TWI276167B - A system and method for processing a substrate using supercritical carbon dioxide processing - Google Patents

Description

1276167 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 於—種半導職造技術，且尤關於 界c〇2處理從基板之上的微特徵部去除薄膜的半導體製 【先前技術】 達深ίίϊϊίϊίυ電子裝置之最小的特徵部尺寸即將到 3日1在f造動態，存取記紐（DRAM)裝置所需的ΐ溝電 渠溝電容器_，為了提供摻雜物f 雜的介電膜向外擴散_渠溝的側壁之中而形成電^二， 板，故將例如摻雜的二氧化石夕薄膜（例如推的：々^ 為石夕酸坤玻璃（ASG))等介賴沈積在渠亦稱 在目前的渠溝電容器技術中，渠溝的寬度 小’且渠溝之深度對直徑的深寬比例大至約 了利用具1完全垂直之侧壁的渠溝以外，為了增加j容器的 的渠溝電容器技術通常使用「瓶形」渠溝，1中二 溝的底部抛彳成比渠溝的頂部更寬。然而^ ^將木 在渠溝之中的薄膜。 成更難以處理位 【發明内容】 的系=====去=;阻膜 徵部，畝冬仞力做4主嫩划λλ⑻糸具有微特 Γΐ膜=;微=_壁之上的介電膜與： y丨電膜的先阻膜，且利用超臨界c〇2處理在 ^7之 膜去除處理，其中去除未被光_覆蓋的4 =弟-溥 在本發明之一實施例中，本方法更 6 1276167 利用超臨界c〇2處理而在基板 一 除光阻膜，射接續於第 ^^^二_去除處理，俾去 處理。 、弟賴去除處理之後執行第二薄膜去除 一在本發明之另一實施例中， rif ί?處理，俾去除光阻膜，其中上執行第 後執行弟二薄膜去除處理。 /、"只、、弟薄膜去除處理 在本發明之又一實施例中， 基板係具有微特徵部，包二在理基板用的方法，而 覆蓋於一部份之介電膜的井λ寺斂。卩的側壁之上的介電膜與 行第-薄膜去除處理，a中去用渥式處理在基板之上執 •膜’及利用超臨界c〇2處理在份之介電 俾去除光阻膜，1中接婷於笛 士執仃罘二薄膜去除處理， 去除處理。中接'，於弟1膜去除處理之後執行第二薄膜 提供一種薄膜去除系統，用虚 送系統，用以在薄膜去除系統統，基板傳 基板之上執行超臨界C0薄膜去除#理土 ^反腔至，用以在 部，包含介雷膜紗^除處理，而基板係具有微特徵 除處理係包括第—薄财除處理與第二薄膜 _介電膜且第二薄臈去除處理則接續於第的 ，光，C0細統，用以藉由超 腔至、各劑供應系統，用以將溶劑輸送到基板 二 用以控制薄膜去除系統。 夂控制為， 本發明之其它樣態及優料參肋下之詳細說明及圖示 ':月Ϊ原Ϊ的附圖而更加清楚。在圖式中，相似的參考符號指示i 似的兀件。 ^ 【實施方式】 在此使用「微特徵部」一詞代表形成在基板之中及/或形成 7 1276167 層么中的特徵部’其具有微米刻度的尺寸， “ϋΐί 亦即小於lMm。圖1Α為根據本發明之-者 二H、備位在渠溝賴壁之上的介電膜與覆蓋於 ^ 特徵部之橫剖面略圖。微特徵部二 塾iu匕魏璃，腦）、墊氮化膜m、 fmm 172.176 178^Γ： * 利用光刻處理與乾侧技術加以形成，而這些 且有ΐ ^ίΐ 技藝之人士所熟知。例示性的渠溝副 ;力2.2祕未或更小之寬度，且渠溝之深寬比例為％ : 1、甚至 。在圖1A中，蝕刻到矽基板178中的一 183 1S2 ί;二氧局部186的光阻膜184。介電膜182為’例如， 4。膜182與光阻膜184的沈積方法為熟悉本項技藝者所熟 二2 ’可以藉由旋轉塗佈光阻液使其進人渠溝18G之中且接 ^ Λ ^ 184 ° 5 iLt 184 p/v人士二電膜能夠終止在渠溝之中的程度。其次，從渠溝180去 除介電膜182之局部186。 彳f渠溝180去除外露的介電膜182之後，接續於從渠溝180 膜184。必須在免於對微特徵部，之中的其它材料造成 日的情況下執行光阻膜184的去除，包括墊氧化膜176、墊 m 172 ^ 182 ^ 心t發明之—實施例係提供—種利用超臨界二氧化碳（C〇2)處 ㈤仗破特徵部選擇性地去除薄膜之方法。