TWI269945B - Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby - Google Patents

Description

1269945 ⑴ 狄、發明說明· U明π明應敘明：發明所屬之技術領域'先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明) 本發明係有關於一種微影投射裝置，其包含： 一一輻射系統，其用於供應一輻射投射束； —一支撐結構，其用於支撐圖案化構件，圖案化構件具有 依據一所需要的圖案將投射束圖案化之功用； 一基材台，其用於固持一基材；及 〜一投射系統，其用於將圖案束投射在基材的一目標部上。 %私本文所用的圖案化構件”廣義解釋為用以對於進入 μ射束賦予與基材的—目標部中生成的—圖案相對應之 —圖案化剖面之構件；此情形亦可使用‘‘光閥，，名稱。一般 而5 ，该圖案係對應於目標部中生成的一裝置之一特定的 功能層，諸如積體電路或其他裝置（見下文），此等圖案化 構件的範例包括： 遮罩。遮罩的概念為微影技術所熟知並包括諸如二元 又曰相位移及衰減相位移等遮罩類型及各種複合式遮 罩颂型。將此遮罩放置在輻射束中，可藉以依據遮罩上 的圖案造成衝擊在遮罩上之輻射產生選擇性透射（若為 透射性遮罩）或反射（若為反射性遮罩）。在遮罩的情形下 ，支撐結構一般係為一遮罩台，藉以確保將遮罩固持在 進入輻射束中的一所需要位置，並確保可依需要相對於 輻射束而移動。 % —可程式化鏡陣列。此裝置的範例係為一矩陣可位址化 表面，其具有一黏彈性控制層及一反射表面。此裝置的 基本原理為：€譬如）反射表面的位址化區域係將入射光 (2) 1269945 反射成為衍射光，未位址化區域則將入射光反射成為未 衍射光。可利用一適當的過濾器從反射束濾出該未衍射 光而只留下衍射光；利用此方式，依據矩陣可位址化表 面的位址化圖案使束變成圖案化。一可程式化鏡陣列的 一替代性實施例係採用微型鏡的一矩陣配置，各微型鏡 藉由施加一適當局部電場或利用壓電致動構件而個別 地沿一軸線呈現傾斜。再者，鏡亦為矩陣可位址化，使 得位移化的鏡將對於未位址化的鏡以一不同方向反射 進入的輻射束；利用此方式，依據矩陣可位址化的鏡 之位址化圖案將經反射的束加以圖案化。可利用適當的 電子構件進行所需要的矩陣位址化。上述兩情形中，圖 案化構件可包含一或多個可程式化鏡陣列，可利用適當 的包子構件進行所需要的矩陣位址化。此等鏡陣列的更 夕相關A譬如請見美國專利5,296,89 1及5,523，193號 及？〇專利申請案則98/38597及侧8/33〇卿’，上: 各案以引用f式併入本文中。在-可程式化鏡陣列二 形中可^。亥支撐結構實施為-框架或台並譬如可依兩 要為固定式或可移式。 而 σ ’式化LCD陣列。此構造的範例請見美國專利 5,229,872號’此案以引用方式併入本文中。如二 情形中可將支樓結構實施為；二 要為固定式或可移式。 u了依需 .. ^ b文，、餘部份中可在特定位置特別# f+ 包含一遮罩及遮罩△♦穸如 且％別針封 粑例；但可從上述圖案化構件的較 1269945 發明說钥繽頁 廣範圍看出此等情形所描述之一般原理。 譬如可利用微影投射裝置來製造積體電路，此情形中， 圖案化構件可產生與IC的一各別層對應之一電路圖案，且 此圖案可成像在已塗有一層輻射敏感性物質（阻劑）之一 基材（矽晶圓）上的一目標部（譬如包含一或多個晶粒）上。 一般而言，單一晶圓將包含以一次一個方式經由投射系統 連績性輻照之相鄰目標部的一完整網路。現今的裝置中， 可利用-遮罩台上的一遮罩之圖案化在兩不同類型的機 器之間作出區分。在一類型的微影投射裝置中，藉由將整 個遮罩圖案-次暴露於目標部上來_照各目標部；此穿置 f stepper) 〇 t ^ ^ ^ ^ ^ # 描（step-and-scan)裝置的替代性裝置中，在一給定參考方 向（柃描方向）於投射束下漸進式掃描遮覃圖案且同時同 步掃描與此方向平行或反向平行之基材台，藉以輻照各目 標部；因為一般而t，於鱼+ σ投射乐統將有放大率Μ(通常<ι)， 基材台的掃描速度V將兔访4*、套Λ /Γ + ^ 杆為放大半Μ乘以遮覃台的掃描速度 ’微影裝置的更多相閛資1辟 抑貝Λ言如請見美國專利6,046,79? 號，此案以引用方式併入本文中。 -種使用-微影投射裝置之製造方法中，一圖案(嬖如 位於-遮罩中)係成像在至少部份地受到一層輪射敏感性 材料（阻劑）所覆蓋之一美鉍 一 暴材上。在此成像步驟之前，基材 可經歷諸如塗底料、卩且添| 和曰 阻Μ塗覆及軟烘烤等各種程序。基材 在暴光之後可進行諸如皋朵 "、尤便（、烤（ΡΕΒ)、顯影、硬烘烤 及成像特性的測量/檢綸笼甘从< 双，^寺其他程序，利用此系列的程序 1269945

