JP2007243182A - アパーチャポジショナ - Google Patents

Abstract

【課題】ＥＵＶＬの露光工程中にビーム路に干渉しないアパーチャー交換装置を提供する。
【解決手段】所望の平面内ではない格納位置から、所望の平面内の「使用時の」位置へアパーチャ２２−２を回転させる装置。該アパーチャ２２−２の格納位置は、光学系の放射ビーム路３４と干渉しない。該装置は、多数のアパーチャ２２−２をコンパクトに格納することができ、また、該所望の平面からより大きなアパーチャ２２−２を取り除くことなく、該所望の平面内により小さなアパーチャ２２−２を配置することができる。
【選択図】図１

Description

本明細書で開示した実施形態は、リソグラフィツール等の光学系の所望の平面に用いられる固定寸法のアパーチャをコンパクトに格納し、かつ変更するための装置及び方法に関する。

一部の光学系においては、光学系の中で光を制限するために、例えば、単一の拡大可能な又は収縮性のアパーチャよりもむしろ固定寸法のアパーチャが用いられている。場合によっては、異なるサイズ及び形状のアパーチャが必要であり、使用中の該アパーチャを取り外して、新しいものを定位置に配置しなければならない。現在のリソグラフィツールは、この変更を行うために、回転式交換装置を用いる。回転式交換装置は、典型的には、全てのアパーチャが配設されている単一のプレートを有する。使用中及び格納されている全てのアパーチャは、有益な所望の平面内にある。しかし、格納されているアパーチャは、該所望の平面内にある間、光学素子の上にはなく、必要に応じて、定位置に回転される。新たなアパーチャを光学素子の上に配置する同様の回転は、それまで用いられていたアパーチャを、該光学素子上の位置から移動させる。その結果、該アパーチャは、該アパーチャを含む該平面の回転によって交換される。

回転式交換装置は、極端紫外線リソグラフィ（ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ；“ＥＵＶＬ”）の露光工程中に、ビーム路に干渉する可能性があり、また、該装置は、光学素子を支持し、及び接続するための構造部材が用いることができる可能性がある貴重なスペースを無駄に使う可能性がある。ＥＵＶＬツールの光学系に用いられる固定寸法のアパーチャをコンパクトに格納し、かつ変更する必要がある。

本明細書で広範に説明するように、本発明と一致する実施形態は、アパーチャポジショナ、アパーチャチェンジャ、アパーチャを位置決めする方法、及び最初に、先に使用されていたアパーチャを取り除くことを要することなく、一連のアパーチャを用いる方法を含むことができる。

放射ビームを有する光学系で使用するための、本発明のいくつかの実施形態によるアパーチャポジショナは、所望の平面で使用するための固定寸法アパーチャを有する部材と、該所望の平面内ではない第１の位置から、実質的に該第１の所望の平面内の第２の位置へ該アパーチャを回転させるために該部材に結合された１つ以上の移動装置とを含むことができ、該第１の位置において、該部材は、該光学系の放射ビーム路に干渉しない。

放射ビームを有する光学系で使用するための、本発明のいくつかの実施形態によるアパーチャチェンジャは、所望の平面で使用するための、固定寸法ｄ_１のアパーチャを有する第１の部材と、該所望の平面内ではない第１の位置から、実質的に該所望の平面内の第２の位置へ、固定寸法ｄ_１の該アパーチャを回転させるために該第１の部材に結合された第１の１つ以上の移動装置とを含むことができる。また、該アパーチャチェンジャは、該所望の平面内で使用するための固定寸法ｄ_２のアパーチャを有する第２の部材であって、ｄ_２＜ｄ_１である第２の部材と、該所望の平面内ではない第３の位置から、実質的に該所望の平面内の第４の位置へ、固定寸法ｄ_２の該アパーチャを回転させるために該第２の部材に結合された第２の１つ以上の移動装置とを含むこともできる。該第１及び第３の位置において、それぞれ、該第１及び第２の部材は、該光学系の放射ビーム路に干渉しない。

放射ビーム路を有する光学系において、本発明に一致するいくつかの実施形態によるアパーチャを位置決めする方法は、所望の平面内ではない第１の位置から、実質的に該所望の平面内の第２の位置へ、該所望の平面内で用いられる固定寸法のアパーチャを有する部材を回転させるステップを含むことができる。該第１の位置において、該部材は、該光学系の放射ビーム路に干渉しない。

本発明のいくつかの実施形態による、それまでに使用したアパーチャを取り除くことなく、一連の固定寸法アパーチャを用いる方法は、１）固定寸法ｄ_１のアパーチャを有する第１の部材を、所望の平面内ではない第１の位置から、固定寸法ｄ_１の該アパーチャが該所望の平面内にある第２の位置へ回転させるステップと、２）固定寸法ｄ_２のアパーチャを画成する管状突出部を有する第２の部材であって、ｄ_２＜ｄ_１である該第２の部材を、該所望の平面内ではない第３の位置から、固定寸法ｄ_２の該アパーチャが該所望の平面内にあり、かつ固定寸法ｄ_１の該アパーチャ内にある第４の位置へ回転させるステップとを含むことができる。

本発明に係るアパーチャポジショナは、予め決められた平面内にある放射ビーム路内でアパーチャを位置決めするアパーチャポジショナであって、アパーチャを持つ部材と、アパーチャを持つ部材に係合し第１の位置と第２の位置にアパーチャを位置決めする移動装置と、を備え、第１の位置が予め決めた平面とは異なる面にあり、第２の位置が予め決められた平面内にあることを特徴とする。

ここで、上記のアパーチャポジショナは、第１の位置でのアパーチャが放射ビーム路から外れていることが好ましい。

本発明に係るアパーチャポジショナは、アパーチャを放射ビーム路中の予め決められた平面上に位置決めするアパーチャポジショナであって、アパーチャを持つ部材と、予め決められた平面とは異なる平面内にある第１の位置と予め決められた平面内にある第２の位置との間で部材を動かす部材に係合した移動装置と、を備えることを特徴とする。

ここで、上記のアパーチャポジショナは、第１の位置に置かれた部材が放射ビーム路から外れていることが好ましい。

また、上記のアパーチャポジショナは、第２の位置に置かれた部材が放射ビーム路内にあることが好ましい。

本発明に係るアパーチャポジショナは、放射ビーム路に置かれたアパーチャを交換するアパーチャチェンジャであって、第１のアパーチャを持つ第１の部材と、第２のアパーチャを持つ第２の部材と、放射ビーム路から外れた第１位置と放射ビーム路内にある第２位置の間で第１部材を移動させる第１移動装置と、第２の位置で第１部の材上に第２の部材を置き、第１の部材から第２の部材を離す、第２の部材に係合した第２の移動装置と、を備えたことを特徴とする。