在高於約31。〇的臨界 = ^T、C以亡且在大於約每平方吋丨，070表讀磅（Psig)的臨界壓 以上時’ C〇2流體係處於超臨界狀態當時。超臨界C〇2流體 貝示上不具黏性或表面張力，故因而可以毫無困難地完全深入到 8 1276167 S-ίίί-ί； ^ ' -- co2 濕式化學品經常在非常高溫下使^ __式化學品，而此種 用水超式處理所需的大量 而出現不會產生經常隨著渠溝之中的溼式處理 ，的至少—個_錄處理，相較於習知處 夠縮短總處理時間。 处里而口，係月匕 nn 11B為根據本發明之一實施例的在去除圖1A之枚特抒邻 184 細細182 ⑽ ^面，。根據本發明之-實施例，藉由使微特 „ CCV流體與溶解於超臨界c〇2流體 ^巨 CO ： t 182 186 2之中的弟一洛劑此夠在免於對光阻膜184與 中的其它材料造成嚴重影響的情況下破壞 ⑻。第一溶劑為，例如，包含叫溶液)或跡比 170持績接觸至懷臨界c〇2與第一溶劑，直到已藉於 特徵部17〇破壞/溶解介電膜⑽之局部18^加以^ 圖1C為根據本發明之一實施例的在去除目m 中的光阻膜184之後賴略圖。在本發明之= 光阻膜184暴露於超臨界C〇2流體與溶解於超臨界泣 的第二溶劑，俾能選擇性地從渠溝⑽之巾去除 ^體^ 於超臨界〇>2之中的第二溶劑係能夠在免於對微特徵部174〇3 的其它材料造成嚴重影響的情況下破壞/溶解光阻膜— 劑為，例如，包括N-曱基砒喀烷酮、二異丙基胺、而二二各 或二鹵化胺、或其中兩者或更多之一組合。 一/、丙基胺、 9 1276167 甲醇此1 卜醇第為苯t:更包含，下化學品之其中-個： 曱基亞楓、γ-丁酸内酉旨、-:丙_、，酸丁稀、碳酸丙烯、二 過氧化氫、過氧化苯、f 基乙醯胺、乳酸乙醋、 兩者或更多之-址合。抓、_、或曱酸、或其中 圍並非僅限於上述溶劑理解：本發明之範 於實現本發明之實施例而與化學品皆可用 徵部170持續接觸到&舴 1溝之中去除光阻膜184。使微特 由超臨界與第二溶_混合液，直到已藉 去除為止。 p寺敛邛170破壞/溶解光阻膜184並加以 中去= _，處理從渠溝康之 等兩者。 、 局°卩186，且接著去除（b)光阻膜184 式處例，連續地執行超臨界C〇2處理與渥 除光阻膜m ^ ’且藉祕式處理去 為’例如，利用例如氣氣酉参太、、六 .' 式處理 之酸槽。光阻膜184=兹液·ί (水溶液比°定、或册細$ 或更高之為t糊加朗大約靴 或Η20/03。〃化（M)的混合物糖液、職_3、 部，ίίί它if明f實施例並不僅限於處理具有渠溝之微特徵 形狀，亦“摅狀的ί特徵部’例如孔洞或其它複雜之幾何 τ根據本發明之實施例加以處理。 2Α之之一實施例的薄膜去除系統之概略圖。圖 轉合於基板^基板腔室謂，加熱器204， 浦210、溶^供廣㈣=么、2、统施、循環迴路208、循環泵 、心糸、、先212、为離皿214、液體/固體廢料收集皿 10 1276167 217、及液化/純化糸統219。利用（機械手臂）基板傳送系統269 在薄膜去除系統200之内傳送基板265。基板265為任一尺寸，例 如200mm基板、300mm基板、或更大之基板。 基板腔室250係包括腔室箱270、基板夾具260、及處理區 267，用以處理基板265。基板腔室250更包括注入喷嘴275，用 以將超臨界C〇2流體通入到處理區267之中。在超臨界c〇2處理 - 期間，使基板265位在處理區267之中，其中使用超臨界〇〇2流 • 體結合溶劑而從基板265之上的微特徵部去除薄膜。腔室加熱器 204係加熱基板腔室250且為加熱毯。 C〇2供應糸統206係包括C〇2供應皿216、微粒過濾器225、 # C〇2泵浦218、及C〇2加熱器220。溶劑供應系統212係包括化學 溶劑=222與224、及第一與第二高壓注入泵浦226與228。 ，由C〇2管線230使C〇2供應皿216 _合於循環迴路208。 C〇2管線230係包括位在c〇2泵浦218與循環迴路2〇8之間的加 熱器220。使循環泵浦210位在循環迴路2〇8之上，且循環迴路 =8在循環入口 232與循環出口 234處耦合於基板腔室25〇。