TWI281650B - Mask and method for manufacturing the same, method for manufacturing display, method for manufacturing organic electroluminescent display, organic electroluminescent device, and electronic device - Google Patents

Description

1281650 (1) 九、發明說明 [發明所屬之技術領域】 本發明是關於遮罩、及遮罩之製造方法、顯示裝置 之製造方法、有機電激發光顯示裝置的製造方法 '有機 電激發光裝置及電子機器。 本申請案對於2003年11月17日所提出之日本專利 申請第2003 - 386511號，主張優先權、在本文援用其內 容。 【先前技術】 例如，製造低分子全彩有機電激發光（ electroluminescent)顯示裝置的製程（pr〇cess)中，將 各色有機材料分別加以蒸鍍時，是使用遮罩進行圖案化 。日本特開 2 00 1 — 93 667號公報及日本特開 2 00 1 — 1 8 5 3 5 0號公報中，揭示有蒸鍍各色有機材料時，使用遮 罩進行圖案化的技術例。 日本特開 200 1 — 93 667號公報所揭示的技術中，使 用金屬遮罩作爲遮罩，而在使用永久磁鐵將作爲蒸鑛對 象物之玻璃基板和金屬遮罩予以密接的狀態下進行蒸鍍 。隨著玻璃基板的大型化，金屬遮罩亦需大型化，然而 金屬遮罩和玻璃基板之線膨脹係數差的影響很明顯，尤 其在玻璃基板的端部會出現金屬遮罩之貫穿孔（開口部 )和目標蒸鍍位置錯開的不良情形。另一方面，日本特 開2 00 1 — 1 8 5 3 5 0號公報所揭示的技術中，使用矽製遮罩 (2) 1281650 作爲遮罩，雖然其與玻璃基板的線膨脹係數差較小，但 是無法用永久磁鐵將玻璃基板和矽製遮罩密接。又，當 矽製遮罩或玻璃基板大型化時，這些矽製遮罩或玻璃基 板會明顯地受到彎曲變形（撓曲變形）的影響，難以在 矽製遮罩和玻璃基板呈密接的狀態下進行蒸鍍，會有通 過矽製遮罩之貫穿孔的蒸鍍粒子（蒸鍍物質）迴入矽製 遮罩和玻璃基板之間的情況，而造成精度不良無法圖案 化之不良情形。 【發明內容】 [發明之要旨]

本發明係有鑑於上述問題而開發者，其目的在於提 供一種使用具有貫穿孔之遮罩進行圖案化時，可一邊降 低遮罩或蒸鍍對象物之變形等的影響，一邊良好地施行 圖案化之遮罩及其製造方法，與使用該遮罩之顯示裝置 的製造方法、有機電激發光顯示裝置之製造方法、有機 電激發光裝置及電子機器。 爲了解決上述課題，本發明之遮罩具備：具有表面 及背面和貫穿孔的基板；和設置於上述基板之上述表面 及上述背面中的至少一面而控制該基板之形狀的膜。 根據本發明，由於在作爲遮罩基材之基板的至少一 面，設置用以控制基板形狀的膜，故可依據蒸鍍對象物 的形狀，控制基板的形狀而將蒸鍍對象物與遮罩密接。 因此，即使蒸鍍對象物或遮罩大型化時’也可一邊減少 -6- (3) (3)1281650 變形等的影響，一邊將蒸鍍物質優良地圖案化於蒸鍍對 象物上。 本發明之遮罩中，上述膜係對上述基板賦予應力’ 以調整該基板的彎曲變形。 藉由設置於基板的膜，可對基板賦予彎曲方向的應 力（拉引應力或壓縮應力）。因此，即使遮罩大型化， 而因本身重量導致彎曲變形（撓曲變形）增大時，其彎 曲變形也可獲得良好的矯正，而可與蒸鍍對象物密接。 本發明之遮罩中，上述貫穿孔係以預定圖案於上述 基板設有複數個，而上述膜係依據上述貫穿孔之上述預 定圖案而設置。 