ここで、上記のアパーチャポジショナは、第１の移動装置が第１の部材を回転軸回りに回転させ、第２の移動装置が第２の部材を第１の移動装置の回転軸と同じ軸回りに第２の部材を回転させることが好ましい。

本発明に係るアパーチャチェンジャは、第３のアパーチャを持つ第３の部材と、第３の部材を第１と第２の移動装置の回転軸と平行な回転軸の回りに回転させる第３の部材に係合している第３の移動装置と、を備えたことを特徴とする。

ここで、上記のアパーチャチェンジャは、第１のアパーチャの端部と第２のアパーチャの端部が第２の位置と実質的に同じ平面に位置決めされていることが好ましい。

本発明に係るアパーチャの位置決め方法は、放射ビーム路中にアパーチャを位置決めする方法であって、放射ビーム光路内に第１のアパーチャを位置決めし、第１のアパーチャを覆う放射ビーム路中に第２のアパーチャを位置決めする、ことを特徴とする。

上記の概要及び以下の詳細な説明は共に例示的なものであり、かつ単に説明のためのものであり、本発明を限定するものではないことを理解すべきである。

本明細書に組み入れられ、本明細書の一部を構成する添付図面は、本発明に一致するいくつかの実施形態を示し、また、その説明と共に、本発明の原理を説明するのに役に立つ。

次に、添付図面に示されている、本発明と一致する例示的な実施形態について、詳細に説明する。可能な限り、同じ又は同様の部材を指すのに、同じ参照符号を全ての図面にわたって用いることにする。

図１は、厚さｔを有するアパーチャプレート２２と、アパーチャプレート２２の表面に配設された、固定径ｄ_１のアパーチャ２２−２を含むスルーホール２２−１とを有する、本発明のいくつかの実施形態によるアパーチャポジショナ２０を示す。図１において、アパーチャ２２−２は、対象物３０の上の所望の平面２４内に位置している。所望の平面２４は、光学系の中間焦点面とすることができる。いくつかの実施形態において、対象物３０は、反射面３２を有してもよい。いくつかの実施形態において、アパーチャ２２−２は、対象物３０の一部を入射放射ビーム３４に対して曝し、該ビームの少なくとも一部は、反射面３２で反射して、反射放射ビーム３６を形成する。

アパーチャ２２−２は、所望の平面２４内で回転させることができる。いくつかの実施形態において、アパーチャプレート２２は、図１に、回転軸２７周りの回転のためのステッピングモータとして描かれている１つ以上の移動装置２６に結合することができる。ステッピングモータは、当分野において周知であり、詳細に説明する必要はない。アパーチャプレート内のアパーチャを所望の平面内の位置へ回転させるのに十分であるステッピングモータの実施例は、３相ステッピングモータである。いくつかの実施形態においては、１つ以上の移動装置２６を、当分野において周知の方法で、ブラケット２８に取付けてもよい。

図１に示されたものを含む、いくつかの実施形態において、回転軸２７は、所望の平面２４と平行とすることができる。図１に示すように、入射ビーム３４は、対象物３０に対して、約３０度の入射角を有する。入射ビーム３４は、符号「ｅ」で示す距離の平行面内で、回転軸２７と直角に示されている。図に示すように、回転軸２７は、所望の平面２４の下の符号「ｆ」で示す距離にある。図に示すように、反射ビーム３６は、回転軸２７から「ｇ」の距離の平面内に含まれている。

いくつかの実施形態において、回転軸２７は、所望の平面２４に対して平行でなくてもよい。回転軸２７が所望の平面２４に対して平行ではない場合には、（作動位置から９０度の格納位置内の）アパーチャプレート２２の一部が、入射ビーム３４又は反射ビーム３６と干渉するのを防ぐために、回転軸２７と入射ビーム３４との間の距離「ｅ」及び回転軸２７と反射ビーム３６との間の距離「ｇ」のうち一方または両方をなるべく大きくする必要がある。非平行な回転軸を選択した場合には、アパーチャプレート２２をより多く（例えば、９０度より大きく）回転させ、干渉を防ぐようにする必要がある。回転軸２７が所望の平面２４と平行な場合には、アパーチャプレート２２を回転させるためにアパーチャポジショナ２０に必要な容積を最小化することができる。

図２は、図１に示すアパーチャポジショナ２０の平面図を示す。但し、図２においては、アパーチャプレート２２の回転軸２７が符号「ｅ」の距離の入射放射線３４を含む平面内の入射放射線３４と平行であることを除く。入射放射ビーム（放射線）、又は、放射がない場合に意図される入射ビーム路を含む平面に対して回転軸２７が平行でない場合には、（作動位置から９０度の格納位置内の）アパーチャプレート２２の一部が入射ビーム３４又は反射ビーム３６と干渉するのを防ぐために、回転軸２７と入射ビーム３４を含む平面との間の距離「ｅ」及び回転軸２７と反射ビーム３６との間の距離「ｇ」のうち一方または両方をより大きくする必要がある。非平行な回転軸を選択した場合には、干渉を防ぐために、アパーチャプレート２２をより多く（例えば、９０度より大きく）回転させる必要がある。入射ビーム３４及び入射ビーム３４を含む平面に対して回転軸２７が平行な場合には、アパーチャプレート２２を回転させるためにアパーチャポジショナ２０に必要な容積を最小化することができる。

図２に示すように、いくつかの実施形態においては、アパーチャ２２−２を対象物３０の上の所望の平面内に配置するために、２つの移動装置２６は、アパーチャプレート２２に結合されてもよい。いくつかの実施形態において、クラッチ及びベルトシステムに結合された１つの移動装置は、使用位置から異なる格納位置へアパーチャプレート２２を回転させることができる。

