TWI274968B - Composition for stripping and cleaning and use thereof - Google Patents

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TWI274968B TW094121958A TW94121958A TWI274968B TW I274968 B TWI274968 B TW I274968B TW 094121958 A TW094121958 A TW 094121958A TW 94121958 A TW94121958 A TW 94121958A TW I274968 B TWI274968 B TW I274968B
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Description

1274968 九、發明說明： 相關申請的交又參考 本申請要求享有2004年7月i曰提交的美國臨時申, 60/584733的優先權。 月 發明所屬之技術領域 …纟發明公開了-種能夠從物品上剥除殘餘物如光阻南! t和/或㈣殘餘物的組合物，還公開了 —種利用在此公開^ 組合物從物品上剝除殘餘物的方法。 先前技術 、在1備微電子結構的過程中包括多個步驟。在製備積體 電路的製備方案十，有時需要選擇性韻刻半導體的不同表 面。在歷史上，已經成功地不同程度地利用多種非常不同 類型的钱刻工藝以選擇性地清除材料。此外，在微電子結 •構中不同層的選擇性的钱刻被認為是積體電路製備工藝中 關鍵性和決定性的步驟。 = 越來越多地，活性離子钱刻（RIE)在通孔、金屬線和 溝槽製備過程中是選擇用於圖案轉移的工藝。例如，複雜 半導體器件如高級⑽趣和微處理器利用細製備通 孔、金屬線和溝槽結構，該半導體器件需要多層後端佈線 的互連線路。利用通孔經由層間電介質以使得一級石夕、石夕 化物或金屬線與下一級金屬線之間接觸。金屬線是用作器 件互連的導電結構。溝槽結構用於金屬線結構的形成。通 1274968 孔、金屬線和溝槽結構典型地使金屬和合金如八卜ai^u、 Cu、Ti、TiN、Ta、TaN、W、TiW、矽或矽化物如鎢鈦 或鈷的矽化物曝露。RIE工藝典型地遺留（複雜混合物的） 殘餘物，該殘餘物可包括用於光微影化地定義通孔、金屬 線或溝槽結構的再濺射氧化物材料以及來自光阻劑和抗反 射塗層材料的可能的有機材料。 因此希望提供能夠剝除殘餘物如殘餘的光阻劑和/或加 工殘餘物如利用電衆和/或RIE選擇性蚀刻導 選擇性清洗組合物和1。此外，還希望提供能夠 餘物如総劑和姓刻殘餘物的選擇性清洗組合物和工蔽， 該清洗組合物和工藝相比金屬、高k介電材料、石夕、:化 物和/或層間介電材料對殘餘物具有高度選擇性，其中該 層間二電，料包括低k介電材料如也會曝露於清洗組合物 下的/儿積氧化物。希望提供與這種敏感低^薄膜如Η :…、黑金剛石和侧（四乙基石夕酸鹽）相匹配的 以及可以一起使用的組合物。 發明内容 在此Α開的組合物能夠從基材上選擇性 如光阻劑和加工殘铪铷^ 1 , %陈茂俅物 何不希望計為 也曝露於組合物下的任 +布2被 冗钱的金厲 /八 低k和/或高k介電材料。此外， 在此A開的組合物可 刻速率。 T具有某種介電材料如氧切的最小姓 在此也公開了一稽 足基材上剝除含有光阻劑和/或姓刻 (8 6 1274968 該方法包括使基材和在此公開的 殘餘物的殘餘物的方法 組合物接觸。 實施方式 -種組合物和包括該組合物的方m選擇性地剝除 ?餘物如光阻劑和/或加工殘餘物如通過钱刻、特別是活性 =子❹i產生的殘餘物。在包括用於微電子器件的基材的 月洗方法中，要剝除的典型雜質可包括例如有機化合物、 無機化合物、如有機金屬殘餘物和金屬有機化合物的含金 屬：合物、離子的和中性的、輕的和重的無機（金屬）類、 =伤、和不溶性材料，包括由諸如平面化和蝕刻工藝的工 藝產生的粒子；所述有機化合物為例如曝光的和/或灰化的 •光阻劑材料、灰化的光阻劑殘餘物、υν^ χ射線硬化的 光阻劑、含C_F的聚合物、低和高分子量聚合物和其他有 機姓刻殘餘物；所述無機化合物為例如金屬氧化物、來自 鲁化學機械平面化（CMp)聚料的陶竟粒子和其他無機姓刻 殘餘物。在一個具體實施方案中，剝除的殘餘物是加工殘 - 餘物如由活性離子蝕刻產生的那些殘餘物。 ^ 在基材上通常存在的殘餘物還包括金屬、矽、矽酸鹽和 /或層間介電材料如沉積的氧化矽和氧化矽衍生物如 HSQ、MSQ、FOX、TEOS和旋塗玻璃、化學氣相沉積介電 材料、和/或高k材料如矽酸铪、氧化铪、鈦酸鋇鳃（BST)、 Ti〇2、Ta〇5，其中殘餘物和金屬、矽、矽化物、層間介電 材料、低k和/或高k材料都與清洗組合物接觸。在此公開 1274968 的組合物和方法用於選擇性地剝除殘餘物如光阻劑、 Γ二、間隙填充物、和/或加工殘餘物，而不會顯著地侵 、’、石夕、二氧化石夕、層間介電材料、低让和/或高 料。在某些實施方案中，基材可以包括金屬例如但不局限 於銘、銘鋼合金、銅、銅合金、鈦、一氮化欽、组、—氣 化组、鎢、和/或鈦/鎢合金。在一個實施方案巾，在此公開 的組合物適用於含有敏感低k薄膜的基材。
在此公開的組合物可包括5至95wt%或i 〇至8〇wt%的 水溶性有機溶劑。在一個實施方案中，該組合物可含有大 量一種或多種水溶性有機溶劑（即5〇wt%或更多）和少量 水（即少於50wt%)。在可替代的實施方案中，該組合物 可含有大量水（即50wt%或更多）和少量一種或多種水溶 性有機溶劑（即少於50wt% )。 水/谷有機溶劑包括有機胺、醯胺、亞颯、颯、内醯胺、 米坐琳酮、内酯、多元醇、二醇驗、二醇等。典型地可與 水’谷的有機溶劑通常用於清除和清洗應用的製劑中。有 機胺的實例包括一乙醇胺（MEA )、N_甲基乙醇胺（nme A )、 1,2乙一胺、2_(2-胺基乙基胺基）乙醇、二乙醇胺、二丙 胺、2·乙胺基乙醇、二曱胺基乙醇、環己胺、苄胺、吡咯、 吡咯烷、吡啶、嗎啉、呱啶、唑等。醯胺的實例包括n，n_ 二曱基曱醯胺、二曱基乙醯胺（DMAC )、二乙基乙醯胺等。 亞颯的實例包括二甲基亞砜。砜的實例包括二甲基颯和二 乙基礙。内醯胺的實例包括曱基_2_^洛烧酮和味嗤琳 綱。内醋的實例包括丁内酯和戊内酯。多元醇的實例包括 d： 1274968 乙一醇、丙一醇、乙一醉早甲鱗乙酸酯、一縮二而一 J —醇甲 基醚和一縮三丙二醇甲基_。有機溶劑的其他實例選包括 但不限於N-甲基吡咯烷酮（Pyrr〇iidinone) ( NMP )、二甲美 甲醯胺、N-甲基甲醯胺、甲醯胺、二甲基_2_呱啶_ 土 (DMPD )、四氫糠醇或多官能化合物如羥基醯胺或胺基 醇。上述列舉的有機溶劑可以單獨使用或者兩種或多種溶 劑混合使用。 在特定實施方案中，水溶性有機溶劑可以是二醇醚。該 一醇醚可包括二醇單（Ci_C6)烷基醚和二醇二烷 基醚，例如但不限於（CrCw)鏈烷二醇、（Ci_c6)烷基醚 和（Ci-C^o)鏈烷二醇二（Ci_c6)烷基醚。二醇醚的實例 為乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、乙二醇 一甲醚、乙二醇二乙醚、二甘醇單甲醚、二甘醇單乙醚、 二甘醇單丙醚、二甘醇單異丙醚、二甘醇單丁醚、二甘醇 單異丁_ 一甘醇單苄基鱗、二甘醇二甲ϋ、二甘醇二乙 鱗、三甘醇單甲驗、三甘醇二甲鱗、聚乙二醇單甲醚、二 甘醇曱乙醚、二甘醇乙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚 乙IS曰丙一醇單甲醚、丙二醇二甲醚、丙二醇單丁醚、 丙醇單丙醚、一縮二丙二醇單甲醚、一縮二丙二醇單丙 醚 縮一丙二醇單異丙醚、一縮二丙二醇單丁醚、一縮 二丙二醇二異丙醚、二縮三丙二醇單曱醚、丨_甲氧基_2_丁 醇、2-甲氧基]丁醇、2_甲氧基m丁醇、二甲氧 基乙烷i 2-(2-丁氧基乙氧基）乙醇。二醇醚更典型的實例是 丙一醇單甲輕、丙二醇單丙驗、二縮三（丙二醇）單甲鍵 9 !274968 阻劑層經受等離子蝕刻，由此將圖案轉移到基材上。在蝕 刻階段產生蝕刻殘餘物。用於本發明的一些基材進行灰化 而—些不進行灰化。當對基材進行灰化時，要清洗的主要 殘餘物是蝕刻劑殘餘物。如果基材沒有進行灰化則要清 洗或者清除的主要殘餘物是蝕刻殘餘物和光阻劑。