分別 猎由溶劑供應管236與238使溶劑供應皿222與224耦合於循環 藉由排氣管線240使分離皿214耦合於處理腔室25〇。使液體 < =體廢料收集皿217_合於分離皿214。亦藉由回氣管線241 ，分離皿214耦合於液化/純化系統219。藉由液態c〇2管線243 使液化/純化系統219耦合於C〇2供應皿216。又，在場外的位 巧斤液化Λ純化純219，其接收氣體收集皿之中的排氣且 悲C02送回液態c〇2m之後。 、走使苐兵弟一過濾為Ml與223 |馬合於循環迴路2〇8。第一過 =2„21可為—細過濾器，爿如肋在清洗用流體抵達腔室250 ^盾^口 232之前，歧其中過濾⑽5叫粒子與更大之粒子。 慮^ 223可為一粗過濾、器，例如，用以在清洗用流體經由 展口 234離開腔至250之後’從其中過濾、2至3哗粒子與更 11 1276167 大之粒子。第三過濾器225使C〇2供應皿216耦合於〇〇2泵 21^。第三過濾器225，例如，用以在C〇2液體抵達循環^路2〇8 之前’先從其中過濾0·05μιη粒子與更大之粒子。 一使控制器290耦合於薄膜去除系統200的多個元件並與苴六 換資訊，包括基板腔室250、C〇2供應系統206、溶劑供應系 及基板傳送系統269。此外，使控制器29〇耦合於薄^险 、 200的閥件、泵浦、壓力計、加熱器、及溫度計並盥苴交換、資^ 控制器290不僅能夠監測薄膜去除系統2〇〇之輪出丫更 足以傳遞及控制薄膜去除糸統2〇〇之輸入的控制信號。° 悉f項技藝之人士應可清楚理解：薄膜去除系統2。〇更包 =件、控制電子科、及超臨界越處理线之典鮮 人嗜嘴275射藝 應可清楚理解：可以使注 份贺f 275形成為基板夾具的一部份而非腔室箱⑽的一部 薄膜薄系統2〇0更包含澄式處理系統280，設置在 =去=线200之中。使渔式處理系統28〇 _合於 : ϋΪΪ，統269並與其交換資訊。根據本發明之-實二例， 連、’地執行超臨界（^〇2處理盘渥式虛理而户糞 、 徵部去除薄膜。例如，如圖基ί265之上的微特 理去除介雷膜a 〃 斤不，藉由超臨界C〇2處 184 。〇2處理去除光:膜18二’且藉由超臨界 統，其為熟悉溼式處理技術之\\^28。0為習知的澄式處理系 圖。^圖實施例的薄膜去除系統之概略 系統201分開，但t有^ 統281與超臨界〇)2薄膜去除 薄膜去除系統2〇1係相同或界，薄膜去除系統2〇卜 臨界C02部，亦即1勺入之薄膜去除系統200的超 的所有元件。圖之中除了澄式處理系統谓以外 刀開的座式處理系統观係藉由本身的控制器（未 12 1276167 圖示）執行操作。 —以下說明目2A及圖2B所示之薄膜去除系統的操作。將用以 各納超臨界C〇2流體之部分的薄膜去除系統2⑻與2G1加熱到高 = 31°C之臨界溫度以上的溫度，例如藉由加熱器綱與22〇加熱。 本發明之一貫施例中，溫度在約31。〇至約2〇〇。〇之間。又，、、w 度在約4(TC至約12(TC之間。又，溫度在約机至約贼之間皿。 利用基板傳运系、統269將基板265設置在基板腔室25〇之中。 利用C02供應皿216與C〇2泵浦218將超臨 =遞之=。利用第-注入泵細或第二注入 通二: 产官f6或238從溶劑供應皿222或224將溶劑通入循 广Ϊ ί中。溶劑對超臨界C〇2與溶劑之組合的容積比例為， =二在約0.1%至約33%之間。其次，將系統加壓到二乍力為 =去除糸統200或2〇1之中的超臨界％壓力為 i，(mpsig至約6,_psig之間。在本發明之一實施例中在/ 5〇2壓力在約2,000psig至約2,5〇〇psig之間含 體循環過處理區267與循環迴路通直, 伙基板265去除預期的薄膜為止。 其次，帽對循環迴路2G8的溶劑供 c〇2從c〇2供應皿216流過處理_並 地不^沖洗處理區267與娜迴路规達預離: 壓力南於臨界壓力以上。預定之時間為，例如，在％ /'〇 秒之間，又，在約20秒至約6〇〇和、夕鬥^ ^ 心至、、々1200 :工以力包=广的賴步驟相:至地：° C〇2的臨界壓力以上。 4滅路細之中_力高於 具26ίί除=26碰且藉由基板傳送系請從基板夹 為了執行進—步的處理，故從基板腔室250將基板265傳送 13 1276167 到渔式處理系統280或281 ’且反之亦然。