CN109154783B - 光刻设备中的光学元件的位置测量 - Google Patents

光刻设备中的光学元件的位置测量 Download PDF

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Abstract

根据本发明的实施例，提供一种光刻设备，其包括投射系统(PS)，该投射系统(PS)包括多个光学元件(505‑535；605‑640)，该多个光学元件(505‑535；605‑640)配置为将辐射束(B，26)投射到辐射敏感基板(W)上。光刻设备还包括计量框架结构(500；600)，其包括一个或多个光学元件测量系统的部件(540‑570；660‑695)以测量光学元件(505‑535；605‑640)中的至少一个的位置和/或取向。多个光学元件(505‑535；605‑640)、图案化装置台(MT)和基板台(WT)布置使得在投射系统(PS)上的二维视图中，矩形(ORE)限定为包封多个光学元件(505‑535；605‑640)、图案化装置台(MT)和基板台(WT)。矩形(ORE)还限定为尽可能小，其中计量框架结构(500；600)定位在矩形(ORE)内。

Description

光刻设备中的光学元件的位置测量
技术领域
在文中描述涉及光刻设备和工艺，并且更特别地涉及一种光刻设备中测量光学元件的位置和/或取向的系统和方法。
背景技术
光刻设备可以例如用在集成电路(IC)或其它功能装置的制造中。在这样的情况下，图案化装置(例如掩模)可以包含或提供与装置的单独层(“设计布局”)对应的图案，并且由诸如通过图案化装置上的图案辐照目标部分的方法，可以将该图案转印到基板(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或多个裸芯)，该基板已经涂覆有辐射敏感材料(“抗蚀剂”)的层。总体上，单个基板包含由光刻设备将图案连续转印到其的多个相邻的目标部分，一次一个目标部分。在光刻设备的一种类型中，将整个图案化装置上的图案一次性转印到目标部分，这样的设备常称为晶片步进机。在常称为步进扫描设备的替代的设备中，投射束在给定参考方向(“扫描”方向)上扫描图案化装置，同时与该参考方向平行或反向平行同步地移动基板。图案化装置上的图案的不同部分被逐步地转印到一个目标部分。
在将来自图案化装置的图案转印到基板之前，基板可以经受诸如底涂、抗蚀剂涂覆和软烘烤的各种进程。在曝光后，基板可以经受其它进程，诸如后曝光烘烤(PEB)、显影、硬烘烤以及转印的图案的测量/检查。该一系列进程用作基准来制造例如IC装置的单独层。然后基板可以经受诸如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光等的各种进程，所有都旨在完成装置的单独层。如果装置中需要若干层，则对于每一层可以重复这些进程或其变型中的一些或者所有。最终，装置将出现在基板上的每一个目标部分中。如果存在多个装置，然后由诸如切割或锯割的技术将这些装置彼此分离，由此可以将单独的装置安装在载体上、连接到管脚等。
因此，制造诸如半导体装置的装置典型地涉及使用若干制造工艺处理基板(例如半导体晶片)以形成装置的各种特征和多个层。使用例如沉积、光刻、蚀刻、化学机械抛光和离子注入典型地制造并且处理这样的层和特征。可以在基板上的多个裸芯上制造多个装置并且然后将多个装置分离成单独的装置。该装置制造工艺可以被认为是图案化工艺。图案化工艺涉及图案化步骤(诸如使用光刻设备中的图案化装置的光学光刻和/或纳米压印光刻)以将图案化装置上的图案转印到基板上，并且典型地但是可选地涉及一个或多个相关的图案工艺步骤，诸如由显影设备的抗蚀剂显影、使用烘烤工具的基板的烘烤、使用蚀刻设备用图案蚀刻等。
例如，US 2004/0227915 A1总体上涉及光学系统和具有该光学系统的曝光设备。更特别地，US 2004/0227915 A1的公开对于将用在光刻工艺中的光学系统是可适用的，其中叫做极紫外(EUV)光的非常短波长的光用来将掩模母版的图案投射到晶片上，用于诸如IC的半导体装置的制造。为了生产高精度光学系统，这样的设备内的光学元件必须非常精确地被定位并且定向，这就是在操作之前或者甚至在操作期间相对于限定的参考通常测量光学元件的原因。因此，复杂的测量系统需要被集成到光刻设备中，该光刻设备典型地安装在一个或多个计量(传感器)框架结构上。已知在要测量的光学元件周围布置测量系统的部件，例如单独的传感器。然而，已知的解决方案的缺点是这样的光刻设备的相对巨大的尺寸，来源于围绕的计量框架结构。此外，已知的框架易受振动影响并且计量框架的通常使用的多个部件设计常常导致增加的测量不精确性，因为框架的若干部件的位置并且因此相对于彼此安装在框架的不同部件上的传感器可能未对准或者更倾向于组件公差。
发明内容
本申请要求在2016年5月25日提交的德国专利申请DE 10 2016 209167.0的优先权，其内容通过引用由此并入本文。
期望的是，提供具有投射系统和计量框架结构(metrology frame structure)的光刻设备，以改进投射系统的性能。
根据本发明的实施例，提供一种光刻设备，其包括投射系统，该投射系统包括多个光学元件，该多个光学元件配置为将辐射束投射到辐射敏感基板上。光刻设备还包括计量框架结构，其包括一个或多个光学元件测量系统的部件，以测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
实施例中，矩形包封计量框架结构的所有部件、光学元件的所有部件、图案化装置台和基板台，即这些元件中没有一个与矩形重叠。
在计量框架结构定位在矩形(其还可以叫做“外部矩形”)内、即靠近光刻设备的中心时，计量框架结构可以设计为相对小而可以导致光刻系统的尺寸逐渐减小。此外可以增加计量框架结构的刚度及其共振频率，这对当下对反射镜定位/测量的需求可以是重要的。最终，由于根据本发明的计量框架结构的设计和布置，甚至可以实现改进的测量精度。因此，与本领域的已知状态比较，光刻工艺可以达到改进的精度。
根据本发明的实施例，提供一种光刻设备，其包括投射系统，该投射系统包括多个光学元件，该多个光学元件配置为将辐射束投射到辐射敏感基板上。光刻设备还包括计量框架结构，其包括一个或多个光学元件测量系统的部件，以测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。多个光学元件还布置使得在投射系统上的二维视图中，内部矩形限定为包封多个光学元件。内部矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在内部矩形内。
根据本发明的实施例，提供一种光刻设备，其包括投射系统，该投射系统包括多个光学元件，该多个光学元件配置为将辐射束投射到辐射敏感基板上。光刻设备还包括计量框架结构，其包括一个或多个光学元件测量系统的部件，以测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台，其中二维视图是投射系统的视图，其中可以完整看到辐射束从图案化装置台到基板台的路径。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
根据本发明的实施例，提供一种光刻设备，其包括投射系统，该投射系统包括多个光学元件，该多个光学元件配置为将辐射束投射到辐射敏感基板上。光刻设备还包括计量框架结构，其包括一个或多个光学元件测量系统的部件，以测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台，其中二维视图是投射系统的视图，其中可以看到辐射束从图案化装置台到基板台的侧视图。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
