CN101290482A - 一种清洗等离子刻蚀残留物的清洗液 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种用于半导体工业中清洗等离子刻蚀残留物的清洗液，其含有：柠檬酸/柠檬酸盐缓冲水溶液、氟化物、高分子腐蚀抑制剂、抗冻剂和溶剂。本发明的清洗液可有效地清洗半导体制造过程中等离子刻蚀残留物，同时对于非金属和金属基材，如Si、SiO2、四乙氧基硅烷二氧化硅(PETEOS)、低介质材料、Ti、Al和Cu等，具有较低的蚀刻速率，并且对环境和人体安全无害，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造工艺中一种清洗液，具体的涉及一种清洗等离子刻蚀残留物的清洗液。
背景技术
在半导体元器件制造过程中，光阻层的涂敷、曝光和成像对元器件的图案制造来说是必要的工艺步骤。在图案化的最后(即在光阻层的涂敷、成像、离子植入和蚀刻之后)进行下一工艺步骤之前，光阻层材料的残留物需彻底除去。在掺杂步骤中离子轰击会硬化光阻层聚合物，因此使得光阻层变得不易溶解从而更难于除去。至今在半导体制造工业中一般使用两步法(干法灰化和湿蚀刻)除去这层光阻层膜。第一步利用干法灰化除去光阻层(PR)的大部分；第二步利用缓蚀剂组合物湿蚀刻/清洗工艺清洗去除剩余的光阻层。在第二步的清洗工艺过程中，缓蚀剂组合物只能除去残留的聚合物光阻层和无机物，而不能损害金属层如铝层。
现有技术中典型的清洗液有以下几种：胺类清洗液，半水性胺基(非羟胺类)清洗液和氟化物类清洗液。其中，前两类清洗液需要在高温(一般在60℃到80℃之间)下使用，存在金属腐蚀速率较大的问题；而现有的氟化物类清洗液也存在一些缺陷，如不能同时控制金属和非金属基材的腐蚀，因蚀刻率较大而造成通道特征尺寸改变，进一步导致半导体结构改变，以及清洗操作窗口比较小等。
现有文献已公开的清洗液也或多或少存在一些缺点：US 6,828,289公开了一种清洗液，其包括：酸性缓冲液、有机极性溶剂、含氟物质和水，且pH值在3～7之间，其中的酸性缓冲液由有机羧酸或多元酸与所对应的铵盐组成，组成比例为10∶1至1∶10之间，但强调不能含有乙二醇类有机溶剂。US 5,698,503公开了一种含氟清洗液，其大量使用乙二醇，该清洗液的粘度与表面张力都很大，从而影响清洗效果。US 5,972,862公开了一种含氟清洗液，其包括含氟物质、弱酸、弱碱和有机极性溶剂，pH为7～11，由于其不含有缓冲体系，清洗效果不稳定，存在多样的问题。
现有技术中，使用的抑制剂通常为邻苯二酚和偏苯三酚等，这些抑制剂不能同时控制金属以及氧化物的蚀刻速率；同时对环境和人体健康有危害。
因此，寻求可避免以上现有的技术缺陷，既具有较强的清洗能力，又能满足对基材的低刻蚀率，较大操作窗口和环境友好等其它清洗要求的清洗液成为半导体制造工艺领域亟待解决的问题。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有离子刻蚀残留物清洗液清洗效果不佳或不稳定，对基材腐蚀性大，操作窗口较小，环境污染的问题，而提供一种清洗能力强，具有低刻蚀率且安全无毒害的等离子刻蚀残留物清洗液。
本发明的清洗液含有下列成分：柠檬酸/柠檬酸盐缓冲水溶液、高分子腐蚀抑制剂、抗冻剂、氟化物和溶剂。
其中，所述的柠檬酸/柠檬酸盐缓冲水溶液在清洗液中的含量较佳的为质量百分比15％～56％；所述的高分子腐蚀抑制剂的含量较佳的为质量百分比0.0001％～10％；所述的抗冻剂的含量较佳的为质量百分比0.0001％～10％；所述的氟化物的含量较佳的为质量百分比0.01％～3％；所述的溶剂的质量百分比较佳的为质量百分比40％～80％。
