KR100274605B1

KR100274605B1 - 웨이퍼 노광설비의 칩 레벨링 장치

Info

Publication number: KR100274605B1
Application number: KR1019970066286A
Authority: KR
Inventors: 박순종
Original assignee: 윤종용; 삼성전자주식회사
Priority date: 1997-12-05
Filing date: 1997-12-05
Publication date: 2000-12-15
Also published as: TW442846B; KR19990047769A; JPH11176747A; US6043892A

Abstract

웨이퍼를 칩 단위로 노광하기 전 레벨링하기 위하여 웨이퍼로 조사되는 광의 직경을 칩 크기에 따라서 가변 적용함으로써 정확한 레벨링이 이루어지도록 개선시킨 웨이퍼 노광설비의 칩 레벨링 장치에 관한 것으로서, 웨이퍼의 노광 필드에 특정 광을 경사지게 조사하여 상기 노광 필드에서 반사되는 광을 위치검출기로 검출하고 그 결과로써 웨이퍼를 축소투영렌즈의 축에 대하여 정렬하는 칩 레벨링 장치에서 광의 웨이퍼 도달전 경로 중에 조리개를 설치하여 웨이퍼의 필드에 도달되는 빔의 직경을 조절함으로써 이 직경이 조절된 광의 반사광을 이용하여 정확한 칩 레벨링을 수행하도록 구성되어 있다.

Description

웨이퍼 노광설비의 칩 레벨링 장치

본 발명은 웨이퍼 노광설비의 칩 레벨링(Chip Leveling) 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼를 칩 단위로 노광하기 전 레벨링하기 위하여 웨이퍼로 조사되는 광의 직경을 칩 크기에 따라서 가변 적용함으로써 정확한 레벨링이 이루어지도록 개선시킨 웨이퍼 노광설비의 칩 레벨링 장치에 관한 것이다.

통상, 웨이퍼는 스테퍼(Stepper)에서 노광된다. 스테퍼에는 축소투영렌즈가 노광을 수행하기 위한 기본 요소로 설치되어 있으며, 축소투영렌즈는 레티클의 소정 패턴을 노광할 웨이퍼로 광학적으로 축소하여 전달시키는 역할을 한다.

레티클의 패턴이 노광에 의하여 이상적으로 웨이퍼 상에 형성되기 위해서는, 전술한 축소투영렌즈의 광축에 대하여 웨이퍼 면이 수직 상태로 세팅되어야 한다. 그러나, 실제 공정을 진행하는 과정 또는 설비의 점검 또는 보수 등의 과정에서 축소투영렌즈의 광축의 방향이 미소하게 변경되는 경우가 발생된다. 또는 웨이퍼의 평면 조건이 표면 위치별로 달라서 웨이퍼 표면이 부분적으로 광축에 대하여 편차가 발생한다. 전술한 이유로 웨이퍼 면이 축소투영렌즈의 광축에 대하여 수직 조건을 만족시키지 못하는 문제점이 있었다.

그러므로, 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위하여 종래의 스테퍼에는 칩 레벨링 장치가 구성되며, 칩 레벨링은 노광전에 칩 단위로 이루어진다. 여기에서 웨이퍼의 칩 레벨링이란 각 노광이 이루어질 웨이퍼의 칩마다 표면의 경사 면이 축소투영렌즈의 광축과 직각이 되도록 조정하는 동작이다.

전술한 종래의 칩 레벨링 장치는 도1과 같이 레벨링 센서 어셈블리와 웨이퍼 레벨링 스테이지를 포함하여 구성되어 있고, 레벨링 센서 어셈블리는 웨이퍼 노광 필드 표면의 평균적인 경사를 광학적으로 측정한다.

발광다이오드(10)로부터 발생한 광은 콜리메이터 렌즈(Collimator Lens)(12)를 통과하여 평행광으로 되어서 웨이퍼(14) 상에 조사된다. 빔의 중심은 노광 필드의 중심과 일치되며, 웨이퍼(14) 표면에서 반사되는 빔은 집속 렌즈(16)를 통과한 후 위치검출소자(18)에서 집속된다.

위치검출소자(18)는 통상적으로 사분할 광 센서가 이용되며, 사분할 광 센서는 광을 센싱하는 원형면이 십자형 분할선에 의하여 정확히 네 영역으로 분할되어 있고, 웨이퍼 표면의 기울기는 분할된 표면에 형성되는 스포트(Spot)의 위치에 의하여 사분할 광센서에서 각 분할영역 별로 다르게 출력되는 전류의 양의 대비로써 계측된다.