図３は、図２に示すアパーチャポジショナ２０の側面図であって、上記アパーチャプレートが格納位置にある（使用中ではない）状態を示す。図３において、入射放射線３４は、回転軸２７に対して直角であり、所望の平面２４に対して直角であり、回転軸２７と平行な平面内にある。いくつかの実施形態において、対象物３０は、入射放射に対して透過性であってもよく、また、入射線３４の一部を、透過した（屈折した）放射線３８として透過させてもよい。図３に示すように、アパーチャプレート２２は、アパーチャポジショナ２０によって、所望の平面２４内にはなく、かつ入射放射線３４と干渉しない位置に配置することができる。いくつかの実施形態において、その位置は、所望の平面２４から９０度の位置とし、あるいは、換言すれば、該所望の平面と垂直とすることができるが、入射、反射又は屈折であろうが、該アパーチャプレートが、意図するビーム路と干渉しない場合には、他のある角度とすることができる。

図４は、本発明の実施形態によるアパーチャチェンジャ４０の平面図を示す。いくつかの実施形態において、アパーチャチェンジャ４０は、多数のアパーチャポジショナを含んでもよい。図４において、アパーチャチェンジャ４０は、図１〜図３に示すようなアパーチャポジショナ２０と、第２のアパーチャポジショナ２０Ａとを含む。アパーチャポジショナ２０は、アパーチャプレート４２の下にあり、かつ点線で示す固定径ｄ_１のアパーチャ２２−２を有するアパーチャプレート２２（図示せず）に結合された２つの移動装置２６を含む。いくつかの実施形態において、アパーチャポジショナ２０Ａは、固定径ｄ_２（ただし、ｄ_２＜ｄ_１）のアパーチャ４２−２を含むスルーホール４２−１を有するアパーチャプレート４２に結合された２つの移動装置４４を含む。いくつかの実施形態において、アパーチャプレート４２は、アパーチャ４２−２を画成する部分４８を含む。いくつかの実施形態において、部分４８は、円錐形状、管状（図５に最も良く示されている）を有してもよく、その寸法は、上記入射放射ビームの入射角、及び径ｄ_１（アパーチャ２２−２）を含むアパーチャプレート２２のスルーホール２２−１の寸法によって部分的に決めることができる。

ここで、アパーチャプレート４２は、移動装置４４により、回転軸２７と位置合わせされている回転軸４６周りに回転させることができることが図を見て分かる。回転軸４６は、いくつかの実施形態において、所望の平面２４と平行とすることができる。図４は、（最大径の点線の円として示された）対象物３０の上の所望の平面２４内に配置されたアパーチャ２２−２及びアパーチャ４２−２を示す。図４は、対象物３０の反射面３２で反射する入射放射ビーム３４を反射ビーム３６として示す。いくつかの実施形態において、及び図４に示すように、回転軸２７及び４６は、入射ビーム３４を含む入射放射ビーム路を含む平面と、３０度の角度θを形成する。

図５は、線５−５に沿った図４に示すアパーチャチェンジャ４０の側断面図を示す。いくつかの実施形態において、アパーチャチェンジャ４０は、厚さｔを有するアパーチャプレート２２と、反射面３２を有する対象物３０の上の所望の平面２４内に配置された、固定径ｄ_１のアパーチャ２２−２を含むスルーホール２２−１とを含む。図５において、厚さｔ´と、固定径ｄ_２のアパーチャ４２−２を含むスルーホール４２−１とを有するアパーチャプレート４２は、底面５０を、その下のアパーチャプレート２２の上面に隣接させて、かつ接触させた状態で配置されている。いくつかの実施形態において、アパーチャプレート４２の部分４８は、スルーホール４２−１及びアパーチャ４２−２の両方を画成し、厚さｔを、アパーチャプレート２２内のアパーチャ２２−２を含むスルーホール２２−１内へ及ばせ、その結果、アパーチャ４２−２は、アパーチャ２２−２内の所望の平面２４内に実質的に配置されている。

図４及び図５は、いくつかの実施形態においては、アパーチャチェンジャ４０を、それまでに使用したアパーチャを取り除くことなく、一連のアパーチャを所望の平面２４内に配置するのに用いることができることを示している。

図６は、本発明のいくつかの実施形態によるアパーチャポジショナの別のアパーチャチェンジャ４０Ａの正面図を示す。この図に示すように、アパーチャプレート２２、４２、５２、５４及び５６は、入射ビーム３４、又は、対象物３０の反射面３２からの反射ビーム３６と干渉しない位置に示されている。アパーチャプレート２２及び４２及びそれらに付随する移動装置については、既に説明してある。図示した位置から該アパーチャプレートの少なくとも１つのアパーチャの固定径が所望の平面２４内に実質的に存在できる位置へ該アパーチャプレートを回転させることができる１つ以上の移動装置に各アパーチャプレートを結合することができる。

アパーチャプレート５２の少なくとも１つのアパーチャの径ｄ_３がアパーチャプレート４２のアパーチャ４２−２の固定径ｄ_２よりも小さい場合には、アパーチャプレート２２又はアパーチャプレート４２を取り除くことなく、固定径ｄ_３（アパーチャ５２−２）を対象物３０の上の所望の平面２４内に配置することができる。単純化のため、各アパーチャプレートの固定径のアパーチャのみを図示してある。（より大きなアパーチャを有する）下方のアパーチャプレートのスルーホール内に及ぶ該アパーチャプレートの突出部の関連する細部を図８に示す。ここでもまた、いくつかの実施形態において、アパーチャチェンジャ４０Ａを利用して、それまでに使用したアパーチャを取り除くことなく、アパーチャプレート２２のアパーチャに加えて一連のアパーチャを用いることができる。

図７は、図７に示す一連のアパーチャプレートの部分側断面図をより詳細に示す。この図に示すように、固定された円形アパーチャを有する５つのプレートを、該５つのアパーチャの各々が所望の平面２４内にあるように配置することができる。この図においては、アパーチャプレート４２、５２、５４及び５６の円錐形状、管状を有する突出部が、下方に位置するアパーチャプレート内のスルーホール内に伸びていることが図を見て分かる。アパーチャプレート４２の部分４８が伸び、その結果、図５に関して既に説明したように、固定径ｄ_２のアパーチャ４２−２がアパーチャプレート２２の固定径ｄ_１のアパーチャ２２−２と同じ平面内にある。同様に、アパーチャプレート５２は、径ｄ_２のアパーチャよりも小さい固定径ｄ_３のアパーチャ５２−２を含むスルーホール５２−１を有し、また、アパーチャプレート５２の部分５８が伸び、その結果、アパーチャ５２−２がアパーチャ２２−２と同じ平面内にある。同様に、アパーチャプレート５４は、径ｄ_３よりも小さい固定径ｄ_４のアパーチャ５４−２を含むスルーホール５４−１を有し、部分６０が伸び、その結果、アパーチャ５４−２がアパーチャプレート２２の固定径ｄ_１のアパーチャ２２−２と同じ平面内にある。そして、アパーチャプレート５６は、径ｄ_４よりも小さい固定径ｄ_５のアパーチャ５６−２を含むスルーホール５６−１を有し、部分６２が伸び、その結果、アパーチャ５６−２がアパーチャ２２−２と同じ平面内にある。いくつかの実施形態において、そのそれぞれのアパーチャが同じ平面内にある場合に、積層されたアパーチャプレートによって示されるように、これらのアパーチャプレートが互いに接触することになる。