本发明中，所述的柠檬酸/柠檬酸盐缓冲水溶液中柠檬酸和柠檬酸盐的质量百分比含量较佳的为5％～60％，更佳的为10％～50％。其中，柠檬酸和柠檬酸盐的比例可根据需要以任何比例进行，但须使所得最终清洗液能保持均相。所述的柠檬酸盐较佳的为柠檬酸与无机碱或季胺氢氧化物形成的盐；其中，无机碱如氨水和氢氧化钾等，季胺氢氧化物如四甲基氢氧化铵和四乙基氢氧化铵等。多官能团的柠檬酸/柠檬酸盐缓冲水溶液不仅具有缓冲功能，还具有较强的螯合能力和清洗无机残留物的能力。
本发明中，所述的高分子腐蚀抑制剂较佳的选自含羟基聚合物和含羧基聚合物中的一种或多种。其中，所述的含羟基聚合物较佳的为含羟基聚醚或聚乙烯醇等；所述的含羧基聚合物较佳的为含羧基聚醚、聚马来酸酐、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、丙烯酸与马来酸共聚物、苯乙烯与丙烯酸共聚物、苯乙烯与马来酸共聚物、丙烯腈与马来酸共聚物或上述化合物的铵盐、钾盐或钠盐等。本发明的清洗液配方中的高分子腐蚀抑制剂，可作为腐蚀抑制剂、表面活性剂或螯合剂使用，并且对环境和人体安全无害，避免了传统的腐蚀抑制剂，如邻苯二酚和偏苯三酚等的污染，同时其还可对金属和非金属起到很好的腐蚀抑制作用。
本发明中，所述的抗冻剂可选自多元醇，如二元醇中的乙二醇和丙二醇，三元醇中的丙三醇，四元醇中的季戊四醇。抗冻剂的使用可使得本发明的清洗液在-18℃的条件下存放两个月不结冰。本发明的清洗液配方中，抗冻剂较佳使用量为质量百分比0.0001％～10％；较少量的抗冻剂对清洗液表面张力和溶液粘度影响都很小，不会影响对晶片的清洗功效，对基材基本无腐蚀。
本发明中，所述的氟化物较佳的为氟化氢和氟化氢与碱形成的盐中的一种或多种，如HF、NH4F、N(CH3)4F或N(CH2OH)3HF等。其中，所述的碱较佳的为氨水、季胺氢氧化物或醇胺。
本发明中，所述的溶剂可选自亚砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醚中的一种或多种。其中，所述的亚砜较佳的为二乙基亚砜或甲乙基亚砜；所述的砜较佳的为甲基砜、乙基砜或环丁砜；所述的咪唑烷酮较佳的为2-咪唑烷酮、1，3-二甲基-2-咪唑烷酮或1，3-二乙基-2-咪唑烷酮；所述的吡咯烷酮较佳的为N-甲基吡咯烷酮；所述的咪唑啉酮较佳的为1，3-二甲基-2-咪唑啉酮(DMI)；所述的酰胺较佳的为二甲基甲酰胺；所述的醚较佳的为乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丁醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚、丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇单丁醚、二丙二醇单甲醚、二丙二醇单乙醚或二丙二醇单丁醚。
本发明的清洗液还可含有小分子抑制剂，其含量较佳的为小于或等于质量百分比10％。所述的小分子抑制剂可选自酚类，如苯酚、1，2-二羟基苯酚、对羟基苯酚或连苯三酚等；羧酸类，如苯甲酸、对氨基苯甲酸(PABA)、邻苯二甲酸(PA)或没食子酸(GA)等；羧酸酯类，如对氨基苯甲酸甲酯、邻苯二甲酸甲酯或没食子酸丙酯等；酸酐类，如乙酸酐或己酸酐等；苯并三氮唑类，如苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑或4-羧基苯并三氮唑等；膦酸类如1，3-(羟乙基)-2，4，6-三膦酸(HEDPA)、氨基三亚甲基膦酸(ATMP)或2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸(PBTCA)等；或膦酸酯类等缓蚀剂中的一种或多种。
本发明的清洗液由上述成分简单混合均匀即可使用。该清洗液可适用于批量浸泡式、批量旋转式或单片旋转式处理器等多种清洗仪器和清洗方式中使用。并且，本发明的清洗液可在较大的温度范围内使用，一般可在室温到45℃范围内使用。
本发明所用试剂及原料均市售可得。
本发明的积极进步效果在于：