^在此描述的方法可通過使基板和所述組合物接觸而進 行，該基板具有以薄膜或殘餘物形式存在的金屬、有機或 金屬有機聚合物、無機鹽、氧化物、氫氧化物或者其複合 物或組合物。實際條件如溫度、時間等依賴於要剝除的: 料的性質和厚度。一般而言’基材在溫度範圍抓至Μ =、或2(TC至6〇t、或2代至4代内接觸或者浸入含有 /、’且口物的谷器中。基板曝露在組合物下的典型時間週期 可以是例如(M至60分鐘、或工至3〇分鐘或i至Μ分 鐘。在與該組合物接觸後，可以沖洗基板並進行乾燥。= 燥典型地在惰性氣氛下進行。在某些實施方案中，在使基 板和在此所述的組合物接觸之前、之中和/或之後可採用= 離子水沖洗或含有其他添加劑的去離子水沖洗。缺而，該 組合物可用於本領域公知的利用清洗流體以剝除光阻劑、 灰化或蝕刻殘餘物和/或殘餘物的任何方法。 實施例 提供以下實施例以進一步闡述在此公開的組合物和方 法。在表！中列出各種代表性组合物和每種組合物的仲值 的實施例。在表，給出的含量都是 "1274968 數為100wt%。通過在室溫將組分一起混合到容器中並且 直到所有固體溶解來製備在此公開的組合物。在以下實施 例中，在環境溫度下利用5%水溶液測定pH值。塗覆有正 性抗蝕劑的基材在曝露於組合物之前進行顯影、蝕刻和灰 化。在以下表格中，“ n/t”指的是未測試的而“ Nc，，指的 是不相容。 表Π中示出了具有各種金屬層的每種代表性組合物的 金屬蝕刻速率（“ER” ）的匯總。在所有下述蝕刻速率中， 在表Π不出的溫度下在曝露時間為5、1〇、2〇、4〇和6〇分 鐘時進行測量。在每個時間間隔進行厚度測量並根據每個 代表性組合物的結果利用“最小平方擬合，，線性回歸模型 做圖。母個組合物“最小平方擬合”㈣計算的斜率為以 埃/分鐘（人/min)表示的蝕刻速率結果。在測定金屬蝕刻 速率中，晶片具有以公知厚度的沉積在其上的特定金屬或 者金屬合金塗覆層。利用CDEResMap 273四點探針測定 晶片的初始厚度。在测定初始厚度後，將測試晶片浸入代 表[、且σ物中。在每個時間間隔後，將測試晶片從代表性 t 口 ^中取出、用㈣子水沖洗三分鐘並在氮氣下徹底乾 餘。測量每個晶片的厚 予度並且如果必要，在下一個時間 間隔重複上述步驟。如 ^ ^ ^ 果要測试的金屬是鈦，那麼需要在 碟酸中進行初始浸潰。 的示出了具有各種氧化物層的每種代表性組合物 的乳化物餘刻速率（‘
1 8 1七土 ）的匯總。利用Nanospec AFT 5 entech 8Ε·8〇〇分光橢率計測定氧化物蚀刻速 1274968 率。將定量20〇1111的代表性組合物放置在：制燒杯中進 行授拌和加熱’如果需要加熱到特定溫度。對於在— AFT 181上進行的這些測試’在要測試的每個晶片上劃三 個圓。每個晶片上的標記區域為要進行測量的區域。初始
在初始測量後’冑晶片浸潰在代表性組合 物中5分鐘。如果僅有一個晶片放置在盛有溶液的燒杯 中，那麼在燒杯中要放置模擬晶丨。5分鐘後，用去離子 水沖洗測試晶片3分鐘並在氮氣下乾燥。測量每個晶片的 標記區域並且如果必要在下一個時間間隔内重複該步驟。 表IV中示出了具有各種低k層的每種代表性組合物典 型的低電介質速率（“ER”）的匯總。採用具有沉積其上 的各種低k有機矽酸鹽薄膜的矽晶片進行低k電介質蝕刻 速率。在橢率計上獲得低k蝕刻速率，該橢率計的操作方 法與為獲得氧化物蝕刻速率所述的Nan〇spec AFT或者 SENTECH的操作方法相同。 各種測試晶片曝露於代表性組合物3和4下並採用掃描 電子顯微鏡（SEM)在各個位置評估以測定蝕刻和灰化剝 除的程度以及對下面的基材的影響。切開晶片以提供邊 緣’然後採用SEM在晶片的各個預定位置上進行檢測，並 將結果視覺化示出並且以下述方式標記：“ ，， 一 TT 衣不優 秀；表示良好；“ +”表示一般；以及“ _，，表示差。 在曝露於代表性組合物3或者4後，晶片採用去離子水清 洗並在氮氣下乾燥。結果示於表V中。表V中的所有妙果 表明代表性組合物3和4剝徐了蝕刻和灰化殘餘物而美本 15 (S) 1274968
上沒有侵姓底層。 表I 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 d-PGME 61 t-PGME 8.57 GE 45.0 GE 34.00 PG 21.5 丙三醇 18.75 PG 12.00 去離子水 12 去離子 水 76.92 去離子水 31.65 去離子水 40.5 AF (40% 溶液） 3.0 TMAF 0.5 AF (40% 溶液） 1.00 AF (40% 溶液） 2.5 BZT (COBRA-TEC™ 99) 2 TMAH 8.66 DEHA 1.8 DEHA 9.0 SURFY-NOL™485 表面活性劑 0.5 COBRA -TEC™ 948 5.35 乳酸(88% 水溶液） 1.8 乳酸(88% 水溶液） 2.0 pH 4.90 pH 〜12 pH 5.0 pH 6.25
d-PGME t- PGME PG BZT TMAF TMAH AF GE 一縮二丙二醇甲醚 二縮三丙二醇曱醚 丙二醇 苯并三唑 氟化四甲銨 氫氧化四甲銨 氟化銨 乙二醇醚 d 1274968 表Π 以埃每分鐘（A/min )表示的在典型金屬上的蝕刻速 率 實施例 溫度 (°C) A1 Cu Ta TaN Ti TiN TiW W 實施例1 40 5 <1 <1 <1 20 1 <1 <1 實施例2 55 NC <1 <1 <1 1 <1 9 3 實施例3 25 19 2 n/t n/t n/t n/t n/t n/t 實施例4 25 6 2 <1 <1 <1 <1 <1 <1 實施例4 40 7 1 <1 n/t 15 n/t n/t <1
表ΙΠ 以埃每分鐘（A/min )表示的在典型氧化物上的触刻 速率 實施例 溫度 FSG ( 1 ) PTEOS (2) TEOS (D) Tox (4) <rc) (3) 實施例1 40 71 73 49 30 實施例2 55 1 3 <1 <1 實施例4 25 <1 n/t n/t <1 實施例4 40 n/t 1 1 n/t (1) 氟矽酸鹽玻璃（FSG) (2) 磷摻雜未硬化的TEOS (原矽酸四乙酯）
