CN113078209A - 半导体结构及其制作方法、外围电路 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种半导体结构制作方法、半导体结构以及外围电路。其中，半导体结构的制作方法，包括：提供衬底；于衬底上形成栅极初始结构和残留物；使用第一清洗液去除残留物；其中，第一清洗液能够抑制残留物发生水解反应。本申请可以有效防止缺陷的产生，进而有效提高形成的栅极结构的品质和产品良率。
Description
技术领域
本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种半导体结构及其制作方法、外围电路。
背景技术
随着晶体管的尺寸缩小，栅介质层的厚度和源漏极之间的间距均进一步减小，使得栅极与漏极以及源极与漏极之间的漏电流急剧增加，传统的二氧化硅以及氮氧化硅等材料形成的栅介质层己经无法满足工业界的需求。
而高介电常数栅介质能够在保持栅电容不变的同时，增加栅介质的物理厚度，达到降低栅漏电流和提高器件可靠性的双重目的。因此，具有高介电常数介质层的栅极结构被广泛应用在集成电路(尤其是外围电路)的晶体管中。
然而，具有高介电常数介质层的栅极结构在制作过程中，会产生难以清除的刻蚀残留物导致缺陷，降低产品良率。
发明内容
基于此，有必要针对栅极结构形成过程中产生难以清洗的刻蚀残留物的问题，提供一种半导体结构制作方法、半导体结构以及外围电路。
一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
于所述衬底上形成栅极初始结构和残留物；
使用第一清洗液去除所述残留物；
其中，所述第一清洗液能够抑制所述残留物发生水解反应。
在其中一个实施例中，所述残留物的水解反应产物不溶于水、有机物、酸或碱中的任一种或多种。
在其中一个实施例中，所述残留物包括LaCl3，所述第一清洗液包括HCL溶液。
在其中一个实施例中，所述HCL溶液的浓度为1％-38％。
在其中一个实施例中，
所述栅极初始结构包括第一部分及第二部分，所述第一部分位于所述衬底上方，所述第二部分位于所述第一部分的上表面；所述第二部分在所述衬底上的正投影位于所述第一部分在所述衬底上的正投影的内部；
所述使用第一清洗液去除所述残留物之后，还包括：
使用第二清洗液对所述第一部分进行选择性刻蚀，所述第二清洗液对所述第一部分的刻蚀去除速率大于对所述第二部分及所述衬底的刻蚀去除速率，以使得保留的所述第一部分在所述衬底上的正投影与保留的所述第二部分在所述衬底上的正投影重合。
在其中一个实施例中，所述第一部分包括在所述衬底上依次层叠设置的栅介质初始层与调节初始层，所述第二部分包括层叠设置的功函数初始层与栅极金属初始层。
在其中一个实施例中，所述栅介质初始层包括HfSiOx膜层，所述调节初始层包括LaO膜层以及第一TiN膜层，所述第二清洗液包括HF溶液或DSP溶液中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述功函数初始层包括多晶硅膜层与第二TiN膜层。
在其中一个实施例中，所述栅极金属初始层包括金属钨膜层。
在其中一个实施例中，所述于所述衬底上形成栅极初始结构之前，还包括：
于所述衬底上形成界面材料层。
在其中一个实施例中，所述使用所述第二清洗液对所述第一部分进行选择性刻蚀，所述第二清洗液对所述第一部分的刻蚀去除速率大于对所述第二部分及所述衬底的刻蚀去除速率，以使得保留的所述第一部分在所述衬底上的正投影与保留的所述第二部分在所述衬底上的正投影重合之后，还包括：
去除暴露的所述界面材料层，以形成界面层。
在其中一个实施例中，所述于所述衬底上形成栅极初始结构和残留物，包括：
在所述衬底上依次形成栅介质材料层、调节材料层、功函数材料层以及栅极金属材料层；
在所述栅极金属材料层上形成第一掩膜材料层；
对所述第一掩膜材料层进行图形化处理，形成第一掩膜层；
基于第一掩膜层依次对栅极金属材料层、功函数材料层、调节材料层以及栅介质材料层进行干法刻蚀，形成所述栅极初始结构，且产生所述残留物。
在其中一个实施例中，所述第二清洗液包括DSP溶液，所述DSP溶液中包括超纯水、硫酸和双氧水，所述超纯水、所述硫酸和所述双氧水的体积比为85-95：3-5:5-10。
一种半导体结构，通过上述半导体结构的制作方法制作形成。
一种外围电路，包括上述的半导体结构，
上述半导体结构制作方法，使用第一清洗液去除残留物。其中，第一清洗液抑制残留物发生水解反应，从而能够防止残留物发生水解反应产生不溶于水、有机物、酸或碱等难以被去除的沉淀。因此，本申请可以有效防止缺陷的产生，进而有效提高形成的栅极结构的品质以及产品良率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一实施例中提供的半导体结构制作方法的流程图；
图2为一实施例中提供的半导体结构的形成过程中的结构示意图；