전술한 방법으로 계측된 결과에 따른 웨이퍼 레벨링 스테이지(20)의 조정은 도2와 같은 시스템에 의하여 수행된다.

즉, 노광할 광을 축소 및 포커싱하는 축소투영렌즈(도시되지 않음)에 대하여 'Z' 축 방향으로 웨이퍼 레벨링 스테이지(20)가 설치되며, 웨이퍼 레벨링 스테이지(20)에는 하나의 고정점(22)과 두 개의 이동점(24, 26)이 형성되어 있다.

고정점(22)은 지지축(28)에 의하여 지지되어 있고, 이동점(24, 26)의 하부의 지지축(30)은 스텝 모터(32)의 구동축에 결합되어 직선운동을 하는 콘(Cone)형 캠(34)에 지지되어 있다.

전술한 바와 같이 구성됨으로써 사분할 광센서, 즉 위치검출소자(18)에 형성되는 스포트에 대한 전기적인 신호가 포커스부(36)로 입력되고, 포커스부(36)는 입력되는 전기적 신호를 변환하여 웨이퍼의 노광필드의 경사를 판별하기 위한 신호로 변환하여 출력하며, 그 신호가 스테이지 제어부(38)로 입력되어 스텝 모터(32)를 구동하기 위한 신호로 변환되고, 스텝 모터(32)를 구동하기 위한 신호가 스테이지 제어부(38)로부터 증폭부(40)를 통하여 스텝 모터(32)로 인가되며, 그에 따라서 스텝 모터(32)가 구동된다.

스텝 모터(32)가 구동되면, 축의 회전방향에 따라서 콘형 캠(34)이 직선 양 방향 중 어느 일방향으로 이동되고, 그러면 지지축(30)에 연결된 이동점(24)은 상하로 선택적으로 이동된다.

웨이퍼 레벨링 스테이지(20)는 전술한 바와 같이 이동점(24, 26)의 위치가 조절됨에 따라서 그 경사가 가변된다. 웨이퍼 레벨링 스테이지(20)의 경사 조절로 웨이퍼(14)의 노광할 필드의 경사가 조절되어서 축소투영렌즈의 광축에 대하여 웨이퍼의 노광 필드가 'Z'축으로 수직이 된다.

전술한 웨이퍼 칩 레벨링 동작에 있어서 위치 검출 소자인 사분할 광센서의 정확한 스포트의 검출은 상당히 중요하다.

칩 레벨링이 완료되면 도3a와 같이 웨이퍼(14)로부터 반사된 광의 빔이 집속되어 사분할 광센서의 중앙에 스포트가 위치된다. 이는 도3b와 같이 사분할 광센서의 어느 특정 분할 영역에 위치한 것을 레벨링 동작으로써 조정한 것이다.

사분할 광센서 즉 위치 검출 소자(18)로부터 출력되는 신호를 이용하여 각 이동점(24, 26)의 스텝 모터(32)가 구동되어 웨이퍼 레벨링 스테이지(20)의 경사를 조절하고, 그에 따라서 위치 검출 소자(18)인 사분할 광센서에 형성되는 스포트의 위치는 사분할 광센서의 사분할 면 중앙에 위치된다.

전술한 종래의 웨이퍼 칩 레벨링 장치는 빔의 직경이 일정 크기로 고정되어 있었다. 그러므로, 일정한 빔의 직경을 이용하여 다양한 구경의 웨이퍼와 그에 형성되는 다양한 사이즈의 칩에 대한 노광전 레벨링이 이루어지고 있다. 그러나, 이는 칩 사이즈별로 정확한 레벨링에 한계점을 갖는 문제점이 발생되고 있었다.

구체적으로, 도3c와 같이 레벨링을 위한 필드의 영역이 빔 폭보다 훨씬 적은 경우 빔이 특정 필드를 포함한 넓은 영역에 대한 조사 및 반사가 이루어지므로, 실제 노광할 영역에 국한한 정확한 웨이퍼 칩 레벨링이 이루어지기 어려웠다.

