TW200809833A - An aperture changing apparatus and method - Google Patents

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200809833 23506pif.doc 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 種用於緊密地儲存且變 之一所要平面中使用之 本文所揭露之實施例是關於一 化一光學系統（諸如微影工具中） 固定尺寸孔徑的裝置及其方法。 【先前技術】 =些光學系統巾，使用固定尺寸之孔徑而非 早一可擴大或可料孔徑來限制料 =：!：以及形狀之孔徑，且需移除所使用之孔徑且 置中疋位-_的隸。當前微紅驗賤轉式交換哭 ^ary exehange〇來進行變化。旋轉歧換^通常且^ 疋位所有餘之單板。使財以及所齡之所有孔徑均位 於所要之使用平面中。然而存之孔徑位於所要 之使用平面巾，但其並非定位於―光學元件上，而是旋轉 入需要之位置中。將新的孔徑定位於—光學元件上之相同 ，轉將先前使狀孔徑自光學科上之位置移除。因此， 藉由旋轉包含孔徑之板來交換孔經。 旋轉式交換ϋ在-遠紫外微影（extreme ultra_vi〇iet hth〇gra卿）（EUVL)曝光操作期間可能干擾射束路徑， 且其可能絲縣可㈣於支撐且連接光學元件之結構部 件使用的有用空間。存在緊密地儲存且變化EUVL工具之 光學系統中所使用之固定直徑孔徑的需要。 【發明内容】 如本文所寬泛地描述，與本發明一致之實施例可包含 孔4工疋位态、一孔禮變換器（aperturechanger)、一定位 200809833 23506pif.doc 孔徑之方法以及一在不首先移除 一 下使用-系列孔㈣方法。’，H孔徑之情況 根據本發明之某些實施例 學系統中使用的孔徑定位器可包含:具 =用之岐尺寸孔㈣部件；从 =述=以_自-不位於所要平面内-位ί ㈣至-貫質上位於所要平面内的第二位置，且 一 位置部件不干擾光學系統之輻射光束路徑。

與糸發明之某些實施例之在具有_光束路徑之光 子糸統中使用的孔徑變換器可包含：H 固疋尺寸山之孔徑且在一所要平 ^ ^推進器，其雛第—部件用:二二= 自-不位㈣要平財之第―位錢轉至 ^面内的第二位置。孔徑變換器亦可包含：:第二^牛所 .:、具能定尺寸d2之倾且在所要平面巾使用（其中d2 < 山)，以及一或多個第二推進器，其耦接至所述第二部件以 =定尺寸d2之孔徑自—不位於所要平面中之第三位置 ㈣ΐ —貫質上位於所要平面_第四位置。分別在第- 以及乐二位置巾，弟-以及第二部件不干擾光料統之 射光束路徑。 在具有輻射光束路徑之光學系統中，根據與本發明— 致之某些實施例之定位孔徑之方法可包含將—制於一所 要平面中的具有S3定尺寸之孔徑的部件自—不位於所要平 面中的第-位置旋轉至-實質上位於所要平面内的第二位 200809833 23506pif.doc =在第―位置巾，所述料不干擾絲_之姉光束 路徑0 根據本發明之某些實施例之在不移除先 徑情況下使用-系列固定尺寸孔徑的方法可包含 = 二孔徑之第一部件自不位於所要平面中 之弟-位置㈣人位置’其中固定尺寸d 所要平面中；以及2)將—具有界定岐尺寸d2(並中“ =之孔狀管狀突出物的第二部件自不位於所要平財 的弟二位置旋轉入第四位置，苴中 所要平面中且在岐尺寸d，之；^3;·。尺寸以孔徑位於 僅為2瞭Γ如所主張’前述大致描述以及以下詳細描述 雜的，並且對本發明無限制性。 性每二細茶考與本發明相一致之例示性實施例，例示 性貫施例在附圖中加以說 』彳」丁 用相同參考數字指代相同或_=所有圖式中將使 圖根據本發明之—些實施例之孔徑定 孔疋直徑4的孔徑22_2。在圖1中， 24可為光物件3G上方之所要平面24中。所要平面 可具有反^矣先之中間焦平面。在一些實施例中，物件30 、、面32。在一些實施例中，孔徑22-2將物件 至光於續_束34,人射輻射光束341 。卩刀破反射表面32反射以形成反射輻射光束％。 200809833 * 23506pif.doc "T私孔後22-2旋轉入所要平面24。