CN1862378A - 具有低粘合剂残余的膜 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种膜,其中在聚乙烯对苯二酸酯薄膜粘附到膜的掩模粘附表面后,在23℃下沿180度的方向剥离厚度为125μm非表面处理聚乙烯对苯二酸酯薄膜时,剥离强度为大约0.004N/mm~0.10N/mm。
Description
技术领域
本发明涉及一种在半导体工艺之一半导体照相平版印刷工艺中使用的膜,目的是防止灰尘粘附到刻线或者光掩模上(下面简称为光掩模)。更特别的,本发明涉及一种膜,其在光掩模表面上残余的粘合剂量较低,其中当膜使用后从光掩模剥离时,膜的掩模粘合剂部分被去除和转移到光掩模表面上。
背景技术
在半导体工艺之一半导体照相平版印刷工艺中,膜已经用作光掩模防尘覆盖。为了维持膜与光掩模的粘性,掩模粘合剂需要具有与光掩模高粘性以发挥高防尘性能,并且也需要在粘附外源物质达到不可接受的程度或者薄膜损坏的时候,容易在使用中去除。由于这些特征大大地影响了使用光掩模时的便利性,因此已经设计了各种方案,例如对光掩模粘合剂硬度的控制,例如,在日本专利申请公开(JP-A)No.10-282640中公开。
通常使用的掩模粘合剂,例如在JP-ANo.10-282640中公开的和类似的,具有充分的粘性以表现出防尘性能并容易被去除。然而,已经成为问题的是,由于粘合剂残余残留在几乎整个粘附表面上,其中当从光掩模剥离膜时,部分掩模粘合剂被去除和转移到光掩模表面上。尤其,最近进行了半导体加工的微型化,这样要求光掩模表面的严格清洁,而相似地,光掩模表面结构变得更复杂和精致以用于半导体的微加工,这样清洗变得复杂或者更容易发生损伤。由于这个原因,强烈需要一种膜,其具有一种掩模粘合剂,在粘附时有充分粘性,而在光掩模表面上提供非常少的粘合剂残余到达这样一种程度,即在剥离膜后容易进行清洗,或者更优选不需要进行清洗。
为了降低在剥离膜的时候光掩模表面上粘合剂残余,掩模粘合剂的粘着力需要比粘附界面的粘着力要强。然而,在半导体平版印刷工艺中,由于上述的膜严格需要紧紧地粘附到光掩模表面上,因此认为降低粘附界面的粘着力是困难的。简单的说,掩模粘合剂内的粘着力以及粘附界面的粘着力的控制范围被严格限制,因此认为在光掩模表面上出现粘合剂残余是不可避免的。
作为将膜粘附并维持到光掩模上而不使用粘合剂的方法,在日本专利申请公开(JP-A)No.61-245163和日本专利申请公开(JP-A)No.62-109053中分别公开了采用低压抽吸的方法和采用磁力的方法。在这些方法中,在剥离膜时没有发生来自掩模粘合剂的粘合剂残余。然而,该膜的结构与传统的膜的结构是非常不同的,并且在实际使用膜时,在辅助设备方面需要有大量的改变。因此,不能说这些方法是实用的。
另一方面,同样在半导体晶片抛光工艺(一种完全不同的应用)中的晶片保护膜中,需要一种保护膜,在将膜剥离时,该保护膜没有引起晶片表面上的粘合剂残余。日本专利申请公开(JP-A)No.4-186832公开了一种粘合剂残余降低的晶片保护膜,其在制备粘合剂中通过在聚合反应的时候加入反应性表面活性剂。进一步,日本专利申请公开(JP-A)No.1993-198542公开了一种粘合剂残余降低的晶片保护膜,其通过将起始剥离强度限制到低水平并调节粘合剂强度随着时间而增强。
然而,由于与膜的掩模粘合剂的粘合剂强度相比,用于这些晶片保护膜粘合剂的粘合剂强度是非常弱的,膜所需的粘附到光掩模上的非常高的粘性完全不能显示。
在上述情况下,完成了本发明并提供具有低粘合剂残余的膜。