將形成於遮罩之貫穿孔的配置或大小等進行各種變 更時，遮罩（基板）之彎曲變形狀態會有變化的可能性 ’然而藉由依據形成於遮罩之貫穿孔的配置或大小等來 設置膜，可良好地矯正該遮罩的彎曲變形。因此，可提 昇遮罩之貫穿孔的配置或大小等設計的自由度，同時， 可於遮罩密接於蒸鍍對象物的狀態下進行蒸鍍。 本發明之遮罩中，依據上述基板的目標形狀，將上 述膜圖案化。 依據蒸鍍對象物的形狀，設定基板（遮罩）的目標 形狀時，藉由依據該目標形狀，將膜圖案化，可將依據 該膜圖案的應力（彎曲應力）賦予至基板，而形成具有 依據蒸鍍對象物之形狀的遮罩。 本發明之遮罩中，依據上述基板的目標形狀，設有 (4) (4)1281650 上述膜的膜厚分布。 依據蒸鍍對象物的形狀，設定基板（遮罩）的目標 形狀時，藉由依據該目標形狀，設定膜厚分布，可將依 據該膜厚分布的應力（彎曲應力）賦予至基板，而形成 具有依據蒸鍍對象物之形狀的遮罩。 本發明之遮罩中，上述膜具有：延伸於上述基板面 上之第1方向的第1膜圖案；和延伸於與上述第1方向 相交之第2方向的第2膜圖案。 例如：遮罩爲矩形時，基板面內之第1方向的彎曲 變形、及與第1方向相交之第2方向的彎曲變形明顯產 生的可能性很高，然而藉由以依據該彎曲變形之方向而 延伸之方式設置膜，可對遮罩賦予彎曲方向的應力，俾 可良好地矯正彎曲變形。 本發明之遮罩的製造方法，具有：在具有表面及背 面之基板的上述表面及上述背面中的至少一面，設置用 以控制該基板形狀之膜的膜形成步驟；和在上述基板設 置貫穿孔的孔加工步驟。 根據本發明，在作爲遮罩基材之基板的至少一面， 設置用以控制基板形狀的膜，故可依據蒸鍍對象物的形 狀，控制基板形狀，而可將蒸鍍對象物與遮罩密接。因 此，即使蒸鍍對象物大型化時，亦可一邊減少其變形等 的影響，一邊優良地將蒸鍍物質圖案化於蒸鍍對象物。 尤其是，在基板開設貫穿孔之前，先在基板設置膜，可 使用旋轉塗佈法等各種方法，順暢地進行膜形成步驟， -8- (5) (5)1281650 而不受貫穿孔之影響。 本發明之遮罩的製造方法中，將藉由上述膜形成步 驟而設置的膜加以圖案化後，再進行上述孔加工步驟。 在基板開設貫穿孔之前，將設置於基板上的膜施以 圖案化’可順暢地進行膜的圖案化處理而不受貫穿孔的 影響。 本發明之遮罩的製造方法，具有：在基板設置貫穿 孔的孔加工步驟；和在具有上述表面及背面之基板的上 述表面及上述背面中的至少一面，設置用以控制該基板 之形狀的膜之膜形成步驟；和 亦可先在基板設置貫穿孔後，再設置膜，此時，可 依據蒸鍍對象物的形狀，控制基板的形狀，並在蒸鍍對 象物與遮罩密接的狀態下，優良地將蒸鍍物質圖案化於 蒸鍍對象物。 本發明之遮罩的製造方法中，在計測關於藉由上述 孔加工步驟而設置貫穿孔之上述基板形狀的資訊後，依 據上述計測結果，設置上述膜。 藉由設置貫穿孔，相較於設置貫穿孔前，遮罩（基 板）的彎曲變形狀態會有變化的可能性，然而在基板設 置貫穿孔後，計測關於基板之彎曲變形等形狀的資訊後 ’依據該計測結果設置膜’可良好地矯正依據貫穿孔的 配置或大小等而變化之遮罩的彎曲變形 本發明之顯示裝置的製造方法具有：使用上述記載 的遮罩，在蒸鍍對象物上蒸鍍顯示裝置形成用材料之步 -9- (7) (7)1281650 在矽基板1 0上設置耐蝕刻膜3 0 (第1步驟）。 耐鈾刻膜3 0可設置於矽基板1 〇的至少第1面1。此 外，耐蝕刻膜3 0亦可設置於第2面2。第1 A圖所示的 例子中，耐蝕刻膜3 0係連續地設置於矽基板1 〇中包含 第1面1、第2面2及側面之整面。耐蝕刻膜3 0可由： 透過熱氧化處理（例如濕式熱氧化法）所產生的氧化矽 (Si02 )、氮化矽（Si3N4 )或碳化矽形成。