在一些實施例中， 孔徑板22可輕接至—或多個推進器26 (在圖}中描繪為 f進馬達）用於圍繞旋轉軸27旋轉。步進馬達在此技術中 疋热知的且無需較詳細描述。足以將孔徑板中之孔徑旋轉 1所要平面中之位置之步進馬達的一實例是三相步進馬 ί — ΐ實施例中，可以此項技術中熟知之方式將一或 夕個推進裔26安裝於托架28上。 實施例中（包含圖1中所說明之實施例），旋轉 ΓΛΖΓ行於所要平面24。如圖1中所說明，入射光束 離處度的入射角。在標記為ν，之距 如圖所 若旋丰trim中’旋轉軸27可不平行於所要平面24。 束3二_ $ 所要平面24，則旋轉軸27與入射光 的距離e及7或旋雜27與反射光束36之間 操作位置成要更大以防止孔徑板22之部分（在與 = 34 轉孔押板22 m +仃碇軺軸，則可能需要進一步旋 平行㈣要平大於9〇度）以防正干擾。若旋轉軸27 所需之徑定位器2〇用以旋轉孔徑板22 圖2說明圖1中所說明之孔徑定位器2〇之俯視圖，除 8 200809833 23506pif.doc 了孔徑板22之旋轉軸27平行於入射輻射射線％之外，苴 中入射輻射射線34位於在標記為“e”之距離處包含入射 輕射射線34之平面中。若旋轉軸27科行於包含入射輕 射光束（射線）之平面或預期之入射光束路獲（若輕射不 存在），則旋轉軸27與包含入射光束34之平面之間的距離 ‘e”及/或旋轉軸27與反射光束36之間的距離“g”可能 需要更大以防止孔徑板22的部分（在與操作位置成度 的儲存位置中）干擾人射光束34或反射光束％。若選擇 非平行旋轉軸，則可能需要進—步旋轉孔#板22 (例如大 於90度）以防止干擾。純轉軸27平行於人射光束％ 二及ίΐΐ射光束34之平面，則孔徑定位器20用以旋轉 孔徑板所需之體積可被最小化。 接J H所不，在一些實施例令’兩個推進器26可•馬 ΐ 24中^一，呈22-2定位至物件30上方之所要平 輕接之推進施例中’一個與一離合器以及皮帶系統 儲存位^縣22自使祕置旋轉至—不同的 射:㈣垂直於_27，(垂未= 平圖面32 := —平行於旋轉軸27之早& +如〇 =十囟24，且位於 對於入肿射!^之千面中。在-些實施例中，物件30 34 由孔妓位f射線％。如圖3中所示，可藉 〇將孔徑板22定位於一不位於所要平面24 200809833 23506pif.ddc 中且不干擾入射輪射射線34之位置中。在一些實施例中， 此位置可與所要平面24成90度（或換言之垂直於所要平 面24)，但^孔徑板不干擾預期之光束路徑（無論為入射 的、反射的還是折射的），則可為一些其他角度。 圖4 5兒明根據本發明之一些實施例之孔徑變換器 之俯視圖。在—些實施例中，孔徑變換器4〇可包含多個孔 徑定位器。在圖4巾，孔徑變換器4〇包含孔徑定位器％ —如圖1·3中所說明）以及—第二孔徑定位器惠。孔徑 疋位器20包含輕接至孔徑板22 (未圖示）之兩個推進器 二孔？反22位於孔徑板42下方且具有固定直徑山之孔 ^ -2 (以虛線制）。在—些實施例中，孔歡位器邀 二，至孔徑板42之兩個推進器44，42 H_ ^ΐ直控屯（其中七 < 山）之孔徑42_2之通孔42-卜 t ’孔徑板42包含-界定孔徑仏2之部分 ㈣地寸二具 (孔徑—板== 此處，可見孔徑板42可藉由始、征Μ 27對準之旋轉轴46而旋轉。在—此圍繞與:轉轴 面24。圖4說明定位於物件3〇(圖中為最 ,ΐΐ ； 2 ? 24 t^Uf 22-2 反Ϊϋ 明—人射_光束34，其被物件3〇之 反射表面幻反射為反射光束36。在 10 200809833 2350^pif.doc 中所不’旋轉軸27以及46與—包含人射輕射光束 含入射光束34)之平面形成30度的角度θ。 二