根据本发明的实施例，提供一种光刻设备，其包括投射系统，该投射系统包括多个光学元件，该多个光学元件配置为将辐射束投射到辐射敏感基板上。光刻设备还包括计量框架结构，其包括一个或多个光学元件测量系统的部件，以测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台，其中二维视图是其中辐射束的大部分或全部从图案化装置台出发到基板台的平面上的视图。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
根据本发明的实施例，提供一种光刻设备，其包括投射系统，该投射系统包括多个光学元件，该多个光学元件配置为将辐射束投射到辐射敏感基板上。光刻设备还包括计量框架结构，其包括一个或多个光学元件测量系统的部件，以测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。多个光学元件还包括光学元件的外部组，该光学元件的外部组围绕计量框架结构定位。
可以理解的是，特征“围绕”不必意味着光学元件连续地布置(即没有间隙地)在计量框架结构周围。例如，布置在计量框架结构的不同侧的三个光学元件已经足以围绕计量框架结构。优选地光学元件在所有侧面围绕计量框架结构，即优选地四个光学元件布置为围绕计量框架结构。计量框架结构可以二维或三维地被光学元件围绕。
根据本发明的实施例，提供一种光刻设备，其包括投射系统，该投射系统包括多个光学元件，该多个光学元件配置为将辐射束投射到辐射敏感基板上。光刻设备还包括计量框架结构，其包括一个或多个光学元件测量系统的部件，以测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。多个光学元件还包括光学元件的外部组，将该光学元件的外部组定位为围绕计量框架结构，其中光学元件的外部组包含光学元件中的至少四个、至少五个、至少六个、至少七个。
根据本发明的实施例，提供一种光刻设备，其包括投射系统，该投射系统包括多个光学元件，该多个光学元件配置为将辐射束投射到辐射敏感基板上。光刻设备还包括计量框架结构，其包括一个或多个光学元件测量系统的部件，以测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。多个光学元件还包括光学元件的外部组，将该光学元件的外部组合定位为围绕计量框架结构，其中光学元件的外部组包含多数或全部多个光学元件。
优选地，计量框架结构被所有光学元件围绕或者布置在由投射系统的外部光学元件限定的内部矩形内，因为在这样的配置中，计量框架结构的尺寸可以变得甚至更小。
根据本发明的实施例，提供一种光刻设备，其包括投射系统，该投射系统包括多个光学元件，该多个光学元件配置为将辐射束投射到辐射敏感基板上。光刻设备还包括计量框架结构，其包括一个或多个光学元件测量系统的部件，以测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内，并且其中计量框架结构包括开口，该开口配置为让辐射束穿过计量框架结构。
计量框架结构中的开口可以特别有助于以紧凑的束路径来设计系统，这使得进一步减小光刻设备的尺寸是可能的。为了提供具有开口的计量框架结构，该计量框架结构可以例如基本上设计为环面(torus)或环形结构。然而，在基础设计中，束路径将——至少对于大部分部件——围绕计量框架结构。
根据本发明的实施例，提供一种光刻设备，其包括投射系统，该投射系统包括多个光学元件，该多个光学元件配置为将辐射束投射到辐射敏感基板上。光刻设备还包括计量框架结构，其包括一个或多个光学元件测量系统的部件，以测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内，并且其中计量框架结构包括开口，该开口配置为让辐射束穿过计量框架结构，其中多个光学元件包括光学元件的内部组、该光学元件的内部组至少部分地定位在计量框架结构的开口内。
尽管投射系统的结构可能稍微变得更加复杂，但是将光学元件中的至少一些(优选地少数部件)，例如一个、两个、三个、四个光学元件定位在计量框架结构内侧，可以甚至更多地降低设备的包装密度。光学元件的内部组可以包含仅一个的光学元件。光学元件的内部组可以优选地设计为掠入射反射镜。
根据本发明的实施例，提供一种光刻设备，其包括投射系统，该投射系统包括多个光学元件，该多个光学元件配置为将辐射束投射到辐射敏感基板上。光刻设备还包括计量框架结构，其包括一个或多个光学元件测量系统的部件，以测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，其中一个或多个光学元件测量系统配置为光学地测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
根据本发明的实施例，提供一种光刻设备，其包括投射系统，该投射系统包括多个光学元件，该多个光学元件配置为将辐射束投射到辐射敏感基板上。光刻设备还包括计量框架结构，其包括一个或多个光学元件测量系统的部件，以测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，其中多数或所有光学元件测量系统设计为干涉仪系统。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
具体而言，干涉仪系统也可以用于精确地测量远处光学元件的位置和/或取向。因此，通过使用干涉仪测量系统，计量框架结构的设计可以是更加灵活的，因为几乎可以任意选择这样的传感器的位置。
根据本发明的实施例，提供一种光刻设备，其包括投射系统，该投射系统包括多个光学元件，该多个光学元件配置为将辐射束投射到辐射敏感基板上。光刻设备还包括计量框架结构，其包括一个或多个光学元件测量系统的部件，以测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，其中计量框架结构包括两个不同类型的光学元件测量系统的部件。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
根据本发明的实施例，提供一种光刻设备，其包括投射系统，该投射系统包括多个光学元件，该多个光学元件配置为将辐射束投射到辐射敏感基板上。光刻设备还包括计量框架结构，其包括一个或多个光学元件测量系统的部件，以测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，其中计量框架结构包括两个不同类型的光学元件测量系统的部件，并且其中光学元件测量系统设计为一个或多个光学编码器系统并且设计为一个或多个干涉仪系统。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
尽管干涉仪的使用可以是有利的，但是光学编码器系统可以优选地应用于在将要测量的光学元件靠近传感器时。因此，同样，设备的设计可以能够具有仅仅所使用的光学编码器系统或者编码器系统与干涉仪系统的组合。事实上，还可以应用其它测量系统，特别是单独的光学测量系统或者与编码器测量系统和/或干涉仪测量系统相组合的光学测量系统。
根据本发明的实施例，提供一种光刻设备，其包括投射系统，该投射系统包括多个光学元件，该多个光学元件配置为将辐射束投射到辐射敏感基板上。光刻设备还包括计量框架结构，其包括一个或多个光学元件测量系统的部件，以测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，其中计量框架结构包括编码器测量系统的部件以测量光学元件中的至少一个的位置，并且包括干涉仪测量系统的部件以测量光学元件中的至少另一个的位置和/或取向。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