本发明的发明人实际上在用于晶片保护膜的粘合剂中检测了乳液型粘合剂作为膜的掩模粘合剂,尽管乳液型粘合剂本身的粘合剂强度低,作为结果,发现有可能满足将膜应用到实际中的必要粘性,并确认在剥离时残留在光掩模表面上的粘合剂残余非常少,并且反复进行了研究。因此,完成了本发明。
发明内容
也就是说,本发明涉及一种膜,其包括通过膜粘合剂延伸到框架的一个末端表面上的薄膜,以及在框架另一末端表面粘附到光掩模上的掩模粘合剂层,其中在掩模粘合剂表面粘附到石英玻璃上然后进行剥离时,残留在石英玻璃表面上的掩模粘合剂的粘合剂残余的面积不超过粘附表面面积的5%。
而且,本发明中的掩模粘合剂层能够将薄膜粘附和维持到光掩模上,并包括形成与光掩模接触的表面的层。掩模粘合剂层可以具有包括多层的多层结构,并不必须是指包括具有单层的层。为了强调多层结构的内含,将掩模粘合剂层称为“掩模粘合剂层”,这些层中,组成与光掩模接触表面的粘合剂的单一相称为“掩模粘合剂”以相互区别。除非以其它方式限定,术语“掩模粘合剂层”可以含有只由掩模粘合剂形成的单层。
附图说明
图1是表示根据本发明实施方式之一(实施例1)的薄膜结构的部分截面图。
图2是根据实施例1的石英玻璃的粘附表面的显微镜照片。
图3是根据实施例2的掩模底版的粘附表面的显微镜照片。
图4是根据对照例1的石英玻璃的粘附表面的显微镜照片。
图5是根据对照例2的掩模底板的粘附表面的显微镜照片。
具体实施方式
如图1所示,本发明的膜1包括框架4,薄膜2,薄膜通过薄膜粘合剂3延伸到框架4的一个末端表面上,和掩模粘合剂层9,其在框架4另一末端表面粘附到光掩模上。
将膜粘附到石英玻璃上然后剥离薄膜的时候,本发明的掩模粘合剂具有剥离并转移到石英玻璃的表面并保持在其上的粘合剂残余,其不超过粘附表面面积的5%。使用具有这样掩模粘合剂的薄膜时,光掩模上的粘合剂残余非常少,这样以非常简单的方式完成了对光掩模清洗,或者不需要清洗。
通过将视觉确认的粘合剂残余部分的面积加起来,对粘合剂残余的面积进行计算。为了确认出现粘合剂残余,将膜和石英玻璃维持在温度23℃、湿度55%RH的环境条件下12个小时,并在相同的环境条件下应用1.5×102N的负荷超过3分钟以将膜粘附到石英玻璃上,将得到材料在没有负荷的情况下保持1星期,将薄膜从石英玻璃上剥离,使用显微镜观察石英玻璃的表面。
如上所述,为了降低膜剥离时的粘合剂残余,优选使用一种掩模粘合剂,其在23℃下相对于厚度125μm非表面处理聚乙烯对苯二酸酯具有0.004N/mm~0.10N/mm的剥离强度。在剥离强度大于0.10N/mm时,掩模粘合剂的粘合剂残余是显著的,这样可能会使对光掩模清洗困难。另一方面,剥离强度小于0.004N/mm时,膜与光掩模粘性是不充分的,这样可能会使膜本来的防尘性能被破坏。
根据下面的方法检测剥离强度,其被广泛地用作评价粘合剂薄膜和类似的粘性的方法。也就是,均匀和光滑地形成掩模粘合剂。之后,将厚度为125μm的非表面处理聚乙烯对苯二酸酯薄膜(Toray Industries,Inc.的产品,商品名Lumilar S10#125)粘附到形成的掩模粘合剂表面作为粘结物,将得到的材料在2.0×105Pa的压力下粘着3分钟。随后,在23℃的环境条件下以10mm/分钟的速率沿着与粘附表面180度的方向拉膜,并进行剥离,这时所检测最大的负荷值被认为是剥离强度。
在测量的时候,可以根据材料的特征适当地选择形成用于该表面的材料的方法,该表面与掩模粘合剂的掩模接触。然而,例如,由于应用到膜的掩模粘合剂是在框架的一个末端表面均一和光滑形成的,因此掩模粘合剂可以用于剥离强度的测量。