(3) 未摻雜的硬化的TEOS (4) 熱氧化物 17 •1274968
表v CW低k層 溫度 時間 已蝕刻和已灰化的 Cu侵蝕 (°C) (分鐘） 光阻劑殘餘物 實施 TEOS/CORAL® 27 3 +++ 沒有 例3 實施 JSRLKD-5109 27 5 +++ 沒有 例4 低* k電介質 實施 JSRLKD-5109 25 10 +++ 沒有 例4 低^電介質

Claims (1)

1274968 (2006年7月修^ 十、申請專利範圍： 1、一種用於從物品上剝除殘餘物的組合物，該組合物 包括： 50 wt%或更多的含有二醇醚的至少一種水溶性有機溶 劑； 小於50 wt%的水； 最多為20 wt%的含氟化合物，條件是如果含氟化合物
為版化銨時則沒有其他的含氟化合物添加到該組合物中； 以及 任選的四級銨化合物。 2、如申請專利範圍第1項的組合物，其還包括最多為 20 wt%的腐餘抑制劑。 3、 如申請專利範圍第2項的組合物，其中該腐蝕抑制 參 劑包括選自有機酸、有機酸鹽、鄰苯二酚、間苯二酚、笨 酚、馬來酸酐、鄰苯二甲酸酐、連苯三酚、五倍子酸或其 西曰、笨并二唑、羧基苯并三唑、羥胺、果糖、硫代硫酸銨、 - 胺基乙酸、四甲基胍、亞胺基二乙酸、二甲基乙醯乙醯胺、 二羥基苯、二羥基苯、水楊基羥肟酸、硫代甘油及其混合 物中的至少一種。 4、 如申請專利範圍第3項的組合物，其中該腐蝕抑制 劑包括羥胺。 20 1274968 (2006年沾絛疋) 4 Cl、 5、如申請專利範圍第4項的組合物，其中所述經胺包 括二乙基羥胺。
6、如申請專利範圍第1項的組合物，其中該二醇醚選 自乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、乙二醇 二曱醚、乙二醇二乙醚、二甘醇單曱醚、二甘醇單乙醚、 二甘醇單丙醚、二甘醇單異丙醚、二甘醇單丁醚、二甘醇 單異丁醚、二甘醇單苄基醚、二甘醇二曱醚、二甘醇二乙 醚、三甘醇單甲醚、三甘醇二甲醚、聚乙二醇單甲醚、二 甘醇甲基乙基醚、三甘醇乙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單 乙醚乙酸酯、丙二醇單甲醚、丙二醇二曱醚、丙二醇單丁 醚、丙二醇單丙醚、一縮二丙二醇單甲醚、一縮二丙二醇 單丙醚、一縮二丙二醇單異丙醚、一縮二丙二醇單丁醚、 一縮二丙二醇二異丙醚、二縮三丙二醇單曱醚、1-甲氧基 -2-丁醇、2-曱氧基-1-丁醇、2-曱氧基-2-曱基丁醇、1，1-二 甲氧基乙烷和2-(2-丁氧基乙氧基）乙醇所組成的族群。 7、如申請專利範圍第1項的組合物，其中該水溶性有 機溶劑還包括選自二曱基乙醯胺、N-曱基吼咯烷酮、二曱 亞砜、二甲基曱醯胺、N-曱基曱醯胺、曱醯胺、二曱基-2-呱啶酮、四氫糠醇、鏈烷醇胺、丙三醇及其混合物中的一 種。 · 21 1274968 (2006 月修正 8如巾明專利圍第1項的組合物，其中該含氟化合 物包括通式為RlR2R3R4NF的化合物，其中&、I、&和 R“蜀立地為氫、醇基、烷氧基、烷基及其混合物。 /、如中請專利範圍第8項的組合物，其中該含氣化合 ^自氣化四甲銨、氟化四乙銨、氟化四丁銨、膽驗氫氟 酸鹽及其混合物。 10如申明專利範圍第i項的組合物，其中該含复化物 包括氟硼酸。 11、如申請專利範圍第i項的組合物，其中該組合物包 括四級銨化合物。 2如申明專利範圍第11項的組合物，其中該四級銨 ::物選自氫氧化四甲銨、氫氧化四乙銨、氫氧化四丙銨、 氫氧化四丁銨、氫氧化三甲基乙基按、氯氧化（2_經基乙 基）三甲基銨、氫氧化（2_經基乙基）三乙基錢、氮氧化 (2#工基乙基）二丙基銨、氫氧化（卜羥基丙基）三甲基 銨及其混合物所組成的族群。 13 種疋義圖案的方法，其中包括將光阻劑塗覆到基 材上， 將圖案光微影定義到光阻劑上； 22 1274968 广.*'Γ · / (2〇〇6年7月修正) 將圖案轉移到基材上; 通過使基材與如申請專利範圍第1項所述的一種組合 物接觸以從基材上剝除光阻劑或蝕刻殘餘物或以上兩者。 1 4、如申請專利範圍第丨3項的方法，其中該光阻劑是 正性光阻劑。
15、如_請專利範圍第13項的方法，其中該光阻劑是 負性光阻劑。 16 包括： 種用於從物品上剝除殘餘物的組合物，該組合物 5 0 wt%或更多的水； t於5〇 wt%的含有二醇㈣至少1水溶性有機溶劑 …取多為2。Wt%的含氟化合物，條件是如果含氟化合与 為敗化銨則沒有其他的令蟲外人 幻3鼠化合物添加到該組合物中· 任選的四級銨化合物。 ’ 17、如申請專利範圍第1 罘6項的組合物，其還包括最 為20 wt%的腐蝕抑制劑。 以、如申請專利範圍第17項的組合物 制劑包括選自有機酸、有機酸鹽、鄰笨二酶、、間：：麵抑 苯驗、馬來酸針、鄰笨二曱酸針、連笨三紛二二 23 1274968 (2006年7月修正)- 其酯、苯并三唑、羧基苯并三唑、羥胺、果糖、硫代硫酸 銨、胺基乙酸、四甲基胍、亞胺基二乙酸、二曱基乙醯乙 醯胺、三羥基苯、二羥基苯、水楊基羥肟酸、硫代甘油及 其混合物中的至少一種。 • 1 9、如申請專利範圍第1 8項的組合物，其中該腐蝕抑 - 制劑包括羥胺。
20、如申請專利範圍第19項的組合物，其中所述羥胺 包括二乙基羥胺。 2 1、如申請專利範圍第16項的組合物，其中該二醇醚 選自乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、乙二 醇二甲醚、乙二醇二乙醚、二甘醇單甲醚、二甘醇單乙醚、 二甘醇單丙醚、二甘醇單異丙醚、二甘醇單丁醚、二甘醇 單異丁醚、二甘醇單苄基醚、二甘醇二曱醚、二甘醇二乙 醚、三甘醇單甲醚、三甘醇二甲醚、聚乙二醇單曱醚、二 甘醇甲基乙基醚、三甘醇乙二醇單曱醚乙酸酯、乙二醇單 乙醚乙酸酯、丙二醇單曱醚、丙二醇二甲醚、丙二醇單丁 醚、丙二醇單丙醚、一縮二丙二醇單甲醚、一縮二丙二醇 單丙醚、一縮二丙二醇單異丙醚、一縮二丙二醇單丁醚、 一縮二丙二醇二異丙醚、二縮三丙二醇單曱醚、1-甲氧基 -2-丁醇、2-曱氧基-1-丁醇、2-曱氧基-2-甲基丁醇、1,1-二 甲氧基乙烷和2-(2-丁氧基乙氧基）乙醇所組成的族群。 24 1274968 (2006 年 7 月修IE)f 22如申請專利範圍第1 6項的組合物，其中該水溶性 有機〉谷劑還包括選自二甲基乙醯胺、Ν-甲基吡咯烷酮、二 甲亞石風、—沿甘to —T基甲酿胺、N-曱基甲酿胺、甲醯胺、二甲基 2瓜"疋酮、四氫糠醇、鏈烷醇胺、丙三醇及其混合物中的 一種。 2 3 j, °申睛專利範圍第16項的組合物，其中該含I化 〇物包括通式為RiHIUNF的化合物，其中Ri、r2、& 和R4獨立地為氫、醇基、烷氧基、烷基及其混合物。 24、 如申請專利範圍第23項的組合物，其中該含氟化 一 k自氟化四甲銨、氟化四乙銨、氟化四丁銨、膽驗氫 氟酸鹽及其混合物。 25、 如申請專利範圍第16項的組合物，其中該含氟化 物包括氟硼酸。 26、 如申請專利範圍f 16項的組合物，其中該組合物 包括四級銨化合物。 27、如申請專利範圍第 化合物選自氫氧化四甲銨、 氫氧化四丁銨 26項的組合物，其中該四級銨 氫氧化四乙銨、氫氧化四丙銨、 氫氧化二曱基乙基銨、氫氧化（2_經基乙 25 1274968 基）二f基兹、氣氧化（2 C 2-羥基乙基）三丙基銨、 叙及其混合物所組成的族群 (2006年7月修正) 搜基乙基）三乙基銨、氫氧化 氫氧化（1_羥基丙基）三尹基 28、一種定義圖案的方法 材上， 其中包括將光阻劑塗覆到基 將圖案光微影定義到光阻劍上； 將圖案轉移到基材上； 通過使基材與如申請專利範圍第 物接觸以從基材上剝除光阻劑或蝕刻 1 6項所述的一種組合 殘餘物或以上兩者。 2 9、如申睛專利範圍第2 8項的方法 正性光阻劑。 其中該光阻劑是 3 0、如申请專利範圍第2 8項的方法， 負性光阻劑。 其中該光阻劑是 26