(4) 作為基礎將諸如IC等裝置的個別層加以圖案化，經圖案化 的此層隨後可進行皆預定完成一個別層之諸如蝕刻、離子 植入(摻雜）、金屬化、氡化、化學機械式拋光等各種程序 。若需要數層，則必須對於各新層重覆全體程序或其變化 程序。最後，一陣列的裝置出現在基材（晶圓）上，^些裝 置隨後藉由-種諸如割切或鋸切等技術彼此分離，此時夂 別的裝置可安裝在i體上、連接至針料。此等程序: 進-步相關資訊譬如請見“微晶片製造：帛導體處理的實 用準則（M1CI〇Chlp Fabncatl〇n : a Pracdcal Gmde t〇 Semiconductor Processing)’’ ，楚一 r, 珩二版，Peter van Zant 著， McGrawmn出版，1997’ ISBN〇.〇7_〇6725〇-4 ,此書以引用 方式併入本文中。 下文為了簡單起見可將投射系、統稱為“鏡片，，，但此名稱 應廣義解釋為涵蓋各種類型的投射系統，譬如包括折射性 光學裝置、反射性光學裝置及反射折射性系統。籍射系統 亦可包括依據任何上诚用大人2丨增 + , U上攻用方；引#、定型或控制輻射投射 的設計類型而運作之組件，此等組件亦可在下文集體或單 獨地私為_片 '並且’微影裝置可能為具有兩個或更多 個基材台(及/或兩個或更多個遮罩台)之類 “階段，，裝置中，可平行倭用么侗△ ^ f匕寻夕 」十订使用夕個台，或可在使用一或多個 其他的台暴光的同時於一弋，△ ^ 、 戍夕個0上進行預備步驟。雙階 段微影裝置璧如士 、， 广置$如彳田述於吳國專利5,969 44 98則9謂，各案以”方式 為了將更小特性加以成像，要 要在投射束中使用更短波 又 、夜-係使用紫外光⑴V)或深紫外光（DUV)至 1269945 (5) 193毫微米 至2〇毫微米Λ㈣用157或126毫微米的_轄射或)- 初羊“士的極紫外光輻射(euv)。亦提出使用帶電 y's寸別是電子束之裝置，所有這些提出的輻射類型皆 . 大又到空氣吸收，所以使用157或126毫微米輻射的裝i . 必須以一種士# β々々Jr ^ 者如虱寻^洗氣體加以沖洗，但使用EUV及帶 :粒子束之裝置則必須排空至精確標準。因而必須將此等 裝置包圍在氣密或真空緊密性隔室中。 傳、、·充上，將裝置的不同元件諸如韓射源、照明系統及⑲ · 射π統等包圍在分離的隔室中。然後，需要在即將通過投 射束的隔至之間提供具有很大直徑之氣密或真空緊密性 連接部。φ需要將不@隔室連接至真空粟或清洗氣體供應 及排放系統。 -' 在所有的微影裝置中，務必至少將遮罩、基材及投射I .. 片與振動隔離，且只在待成像的特性尺寸減小時此需求才 冒增大。進一步務必將不同隔室隔離使其不受因為譬如熱 月多脹、振動及安裝公差造成的相對移動所導致之應力、力 鲁 及力矩。因此，需要將裝置的不同隔室彼此機械性隔離， 並特別需要隔離譬如身為振動源之栗等^置。 因此已知使用金屬伸縮節來連接一經排空或清洗的微 · 影裝置的隔室之間、以及導往泵之真空導管，此等伸縮節 一 可為各種形式但/般呈圓桎形或圓錐形並具有與伸縮節 軸線垂直的褶波部。藉由製造夠大的褶波部及夠薄的伸縮 節壁，可令伸縮節對於其端點之相對縱向及側向移動及沿 著與圓柱或對於與圓錐軸線垂直的輛線之角運動產生低 -10 - 1269945 (6) 煢奪_薦 的勁度。低勁度可防止振動傳遞通過伸縮節，但習知的伸 縮節對於沿圓柱或圓錐軸線的旋轉運動係具有勁度，特別 是在伸縮節直徑夠大足以容納投射束或一大空氣或清洗 氣體流的情形尤然。因而，習知的伸縮節係保持一不良之 扭轉性振動、力及力矩的傳遞路徑。 本發明之一目的係提供一種用於微影裝置中能夠隔離 杻轉性振動、力及/或力矩之伸縮節。 根據一種微影裝置來達成此目的及其他目的，此微影裝 置包含： —一輻射乐統，其用於供應一輻射投射束； —一支撐結構，其用於支樓圖案化構件，圖案化構件係具 有依據一所需要的圖案將投射束圖案化之功用； —一基材台，其用於固持一基材；