^圖5說明沿線5-5之圖4中所說明之孔徑變換器4〇之 橫截面側視圖。在—些實施例中，孔徑變換器4〇包且 厚度^及通孔22-1之孔徑板22，其中通孔22-1 ^一 定位於具有反射表面32之物件3〇上方之所要平_二的 固定直徑4的孔# 22_2。在圖5卜具有厚度Μ 42-1 (其包含固定直徑力之孔徑42_2)之孔徑板42妹定 位使底面50與其下方的孔徑板22之糊相鄰且相接觸。 ，一些實施例中，孔徑板42之部分48界定通孔42_丨與孔 徑42-2’且將厚度丨延伸入包含孔徑22_2之通？丨” 孔徑板22中，所述孔徑42_2實質上定位於孔徑22q内之 所要平面24中。 圖4以及圖5說明在一些實施例中，孔徑變換器4〇 可用於在不移除先前使用之孔徑之情況下在所要平面° % 中定位一系列孔徑。 圖6說明根據本發明之一些實施例之孔徑定位器之另 一孔徑變換器4GA的正視圖。如此處所說明，孔徑二^、 42、52、54以及56經展示位於一不干擾來自物件3〇之反 射光束34或反射光束36的位置中。先前已 田述了孔魏22以及42及其_推進器。每—孔徑板可 推進f，所述推進器可將孔_斤說明 + 彳W徑可實質上位於所要 200809833 23506pif.doc 若孔徑板52之至少一個孔徑之直徑屯小於孔徑板42 的孔徑42-2的固定直徑d2，則可在不移除孔徑板22或孔 徑板42之情況下將固定直徑山（孔徑52_2)定位於物件 30上方之所要平面24中。為簡化起見，僅展示每一孔徑 板之固定直徑孔徑。圖8中說明孔徑板之延伸入下部孔徑 板（具有較大孔徑）之通孔中之突出物的相關細節。此外， 在一些實施例中，孔徑變換器4〇A可用於在不移除先前使

用之孔徑之情況下使用除了孔徑板22之孔徑之外的一系 列孔徑。 、圖7較洋細說明圖7中所示之所述系列孔徑板之部分 橫截面側視®。如此圖巾所制，具有固定卿孔徑之五 個孔么板可經疋位以使得五個孔徑中之每一者位於一所要 平面24中。在此圖中，可見孔徑板42、52、抖以及56 之錐形管狀突出物延伸人下部定狀孔徑板巾的通孔中。 如先前關於圖5所描述，孔徑板42之部分48延伸以使得 固定直徑屯之孔徑42_2位於與孔徑板22 的孔徑22-2相同的平面中。類似地，孔徑板以有一通 孔524，其包含-具有小於直徑^之固定直㈣3之孔捏 52 j ’且孔徑板52之部分％延伸以使得孔徑似位於與 孔徑22_2相同之平面中。類似地，孔徑板54具有一通孔 ^其包3具有小於直徑d3之固定直徑d4之孔徑 且心60延伸以使得孔徑54-2位於與孔徑板22之 之孔徑22_2_的平面巾。最後，孔徑板56 “通孔56·1 ’其包含—具有小於直徑d4之固定直徑 12 200809833 23506pif.doc 屯之孔徑56-2，且部分62延伸以使得孔徑56_2位於與孔 徑^目同之平面中。在_些實施例中，孔徑板在其各別 孔K立於相同平φ巾日彳將如藉由層疊孔徑板所說明而相互 接觸。 圖8說明根據本發明之一些實施例之另一孔徑變換器 40B。在此實施例中，孔徑變換器、棚&含孔徑定位器 20C、孔徑定位器2GD以及三個防護板（blind)定位器 63A、63B以及63C。特定言之，圖8說明孔徑定位器2〇c， 其包含減至孔徑板66且安裝於托架28中之兩個推進哭 64三在此實施例中，孔徑板66具有—包含固定直徑^ 孔徑66-2之通孔6W且藉由推進器64圍繞旋轉轴Q旋 ^。圖8亦說明孔徑定位器2QD，其包含亦安裝魏架μ 中且耦接至具有固定直徑之四個偶極孔徑72、74、76以及 78之偶極板70的兩個推進器砧。如圖8中可見，推進器 =8可兵推進裔64對準以使得偶極板7〇亦圍繞軸67旋轉。 〇圖圖4中所示，旋轉軸67平行於所要平面24。 圖8说明可結合偶極板70使用之三個防護板。第一 肢—或多姉進1182,且在—些實施例中， 兩個推進器可_至防護板8G。防護板8G可自— =輪射路徑之位置旋轉人-干擾用於偶極板70上之^ ΐ 了徑之人射輻射路徑的位置。在—些實施例 以心:=ΪΪ娜板7。上方且平行於所要平面 84可二覆盖偶極孔徑％以及％。第二防護板 輕接至-或多個推㈣86。在—些實施例中，兩個推 13 200809833 23506pif.doc 進可麵接至防護板料。 一 置旋轉入-干擾用於偶極板7。：:= 偶極孔徑之入咖路徑的位置。在固 ;蔓”定位娜板7。上方且平行於戶懈J = 。隻板84可覆盍偶極板孔彳。 ★ 、 ^ ^ πλ i 乐一丨万邊板88可耦接至_ 防護板些實施例$，兩個推進器可1 馬接至 =板88。防雜88可自—不干擾人射姉路徑之