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Families Citing this family (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9236279B2 (en) * 2003-06-27 2016-01-12 Lam Research Corporation Method of dielectric film treatment
US8030263B2 (en) * 2004-07-01 2011-10-04 Air Products And Chemicals, Inc. Composition for stripping and cleaning and use thereof
US9217929B2 (en) * 2004-07-22 2015-12-22 Air Products And Chemicals, Inc. Composition for removing photoresist and/or etching residue from a substrate and use thereof
US20060063687A1 (en) * 2004-09-17 2006-03-23 Minsek David W Composition and process for ashless removal of post-etch photoresist and/or bottom anti-reflective material on a substrate
US20060116313A1 (en) * 2004-11-30 2006-06-01 Denise Geitz Compositions comprising tannic acid as corrosion inhibitor
KR101238471B1 (ko) * 2005-02-25 2013-03-04 이케이씨 테크놀로지, 인코포레이티드 구리 및 저 ｋ 유전체 물질을 갖는 기판으로부터 레지스트,에칭 잔류물 및 구리 산화물을 제거하는 방법
CN102981377B (zh) 2005-06-07 2014-11-12 高级技术材料公司 金属和电介质相容的牺牲性抗反射涂层清洗及去除组合物
US7700533B2 (en) * 2005-06-23 2010-04-20 Air Products And Chemicals, Inc. Composition for removal of residue comprising cationic salts and methods using same
TWI339780B (en) * 2005-07-28 2011-04-01 Rohm & Haas Elect Mat Stripper
TW200722505A (en) * 2005-09-30 2007-06-16 Rohm & Haas Elect Mat Stripper
US20090032766A1 (en) * 2005-10-05 2009-02-05 Advanced Technology Materials, Inc. Composition and method for selectively etching gate spacer oxide material
US8263539B2 (en) * 2005-10-28 2012-09-11 Dynaloy, Llc Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and methods for its use
US7632796B2 (en) 2005-10-28 2009-12-15 Dynaloy, Llc Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use
US9329486B2 (en) 2005-10-28 2016-05-03 Dynaloy, Llc Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use
JP4826235B2 (ja) * 2005-12-01 2011-11-30 三菱瓦斯化学株式会社 半導体表面処理剤
US7674755B2 (en) * 2005-12-22 2010-03-09 Air Products And Chemicals, Inc. Formulation for removal of photoresist, etch residue and BARC
US9058975B2 (en) * 2006-06-09 2015-06-16 Lam Research Corporation Cleaning solution formulations for substrates
KR100793241B1 (ko) 2006-06-19 2008-01-10 삼성전자주식회사 실리콘 고분자 및 포토레지스트 제거용 조성물, 이를이용한 막 제거 방법 및 패턴 형성 방법
JP5159066B2 (ja) * 2006-08-24 2013-03-06 ダイキン工業株式会社 半導体ドライプロセス後の残渣除去液及びそれを用いた残渣除去方法
JP5007089B2 (ja) * 2006-09-08 2012-08-22 富士フイルム株式会社 レジストの剥離方法
US20080076688A1 (en) * 2006-09-21 2008-03-27 Barnes Jeffrey A Copper passivating post-chemical mechanical polishing cleaning composition and method of use
CN101169598A (zh) * 2006-10-27 2008-04-30 安集微电子（上海）有限公司 一种光刻胶清洗剂
CN101201556A (zh) * 2006-12-15 2008-06-18 安集微电子（上海）有限公司 低蚀刻性光刻胶清洗剂
US8026201B2 (en) * 2007-01-03 2011-09-27 Az Electronic Materials Usa Corp. Stripper for coating layer
US7879783B2 (en) 2007-01-11 2011-02-01 Air Products And Chemicals, Inc. Cleaning composition for semiconductor substrates