図８は、本発明のいくつかの実施形態による別のアパーチャチェンジャ４０Ｂを示す。アパーチャチェンジャ４０Ｂは、この実施形態においては、アパーチャポジショナ２０Ｃと、アパーチャポジショナ２０Ｄと、３つのブラインドポジショナー６３Ａ、６３Ｂ及び６３Ｃとを含む。具体的には、図８は、アパーチャプレート６６に結合され、かつブラケット２８内に取付けられた２つの移動装置６４を含むアパーチャポジショナ２０Ｃを示す。この実施形態において、アパーチャプレート６６は、固定径ｄ_６のアパーチャ６６−２を含むスルーホール６６−１を有し、回転軸６７周りに、移動装置６４によって回転される。また、図８は、これもまたブラケット２８に取付けられ、かつ固定径の４つのダイポールアパーチャ７２、７４、７６及び７８を有するダイポールプレート７０に結合された２つの移動装置６８を含むアパーチャポジショナ２０Ｄを示す。図８を見て分かるように、移動装置６８は、移動装置６４と位置合わせすることができ、その結果、ダイポールプレート７０も軸６７周りに回転される。図１〜図３と同様に、図８においては、回転軸６７は、所望の平面２４と平行である。

図８は、ダイポールプレート７０に関連して用いることができる３つのブラインドを示す。第１のブラインド８０は、１つ以上の移動装置８２に結合することができ、また、いくつかの実施形態においては、２つの移動装置をブラインド８０に結合することができる。ブラインド８０は、入射放射路と干渉しない位置から、ダイポールプレート７０上の少なくとも１つのダイポールアパーチャのための入射放射路と干渉する位置へ回転させることができる。いくつかの実施形態において、ブラインド８０が、ダイポールプレート７０の上に位置しており、かつ所望の平面２４と平行である場合には、ブラインド８０はダイポールアパーチャ７４及び７６をカバーしてもよい。第２のブラインド８４は、１つ以上の移動装置８６に結合することができる。いくつかの実施形態においては、２つの移動装置をブラインド８４に結合してもよい。ブラインド８４は、入射放射路と干渉しない位置から、ダイポールプレート７０上の少なくとも１つのダイポールアパーチャのための入射放射路と干渉する位置へ回転させることができる。いくつかの実施形態において、ブラインド８４がダイポールプレート７０の上に位置しており、かつ所望の平面２４と平行である場合には、ブラインド８４はダイポールプレートアパーチャ７２をカバーしてもよい。第３のブラインド８８は、１つ以上の移動装置９０に結合することができる。いくつかの実施形態においては、２つの移動装置をブラインド８８に結合することができる。ブラインド８８は、入射放射路と干渉しない位置から、ダイポールプレート７０上の少なくとも１つのダイポールプレートアパーチャのための入射放射路と干渉する位置へ回転させることができる。いくつかの実施形態において、ブラインド８８がダイポールプレート７０の上に位置しており、かつ所望の平面２４と平行である場合には、ブラインド８８はダイポールアパーチャ７８をカバーしてもよい。

ダイポールプレート７０は、対象物３０及びアパーチャプレート６６の両方の上に位置してもよく、それでもなお、その意図した目的のために機能することができる。図５及び図７に関して説明したアパーチャプレート４２、５２、５４及び５６と同様に、ダイポールプレート７０がアパーチャプレート６６の上の所定位置へ回転された場合に、所望の平面２４に対するアパーチャプレート６６のスルーホール６６−１に突出する（伸びる）アパーチャ７２〜７８を画成する部分をダイポールプレート７０は含んでもよい。ここでもまた、いくつかの実施形態において、一連のアパーチャを、それまでに使用したアパーチャプレートを取り除くことなく、用いることができる。いくつかの実施形態においては、ダイポールプレート７０が使用のための所定位置へ回転され、その結果、アパーチャ７２〜７８も所望の平面２４内にあるようにするために、所望の平面２４内にアパーチャ６６−２を有するその位置からアパーチャプレート６６を取り除く必要がない。

図９は、反射面３２を有する対象物３０の上の所望の平面内にアパーチャを配置し、及び該アパーチャを変更するためのＸ−Ｙスライド１０２上に取付けられた、それぞれ図４〜図７及び図８に示すようなアパーチャチェンジャ４０Ａ及び４０Ｂからなるアセンブリ１００を示す。当分野において周知であり、また、本明細書において詳しく説明する必要がないように、Ｘ−Ｙスライド１０２は、Ｘ軸及びＹ軸に沿った別々の動きを実現するために、ベアリングで分離された３つのプレート１０４、１０６及び１０８を含んでもよい。

上述したように、アパーチャプレート６６、ダイポールプレート７０及びブラインド８０、８４及び８８は、軸６７周りに回転する。上述したように、アパーチャチェンジャ４０Ａのアパーチャプレート２２、４２、５２、５４及び５６（図示されてはいるが、全てに符号が付いてはいない）は、軸２７周りに回転する。図９は、対象物３０の上の所望の平面内に位置するアパーチャ６６−２を示す。図９においては、５つの固定径のアパーチャプレートが、図６及び図７に関して上述したように、アパーチャ６６−２から約９０度の直立位置に描かれており、対象物３０上の入射放射に干渉しないように配置されている。

いくつかの実施形態において、第１のアパーチャチェンジャ４０Ａは、第２のアパーチャチェンジャ４０Ｂから１８０度の位置に取付けることができ、第１の回転軸２７を第２の回転軸６７と平行にし、かつ第１及び第２の回転軸２７及び６７をそれぞれ、上記所望の平面と意図された放射ビーム路を含む平面とに対して平行にしてもよい。いくつかの実施形態において、図示されていないが、第１のアパーチャチェンジャ４０Ａは、第２のアパーチャチェンジャ４０Ｂから９０度の位置に取付けることもでき、回転軸２７が第２の回転軸６７と直角であり、両回転軸２７及び６７が該所望の平面と平行であり、かつ一方の回転軸のみが意図された放射ビーム路を含む平面と平行であってもよい。