或者，耐蝕 刻膜30也可以是藉由CVD法所形成的氧化矽膜或氮化 矽膜、或是藉由濺鍍法形成的金或鉻等所構成的膜。而 且，耐蝕刻膜3 0是控制本發明之基板1 〇之形狀的膜， 以此構成，進行用以控制基板1 0之形狀的膜形成步驟。 繼之，將第1步驟所設置的耐蝕刻膜3 0施以圖案化 (第1圖案化）（第2步驟）。 如第1B圖所示，設置於第1面1的耐蝕刻膜3 0係 依據應形成於矽基板10之貫穿孔（後述）圖案化，而將 貫穿孔相對應區域的耐蝕刻膜3 0予以去除，而形成複數 第1蝕刻開口部3。另一方面，設置於第2面2的耐蝕刻 膜3 0除了第2面2的邊緣區域2 A外，將大致全部予以 去除，而可形成較大的第2蝕刻開口部4。從第1、第2 鈾刻開口部3、4，露出矽基板1 0。第1、第2蝕刻開口 部3、4可利用光微影技術及蝕刻技術形成。 將耐蝕刻膜3 0圖案化後，如第1 C圖所示在矽基板 20上設置貫穿孔20 (第3步驟）。 貫穿孔2 0是以貫穿矽基板1 0之第1面1和第2面2 -11- (8) 1281650 的方式形成，且藉由使用YAG雷射或C02雷射等的雷 加工形成。貫穿孔2 0是藉由在第1蝕刻開口部3之相 應位置，即矽基板1 0的露出部，照射雷射光而形成者 本實施形態中，如第1 C圖所示，貫穿孔2 0的直徑係 小於第1蝕刻開口部3之直徑的方式形成。此外，就 穿孔20的形成方法而言，亦可適用將小硏磨粒子透過 射噴流加以碰撞之微噴射法（micro blast )、將側壁保 膜之形成和蝕刻交互進行的時間調控電漿蝕刻（ti modulation plasma etching)法、及使用鑽孔機等的機 加工法等。以此方式，進行於矽基板1 0設置貫穿孔 之孔加工步驟。在矽基板1 0形成貫穿孔2 0後，以耐 刻膜3 0作爲遮罩，從矽基板1 〇的第1面1及第2面 兩邊實施蝕刻（第4步驟）。 本實施形態中，進行結晶異向性蝕刻。亦即，矽 板1 〇的蝕刻具有結晶的面方位依存性，例如（1] 1 ) 面的鈾刻速度係小於（1 0 0 )晶面的鈾刻速度。如上所 ，本實施形態中，相對於矽基板1 0之第1面1及第2 2分別是（1 〇 〇 )晶面，蝕刻速度小於（1 1 1 )晶面。此 ，在第1面1側，蝕刻於第1蝕刻開口部3內部露出 (1 〇 〇 )晶面，擴大直徑比第1蝕刻開口部3小的貫穿 20之直徑。貫穿孔20藉由蝕刻進行的擴大停止於耐蝕 膜3 0的第1蝕刻開口部3。 以此方式，依據第1蝕刻開口部3的開口部20A 形成於矽基板1 〇的第1面1。在第2面2側，將露出 射 對 〇 以 噴 護 me 械 20 蝕 2 基 晶 述 面 時 的 孔 刻 係 於 -12- (10) (10)1281650 又，藉由在遮罩Μ的一部分形成薄壁部12，在遮罩 Μ和蒸鍍對性物呈密接的狀態下施行蒸鍍時，可施行與 遮罩Μ之開口部20Α大致相同面積的蒸鍍，藉由將貫穿 孔2 0形成錐狀，可將蒸鍍物質更順暢地蒸鍍於蒸鍍對象 物。然後，藉由厚壁部1 4維持具有薄壁部1 2之矽基板 1 〇的強度，此時，薄壁部1 2中雖會有明顯產生彎曲變形 的情形，然而藉由設置於該薄壁部1 2的膜3 0，即可矯正 基板1 〇 (薄壁部1 2 )的彎曲變形。 本實施形態中，膜3 0是藉由例如氧化矽所構成，該 氧化矽會發生壓縮應力。又，使用例如金或鉻取代氧化 矽作爲膜3 0，可賦予基板1 〇拉引張力。此外，如上所述 ，金或鉻可藉由濺鍍法設置於基板1 0上。因此，依照基 板1 〇的彎曲變形方向等，來選擇產生上述壓縮應力的材 料或產生拉引應力的材料。