CN101290482A (zh) * 2007-04-19 2008-10-22 安集微电子（上海）有限公司 一种清洗等离子刻蚀残留物的清洗液
CN101339368A (zh) * 2007-07-06 2009-01-07 安集微电子（上海）有限公司 一种光刻胶清洗剂
CN101364056A (zh) * 2007-08-10 2009-02-11 安集微电子（上海）有限公司 一种光刻胶清洗剂
US8551682B2 (en) 2007-08-15 2013-10-08 Dynaloy, Llc Metal conservation with stripper solutions containing resorcinol
CN101373340B (zh) * 2007-08-23 2013-07-10 安集微电子（上海）有限公司 一种光刻胶清洗剂
CN101398638A (zh) * 2007-09-29 2009-04-01 安集微电子（上海）有限公司 一种光刻胶清洗剂
CN101412949A (zh) * 2007-10-19 2009-04-22 安集微电子（上海）有限公司 一种等离子刻蚀残留物清洗液
CN101842872A (zh) * 2007-10-31 2010-09-22 Ekc技术公司 用于剥除光刻胶的化合物
KR100928996B1 (ko) 2007-11-05 2009-11-26 리퀴드테크놀로지(주) 포토레지스트 박리액 조성물
TWI415936B (zh) * 2007-11-23 2013-11-21 Anji Microelectronics Co Ltd 低蝕刻性較厚光阻清洗液
US8168577B2 (en) * 2008-02-29 2012-05-01 Avantor Performance Materials, Inc. Post plasma etch/ash residue and silicon-based anti-reflective coating remover compositions containing tetrafluoroborate ion
US8357646B2 (en) * 2008-03-07 2013-01-22 Air Products And Chemicals, Inc. Stripper for dry film removal
US7687447B2 (en) * 2008-03-13 2010-03-30 Air Products And Chemicals, Inc. Semi-aqueous stripping and cleaning composition containing aminobenzenesulfonic acid
US20090229629A1 (en) * 2008-03-14 2009-09-17 Air Products And Chemicals, Inc. Stripper For Copper/Low k BEOL Clean
TWI450052B (zh) * 2008-06-24 2014-08-21 Dynaloy Llc 用於後段製程操作有效之剝離溶液
CN101614970B (zh) * 2008-06-27 2012-12-19 安集微电子（上海）有限公司 一种光刻胶清洗剂组合物
JP5476388B2 (ja) * 2008-10-09 2014-04-23 アバントール パフォーマンス マテリアルズ， インコーポレイテッド 酸化銅エッチ残渣除去および、銅電着の防止のための水性の酸性洗浄用組成物
US20100151206A1 (en) 2008-12-11 2010-06-17 Air Products And Chemicals, Inc. Method for Removal of Carbon From An Organosilicate Material
US8309502B2 (en) * 2009-03-27 2012-11-13 Eastman Chemical Company Compositions and methods for removing organic substances
US8614053B2 (en) 2009-03-27 2013-12-24 Eastman Chemical Company Processess and compositions for removing substances from substrates
US8444768B2 (en) 2009-03-27 2013-05-21 Eastman Chemical Company Compositions and methods for removing organic substances
US9481937B2 (en) * 2009-04-30 2016-11-01 Asm America, Inc. Selective etching of reactor surfaces
US8110535B2 (en) * 2009-08-05 2012-02-07 Air Products And Chemicals, Inc. Semi-aqueous stripping and cleaning formulation for metal substrate and methods for using same
KR20110028109A (ko) * 2009-09-11 2011-03-17 동우 화인켐 주식회사 세정액 조성물
EP2478068A1 (en) * 2009-09-18 2012-07-25 Merck Patent GmbH Ink jet printable etching inks and associated process
TWI470119B (zh) * 2009-11-13 2015-01-21 Avantor Performance Mat Inc 用於氧化銅蝕刻殘留物之移除及避免銅電鍍之水相酸性調配物
TWI539493B (zh) 2010-03-08 2016-06-21 黛納羅伊有限責任公司 用於摻雜具有分子單層之矽基材之方法及組合物
JP5513196B2 (ja) * 2010-03-25 2014-06-04 富士フイルム株式会社 洗浄組成物及び半導体装置の製造方法
KR101169332B1 (ko) * 2010-05-12 2012-07-30 주식회사 이엔에프테크놀로지 포토레지스트 박리액 조성물
JP5508130B2 (ja) * 2010-05-14 2014-05-28 富士フイルム株式会社 洗浄組成物、半導体装置の製造方法及び洗浄方法
CN102338994B (zh) * 2010-07-23 2014-12-31 安集微电子（上海）有限公司 一种光刻胶的清洗液
CN102346383B (zh) * 2010-08-06 2016-03-16 安集微电子（上海）有限公司 一种光刻胶的清洗液