ウェハ処理装置について説明すると、図１０は、ＥＵＶ（又は、ソフトＸ線（ｓｏｆｔ−Ｘ−ｒａｙ；“ＳＸＲ”））リソグラフィ露光システム１５０の一例を示す。図示したシステム１５０は、ステップアンドスキャン方式でマイクロリソグラフィ露光を実行するように構成されている。図示のシステム１５０は、典型的には、λ＝１１〜１４ｎｍ（公称的には、１３ｎｍ）の波長を有する、極端紫外線（「ソフトＸ線」）の光を用いて、ステップアンドスキャン式リソグラフィ露光を実行する投影露光システムである。リソグラフィ露光は、ＥＵＶ照射ビームをパターン形成レチクル１７８へ向けることを含む。該照射ビームは、レチクル１７８の照射された部分に形成された該パターンの部分の空間像を取得する間、レチクル１７８から反射する。その結果生じる「パターン化されたビーム」は、露光時に該パターンによって焼き付けられる露光に敏感な基板１８０に向けられる。

上記ＥＵＶビームは、図示のシステム１５０最上端部に配置されたレーザ１５４によって励起されるレーザプラズマソース１５２によって生成することができる。レーザ１５４は、近赤外線から可視光の範囲内の波長で、レーザ光を生成することができる。例えば、レーザ１５４は、ＹＡＧ又はエキシマレーザとすることができる。レーザ１５４から放射されたレーザ光は、集光装置１５６によって集光して、下流のレーザプラズマソース１５２へ向けることができる。

レーザプラズマソース１５２内に配置されたノズル（図示せず）は、キセノンガスを排出することができる。該キセノンガスが、レーザプラズマソース１５２内の該ノズルから排出される際、該ガスには、集光装置１５６からの高輝度レーザ光が照射される。その結果として生じる該キセノンガスの強力な照射は、該ガスの十分な加熱にプラズマを生成させることができる。後のキセノン分子の低エネルギ状態への戻りは、約１３ｎｍの波長を有する良好な効率を伴うＳＸＲ（ＥＵＶ）放射の放出を生じることが可能である。

ＥＵＶ光は、空気中で低透過率を有するため、その伝播路は、好ましくは、真空チャンバ１５８内に形成された真空環境内に閉じ込めてもよい。また、キセノンガスがそこから排出される上記ノズルの環境内には、デブリが生成される傾向があるため、真空チャンバ１５８は、好ましくは、システム１５０の他のチャンバと独立させることができる。

例えば、表面多層Ｍｏ／Ｓｉコーティングが設けられた放物面ミラー１６０を、レーザプラズマソース１５２から放射するＥＵＶ光を受け入れ、かつ該ＥＵＶ光を平行ビーム１６２として下流方向へ反射させるように、レーザプラズマソース１５２に対して配置することができる。放物面ミラー１６０上の多層膜は、λ＝約１３ｎｍであるＥＵＶ光に対して高反射率を有するように構成することができる。

平行ビーム１６２は、放物面ミラー１６０の下流に位置する可視光遮断フィルタ１６４を通過する。例証として、フィルタ１６４は、約０．１５ｎｍの厚さを備えて、ベリリウム（Ｂｅ）で形成することができる。放物面ミラー１６０のＥＵＶ放射１６２のうちの所望の１３ｎｍの放射のみがフィルタ１６４を通過する。フィルタ１６４は、高真空に排気された真空チャンバ１６６内に収容されている。

露光チャンバ１６７は、通過フィルタ１６４の下流に配置することができる。露光チャンバ１６７は、少なくとも、集光型ミラーと、蝿の目型ミラー（図示しないが、当分野においては、よく理解されている）とを備える照射光学系１６８を収容することができる。照射光学系１６８は、アパーチャを、少なくとも１つの蝿の目型ミラーの上に配置するために、本発明と一致する少なくとも１つのアパーチャポジショナを含んでもよい。照射光学系１６８は、少なくとも１つの固定寸法のアパーチャを、蝿の目型ミラーの上に配置するために、及び少なくとも１つの他のアパーチャ又はブラインドを、該ＥＵＶビーム路と干渉しない位置に格納するために、本発明と一致する少なくとも１つのアパーチャを含んでもよい。リソグラフィツール内の他の光学素子も、本発明と一致するアパーチャポジショナ又はアパーチャチェンジャを用いてもよいことに留意すべきである。

また、照射光学系１６８は、円弧状横断面を有するように、（フィルタ１６４から伝播する）ＥＵＶビーム１７０を成形するように構成することもできる。成形された「照射ビーム」１７２は、図９の左側へ照射することができ、また、ミラー１７４で受けることができる。

ミラー１７４は、円形の凹状反射面１７４Ａを有することができ、また、保持部材（図示せず）によって（該図の）垂直方向に保持することができる。ミラー１７４は、例えば、石英、又は、Ｚｅｒｏｄｕｒ（Ｓｃｈｏｔｔ社）等の低熱膨張材料で形成された基板から形成することができる。反射面１７４Ａは、超高精度で形成され、かつＥＵＶ光に対して高反射性であるＭｏ／Ｓｉ多層膜で被覆されている。１０〜１５ｎｍの波長を有するＥＵＶ光を用いる場合には、面１７４Ａ上の該多層膜は、該多層膜を最小の反射損失で酸化から保護するために、ルテニウム(Ｒｕ)又はロジウム（Ｒｈ）等の物質を含むことができる。ＥＵＶ光を反射する他の候補物質は、シリコン、ベリリウム（Ｂｅ）及び四ホウ化炭素（Ｂ_４Ｃ）である。

折り曲げミラー１７６は、ミラー１７４に対してある角度で配置することができ、また、図６のミラー１７４の右に示すことができる。リソグラフィで基板１８０へ転写されるパターンを画成することができる反射レチクル１７８は、折り曲げミラー１７６の「上に」位置することができる。レチクル１７８は、何らかのデブリの、レチクル１７８のパターン化された表面への堆積を避けるために下方へ向けられた反射面と水平に配置することができることに注意する。照射光学系１６８から放射されたＥＵＶ光の照射ビーム１７２は、ミラー１７４によって反射させて集束させることができ、また、折り曲げミラー１７６を介して、レチクル１７８の反射面に達することができる。

