TWI274959B - Pellicles having low adhesive residue - Google Patents

Description

►if.doc 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於一種用於為半導體製程之一的半導體光 微影製程（semiconductor photolithographic process)中以 達成防止灰塵黏附至主光罩（reticle)或光罩（ph〇t〇mask) (下文簡單稱作光罩）之目的的薄膜（pellicle)。更特定言 之，本發明是關於一種具有殘留在光罩表面上之低黏性殘 餘物的薄膜，其中在使用之後當自所述光罩剝離所述薄膜 時，所述薄膜之部分罩幕黏附物得以移除且轉移至所述光 罩之表面上。 【先前技術】 在為半導體製程之一的半導體光微影製程中，已將薄 膜用作光罩之防塵覆蓋物。要求用於保持薄膜至光罩之黏 附力的罩幕黏附物具有對光罩表面之高黏著性以便發揮高 防塵效果，且當外來物質黏附達到不可接受之程度時或當 表面膜（pellicle film)受損時亦要求其在使用期間易於移 除。由於所述特徵在使用光罩時大大地影響便利性，因此 例如曰本專利早期公開（JP_A)第1〇-28264〇號中所揭示， 已$又计各種方案，諸如控制罩幕黏附物之硬度及其類似設 計。 諸如在JP-A 10-282640及類似參考案中所揭示的習知 使用之罩幕黏附物具有足夠黏著性以展現防塵特性且可易 於移除。然而，問題在於··由於黏性殘餘物殘留在幾乎整 讎附表面上，其巾#自鮮獅冑料部分罩幕黏附物 5 [pif.doc 得以移除且轉移至光罩矣 光罩再循環利用。詳^ 此需要充分洗滌以便將 (miniaturiz和）取’近來半導體製造之小型化 得ί為複雜及精密，以致於洗務已變得困難 易。由於此緣故，已強烈需求以下薄臈 有在附狗具備足_著性之 ^面 上留下很少黏性殘餘物以— 社尤罩表面 條或更佳為_麟必_程度_賴讀祕進行洗 =剝τ薄膜時減少在光罩表面上之黏性殘餘 要罩幕黏附物之内聚力比黏附界面處之黏附力更強。铁 :黏影製程中’由於嚴格要求上述薄膜緊緊 ㈣會之，二罜Ξ此認為難以降低黏附界面處之黏 力間5之由於罩幕黏附物内部之内聚力及黏附界面 ^黏附力的控制範圍極為有限，因此已認 黏性殘餘物在鮮絲上之存在科聽。 擔之 作為在不使用黏附物之情況下使薄膜黏附至光罩且保 持於其上的方法，已分別在日本專利早期公開（JP_A)第 61-245163 (JP-A) % 62-109053 就中揭示應用減壓抽吸之方法及應用磁力之方法。在此等 方法中，在剝離薄膜時歸因於罩幕黏附物之黏性殘餘物並 不存在:然而，薄膜之結構與習知薄膜之結構極其不同， 且虽將溥膜用於實務中時，需要對輔助設施進行顯著的改 變。因此，不能稱此等方法是實用的。 I2749^4p,doc ^a方面，在半導體晶圓拋光製程中之晶圓保護膜中 松全不同之應用）’亦已需要在剝離膜時不會致使黏 :留在晶圓表面上之保護膜，且已對黏附物進行各 由^。日本專利早期公開（爪Α)第4_186832號揭示藉 且右^ ^物衣備中於聚合反應時添加反應性界面活性劑而 具^咸少的黏性殘餘物之晶圓保護膜。另外，曰本專利早 二：ΖϋΡ·Α) * 1993_198542號揭示藉由將初始剝離強 二:5低且調節黏附強度隨時間之流逝增加而具有減 v的钻性绞餘物之晶圓保護膜。 於If ^曰m由，與薄膜之罩幕黏附物的黏附強度相比，用 認為薄 餘物ίίί述情形下形成本剌，且錢供财低黏性殘 膜之赴=ΐ已對作為薄膜之罩幕黏附物而用於晶圓保護 液型黏附物進行實際測試，雖然乳液型 性殘餘物極少且已反= 【發明内容】 在框:一及，含:刚黏附物 黏附至光罩之罩幕黏附層:其中當使 7 •if.doc 石英玻璃繼而剝離時，罩幕黏附物殘留在石英玻璃表面上 之黏性殘餘物的面積不超過黏附表面面積的5〇/〇。