(1)本发明的清洗液的清洗半导体制造过程中等离子刻蚀残留物具有较高的清洗效力。本发明清洗液配方中，采用了多官能团的柠檬酸/柠檬酸盐缓冲水溶液，其不仅具有缓冲功能，还具有较强的螯合能力，保证了清洗液清洗功效的高效和稳定。
(2)本发明的清洗液对非金属和金属基材，如Si、SiO2、四乙氧基硅烷二氧化硅(PETEOS)、低介质材料、Ti、Al和Cu等，均具有较低的蚀刻速率。本发明的清洗液可在较大的温度范围内使用，一般在室温到45℃范围内使用，因此可避免现有技术中因使用温度较高而引起的较高的金属腐蚀速率。本发明清洗液配方中采用的高分子腐蚀抑制剂能同时对金属和非金属起到很好的腐蚀抑制作用。
(3)本发明的清洗液对环境和人体安全友好，无污染危害。本发明清洗液配方中采用了高分子腐蚀抑制剂，其具有高效腐蚀抑制作用，同时也对环境和人体无毒害，避免了采用邻苯二酚和偏苯三酚等传统腐蚀抑制剂所带来的污染危害。
(4)本发明的清洗液耐低温性能优，可在-18℃的条件下存放两个月不结冰，且抗冻剂在其较佳的用量范围内对清洗液表面张力和溶液粘度影响都很小，不会影响对晶片的清洗功效，对基材也基本无腐蚀作用。
具体实施方式
下面通过实施例的方式进一步说明本发明，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。
实施例1
15wt％柠檬酸/柠檬酸铵缓冲水溶液，0.0001wt％含羟基聚乙基醚(分子量1000)，5wt％乙二醇，2wt％氟化铵和77.9999wt％环丁砜。
柠檬酸/柠檬酸铵缓冲液中，柠檬酸和柠檬酸铵的含量为质量百分比5wt％，柠檬酸和柠檬酸铵的含量比为10∶1。
实施例2
56wt％柠檬酸/柠檬酸四甲铵缓冲水溶液，1wt％聚乙烯醇均聚物(分子量2000)，1wt％丙三醇，1wt％氟化氢，1wt％2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸和40wt％二甲基亚砜。
柠檬酸/柠檬酸四甲铵缓冲液中，柠檬酸和柠檬酸四甲铵的含量为质量百分比60wt％，柠檬酸和柠檬酸四甲铵的含量比为1∶1。
实施例3
15wt％柠檬酸/柠檬酸四乙铵缓冲水溶液，1wt％聚乙烯醇共聚物(分子量，3000)，1wt％季戊四醇，2wt％氟化四甲铵，1wt％氨基三亚甲基膦酸和80wt％N-甲基吡咯烷酮(NMP)。
柠檬酸/柠檬酸四乙铵缓冲液中，柠檬酸和柠檬酸四乙铵的含量为质量百分比10wt％，柠檬酸和柠檬酸四乙铵的含量比为1∶30。
实施例4
15wt％柠檬酸/柠檬酸钾缓冲水溶液，10wt％含羧基聚乙基醚(分子量1000))，10wt％乙二醇，0.01wt％氟化四乙铵，1wt％1，3-(羟乙基)-2，4，6-三膦酸和63.99wt％1，3-二甲基-2-咪唑啉酮(DMI)。
柠檬酸/柠檬酸钾缓冲液中，柠檬酸和柠檬酸钾的含量为质量百分比50wt％，柠檬酸和柠檬酸钾的含量比为10∶1。
实施例5
30wt％柠檬酸/柠檬酸钠缓冲水溶液，3wt％含羟基聚乙基醚(分子量1000)，2wt％含羧基聚乙醚(分子量1000)，0.0001wt％乙二醇，0.5wt％氟化氢，0.5wt％氟化四甲铵，1wt％乙酸酐和62.9999wt％2-咪唑烷酮。
柠檬酸/柠檬酸钠缓冲液中，柠檬酸和柠檬酸钠的含量为质量百分比20wt％，柠檬酸和柠檬酸钠的含量比为20∶1。
实施例6
40wt％柠檬酸/柠檬酸铵缓冲水溶液，0.001wt％聚马来酸酐(分子量600)，1wt％乙二醇，1wt％N(CH2OH)3HF，1wt％氟化氢，1wt％没食子酸丙酯和55.999wt％甲乙基亚砜。
柠檬酸/柠檬酸铵缓冲液中，柠檬酸和柠檬酸铵的含量为质量百分比40wt％，柠檬酸和柠檬酸铵的含量比为10∶1。
实施例7
50wt％柠檬酸/柠檬酸铵缓冲水溶液，0.01wt％聚丙烯酸(分子量700)，0.001wt％乙二醇，2wt％氟化氢，5wt％邻苯二甲酸甲酯和42.989wt％1，3-二甲基-2-咪唑烷酮。