在從基板265之上的微 特徵部去除薄膜的澄式處理中，使基板265暴露於渔式處 =If ϋ的雛频。齡賴的情財，雜越能夠從 =反 ’Ί膜為’例如’叫_)流體。在光阻膜的情況 能夠從基板265去除光阻膜且為’例如’硫酸盘過 的ΐί物水溶液。在已執行預期之時間量的渔式處理而去 .^丨魏或光阻膜之後，則使用去離子水沖洗基板265並加以乾 ‘利用^ = = ’並不f ^式處理系統280或加，且 =ί:6:Η 溶= 的情況下，就將例如來自溶: 合。接著ίΐ迴路208而與超臨界C〇2流體結 處理區267與循U =，§/=劑的超臨界％流體循環過 著反覆執行ί中洗A採古，到攸基板265去除光阻膜為止。接 第二=為1處理’直到從處理區267與循環迴路篇沖洗掉

除處據之—實施例的簡化之一連串的介電膜去 的薄膜去除S ^賴去除處理300中，可以利用圖2Α之中 或座式= 之中的超臨界％薄膜去除系統J 3〇2時，處理開始。才攸^板士265之上的微特徵部去除介電膜。在 係JL右料4主^ 〇在312日守’將基板設置在基板腔室之中。 :二=:=位在微特徵部的側壁之上的介ί膜及ί-? 去除處理阻膜。在322時，在基板之上執行介ΐ; 處理結束。’于、被光阻膜覆蓋的-部份之介電膜。在332時，、 圖3Β為根據本發明之另—實施例的簡化之-連串的介電膜 14 1276167 去除處理之流程圖。在薄 的薄膜去除系統200或】2B之中，可以利用圖2A之中 或達式處理系統281從基 的超臨山界C〇2薄膜去除系統201 =時，處理開始。在^2時 去除介電膜。在 係包含微特徵部，可以料=在基碰室之中。基板 理。在372時，在美拓/ μ ^>^丨琶膜去除處理300加以處 .光阻膜。在382時^仃薄膜去除處理而從微特徵部去除 去除f里^光處理處理執行介電膜 ^4；33〇： f式處理執行介電膜去除處理3。 ’C二用 光阻膜去除處理350。 丑棚从界C02處理執订 絲實施本發明之實施例的電腦系統讀。電腦系 器290徒用刀而另i作為圖2A及圖2B之系統施及201之中的控制 I , 執仃上述之任一或所有的功能。電腦系統1201亦可 雷之中的濕式處理系統281的控制器（未圖示）使用。 糸、、先1201係包括匯流排12〇2或其它用以傳遞資訊的通信機 且包括處理器1203，與匯流排1202輕合而用以處理資訊。電 ，糸，12^1亦包括主記憶體12〇4，例如隨機存取記憶體（ram) 或其它動悲儲存裝置（例如，動態(DRAM)、靜態 、(SRA]\^、及同步DRAM ( SDRAM ))，耦合於匯流排〗2〇2而用 以儲存資A及供處理器1203執行的指令。此外，可利用主記憶體 1204儲存暫態變數或處理器12〇3執行指令期間的其它中間資 訊。電腦系統1201更包括唯讀記憶體（R0M) 12〇5或其它靜態 儲存裝置（例如，可程式R〇M( PROM )、可消除PROM( EPROM )、 及電性可消除PROM (EEPROM))，耦合於匯流排1202而用以儲 存靜態資訊及處理器1203所需的指令。 15 1276167 電腦系統1201 ,亦包括輕合於匯流排12〇2之磁 而用以控制儲存資訊與指令所需的一個或更存二 1207，1208 * 光碟機、§買出/寫人光碟機、光碟記錄庫、 及可_ ^貝 磁光碟機）。利用適當的裝置界面將儲存裝置附加 加強(MDE)、直接記憶體存取（dma)^3 。、 電月齒糸統1201亦包括特殊用途之邏輯梦 如、 路（ASICs))或可規劃之邏輯裝置（例如/簡單之 程式閘陣列（FPGAs)(未圖示;？及攔位可 數位信號處理器（職）（未圖示），例如德二之 ，的晶片、摩托羅拉之鹏_、Ds_儀 系義片ADSP2刚與A__ 比信號的ijri抓相於處理已改變聰位領獻 _if 的顯示器控制器 1203^«^； TotT^TtTf i=/。係提供由電腦細所储存=產生u 處職12G3，純行記㈣之中，例如 執個或更多之相的-個或更多個指令，而 丁本I月之邛伤或所有的處理步驟。 體，例如硬碟機1207或可移除之媒體驅動機謂ΪΙ匕讀 16 1276167 。