此外，本發明之罩幕黏附層能夠使薄膜黏附至光罩且 將其固持於光罩之上，且包含形成與光罩接觸之表面的 f二罩幕黏附層可具有包含多個層之多層結構且並非必定 思谓其包括具有單層之層。同樣為強調包括多層結構，亦 將，罩幕黏附層（mask adhesive layer)稱作“多個罩幕黏附 層’（mask adhesive layers)，且在此等層中，將構成與光 罩接觸之表__物單相稱作“轉黏_，，以便區別彼 此。除非另外規定，否則術語“罩幕黏附 由罩幕黏附物形成之單相的層。 /、男惶 【實施方式】 —丨小溽腰i包含框架4、經由膜黏 ，柜加^ 之一個端面上伸展之表面膜2、以及置放 含栋U 一端面上之有待黏附至光罩的罩幕黏附層9。 田賴⑽至石英綱繼㈣離

所具有的得以剝離且轉移至石英玻璃表面上並歹t 合使用殘餘物的面積不超過黏附表面面積之5%。 ^ 幕軸物之薄断，光罩上之黏性殘餘 以致於拉洗糾極錢單之方式完成或洗= 黏性殘餘物之面積熹 貝疋稭由對其中黏性殘餘物經視覺上 也貝之部分的面積進 見 存在，將簿膜乃Ρ : 采计异。為證實黏性殘餘物之 、、央玻璃保持在23°C之溫度及55%RH之 8 12749論 pif.doc 濕度的環境條件下歷時12小時，且在相同環境條件下施加 1·5χ1〇2牛頓之負載歷經3分鐘以使薄膜黏附至石英玻璃， 將所得材料在無負載之情況下保持一週，自石英玻璃剝離 薄膜’且使用顯微鏡觀測石英玻璃之表面。 為在如上述剝離薄膜時減少黏性殘餘物，相對於具有 125微米之厚度的未經表面處理之聚對苯二甲酸乙二酯 (polyethylene terephthalate )而言，較佳使用在 23°c 下具 有0.004牛頓/耄米至〇1〇牛頓/毫米之剝離強度的罩幕黏 附物。、當剝離強度大於〇·1〇牛頓/毫米時，罩幕黏附物之 黏性殘餘物可為顯著的，由此可能使光罩難以洗滌。另一 方，，當剝離強度小於〇·0〇4牛頓/毫米時，薄膜對光罩之 黏著性可能不足，由此可能使薄膜之固有抗塵性劣化。 根據廣泛用作評估黏附膜及其類似物之黏著性之方法 =下列方法來量測剝離強度。即，均勻及平滑地形成罩幕 f附物。隨後，使具有125微米之厚度的未經表面^理之 來對苯二甲酸乙二酯膜（Toray Ind她㈣以 J黏附物的表面，且在2.0xl〇5帕 ： :，。隨後，在2宂之環境條件下，；::= =⑽度之方向上以1G亳米/分鐘之速止^_ 剝離，縣此時測得之最大負载值視為娜如。、I 在量測時’可視材料特徵而定來二， =罩幕黏附物之遮罩接觸之表面之“的方用 牛例而言，由於應用至薄膜之軍幕黏附物是均勻及=地 9 12749§Q4pif— 形成於框架之一個端面上，因此罩幕黏附物可用於實際上 之剝離強度的量測。 ' κ $ 具有前述剝離強度之罩幕黏附物不受特別限制。声 而，可使用丙烯酸型乳液黏附物或合成橡膠型乳液（乳膠 黏附物。亦可使用所謂的微吸器，其由於由吹泡或i類^以 者形成之氣泡或泡沫而具有形成於黏附物表面上之精=凹 孔。作為合成橡膠型黏附物，較佳使用乳膠黏 諸 _苯乙烯_丁二浠型共聚物（SBR)、聚丁二稀型聚合物 ’ （BR)、甲基丙稀酸甲醋丁二烯型共聚物（mbr)、丙晞 腈-丁二烯型共聚物（NBR)、氯丁二烯型聚合物（CR)、 其叛基改質產物、以及其類似物。尤其較佳使用藉由丙稀 酸型單體之乳液聚合而獲得的丙烯酸型乳液黏附物，所述 丙烯酸型單體諸如為丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸之醋或 醯胺、甲基丙烯酸之酯或醯胺、丙烯腈、以及其類似物。 此等丙烯酸型乳液黏附物較佳含有界面活性劑，且亦 可含有交聯劑或水溶性有機化合物。界面活性劑可在黏附 ，物聚合之後或在黏附物聚合期間添加，且可為能夠在^合 時自身反應之可聚合界面活性劑，或可使用不同於其之其 他類型。乳液黏附物之特定實例詳細揭示於日本專利申請 案早期公開第4-186831號之第2頁上及曰本專利申請案早 期公開第5-198542號之段落(〇〇29) _ (〇〇38)中，且彼等乳 液黏附物可適用於本發明。舉例而言，可使用藉由使含有 丙烯酸烷基酯單體或甲基丙烯酸烷基酯單體以及含有羧基 之單體的單體混合物在含有乳化劑、聚合引發劑、以及其 127’4规_