柠檬酸/柠檬酸铵缓冲液中，柠檬酸和柠檬酸铵的含量为质量百分比15wt％，柠檬酸和柠檬酸铵的含量比为25∶1。
实施例8
20wt％柠檬酸/柠檬酸铵缓冲水溶液，0.1wt％聚甲基丙烯酸(分子量700)，0.01wt％乙二醇，2.5wt％氟化铵，8wt％对氨基苯甲酸甲酯和69.39wt％二甲基甲酰胺。
柠檬酸/柠檬酸铵缓冲液中，柠檬酸和柠檬酸铵的含量为质量百分比25wt％，柠檬酸和柠檬酸铵的含量比为10∶1。
实施例9
25wt％柠檬酸/柠檬酸铵缓冲水溶液，0.1wt％丙烯酸与马来酸共聚物(分子量1000)，0.1wt％乙二醇，0.1wt％氟化氢，0.1wt％氟化铵，0.6wt％氟化四甲基铵，2wt％没食子酸和72wt％乙二醇单乙醚。
柠檬酸/柠檬酸铵缓冲液中，柠檬酸和柠檬酸铵的含量为质量百分比35wt％，柠檬酸和柠檬酸铵的含量比为10∶1。
实施例10
30wt％柠檬酸/柠檬酸铵缓冲水溶液，1wt％苯乙烯与丙烯酸共聚物(分子量1500)，4wt％乙二醇，4wt％丙三醇，1wt％氟化氢，5wt％邻苯二甲酸，30wt％1，3-二甲基-2-咪唑啉酮和25wt％二丙二醇单丁醚。
柠檬酸/柠檬酸铵缓冲液中，柠檬酸和柠檬酸铵的含量为质量百分比45wt％，柠檬酸和柠檬酸铵的含量比为10∶1。
实施例11
40wt％柠檬酸/柠檬酸铵缓冲水溶液，2wt％苯乙烯与马来酸共聚物(分子量1500)，2wt％乙二醇，1wt％氟化铵和5wt％环丁砜，2wt％对氨基苯甲酸和48wt％丙二醇单丁醚。
柠檬酸/柠檬酸铵缓冲液中，柠檬酸和柠檬酸铵的含量为质量百分比5wt％，柠檬酸和柠檬酸铵的含量比为10∶1。
实施例12
56wt％柠檬酸/柠檬酸铵缓冲水溶液，0.5wt％丙烯腈与马来酸共聚物(分子量1000)，0.5wt％聚丙烯酸(分子量700)，0.5wt％乙二醇，0.1wt％氟化氢，0.4wt％苯甲酸和42wt％二乙二醇单甲醚。
柠檬酸/柠檬酸铵缓冲液中，柠檬酸和柠檬酸铵的含量为质量百分比55wt％，柠檬酸和柠檬酸铵的含量比为10∶1。
实施例13
20wt％柠檬酸/柠檬酸铵缓冲水溶液，0.5wt％丙烯酸与马来酸共聚物(分子量1000)，2.5wt％乙二醇，3wt％氟化铵，4wt％连苯三酚和70wt％二丙二醇单甲醚。
柠檬酸/柠檬酸铵缓冲液中，柠檬酸和柠檬酸铵的含量为质量百分比15wt％，柠檬酸和柠檬酸铵的含量比为10∶1。
实施例14
30wt％柠檬酸/柠檬酸铵缓冲水溶液，0.001wt％聚甲基丙烯酸铵(分子量1000)，0.008wt％乙二醇，0.1wt％氟化氢，0.891wt％对羟基苯酚和69wt％1，3-二乙基-2-咪唑烷酮。
柠檬酸/柠檬酸铵缓冲液中，柠檬酸和柠檬酸铵的含量为质量百分比25wt％，柠檬酸和柠檬酸铵的含量比为10∶1
实施例15
15wt％柠檬酸/柠檬酸钠缓冲水溶液，0.1wt％丙烯酸与马来酸共聚物(分子量1000)，0.1wt％聚丙烯酸钾(分子量1000)，5wt％乙二醇，3wt％氟化铵，5wt％1，2-二羟基苯酚，5wt％2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸甲酯和66.8wt％二丙二醇单乙醚。
柠檬酸/柠檬酸钠缓冲液中，柠檬酸和柠檬酸钠的含量为质量百分比10wt％，柠檬酸和柠檬酸铵的含量比为20∶1。
实施例16
15wt％柠檬酸/柠檬酸铵缓冲水溶液，2wt％含羟基聚醚，0.1wt％聚丙烯酸钠，2wt％乙二醇，2wt％氟化氢，2wt％苯酚，2wt％己酸酐和74.9wt％二乙二醇单丁醚。
柠檬酸/柠檬酸铵缓冲液中，柠檬酸和柠檬酸铵的含量为质量百分比5wt％，柠檬酸和柠檬酸铵的含量比为20∶1。
效果实施例
清洗剂1 24.55wt％柠檬酸/柠檬酸四甲基铵缓冲水溶液(22.09wt％水、2.37wt％柠檬酸四甲基铵和0.09wt％柠檬酸)，0.15wt％含羟基聚乙基醚(分子量1000)，0.3wt％苯并三氮唑，0.5wt％乙二醇，1.5wt％氟化铵和73wt％N-甲基吡咯烷酮。