亦可採用具有多卫處理配置的一個或更 奸二/執仃§己‘思體1204之中所含的—序列之指令。在另一 :::越：使用固線式電路取代軟體指令或與其組合。故，實 门亚非僅限於硬體電路與軟體的任一特定組合。 、 十咅、體，持2H1201係包括至少一電腦可讀取媒體或記 “槿=持根據本發明之教示所程式化的指令且用以包含資 ίΤΤ^ΤΚ〇Μ' ^ fAl EPR〇M> ^' > 波（如下^〇、:其它具有孔洞之職的實體媒體、载 電腦可從其中加以讀取的其它媒體。 儲存在任一個電腦可讀取媒體或其組合之太# 括用以控制電腦系統1201之軟體、用以驅動壯署^田本每月係包 本發明所需的裝置之軟體、及用以電實施 用者互動之軟體（例如處理系 自糸、、先1201而與人類使 限於此，裝置驅練體、ϋ彡'。$錄體包括，但並非僅 本發明之電腦碼裝置為任為分散的話）。 ，非僅限於此··可編譯程式、動態連結$ = 幾制^括但 式、及完全可執行程式。又，為了更佳的(^、爪唾級程 成本，可分散本發明之處理的零件。、此可罪度、及/或 在此，「電腦可讀取媒體1_詞# 器_加以執行的媒體。電腦可讀忿指令給處理 久性媒體、依電性媒體:及傳。’ ίί 2 1207或可移除之媒體驅動機⑽。依二如硬碟 11 ^ 17 1276167 光纖j括構成匯流排12〇2的配線。傳輸媒體亦可具有聲波或光 波之型，，例如在無線電波與紅外線資料通信期間所產生者。 在貝行個或更多之序列的一個或更多之指令而由處理器 1203 ^以執行時將涉及各種型態之電腦可讀取媒體。例如，一開 指令傳送到遠端電腦之磁碟之中。遠端電腦可遠距地將用以 貫施所有或一部份之本發明的指令載入到動態記憶體之中且利用 數據機通過電話線傳送指令。在電腦系統而之附近的數據機係 ，收電話線上的資料且利用紅外線發送器將資料轉變成紅外線信 耦合^匯流排1202的紅外線偵檢器係接收紅外線信號之中& 貧料士將資料放置於匯流排㈣之上。匯流排將資料送至 ^憶體1204,而處理器聰則從其中擷取並執行指令。在處理 之前或之後，可任意地將主記憶體12G4所接收的指 々儲存於儲存裝置12〇7或1208之中。 、上電腦系統1201亦包括耦合於匯流排12〇2的通信界面1213。 面1213係提供搞合至網路連結1214的雙向資料通信，而 路Ϊ2^^，丨Γ如，區域網路（LAN) 1215、或連接至另一通信網 附遥认/例如網際網路。例如，通信界面1213為網路界面卡，俾 二一封包交換LAN。就另一例子而言，通信界面1213為非 卡二;用^迴路（ADSL)卡、整體服務數位網路（ISDN) 與相對應型態之通信線路的資料通信連接。 在任一此種實施型態中，通信界面1213係 信號或各種資訊之數位資料流的電信號、電磁 料裝ίΞΐϊ、=4典型地經由—個或更多之網路而提供至其它資 (If ΛΪ Γ例如，網路連結1214係經由區域網路1215 路S而it，由f務供應商所操作的設備，其經由通信網 ϋίΐ ί服務，而提供至另一電腦的連接。區域網路 盆載，例如，電信號、電磁信號、或光信號， /、载k數位貝枓k ’與相關的實體層（例如，CAT5電纜、同轴電 18 1276167 境、光纖等等）。經由各種網 由通信界面12i3的伴，的^虎與網路連結1214之上且經 係實施成基頻信號/或載波從電腦系統1201， 脈衝加，位=== 藉由在ίίΐί:ΐ=。Γ利用數位資料來調變載波，例如 振幅^傳f某f而當作電磁波傳遞之 的丨通作營憎而合ΐ鍵L7虎。故，數位資料可經由「固線 載波而iX π未调變的基頻資料加以傳送及/或藉由調變 係經由網路1^5土鱼頻之頻帶之間加以傳送。電腦系統1201 二=二網rf :2r及通信界面1213而傳 電腦ϊί以的連接，例如個人數位助理⑽)、筆記型 中處H統=可用來執行本發明之方法而在薄膜去除系統之 特徵部^除薄超臨界c〇2系統而從微 中或有效地齡於超臨界①2薄膜去除系統的澄 ㈣ί然以上已詳細本發明之特^例示性實施例，但孰采太 i況ϊ之gd，解：只要在不脫離本發明之教示與優點的 之範圍係可本發明 【圖式簡單說明】 ，\為根據本發明之一實施例的包含具傷介 一部份之介賴的触歡渠溝賴躲部之糊㈣圖後息於 中的光之—實關的在去除w 1A之微特徵部之 甲的禾被盍的—部份之介電膜之後的橫剖面略圖。 