類似物之去離子水性介質中進行乳液聚合而獲得的丙烯酸 性乳液黏附物。遇必要時，單體混合物可更含有可與所述 單體聚合之單體。丙烯酸烷基酯單體或曱基丙烯酸烷基酯 單體例如包括：丙烯酸曱醋、曱基丙稀酸曱醋、丙稀酸乙 酯、曱基丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸丙酯、丙 烯酸丁酯、曱基丙烯酸丁酯、丙烯酸己酯、曱基丙烯酸己 酯、丙烯酸辛酯、甲基丙烯酸辛酯、丙烯酸壬酯、曱基丙 烯酸壬酯、丙烯酸十二酯、以及甲基丙烯酸十二酯。此等 烧基可為直鏈或支鏈。丙烯酸烷基酯單體或曱基丙烯酸烷 基酯可單獨使用或組合使用。 上述含有羧基之單體例如包括丙烯酸、甲基丙烯酸、 丁烯酸、衣康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、以及其類似 物。有待使用之具有此等羧基之單體的量較佳為以1〇〇重 量份形成丙烯酸性乳液黏附物之單體混合物計約01至10 重里伤。，黏附物中之羧基與交聯劑反應以形成交聯結構。 因此，當具有羧基之單體的量少於01重量份時，交聯結 構並未充分形成，且存仙聚力不足之擔憂。與此相反， 當具有縣之單_好於1G重量料，存在反應系統在 乳液聚合中變得不穩定之擔憂。 乙^基單體例如包括丙烯酸經乙酯、甲基丙烯酸經乙 、甲基丙稀酸經丙酯、丙烯醯胺、甲基 丙細S&月女、二甲胺某而、& a '知日、二甲胺基甲基丙稀酸醋、 乙==旨、苯乙烯、丙稀腈、以及其類似物。 ;li例如包括··聚環氧烧烧基轉，諸如聚環氧 1274¾¾ pif.doc 乙炫f才土基輕及聚壞氧乙烧硬脂醯基越；聚環氧乙烧燒其 =2如聚環氧乙烧月桂基酯及聚環氧乙炫硬脂醯基酿； j乳乙跋基苯細，諸如聚環氧乙辭基苯基趟 烷壬基苯基醚；山梨糖醇烷基酯，諸如山梨糖醇單 射土^旨、山雜醇單棕櫚_，叹山餘醇單硬月旨酸 酉曰，4¾氧乙烷山梨糖醇烷基酯，諸 =酷、聚環氧乙炫山梨糖醇油心== 减’堵如聚環氧乙烧、聚環氧丙燒、聚環氧乙产 : 丙二醇、以及聚環氧乙烧燒基醯胺；以及其類似=魏 相對於丙烯酸性乳液黏附物中之 二=活性劑之添加量較佳為約⑹5至1(^== 么為約0·5至3重量份。 彳較 儘管轉細層可包含域祕待軸 之黏附物形成的單層，只要用於待黏附至光罩^ =表面 =2上，剝離強度即可，但是罩幕黏附層可'4? 3其他層之多層結構。 J具有包 罩幕黏附層之厚度不受特別限 由罩幕黏附物之單層形成時，具有約5至；^附層是 1〇?微米之厚度的黏附層可使薄膜黏^ ^ 自黏附條件之觀點而言，具有上述三声 诞未。在此狀況下，當基礎材料 至_ _微米、較佳約⑽至800微米===約H)至 約5至微米、較佳約1〇至2〇〇微米且罩幕黏 12 1274¾¾ pif.doc f為約5至刚微米、較佳約⑺至50微米時，薄膜可適 當地黏附至光罩。 寻腰J、 牛例而σ，如圖1中所示，罩幕黏附層9可具有三層