，-一投射乐統，其用於將圖案束投射在基材的1…^ 其中該輻射系統、該支撐結構、該基材台及該投射 之至少-者的至少—部份係容納在—密封的室巾，且载 -伸縮節以在該㈣的室與另—室m間提供一 合的=通道具有—縱軸線，其特徵為該伸縮節包< 一第：段L其具有沿該縱軸線螺旋形延伸之複數個福 部’使仔忒弗—段的相對端點可彼此相對旋轉；及 :第t段’其適可改變長度以補償該第-段的長度⑸ 弟一 &中的螺旋形褶波部可容許其端點進行一相 轉，但此旋轉將造成第一段 長度《化。為此，提供第 & …使伸縮節保持固定的全長。第一段網 -11 - 1269945 度變化與旋轉產生耦合，但第二段則將其退耦。特定範圍 内，伸縮“端.點總、共可以六個自纟度彼此獨立地平移^ 旋轉’伸縮節可在各個這些自由度中具有低勁度，以防止 振動傳遞過伸縮節。 伸縮節之平順的褶波部係將褶波部產生的扭轉性應力 平均地分佈於全體的伸縮節。並非將應力集中在單點，藉 此：減少伸縮節的整體磨損，因而伸縮節較不易茂漏。‘ 於高精密度應用’特別是使用者，氣體的輻射損失為 重大問題。裝置在使用之前必須徹底清潔，且平順的糟波 部譬如比摺疊部更容易清理且可更有效地清理。 口而相較於伸縮卽材料的厚度，褶波部較佳應有大的 曲率半徑且譬如至少更大五倍’稽波部可為正弦曲線狀且 峰部與谷部較佳彼此呈平行行進。 罘二段可能為與第一段相對應但反向捲繞之螺旋形褶 波部的一段、或為圓周褶波部的一段。 第一段至少應有一種旋轉對稱性的基本形式。 根據本發明的另-型態，提供一種包含以下步驟之裝置 製造方法： 楗供ϋ辕射敏感性材料至少部丫分地覆蓋之一基材； 使用 輪射糸統提供一輕射投射束； —使用圖案化構件對於投射束的剖面賦予一圖案； -將轄射的圖案束投射在㈣敏感性材料層的—目標部上， 其特徵為以下步驟： 提供一伸縮節，藉以將用於包圍該輻射系統、該支撐結 -12 · 1269945 (8) 發明:_頃繽頁 —者的至少一部份之一密 加以導通，該伸縮節設有 及一適於容納該第一段的 構、該基材台及該投射系統其中 封的隔室與另一隔室或_泵之間 一具有螺旋形褶波部之第_段、 長度變化之第二段。 雖然本文特別描述將根撼士 T艨本發明的裝置使用在1C製造 中，應明確瞭解此裝置具有哞夕# ^ 、有°午多其他可能的應用，譬如可 使用於製造整合式光學系统 、 丁、、死磁域記憶體的引導及偵測型 式、液晶顯示面板、薄膜磁頭等。熟悉此技藝者瞭解：在 此等替代性應用的範圍中，文中若使用任何“光罩”、“晶 圓或“晶粒’’名稱，均岸分另丨丨LV街 A » πσ ^ J k刀別以更一般性用語“遮罩，，、“基 材’’及“目標部”加以取代。 本文件中利輪射”及“束’’來涵蓋所有類型的電磁輻射 包括紫外光輻射（譬如具有365、24 8、193、157或126毫 微米波長）及EUV(極紫外光輻射，譬如具有5至2〇毫微米的 波長）、及粒子束諸如離子束或電子束。 現在僅由範例參照示意圖來描述本發明的實施例，其中： 圖1描述根據本發明的一實施例之一微影投射裝置； 圖2至6為可使用於本發明實施例中之伸縮節的立體圖。 圖中對應的符號代表對應的元件。 實施例1 圖1示意顯示根據本發明的一特定實施例之一微影投射 裝置，此裝置包含·· •一輻射系統Ex，1L，其用於供應一輻射投射束ρβ(譬如 EUV輻射）並在此特定情形下亦包含—輻射源丄a ; -13 - 1269945 1 j mmmm 第物體台（遮罩台）MT，其設有一遮罩固持件藉以固 持住一遮罩Μ A (譬如光罩），並連接至第一定位構件藉以 將遮罩相對於物項PL精確地定位； 第一物體台（基材台）W T，其設有一基材固持件藉以固 持住一基材W(譬如一塗有阻劑的矽晶圓），並連接至第 二定位構件藉以將基材相對於物項PL精確地定位； -一投射系統（“鏡片，，）PL(譬如一鏡組），其用於將遮罩MA 的一受輻照部成像在基材W的一目標部C(譬如包含一 或多個晶粒）上。 如此處所描述，此裝置為反射型（亦即具有一反射性遮 罩）’但其通常譬如亦可為透射型（具有一透射性遮罩）。或 者，此裝置可採用另一種類的圖案化構件，諸如一上述類 型的可程式化鏡陣列。 源LA(譬如一放電或雷射生成電漿源）產生一輻射束，譬 如，此束直接饋送入或在橫越調控構件（諸如一束放大器 Ex)之後饋送入一照明系統（照明器）IL，照明器匕可能包含 5周整構件AM藉以設定束中的強度分佈之外及/或内徑向 犯圍（常分別稱為σ -外及σ _内）。此外，其一般包含各種 外部組件，諸如一整合器ΙΝ及一聚光器c〇。利用此方式 衝手在遮罩MA上的束PB在其剖面具有所需要的均勻度 及強度分佈。 應注意，對於圖！，源LA可能位於微影投射裝置的殼體 内（譬如，若源LA為汞燈時所常見的情形），但其亦可能遠 離微影投射裝置，而將其產生的轄射束引入裝置内（譬如 (10) 1269945 發明說嚷繽頁 以適當的導鏡作為輔助）；源la 為叉激準分子雷射時當 為傻a方案。本發明及申請專利範圍涵蓋這兩種方案。 束PB隨後㈣固持在—遮罩台价上之遮罩MA相交戴 其^^橫越遮罩心之後係通過鏡片以而將束Μ聚焦在 基材W的-目標紅上。以第二定位構件（及干涉測量構件 IF)作為辅助’基材台WT可精確地移動，譬如將不同目標 部C定位在束PB的路徑中。同樣士也，譬如從遮罩資料庫機 械式取出遮罩MA之後、或在掃描期間，可利用第一定位 構件將遮罩MA相對於束_徑精確地定位。—般可藉由 -㈣㈣__定位）及_短行程模組（細微定位）作為 輔助令物體台MT、'打產生移動，圖丨未明確顯示。作在 晶圓步進機（而非步進及掃描裝置）的情形中，遮罩台町 可以只連接至一短行程致動器、或可能為固定式。 所描述的裝置可以使用在兩種不同方法中： 在步進模式中，遮罩台河丁保持大致靜態，且_整體的 遮罩影像一次投射（亦即單一 “閃光，，）在一目標部C上，基 材σ WTI^後在:^及/或y方向移位，藉以用束pB輻照一不同 的目標部C。 2.在掃描模式中，適用大致相同的情境，但差異在於並非 用單一“閃光”將一給定目標部c暴光。取而代之，遮罩台 MT可以速度k在一給定方向（所謂掃描方向，譬如^方向） 中移動，造成投射束PB掃描於一遮罩影像上方；同時，基 材台WT以速度V = M〉同時在同方向或反方向中移動，其 中Μ為鏡片PL的放大率（通常，1/4或1/5)，可科用此方 -15 - 1269945