19 1276167 圖ic為根據本發明之—實施例的在去除圖1B之 中的光阻敵制橫剖面略圖。 之叫试部之 圖2A為根據本發明之一實施例的薄膜去除系統之概略圖。 圖2B為根據本發明之另一實施例的薄膜去除系統之概略圖。 圖3A為根據本發明之_實施例的簡化之一連串的介電膜去 除處理之流程圖。 圖為根據本發明之另一實施例的簡化之一連串的介電膜 去除處理之流程圖。 圖4頦示用以實施本發明之各種實施例的泛用型電腦系統。 _【轉元件符號說明】 170 微特徵部 172 硬質遮罩 174 墊氮化膜 176 墊氧化膜 178 碎基板 18〇 渠溝 182 介電膜 183 侧壁 φ !84 光阻膜 186 局部 1201電腦系統 1202匯流排 ' 1203處理器 1204主記憶體 1205唯讀記憶體（ROM) 1206磁碟控制器 1207儲存裝置 1208可移除之媒體驅動機 20 1276167 1209顯示器控制器 1210 顯示器 1211 鍵盤 1212指向裝置 1213 通信界面 1214 網路連結 1215 區域網路（LAN) 1216 通信網路 ^ 1217可攜式裝置 200、201 薄膜去除系統 φ 204、220 加熱器 206 C02供應系統 208 循環迴路 210、218 泵浦 212 溶劑供應系統 214 分離瓜 216 C02 供應 m 217 液體/固體廢料收集皿 219 液化/純化系統 221、223、225 過濾器 * 222 ^ 224溶劑供應孤 226、228 高壓注入泵浦 230 C02管線 - 232 循環入口 234 循環出口 " 236、238 溶劑供應管 240 排氣管線 241，回氣管線 243 液態C02管線 21 1276167 250 基板腔室 260 基板夹具 265 基板 267 處理區 269 基板傳送系統 270 腔室箱 ^ 275 注入喷嘴 280 > 281 溼式處理系統 " 290 控制器 300、350 介電膜去除處理 步驟 φ 302、312、322、332、352、362、372、382

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Claims (1)

1276167 申請專利範圍 板βίϊίΓ步驟’在細去料狀i板腔室之中1Α s微特徵nr特徵部包含:-介電以ί 膜，且，，於」;以二::覆蓋於-第-局部的介電 膜去之j基第— 第二薄膜去除處理的執行步；，第及 财财^含《下步驟 薄 薄 膜去除處理，俾去除光阻膜 及 其中第-j除後執行、 行步驟中之至少-個包含利去除處理的執 1項之薄臈蝴統中的基板處理方法，盆中 膜的抑、ί除處理的執彳了步㈣含使基板絲於_去除介带 超臨界C02流體與-第—溶劑。 …云除電 3申圍第2項之薄膜去除系統中的基板處理方法，直中 邊弟一洛劑係包含水溶液或ηρ:π比咬。 W其中 範圍第2項之薄膜去除系統中的基板處理方法，其中 〇Λ 專膜去除處理的執行步驟更包含以下步驟： ” 错由超臨界c〇2流體加壓基板腔室； 輪送超臨界c〇2流體中之第一溶劑； 使用新的超臨界C〇2流體沖洗基板腔室。 23 1276167 11第2項之細去除系統中的基域理方法，复中 二二勺去;:執行步驟係、包含將超臨界％流體加熱到 兮第一範圍第2項之薄膜去除系統中的基板處理方法，1中 Ϊ 4(TC至約^執行步獅包含將超臨界％流體加熱到 範圍第2項之薄膜去除系統中的基板處理方法，盆中 範圍第2項之薄膜去除系統中的基板處理方法，其中 =====刪纖個购啦至約 第2項之_去除系統巾的基板處理方法，其中 Γοοο細Ιϊΐΐ處理的執行步驟係包含提供約2，__至約 •3，UUUpsig之間的_c〇2壓力。 1 中範圍第2項之薄膜去除系統中的基板處理方法，其 财第—㈣德合的容積比例在 ΐϊ2ίίΐ32項之薄膜去除系統中的基板處理方法，其 m、、¥_、去除處理的執彳了步懸、包含使基板暴露於超臨界 C〇2肌體與弟—溶劑_ 10秒至約1200秒之間的一期間。 12·如申請專利範圍第2項之薄膜去除系統中的基板處理方法，其 24 1276167 二;亥d?