=6 =架」侧依次包含基礎材料黏附物5:、膜G f轉附物7。利用所述組態，罩幕黏附層具 ^勢以致於產生薄膜！之操作變得簡單。即，可以使得 tit;備軍幕黏附物7之膜基礎材料6經由膜 、面上之基礎材料黏附物5黏附至框架4 此處罩幕黏附層9之組態的薄膜。可預先將 ^處之基礎材料黏_ 5塗佈於㈣4之上或者 材料黏附物5塗佈於膜基礎材料6之另-表面上。土 物H ’當實際使用薄膜1時，較佳使被稱作概膜之保 ° ^附至遮罩黏附表面直至使薄膜黏附至光罩為止。 从各可使用f知之塗佈方法將罩幕細物及基礎材料黏附 材料之上。舉例而言，可將滚S 3 t二? 法用於塗佈。為將基礎材料黏附物塗佈 '木可使用習知方法進行塗佈。例如可使用用於涂 佈熔融黏附物之熱熔法或其類似方法。 、主 受於待以轉_物塗狀膜基婦料的材料不 可制，但較佳使用包含熱塑性樹脂之膜，此是因為 易於&得所要厚度或所要物理特性之故。特定古之，; ^使用包含諸如聚對苯m、 -以及諸如乙烯乙共聚物或其類似物之乙婦 13 I2749^4p,doc 基型聚合物的膜。可對此等熱塑性膜進 其物理特性之目的。 丁拉伸以達到控制 用於使在其一表面上具備罩幕黏附物之膜 附至框架的基礎材料黏附物不受特別限制，只 黏附物能夠使膜基礎材料黏附至框架即可。铁土盆广 料黏附物之日扭__s)硬度值錄^6牛頓^ = 牛頓。當基礎材料黏附物之JIS硬度值小於〇6牛頓日士 .， 罩幕黏附層可在薄_存觸或在其使科發广 =可能使黏著性劣化。另外，當基礎材料黏附瓜 = =2.9牛頓時，對光罩之黏著性可變得更差。此外更 硬度值可根據瓜K6301 (對應於八㈣ D224〇)例如使用橡膠硬度測試機GS-706 (JIS A型）

(Teclock之產品）來量測。 J 作為基礎材料黏附物，可使用任何黏附物， 使膜基礎材料_㈣即可。其特定實触括：孰 型樹脂，諸如苯乙烯·乙烯_了烯_苯乙稀嵌段共聚= (SfBS)、4乙稀-乙稀丙稀-苯乙烯鼓段共聚物（sEps)、 乙稀乙，乙烯g旨樹脂、曱基丙稀酸丁賴脂、聚苯乙烤、 聚異丁烯或其共聚物，或者藉由㈣如聚魏_、胺基 曱酸醋類型、丙烯酸類贱其類似顧之祕樹脂中適ς 添加其他伽、轉性賦予劑、增糊、抗氧化劑、以^ 穩定劑或其類似物而產生之黏附物。 要本叙月之溥膜具有罩幕黏附層，其他結構元件或 組怨即不X特別限制。舉例而言，表面膜之材料或厚度、 14 1274¾¾ pif.doc ^面膜:構、不會藉由其内部氣體膨脹或收縮而向 ===構、使框架免於產生灰塵之結構、不 本糾之薄膜中不幻==變形的結構、以及類似者在 實例 训現::考::及其類似者對本發明進行以下更明確的 =月。然而’本㈣之料並不限定於鱗實例及其類似 實例1 及計、回流冷凝器、滴液漏斗、氮氣入口 150重量份離子交換水及2重量份 作為界面活性劑之化合物，所述化合物具有添加 =烧=，基㈣添加2G莫耳環氧乙幻之苯環中的稀丙 ^。’且在乳氣氛下於授拌下將所得混合物之溫度升至7〇 接著’向其巾添加G5重量份作為聚 :===解。另外，經4小時連續逐滴添加含有 3重旦V甲美兩U基己酉曰、25重量份甲基丙烯酸甲酯、 重以及2重量份丙騎2·經乙㈣100 =tfr:即使在逐滴添加完成之後亦又另外 ΐΐ=ΙΓΓ；進行聚合，以獲得具有約仙重量％之固 體含:r的丙烯酸型乳液黏附物。 隨後，向100重量份黏附物中添加10重 單丁基酸以獲得塗佈溶液。使用輥塗機將所得塗^^塗 15 !2749^ 佈於具有75微米厚度之聚對苯二曱酸乙二酯膜的一經電 晕處理之表面上’且將所得材料在丨仍乞下乾燥以獲得具 備厚度為10微米之罩幕黏附物的膜基礎材料。 接著’使保護膜黏附於膜基礎材料之經罩幕黏附物塗 佈之表面上。