US20120073607A1 (en) * 2010-09-27 2012-03-29 Eastman Chemical Company Polymeric or monomeric compositions comprising at least one mono-amide and/or at least one diamide for removing substances from substrates and methods for using the same
US8449681B2 (en) * 2010-12-16 2013-05-28 Intermolecular, Inc. Composition and method for removing photoresist and bottom anti-reflective coating for a semiconductor substrate
US8889471B2 (en) 2011-05-09 2014-11-18 Sichuan Yinhe Chemical Co., Ltd. Burnthrough formulations
US9412628B2 (en) * 2011-06-30 2016-08-09 Tel Fsi, Inc. Acid treatment strategies useful to fabricate microelectronic devices and precursors thereof
TW201311884A (zh) * 2011-09-13 2013-03-16 Anji Microelectronics Co Ltd 光阻（光刻）膠的清洗液
TW201311883A (zh) * 2011-09-13 2013-03-16 Anji Microelectronics Co Ltd 光阻（光刻）膠的清洗液
WO2013052809A1 (en) * 2011-10-05 2013-04-11 Avantor Performance Materials, Inc. Microelectronic substrate cleaning compositions having copper/azole polymer inhibition
JP5871562B2 (ja) * 2011-11-01 2016-03-01 東京応化工業株式会社 フォトリソグラフィ用剥離液及びパターン形成方法
JP6157081B2 (ja) * 2012-09-24 2017-07-05 東京応化工業株式会社 フォトリソグラフィ用剥離液、及びパターン形成方法
CN102880017B (zh) * 2012-09-28 2014-07-23 京东方科技集团股份有限公司 光刻胶用剥离液组合物及其制备和应用
JP6029419B2 (ja) * 2012-11-02 2016-11-24 ダイキン工業株式会社 半導体ドライプロセス後の残渣除去液及びそれを用いた残渣除去方法
US9158202B2 (en) * 2012-11-21 2015-10-13 Dynaloy, Llc Process and composition for removing substances from substrates
US10189712B2 (en) 2013-03-15 2019-01-29 International Business Machines Corporation Oxidation of porous, carbon-containing materials using fuel and oxidizing agent
KR102091543B1 (ko) * 2013-08-01 2020-03-23 동우 화인켐 주식회사 망상형 고분자 용해용 조성물
CN104651081A (zh) * 2013-11-18 2015-05-27 青岛锦涟鑫商贸有限公司 一种新型清洗剂
KR101964901B1 (ko) 2013-12-06 2019-04-02 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. 표면 잔류물 제거용 세정 제형
CN104277925A (zh) * 2014-10-09 2015-01-14 济南瑞东实业有限公司 一种高效无污染乙烯油基清洗剂及其制备方法
CN113214920A (zh) * 2015-03-31 2021-08-06 弗萨姆材料美国有限责任公司 清洁制剂
US10072237B2 (en) 2015-08-05 2018-09-11 Versum Materials Us, Llc Photoresist cleaning composition used in photolithography and a method for treating substrate therewith
CN105132217A (zh) * 2015-08-30 2015-12-09 烟台顺隆化工科技有限公司 一种锌污染建筑废物用洗涤剂
CN107034028B (zh) * 2015-12-04 2021-05-25 三星电子株式会社 用于除去有机硅树脂的组合物、使用其薄化基材和制造半导体封装体的方法及使用其的系统
US10894935B2 (en) 2015-12-04 2021-01-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Composition for removing silicone resins and method of thinning substrate by using the same
US11175587B2 (en) * 2017-09-29 2021-11-16 Versum Materials Us, Llc Stripper solutions and methods of using stripper solutions
EP3480288A1 (en) * 2017-11-07 2019-05-08 Henkel AG & Co. KGaA Fluoride based cleaning composition
KR102467591B1 (ko) * 2018-10-16 2022-11-16 쇼와 덴코 가부시키가이샤 조성물, 접착성 폴리머의 세정 방법, 디바이스 웨이퍼의 제조 방법, 및 지지 웨이퍼의 재생 방법
WO2020148968A1 (ja) * 2019-01-15 2020-07-23 昭和電工株式会社 分解洗浄組成物、接着性ポリマーの洗浄方法、及びデバイスウェハの製造方法
WO2020166702A1 (ja) * 2019-02-15 2020-08-20 日産化学株式会社 洗浄剤組成物及び洗浄方法
JP7220119B2 (ja) * 2019-05-22 2023-02-09 信越化学工業株式会社 基板用仮接着剤の洗浄液、基板の洗浄方法および支持体または基板の洗浄方法