去轉理職行倾係包含使基減露於超臨界 2/瓜體與弟一溶劑達約20移、至約600秒之間的一期間。 其 1 中ί1 2 3 4 5狀細去I魏㈣基祕理方法， αΤ、、續ίΐ去ΐ處理的執行步驟係包含使基板暴露於超臨界 2飢-，、弟一溶劑達約3〇秒至約18〇秒之間的一期間。 2項之薄膜去除系統中的基板處理方法，其 光^膜的執行步驟係包含使基板暴露於能夠去除 尤丨且胰的起Bs界C〇2流體與一第二溶劑。 1 中6 7ίΐ請圍第15項之薄膜去除系統中的基板處理方法，其 含甲醇、乙醇、異丙醇、苯甲醇、丙酮、碳酸 ΐίϋ旨、過氧化氫、過氧化苯、氧、臭氧、硝酸、 酉曰酉文、或曱酸、或其中兩者或更多之一組合。 25 1 中第14項之薄膜去除系統中的基板處理方法，其 2 ^第一厚膜去除處理的執行步驟更包含以下步驟·· 3 藉由超臨界co2流體加壓基板腔室； 4 輸送超臨界C〇2流體中之第二溶劑； 5 使基板暴絲超臨界C02流體與第二 6 的介電膜去除光阻膜為止；及 从弟局4 7 使用新的超臨界c〇2流體沖洗基板腔室。 1276167 其 1 中14項之細去_斜的基板處理方法，1 約的執行步驟包含將超臨界co⑹體加熱到 其 6,000pS1g 之間的一 c〇2 壓力。 u U 2中14項之薄膜去除系統中的基板處理方法，其 嫩議2娜_㈣ 2中3tfft利侧第14項之_去_統巾的基域理方法，直 約界CQ2域與帛二溶歉組合的容積比例在 24. 如申請專利範圍第14項之薄膜去除系統中的基板處理方法，直 中該^賴去除處理的執行步驟包含使基板暴露於超臨界c〇、 流體/、弟一溶劑達約10秒至約12〇〇秒之間的一期間。 25. 如申請專利範圍第14項之薄膜去除系統中的基板處理方法，其 26 丄 276167 驟包含使基板 600秒之間的一期間 暴露於超臨界C〇 2中14項之薄膜去除系統中的基板處理方法，立 流體與第二溶‘====，臨界⑺2 其 中該微特去除系統中的基板處理方法， 匕3 1佐小於約〇·2微米的渠溝。 中兮範圍第1項之薄膜去除系統中的基板處理方法，苴 亥雜_包含深度對錄之深寬_大於約⑻=溝其 中1項之薄膜去除系統中的基板處理方法，直 从特被雜包含深度對餘之深寬_大於約5G:丨的渠溝、。 3中基板處理方法，其 3ϋ申請ί利範圍第2項之薄膜去除系統中的基板處理方法，a ^弟一 /專膜去除處理的執行步驟包含利用溼式處理去除光阻 0 32>、申請專利範圍第31項之薄膜去除系統中的基板處理方法，其 中該溼式處理係利用硫酸與過氧化氫、HF/HN〇3、或氏〇/〇二 混合物水溶液。 3、 33.如^凊專利範圍第丨項之薄膜去除系統中的基板處理方法，其 中該弟一薄膜去除處理的執行步驟包含使基板暴露於能夠去除光 27 1276167 阻膜的一超臨界c〇2流體與一第二溶劑。 3二2 圍第3 3項之薄膜去除系統中的基板處理方法，其 或二齒化胺、或其中兩者或更多之組合。 土妝 圍第34項之薄膜去除系統中的基板處理方法，其 ΐΐ 包含T乙醇、異丙醇、苯曱醇、_、碳酸 曱苯、㈣氧、硝酸、 33項之薄膜去除系統中的基板處理方法，其 甲一溥膜去除處理的執行步驟更包含以下步驟： 藉由超臨界c〇2流體加壓基板腔室； 輸送超臨界c〇2流體中之第二溶劑； 除光露Γ臨界c〇2流體與第二溶劑，直到從介電膜去 使用新的超臨界c〇2流體沖洗基板腔室。 3中請ίΐη第33項之薄膜去除系統中的基板處理方法，其 3 Γ執行步驟包含將超臨界co顧加熱到 3中f33項之_紙钱巾的基域理方法，盆 二。的執打步驟包含將超臨界c〇2流體加_ 其 39·如申明專利範圍第％項之薄膜去除系統中的基板處理方法， 28 1276167 的執行步驟_超臨界吸趙加熱到 圍第33項之薄膜去除系統中的基板處理方法，其 一'、去除處理的執行步驟包含提供約至約 6,000psig之間的_ c〇2壓力。 圍第33項之薄膜去除系統中的基板處理方法，其 步職含細释ig至約 m睛、=^第33項之薄膜去除系統中的基板處理方法，其 Sir至=titGQ2崎㈣狀齡_比例在 4中 33項之薄膜去除系統中的基板處理方法，其 、、*i盗·W t地理的執行步驟包含使基板暴露於超臨界C02 I體/、弟一洛蜊達約10秒至約1200秒之間的一期間。 