根据本发明的实施例，提供一种光刻设备，其包括投射系统，该投射系统包括多个光学元件，该多个光学元件配置为将辐射束投射到辐射敏感基板上。光刻设备还包括计量框架结构，其包括一个或多个光学元件测量系统的部件，以测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，其中多个光学元件包括至少一个、至少两个、至少三个、至少四个、至少五个、至少六个或者至少七个掠入射反射镜。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
特别地，包含掠入射(GI)反射镜的投射系统的设计可以有效地用于本发明，由于对于这样的反射镜的入射角和反射角可以是非常平坦(flat)并且然后可以围绕计量框架结构引导束路径。对于一些应用，将光学元件的外部组和/或光学元件的内部组中的所有光学元件设计为掠入射反射镜是合适的。
根据本发明的实施例，提供一种光刻设备，其包括投射系统，该投射系统包括多个光学元件，该多个光学元件配置为将辐射束投射到辐射敏感基板上。光刻设备还包括计量框架结构，其包括一个或多个光学元件测量系统的部件，以测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，其中多数或全部多个光学元件设计为掠入射反射镜。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
根据本发明的实施例，提供一种光刻设备，其包括投射系统，该投射系统包括多个光学元件，该多个光学元件配置为将辐射束投射到辐射敏感基板上。光刻设备还包括计量框架结构，其包括一个或多个光学元件测量系统的部件，以测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。多个光学元件可以由一个或多个力框架结构支撑，其中力框架结构独立于计量框架结构。
因此，计量框架结构和力框架结构可以设计为彼此独立，意味着光学元件在优选的实施例中不安装在与安装传感器相同的框架上。这样的设计可以是优选的，因为光学元件和传感器可以从例如振动的机械力和/或热显影中解耦。另外可以增加灵活性以最有效地且小尺寸地设计上述框架二者。
根据本发明的实施例，有一种光刻设备，其包括投射系统，该投射系统包括多个光学元件，该多个光学元件配置为将辐射束投射到辐射敏感基板上。光刻设备还包括计量框架结构，其中该计量框架结构是单个框架，其包括一个或多个光学元件测量系统的部件，以测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
设计计量框架结构为单个框架可以是有利的，因为这可以显著地增加其刚度。从而，因计量框架结构的部件公差引起的对振动的灵敏性和测量的不确定性可以被抑制。
根据本发明的实施例，有一种光刻设备，其包括投射系统，该投射系统包括多个光学元件，该多个光学元件配置为将辐射束投射到辐射敏感基板上。光刻设备还包括计量框架结构，其中该计量框架结构是单个框架，该单个框架是单个部件或者包括彼此牢固或刚性地连接多个部件，包括一个或多个光学元件测量系统的部件，以测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
总体上单个框架可以实现有单个部件，即单片地实现。对于由于框架所需要的复杂性或者如果单片设计是不经济而不可能的应用情况，单个框架还可以实现有多个部件，但是优选地具有尽可能少的部件(例如两个、三个、四个或五个部分)，在设备的制造或安装期间将该多个部件固定连接在一起(例如通过螺钉或类似物来固定)。因此，根据本发明，如果适当的构成和连接，那么甚至多部件的框架可以充当单个框架。
根据本发明的实施例，提供一种光刻设备，其包括投射系统，该投射系统包括多个光学元件，该多个光学元件配置为将辐射束投射到辐射敏感基板上。光刻设备还包括计量框架结构，其包括一个或多个光学元件测量系统的部件，以测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内，并且其中计量框架结构充当光学元件定位测量的相对定位参考。
每当对光学元件的位置和/或取向进行测量时，需要测量的参考。优选地，参考的位置和/或取向已知是可靠且稳定的。因此，计量框架结构可以是一些应用的合适选择，特别是如果将其根据本发明的一个或多个方面来设计的话。
根据本发明的实施例，提供一种光刻设备，其包括投射系统，该投射系统包括多个光学元件，该多个光学元件配置为将辐射束投射到辐射敏感基板上。光刻设备还包括计量框架结构，其包括一个或多个光学元件测量系统的部件，以测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内，并且其中光学元件中的一个充当光学元件定位测量的相对定位参考。
还可以选择光学元件中的一个(或一些)作为一些应用的适当参考。通常地，光学元件必须相对于彼此定位和/或对准，以便于将辐射束引导穿过投射系统，这是为什么例如一个或多个光学元件的投射系统内的参考可以是足够的。由于携带光学元件的力框架结构也可以根据本发明更刚性且精确地设计，这样的参考的可靠性可以是相当好的。一些好的参考候选可以是投射系统中的第一光学元件(例如第一反射镜)，其直接从图案化装置(掩模母版)接收束。作为参考使用的另一个可能的光学元件可以是投射系统内的最后的光学元件(例如最后的反射镜)，其引导辐射束到辐射敏感基板。然而，投射系统内的几乎任何光学元件(例如反射镜)可以用作其他光学元件的参考，特别是光学元件的外部组合的光学元件或者光学元件的内部组中的光学元件。优选地，具有最小刚度的光学元件被选择作为参考。
注意到，例如光学元件中的一个的参考不必是所有自由度的参考。因此，例如第一光学参考元件可以是自由度的第一部分(区段)的参考并且第二光学参考元件可以是自由度的第二部分(区段)的参考。甚至单独地确定六个自由度中的每一个的参考是可能的。
根据本发明的实施例，提供一种光刻设备，其包括投射系统，该投射系统包括多个光学元件，该多个光学元件配置为将辐射束投射到辐射敏感基板上。光刻设备还包括计量框架结构，其包括一个或多个光学元件测量系统的部件，以测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内，其中投射系统的外侧的外部结构充当光学元件定位测量的相对定位参考。
此外，任何外部结构或围绕结构可以充当参考，这可以是围绕外壳部件、壁等。这个类型的参考可以是特别优选的，如果将投射系统和/或力框架结构和/或计量框架结构刚性地或牢固地连接到外部结构的话。
根据本发明的实施例，提供一种光刻设备，其包括投射系统，该投射系统包括多个光学元件，该多个光学元件配置为将辐射束投射到辐射敏感基板上。光刻设备还包括计量框架结构，其包括一个或多个光学元件测量系统的部件，以测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内，其中计量框架结构是冷却的。
根据本发明的实施例，提供一种光刻设备，其包括投射系统，该投射系统包括多个光学元件，该多个光学元件配置为将辐射束投射到辐射敏感基板上。光刻设备还包括计量框架结构，其包括一个或多个光学元件测量系统的部件，以测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，其中光学元件测量系统中的至少一个设计为干涉仪系统。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。干涉仪测量系统还设计用于一个或多个自由度中的测量，并且/或者包括以下特征中的一个或多个：相关束递送、光纤馈送、分束、束弯曲、束偏振清除(beam polarizationcleaning)、控制范围的一个或多个束调整操纵器和/或目标/规定(provisions)、测量束波长跟踪装备、折射率确定装备、归零系统、和/或对诸如气流的外部影响的局部和/或全局束屏蔽。