使用 A131 (JIS 硬度：2.2 牛頓，Asahi Chemical Synthetic Co·，Ltd·之產品），意即基於SEBS之熱溶融黏附 物藉^熱溶法將具有_微米之厚度的基礎材料黏附物塗 佈於薄膜框架之料軸表面上。隨後，使經罩幕黏附物 塗佈之膜基礎材料的其±未塗鮮幕黏_之表面黏附至 框架以產生具有如圖丨中所圖示之組態的薄膜。 _ H上述方法自所獲㈣獅細至罩幕騎物的保 ^ ^ )Sl〇#125 Toray Industries, &苯具有125微米之厚度的未經表面處理之 :下:乙二醋膜黏至其表面上並在2.0，、之壓 =黏附表面呈⑽度之方向上以 扯:對本二甲酸乙二酉旨膜且將其 … 得剝離強度為0.04牛頓/毫米。 到_強度。所 將根據上述方法獲得之另一薄膜及 持於23。〇之溫度及挪RH之濕度下的持在維 =，且隨後在相同環境條件下自薄膜剝離小 =蒦，並使其黏附至石英玻璃。在施力 、 分鐘之後，將所得材料在無輯之情況下 16 J2 7 9 5Stpif.doc 位盎n、ΗΪ t 、央玻璃之黏附表面。此時，將在200 影像展示於圖2中。影像含有照片之左側 2附1面右側處的非黏附表面，但並未清楚觀測到 ;里’二:：一占附表面之間的差異。影像經受數位影像處 性户於2於非黏附表面而言計算殘留於黏附表面上之黏 射Lt纟面積。結果為’所殘留之罩幕黏附物之黏性殘 餘物的面積為整個黏附表面面積之約〇2%。 實例2 押名將21中產生之薄膜及罩幕基底（maskblank)(商 二 ‘ V1X 625_2QZ，H〇ya Corporation 之產品，下 ‘罩幕i底”）保持在維持於2rc之溫度及55〇/❶ 歷時12小^且隨後在顧環境内自 麻。、4 、罩幕黏附物之保護膜且使其黏附至罩幕基 材料在=ϋΧΐ〇2牛頓之負載歷經3分鐘之後，將所得 週^隨後負載之情況下於姉環境條件下保持1 4自罩幕基底__，且使用光學顯微鏡觀測罩 二此時’將在2GG倍率下觀測到之影像 處的^1：生。衫像包括影像之左侧處的黏附表面及右側 面之間面’但並未清楚朗到軸表面與非黏附表 声而^影像經受數位影像處理，且相較於非黏附 果為，if算殘留於黏附表面上之黏性殘餘物的面積。結 _附1工於其上之罩幕黏附物之黏性殘餘物的面積為整 附表面面積之約L8%。由於黏性殘餘物之產生為少 17 1274¾¾ pif.doc =因此即使在未H狀情況下使薄膜再 基底，亦證實其黏著性不成問題。 罩幕 膜的=件罩石英玻璃上之金屬薄 程中轉移至半導體日&t...日衣有待在半導雜光微影製 怖辨之線路 ;;是指其上未繪製線路之光罩。當評4膜:性= 果可接近於在實際使用環境中藉由使心 對照實例1