又，基板1 0中，設置膜3 0 的面不僅限於第1面（表面），當然亦可設置於第2面 (背面）。 此外，如第1Ε圖所示’復可按照需要將膜3 〇施以 圖案化（第2圖案化）（第5步驟）。 膜3 0的圖案化可利用光微影技術及蝕刻技術。亦即 ’在第1 〇圖所示狀態下的遮罩Μ上面，塗佈抗餘劑， 其後，依據光微影技術，將抗蝕劑圖案化，進行顯影處 理，然後，將膜30加以蝕刻，俾可將膜3〇圖案化成所 期望的圖案。又此時，爲了在具有貫穿孔2〇的基板]〇 上塗佈抗蝕劑，無法使用旋轉塗佈法等塗佈法，所以藉 -14- (11) (11)1281650 由將抗蝕劑形成噴霧狀態，使之保持電荷，並使用得以 在導電性表面進行塗佈的靜電塗佈裝置即可。 在此，亦可進行第5步驟（第2圖案化）前’計測 關於包含設有貫穿孔2 〇之基板1 〇 (即弟1 D圖所不狀態 下的基板1 0 )之彎曲變形量之形狀的資訊’然後，依據 該計測結果，設置膜3 0，將膜3 0施以圖案化，調整膜 3 0的膜厚分布。實際測量基板1 0的彎曲變形狀態，依據 該實際測量的結果，設置用以矯正彎曲變形的膜3 0，所 以可更加良好地矯正基板2 0 (遮罩M )的彎曲變形。此 外，基板1 〇的彎曲變形資訊係可使用例如週知的計測裝 置來計測，而該計測裝置可光學地測量基板1 〇的彎曲變 形。 此外，上述實施形態中，在參照第1 B圖說明的第2 步驟中，進行膜2 0的第1圖案化，接著，在參照第1 C 圖說明的第3步驟中，於基板1 〇設置貫穿孔，其後，依 據需要，在參照第1E圖說明的第5步驟中，將膜3 0進 一步實施可形成所期望之圖案的第2圖案化，然而，當 然，在參照1B圖說明的第2步驟中，亦可將膜3 0圖案 化成十字狀等所期望的圖案。亦即，在實施孔加工步驟 前，可將膜3 0圖案化。此時，亦可省略上述說明之第5 步驟，而該第5步驟包括：在具有貫穿孔2 0的基板10 上，使用靜電塗佈裝置塗佈抗蝕劑的步驟。 第2圖至第7圖是表示經由參照第1 E圖說明的上述 第5步驟’形成於遮罩Μ (基板1 〇 )上之膜3 0的圖案例 -15- (12) (12)1281650 。在此，遮罩Μ上，平面視之呈矩形狀貫穿孔（開口部 )2 0是以9行8列呈矩陣狀地設置複數個。此外，複數 貫穿孔（開口部）20分別依據後述顯示裝置的畫素排列 (條紋排列、三角形（delta )排列等），而排列成預定 圖案。 第2圖是表示在基板10之第1面1的整面設置膜30 的例子。亦即，相當於參照第1 D圖說明的遮罩Μ。第3 圖是表示在平面視之呈矩形狀基板10之第1面1，設置 具有：延伸於第1對角線方向（第1方向）之第1膜圖 案3 0 A ;和延伸於與第1對角線方向相交之第2對角線 方向（第2方向）之第2膜圖案3 0B的膜30的例子。 第4圖是表示以包圍參照第3圖說明之第1膜圖案 30A和第2膜圖案30B之方式，再設置框狀圖案30C的 例子。 第5圖是表示在平面視之呈矩形狀基板1 0上，設置 具有：延伸於寬度方向（第1方向）之第1膜圖案3 0D ;和延伸於與第1膜圖案3 0D之延伸方向大致直交的長 度方向（第2方向）之第2膜圖案30E之膜30的例子。 上述第2圖至第5圖中，當基板10爲矩形時，基板 面內之第1方向的彎曲變形、及與第1方向相交之第2 方向的彎曲變形明顯產生的可能性很高，然而藉由以沿 著彎曲變形方向而延伸之方式設置膜3 0，可賦予遮罩Μ 彎曲方向的應力，而良好地矯正彎曲變形。 第6圖是表示在基板1 0的大致中央部，設置平面視 -16- (13) (13)1281650 圓形狀膜3 0的例子。以此構成，即使基板1 0的中央部 凹陷而變形，亦可良好地矯正其變形。