33項之薄膜去除系統中的基板處理方法，其 ^食第\ :=理的執行步驟包含使基板暴露於超臨界co2 級體，、弟—洛蜊達約2〇秒至約6〇〇秒之間的一期間。 4中ΐ第申Γ3項之_统魏㈣基域理方法，其 、、^鱼第’i理的執行步驟包含使基板暴露於超臨界co2 抓體/、乐—洛蜊達約30秒至約180秒之間的一期間。 目g 33項之細去味财的基板處理方法，豆 中以弟桃去除處理的執行麵包含利㈣式處理去除第二局 29 1276167 部的介電膜 47·如申请專利範圍第46項之薄膜去^ ώ 中該溼式處理利用HF水溶液、^f或理方法’其 48·-種^去除线巾的基板處财法，包含町 ❿ 局:二::覆蓋於-第-局部的“ 弟薄膜去除處理的執行步驟，藉由#美;異+ 在基板之上執行-第-薄膜去除處理； 後，ί 處理的執行步驟’在第一薄膜去除處理之 二溶“在i板SSS界Γ流體與-第 ㈣土界C。2流體之溫度與壓力的保持步驟，在第-盘第- 又且保持在約l，〇7〇pSlg至約6，_psig之間的—塵力。 4中9ί；^利f鮮48項之_去除纽巾的基減理方法，里 中顧特_包含直徑小於約〇 2微米的渠溝。*万沄/、 中,圍第48項之薄膜去除系統中的基板處理方法，立 中姻寺徵部包含深度對直徑之深寬比例大於約i〇 : ι的二：、 中域帛48項之舰去除祕巾的基域理方法，其 中该雜域部包含深度對直徑之深寬比例大_ 50 : i的渠^冓Γ 30 1276167 5ϋ!請專利範圍第48項之薄膜去除系統中的基板處理方法，並 中该介電膜包含摻砷的二氧化矽薄膜。 /、 利範㈣48項之薄膜去除系統中的基板處理方法，且 J := 一:劑包含HF水溶液或HF:如定，且其中該第二溶劑包含 中兩;Si組:異丙基胺、三異丙基胺、或二鹵化胺、或其 中;第4 8項之_去除系統巾的基板處理方法，其 品界C〇2流體保持在約40°C至約12CTC之間的一溫度。 5中5=細第48歡賊絲純巾絲域理方法，置 中將该超臨界C〇2流體保持在約机至約啊之間的—溫 其 5中，Γ8項之薄膜槪魏巾的基板處理方法，美 - C〇:J;界2流體保持在約2,〇〇〇PSig至約3，_晌之間的 組合的容積比例在約〇.1%至約现之間。4料—洛劑之 58.一種電腦可讀取媒體’包含供一處理器執 處理器執行該程式齡時，促使_去料、ϋ〗，而當 種電腦可讀取媒體，包含供一處理器 該程式指令時，促使薄膜去除_彳當 圍弟你項之賴去除系統中的基板處理方法中之步驟甲广專利耗 31 1276167 6α—種ίίί除系統，用以處理一基板，包含： - i板腔以】以if膜去Ϊ系統之内傳送基板； 介電膜之且tff支部，包含—介電膜與覆蓋於一部份的 -薄膜去除處理盘」第U=c〇2薄膜去除處理包括-第-膜去除處理你田、、f—溥膜去除處理的至少其中之一，而第一簿 除處理則接續於g 膜覆蓋的介電膜，且第二薄膜去 一 去除處理之後用以去除光阻膜； •約l〇70psig之^力的31°C之溫度且具有至少 -溶劑供廡界C〇2流體輸送到基板腔室，· 基板腔室；及…、、、赠—賴隨著雜界co2流體輸送到 -控制n ’用以控卿膜去除系統。 61·如申請專利範圍第6〇項之薄膜 用以提供溶劑對超臨界叫流體^齊g 該溶劑供應系統 O.l0/G至約33%之間。 ’、之、'且5的—容積比例在約 修62.如申請專利範圍第6〇項之薄膜去 持超臨界C〇2流體與溶劑接觸到基板的在、^控制器用以保 秒之間。 4間在約10秒至約1200 ' 63.如申請專利範圍第6〇項之 .=設置在_去_統之巾或猶合於式處理系 處式處理系統用以執行第一薄膜去‘或第二=除 溼式處理系統 64.如申請專利範圍第63項之薄膜去除系統，其中該 32 1276167 用以利用HF水溶液、HF:吡啶、或HF/NH4F執行第一薄膜去除處 理。 65.如申請專利範圍第63項之薄膜去除系統，其中溼式處理系統用 以利用硫酸與過氧化氫、hf/hno3、或h2o/o3的混合物水溶液執 行第二薄膜去除處理。 十一、圖式：

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