St:擾用於偶極板7〇上之至少-個偶極板孔徑之 二:= 蝴立置。在一些實施例中，當防護 蓋偶極孔徑78。 丁於所要干面24日-防護板⑽可覆 其預期用述。如結合圖5以及圖7所述之孔徑板42、^、 54以及56 ’當偶極板70旋轉入孔徑板％上方之位置時， 偶極板7G可包含界定孔徑72至％之部分，所述部分突出 (延伸）入孔徑板66中之通孔糾到達所要平面％。此 外，在-些實施例中’可在不移除先前使用之孔徑板之情 況下使用-㈣孔徑。在-些實施例中，不需將孔徑板％ 自其使孔徑66-2位於偶極板7〇待旋轉之所要平面24中 位置移除至使驗置，使得孔# 72至78亦位於 24中。 圖9説明分別在圖4-7以及圖8中說明之孔徑變換器 40A以及40B之總成100，其安裝於一 χ_γ滑桿1〇2上用 於定位且變化在具有一反射表面32之物件3〇上方之一所 14 200809833 23506pif.doc 要平面中的孔徑。如此項技術中所熟知且不需在本文進一 步描述’X-Y滑桿102可包含三個藉由軸承分開之板1〇4、 106以及108以沿X軸以及γ軸提供獨立運動。 如先前所述，孔徑板66、偶極板7〇以及防護板8〇、 84以及88圍繞軸67旋轉。如先前所述，孔徑變換器4〇Α 之孔徑板（展示為22、42、52、54以及56，但未全部標 吕己出）圍繞轴27旋轉。圖9說明定位於物件3〇上方之一 所好面中之孔徑66_2。在圖9巾，如先前結合圖6以及 圖7描述之五個固定直徑孔徑板經說明為處於與孔徑 成大致90度之垂直位置巾，且經定位贿得其將不干擾物 件30上之入射輻射。 在些只施例中，第一孔徑變換器40Α可經安裝盥第 器40Β成刚度，其中第一旋轉軸27平；於 y疋由67 ’且第一以及第二旋轉軸27以及67分別平 f所要平面以及包含_輻射光束路徑之平面 ° --些 非所說明之實施例)’第-孔徑變換器40A 孔徑變換器_成度，其中旋轉軸27 ; 疋軺軸67 ’但兩個旋轉軸27與67均平行於所 平面面且僅有—個旋熟平行於包含預期輻射光束路徑之 理設備’圖丨。綱EUV (或軟X射線 150 W -破影曝光系、统150之一個實例。所描1 會之系統 5 0經組悲用以葬由步隹 行微旦彡嚴# 糟 進·田（st^-and-Scan)方式來執 #〜先。所描繪之系統15〇是投影曝光系統，其使用 200809833 23506pif.doc · 遠紫外（“軟X射線”）頻帶中之光來執行步進_掃描微 影曝光，此光通常具有λ=11_14臟（標準值為13麵）範 圍内之波長。微影曝光涉及將一 EUV照明光束引導至一 圖案界定主光罩178。當獲取主光罩178之經照明部分中 - 界定之圖案部分之一空中影像（aerial image )時，自主光 • 罩178反射照明光束。將所得之“圖案化光束，，引導至曝 光敏感基板180，曝光敏感基板18〇 一經曝光便被壓印上 ,, 圖案。 可藉由一位於所描繪之系統15〇之最上端之雷射154 所激發的雷射-電漿源152來產生EUV光束。雷射154可 產生具有可見近紅外範圍内之波長之雷射光。舉例而言， 雷射154可為YAG雷射或準分子雷射。自雷射154發射 之雷射光可由聚光光學系統156聚光且被引導至雷射_ 漿源152下游。 斤一安置於雷射-電漿光源152中之喷嘴（未圖示）可排 出氙，。由於氙氣自雷射_電漿光源152中之噴嘴排出，此 V 氣體藉由來自聚光光學系統156之高密度雷射光照射。所 得之氤氣強輻射可導致足以產生電漿之氣體熱量。心 ik後朝一低能量狀態之返回可產生SXR (EUV)輻射以具 有大致13 nm波長之良好效率發射。 /、 ^由於EUV光在錢巾具有健射率，故其傳播路徑 ^ 土地可封閉於真空腔室⑸中所產生之真空環境中 松由於在自喷嘴排出氣氣之喷嘴環境中易於產生碎片， 故/、工月工至158可能需與系統15〇之其他腔室分離。 16 200809833 • 23506pif.doc 具備（例如）表面多層Mo/Si塗層之抛物面鏡16 相對於雷射-電漿源152安置，使得其接收來自： 源152幸畐射之EUV光且反射一下游方向中之euv二 準直光束162。抛物面鏡16〇上之多層_可經組態以且 有用於;I大致等於13mn之EUV光之高反射率。匕" 準直光束162穿過位於抛物面鏡16〇下游之可見 擔濾波益164。