图3为一实施例中提供的半导体结构的结构示意图；
图4为一实施例中提供的经过第一清洗液清洗后的半导体结构的结构示意图；
图5为一实施例中提供的经过第二清洗液清洗后的半导体结构的结构示意图；
图6为另一实施例中提供的半导体结构制作方法的流程图。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。
应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分，这些元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分与另一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层、掺杂类型或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可以用于描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。此外，器件也可以包括另外地取向(譬如，旋转90度或其它取向)，并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白，当术语“组成”和/或“包括”在该说明书中使用时，可以确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。同时，在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
这里参考作为本发明的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述发明的实施例，这样可以预期由于例如制造技术和/或容差导致的所示形状的变化。因此，本发明的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状，而是包括由于例如制造技术导致的形状偏差。
本申请提供的半导体结构制作方法、半导体结构可以但不限于应用于外围电路的晶体管中。
在一个实施中，请参阅图1，提供一种半导体结构的制作方法，包括如下步骤：
步骤S100，提供衬底100，请参阅图2；
步骤S300，于衬底100上形成栅极初始结构200和残留物20，请参阅图2以及图3；
步骤S400，使用第一清洗液去除残留物20，请参阅图4。
在步骤S100中，衬底可以包括但不限于为硅、锗或者锗硅等半导体衬底。位于晶体管的栅极结构下的衬底100用于在源区与漏区之间形成导电沟道。
在步骤S300中，残留物20为形成栅极初始结构200的过程中产生的残留物。栅极初始结构200为最终形成的栅极结构300的初始结构。
在本实施例的步骤S400中，使用第一清洗液去除残留物20。其中，第一清洗液能够抑制残留物20发生水解反应，从而能够防止残留物发生水解反应产生不溶于水、有机物、酸或碱等难以被去除的沉淀。
通过第一清洗液使得残留物20被去除，请参阅图4。
因此，本实施例可以有效去除栅极结构形成过程中产生的残留物，从而防止产生缺陷，进而有效提高形成的栅极结构的品质以及产品良率。
在一个实施例中，请参阅图5，最终形成的栅极结构300可以包括栅介质层310以及栅极金属层340。
具体地，栅介质层310的材料可以为高介电常数介质材料，如硅酸铪(HfSiOx)或者氧化铪(HfO2)等。栅极金属层340的材料可以为金属钨(钨)等。
进一步地，栅极结构300还可以包括调节层320以及功函数层330。
调节层320可以调节晶体管的阈值电压，其可以包括一个膜层也可以包括多个膜层。例如，调节层320包括第一调节子层321与第二调节子层322。
第一调节子层321可以形成在高介电常数介质材料形成的栅介质层310上，第一调节子层321的材料可以为氧化镧(LaO)等。
第二调节子层322可以形成在第一调节子层321上，其具有合适的功函数。第二调节子层322的材料可以为氮化钛(TiN)等。
功函数层330也可用于调节晶体管的阈值电压。具体地，功函数层330可以包括第一功函数子层331与第二功函数子层332。
第一功函数子层331可以形成在第二调节子层322上，第一功函数子层331的材料可以为多晶硅等。
第二功函数子层332可以形成在第一功函数子层331上，还可以防止第一功函数子层331与栅极金属层340发生反应，其材料可以为氮化钛(TiN)等。
步骤S300可以包括：
步骤S310，在衬底100上依次形成栅介质材料层310a、调节材料层320a、功函数材料层330a以及栅极金属材料层340a，请参阅图2；
步骤S320，在栅极金属材料层340a上形成第一掩膜材料层400a，请参阅图2；
步骤S330，对第一掩膜材料层400a进行图形化处理，形成第一掩膜层400，请参阅图2以及图3；