Lgy-纜賀 式使一較大目標部c暴光而不須犧牲解析度。 雖然圖1中未顯示，將裝置的束路徑排空成深度真允 總壓力必須低達1〇-6毫巴且其中碳氫化合物具有1〇4或 ίο·9毫巴的分壓。此嚴格需求之目的在於防止鏡、遮罩及 晶圓的污染。為了能夠達到及維持此真空程度，將穿置的 各段譬如輻射源LA、照明系統IL、遮罩階段、投射系統 P L及基材階段保持在分離的真空包圍件中，真空包圍件伏 連接至適當類型與產能之真空泵。 為了將各種組件及其泵連接在一起、讓投射束、測量束 或氣體流通過、並防止振動、力及力矩傳遞至隔室及傳遞 於至之間，採用隔離伸縮節。為了防止在相對於伸縮節 軸線之扭轉性（Rz)、縱向（Z)及側向（χ，γ)及角度性（R\ r ) 方向之振動、力及力矩的傳遞，本發明所用的隔離伸縮節 係包含具有螺旋形權波部之至少一段、及用於容納縱向移 動之至少一段。 下文描述係針對XYZ正交座標系，其中z軸為未受應力 的伸縮節之縱軸線，且伸縮節的一端位於χγ平面中’此 座標系中扭轉性運動可稱為Rz，應注意使用此座標系僅為 了方便描述而不應暗示伸縮節相對於地面或此裝置中所 界定的任何其他座標系具有任何特定之定向。並且，對於 伸縮節的一縱軸線之描述不應代表伸縮節需為圓柱形或 具有一直線狀縱軸線。 圖2顯不可使用於本發明中之一隔離伸縮節2〇的第一範 例隔離伸縮節20大致呈圓柱形並包含三個運動容納段： -16 - 1269945