以實例說明之’濾波器164可由鈹（ 製造，其具有約0.15 nm之厚度。對於由抛物面鏡_ 射之EUV歸162而言，僅所要之13 _波長之办 過遽波器164。濾'波器164包含於被抽空為高直空之直= 腔室166中。 ”工 曝光腔室167可位於濾過器164下游。曝光腔室167 可包3 明光㈣統168，其包含至少—聚光器類型鏡 以及-複眼麵鏡（未gj示，但在此項技術巾是熟知的）。 照^光學純I68可包含與本發明—致之至少—個孔徑定 位裔以將孔#定位於至少—個複眼麵鏡上方。照明光學 系、、充168可包合與本發明一致之至少一個孔徑變換器，以 私至>、du疋尺寸之孔彳至定位於—複眼類型鏡上且將至 J-個其他孔㈣防護板儲存於不干擾EUV光束路徑之 位置中。應瞭解微影H其他光學元件亦可使用與本 發明一致之孔徑定位器或孔徑變換器。 、、=明光學系統168亦可經組態以使£11¥光束17〇(自 濾波器164傳播）成形以具有一弧形橫剖面。成形“照明 光束172可朝圖9中之左側照射且可藉由鏡面174接收。 200809833 , 23506pif.doc % 鏡面174可具有一圓形凹面反射表面174A，且藉由固 持部件（未圖示）固持於（圖中）一垂直方位中。鏡面174 可由一由（例如）石英或諸如微晶玻璃（Sch〇tt)之低熱 膨脹材料製造之基板形成。反射表面174A以極高精度成 ‘ 形且塗有對EUV光具有高反射性之Mo/Si多層薄膜。只 - 要使用具有在10至15 nm之範圍内波長的EUV光，表面 174A上之多層薄膜便可包含諸如釕（Ru)或铑（Rh)之 材料以在最小反射率損失的情況下保護多層不發生氧化。 用以反射EUV光之其他候選材料是矽、鈹（Be)以及四 硼化碳（B4C)。 彎曲鏡176可經安置而相對於鏡面174成一角度，且 可展示為位於圖6中之鏡面174右側。反射主光罩I?%其 可界定一待被微影轉移至基板18〇之圖案）可位於彎曲鏡 176 “上方”。注意主光罩178可水平地定向，且一反射表 面方向朝下以避免任何碎片沈積於主光罩178之圖案化表 面上。自卩、?、明光學糸統168發射之EITV光之照明光束172 …可藉由鏡面174反射且聚焦，且可經由彎曲鏡176到達主 光罩178之反射表面。 主光罩178通常具有一組態為多層薄膜之EUV反射 表面。圖案元件（對應於待被轉移至基板（或“晶圓，，） 180之圖案元件）經界定於EUV反射表面上或界定於Euv 反射表，中。主光罩178可經由主光罩夾盤182安裝於主 光罩平$ 184上，主光罩平堂184可操作以將主光罩178 固持且定位於至少X軸以及γ軸方向中，如主光罩178 18 200809833. 23506pif.doc 相對於基板80的適當對準是用於精確曝光所需要。在一些 實施例中，主光罩平臺184可操作以視需要將主光罩ι78 圍繞Z軸旋轉。以此項技術中已知之方式干涉量測地偵測 主光罩平臺184之位置。因此，藉由彎曲鏡176反射之照 明光束172入射於主光罩178之反射表面上之一所要位置 投影光學系統186以及基板180安置於主光罩178下 游。投影光學系統186可包含若干EUV反射鏡、防護板 以及孔徑。來自主光罩178之圖案化光束188 (其載運主 光罩178之經照明部分之一空中影像）可藉由投影光學系 統186減小’’（縮小）一所要因數（例如1/4 )且聚焦於 基板180之表面上，因此在基板上形成圖案之經照明 部分的一潛影（latent image)。為形成由圖案化光束188 載運之影像，可用一適當抗蝕劑塗佈基板18〇之上游面向 之表面。 可經由一基板“夾盤”（未圖示但在此項技術中是熟 知的）藉由靜電力或其他適當安裝力將基板180安裝至基 板平臺190。基板平臺190可經組態以在相對於投影光學 系統186之X方向、Y方向以及ΘΖ (圍繞z軸旋轉）方 向中移動基板夾盤（具有附著基板），除了結合如在美國臨 時申請案第60/625,420號中所描述且主張之z個致動器所 述之三個垂直DOF之外，此臨時申請案全文以引用之方式 倂入本文中用於所有目的。理想地，基板平臺190可安裝 於振動衰減裝置上且藉由其支撐。可藉由此項技術中已知 19 200809833 235p6pif.doc 之方式干涉量測地彳貞測基板平臺190之位置。 