KR20220011151A (ko) * 2019-05-22 2022-01-27 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 세정제 조성물, 기판의 세정 방법 및 지지체 또는 기판의 세정 방법
KR102397700B1 (ko) * 2019-09-06 2022-05-17 엘티씨 (주) 세정제 조성물
CN114746536B (zh) * 2019-11-25 2024-01-09 株式会社力森诺科 分解清洗组合物的制造方法
TWI749964B (zh) * 2020-12-24 2021-12-11 達興材料股份有限公司 鹼性清洗組合物、清洗方法和半導體製造方法
CN112698554A (zh) * 2021-02-01 2021-04-23 福建省佑达环保材料有限公司 一种半导体制程用光阻清洗剂
CN114426909A (zh) * 2022-02-22 2022-05-03 伊利诺斯工具制品有限公司 一种积碳清洗方法
CN115537277A (zh) * 2022-09-29 2022-12-30 南通群安电子材料有限公司 一种用于电路板的环保清洗液

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3160344B2 (ja) 1991-01-25 2001-04-25 アシュランド インコーポレーテッド 有機ストリッピング組成物
US7144848B2 (en) * 1992-07-09 2006-12-05 Ekc Technology, Inc. Cleaning compositions containing hydroxylamine derivatives and processes using same for residue removal
JPH0770534B2 (ja) * 1993-01-11 1995-07-31 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
DE9304878U1 (zh) * 1993-03-31 1993-06-09 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt, De
US5563119A (en) * 1995-01-26 1996-10-08 Ashland Inc. Stripping compositions containing alkanolamine compounds
JP3236220B2 (ja) * 1995-11-13 2001-12-10 東京応化工業株式会社 レジスト用剥離液組成物
US6417112B1 (en) * 1998-07-06 2002-07-09 Ekc Technology, Inc. Post etch cleaning composition and process for dual damascene system
US20030166132A1 (en) * 1998-08-26 2003-09-04 Genentech, Inc. Secreted and transmembrane polypeptides and nucleic acids encoding the same
US20050019868A1 (en) 1998-09-03 2005-01-27 Japan Science And Technology Corporation Neutral amino acid transporter and gene thereof
US6828289B2 (en) * 1999-01-27 2004-12-07 Air Products And Chemicals, Inc. Low surface tension, low viscosity, aqueous, acidic compositions containing fluoride and organic, polar solvents for removal of photoresist and organic and inorganic etch residues at room temperature
US6117364A (en) * 1999-05-27 2000-09-12 Nalco/Exxon Energy Chemicals, L.P. Acid corrosion inhibitor
JP2001100436A (ja) * 1999-09-28 2001-04-13 Mitsubishi Gas Chem Co Inc レジスト剥離液組成物
TWI243204B (en) * 2000-02-04 2005-11-11 Sumitomo Chemical Co Electronic parts cleaning solution
US6531436B1 (en) * 2000-02-25 2003-03-11 Shipley Company, L.L.C. Polymer removal
EP1138726B1 (en) 2000-03-27 2005-01-12 Shipley Company LLC Polymer remover
US20050198688A1 (en) * 2000-09-19 2005-09-08 Fong Thomas K.T. System and method for digitally monitoring a cable plant
KR100822236B1 (ko) * 2000-11-30 2008-04-16 토소가부시키가이샤 레지스트 박리제
US20030022800A1 (en) * 2001-06-14 2003-01-30 Peters Darryl W. Aqueous buffered fluoride-containing etch residue removers and cleaners
MY143399A (en) * 2001-07-09 2011-05-13 Avantor Performance Mat Inc Microelectronic cleaning compositons containing ammonia-free fluoride salts for selective photoresist stripping and plasma ash residue cleaning
JP3403187B2 (ja) * 2001-08-03 2003-05-06 東京応化工業株式会社 ホトレジスト用剥離液
TWI297102B (en) * 2001-08-03 2008-05-21 Nec Electronics Corp Removing composition
JP4661007B2 (ja) 2001-08-23 2011-03-30 昭和電工株式会社 サイドウォール除去液
JP3797541B2 (ja) * 2001-08-31 2006-07-19 東京応化工業株式会社 ホトレジスト用剥離液