步骤S340，基于第一掩膜层400依次对栅极金属材料层340a、功函数材料层330a、调节材料层320a以及栅介质材料层310a进行干法刻蚀，形成栅极初始结构200，且产生残留物20，请参阅图2以及图3。
在步骤S310中，请参阅图2至图5，栅介质材料层310a用于形成栅极初始结构200的栅介质初始层210，栅介质初始层210用于形成栅极结构300的栅介质层310。调节材料层320a用于形成栅极初始结构200的调节初始层220，调节初始层220用于形成栅极结构300的调节层320。功函数材料层330a用于形成栅极初始结构200的功函数初始层230，功函数初始层230用于形成栅极结构300的功函数层330。栅极金属材料层340a用于形成栅极初始结构200的栅极金属初始层240，栅极金属初始层240用于形成栅极结构300的栅极金属层340。
其中，调节材料层320a可以包括第一调节子材料层321a与第二调节子材料层322a。第一调节子材料层321a用于形成栅极初始结构200的第一调节初始子层221，第一调节初始子层221用于形成栅极结构300的第一调节子层321，第二调节子材料层322a用于形成栅极初始结构200的第二调节初始子层222，第二调节初始子层222用于形成栅极结构300的第二调节子层322。
功函数材料层330a可以包括第一功函数子材料层331a与第二功函数子材料层332a。第一功函数子材料层331a用于形成栅极初始结构200的第一功函数初始子层231，第一功函数初始子层231用于形成栅极结构300的第一功函数子层331，第二功函数子材料层332a用于形成栅极初始结构200的第二功函数初始子层232，第二功函数初始子层232用于形成栅极结构300的第二功函数子层332。
在步骤S320中，作为示例，第一掩膜材料层400a的材料可以为氮化物，如氮化硅。
在步骤S330中，可以基于掩膜层，对第一掩膜材料层400a进行干法刻蚀，形成图形化的第一掩膜层400。
在步骤S340中，基于第一掩膜层400进行干法刻蚀，以形成栅极初始结构200的过程中，会产生残留物20。
在本实施例中，基于第一掩膜层400依次对栅极金属材料层340a、功函数材料层330a、调节材料层320a以及栅介质材料层310a进行干法刻蚀时，刻蚀气体可能会与被刻膜层发生反应，从而生成残留物20。
例如，调节层320包括材料为LaO的第一调节子层321时，调节材料层320a包括材料为LaO的第一调节子材料层321a。此时，利用含有Cl2的气体干法刻蚀第一调节子材料层321a时，刻蚀气体会与LaO发生反应，产生LaCl3。LaCl3残留物沸点高，难以被清除。
此时，通过步骤S400中使用第一清洗液抑制残留物20发生水解反应，从而能够防止残留物发生水解反应产生不溶于水、有机物、酸或碱等导致难以被去除的沉淀。
在一个实施例中，步骤S330包括：
步骤S331，在第一掩膜材料层400a上形成第二掩膜材料层500a；
步骤S332，基于光刻工艺，对第二掩膜材料层500a进行图形化处理，形成第二掩膜层；
步骤S333，基于第二掩膜层，对第一掩膜材料层400a进行干法刻蚀，形成图形化的第一掩膜层400。
在步骤S331中，请参阅图2，第二掩膜材料层500a可以包括单个或者多个膜层。例如，其可以包括有机旋涂碳(SOH)材料层与位于其上的氮氧化硅(SiON)材料层。
在步骤S332中，具体地，请参阅图2，第二掩膜材料层500a形成后，可以在第二掩膜材料层500a上形成光刻胶，然后基于光刻工艺，对光刻胶层进行图形化处理，形成图形化光刻胶层600。
之后，基于图形化光刻胶层600对第二掩膜材料层500a进行干法刻蚀，以形成图形化的第二掩膜层。之后去除图形化光刻胶层600。
在步骤S333之后，可以去除第二掩膜层。
在一个实施例中，残留物包括LaCl3，第一清洗液包括HCL溶液。
此时，如前，这里的LaCl3可以为干法刻蚀第一调节子材料层321a(材料为LaO)时产生的残留物。当然，当其他被刻蚀膜层包括镧(La)元素时，本实施例的LaCl3也可以为刻蚀其他被刻蚀膜层过程中产生的残留物。
LaCl3易溶于水但极易水解，产生难溶于水、有机物、绝大部分酸或碱的LaClO沉淀，其水解反应如下：
上述反应可逆，加入盐酸可抑制水解反应，从而能够防止残留物发生水解反应产生不溶于水、有机物、酸或碱等难以被去除的沉淀。
进一步地，可以设置HCL溶液的浓度为1％-38％，从而有效抑制LaCl3水解，例如HCL溶液的浓度可以为3％、7％、11％、15％、19％、23％、27％、31％或35％等，若浓度设置过低，则不能有效抑制水解反应的发生，若浓度设置多大，则会对调节初始层220造成损伤，影响器件性能，例如调节初始层220包含LaO时，过大浓度的HCL溶液会对LaO造成破坏。
在一个实施例中，请参阅图3，步骤S300形成的栅极初始结构200包括第一部分及第二部分。
第一部分位于衬底100上方，第二部分位于第一部分的上表面。第二部分在衬底上的正投影位于第一部分在衬底上的正投影的内部。