根据本发明的实施例，有一种光刻设备，其包括投射系统，该投射系统包括多个光学元件，该多个光学元件配置为将辐射束投射到辐射敏感基板上。光刻设备还包括计量框架结构，其中该计量框架结构具有大于或等于400Hz的共振频率，包括一个或多个光学元件测量系统的部件，以测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
根据本发明的实施例，有一种光刻设备，其包括投射系统，该投射系统包括多个光学元件，该多个光学元件配置为将辐射束投射到辐射敏感基板上。光刻设备还包括图案化装置计量框架结构，该图案化装置计量框架结构配置为使得能够测量图案化装置和/或图案化装置桌(即图案化装置台)的位置和/或取向，并且其中计量框架结构还包括测量图案化装置计量框架结构的位置和/或取向的测量系统的部件。
根据本发明的实施例，有一种光刻设备，其包括投射系统，该投射系统包括多个光学元件，该多个光学元件配置为将辐射束投射到辐射敏感基板上。光刻设备还包括图案化装置计量框架结构，该图案化装置计量框架结构配置为使得能够测量图案化装置和/或图案化装置桌(即图案化装置台)的位置和/或取向，并且其中计量框架结构还包括测量图案化装置计量框架结构的位置和/或取向的测量系统的部件，其中计量框架结构还包括测量基板计量框架结构的位置和/或取向的测量系统的部件，以测量图案化装置计量框架结构的位置和/或取向的六个自由度的第一区段，并且多个光学元件包括测量系统的其它部件，以测量图案化装置计量框架结构的位置和/或取向的六个自由度的第二区段。
根据本发明的实施例，有一种光刻设备，其包括投射系统，该投射系统包括多个光学元件，该多个光学元件配置为将辐射束投射到辐射敏感基板上。光刻设备还包括基板计量框架结构，该基板计量框架结构配置为使得能够测量基板和/或基板桌(即基板台)的位置和/或取向，并且其中计量框架结构还包括测量基板计量框架结构的位置和/或取向的测量系统的部件。
根据本发明的实施例，有一种光刻设备，其包括投射系统，该投射系统包括多个光学元件，该多个光学元件配置为将辐射束投射到辐射敏感基板上。光刻设备还包括基板计量框架结构，该基板计量框架结构配置为使得能够测量基板和/或基板桌(即基板台)的位置和/或取向，并且其中计量框架结构还包括测量基板计量框架结构的位置和/或取向的测量系统的部件，以测量基板计量框架结构的位置和/或取向的六个自由度的第一区段，并且多个光学元件包括测量系统的其它部件，以测量基板计量框架结构的位置和/或取向的六个自由度的第二区段。
根据本发明的实施例，有一种光刻设备，其包括投射系统，该投射系统包括多个光学元件，该多个光学元件配置为将辐射束投射到辐射敏感基板上，其中多个光学元件包括至少七个、至少八个或至少九个光学元件。
根据本发明的实施例，有一种光刻设备，其包括投射系统，该投射系统包括多个光学元件，该多个光学元件配置为将辐射束投射到辐射敏感基板上，其中多个光学元件是反射式的。
根据本发明的实施例，有一种光刻设备，其包括投射系统，该投射系统包括多个光学元件，该多个光学元件配置为将辐射束投射到辐射敏感基板上，其中投射系统设计用于EUV辐射。
根据本发明的实施例，有一种光刻设备，其包括投射系统，该投射系统包括多个光学元件，该多个光学元件配置为将辐射束投射到辐射敏感基板上，其中用编码器测量系统所测量的从计量框架结构到至少一个光学元件的间隙距离是在5厘米内。
根据本发明的实施例，有一种光刻设备，其包括投射系统，该投射系统包括多个光学元件，该多个光学元件配置为将辐射束投射到辐射敏感基板上，其中用干涉仪测量系统所测量的从计量框架结构到至少一个光学元件的间隙距离为5厘米或更多厘米。
根据本发明的实施例，有一种光刻设备，其包括投射系统，该投射系统包括多个光学元件，该多个光学元件配置为将辐射束投射到辐射敏感基板上，其中计量框架结构具有小于或等于3三米的长度。
根据本发明的其它实施例，有一种装置制造方法，包括以下步骤：将辐射束经由投射系统的多个光学元件投射到辐射敏感基板上；使用安装在计量框架结构上的一个或多个光学元件测量系统的部件测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
关于光刻设备前文已经描述的特征可以有利地应用于装置制造方法，并且若技术上可用的话则还可以与如下文所描述的装置制造方法的特征相结合。已经描述的关于光刻设备的优点也可以关于如下描述的装置制造方法及其特征进行实施。
根据本发明的其它实施例，有一种装置制造方法，其包括以下步骤：将辐射束经由投射系统的多个光学元件投射到辐射敏感基板上；使用安装在计量框架结构上的一个或多个光学元件测量系统的部件测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内，其中多个光学元件布置为使得投射系统上的二维视图中，内部矩形限定为包封多个光学元件，该内部矩形还限定为尽可能小，其中该计量框架结构定位在内部矩形内。
根据本发明的其它实施例，有一种装置制造方法，其包括以下步骤：将辐射束经由投射系统的多个光学元件投射到辐射敏感基板上；使用安装在计量框架结构上的一个或多个光学元件测量系统的部件测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内，其中二维视图是投射系统的视图，其中可以完整看到辐射束从图案化装置台到基板台的路径。
根据本发明的其它实施例，有一种装置制造方法，其包括以下步骤：将辐射束经由投射系统的多个光学元件投射到辐射敏感基板上；使用安装在计量框架结构上的一个或多个光学元件测量系统的部件测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内，其中二维视图是投射系统的视图，其中可以看到辐射束从图案化装置台到基板台的侧视图。
根据本发明的其它实施例，有一种装置制造方法，其包括以下步骤：将辐射束经由投射系统的多个光学元件投射到辐射敏感基板上；使用安装在计量框架结构上的一个或多个光学元件测量系统的部件测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内，其中二维视图是其中大部分或全部辐射束从图案化装置台出发到基板台的平面上的视图。
根据本发明的其它实施例，有一种装置制造方法，其包括以下步骤：将辐射束经由投射系统的多个光学元件投射到辐射敏感基板上；使用安装在计量框架结构上的一个或多个光学元件测量系统的部件测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，其中多个光学元件包括光学元件的外部组，将该光学元件的外部组定位以围绕计量框架结构。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
根据本发明的其它实施例，有一种装置制造方法，其包括以下步骤：将辐射束经由投射系统的多个光学元件投射到辐射敏感基板上；使用安装在计量框架结构上的一个或多个光学元件测量系统的部件测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，其中多个光学元件包括光学元件的外部组，将该光学元件的外部组定位以围绕计量框架结构，并且其中光学元件的外部组包含光学元件中的至少四个、至少五个、至少六个或至少七个。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