此外，膜3 0的圖 案並不侷限於上述例子，只要是可矯正遮罩Μ之彎曲變 形的圖案，即可採用任意圖案。又，上述實施形態中， 膜3 0係設置於第1面1，然而亦可設於第2面2，亦可 設於第1面1及第2面2兩者。 又，如第7圖所示，藉由在膜30設置膜厚分布，可 良好地矯正遮罩Μ的彎曲變形。尤其，當基板1 0中央部 產生凹陷的彎曲變形時，亦可將其中央部的膜厚增厚， 以朝外側依序變薄之方式令膜厚呈同心狀而變化。第 7 圖所示的例子中，中央部之圓形膜圖案3 0F的膜厚最厚 ，其周圍之環狀膜圖案30G的膜厚比膜圖案30F薄，更 外圍之膜圖案30H的膜厚又比膜圖案30G薄。 而且，基板1 0 (遮罩Μ )的彎曲變形狀態，是依據 板厚或板厚分布、基板1 0的材質、貫穿孔（開口部）2 0 的排列圖案、貫穿孔20的大小等而變化。因此，依據彎 曲變形狀態，進而依據基板1 0 (遮罩Μ )的目標形狀， 如參照上述第2圖至第7圖之說明所示，將膜3 0以各種 圖案施以圖案化，且設置膜厚分布。 第8圖是表示蒸鍍對象物之玻璃基板Ρ和遮罩Μ在 密接狀態下，來自蒸鍍源的蒸鍍物質，經由遮罩Μ的貫 穿孔2 0，蒸鍍於玻璃基板ρ的狀態圖。如第8圖所示， 遮罩Μ的彎曲變形可藉由膜3 0矯正，而玻璃基板Ρ和 遮罩Μ可良好地密接。因此，即使玻璃基板Ρ或遮罩Μ -17- (14) (14)1281650 大型化，亦可一邊降低其變形等的影響，一邊將蒸鍍物 質良好地圖案化於玻璃基板P。而且，由於遮罩Μ的一 部分是薄壁部1 2，故可進行與遮罩Μ之開口部20Α大致 相同面積的蒸鍍，而藉由將貫穿孔2 0形成錐狀，可將蒸 鍍物質更順暢地蒸鍍於玻璃基板P。而且，藉由厚壁部 1 4，可維持具有薄壁部1 2之矽基板1 0的強度。 此外，上述各實施形態中，是說明將遮罩Μ作爲蒸 鍍用遮罩，然而亦可使用作爲例如濺鍍用遮罩。 第9圖是表示使用本發明的遮罩Μ，將有機電激發 光顯示裝置形成用材料，蒸鍍於作爲蒸鍍對象物的玻璃 基板Ρ之狀態的模式圖。 第9Α圖中，在玻璃基板Ρ上形成薄膜電晶體等開關 元件，並以連接於該開關元件之方式設有陽極4 0。以連 接於該陽極4 0之方式，形成電洞植入層4 1及電洞輸送 層4 2。以密接於電洞輸送層4 2的方式，密接本發明之遮 罩Μ的上面（第1面）。在此，在遮罩Μ的薄壁部12, 形成有貫穿孔20 (開口部20Α )，令設置於有機電激發 光顯示裝置之畫素區域的有機材料（發光層）形成用材 料’通過設置於該薄壁部1 2的貫穿孔2 0，而在玻璃基板 Ρ上形成畫素圖案。而畫素形成部之薄壁部1 2的彎曲變 形’可藉由設置於該薄壁部12的膜30來矯正。 如第9Α圖所示，在遮罩μ和玻璃基板Ρ (電洞輸送 層42 )呈密接的狀態下，紅色（r )發光層形成用材料r 蒸鍍於玻璃基板Ρ上。在玻璃基板Ρ上，依據遮罩Μ的 -18- (15) 1281650 貫穿孔2 0 (開口部2 〇 A )，蒸鍍紅色！ R。 繼之，如第9B圖所示，挪移遮罩 板P的位置（或將遮罩Μ更換成其他遮 罩Μ與玻璃基板ρ (電洞輸送層42 )呈 將綠色發光層形成用材料（3蒸鍍於玻璃 璃基板Ρ上，依據遮罩Μ的貫穿孔2 0， 形成用材料G。 然後’如第9C圖所示，挪移遮罩 板Ρ的位置（或將遮罩Μ更換成其他遮 罩Μ與玻璃基板Ρ (電洞輸送層42)吴 將藍色發光層形成用材料Β蒸鍍於玻璃 璃基板Ρ上，依據遮罩Μ的貫穿孔2 0， 形成用材料Β。 如上所述，在玻璃基板Ρ上，形成 材料所構成的發光層43。 如第9D圖所示，藉由在發光層43 層44及陰極45，而形成有機電激發光顯 此外，本實施形態之有機電激發光 將含發光層之發光元件的發光從基板ρ 部的狀態，基板Ρ的形成材料除了透明 可透過光之透明或半透明材料，例如石 聚酯、聚丙稀酸酯、聚碳酸酯、聚酸 k e t ο n e )等透明的合成樹脂等。