レチクル１７８は、典型的には、多層膜として構成されたＥＵＶ反射面を有する。基板１８０（又は、「ウェハ」）に転写されるパターン要素に相当するパターン要素は、該ＥＵＶ反射面の上又は中に画成される。レチクル１７８は、正確な露光のための、基板８０に対するレチクル１７８の厳密なアラインメントの要求に応じて、レチクル１７８を、少なくともＸ軸及びＹ軸方向に保持し、かつ配置するように機能するレチクルステージ１８４上のレチクルチャック１８２を介して取付けることができる。レチクルステージ１８４は、いくつかの実施形態において、要求に応じて、Ｚ軸周りにレチクル１７８を回転させるように作動することができる。レチクルステージ１８４の位置は、当分野において既知の方法で、干渉計測的に検知される。そのため、折り曲げミラー１７６により反射された照射ビーム１７２は、レチクル１７８の反射面上の所望の位置に入射する。

投影光学系１８６及び基板１８０は、レチクル１７８の下流に配置されている。投影光学系１８６は、いくつかのＥＵＶ反射ミラー、ブラインド及びアパーチャを含むことができる。レチクル１７８の照射された部分の空間像を伴う、レチクル１７８からのパターン化されたビーム１８８は、投影光学系１８６により、所望倍（例えば四分の一）、「低減」（縮小）することができ、基板１８０の表面に集束され、それにより、基板１８０上のパターンの照射部分の潜像を形成する。パターン化されたビーム１８８が伴う該イメージを形成するために、基板１８０の上流への対向面を適当なレジストで被覆することができる。

基板１８０は、基板「チャック」（図示しないが、当分野において知られている）を介して、静電力又は他の適切な搭載力により、基板ステージ１９０に搭載することができる。基板ステージ１９０は、全ての目的のためにその全体が参照として本明細書に組み入れられる米国特許仮出願第６０／６２５，４２０号明細書に記載され、かつクレームされているｚアクチュエータに関して説明されているような３つの垂直方向の自由度に加えて、投影光学系１８６に対して（付着した基板を伴う）該基板チャックをＸ方向、Ｙ方向及びθＺ（Ｚ軸周りの回転）に移動させるように構成することができる。好ましくは、基板ステージ１９０は、振動減衰装置の上に載置され、又は、該振動減衰装置によって支持され得る。基板ステージ１９０の位置は、当分野において既知の方法で、干渉計測的に検知することができる。

事前排気チャンバ１９２（ロードロックチャンバ）は、ゲートバルブ１９４により、露光チャンバ１６７に接続されている。真空ポンプ１９６は、事前排気チャンバ１９２に接続されており、事前排気チャンバ１９２の内部に真空環境を生成するように機能する。

図１０に示すシステムを用いて実行するリソグラフィ露光中に、ＥＵＶ光１７２は、照射光学系１６８により、レチクル１７８の反射面の選択された領域へ向けられる。露光が進む際に、レチクル１７８と基板１８０は、（それぞれのステージ１８４、１９０により）投影光学系１８６の縮小倍率によって決まる特定の速度比で、投影光学系１８６に対して、同期して走査される。通常、レチクル１７８によって画成された全てのパターンを１「ショット」で転写することはできないため、レチクル１７８上に画成された該パターンの連続する部分は、ステップアンドスキャン方式で、基板１８０上の対応するショットフィールドに転写される。例証として、２５ｍｍ×３３ｍｍの矩形を、基板１８０上のレジストに、０．０７μｍの線幅を有するＩＣパターンを用いて、基板１８０上に露光することができる。

システム１５０の座標及び制御動作は、当分野において周知のように、照射光学系１６８、レチクルステージ１８４、投影光学系１８６及び基板ステージ１９０等の、システム１５０の様々な構成要素に結合されたコントローラ（図示せず）を用いて実現される。例えば、該コントローラは、様々なセンサ及び検出器（図示せず）を含む、該コントローラが接続されている該様々な構成要素で生成されて該コントローラへ送られた制御データに基づいて、基板１８０に対する照射線量を最適化するように作動する。

上記構成要素の多く及びそれらのこのシステムにおける相互関係は、当分野において周知であるため、本明細書においては詳細に説明しない。

上述したように、上述した実施形態によるフォトリソグラフィシステムは、所定の機械的精度、電気的精度及び光学的精度が維持されるような方法で、添付クレームにリストされた各要素を含む様々なサブシステムを作ることによって構築することができる。様々な精度を維持するために、組立ての前後に、全ての光学系が、その光学的精度を実現するように調整される。同様に、全てのメカニズムシステム及び全ての電気的システムは、それらそれぞれの機械的精度及び電気的精度を実現するように調整される。各サブシステムをフォトリソグラフィシステムに組み上げるプロセスは、機械的インタフェース、電気回路配線接続部及び各サブシステム間の空気圧測定接続部を含む。当然、各サブシステムが、様々なサブシステムからフォトリソグラフィシステムを組み上げる前に組立てられるプロセスもある。該様々なサブシステムを用いて、フォトリソグラフィシステムが一旦、組立てられると、完成したフォトリソグラフィシステムにおいて、全ての精度が維持されることを確実にするために、全体的な調整が実行される。加えて、温度及び湿度が制御されるクリーンルーム内で、露光システムを製造することが好ましい。

さらに、半導体デバイスを、図１１に概して示すプロセス１０００により、上述したシステムを用いて製造することができる。ステップ１００１において、該デバイスの機能及びパフォーマンス特性がデザインされる。次に、ステップ１００２において、パターンを有するマスク（レチクル）が、それまでのデザインステップに従ってデザインされる。ステップ１００２でデザインされたマスクパターンは、本発明の原理による、本明細書で上述したフォトリソグラフィシステムにより、ステップ１００３からステップ１００４で、上記ウェハに焼き付けられる。ステップ１００５において、該半導体デバイスが組立てられ（ダイシングプロセス、ボンディングプロセス及びパッケージングプロセスを含む）、最後に、該デバイスは、ステップ１００６において、検査される。