清洗剂2 24.55wt％柠檬酸/柠檬酸四乙基铵缓冲水溶液(22.09wt％水、2.37wt％柠檬酸四乙基铵和0.09wt％柠檬酸)，0.15wt％含羟基聚乙基醚(分子量1000)，0.3wt％4-羧基苯并三氮唑，0.5wt％乙二醇，1.5wt％氟化铵，10wt％1，3-二甲基-2-咪唑啉酮和63wt％N-甲基吡咯烷酮。
清洗剂3 34.55wt％柠檬酸/柠檬酸四乙基铵缓冲水溶液(31.09wt％水、3.33wt％柠檬酸四乙基铵盐和0.13wt％柠檬酸)，0.15wt％含羟基聚乙基醚(分子量1000)，0.3wt％甲基苯并三氮唑，0.5wt％乙二醇，1.5wt％氟化铵和63wt％N-甲基吡咯烷酮。
按下述方法对清洗剂1～3进行对金属和非金属腐蚀速率的测试，测试结果如表1所示。
1.溶液的金属腐蚀速率测试方法：
1)利用Napson四点探针仪测试4*4cm铝空白硅片的电阻初值(Rs1)；
2)将该4*4cm铝空白硅片浸泡在预先已经恒温到35℃的溶液中30分钟；
3)取出该4*4cm铝空白硅片，用去离子水清洗，高纯氮气吹干，再利用Napson四点探针仪测试4*4cm铝空白硅片的电阻值(Rs2)；
4)重复第二和第三步再测试一次，电阻值记为Rs3；
5)把上述电阻值和浸泡时间输入到合适的程序可计算出其腐蚀速率。
2.溶液的非金属腐蚀速率测试方法：
1)利用Nanospec6100测厚仪测试4*4cm PETEOS硅片的厚度(T1)；
2)将该4*4cmPETEOS硅片浸泡在预先已经恒温到35℃的溶液中30分钟；
3)取出该4*4cmPETEOS硅片，用去离子水清洗，高纯氮气吹干，再利用Nanospec6100测厚仪测试4*4cmPETEOS硅片的厚度(T2)；
4)重复第二和第三步再测试一次厚度记为T3；
5)把上述厚度值和浸泡时间输入到合适的程序可计算出其腐蚀速率。
表1 清洗剂1～3腐蚀速率测试结果
从表1中可以看出：本发明的清洗液组合物对半导体制成中所用的金属(如金属铝)和非金属(如PETEOS)的腐蚀速率均接近或小于半导体业界通常所要求的2埃每分钟，基本不会侵蚀基材。
用表1中的溶液对等离子刻蚀残留物进行清洗发现，其等离子刻蚀残留物均被去除，而且基本没有腐蚀金属和非金属。
Claims (21)
1.一种清洗等离子刻蚀残留物的清洗液，其特征在于含有：柠檬酸/柠檬酸盐缓冲水溶液、高分子腐蚀抑制剂、抗冻剂、氟化物和溶剂。
2.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于：所述的柠檬酸/柠檬酸盐缓冲水溶液在清洗液中的含量为质量百分比15％～56％。
3.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于：所述的柠檬酸盐为柠檬酸与无机碱或季胺氢氧化物形成的盐。
4.如权利要求3所述的清洗液，其特征在于：所述的无机碱为氨水或氢氧化钾；所述的季胺氢氧化物为四甲基氢氧化铵或四乙基氢氧化铵。
5.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于：所述的柠檬酸/柠檬酸盐缓冲水溶液中柠檬酸和柠檬酸盐的含量为质量百分比5％～60％。
6.如权利要求5所述的清洗液，其特征在于：所述的柠檬酸/柠檬酸盐缓冲水溶液中柠檬酸和柠檬酸盐的含量为质量百分比10％～50％。
7.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于：所述的高分子腐蚀抑制剂或抗冻剂的含量为质量百分比0.0001％～10％。
8.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于：所述的抗冻剂为多元醇中的一种或多种。