具有前述剥离强度的掩模粘合剂没有特别地限制。然而,可以使用丙烯酸类型的乳液粘合剂或者合成橡胶型乳液(乳胶)粘合剂。也可以使用一种所谓的微吸管(micro sucker),其具有在粘合剂表面形成的降低的气孔,这由于通过吹气泡或者类似形成的气泡或者泡沫。作为合成橡胶类型的粘合剂,优选使用的是乳胶粘合剂,例如苯乙烯-丁二烯型共聚物(SBR)、聚丁二烯型聚合物(BR)、甲基丙烯酸酯-丁二烯型共聚物(MBR)、丙烯腈-丁二烯型共聚物(NBR)、氯丁二烯型聚合物(CR)、其羧基改性的产品以及类似物。特别优选使用的是丙烯酸型乳液粘合剂,其通过丙烯酸型单体的乳化聚合而获得,丙烯酸型单体例如丙烯酸、甲基丙烯酸酯、丙烯酸的酯或者氨基化合物、甲基丙烯酸酯的酯或者氨基化合物、丙烯腈以及类似的。
这些丙烯酸型乳化粘合剂优选含有表面活性剂,也可以含有交联试剂或者水溶性有机化合物。表面活性剂可以在粘合剂聚合反应之后或者粘合剂聚合反应过程中加入,并且可以是可聚合的表面活性剂,其可以在聚合的时候自身发生反应,也可以使用其它与此不同的类型。在日本专利申请公开No.4-186831第2页和日本专利申请公开No.5-198542的段落0029~0038中详细公开了乳液粘合剂的具体例子,并且这些乳液粘合剂可以在本发明中适当使用。例如,可以使用这样的丙烯酸乳液粘合剂,其通过对含有下列单体的单体混合物在去离子水介质中进行乳化聚合所得到:烷基丙烯酸酯单体或者烷基甲基丙烯酸酯单体,以及含有羧基的单体,水介质中含有乳化剂、聚合引发剂和类似的。根据情况的需要,该单体混合物可以进一步含有可以与单体聚合的单体。烷基丙烯酸酯单体或者烷基甲基丙烯酸酯单体包括例如丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸己酯、甲基丙烯酸己酯、丙烯酸辛酯、甲基丙烯酸辛酯、丙烯酸壬酯、甲基丙烯酸壬酯、丙烯酸十二烷酯、甲基丙烯酸十二烷酯。这些烷基可以是直链或支链的。烷基丙烯酸酯或者烷基甲基丙烯酸酯可以单独使用,或者组合使用。
上述含有羧基的单体包括例如丙烯酸、甲基丙烯酸、丁烯酸、甲叉丁二酸、顺丁烯二酸、反丁烯二酸以及类似的。所使用的含有这些羧基的单体的量优选为0.1~10重量份,以100重量份形成丙烯酸乳液粘合剂的单体混合物为基础。粘合剂中的羧基与交联剂发生反应形成交联的结构。这样,当含有羧基基团的单体的量小于0.1重量份时,不能充分形成交联的结构,因此有粘合力不充分的担心。相反,当含有羧基基团的单体的量大于10重量份时,会有乳化聚合中的反应体系不稳定的担心。
乙烯基单体包括例如羟乙基丙烯酸酯、羟乙基甲基丙烯酸酯、羟丙基丙烯酸酯、羟丙基甲基丙烯酸酯、丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺、二甲基氨基丙烯酸酯、二甲基氨基甲基丙烯酸酯、醋酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈以及类似的。
表面活性剂包括例如聚氧亚烃基烷基醚,例如聚氧乙烯基十二烷基醚和聚氧乙烯基十八烷基醚;聚氧乙烯基烷基酯,例如聚氧乙烯基十二烷基酯和聚氧乙烯基十八烷基醚;聚氧乙烯基烷代苯基醚,例如聚氧乙烯基辛基苯基醚和聚氧乙烯基壬基苯基醚;脱水山梨醇烷基酯,例如脱水山梨醇单十二酸酯、脱水山梨醇单棕榈酸酯和脱水山梨醇单硬脂酸酯;以及聚氧乙烯基脱水山梨醇烷基酯,例如聚氧乙烯基山梨醇十二酸酯和聚氧乙烯基山梨醇油酸十二酸酯;聚氧烷烯,例如聚氧乙烯、聚氧丙烯和聚氧乙烯,聚氧丙二醇、聚氧乙烯烷基酰胺以及类似的。