한편, 도3d를 참조하면, 웨이퍼 변부에 형성되는 칩을 노광하기 전 칩 레벨링에 있어서, 웨이퍼 변부에 형성되는 칩 필드는 웨이퍼 내부에 형성되는 칩 필드와 같이 완전한 영역을 확보하지 못하고 불완전한 필드를 가지고 있기 때문에, 반사되는 빔은 조사되는 빔 중 일부에 해당되고, 이러한 불완전한 반사 빔을 이용해서는 사분할 광센서, 즉 위치검출소자의 센싱 오류가 유발되고, 오동작이 발생되는 문제점이 있었다.

전술한 바와 같이 종래의 웨이퍼 칩 레벨링 장치는 고정된 직경의 빔으로써 칩 레벨링 동작이 이루어졌기 때문에 다양한 구경의 웨이퍼 및 다양한 칩 사이즈에 능동적으로 대응하지 못하는 한계점을 갖는 문제점이 있었다.

본 발명의 목적은, 웨이퍼에 노광할 필드의 크기에 따라서 레벨링을 위하여 주사되는 광의 빔 폭을 선택적으로 조절할 수 있는 웨이퍼 노광설비의 칩 레벨링 장치를 제공하는 데 있다.

도1은 종래의 웨이퍼 노광설비의 칩 레벨링 장치를 나타내는 개략적 사시도이다.

도2는 종래의 웨이퍼 노광설비의 칩 레벨링 장치 구동을 위한 블록도이다.

도3a는 정상적 레벨링 상태를 나타내는 도면이고, 도3b는 레벨링 전 반사된 빔이 포커스되는 상태를 나타내는 도면이며, 도3c는 직경이 큰 빔에 의한 웨이퍼 변부 레벨링 상태를 나타내는 도면이고, 도3d는 칩 사이즈보다 직경이 큰 빔에 의한 레벨링 상태를 나타내는 도면이다.

도4는 본 발명에 따른 웨이퍼 노광설비의 칩 레벨링 장치의 바람직한 제 1 실시예를 나타내는 도면이다.

도5는 도4의 스위칭회로와 에러판별부의 상세 회로도이다.

도6은 본 발명에 따른 웨이퍼 노광설비의 칩 레벨링 장치의 제 2 실시예를 나타내는 도면이다.

도7은 도6의 조리개의 확대 사시도이다.

※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

10, 50 : 발광다이오드 12, 52 : 콜리메이터 렌즈

14, 60 : 웨이퍼 16, 54 : 집속렌즈

18, 56 : 위치검출소자 20, 58 : 웨이퍼 레벨링 스테이지

22 : 고정점 24, 26 : 이동점

28, 30 : 지지축 32 : 스텝모터

34 : 콘형 캠 36 : 포커스부

38 : 스테이지 제어부 40 : 증폭부

62, 90 : 조리개 64 : 에어실린더

66 : 로드 68 : 고정체

70 : 스위칭 구동회로 72, 74 : 에어밸브

76 : 배관 78 : 센서어셈블리

80 : 에러판별부 82 : 경보부

84 : 배타적논리합 게이트 92 : 고정부

94 : 회전부 96 : 조리개막

97 : 기준마크 98 : 치수마크

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼 노광설비의 칩 레벨링 장치는, 웨이퍼의 노광 필드에 특정 광을 경사지게 조사하여 상기 노광 필드에서 반사되는 광을 위치검출기로 검출하고 그 결과로써 칩 레벨링을 수행하는 웨이퍼 노광설비의 칩 레벨링 장치에 있어서, 상기 조사 광의 직경보다 작은 직경의 창이 중심에 형성된 조리개 및 상기 조리개를 지지하면서 다른 위치로부터 상기 광의 조사 경로 중에 상기 조리개를 배치시키는 이송수단을 구비함을 특징으로 한다.

여기에서, 상기 조리개는 투명 재질 판을 구비하고, 상기 유리의 중심부에 소정 직경으로 광을 통과시키는 창이 상기 판 상에 차광물의 코팅으로 형성됨이 바람직하고, 상기 차광물은 상기 판의 양면 또는 일면에 코팅될 수 있으며, 상기 판은 유리판을 이용하고 상기 차광물은 크롬을 이용함이 바람직하다.

그리고, 상기 조리개는 원형의 투명 재질 판이 창을 형성하고, 그 변부에 차광판이 결합되어 구성될 수 있다.