預排氣腔室192 (負荷鎖定腔室）藉由閘閥194連接 至曝光腔至167。真空栗196連接至預排氣腔室I%且用 以在預排氣腔室192内部形成一真空環境。 在使用圖10中所示之系統執行微影曝光期間，藉由照 明光學系統168將EUV光172引導至主光罩178 ^反射 表面之一選定區域上。隨曝光進行，主光罩178以及基板 180以一由投影光學系統186之縮小比率判定之特定速度 比相對於技影光學糸統而得以同步掃描（藉由其各別 平臺184、190)。通常，由於並非所有由主光罩I”界定 之圖案可在一次“拍攝，，中轉移，故以步進_掃描方式將圖 案之連續部分（如主光罩178上所界定）轉移至基板18〇 上之相應拍攝區。舉例而言，25 mm X 33 mm矩形可曝光 於基板180上’其中ic圖案在基板上之抗钱劑處具有 〇·〇7 μιη之列間距。 〃 使用一耦接至系統150之各種組件（諸如照明光學系 統168、主光罩平臺184、投影光學系統186以及基板平臺 190)之控制裔（未圖示）來達成系統15〇之協調且受控的 操作。舉例而言，控制器操作以基於所產生且自控制器所 連接至之各種組件（包含各種未圖示之感應器以及偵測器） 路由至控制為之控制資料來將基板18〇上之曝光劑量最佳 化。 此系統中之許多組件及其相互關係在此項技術中是已 知的，且因此不在本文中加以詳細描述。 20 200809833 23506pif.doc 請 電性 如上文所述，可藉由組裝各種 專利範圍中列出之每一元件)以維持規定：加申 精度以及光學精度之方式來建立根據上述實獅^ 仍故。頸似地，調節每_ 制ίΓ電㈣統以達成其各職械精度以及^二 系統興為了雉持各種精度，在組裝前以及組裝後，=影 光學糸統以達成其最佳精度。類似地， 。即母 度。將每一子系統組裝入一 光微影系統之過程包含备 =Γί械介面、電路佈線連接以及氣壓管道連接。 f疑問’在崎來自各種子系敎光微 Γ;組裝每一子系統之過程。-旦使用各種子系、= 二統’便執行總調節以確保在整個光微影系統 、’、、母4度。另外，需要在控制溫度以及濕度之乾 房間中製造一曝光系統。 / 此外，可使用上述系統藉由在圖n中大體展示之過 :〇〇〇來製造半導體元件。在步驟·丨巾，料元件之功 旎以及效能特徵。接著，在步驟1〇〇2中，遮罩（主光罩） 具有一根據先前設計步驟設計之圖案。在平行步驟1〇的 中，由矽材料製造晶圓。在步驟1004中，藉由一根據本發 明之原理之上述光微影系統將在步驟 1002中設計之遮罩 ，案曝光於來自步驟1003的晶圓上。在步驟1〇〇5中，組 裝半導體元件（包含切割過程、黏結過程以及封裝過程）， 隨後最終在步驟1006中檢驗元件。 、，圖12說明製造半導體元件之情況中之上述步驟1〇〇4 的洋細流程實例。在步驟1〇n中（氧化步驟），晶圓表面 21 200809833 23506pif.doc 被氧化。在步驟1012 + (CVD步驟），晶圓表面 絕，薄膜。在步驟1()13中（電極形成步驟），藉由氣相、、尤 積在晶圓上形成電極。在步驟1G14 + (離子植人步^ 將離子植人晶圓巾。上述步驟1G11•胸形成驗晶 理期間之晶圓之預處理步驟’且根據處理 做出選擇。 母步驟 日士 ii圓處每—階段，#已完成上述預處理步驟 日守，貫施以下後處理步驟。在後處理_，最初，= 1015中（光阻形成步驟），將光阻塗覆於一晶圓。接著，，A 中（曝光步驟），使用上述曝缝置以將遮罩 i ί罩之€路_轉移至日日日圓。隨後，在步驟1017 ，(顯影步驟），將經曝光之晶圓顯影，且在步驟i⑽中 ^刻步驟），藉由钱刻來移除不為殘餘光阻之部分（即已 表面）。在步驟刪中（光阻移除步驟），將兹 刻之後剩餘之不必要光阻移除。 藉由重1鱗預處理以及後處理步驟來形成多個電路 圃茶。 及每i t j技㈣將自對本文所揭露之本發明之規範以 ^矛二的考慮而顯而易見與本發明的—些實施例相一致的 广貫，例。意欲將規範以及實_看作是辦性的，藉 指示本發明之真實範⑽精神。 明相=;:==;:分『_明了與本發 田述一起用以闡釋本發明之 22 200809833 23506pif.doc 原理。 