所加入表面活性剂的量优选为大约0.05~10重量份,更优选为大约0.5~3重量份,相对于100份丙烯酸乳液粘合剂中的固体部分。
尽管掩模粘合剂层包括单独由粘合剂形成的单层,用于表面以粘附到光掩模上,只要用于表面使得粘附到光掩模上的粘合剂具有上述的剥离强度,掩模层粘合剂层可以含有包括其它层的多层结构。
掩模粘合剂层的厚度是不受特别限制,但当掩模粘合剂层是通过掩模粘合剂的单层形成的时候,厚度为大约5~100μm,优选为10~50μm的粘合剂层可以使膜粘附光掩模。
根据粘合剂的情况,具有上述三层结构的掩模粘合剂层的厚度优选为大约50~2500μm,更优选为大约75~600μm。在这种情况下,当基础材料粘合剂层的厚度为大约10~2000μm,优选为大约100~800μm时,薄膜基础材料的厚度为大约5~500μm,优选为10~200μm,掩模粘合剂层的厚度优选为大约5~100μm,优选为大约10~50μm,膜可以适当地粘附到光掩模上。
例如,如图1所示,掩模粘合剂层9具有三层结构,从框架4侧面按照顺序该三层结构包括基础材料粘合剂5、膜基础材料6和掩模粘合剂7。使用这样的结构,掩模粘合剂层具有这样的优势,生产膜1的操作变得容易。即,具有掩模粘合剂层9结构的膜可以这样一种方式生产,在一个表面具有掩模粘合剂7的薄膜基础材料6,通过在该薄膜基础材料另一表面的基础材料粘合剂5粘附到框架4上。基础材料粘合剂5在此预先涂布在框架4上,或者基础材料粘合剂5涂布在薄膜基础材料6的其它表面上。
而且,在实际使用膜1的时候,称作衬垫的保护膜8优选粘附到掩模粘合剂表面上,直到膜粘附到光掩模上。
可以使用传统已知的涂布方法将掩模粘合剂和基础材料粘合剂涂布到薄膜基础材料上。可以使用例如滚筒涂布方法、流动式涂布方法以及类似的进行涂布。为了将基础材料粘合剂涂布到框架上,可以使用传统已知的方法进行涂布。例如,可以使用热熔方法以涂布熔化的粘合剂或者类似的。
用于涂布有掩模粘合剂的薄膜基础材料没有特别限制,但优选使用含有热塑性树脂的薄膜,因为可以容易地得到所期望的厚度或者期望的物理性能。特别的,可以适当使用一种膜,其包括聚酯,例如聚乙烯对苯二酸酯、聚乙烯萘二甲酸酯或类似的,聚烯烃,例如聚乙烯、聚丙烯或类似的,乙烯型聚合物,例如乙烯-醋酸乙烯共聚物或者类似的。为了控制其物理性能,这些热塑性薄膜可以被拉长。
用于将一个表面具有掩模粘合剂的薄膜基础材料粘附到框架上的基础材料粘合剂没有特别限制,只要基础材料粘合剂能够将薄膜基础材料粘附到框架上。然而,基础材料粘合剂的JIS硬度值优选为0.6N~2.9N。当基础材料粘合剂的JIS硬度值小于0.6N时,掩模粘合剂层可能在膜的存储过程中或者在使用中变形,从而可能会破坏粘性。进一步,当基础材料粘合剂的JIS硬度值大于2.9N时,与光掩模粘性可能会恶化。而且,根据JIS K6301(相应于ASTM D2240)可以测量本发明的JIS硬度值,使用例如橡胶硬度测试仪GS-706(JIS A型)(Teclock产品)。
作为基础材料粘合剂,可以使用任何粘合剂,只要它们可以使得薄膜基础材料粘附到框架上。具体的例子优选包括热熔型树脂,例如苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌共聚物(SEBS)、苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌共聚物(SEPS)、乙烯-醋酸乙烯树脂、丁基甲基丙烯酸树脂、聚苯乙烯、聚异丁烯或者其共聚物,或者通过适当地向粘合剂树脂加入其它树脂、提供粘性的试剂、增稠剂、抗氧化剂、稳定剂或者类似而得到的粘合剂,粘合剂树脂例如硅树脂型、聚氨脂型、丙烯酸型或类似的。