JP3900882B2 (ja) * 2001-10-05 2007-04-04 松下電器産業株式会社 焼却装置
US20030138737A1 (en) * 2001-12-27 2003-07-24 Kazumasa Wakiya Photoresist stripping solution and a method of stripping photoresists using the same
KR101017738B1 (ko) * 2002-03-12 2011-02-28 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 포토레지스트 박리제 조성물 및 세정 조성물
US6773873B2 (en) * 2002-03-25 2004-08-10 Advanced Technology Materials, Inc. pH buffered compositions useful for cleaning residue from semiconductor substrates
AU2003225178A1 (en) * 2002-04-24 2003-11-10 Ekc Technology, Inc. Oxalic acid as a cleaning product for aluminium, copper and dielectric surfaces
JP2004029346A (ja) * 2002-06-25 2004-01-29 Mitsubishi Gas Chem Co Inc レジスト剥離液組成物
US6677286B1 (en) * 2002-07-10 2004-01-13 Air Products And Chemicals, Inc. Compositions for removing etching residue and use thereof
JP4443864B2 (ja) * 2002-07-12 2010-03-31 株式会社ルネサステクノロジ レジストまたはエッチング残さ物除去用洗浄液および半導体装置の製造方法
US6849200B2 (en) 2002-07-23 2005-02-01 Advanced Technology Materials, Inc. Composition and process for wet stripping removal of sacrificial anti-reflective material
JP2004133384A (ja) * 2002-08-14 2004-04-30 Sony Corp レジスト用剥離剤組成物及び半導体装置の製造方法
US7833957B2 (en) * 2002-08-22 2010-11-16 Daikin Industries, Ltd. Removing solution
US7166419B2 (en) * 2002-09-26 2007-01-23 Air Products And Chemicals, Inc. Compositions substrate for removing etching residue and use thereof
TW200505975A (en) * 2003-04-18 2005-02-16 Ekc Technology Inc Aqueous fluoride compositions for cleaning semiconductor devices
US20040220066A1 (en) * 2003-05-01 2004-11-04 Rohm And Haas Electronic Materials, L.L.C. Stripper
US20060003910A1 (en) * 2004-06-15 2006-01-05 Hsu Jiun Y Composition and method comprising same for removing residue from a substrate
US8030263B2 (en) * 2004-07-01 2011-10-04 Air Products And Chemicals, Inc. Composition for stripping and cleaning and use thereof
US9217929B2 (en) * 2004-07-22 2015-12-22 Air Products And Chemicals, Inc. Composition for removing photoresist and/or etching residue from a substrate and use thereof
KR101238471B1 (ko) 2005-02-25 2013-03-04 이케이씨 테크놀로지, 인코포레이티드 구리 및 저 ｋ 유전체 물질을 갖는 기판으로부터 레지스트,에칭 잔류물 및 구리 산화물을 제거하는 방법
US7700533B2 (en) * 2005-06-23 2010-04-20 Air Products And Chemicals, Inc. Composition for removal of residue comprising cationic salts and methods using same
US7674755B2 (en) * 2005-12-22 2010-03-09 Air Products And Chemicals, Inc. Formulation for removal of photoresist, etch residue and BARC
US8288330B2 (en) * 2006-05-26 2012-10-16 Air Products And Chemicals, Inc. Composition and method for photoresist removal
US7687447B2 (en) * 2008-03-13 2010-03-30 Air Products And Chemicals, Inc. Semi-aqueous stripping and cleaning composition containing aminobenzenesulfonic acid

Also Published As

Publication number Publication date
ATE495546T1 (de) 2011-01-15
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JP2009224793A (ja) 2009-10-01
TW200602817A (en) 2006-01-16
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CN1715389B (zh) 2010-10-27
CN101857825B (zh) 2012-09-19

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