視圖圖發明之一些實施例之孔經定位器之側 中:孔徑疋位於物件上方之所要平面中。 射光束路孔徑定位器之俯視圖，但與輻 視圖圖示圖1以及圖2中所示之孔徑定位器之另-側 束:位置$孔徑部件位於一不干擾入射於物件上之幸畐射光 面側=展^沿線5-5之圖4中所示之孔徑交換器之橫截 =显其中兩個孔較位於物件上方之所要平面中。 圖6展示根據本發明之—此 一 ;正視圖，其中五個孔徑部件:於不干擾輕:光 分橫之圖6中所示之五個孔徑部件之部 之透S展示根據本發明之—些實施例之另一孔徑變換器 =展錄據本刺之—些實_之沿物件 入γ⑺桿之兩個孔徑變換器的總成。 不 式。圖！〇展示根據本發明之1些實施例之微影系統之圖 圖11為製造半導體轉之過程之方塊圖。 23 200809833 23506pif.doc 圖12為圖11所示之過程之步驟1004之詳細流程圖。 【主要元件符號說明】 20、20A、20C、20D :孔徑定位器 22、42、52、54、56、66 :孔徑板 22-1 :通孔 22-2 :孔徑 24 :所要平面 26 :推進器 27 :旋轉軸 28 :托架 30 :物件 32 :反射表面 34 :入射輻射光束 36 :反射輻射光束 38 :輻射射線 40、40A、40B :孔徑變換器 42-1 :通孔 42-2 :孔徑 44 :推進器 46 ··旋轉軸 48 :部分 50 :底面 52-1 :通孔 52-2 :孔徑 24 200809833 23506pif.doc 54-1 :通孔 54-2 :孔徑 56-1 :通孔 56-2 :孔徑 58、60、62 :部分 63A、63B、63C :防護板定位器 64 :推進器 66-1 :通孔 66-2 :孔徑 67 :旋轉軸 68 :推進器 70 :偶極板 72、74、76、78 :偶極孔徑 80、84、88 ·防護板 82、86、90 :推進器 100 :總成 102 :滑桿 104 、 106 、 108 ·•板 150 ··微影曝光系統 152 :雷射-電漿源 154 :雷射器 156 ··聚光光學系統 158 :真空腔室 160 :抛物面鏡 25 200809833 • 23506pif.doc 162 :準直光束 164 ··濾波器 166 :真空腔室 167 :曝光腔室 ‘ 168 :照明光學系統 170 : EUV 光束 172 ··照明光束 卜174 ··鏡面 174A ··反射表面 176 :彎曲鏡 178 :主光罩 180 :曝光敏感基板 182 :主光罩夾盤 184 :主光罩平臺 186 :投影光學系統 188 ··圖案化光束 190 :基板平臺 — 192 :預排氣腔室 194 ··閘閥 196 :真空泵 26

Claims (1)

1. 200809833 , 23506pif.doc 十、申請專利範圍： 風牵^中種=定位器，其使用在具有輻射光束路徑之光 予糸、、先中，所述孔徑定位器包含： 用；2 ’其具有固定尺寸之孔徑且在所要平面中使 接至所述部件以將所述孔徑自 一位置旋轉至實質上位於所述 一或多個推進器，其耦 不位於所述所要平面中之第 所要平面内之第二位置， 所述弟—位置中，所述部件不干擾所述光學 糸、、先之所述輻射光束路徑。 2·如申請專利範圍帛i項所述之孔徑 述孔徑之旋難平行於騎所要平面。°…、中所 、+、—3·如申請專利範圍第1項所述之孔徑定位器，其中所 述弟一位置垂直於所述所要平面。 、、4:如申請專利範圍第丨項所述之孔徑定位器，其中所 述孔從之旋轉軸平行於包含入射輻射光束之平面。 …5.如申請專利範圍第丨項所述之孔徑定位器，其中所 述—或多個推進器中之至少一者是步進馬達。 6.如申請專利範圍第5項所述之孔徑定位器，其中兩 固步進馬達耦接至所述部件。 、、α 7.如申請專利範圍第1項所述之孔徑定位器，其中所 述部件是包含至少兩個偶極孔徑之偶極板。 ’、 Ά 8.一種孔徑定位器，其使用在具有輻射光束路徑之光 予糸統中，所述孔徑定位器包含： 27 200809833 23506pif.doc 部件，其具有固定尺寸之孔徑且在所要平面中使 用；以及 用於將所述孔徑自不位於所述所要平面中之第一位置 旋轉至實質上位於所述所要平面内之第二位 述用於旋轉之構件輕接至所述部件， 爾件所 ^其中，在所述第一位置中，所述部件不干擾所述光學 糸統之所述輪射光束路徑。 