只要本发明的膜具有掩模粘合剂层,其它结构成分或者构造没有特别限制。例如,薄膜的材料或者厚度、框架的材料或者结构、避免由于膨胀或者压缩其内部气体而对薄膜的膜施加负荷的结构、防止框架产生灰尘的结构、避免由于薄膜拉伸而引起框架变形的结构或者类似的,在本发明的膜中都没有特别限制。
实施例
下面通过参考实施例和类似的对本发明进行更具体地说明。然而,本方明的范围不限制于这些实施例和类似的。
实施例1
在配有温度计、回流式冷凝器、滴液漏斗、氮气入口以及搅拌器的烧瓶中,加入150重量份的离子交换水和将烯丙基加入到聚氧乙烯壬基苯醚中苯环的2重量份化合物(加入20摩尔乙撑氧)作为表面活性剂,并在氮气环境下搅拌将所得到得到混合物的温度提高到70℃。
接着,向其中加入0.5重量份的过氧硫酸铵作为聚合反应起始剂,并进行溶解。进一步,连续逐滴加入100重量份的单体混合物4小时以上,该单体混合物含有70重量份2-乙基已基丙烯酸酯、25重量份甲基甲基丙烯酸、3重量份甲基丙烯酸和2重量份2-羟乙基丙烯酸酯,并在逐滴加入完成后进一步连续搅拌另外3小时进行聚合以获得固体含量为大约40%重量的丙烯酸型乳液粘合剂。
接着,在100重量份的粘合剂中加入10重量份的二乙二醇单丁醚以获得涂布溶液。使用滚筒涂布器,将得到的涂布溶液涂布到厚度为75μm的聚乙烯对苯二酸酯薄膜的一个电晕处理表面上,在105℃下干燥所得到的材料以获得具有厚度10μm的掩模粘合剂的薄膜基础材料。
接着,将保护膜粘附到涂布在薄膜基础材料表面的掩模粘合剂上。
使用A131(JIS硬度:2.2N,Asahi Chemical Synthetic Co.,Ltd.的产品)将厚度为400μm的基础材料粘合剂涂布到膜框架的掩模粘附表面上,也就是通过热熔方法得到的SEBS基热熔粘合剂。接着,将涂布有掩模粘合剂的薄膜基础材料中没有涂布掩模粘合剂的表面粘附到框架上以制备具有图1所示结构的膜。
将粘附到掩模粘合剂的保护膜从根据前面所述方法所获得的膜和Lumilar(商品名)S10#125级(Toray Industries Inc.的产品)膜上剥离,也就是将厚度为125μm非表面处理聚乙烯对苯二酸酯薄膜粘附到其表面上并在2.0×105Pa的压力下粘着30秒钟。接着,在23℃的环境条件下以10mm/分钟的速率沿着与所粘附表面180度的方向拉伸聚乙烯对苯二酸酯薄膜,并进行剥离以测量剥离强度。所得到的剥离强度结果是0.04N/mm。
根据前述方法所得到的另一膜和石英玻璃维持在温度23℃、湿度55%RH的空间中12小时,之后在相同的环境条件下将粘附到掩模粘合剂上的保护膜从膜上剥离下来,然后粘附到石英玻璃上。在应用1.5×102N的负荷3分钟后,将得到材料在没有负荷相同的环境下保持1星期。接着,将膜从石英玻璃上剥离,并使用光学显微镜对石英玻璃的粘附表面进行观察。这时,图2表示了放大200倍所观察到的图像。图像包括在图片左侧的粘附表面和在图片右侧的非粘附表面,但不能清楚观察到粘附表面和非粘附表面之间的差别。将该图像进行数字图像处理,并计算与非粘附表面相比具有残余在粘附表面上粘合剂残余的面积。结果是,具有残余掩模粘合剂的粘合剂残余的面积为整个粘附表面面积的大约0.2%。
实施例2