根据本发明的其它实施例，有一种装置制造方法，其包括以下步骤：将辐射束经由投射系统的多个光学元件投射到辐射敏感基板上；使用安装在计量框架结构上的一个或多个光学元件测量系统的部件测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，其中多个光学元件包括光学元件的外部组，将该光学元件的外部组定位以围绕计量框架结构，并且其中光学元件的外部组包含多数或全部多个光学元件。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
根据本发明的其它实施例，有一种装置制造方法，其包括以下步骤：将辐射束经由投射系统的多个光学元件投射到辐射敏感基板上；使用安装在计量框架结构上的一个或多个光学元件测量系统的部件测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，其中计量框架结构包括配置为让辐射束穿过该计量框架结构的开口。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
根据本发明的其它实施例，有一种装置制造方法，其包括以下步骤：将辐射束经由投射系统的多个光学元件投射到辐射敏感基板上；使用安装在计量框架结构上的一个或多个光学元件测量系统的部件测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，其中计量框架结构包括配置为让辐射束穿过该计量框架结构的开口，并且其中多个光学元件包括光学元件的内部组，该光学元件的内部组至少部分地定位在计量框架结构的开口内。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
根据本发明的其它实施例，有一种装置制造方法，其包括以下步骤：将辐射束经由投射系统的多个光学元件投射到辐射敏感基板上；使用安装在计量框架结构上的一个或多个光学元件测量系统的部件测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，其中一个或多个光学元件测量系统配置为光学地测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
根据本发明的其它实施例，有一种装置制造方法，其包括以下步骤：将辐射束经由投射系统的多个光学元件投射到辐射敏感基板上；使用安装在计量框架结构上的一个或多个光学元件测量系统的部件测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，其中多数或所有光学元件测量系统设计为干涉仪系统。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
根据本发明的其它实施例，有一种装置制造方法，其包括以下步骤：将辐射束经由投射系统的多个光学元件投射到辐射敏感基板上；使用安装在计量框架结构上的一个或多个光学元件测量系统的部件测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，其中计量框架结构包括两个不同类型的光学元件测量系统的部件。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
根据本发明的其它实施例，有一种装置制造方法，其包括以下步骤：将辐射束经由投射系统的多个光学元件投射到辐射敏感基板上；使用安装在计量框架结构上的一个或多个光学元件测量系统的部件测量光学元件中的至少一个的位置，其中计量框架结构包括两个不同类型的光学元件测量系统的部件，该光学元件测量系统设计为一个或多个光学编码器系统并且设计为一个或多个干涉仪系统。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
根据本发明的其它实施例，有一种装置制造方法，其包括以下步骤：将辐射束经由投射系统的多个光学元件投射到辐射敏感基板上；使用安装在计量框架结构上的一个或多个光学元件测量系统的部件测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，其中计量框架结构包括测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向的编码器测量系统的部件，并且包括测量光学元件中的至少另一个的位置和/或取向的干涉仪测量系统的部件。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
根据本发明的其它实施例，有一种装置制造方法，其包括以下步骤：将辐射束经由投射系统的多个光学元件投射到辐射敏感基板上；使用安装在计量框架结构上的一个或多个光学元件测量系统的部件测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，其中多个光学元件包括至少一个、至少两个、至少三个、至少四个、至少五个、至少六个、至少七个掠入射反射镜。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
根据本发明的其它实施例，有一种装置制造方法，其包括以下步骤：将辐射束经由投射系统的多个光学元件投射到辐射敏感基板上；使用安装在计量框架结构上的一个或多个光学元件测量系统的部件测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，其中多数或全部多个光学元件设计为掠入射反射镜。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
根据本发明的其它实施例，有一种装置制造方法，其包括以下步骤：将辐射束经由投射系统的多个光学元件投射到辐射敏感基板上；使用安装在计量框架结构上的一个或多个光学元件测量系统的部件测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，该多个光学元件由一个或多个力框架结构支撑，其中力框架结构独立于计量框架结构。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
根据本发明的其它实施例，有一种装置制造方法，其包括以下步骤：将辐射束经由投射系统的多个光学元件投射到辐射敏感基板上；使用安装在计量框架结构上的一个或多个光学元件测量系统的部件测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，并且其中计量框架结构是单个框架。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
根据本发明的其它实施例，有一种装置制造方法，其包括以下步骤：将辐射束经由投射系统的多个光学元件投射到辐射敏感基板上；使用安装在计量框架结构上的一个或多个光学元件测量系统的部件测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，并且其中计量框架结构是单个框架，该单个框架是单个部件或包括彼此牢固或刚性地连接的多个部件。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
根据本发明的其它实施例，有一种装置制造方法，其包括以下步骤：将辐射束经由投射系统的多个光学元件投射到辐射敏感基板上；使用安装在计量框架结构上的一个或多个光学元件测量系统的部件测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，其中计量框架结构充当光学元件定位测量的相对定位参考。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