그리고, 상기 이송수단은, 스테핑 동작 전 조리개의 배치를 위한 제어신호를 출력하는 구동 제어 수단, 로드의 단부에 상기 조리개를 지지하는 고정체가 형성되어 있고, 로드를 인장 및 수축시키는 에어실린더 및 상기 제어신호에 의하여 상기 에어실린더의 구동을 위한 에어의 공급 및 배출을 조절하는 에어 공급 수단을 구비함이 바람직하다.

그리고, 상기 에어실린더의 고정체는 요(凹)형 홈이 형성되고, 상기 요형 홈이 상부 개방되어서 상기 조리개를 상부로 장착시키도록 구성될 수 있다.

그리고, 상기 조리개의 상기 광 조사 경로 상 배치를 센싱하는 센싱수단, 상기 센싱수단의 센싱신호와 상기 이송수단의 이송상태를 비교하여 에러상태를 판단하는 에러 판별 수단 및 상기 에러 판별 수단에서 에러로 판별함에 따른 신호가 인가되면 경보동작을 수행하는 경보수단을 더 구비할 수 있다.

그리고, 상기 센싱수단은 수광소자와 발광소자를 구비하여 상기 광의 조사 경로에 배치되는 상기 조리개의 단부를 광학적으로 검출하며, 상기 에러 판별 수단은 상기 이송수단의 신호와 상기 센싱신호를 비교하여 상기 조리개의 위치와 이송수단의 구동상태가 일치하지 않으면 에러신호를 출력하는 배타적 논리합 게이트를 구비할 수 있다.

한편, 본 발명은, 웨이퍼의 노광 필드에 특정 광을 경사지게 조사하여 상기 노광 필드에서 반사되는 광을 위치검출기로 검출하고 그 결과로써 웨이퍼를 축소투영렌즈의 축에 대하여 정렬하는 칩 레벨링을 수행하는 웨이퍼 노광설비의 칩 레벨링 장치에 있어서, 상기 광의 웨이퍼 도달전 경로에 조리개를 설치함으로써 상기 웨이퍼의 노광필드에 조사되는 광의 면적을 상기 조리개로 조절함을 다른 특징으로 한다.

상기 조리개는 내관(內管)을 갖는 고정부와 회전부가 회전자재하게 결합되고, 상기 고정부와 회전부의 결합된 사이에 날개의 펼쳐짐과 젖혀짐에 따른 중심 창의 크기가 가변되는 조리개막이 결합되어서, 상기 회전부의 회전 정도에 따라 창의 크기가 가변됨이 바람직하며, 상기 고정체와 회전체의 외면에 소정 인식 마크를 형성함으로써 상기 인식 마크를 이용하여 상기 창의 직경을 조절하도록 구성될 수 있다.

그리고, 상기 조리개를 장착하는 고정체가 더 구비되고, 소정 직경의 투광 창을 갖는 복수 개의 조리개를 상기 고정체에 선택적으로 고정시켜서 조사 광의 직경을 조절할 수 있다.

이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

본 발명은 웨이퍼 칩 레벨링을 위하여 콜리메이터 렌즈와 웨이퍼 사이의 광로에 조리개를 설치하는 것이며, 이로써 발광다이오드로부터 조사되어 콜리메이터 렌즈를 거쳐서 웨이퍼로 조사되는 광의 빔 직경을 노광할 필드 영역을 고려하여 선택적으로 가변시킬 수 있다.

전술한 본 발명은 다양한 방법으로 조리개의 설치가 시도될 수 있으며, 제 1 실시예로써 고정된 직경의 창을 갖는 조리개를 에어실린더의 구동을 이용하여 설치하는 것이 예시되어 있으며, 제 2 실시예로써 창의 크기를 가변할 수 있는 조리개를 고정설치하여 이용하는 것이 예시되어 있다.

먼저, 제 1 실시예를 살펴보면, 칩 레벨링을 위하여 발광다이오드(50), 콜리메이터 렌즈(52), 집속렌즈(54) 및 위치검출소자(56)가 설치되어 있으며, 그 하부의 웨이퍼 레벨링 스테이지(58)의 상면에 웨이퍼(60)가 설치되어 있다.