将在实施例1中所生产的膜和掩模底版(商品名:EQZ VTL 625-2QZ,Hoya Corporation的产品,下面称为“掩模底版”)维持在温度23℃、湿度55%RH的空间中12小时,之后在相同的环境条件下将附着到掩模粘合剂上的保护膜从膜上剥离,并粘附到掩模底版上。在应用1.5×102N的负荷3分钟后,将所得到材料在没有负荷相同的环境下保持1个星期。接着,将膜从掩模底版上剥离,并使用光学显微镜对掩模底版的粘附表面进行观察。这时,图3表示了放大200倍所观察到的图像。图像包括在图像左侧的粘附表面和在图像右侧的非粘附表面,但不能清楚观察到粘附表面和非粘附表面之间的差别。将该图像进行数字图像处理,并计算与非粘附表面相比具有残余在粘附表面上粘合剂残余的面积。结果是,具有残余在其上的掩模粘合剂的粘合剂残余的面积为整个粘附表面面积的大约1.8%。由于粘合剂残余的产生是微弱的,甚至即使膜再次粘附到掩模底版上而无需清洗,因此可以确认在粘性方面没有问题。
而且,掩模底版涉及具有涂布在石英玻璃上的金属薄膜的薄片,并且在半导体平版印刷工艺中转移到半导体晶片上的电路被绘制在掩模底版上以获得掩模。因此,掩模底版涉及在其上没有绘制出电路的掩模或者类似。当评价膜的粘合剂残余时,通过使用掩模底版所得到的结果与实际使用情况下的结果更接近。
对照例1
使用A131(JIS硬度:2.2N,Asahi Chemical Synthetic Co.,Ltd.的产品)将厚度为400μm的基础材料粘合剂涂布到膜框架的掩模粘附表面上,也就是通过热熔方法得到的SEBS基热熔粘合剂。接着,将Lumilar(商品名)S10#125级(Toray Industries Inc.的产品),也就是厚度为125μm的非表面处理聚乙烯对苯二酸酯粘贴到掩模粘合剂上,并在2.0×105Pa的压力下粘着30秒钟。接着,在23℃的环境条件下以10mm/分钟的速率沿与粘附表面180度的方向拉伸聚乙烯对苯二酸酯薄膜,并进行剥离以测量剥离强度。所得到的剥离强度是0.18N/mm。
使用A131(JIS硬度:2.2N,Asahi Chemical Synthetic Co.,Ltd.的产品)将厚度为400μm的基础材料粘合剂涂布到膜框架的掩模粘附表面上,也就是通过热熔方法得到的SEBS基热熔粘合剂。接着,将膜框架和石英玻璃维持在温度23℃、湿度55%RH的空间中12小时,之后在相同的环境条件下将附着到掩模粘合剂上的保护膜从薄膜上剥离,并粘附到石英玻璃上。在应用1.5×102N的负荷3分钟后,将所得到材料在没有负荷相同的环境下保持1个星期。接着,将膜从石英玻璃上剥离,并使用光学显微镜对石英玻璃的粘附表面进行观察。这时,图4表示了放大200倍所观察到的图像。
图像包括80%在图片左侧的粘附表面和20%在图片右侧的非粘附表面。垂直的白线可以区别粘附表面和非粘附表面之间的分界线。在整个接触表面上观察粘合剂残余。将该图像进行数字图像处理,并计算与非粘附表面相比具有残余在粘附表面上粘合剂残余的面积。结果是,具有粘合剂残余的面积为整个粘附表面面积的100%。
对照例2
以与对照例1中相同的方法评价掩模底版上的粘合剂残余,除了使用掩模底版而不是石英玻璃作为被粘物。结果,残余在掩模底版上粘合剂残余的面积是数字图像处理中得到粘附面积的100%。这时,图5表示了放大200倍所观察到的图像。图像包括大约70%在图片左侧的粘附表面和30%在图片右侧的非粘附表面。垂直的白线可以区别粘附表面和非粘附表面之间的分界线。为了在膜再次粘附到掩模底版上时获得必要的粘性,确认充分的清洗是必要的。
本发明包括下列实施方式。
本发明涉及一种膜,其包括薄膜,通过其间的薄膜粘合剂延伸到框架的一个末端表面上,以及在框架另一表面上粘附到光掩模掩模粘合剂层,其中在掩模粘合剂表面粘附到石英玻璃上然后进行剥离膜时,具有残留在石英玻璃表面上的掩模粘合剂的粘合剂残余的面积不超过粘附表面面积的5%。