図１２は、半導体デバイスを製造する場合の、上述したステップ１００４の詳細なフローチャートの例を示す。ステップ１０１１（酸化工程）において、上記ウェハの表面が酸化される。ステップ１０１２（ＣＶＤ工程）において、絶縁膜が該ウェハ表面に形成される。ステップ１０１３（電極形成工程）において、電極が、気相堆積によって形成される。ステップ１０１４（イオン注入工程）において、イオンが、該ウェハに注入される。上述したステップ１０１１〜１０１４は、ウェハ処理中のウェハのための前処理工程を構成し、各ステップにおいて、処理要件に従って、選択が実行される。

ウェハ処理の各段階において、上述した前処理工程が完了している場合には、以下の後処理工程が実施される。後処理中、まず、ステップ１０１５（フォトレジスト形成工程）において、フォトレジストがウェハに施される。次に、ステップ１０１６（露光工程）において、上述した露光装置が、マスク（レチクル）の回路パターンをウェハに転写するのに用いられる。そして、ステップ１０１７（現像工程）において、露光されたウェハが現像され、ステップ１０１８（エッチング工程）において、残留フォトレジスト以外の部分（露光された材料面）がエッチングによって除去される。ステップ１０１９（フォトレジスト除去工程）において、エッチング後に残る不必要なフォトレジストが除去される。

多数の回路パターンが、これらの前処理工程及び後処理工程の繰り返しによって形成される。

本発明のいくつかの実施形態と一致する他の実施形態は、当業者には、本明細書に開示した本発明の仕様及び実施の考慮によって明確に理解できるであろう。仕様及び実施例は、次のクレームによって表される本発明の真の範囲及び趣旨と伴う単に例示的なものであると見なすことが意図されている。

対象物の上の所望の平面内にアパーチャが位置する、本発明のいくつかの実施形態によるアパーチャポジショナの側面図を示している。 図１に示すアパーチャポジショナであるが、放射ビーム路に対して異なる方向に向けられているアパーチャポジショナの平面図を示している。 アパーチャが、対象物に入射する放射ビームに干渉しない位置にある、図１及び図２に示すアパーチャポジショナの別の側面図を示している。 放射ビームの入射及び反射を伴う、本発明のいくつかの実施形態によるアパーチャチェンジャの平面図を示している。 ２つのアパーチャが、対象物上の所望の平面内に位置している、線５−５に沿った、図４に示すアパーチャ交換装置の側断面図を示している。 ５つのアパーチャ部材が、放射ビームに干渉しない位置にある、本発明のいくつかの実施形態による別のアパーチャ交換装置の正面図を示している。 線７−７に沿った、図７に示す５つのアパーチャ部材の部分側断面図を示している。 本発明のいくつかの実施形態による別のアパーチャチェンジャの斜視図を示している。 対象物３０と共に、ＸＹスライドに取付けた際の本発明のいくつかの実施形態による２つのアパーチャチェンジャのアセンブリを示している。 本発明のいくつかの実施形態によるリソグラフィシステムの図を示している。 半導体デバイスを製造するプロセスのブロック図である。 図１１に示すプロセスのステップ１００４の詳細なフローチャートである。

符号の説明

２０…アパーチャポジショナ、２２…アパーチャプレート、２２−１…スルーホール、２２−２…固定径のアパーチャ、２４…所望の平面、２６…移動装置、２７…回転軸、２８…ブラケット、３０…対象物、３４…入射放射ビーム、３６…反射放射ビーム。

Claims (37)