발광다이오드(50)와 콜리메이터 렌즈(52)는 발광된 광을 콜리메이터 렌즈(52)에서 평행광으로 변형시킨 후 웨이퍼(60)로 조사하도록 구성되어 있으며, 웨이퍼(60)의 소정 필드로 조사되어 광이 반사되는 경로에는 집속렌즈(54)와 위치 검출 소자(56)가 배치되어 있다. 그에 따라서 반사광은 집속렌즈(54)에서 집속되어 위치 검출 소자(56)에서 스포트를 형성한다.

그리고, 콜리메이터 렌즈(52)와 웨이퍼(60) 사이의 광로 소정 위치에 조리개(62)가 배치된다. 조리개(62)는 에어실린더(64)의 로드(66) 단부에 구성되는 고정체(68)에 삽입되어 이동가능하게 설치되고, 에어실린더(64)의 로드(66)는 직선왕복운동에 의하여 조리개(62)를 교체를 위한 제 1 위치와 빔 직경 변환을 위한 제 2 위치 간을 이동시킨다.

에어실린더(64)는 웨이퍼 레벨링 동작을 제어하는 제어부(68)의 빔 직경 변경을 위한 스위칭신호(SW)의 상태에 따라서 구동되며, 하이/로우 레벨의 스위칭신호(SW)가 제어부(68)에서 스위칭 구동회로(70)로 인가되면 스위칭 구동회로(70)는 에어밸브(72, 74)로 각각 하이 레벨과 로우 레벨로 서로 다른 상태의 제어신호(A, B)를 출력하여 에어실린더(64)에 공기압 또는 진공을 제공하도록 구성된 배관(76)에 설치된 에어밸브(72, 74)를 구동시킨다. 그리고, 에어밸브(72, 74)의 절환상태에 따라서 에어실린더(64)에 공기압 또는 진공이 제공됨으로써 에어실린더(64)의 로드(66)가 구동되어서 조리개(62)의 위치가 제 1 위치 또는 제 2 위치 쪽으로 이동된다.

그리고, 제 2 위치에 조리개(62)가 위치했을 때 그 변부를 센싱하기 위하여 센서어셈블리(78)가 설치되며, 센서어셈블리(78)는 에러판별부(80)로 센싱신호(D)를 인가하도록 구성되어 있다.

에러판별부(80)는 센서어셈블리(78)로부터 센싱신호(D)가 인가되고 또 제어부(68)로부터 스위칭신호(SW)가 인가되도록 구성되어 있고, 에러판별부(80)는 스위칭신호(SW) 및 에러신호(D)를 판별한 후 그에 따른 에러신호(ER)를 경보부(82)로 인가하도록 구성되어 있다.

그리고, 도5를 참조하면, 스위칭 구동회로(70)는 스위칭신호(SW)가 병렬로 연결된 저항(R1, R2)을 통하여 각각 트랜지스터(Q1, Q2)의 베이스에 인가되도록 구성되어 있고, 트랜지스터(Q1, Q2)는 PNP 형과 NPN 형의 트랜지스터이고, 각각의 콜렉터는 정전압(Vcc)이 인가되어 있고 에미터로 스위칭상태에 따른 하이/로우의 제어신호를 해당 에어밸브(72, 74)에 인가하도록 구성되어 있다.

그리고, 에러판별부(80)는 배타적논리합 게이트(84)로 구성되며, 배타적논리합 게이트(84)의 입력측에 전술한 스위칭신호(SW)와 센싱신호(D)가 인가된 후 논리조합되어 에러신호(ER)로써 경보부(82)로 인가하도록 구성되어 있다.

전술한 바와 같이 구성된 본 발명에 따른 제 1 실시예의 동작을 설명한다.

정확한 웨이퍼 칩 레벨링 동작을 위하여 웨이퍼로 조사되는 빔 직경을 가변시킬 필요성이 있는 경우 제 1 위치에서 해당하는 직경의 창을 갖는 조리개(62)를 에어실린더(64) 로드(66)의 단부 고정체(68)에 설치하고 조리개(62)를 제 2 위치인 빔 경로에 위치하도록 구동시킨다.