根据本发明的其它实施例，有一种装置制造方法，其包括以下步骤：将辐射束经由投射系统的多个光学元件投射到辐射敏感基板上；使用安装在计量框架结构上的一个或多个光学元件测量系统的部件测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，其中光学元件中的一个充当光学元件定位测量的相对定位参考。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
根据本发明的其它实施例，有一种装置制造方法，其包括以下步骤：将辐射束经由投射系统的多个光学元件投射到辐射敏感基板上；使用安装在计量框架结构上的一个或多个光学元件测量系统的部件测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，其中投射系统的外侧的外部结构充当光学元件定位测量的相对定位参考。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
根据本发明的其它实施例，有一种装置制造方法，其包括以下步骤：将辐射束经由投射系统的多个光学元件投射到辐射敏感基板上；使用安装在计量框架结构上的一个或多个光学元件测量系统的部件测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，并且其中计量框架结构是冷却的。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
根据本发明的其它实施例，有一种装置制造方法，其包括以下步骤：将辐射束经由投射系统的多个光学元件投射到辐射敏感基板上；使用安装在计量框架结构上的一个或多个光学元件测量系统的部件测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，其中光学测量系统中的至少一个设计为干涉仪测量系统。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。干涉仪测量系统设计为用于一个或多个自由度中的测量和/或包括以下特征中的一个或多个：相关束递送、光纤馈送、分束、束弯曲、束偏振清除、控制范围的一个或多个束调整操纵器和/或目标/规定、测量束波长跟踪装备、折射率确定装备、归零系统、和/或对诸如气流的外部影响的局部和/或全局束屏蔽。
根据本发明的其它实施例，有一种装置制造方法，其包括以下步骤：将辐射束经由投射系统的多个光学元件投射到辐射敏感基板上；使用安装在计量框架结构上的一个或多个光学元件测量系统的部件测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，其中计量框架结构具有大于或等于400Hz的共振频率。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
根据本发明的其它实施例，有一种装置制造方法，其包括以下步骤：将辐射束经由投射系统的多个光学元件投射到辐射敏感基板上；使用安装在计量框架结构上的一个或多个光学元件测量系统的部件测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，还包括使用安装在计量框架结构上的测量系统的部件来测量图案化装置计量框架结构的位置和/或取向，图案化装置计量框架结构配置为使得能够测量图案化装置和/或图案化装置桌(即图案化装置台)的位置和/或取向。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
根据本发明的其它实施例，有一种装置制造方法，其包括以下步骤：将辐射束经由投射系统的多个光学元件投射到辐射敏感基板上；使用安装在计量框架结构上的一个或多个光学元件测量系统的部件测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，还包括使用安装在计量框架结构上的测量系统的部件来测量图案化装置计量框架结构的位置和/或取向，该测量系统的部件测量图案化装置计量框架结构的位置和/或取向的六个自由度的第一区段，并且多个光学元件包括测量系统的其它部件，以测量图案化装置计量框架结构的位置和/或取向的六个自由度的第二区段，该图案化装置计量框架结构配置为使得能够测量图案化装置和/或图案化装置桌(即图案化装置台)的位置和/或取向。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
根据本发明的其它实施例，有一种装置制造方法，其包括以下步骤：将辐射束经由投射系统的多个光学元件投射到辐射敏感基板上；使用安装在计量框架结构上的一个或多个光学元件测量系统的部件测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，还包括使用安装在计量框架结构上的测量系统的部件来测量基板计量框架结构的位置和/或取向，该基板计量框架结构配置为使得能够测量基板和/或基板桌(即基板台)的位置和/或取向。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
根据本发明的其它实施例，有一种装置制造方法，其包括以下步骤：将辐射束经由投射系统的多个光学元件投射到辐射敏感基板上；使用安装在计量框架结构上的一个或多个光学元件测量系统的部件测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，还包括使用安装在计量框架结构上的测量系统的部件来测量基板计量框架结构的位置和/或取向，该测量系统的部件测量基板计量框架结构的位置和/或取向的六个自由度的第一区段，并且多个光学元件包括测量系统的其它部件，以测量基板计量框架结构的位置和/或取向的六个自由度的第二区段，该基板计量框架结构配置为使得能够测量基板和/或基板桌(即基板台)的位置和/或取向。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
根据本发明的其它实施例，有一种装置制造方法，其包括以下步骤：将辐射束经由投射系统的多个光学元件投射到辐射敏感基板上；使用安装在计量框架结构上的一个或多个光学元件测量系统的部件测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，其中多个光学元件包括至少七个、至少八个或至少九个光学元件。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
根据本发明的其它实施例，有一种装置制造方法，其包括以下步骤：将辐射束经由投射系统的多个光学元件投射到辐射敏感基板上；使用安装在计量框架结构上的一个或多个光学元件测量系统的部件测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，其中多个光学元件是反射式的。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
根据本发明的其它实施例，有一种装置制造方法，其包括以下步骤：将辐射束经由投射系统的多个光学元件投射到辐射敏感基板上；使用安装在计量框架结构上的一个或多个光学元件测量系统的部件测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，其中束主要是EUV辐射。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
根据本发明的其它实施例，有一种装置制造方法，其包括以下步骤：将辐射束经由投射系统的多个光学元件投射到辐射敏感基板上；使用安装在计量框架结构上的一个或多个光学元件测量系统的部件测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，其中用编码器测量系统所测量的从计量框架结构到至少一个光学元件的间隙距离在5厘米内。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