第一部分的相对于第二部分突出的部分即为栅极初始结构200的角落处。由于该部分的存在会影响后续制程，从而影响晶体管性能。
在本实施例中，请参阅图6，步骤S400之后，还包括：
步骤S500，使用第二清洗液对第一部分进行选择性刻蚀，第二清洗液对第一部分的刻蚀去除速率大于对第二部分及衬底100的刻蚀去除速率，进而使得保留的第一部分在衬底100上的正投影与第二部分在衬底100上的正投影重合。
通过第二清洗液的应用，可以选择性刻蚀栅极初始结构200的角落处，从而使得保留的第一部分在衬底100上的正投影与第二部分在衬底100上的正投影重合，从而得到高质量的栅极结构300。
在一个实施例中，请参阅图3，步骤S340，基于第一掩膜层400依次对栅极金属材料层340a、功函数材料层330a、调节材料层320a以及栅介质材料层310a进行干法刻蚀后，栅极金属材料层340a可以形成与第一掩膜层400图形较为一致的栅极金属初始层240，功函数材料层330a可以形成与第一掩膜层400图形较为一致的功函数初始层230。通过调整调节材料层320a以及栅介质材料层310a的刻蚀结果，使得刻蚀形成的调节初始层220以及栅介质初始层210相比功函数初始层230具有较大的宽度，使得在残留物清洗时，可以对后续形成的栅介质层310和调节层320起到保护作用。
此时，栅极金属初始层240与功函数初始层230可以构成第二部分。而调节初始层220与栅介质初始层210可以构成第一部分。
此时，请参阅图4以及图5，步骤S500使用第二清洗液对第一部分进行选择性刻蚀后，第二部分的栅极金属初始层240形成栅极金属层340，第二部分的功函数初始层230形成功函数层330，第一部分的调节初始层220形成调节层320，第一部分的栅介质初始层210形成栅介质层310。栅介质层310、调节层320、功函数层330以及栅极金属层340构成栅极结构。
由于步骤S500中的第二清洗液对第一部分的刻蚀去除速率大于对第二部分及衬底100的刻蚀去除速率，所以保留的第一部分(栅介质层310、调节层320)在衬底100上的正投影与保留的第二部分(功函数层330、栅极金属层340)在衬底100上的正投影重合，从而可以得到高质量的栅极结构300。
进一步地，功函数初始层230可以包括由第一功函数子材料层331a形成的第一功函数初始子层231与第二功函数子材料层332a形成的第二功函数初始子层232。此时，步骤S500后第一功函数初始子层231形成第一功函数子层331。第二功函数初始子层232形成第二功函数子层332。第一功函数子层331与第二功函数子层332构成功函数层330。
作为示例，第一功函数初始子层231可以为多晶硅膜层，第二功函数初始子层232可以为第二TiN膜层。栅极金属初始层可以包括金属钨膜层。
同时，调节初始层220可以包括由第一调节子材料层321a形成的第一调节初始子层221与第二调节子材料层322a形成的第二调节初始子层222。此时，步骤S500后第一调节初始子层221形成第一调节子层321，第二调节初始子层222形成第二调节子层322。第一调节子层321与第二调节子层322构成调节层320。
当然，在其他实施例中，第一部分以及第二部分所包括的膜层可以与此不同，本申请对此并没有限制。
在一个实施例中，设置栅介质初始层210包括HfSiOx膜层，调节初始层220包括LaO膜层以及第一TiN膜层。其中，LaO膜层可以为上述第一调节初始子层221，第一TiN膜层可以为上述第二调节初始子层222。
同时，在本实施例中，设置第二清洗液包括氢氟酸(HF)溶液或DSP溶液中的至少一种。例如，所述DSP溶液中包括超纯水、硫酸和双氧水，所述超纯水、所述硫酸和所述双氧水的体积比为85-95：3-5：5-10。所述体积比既可以保证对栅极初始结构200的第一部分的刻蚀速率又不会对栅极初始结构200的第二部分造成过大的损伤。
在一个实施例中，HF与DSP的混合溶液对HfSiOx膜层、LaO膜层以及TiN膜层具有较高的选择比，可以选择性刻蚀角落不易刻蚀部分，从而对第一部分进行有效刻蚀。
在一个实施例中，请参阅图6，步骤S300之前，还包括：
步骤S200，于衬底100上形成界面材料层700a，请参阅图2。
界面材料层700a的材料可以包括但不限于为二氧化硅(SiO2)。
进一步地，在步骤S500之后，还可以包括：
步骤S600，去除暴露的界面材料层700a。此时，剩余界面材料层700a形成界面层700，请参阅图5。
在一个实施例中，去除暴露的界面材料层700a在使用第二清洗液对栅极初始结构的第一部分进行刻蚀之后进行，界面材料层700a可以对衬底表面起到保护作用，防止第二清洗液对衬底的损伤。
高介电常数的栅介质材料层310a直接应用于半导体衬底100时，可能会产生氧空位等，从而导致其与衬底100之间产生界面缺陷。