而廉價白々 丨光層形成用材料 Μ相對於玻璃基 罩Μ )，且在遮 L密接的狀態下， 基板Ρ上。在玻 蒸鍍綠色發光層 Μ相對於玻璃基 罩Μ )，且在遮 .密接的狀態下， 基板Ρ上。在ί皮 蒸鍍藍色發光層 由RGB3色有機 上形成電子輸送 示裝置Α。 顯示裝置A，是 側取出至裝置外 的玻璃外，還有 英、藍寶石、或 丨酮（poly ether )納纟5玻璃（s o d a -19- (16) (16)1281650 glass )尤其適合當作基板P的形成材料使用。 另一方面，從基板P和相反側取出發光時，基板P 亦可爲不透明，此時，可使用在氧化鋁等陶瓷、不鏽鋼 等金屬片上，實施表面氧化等的絕緣處理之熱硬化性樹 脂、熱可塑性樹脂等。 上述陽極的材料可由鋁（A1 )、金（Au )、銀（Ag )、鎂（Mg )、鎳（Ni )、鋅—釩（ZnV )、銦（In ) 、錫（Sn )等單體、這些的化合物或混合物、含金屬塡 料（filler )之導電接著劑等來構成，然而此處是使用 ITO ( IndUm Tin Oxide )。該陽極以透過濺鍍法、離子 電鍍、真空蒸鍍法來形成爲佳，而亦可藉由使用旋轉塗 佈機、凹版塗佈機（gravure coater)、刮刀式塗佈機（ knife coater)等的淫製程塗佈法（Wet process-coating) 、網版印刷（screen print )、印刷等方法來形成。 陽極的光透過率以設定爲8 0 %以上爲佳。 就電洞輸送層而言，將例如：咔唑（carbazole )聚 合物和TPD:三苯化合物一起蒸鍍，形成1〇至IQQQmm (以1 0 0至7 0 ο n m爲佳）的膜厚。 在此’電洞輸送層6的形成材料並無特別限定，可 使用眾知的材料，例如卩比n坐啉（p y r a ζ ο 1 i n e )衍生物、燒 丙胺（ally 1 amine )衍生物、二苯乙烯（st ii bene )衍生 物、三苯二胺（triphenyl diamine )衍生物等。具體而言 ，例如日本特開昭6 3 — 7 0 2 5 7號、日本特開昭63 — 1 7 5 8 6 0號公報、日本特開平2 —丨3 5 3 5 9號公報、日本特 -20- (17)1281650 開平2 — 1 3 5 3 、日本特開平 號公報中所記 物爲佳，其中 )聯苯較爲合 電洞植入 、聚四氫硫代 4 — N , N — _ 甲 基）鋁化合物 就其他方 法（噴墨法） 墨噴到陽極上 陽極上。亦即 材料之組成物 理及熱處理以 洞植入層）。 材料的組成物 的噴出噴嘴與 相對移動，一 而將該油墨滴 行乾燥處理， 成電洞輸送層 此外，就 噻吩等的聚噻 1 5虎A報臼本特開平2— 209988號公報 3 37992號公報、日本特開平3— 152184 載以一本一胺（t r i p h e n y 1 d i a m i n e )衍生 ，4’4 一雙（N(3 —甲基苯）一 n —苯胺基 適。 層的形成材料，可例舉：銅酞菁（C u P c ) 噻吩基苯撐、聚伸苯基乙烯、丨，〗一雙一（ 本基胺基苯基）環己烷、三（8 —羥基Cl奎啉 ’尤以使用銅酞菁（CuPc)爲佳。 法而言’電洞輸送層可利用例如液滴噴出 ’將含電洞植入、輸送層材料的組成物油 後，進行乾燥處理及熱處理，藉以形成於 ’將含上述電洞輸送層材料或電洞植入層 油墨噴到陽極的電極面上後，進行乾燥處 此方式，可在陽極上形成電洞輸送層（電 例如，將含電洞輸送層材料或電洞植入層 油墨充塡於噴墨頭（未圖示），令噴墨頭 陽極的電極面相對，一邊令噴墨頭和基板1 邊從噴出噴嘴控制每一滴液量的油墨滴’ 噴到電極面。