Svnth^用rA131 〇IS 硬度：2.2 牛頓，Asahi Chemical 葬由IS /:’祖之產品），意即基於SEBS之熱炫黏附物 “ _ f將具有_微米之厚度的基礎材料黏附物塗佈 ^°Pt€，Lumilar( ) ::=別（T〇ray Industries，Inc.之產品），意即具有 i25 =之厚度的未經表面處理之聚對苯二甲酸乙二醋膜黏至 罩幕，附物上且在2.〇xl〇5帕之壓力下黏著於其上歷時3〇 >。Ik後’在23 C之環境條件下在與黏附表面呈18〇度之 方向上以10毫米/分鐘之速率拉扯聚對苯二甲酸乙二醋膜 且將其剝離以量_離強度。所得剝離強度為G.18牛頓/ 毫米。 、 使用 A131 (JIS 硬度：2.2 牛頓，Asahi Chemical Synthetic Co” Ltd.之產品），意即基於SEBS之熱溶黏附物 精^熱溶法將具有400微米之厚度的基礎材料黏附物塗佈 於薄膜框木之遮罩黏附表面上。隨後，將薄膜框架及石英 18 i2i4m '4pif.doc 之溫度及55%肪之濕度下的室内 ΐ^ It後在_職條件下自__黏附至 丨5>0〇2絲夕Γ錢並使其黏附至石英朗。在施加 境條件下保持1週。隨後自石ί玻： 使用光學顯微鏡觀測石英玻璃之黏附表面。此 % ’字在倍率下觀測到之影像圖示於圖4中。 篇===_嶋之軸表面及右側處約 附声面$門沾真 垂直白線可辨別出黏附表面與非黏 :==在整個接觸表面上觀測黏性殘餘物： 二於非黏附表*而言計算殘 ㈣殘餘物的面積。結果為，所殘留之 *生私餘物的面積為軸表Φ面積之100%。 對照實例2 對照基底代替石英玻璃作為被黏物之外’以與 結果：，殘留估，罩幕基底上之黏性殘餘物。 影像處理獲得之黏附ς積的生殘=勿的面積為自數位 ΠΡΜ , U/。此時，將在20(Μ立峯 70%之5中。影像包括影像左側處約 右側處約3〇%之非黏附表面。由垂直白 、、在了辨別出黏附表面與非黏 一 膜再次黏附幕基底0、&界。為在使薄 洗滌是必需的 獲件必需之黏著性，經證實充分 本發明包含下列實施例。 19 I2749^4pif.doc 上伸展』：種薄膜’其包含:在框架之一個端面 及在^表膜，且表面膜與框架之間具有膜黏附物；以 另—端面上有待黏附至鮮之罩幕黏附層，其中 二，黏附層表面黏附至石英玻璃表面繼而剝離薄膜 二：有罩幕黏附物殘留在石英玻璃表面上之黏性殘餘物 、面積不超過黏附表面面積的5%。