1. 放射ビーム路を有する光学系で使用するためのアパーチャポジショナであって、
   所望の平面内で使用するための固定寸法のアパーチャを有する部材と、
   前記所望の平面内ではない第１の位置から、実質的に前記所望の平面内の第２の位置へ前記アパーチャを回転させるために前記部材に結合された１つ以上の移動装置と、
   を備え、
   前記第１の位置において、前記部材が前記光学系の前記放射ビーム路と干渉しない、アパーチャポジショナ。
2. 前記アパーチャの回転軸が前記所望の平面に平行である、請求項１に記載のアパーチャポジショナ。
3. 前記第１の位置が前記所望の平面と直角である、請求項１に記載のアパーチャポジショナ。
4. 前記アパーチャの回転軸が入射放射ビームを含む平面に平行である、請求項１に記載のアパーチャポジショナ。
5. 前記１つ以上の移動装置のうちの少なくとも１つがステッピングモータである、請求項１に記載のアパーチャポジショナ。
6. ２つのステッピングモータが前記部材に結合されている、請求項５に記載のアパーチャポジショナ。
7. 前記部材が少なくとも２つのダイポールアパーチャを含むダイポールプレートである、請求項１に記載のアパーチャポジショナ。
8. 放射ビーム路を有する光学系で使用するためのアパーチャポジショナであって、
   所望の平面内で使用するための固定寸法のアパーチャを有する部材と、
   前記所望の平面内ではない第１の位置から、実質的に前記所望の平面内の第２の位置へ前記アパーチャを回転させる手段であって、前記部材に結合されている前記回転させる手段と、
   を備え、
   前記第１の位置において、前記部材が前記光学系の前記放射ビーム路と干渉しない、アパーチャポジショナ。
9. 前記第１の位置が、前記第２の位置から９０度にある、請求項８に記載のアパーチャポジショナ。
10. 前記アパーチャの回転軸が入射放射ビームを含む平面に平行である、請求項８に記載のアパーチャポジショナ。
11. 前記回転させる手段がステッピングモータを備える、請求項８に記載のアパーチャポジショナ。
12. 前記回転させる手段が２つのステッピングモータを備える、請求項１１に記載のアパーチャポジショナ。
13. 前記部材が、少なくとも２つのダイポールアパーチャを含むダイポールプレートである、請求項８に記載のアパーチャポジショナ。
14. 放射ビーム路を有する光学系で使用するためのアパーチャチェンジャであって、
    所望の平面内で使用するための、固定寸法ｄ_１のアパーチャを有する第１の部材と、
    前記所望の平面内ではない第１の位置から、実質的に前記所望の平面内の第２の位置へ前記固定寸法ｄ_１のアパーチャを回転させるために前記第１の部材に結合された１つ以上の第１の移動装置と、
    前記所望の平面内で使用するための、ｄ_２＜ｄ_１である固定寸法ｄ_２のアパーチャを有する第２の部材と、
    前記所望の平面内ではない第３の位置から、実質的に前記所望の平面内の第４の位置へ前記固定寸法ｄ_２のアパーチャを回転させるために前記第２の部材に結合された１つ以上の第２の移動装置と、
    を備え、
    前記第１の位置及び前記第３の位置において、それぞれ、前記第１及び第２の部材が前記光学系の前記放射ビーム路と干渉しない、アパーチャチェンジャ。
15. 前記第１の部材の回転軸が、前記第２の部材の回転軸と平行である、請求項１４に記載のアパーチャチェンジャ。
16. 前記第１の位置から前記第２の位置への回転の方向が、前記第３の位置から前記第４の位置への回転の方向と反対である、請求項１４に記載のアパーチャチェンジャ。
17. 前記第１の部材の回転軸が、前記第２の部材の回転軸と同じである、請求項１４に記載のアパーチャチェンジャ。
18. 前記第２の部材が前記第３の位置から前記第４の位置へ回転されるために、前記第１の部材が前記第２の位置から回転される必要がない、請求項１４に記載のアパーチャチェンジャ。
19. 前記第２の部材が、固定径ｄ_２のアパーチャを画成する円錐形の管状突出部を備える、請求項１８に記載のアパーチャチェンジャ。
20. 前記第１及び第２の部材のうちの少なくとも一方と同じ回転軸を有し、第２の所望の平面内に回転されたときに、前記光学系の前記放射ビーム路と干渉するように配置された、１つ以上の第３の移動装置に結合された少なくとも１つのブラインドをさらに備える、請求項１４に記載のアパーチャチェンジャ。
21. 前記第１の位置にある前記第１の部材が、前記第３の位置にある前記第２の部材に隣接している、請求項８に記載のアパーチャチェンジャ。
22. 前記第２の位置にある前記第１の部材が、前記第４の位置にある前記第２の部材に隣接している、請求項８に記載のアパーチャチェンジャ。
23. 放射ビーム路を有する光学系にアパーチャを位置決めする方法であって、
    所望の平面内で使用される固定寸法のアパーチャを有する部材を、前記所望の平面内ではない第１の位置から、実質的に前記所望の平面内の第２の位置へ回転させる部材回転ステップを備え、
    前記第１の位置において、前記部材が、前記光学系の前記放射ビーム路と干渉しない、方法。
24. 配置すべき前記部材を１つ以上の移動装置に結合するステップをさらに備え、
    前記部材回転ステップが、前記１つ以上の移動装置の一部を、前記結合された部材の第１の位置に対応する第３の位置から、前記結合された部材の第２の位置に対応する第４の位置へ回転させるステップを含む、請求項２３に記載の方法。
25. 前記部材が、前記所望の平面と平行な線の周りに回転される、請求項２３に記載の方法。
26. 前記部材が、前記光学系の入射ビーム路を含む平面と平行な線の周りに回転される、請求項２３に記載の方法。
27. それまでに使用したアパーチャを取り除くことなく、一連の固定寸法のアパーチャを用いる方法であって、
    固定寸法ｄ_１のアパーチャを有する第１の部材を、所望の平面内ではない第１の位置から、前記固定寸法ｄ_１のアパーチャが前記所望の平面内にある第２の位置へ回転させるステップと、
    ｄ_２＜ｄ_１である、固定寸法ｄ_２のアパーチャを画成する管状突出部を有する第２の部材を、前記所望の平面内ではない第３の位置から、前記固定寸法ｄ_２のアパーチャが前記所望の平面内にある第４の位置へ回転させるステップと、
    を備え、
    前記固定寸法ｄ_２のアパーチャが、前記固定寸法ｄ_１のアパーチャ内にある、方法。
28. 予め決められた平面内にある放射ビーム路内でアパーチャを位置決めするアパーチャポジショナであって、
    前記アパーチャを持つ部材と、
    前記アパーチャを持つ部材に係合し第１の位置と第２の位置に前記アパーチャを位置決めする移動装置と、
    を備え、
    前記第１の位置は前記予め決めた平面とは異なる面にあり、前記第２の位置は前記予め決められた平面内にあることを特徴とするアパーチャポジショナ。
29. 前記第１の位置での前記アパーチャは放射ビーム路から外れていることを特徴とする請求項２８に記載のアパーチャポジショナ。
30. アパーチャを放射ビーム路中の予め決められた平面上に位置決めするアパーチャポジショナであって、
    前記アパーチャを持つ部材と、
    前記予め決められた平面とは異なる平面内にある第１の位置と前記予め決められた平面内にある第２の位置との間で前記部材を動かす部材に係合した移動装置と、
    を備えることを特徴とするアパーチャポジショナ。
31. 前記第１の位置に置かれた前記部材は前記放射ビーム路から外れていることを特徴とする請求項３０に記載のアパーチャポジショナ。
32. 前記第２の位置に置かれた前記部材は前記放射ビーム路内にあることを特徴とする請求項３０に記載のアパーチャポジショナ。
33. 放射ビーム路に置かれたアパーチャを交換するアパーチャチェンジャであって、
    第１のアパーチャを持つ第１の部材と、
    第２のアパーチャを持つ第２の部材と、
    前記放射ビーム路から外れた第１位置と前記放射ビーム路内にある第２位置の間で前記第１部材を移動させる第１移動装置と、
    前記第２の位置で前記第１部の材上に前記第２の部材を置き、前記第１の部材から前記第２の部材を離す、前記第２の部材に係合した第２の移動装置と、
    を備えたことを特徴とするアパーチャチェンジャ。
34. 第１の移動装置は前記第１の部材を回転軸回りに回転させ、
    第２の移動装置は、前記第２の部材を前記第１の移動装置の回転軸と同じ軸回りに前記第２の部材を回転させる、ことを特徴とする請求項３３に記載のアパーチャチェンジャ。
35. アパーチャチェンジャであって、
    第３のアパーチャを持つ第３の部材と、
    前記第３の部材を前記第１と第２の移動装置の回転軸と平行な回転軸の回りに回転させる前記第３の部材に係合している第３の移動装置と、
    を備えたことを特徴とする請求項３４に記載のアパーチャチェンジャ。
36. 前記第１のアパーチャの端部と前記第２のアパーチャの端部は前記第２の位置と実質的に同じ平面に位置決めされていることを特徴とする請求項３３に記載のアパーチャチェンジャ。
37. 放射ビーム路中にアパーチャを位置決めする方法であって、
    前記放射ビーム光路内に第１のアパーチャを位置決めし、
    前記第１のアパーチャを覆う前記放射ビーム路中に第２のアパーチャを位置決めする、ことを特徴とする位置決めする方法。

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