繼之，將噴出後的油墨滴進 使組成物油墨所含的極性溶媒蒸發’而形 (電洞植入層）。 組成物油墨而言，可使用例如使聚乙二經 吩衍生物、聚苯乙烯磺酸等的混合物溶解 •21 - (18) (18)1281650 於異丙醇等的極性溶劑之構造。在此，噴出的油墨滴擴 散於親油墨處理後的陽極電極面上。另一方面，在經撥 油墨處理之絕緣層上面，油墨滴被彈回而沒有附著。因 此，即使油墨滴偏離預定之噴出位置，而噴到絕緣層的 上面，該上面也不會被油墨滴沾濕，而彈出的油墨滴則 會滾落到陽極5上。 就構成發光層的發光材料而言，可使用可溶於芴系 局分子衍生物、（聚）、對苯伸乙儲（paraphenylene vinylene )衍生物、聚苯衍生物、聚芴衍生物、聚乙烯基 咔坐、聚_吩（polythiophene)衍生物、菲衍生物、香 豆素系色素、若丹明系色素、其他苯衍生物的低分子有 機電激發光材料等。 此外，就電子輸送層而言，是由金屬和有機配位基 形成的金屬錯合物，理想的狀態是以將Alq3 (三（8 —羥 基喹啉）鋁錯合物）、Znq2 (雙（8 —羥基D奎啉）鋅錯合 物）、Bebq2 (雙（8 —羥基喹啉）鈹錯合物）、Zn — BTz(2 - （〇 —羥苯基）苯并噻唑鋅、茈衍生物等形成 10至1000nm(最好是1〇〇至700nm)的膜厚之方式蒸鍍 而積層。 陰極可藉由得以有效率地將電子植入電子輸送層之 低工作係數的金屬、最好是Ca、An、Mg、Sn、In、Ag 、Li、A1等單體’又這些的合金或化合物形成。本實施 形態中，形成以Ca爲主體的合金及以A1爲主體的反射 層之兩層構成。 -22- (19) (19)1281650 本貫施形態之有機電激發光裝置A是主動矩陣型， 貫際上是複數資料線和複數掃瞄線配置成格子狀，在配 置成适些資料線或掃瞄線所劃分之矩陣狀的各畫素，藉 由開關電晶體或驅動電晶體等驅動用TFT，連接上述發 光兀件。經由資料線或掃瞄線，供給驅動信號時，在電 極間流通電流，使發光元件發光，接著，光出射至透明 基板的外面側，使該畫素變亮。此外，本發明並不限於 主動矩陣型’ g然亦可適用於被動（passive)驅動型的 顯示元件。 此外’爲了對含電極的發光元件，遮斷從外部侵入 的大氣，故設置密封構件’然而在未圖示。密封構件的 形成材料例如有：玻璃或石英、藍寶石、合成樹脂等透 明或半透明材料。玻璃例如有：鈉錦玻璃（s〇da lime glass)、鋅驗玻璃（zinc alkali glass)、硼砂酸玻璃、 鋁矽酸玻璃、矽玻璃等。合成樹脂例如有··聚烯烴（ polyolefin )、聚酯、丙烯酸、聚碳酸酯、聚醚酮等透明 的合成樹脂等。 繼之，說明具備上述實施形態之有機電激發光顯示 裝置A的電子機器例。 第10A圖是表示攜帶電話之一例的斜視圖。第10A 圖中，符號1 〇 0 0表示攜帶電話本身，符號1 0 0 1表示使 用上述有機電激發光裝置A的顯示部。 第I 0B圖是表示手錶型電子機器的一例之斜視圖。 第1 0B圖中，符號Π〇〇表示手錶本身，符號Π 01表示 -23- (21) (21)1281650 第1A圖至第1E圖是用以說明本發明之遮罩之製造 方法的一實施形態圖 第2圖是表示本發明之遮罩的一實施形態之平面圖 〇 第3圖是表示本發明之遮罩的其他實施形態之平面 圖。 第4圖是表示本發明之遮罩的其他實施形態之平面 圖。 第5圖是表示本發明之遮罩的其他實施形態之平面 圖。 第6圖是表示本發明之遮罩的其他實施形態之平面 圖。 第7圖是表示本發明之遮罩的其他實施形態之平面 圖。 第8.