조리개(62)의 구동은 로우 레벨 상태로 스위칭구동회로(70) 및 에러판별부(80)로 인가되는 제어부(68)의 스위칭신호(SW)를 하이 레벨 상태로 변환시킴으로써 이루어진다. 즉, 스위칭 구동회로(70)는 하이 레벨의 스위칭신호(SW)가 인가되면, 내부 트랜지스터(Q1, Q2)의 턴온 및 턴오프상태가 변환되면서 에어밸브(72)로는 하이 레벨의 신호가 인가되고 에어밸브(74)로는 로우 레벨의 신호가 인가됨으로써, 각각의 에어밸브(72, 74)의 개폐상태가 변환된다. 그러면 에어실린더(64)에 공기가 공급되고, 그에 따라서 로드(66)가 인출되며, 로드(66) 단부에 위치한 조리개(62)는 빔 경로인 제 2 위치에 배치된다.

조리개(62)가 제 2 위치에 배치되면 콜리메이터 렌즈(52)를 통과한 평행광의 빔 폭은 조리개(62)에 형성된 창에 의하여 직경이 변환된다. 즉, 통과가 허용되는 직경의 평행광이 웨이퍼(60)로 진행되며, 그에 따라서 원래의 콜리메이터 렌즈(52)를 통과한 직경보다 적은 직경의 빔이 웨이퍼(60)로 조사되며, 그에 따라 필드 면에서 광이 반사되어 집속렌즈(54)를 통하여 위치검출소자(56)로 집속된다. 그리고 위치검출소자(50)에서 형성된 스포트의 위치에 대하여 출력되는 전기적 신호를 이용하여 정확한 칩 레벨링 동작이 이루어진다.

여기에서 조리개는, 투명 재질 판(유리판)을 구비하고, 판의 중심부에 소정 직경으로 광을 통과시키는 창이 판 상에 차광물의 코팅으로 형성되고, 차광물은 판의 양면 또는 일면에 코팅될 수 있고, 차광물은 차광성이 양호한 크롬이 이용된다.

또한, 조리개는 전술한 바와 다르게 원형의 투명 재질 판이 창을 형성하고, 그 변부에 차광판을 결합시켜서 구성할 수 있다.

한편, 조리개(62)를 교환하기 위해서는 제어부(68)의 스위칭신호(SW)를 로우상태로 변환시킨다. 그러면 에어밸브(72) 및 에어밸브(74)의 개폐상태가 변환되어서 에어실린더(64)로는 진공이 공급되고, 로드(66)가 내부로 삽입된다. 그러면 조리개(62)가 제 1 위치로 이동되므로 수작업으로 제 1 위치에서 해당 직경의 창을 갖는 조리개(62)를 고정체(68)에 고정하여서 에어실린더(64)를 재구동하여 배치한다.

전술한 바와 같이 제 1 실시예는 필요한 경우, 조리개(62)를 변경시키면서 다양한 칩 사이즈에 대응한 칩 레벨링 동작이 가능하다.

본 발명에 따른 도6의 제 2 실시예는 고정용 조리개(90)를 콜리메이터 렌즈(52)와 웨이퍼 사이의 빔 경로 상에 배치하여 프레임(도시되지 않음)에 고정시키는 것이고, 제 2 실시예로써의 조리개(90)의 확대 사시도가 도7에 나타나 있다.

제 2 실시예의 조리개(90)는 고정부(92)와 회전부(94)가 회전가능하게 결합되어 있으며, 고정부(92)와 회전부(94)의 사이에는 회전부(94)의 회전에 의하여 회전날개의 접혀짐과 펼쳐짐에 의하여 중심부에 광을 통과하는 창이 형성되는 조리개막(96)이 구성되어 있다.

그리고, 고정부(92)와 회전부(94)의 외면에는 조절하기 편리한 인식부호로써 기준마크(97)와 치수마크(98)가 형성되어 있다.

전술한 바와 같이 구성된 본 발명에 따른 제 2 실시예는 필요에 따라서 조리개(90)를 조절하여 빔이 통과되는 창의 크기를 조절함으로써 필요한 직경으로 빔이 웨이퍼(60)로 조사되는 것을 조절하고, 그에 따라서 조절된 직경의 빔이 웨이퍼(60)에 조사 및 반사된 후 칩 레벨링 동작이 수행된다.

따라서, 본 발명에 의하면 웨이퍼 상에서 구현될 수 있는 다양한 크기의 칩 즉, 다양한 크기로 노광될 필드에 대한 칩 레벨링이 정확히 이루어질 수 있다.