界面材料层700a的形成可以有效减少界面缺陷。同时，该界面材料层700a形成的界面层700还可以改善热稳定性、减少穿过栅介质材料层310a形成的栅介质层310的隧穿，并改善通过晶体管沟道区的载流子迁移率。
在一个实施例中，还提供一种半导体结构，通过上述实施例的半导体结构的制作方法制作形成。
在一个实施例中，还提供一种外围电路，包括上述实施例的半导体结构的制作方法制作形成的半导体结构。
应该理解的是，图1中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (15)
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
于所述衬底上形成栅极初始结构和残留物；
使用第一清洗液去除所述残留物；
其中，所述第一清洗液能够抑制所述残留物发生水解反应。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，
所述残留物的水解反应产物不溶于水、有机物、酸或碱中的任一种或多种。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述残留物包括LaCl3，所述第一清洗液包括HCL溶液。
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述HCL溶液的浓度为1％-38％。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，
所述栅极初始结构包括第一部分及第二部分，所述第一部分位于所述衬底上方，所述第二部分位于所述第一部分的上表面；所述第二部分在所述衬底上的正投影位于所述第一部分在所述衬底上的正投影的内部；
所述使用第一清洗液去除所述残留物之后，还包括：
使用第二清洗液对所述第一部分进行选择性刻蚀，所述第二清洗液对所述第一部分的刻蚀去除速率大于对所述第二部分及所述衬底的刻蚀去除速率，以使得保留的所述第一部分在所述衬底上的正投影与保留的所述第二部分在所述衬底上的正投影重合。
6.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一部分包括在所述衬底上依次层叠设置的栅介质初始层与调节初始层，所述第二部分包括层叠设置的功函数初始层与栅极金属初始层。
7.根据权利要求6所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述栅介质初始层包括HfSiOx膜层，所述调节初始层包括LaO膜层以及第一TiN膜层，所述第二清洗液包括HF溶液或DSP溶液中的至少一种。
8.根据权利要求6所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述功函数初始层包括多晶硅膜层与第二TiN膜层。
9.根据权利要求6所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述栅极金属初始层包括金属钨膜层。
10.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述于所述衬底上形成栅极初始结构之前，还包括：
于所述衬底上形成界面材料层。
11.根据权利要求10所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述使用所述第二清洗液对所述第一部分进行选择性刻蚀，所述第二清洗液对所述第一部分的刻蚀去除速率大于对所述第二部分及所述衬底的刻蚀去除速率，以使得保留的所述第一部分在所述衬底上的正投影与保留的所述第二部分在所述衬底上的正投影重合之后，还包括：
去除暴露的所述界面材料层，以形成界面层。
12.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述于所述衬底上形成栅极初始结构和残留物，包括：
在所述衬底上依次形成栅介质材料层、调节材料层、功函数材料层以及栅极金属材料层；
在所述栅极金属材料层上形成第一掩膜材料层；
对所述第一掩膜材料层进行图形化处理，形成第一掩膜层；
基于第一掩膜层依次对栅极金属材料层、功函数材料层、调节材料层以及栅介质材料层进行干法刻蚀，形成所述栅极初始结构，且产生所述残留物。
13.根据权利要求7所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第二清洗液包括DSP溶液，所述DSP溶液中包括超纯水、硫酸和双氧水，所述超纯水、所述硫酸和所述双氧水的体积比为85-95：3-5：5-10。
14.一种半导体结构，其特征在于，通过权利要求1-13任一项所述的半导体结构的制作方法制作形成。
15.一种外围电路，其特征在于，包括权利要求14所述的半导体结构。
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