圖是用以說明使用本發明之遮罩，將蒸鍍對象 物進行蒸鍍的狀態圖。 第9A圖至第9D圖是用以說明本發明之顯示裝置之 製造方法的一實施形態圖。 第10A圖至第10C圖是本發明之電子機器之一實施 形態的槪略構成圖。 【主要元件符號說明】 1 第1面（表面） 2 第2面（背面） -25- (22) (22)1281650 2A 邊緣區域 3 第1蝕刻開口部 4 第2蝕刻開口部 10 矽基板 12 薄壁部 14 厚壁部 2 0 貫穿孔 20 A 開口部 30 膜 30A、30D 第1膜圖案 30B、30E 第2膜圖案 30C 框狀圖案 30F、30G、30H 膜圖案 4 0 陽極 4 1 電洞植入層 4 2 電洞輸送層 43 發光層 44 電子輸送層 45 陰極 P 玻璃基板 Μ 遮罩 1 000 攜帶電話本體 1001、1101、1206 有機電激發光裝置 1100 手錶本體 -26 - 1281650 (23) 1 2 00 資訊處理裝置 1 2 02 鍵盤的輸入部 1204 資訊處理裝置本體

Claims (1)

1281650 _ (1) 舛年 >月^曰修(更)正替换頁 十、申請專利範圍 第93 1 3448 8號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國96年2月5日修正 1. 一種遮罩，其特徵爲具備：具有表面及背面和貫 穿孔的基板；和設置於上述基板之上述表面及上述背面 中的至少一面而控制該基板之形狀的膜。 2. 如申請專利範圍第1項之遮罩，其中，上述膜可 對上述基板賦予應力，以調整該基板的彎曲變形。 3 .如申請專利範圍第1項之遮罩，其中，上述貫穿 孔是以規定圖案而被多數設置在於上述基板，而上述膜 是因應上述貫穿孔之上述規定圖案而被設置。 4. 如申請專利範圍第1項之遮罩，其中，因應上述 基板的目標形狀，將上述膜圖案化。 5. 如申請專利範圍第1項之遮罩，其中，因應上述 基板的目標形狀，設有上述膜的膜厚分布。 6. 如申請專利範圍第1項之遮罩，其中，上述膜具 有：延伸於上述基板面上之第1方向的第1膜圖案；和 延伸於與上述第1方向相交之第2方向的第2膜圖案。 7. —種遮罩之製造方法，其特徵爲具備：在具有表 面及背面之基板之上述表面及上述背面中的至少一面， 設置用以控制該基板之形狀的膜之膜形成步驟；和在上 述基板設置貫穿孔的孔加工步驟。 1281650 r-—- )6年^月1曰修(更)正替換頁 (2) ---:__ 8 .如申請專利範圍第7項之遮罩的製造方法，其中 ，將藉由上述膜形成步驟設置的膜予以圖案化後，進行 上述孔加工步驟。 9 · 一種遮罩之製造方法，其特徵爲具備：在基板設 置貫穿孔的孔加工步驟；和在具有上述表面及背面之基 板之上述表面及上述背面中的至少一面，設置用以控制 該基板之形狀的膜之膜形成步驟。 1 〇 ·如申請專利範圍第9項之遮罩的製造方法，其中 ，計測關於藉由上述孔加工步驟而設置貫穿孔之上述基 板形狀的資訊後’依據上述計測結果，設置上述膜。 11· 一種顯示裝置之製造方法，其特徵爲具備：使用 申請專利範圍第1項之遮罩，在蒸鍍對象物上蒸鍍顯示 裝置形成用材料之步驟。 12·—種有機電激發光顯示裝置的製造方法，其特徵 爲具備：使用申請專利範圍第1項之遮罩，在蒸鍍對象 物上蒸鍍有機電激發光顯示裝置形成用材料之步驟。 13·—種有機電激發光顯示裝置，其特徵爲具備：使 用申請專利範圍第1項之遮罩，在蒸鍍對象物上蒸鍍有 機電激發光顯示裝®形成用材料之步驟。 1 4 · 一種電子機器，其特徵爲具備：藉由申請專利範 圍第11項之製造方法所製造的顯示裝置。