根据本发明的其它实施例，有一种装置制造方法，其包括以下步骤：将辐射束经由投射系统的多个光学元件投射到辐射敏感基板上；使用安装在计量框架结构上的一个或多个光学元件测量系统的部件测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，其中用干涉仪测量系统所测量的从计量框架结构到至少另一个光学元件的间隙距离为5厘米或更多厘米。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
根据本发明的其它实施例，有一种装置制造方法，其包括以下步骤：将辐射束经由投射系统的多个光学元件投射到辐射敏感基板上；使用安装在计量框架结构上的一个或多个光学元件测量系统的部件来测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向，其中计量框架结构具有小于或等于三米的长度。多个光学元件、图案化装置台和基板台布置为使得在投射系统上的二维视图中，矩形限定为包封多个光学元件、图案化装置台和基板台。矩形还限定为尽可能小，其中计量框架结构定位在矩形内。
该描述包含其它发明，其还涉及光刻设备、装置制造方法和工艺，并且更特别地涉及测量光刻设备中的光学元件的位置和/或取向的系统和方法。由以下特征表征其它发明。
根据其它发明，提供一种光刻设备，其包括投射系统，该投射系统包括多个光学元件，该多个光学元件配置为将辐射束投射到辐射敏感基板上。光刻设备还包括计量框架结构，其包括一个或多个光学元件测量系统的部件以测量光学元件中的至少一个的位置和/或取向。多个光学元件包括光学元件的外部组，该光学元件的外部组围绕计量框架结构定位。
如果技术上可用的话，则前面已经描述的关于第一项发明的特征也可以有利地应用于其他发明。已经描述的关于第一项发明的优点也可以关于其他发明进行实施。
以下，根据附图将描述本发明的一些应用示例。附图确实示出了优选的应用示例——并且因此组合了本发明的特征。然而，任何应用示例的特征也可以与相同应用示例的其它特征分离地实现，并且因此可以由本领域技术人员没有困难地与本发明的其它特征重新组合。
附图说明
图1是光刻设备的示意图；
图2是另一个光刻设备的示意图；
图3是图2中的设备的更加详细的视图；
图4示意性描绘了光刻单元或群集的实施例；
图5a是光刻设备中的图案化装置台、投射系统和基板台的实施例的示意图；
图5b是光刻设备中的图案化装置台、投射系统和基板台的第二实施例的示意图；以及
图6是光刻设备中的图案化装置台、投射系统和基板台的第三实施例的示意图。
具体实施方式
图1示意性描绘了示例性光刻设备。设备包括：
-照明系统IL，以调节辐射的束B。在这种特别的情况下，照明系统还包括辐射源SO；
-第一物桌(例如掩模桌)MT，其提供有图案化装置夹具以保持图案化装置MA(例如掩模母版)，并且连接到第一定位器PM以相对于项PS精确地定位图案化装置；
-第二物桌(基板桌)WT，其提供有基板夹具以保持基板W(例如涂覆抗蚀剂的硅晶片)并且连接到第二定位器PW相对于项PS精确地定位基板；
-投射系统PS(例如，折射的、反射的或反射折射的光学系统)，将图案化装置MA的辐射部分成像到基板W的目标部分C(例如包括一个或多个裸芯)上。
如本文中所描绘的，设备是透射类型(即具有透射式掩模)。然而，总体上，它还可以是例如反射类型(具有反射式掩模)。替代地，设备可以采用另一种图案化装置作为经典掩模的使用的替代例，示例包含可编程的反射镜阵列或LCD矩阵。
支撑结构MT保持图案化装置。支撑结构MT用以下方式保持图案化装置：取决于图案化装置的取向、光刻设备的设计以及诸如是否在真空环境中保持图案化装置的其它条件。支撑结构MT可以使用机械、真空、静电或其它夹紧技术以保持图案化装置。支撑结构MT可以是框架或者是例如可以是按需要固定或可移动的桌。例如相对于投射系统，支撑结构MT可以确保图案化装置在期望的位置处。在本文中术语“掩模母版”或“掩模”的任何使用可以被认为是更广义术语“图案化装置”的同义词。
源SO(例如汞灯或准分子激光器)产生辐射的束。直接地或者在已经穿过诸如扩束器的调节器之后，将这种束馈送到照明系统(照明器)IL。照明器IL可以包括调整器AD，其配置为设定束中强度分布的外部径向范围和/或内部径向范围(通常被分别称为σ-外部和σ-内部)。此外，照明器IL总体上包括诸如积分器IN和聚光器CO的各种其它组件。以这种方法，在图案化装置MA上照射的束B在其横截面上具有期望的均匀性和强度分布。
关于图1应该注意的是，源SO可以在光刻设备的外壳内(正如经常情况是在源SO例如是汞灯时)，但是源SO也可以远离光刻设备，将源SO产生的辐射束引导到设备中(例如借助于适当的指引反射镜BD)；这种后述情景经常情况是在源SO是准分子激光器(例如基于KrF、ArF或F2产生激光)时。
束B随后截获图案化装置MA，其被保持在图案化装置桌MT上。已经穿过图案化装置MA，束B通过投射系统PS，其将束B聚焦到基板W的目标部分C上。借助于第二定位器PW(和干涉仪IF)，基板桌WT可以被精确移动，例如以便于在束B的路径中定位不同的目标部分C。相似地，例如在从图案化装置库中机械化取回图案化装置MA之后或者在扫描期间，第一定位器PM可以用于相对于束B的路径精确地定位图案化装置MA。总体上，借助于长冲程(long-stroke)模块(粗糙定位)和短冲程模块(精细定位)将实现物桌MT、WT的移动，这没有在图1中明确描绘。
图案化装置(例如掩模)MA和基板W可以使用掩模对准标记M1、M2和基板对准标记P1、P2来对准。尽管如所示出的基板对准标记占用专用的目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间中(这些已知为划线对准标记)。相似地，在图案化装置(例如掩模)MA上提供多于一个裸芯的情况下，图案化装置对准标记可以位于裸芯之间。小对准标记还可以包含在裸芯内、在装置特征之中，在该情况下期望标记尽可能地小并且不需要与相邻的特征相比任何不同的成像或工艺条件。
如本文中所采用的术语“掩模”或“图案化装置”应该广义地理解为是指可以用来赋予辐射束图案化的横截面的任何装置，诸如用于在基板的目标部分中创造图案(即对应于要在基板的目标部分中创造的图案)的任何装置。应当注意到，给予到辐射束的图案可能不会精确对应于基板的目标部分中的期望的图案，例如如果图案包含相移特征或者所谓的辅助特征的话。总体上，给予到辐射束的图案将对应于目标部分中正在创造的装置中的特定功能层，诸如集成电路。
本文中所用的术语“投射系统”应该广义地理解为涵盖任何类型的投射系统，包含折射的、反射的、反射折射的、磁的、电磁的和静电的光学系统或者其任何组合，理解为适用于正在使用的曝光辐射、或者适用于诸如沉浸液的使用或真空的使用之类的其它因素。术语“投射系统”还可以共同地或单一地包含根据指引、成形或控制辐射的投射束的这些设计类型中的任何一个操作的组件。
除了经典的掩模(透射式或反射式、二元的、相移(交替的相移和衰减的相移)、混合的等)之外，其它这样的图案化装置的示例包含：
-可编程的反射镜阵列。这样的装置的示例采用小反射镜的矩阵布置，其中的每一个可以单独地倾斜以便于在不同方向上反射引入的辐射束。在由反射镜矩阵反射的辐射束中，倾斜的反射镜给予图案。例如，这样的装置可以具有矩阵可定址的表面，其具有粘弹性控制层和反射表面。这样的装置背后的基本原理是(例如)反射表面的定址区域将入射辐射反射为衍射的辐射，而未定址的区域将入射辐射反射为非衍射的辐射。使用适当的过滤器，可以将非衍射的辐射从反射的束中过滤出，仅留下衍射的辐射；以此方式，根据将矩阵可定址的表面的定址图案使束变得图案化。可以使用适当的电子件实行所需要的矩阵定址。