/具有平順的螺旋形褶波部22之中段21、及具有圓周稽波 部25、26之外段23、24。設置平坦的圓桎形端部27、 一 Zq 以利將伸縮節安裝至一隔室或真空導管，具有八個褶波部 ，各褶波部大致繞伸縮節縱軸線延伸半圈，利用伸縮節2〇 形成從一真空室到另一真空室之一閉合的通道，此實施例 中’伸縮節的縱軸線對應於通道的縱軸線。 螺旋形褶波部22對於伸縮節20縱轴線呈30。至60。、較件 45 °角的配置。若一扭轉性（Rz)力施加於端點2 7、2 8之間，

中段2 1的螺旋形褶波部22將容許外段23、24的一相對旋轉 運動，但如此將改變縱（Z)方向的長度。但因為藉由外段^ 、24的圓周褶波部25、26來容納此長度變化，所以不具有 私點23、24的縱向運動。基本上，雖然螺旋形褶波部22將Z 與Rz運動加以耦合，外段藉由容納Z運動使這些運動退耦。

言月瞭解，伸縮節尺寸及各種褶波部的尺寸及數量可能 據所需要的真空路徑尺寸及必須容納的運動範圍而改 1亚以圖j顯不，圖3描述可使用於本發明之一隔離伸縮 、第一範例，此伸縮節具有與伸縮節2〇相同的功能但 =比其長度更大的半徑，伸縮節3〇的元件進行與伸縮節 、一件相同之功旎但具有減丨〇的編號，伸縮節3 〇具有十 棬’皮°卩，各褶波部大致繞縱軸線延伸半圈。 圖4 -員不根據本發明之一隔離伸縮節4〇的第三範例， :節4〇中提供兩個螺旋形段各螺旋形段41、, 二有，致延伸四分之—圈的八個螺旋形指波部43、44。 τ'㈣&41、42的螺旋形褶波部43、料呈反向轉動， -17- 1269945