9.如权利要求8所述的清洗液，其特征在于：所述的多元醇为乙二醇、丙三醇或季戊四醇。
10.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于：所述的高分子腐蚀抑制剂为含羟基聚合物和含羧基聚合物中的一种或多种。
11.如权利要求10所述的清洗液，其特征在于：所述的含羟基聚合物为含羟基聚醚或聚乙烯醇；所述的含羧基聚合物为含羧基聚醚、聚马来酸酐、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、丙烯酸与马来酸共聚物、苯乙烯与丙烯酸共聚物、苯乙烯与马来酸共聚物、丙烯腈与马来酸共聚物或上述化合物的铵盐、钾盐或钠盐。
12.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于：所述的氟化物的含量为质量百分比0.01％～3％。
13.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于：所述的氟化物为氟化氢和氟化氢与碱形成的盐中的一种或多种。
14.如权利要求13所述的清洗液，其特征在于：所述的碱为氨水、季胺氢氧化物或醇胺。
15.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于：所述的溶剂的含量为质量百分比40％～80％。
16.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于：所述的溶剂为亚砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醚中的一种或多种。
17.如权利要求16所述的清洗液，其特征在于：所述的亚砜为二甲基亚砜、二乙基亚砜或甲乙基亚砜；所述的砜为甲基砜、乙基砜或环丁砜；所述的咪唑烷酮为2-咪唑烷酮、1，3-二甲基-2-咪唑烷酮或1，3-二乙基-2-咪唑烷酮；所述的吡咯烷酮为N-甲基吡咯烷酮；所述的咪唑啉酮为1，3-二甲基-2-咪唑啉酮；所述的酰胺为二甲基甲酰胺；所述的醚为乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丁醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚、丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇单丁醚、二丙二醇单甲醚、二丙二醇单乙醚或二丙二醇单丁醚。
18.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于：所述的清洗液还含有小分子抑制剂。
19.如权利要求18所述的清洗液，其特征在于：所述的小分子抑制剂的含量为小于或等于质量百分比10％。
20.如权利要求18所述的清洗液，其特征在于：所述的小分子抑制剂选自酚类、羧酸类、羧酸酯类、酸酐类、苯并三氮唑类、膦酸类和膦酸酯类缓蚀剂中的一种或多种。
21.如权利要求20所述的清洗液，其特征在于：所述的酚类为苯酚、1，2-二羟基苯酚、对羟基苯酚或连苯三酚；所述的羧酸类为苯甲酸、对氨基苯甲酸、邻苯二甲酸或没食子酸；所述的羧酸酯类为对氨基苯甲酸甲酯、邻苯二甲酸甲酯或没食子酸丙酯；所述的酸酐类为乙酸酐或己酸酐；所述的苯并三氮唑类为苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑或4-羧基苯并三氮唑；所述的磷酸类为1，3-(羟乙基)-2，4，6-三膦酸、氨基三亚甲基膦酸或2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸。
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20081022 |