특히, 점차적으로 웨이퍼 상에 고집적화 반도체 제품을 생산하기 위해서는 정확하고 미세한 패턴에 대한 노광능력이 요구되고 있으며, 이에 본 발명에 따른 칩 레벨링 방법은 미세한 패턴으로 노광하기 위한 칩 영역에 다양하게 적용될 수 있어서 설비의 활용도가 극대화되는 효과가 있다.

이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims

웨이퍼의 노광 필드(Field)에 특정 광을 경사지게 조사하여 상기 노광 필드에서 반사되는 광을 위치검출기로 검출하고 그 결과로써 칩 레벨링(Chip Leveling)을 수행하는 웨이퍼 노광설비의 칩 레벨링 장치에 있어서, 차광물이 코팅되어 있는 투명 재질 판의 중심부에 상기 조사광의 직경보다 작은 직경의 창이 형성되어서 작은 직경의 창으로 조사광이 통과되어 칩 레벨링이 이루어지도록 광을 유도하는 조리개; 및 스테핑 동작 전 상기 조리개의 배치를 위한 제어신호를 출력하는 구동 제어 수단과, 로드의 단부에 상기 조리개를 지지하는 고정체가 형성되어 있고, 로드를 인장 및 수축시키는 에어실린더와, 상기 제어신호에 의하여 상기 에어실린더의 구동을 위한 에어의 공급 및 배출을 조절하는 에어 공급 수단으로 구성되어서 상기 조리개를 지지하면서 다른 위치로부터 상기 광의 조사 경로 중에 상기 조리개를 배치시키는 이송수단; 을 구비함을 특징으로 하는 웨이퍼 노광설비의 칩 레벨링 장치.
제1항에 있어서, 상기 차광물은 크롬임을 특징으로 하는 상기 웨이퍼 노광설비의 칩 레벨링 장치.
제1항에 있어서, 상기 조리개는 원형의 투명 재질 판이 창을 형성하고, 그 변부에 차광판이 결합되어 구성됨을 특징으로 하는 상기 웨이퍼 노광설비의 칩 레벨링 장치.
제1항에 있어서, 상기 에어실린더의 고정체는 요(凹)형 홈이 형성되고, 상기 요형 홈이 상부 개방되어서 상기 조리개를 상부로 장착시키도록 구성됨을 특징으로 하는 상기 웨이퍼 노광설비의 칩 레벨링 장치.
제1항에 있어서, 상기 조리개의 상기 광 조사 경로 상 배치를 센싱하는 센싱수단; 상기 센싱수단의 센싱신호와 상기 이송수단의 이송상태를 비교하여 에러상태를 판단하는 에러 판별 수단; 및 상기 에러 판별 수단에서 에러로 판별함에 따른 신호가 인가되면 경보동작을 수행하는 경보수단; 을 더 구비함을 특징으로 하는 상기 웨이퍼 노광설비의 칩 레벨링 장치.
웨이퍼의 노광 필드에 특정 광을 경사지게 조사하여 상기 노광 필드에서 반사되는 광을 위치검출기로 검출하고 그 결과로써 웨이퍼를 축소투영렌즈의 축에 대하여 정렬하는 칩 레벨링을 수행하는 웨이퍼 노광설비의 칩 레벨링 장치에 있어서, 상기 웨이퍼의 노광필드에 조사되는 광의 면적을 조절하기 위한 내관(內管)을 갖는 고정부와 회전부가 회전자재하게 결합되고, 상기 고정부와 회전부의 결합된 사이에 날개의 펼쳐짐과 젖혀짐에 따른 중심 창의 크기가 가변되는 조리개막이 결합되어서, 상기 회전부의 회전 정도에 따라 창의 크기가 가변되는 조리개가 상기 광이 웨이퍼 도달 전의 경로에 설치된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 노광설비의 칩 레벨링 장치.
제6항에 있어서, 상기 고정체와 회전체의 외면에 소정 인식 마크를 형성함으로써 상기 인식 마크를 이용하여 상기 창의 직경을 조절하도록 구성됨을 특징으로 하는 상기 웨이퍼 노광설비의 칩 레벨링 장치.
제6항에 있어서, 상기 조리개를 장착하는 고정체가 더 구비되고, 소정 직경의 투광 창을 갖는 복수 개의 조리개를 상기 고정체에 선택적으로 고정시켜서 조사 광의 직경을 조절함을 특징으로 하는 상기 웨이퍼 노광설비의 칩 레벨링 장치.