中者為順時針方向而另一者為逆時針方向。利用此方式 :一個螺㈣段具有容納另_者、縱向運動之作用，可參照 &加至安裝凸緣49的一順時針扭矩之範例加以解釋，其中 安裝凸緣48受到固定。在此力的影響下，螺旋形段㈣ 捲:及緞向收縮，而螺旋形段42則將“鬆綁，，及縱向延伸 。若兩個螺旋形段具有同樣構造但呈鏡像，則伸縮節40 將保持固定的全長。 為方便起見在伸縮節4〇中提供圓柱形部C、47，亦 c主思到，伸縮節40將藉由中間部45相對於端點的旋轉來 容納兩端之一相對Z位移，，伸縮節的壓縮將造成兩 ‘紅形部捲緊，兩者將造成中段反時針旋轉，當然亦可容 納扭轉性及縱向運動兩者之組合。 為了方便衣造並依需要設定伸縮節的全長，在伸縮節4〇 中叹置圓柱形部45、46、47，亦可看出螺旋形褶波部Μ 、44形成為一標稱圓柱形表面中的嵌件並具有較尖銳的角。 圖5 ,、’、員不可使用於本發明之一隔離伸縮節$ 〇的第四範例 ，此範例具有兩個螺旋形段51、52及一中段55,在各螺旋 形1又〕1、中設有大致延伸半圈之反向旋轉的十五個螺旋 形褶波部53、54，以及圓周褶波部56的一中段55。反向 捲繞”的螺旋形段51、52具有如同第三範例之功能，但中 & 供容納縱向（z)、侧向（χ&γ)及角度性U運動 之額外能力，中段55亦藉由容納以一端旋轉的某些縱向移 動來降低對於扭轉性（Rz)運動之勁度。 圖6喊不可使用於本發明之一隔離伸縮節60的第五範例 -18 - (14) 1269945

扩沒與第三範例（圖4)之相似處在於：具有反向“捲繞，，的螺 、62,但具有八個更為圓弧狀且大致延伸半圈之 褶波部63、64,並提供安裝用之圓柱形端段65、a。 辟如圖2至6所不，褶波部為平順狀並且相較於伸縮節材料 如金屬）厚度具有一大的曲率半徑，各項上述範例中， 托波部的峰部及谷部彼此呈平行行進並對於伸縮節縱軸 線形成相同的角度。

任何方便形式之終止部設置於任一端或兩端上

μ應注意，雖然已經描述大致呈圓柱形式之隔離伸縮節的 範例’伸縮節亦可能具有其他形式。譬如，伸縮節的基本 形式（亦即褶波部的疊設形狀）可能具有卵形、正方形或其 他多角形剖面。一般而言，伸縮節的基本形式可為一稜錐 ，其代表具有類似、相等及平行多角形的端點及平行四邊 形的側邊之形狀；一平載頭稜錐’其代表具有類似但不相 等多角形的端點之形狀；或為圓錐形，其中一圓柱係為核 心的-限制性範例。並且，伸縮節的功能段可能相鄰、或 由不需有低勁度且呈任何習知形式之段所*隔。可將亦有 上述的所有隔離伸縮節必須由一種諸如金屬等彈性 料製成，這些裝置的一種目前較佳之製造方法係為電積 形，利用此方法構成一形式的適當形狀，然後以一電鍍技 術覆盖一適當厚度的金屬層’然後譬如藉由溶解、融化或 機械構件來移除此形式以留下獨立的金屬層。 上文雖已描述本發明的特定實施例，應瞭解可以上沭以 外的方式來實施本發明，此描述無意限制本發明。 -19 - 1269945 (15) 發明說朝繽頁 元件符號對照表 20 隔離伸縮節 2 1 中褶波部 22 螺旋形褶波部 23 外段 24 外段 25 圓周褶波部 26 圓周褶波部

27 平坦圓周端部 28 平坦圓周端部 30 隔離伸縮節 40 隔離伸縮節 4 1 螺旋形段 42 螺旋形段 43 螺旋形褶波部 44 螺旋形褶波部 45 圓柱形部 46 圓柱形部