另外，本發明是關於一種薄膜，其包含··在框架之一 :端面上伸展的表面膜，且表面膜與框架之間具有膜黏附 厣，以及在框架另一端面上有待黏附至光罩之罩幕黏附 :其中在具有125微米之厚度的未經表面處理之聚對苯 ^甲^乙二酯膜已黏附至所述薄膜之罩幕黏附層表面之 後§在23 C之溫度下以180度之方向剝離所述聚對苯二 甲酉久乙—酯膜時，剝離強度為約0·004牛頓/毫米至〇 1〇牛 頓/亳米。 另外，本發明是關於一種薄膜，其中所述薄膜之罩幕 黏附層為丙烯酸型乳液黏附物。 另外，本發明是關於一種薄膜，其中將罩幕黏附物應 用於膜基礎材料之一個端面上且由基礎材料黏附物使膜基 礎材料之另一端面黏附至框架。 另外’本發明是關於一種薄膜，其中罩幕黏附層包含 JIS硬度值為約〇·6牛頓至2.9牛頓之層。 另外，本發明是關於一種產生薄膜之方法，其中由基 礎材料黏附物使在其一端面上經罩幕黏附物塗佈之膜基礎 材料在其另一端面上黏附至框架。 20 12749風— 當自光罩剝離薄膜時，根據本發明之薄 附物轉移至光罩上且殘留於其上而導二極少 致於使得光罩之絲極其簡單或者光罩之 因此，此等薄膜在工業上頗具價值。另外， =杨於產生薄膜之方法，可簡單及低成本地製備 根據本發明，有可能提供一種具有在 ，極少Ϊ性殘餘物以致於在自光罩剝離薄膜時—部“ 離且轉移至光罩上的薄膜。為此緣故，光罩 說r致減少_液及其= 膜之【二:二據：明之實施例…^ 圖2為根據實例！ > $ 士# 片。 、 央玻璃之經黏附表面的顯微照 片。㈤4根據貝例2之罩幕基底之經黏附表面的顯微照 微照^。：、、乂據對知⑧例1之石英玻璃之經黏附表面的顯 微照二。：、轉&、貝例2之罩幕基底之經黏P付表面的顯 【主要元件符號說明】 1 ··薄膜 21 12749^, pif.doc 2 :表面膜 3:膜黏附物 4 :框架 5:基礎材料黏附物 6:膜基礎材料 7:罩幕黏附物 8 :保護膜 9:罩幕黏附層

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Claims (1)

12749¾ if. doc 十、申請專利範圍·· !·種薄膜’包含：在框架之—個端面上伸展的表面 m Γ述表面膜與所述框架之間具有膜黏附物；以及在 戶=框未另―端面上有待黏附至光罩之罩幕細層，其中 ^ 吏所逑罩幕黏附層表面黏附至石英玻璃表面繼而剝離所 ’所述罩幕黏附層殘留在所述石英玻璃表面上之 #性夂餘物的面積不超過黏附表面面積的5%。 2· 一種薄膜’包含：在框架之—個端面上伸展的表面 、、’、且所述表面膜與所述框架之間具有膜黏附物 ;以及在 ，框架另—端面上有待黏附至光罩之罩幕黏附層，其中 一 /、有125彳政米之厚度的未經表面處理之聚對苯二甲酸乙 二醋膜已黏附至所述薄膜之所述罩幕黏附層表面之後，當 在匕C之/JHL度下以18〇度之方向剝離所述聚對苯二甲酸乙 一酉曰臈日守’剝離強度為〇 〇〇4牛頓/毫米至〇1〇牛頓/毫米。 3·如申明專利範圍第1項所述之薄膜，其中所述罩幕 黏附層為丙烯酸型乳液黏附物。 4·如申睛專利範圍第2項所述之薄膜，其中所述罩幕 黏附層為丙烯酸型乳液黏附物。 5·如申請專利範圍第1項所述之薄膜，其中所述罩幕 黏附層具有多層結構，包含：罩幕黏附物，為丙烯酸型乳 液黏附物，麟撕料，㈣所鮮幕_物；以及基礎 材料黏附物，用於使保持所述罩幕黏附物之所述膜基礎材 料黏附至所述框架。 6·如申請專利範圍第2項所述之賴，其巾所述罩幕 23

I2749^4pifdoc 黏附層具有多層結構，包含：罩幕黏附物，為丙烯酸型乳 液黏附物；膜基礎材料，保持所述罩幕黏附物；以及基礎 材料黏附物，用於使保持所述罩幕黏附物之所述膜基礎材 料黏附至所述框架。 7·如申請專利範圍第5項所述之薄膜，其中所述基礎 材料黏附物包含日本工業規範(JIS)硬度值為〇·6牛頓至2.9 牛頓之層。 8·如申請專利範圍第6項所述之薄膜，其中所述基礎 材料黏附物包含日本I魏範硬度值為約牛頓至29 牛頓之層。 、 · $二 專利範圍第5項所述之薄膜的方 去’其中騎制基礎材料在所述職礎材料之— μ所述罩幕_物㈣，且將所職基礎㈣ Μ所述基礎材料黏附物黏附至所述框架。 表面 10.種產生如申請專利範圍第6項 法，其中將所述膜基礎材料在所 礎 1的方 以所述罩幕黏附物塗佈，且將 楚材枓之—表面上 以所述基礎材料黏附物黏附至所^框^礎材料之另-表面 24