9·如申請專利範圍第8項所述之孔徑定位器，其中所 述第一位置與所述第二位置成九十度。 /、 10·如申請專利範圍第8項所述之孔徑定位器，其中所 述孔徑之旋轉軸平行於包含入射輻射光束之平面。 11·如申請專利範圍第8項所述之孔徑定位器，其中用 於旋轉之構件包含步進馬達。 12·如申請專纖圍第u項所述之孔徑定位器， 用於旋轉之構件包含兩個步進馬達。 ^ 13·如申明專利範圍第8項所述之孔徑定位器，其中所 述部件是包含至少兩個偶極孔徑之偶極板。 14.-種孔徑變換器，其使用在具有輕射光束路徑 學系統中，所述孔徑變換器包含： 第一部件，其具有固定尺寸山之孔徑且在所要平 中使用； 或夕個第-推進裔’其叙接至所述第—部件用 所述固疋尺^ φ之孔徑自不位於所述所要平面中之一 位置旋轉至實質上位於所述所要平面内之第二位置； 28 200809833 235,U6pii：doc 第二部件’其具有固定尺寸d2之孔徑且在所述所要 平面中使用，其中d2<dl ;以及 或多個第二推進器，其耦接至所述第二部件以將所 述固定尺寸4之孔徑自不位於所述所要平面中之第三位 置旋轉至實質上位於所述所要平面内的第四位置， 其中，分別在所述第一以及所述第三位置中，所述第 一以及所述第二部件不干擾所述光學系統之所述輻射光束 路徑。 15·如申請專利範圍第14項所述之孔徑變換器，其中 所述第一部件之旋轉軸平行於所述第二部件之旋轉軸了 16·如申請專利範圍第14項所述之孔徑變換器，其中 自所述第=位置至所述第二位置之旋轉方向與自所述第三 位置至所述第四位置之旋轉方向相反。 1J·如申請專利範圍第14項所述之孔徑變換器，其中 所述第一部件之旋轉軸與所述第二部件之旋轉軸相同了 女申明專利範圍弟14項所述之孔徑變換器，其中 所述第=件無需自所述第二位置旋轉以便將所^第4 件自所述第三位置旋轉至所述第四位置。 如申請專利範圍帛18項所述之孔徑變換器，其中 所述第二部件包含界定固定直徑4之孔徑的錐;管狀突 出物。 20=申請專利範圍第14項所述之孔徑變換器，其進 ^夕包含· ’、 至少-個防護板’其輕接至一或多個第三推進器，具 200809833 23506pif.doc 有與所述第一以及所述第二部件中之至少一者相同之旋轉 轴，且經配置以在旋轉入第二所要彳面中時干擾所述光學 系統之所述輻射光束路徑。 21·如申請專利範圍第14項所述之孔徑變換器，其中 所述第一位置中之所述第一部件與所述第三位置中之所述 第二部件相鄰。 22·如申請專利範圍第14項所述之孔徑變換器，其中

   所述弟一位置中之所述第一部件與所述第四位置中之所述 第一部件相鄰。 23·—種在具有輻射光束路徑之光學系統中定位孔徑 之方法’其包含： 將待用於所要平面中之具有固定尺寸之孔徑的部件自 不位於所述所要平面中的第_位置旋轉至實位於所述 所要平面内的第二位置， /其中’、在所述第-位置中，所述部件不干擾所述光學 糸統之所述輻射光束路徑。 24.如申請專利範圍第23項所 徑之光學纟統蚊魏彳 射先束路 將所仫之方法，其進一步包含： =返待奴位之部倾接至—❹個推進哭 一中所述部件旋轉步驟包含 部分自對應於所述、_接部 ^❹個推進器之 25·如申請專利範圍第23 至對應於所述經耦接部件之：之昂—位置的第三位置旋轉 - * I件4二位置的第四位置 徑之光學系._咖之方 200809833 23506pif.doc 於所述所要平面之線旋轉。 26. 如申請專利範圍第23項所述之在 ，光學系統中定位孔徑之方法，其中所述：= 於包峨學系統之入射光束路徑之平面的線:;和丁 27. -種在不移除先前❹之孔徑之情況下使用 列固定尺寸孔徑的方法，其包含： /、 正”定尺寸d]之孔徑之第—部件自不位於所要 、’面π之第-位置旋轉人第二位置，其中所述固定尺寸山 之孔控位於所述所要平面中；以及 將具有界定固定尺寸d2之孔徑之管狀突出物的第二 部件自不位於所述所要平面中的第三位置旋轉入第四位 =面^中d2<dl，且所述固定尺寸4之孔徑位於所述所要 之 其中所述固定尺寸d2之孔徑位於所述固定尺寸d 孔徑内。 1 31