47 圓柱形部 48 安裝凸緣 49 安裝凸緣 50 隔離伸縮節 5 1 螺旋形段 52 螺旋形段 53 螺旋形褶波部 54 螺旋形褶波部 55 中段 56 圓周褶波部 60 隔離伸縮節 -20 - 1269945 (16) 6 1 螺旋形段 62 螺旋形段 63 圓弧形褶波部 64 圓弧形褶波部 65 圓柱形端段 66 圓柱形端段 AM調整構件 C 目標部 C〇聚光器

Ex 輻射系統（束放大器） IF 干涉測量構件 IL 輻射系統（照明系統） IN 整合器 L A 輪射源 MA遮罩 MT第一物體台（遮罩台） PB 投射束 PL 投射系統（鏡片）

Rx 角度性方向 Rv 角度性方向 Rz 扭轉性方向 W 基材 WT第二物體台（基材台） X 側向方向 Y 側向方向 Z 縱向方向 -21 -

Claims (1)

126^4^18206號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(95年6月） 拾、申請專利範圍: .，:乂乂]心f i 1 · 一種微影投射裝置，包含 —一輻射系統，其用於提供一輻射投射束； —支撐結構，其用於支撐圖案化構件，該圖案化構件 具有依據一所需要的圖案將該投射束圖案化； —一基材台’其用於固持一基材； —投射系統，其用於將該經圖案化的束投射在該基材 的一目標部上； 其中該輻射系統、該支撐結構、該基材台及該投射系 統中之至少一者的至少一部份係容納在一密封室中，且 設置一伸縮節以在該密封的室與另一室或一泵之間提 供一閉合的通道，該通道具有一縱軸線；其特徵為該伸 縮節包含： 一第一段，其具有繞該縱軸線呈螺旋形延伸之複數個 平順的褶波部，使得該第一段的相對端點可彼此相對旋 轉；及 一第二段，其適可改變長度以補償該第一段的長度變 化。 2·如申請專利範圍第1項之裝置，其中該第二段係具有複 數個平順的褶波部以相反於該第一段之平順的褶波部 之方向繞該縱軸線呈螺旋形延伸。 3·如申請專利範圍第2項之裝置，其中該第二段大致為該 第一段的一鏡像。 4.如申請專利範圍第1項之裝置，其中該第二段係具有與

1269945 該縱線呈垂直延伸之複數個平順的褶波部。 5·如申請專利範圍第i、2、3或4項之裝置，進一步包含一 第三段’該第三段具有與該縱軸線呈垂直延伸之複數個 平順的褶波部。 6·如申請專利範圍第1、2、3或4項之裝置，其中該等平順 的栩波部之峰部與谷部為平行。 7 ·如申凊專利範圍第1、2、3或4項之裝置，其中該等平順 的獨波部之峰部與谷部相對於該伸縮節的縱軸線呈相 同的角度。 8 ·如t 專利範圍第1、2、3或4項之裝置，其中相較於該 伸縮節材料的厚度，該等平順的褶波部具的曲 徑。 9·如甲請專利範圍第1、2、 的賴波部為正弦曲線狀。 10·:::專利範圍第卜2、3或4項之裝置，其中該第—段 /、有"於四個到三十個平順的稽波部。 = 項之襄置，其中該 ==㈣係繞該縱軸線延伸四分之一圈。 13·如申請專利範圍第i、2、 構包含-遮罩台藉以固持、、X支撐結 ⑷如申請專利範圍第卜2、 ·4二 統包含-輻射源。 員之羞置，其中該輻射系 1269945

15. 一種製造一積體電路之方法，包含以下步驟： —供一基材’ έ亥基材至少邮於·认jj；丨 / °卩伤地叉到一層輻射敏感性 材料所覆盍； —利用一輻射系統提供一輻射投射束； -利用圖案化構件對於該投射束的剖面賦予一圖案； •將該經圖案化的輻射束投射在該層輻射敏感性材料 的一目標部上， 其特徵為以下步驟：

提:共-伸縮節，以將用於包圍該輻射系統、該支撐結 密Μ ^基材台及該投射系統其中—者的至少—部份之一 具有一隔至與另一隔室或一泵之間相導通，該伸縮節係 二一包含平順的褶波部之第一段、及一適於容納該第 1又的長度變化之第二段。