进一步,本发明涉及一种膜,其包括:其间有膜粘合剂的延伸到框架一个末端表面上的薄膜;和在框架另一末端表面上粘附到光掩模上的掩模粘合剂层,其中在聚乙烯对苯二酸酯薄膜粘附到膜的掩模粘附表面上后,在23℃下沿180度的方向剥离厚度为125μm非表面处理聚乙烯对苯二酸酯时,剥离强度为大约0.004N/mm~0.10N/mm。
进一步,本发明涉及一种膜,其中该膜的掩模粘合剂是丙烯酸型乳液粘合剂。
进一步,本发明涉及一种膜,其中掩模粘合剂施加到薄膜基础材料的一个末端表面上,并且薄膜基础材料的另一末端表面粘附到其间有基础材料粘合剂的框架上。
进一步,本发明涉及一种膜,其中掩模粘合剂层包括JIS硬度值为大约0.6N~2.9N的层。
进一步,本发明涉及一种生产该膜的方法,其中在其一个末端表面上涂布有掩模粘合剂的薄膜基础材料在其另一末端表面上粘附到其间有基础材料粘合剂的框架上。
当膜从掩模或者类似上剥离时,根据本发明的膜具有非常低的粘合剂残余,该粘合剂残余由于在光掩模表面上转移和残留掩模粘合剂所引起,因此清洗光掩模非常简单,或者不需要清洗光掩模。因此,这样的膜是有高度工业价值的。而且,根据本发明生产膜的方法,可以简单和低成本地制备该膜。
根据本发明,提供一种膜,其具有非常低的残留在光掩模表面上的粘合剂残余,从而在从光掩模上剥离膜的时候,部分掩模粘合剂被去除和转移到光掩模表面上。由于这个原因,对光掩模清洗非常简单或者不是必要的。结果,半导体平版印刷工艺有效率,这样导致减少清洗溶液或类似的。
Claims (10)
1.一种膜,其包括:薄膜,其通过其间的薄膜粘合剂延伸到框架的一个末端表面上;以及掩模粘合剂层,其在框架另一表面上粘附到光掩模上,其中当掩模粘合剂表面粘附到石英玻璃上然后剥离膜时,残留在石英玻璃表面上的掩模粘合剂的粘合剂残余面积不超过粘附表面面积的5%。
2.一种膜,其包括:薄膜,其通过其间的薄膜粘合剂延伸到框架的一个末端表面上;以及掩模粘合剂层,其在框架另一表面上粘附到光掩模上,其中在聚乙烯对苯二酸酯薄膜粘附到膜的掩模粘附表面后,在23℃沿180度的方向剥离厚度为125μm非表面处理聚乙烯对苯二酸酯薄膜时,剥离强度为大约0.004N/mm~0.10N/mm。
3.根据权利要求1所述的膜,其中掩模粘合剂是丙烯酸型乳液粘合剂。
4.根据权利要求2所述的膜,其中掩模粘合剂是丙烯酸型乳液粘合剂。
5.根据权利要求1所述的膜,其中掩模粘合剂层具有多层结构,包括:掩模粘合剂,其为丙烯酸型乳液粘合剂;保持掩模粘合剂的薄膜基础材料;以及基础材料粘合剂,用于保持掩模粘合剂的薄膜基础材料粘附到框架上。
6.根据权利要求2所述的膜,其中掩模粘合剂层具有多层结构,包括:掩模粘合剂,其为丙烯酸型乳液粘合剂;保持掩模粘合剂的薄膜基础材料;以及基础材料粘合剂,用于保持掩模粘合剂的膜基础材料粘附到框架上。
7.根据权利要求5所述的膜,其中基础材料粘合剂包括JIS硬度值为大约0.6N~2.9N的层。
8.根据权利要求6所述的膜,其中基础材料粘合剂包括JIS硬度值为大约0.6N~2.9N的层。
9.一种制备权利要求5所述膜的方法,其中在薄膜基础材料的一个表面上,薄膜基础材料涂布有掩模粘合剂,并且薄膜基础材料的另一表面粘附到其间有基础材料粘合剂的框架上。
10.一种制备权利要求6所述膜的方法,其中在薄膜基础材料的一个表面上,薄膜基础材料涂布有掩模粘合剂,并且薄膜基础材料的另一表面粘附到在其间有基础材料粘合剂的框架上。
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