖。蛋端點 符號說明】 I 〇〜薄膜電晶體； II 6汲極端點電極； 1 2 2〜閘極導線； 127〜汲極導線； 1 5〜閘極絕緣膜； 1 7〜極化膜； 200〜TFT基板； 2 7〜汲極導線； 2〜閘極導線； 4〜靜電保護導線； 1〜透明基板； 11 5〜閘極端點電極； 11〜介層絕緣膜； 1 2 2〜閘極導線； 1 2和1 3〜接觸窗； 1 6〜汲極端電極； 1 9〜靜電保護元件； 2 2〜閘極導線； 2 8〜汲極導線； 3〜閘極端點；
2131-6358-PF(N2);Ahddub.ptd 第13頁 1283766

Claims (1)

  1. !283766 曰 修正' ^ 15238 六、申請專利範圍 薄膜電晶體基板，包括 一第一基板； 閘極導線，提供於上述一 緣形成的閘極端點； 丞扳上，具有沿著基板邊 一第一絕膜緣，提供於上述 述閘極導線； 第一基板上，用以覆蓋上 汲極導線，跨過上述閘極 緣形成的汲極端點； v線亚具有沿著上述基板邊 一第二絕緣膜，形成於上一 上述汲極導線；以及 辻第一、、、邑緣膜上，用以覆蓋 閉極和汲極端點電極，分 形成於上述閉極和汲極端點上的端點窗， 汲極端點的外側延伸， 、、、、並在上述閘極和 有在大亂中抗腐蝕特性的材質形成。 电位係由具 中上2述專利範圍第1項所述的薄膜電晶體基板，盆 點電極延伸至上沭閙★ 这閑極和汲極端 计、楚A /1述閘極和汲極端點的外側並連接至沪荽μ 述第一基板邊緣形成n緣導線的狀態下，切門=上 極。…及極&點的外側的部份上述閑極和沒極端點電 1中3上範圍第1或2項所述的薄膜電晶體基板， /、中上达/、有在大氣中抗腐蝕特性的材質係一透明 4·如申請專利範圍第3項所述的薄 貝。 中透明材質係ΙΤ0(氧化銦鈦）或ΙΖ0(氧化銦曰^體基板，其
    2131-6358-PFl(N2).ptc 第15頁 1283766 〜----案號93115238 六、申請專利範圍 月 曰 修正 5 ·如申請專利範圍第1或2項所述的薄膜電晶體 其中上述具有在大氣中抗腐蝕特性的材質係高熔金=板， 6 ·如申請專利範圍第5項所述的薄膜電晶體基相。 上述咼溶金屬係由包括Cr、Ti、Nb、V、W、Ta、 其 的族群中選出。 、、{if 7 · —種薄膜電晶體基板的製造方法，包括： 閘極導線形成步驟，沿著一第一基板的邊緣 ‘線； 成閘極 =-絕緣膜形成步驟，在上述第一基板上 、、、巴膜緣，用以覆蓋上述閘極導線； 或第一 述門ί 2 ί形成步驟’在上述第一絕緣膜上形成跨過上 極=點；Λ 極導線並具有沿著上述基板邊緣形成的汲 二絕在上述第-絕緣膜上形成-第 山勝而用以覆盍上述汲極導線； 部份：开;：3 ^『驟’ *上述閘極和汲極端點上的絕緣膜 I仂円形成閘極和汲極端點窗；以及 上述：L電；Γ成步驟’形成問極和没極端點電極，覆蓋 側和及極端點窗並延伸至上述閘極和汲極端點的外 抗腐二生沒極端點電極係由具有-在大氣中 8·如申請專利範圍第 造方法，复中，十i +弟7項所述的溥膜電晶體基板的製 ，、 在上述閘極或汲極導線形成步驟中，一邊 2131-635S-PFl(N2).ptc 第16頁 1283766 ΛΒ_^3115238
    六、申請專利範圍 緣導線在上述第一基板上沿著1 〜 形成步驟中，邊緣導線窗在上述形成；在上述端點窗 成；在上述端點電極形成步驟中，#豪導線上的絕緣膜上形 點電極用以延伸至上述閘極和沒極』f亡，閘極和汲極端 邊緣導線窗以連接至上述邊緣導線通過上述 成步驟之後接著係一端點電極切開牛二及上述端點電極形 閘極和汲極端點外部的上述 ；"驟，切開延伸至上述 C)如由咬奎閘和汲極端點電極部份。 1方法，戈8項所述的薄膜電晶體基板的製 ;ο ' ’、 /、在大虱中抗腐蝕特性的材質係一透明材 1』·如申凊專μ範圍第9項所述的薄膜電晶體基板的製 二)方法，其中透明材質係ιτο(氧化銦鈦）或120(氧化銦 11 ·如申請專利範圍第7或8項所述的薄膜電晶體美柄 =製造方法，其中具有在大氣中抗腐蝕特性的材質係高熔 金屬。 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項所述的薄膜電晶體基板的 製造方法，其中上述高熔金屬係由包括Cr、Ti、” W、Ta、Zr、或Hf的族群中選出。
    2131-6358-PFl(N2).ptc 第17頁
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