-可编程的LCD阵列。
光刻设备可以是具有两个或更多个支撑结构(例如诸如基板台或基板桌之类的两个或更多个基板支撑结构、和/或图案化装置的两个或更多个支撑结构)的类型。在具有多个基板台的设备中，所有基板台可以是等同的并且可互换的。实施例中，多个基板台中的至少一个特别地适配于曝光步骤并且多个基板台中的至少一个特别地适配于测量或准备步骤。实施例中，多个基板台中的一个或更多个被测量台替换。测量台包含一个或多个传感器系统中的至少一个部件(诸如传感器检测器和/或传感器系统的目标)，但是不支撑基板。测量台可定位在投射束中，来代替基板台或图案化装置的支撑结构。在多个支撑台设备中，可以并行地使用附加台、或者可以在一个或多个台上实行准备步骤，同时一个或多个其它台正在用于曝光。
图2示意性描绘了另一个示例性光刻设备1000。光刻设备1000包含：
-照明系统(照明器)IL，其配置为调节辐射束B(例如EUV辐射)；
-支撑结构(例如掩模桌)MT，其构造为支撑图案化装置(例如掩模或掩模母版)MA并且连接到配置为精确地定位图案化装置的第一定位器PM；
-基板桌(例如晶片桌)WT，其构造为保持基板(例如涂覆抗蚀剂的晶片)W并且连接到配置为精确地定位基板的第二定位器PM；以及
-投射系统(例如反射的投射系统)PS，其配置为将由图案化装置MA给予到辐射束B的图案投射到基板W的目标部分C(例如包括一个或多个裸芯)上。
光刻设备1000还可以包括源集光器模块OS。
如在此所描绘的，设备1000是反射类型(例如采用反射掩模)。注意到，因为多数材料在EUV波长范围内具有吸收性，所以图案化装置可以具有包括例如钼和硅的多堆叠体的多层反射器。在一个示例中，多堆叠体反射体具有钼和硅的40层对。可以用X射线光刻产生甚至更小的波长。因为多数材料在EUV和x射线波长处具有吸收性，所以图案化装置形貌上的图案化的吸收材料的薄件(例如在多层反射器的顶部上的TaN吸收体)限定了哪里的特征将印刷(正性抗蚀剂)或不会印刷(负性抗蚀剂)。
参照图2，照明器IL从源集光器模块SO接收极紫外(EUV)辐射束。产生EUV辐射的方法包含但是不必限于将包含具有EUV范围中一个或多个发射线的至少一个元素(例如氙、锂或锡)的材料变换到等离子状态下。在一种这样的方法中，经常被称为激光产生等离子体(“LPP”)的等离子体可以通过以激光束辐照燃料(fuel)来产生，诸如具有线发射元素(line-emitting element)的材料的液滴、流或群集。源集光器模块SO可以是包含激光器(未在图2中示出，用于提供激光束来激发燃料)的EUV辐射系统的部件。得到的等离子体发射例如为EUV辐射的输出辐射，其使用设置在源集光器模块中的辐射集光器收集。激光器和源集光器模块可以是分离的实体，例如在CO2激光器用于为燃料激发提供激光束时。
在这样的情况下，不认为激光器形成光刻设备的部件并且辐射束借助于束传递系统从激光器穿过到达源集光器模块，该束传递系统包括例如适当的指引反射镜和/或扩束器。在其它情况下，源可以是源集光器模块的集成部件，例如当源是放电产生等离子体EUV发生器时，其经常被称为DPP源。
照明器IL可以包括配置为调整辐射束的角强度分布(angular intensitydistribution)的调整器。总体上，可以调整照明器的光瞳平面的强度分布的至少外部和/或内部径向范围(常分别称为σ-外部和σ-内部)。此外，照明器IL可以包括各种其它组件，诸如分面的场和光瞳反射镜装置。照明器可以用于调节辐射束，以具有在其横截面中期望的均匀性和强度分布。
辐射束B入射在支撑结构(例如掩模桌)MT上所保持的图案化装置(例如掩模)MA上，并且由图案化装置将该辐射束B图案化。在从图案化装置(例如掩模)MA反射之后，辐射束B通过投射系统PS，其将束聚焦到基板W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器PS2(例如干涉装置、线性编码器或电容传感器)，基板桌WT可以被精确地移动，例如以便于在辐射束B的路径中定位不同的目标部分C。相似地，第一定位器PM和另一个位置传感器PS1可以用于相对于辐射束B的路径来精确地定位图案化装置(例如掩模)MA。图案化装置(例如掩模)MA和基板W可以使用图案化装置对准标记M1、M2和基板对准标记P1、P2来对准。
所描绘的设备可以用在以下模式中的至少一个中：
1、在步进模式下，支撑结构(例如掩模桌)MT和基板桌WT实质上保持固定，而将给予到辐射束的整个图案在同一时间投射到目标部分C上(即单个静态曝光)。然后在X和/或Y方向上移位基板桌WT，使得不同的目标部分C可以被曝光。
2、在扫描模式下，支撑结构(例如掩模桌)MT和基板桌WT在给定方向(所谓的“扫描方向”)上被同步扫描，而将给予到辐射束的图案投射到目标部分C上(即单个动态曝光)。基板桌WT相对于支撑结构(例如掩模桌)MT的速度和方向可以由投射系统PS的(缩小)放大率和图像反转特性来确定。
3、在另一个模式下，支撑结构(例如掩模桌)MT实质上保持固定以保持可编程的图案化装置，并且将基板桌WT移动或扫描而将给予到辐射束的图案投射到目标部分C上。在该模式下，总体上采用脉冲的辐射源，并且在扫描期间在基板桌WT的每一次移动之后或者在连续辐射脉冲之间按需要更新可编程的图案化装置。该操作模式可以容易地应用于利用可编程的图案化装置(诸如上文所提及类型的可编程的反射镜阵列)的无掩膜的光刻。
在EUV光刻设备中，由于气体可吸收太多辐射而期望使用真空或低压环境。真空环境因此可以借助于真空壁以及一个或多个真空泵来提供给整个束路径。
在实施例中，基于例如来自测量装置的测量结果，控制系统(未示出)控制光刻设备的整个操作。控制系统可以实施为可适当编程的通用计算机，其包括中央处理器以及易失性和非易失性储存器。可选地，控制系统还可以包括诸如键盘和屏幕之类的一个或多个输入和输出装置、一个或多个网络连接件和/或到光刻设备的各种部件的一个或多个接口。将理解的是，控制计算机和光刻设备之间的一对一关系不是必需的。实施例中，一个计算机可以控制多个光刻设备。实施例中，多个网络的计算机可以用于控制一个光刻设备。控制系统还可以配置为，在光刻设备形成其部件的光刻单元或群集中控制一个或多个关联的工艺装置和基板操纵装置。控制系统还可以配置为从属于光刻单元或群集中的监管控制系统和/或晶片厂(fab)的整个控制系统。
图3以更多细节示出了设备1000，其包含源集光器模块SO、照明系统IL和投射系统PS。构造并且布置源集光器模块SO使得在源集光器模块SO的包封结构220中可以维持真空环境。EUV辐射发射等离子体210可以由放电产生等离子体源形成。可以由气体或蒸汽(例如Xe气体、Li蒸汽或Sn蒸汽)产生EUV辐射，其中创造非常热的等离子体210以发射在电磁谱的EUV范围中的辐射。例如由电子放电引起至少部分电离的等离子体创造非常热的等离子体210。对于辐射的有效产生可以需要Xe、Li、Sn蒸汽或任何合适气体或蒸汽中的例如10Pa的分压。实施例中，提供激发的锡(Sn)的等离子体以产生EUV辐射。
由热的等离子210发射的辐射从源室211经由可选的气体屏障或污染物捕获器230(在一些情况下也称为污染物屏障或箔捕获器(foil trap))通行到集光器室212中，该可选的气体屏障或污染物捕获器230定位在源室211的开口中或之后。污染物捕获器230可以包含通道结构。污染物捕获器230还可以包含气体屏障或者气体屏障和通道结构的组合。污染物捕获器或污染物屏障230在本文中还被指示至少包含通道结构，如本领域已知的。
集光器室212可以包含辐射集光器CO，其可以是所谓的掠入射集光器。辐射集光器CO具有上游辐射集光器侧251和下游辐射集光器侧252。穿过集光器CO的辐射可以被反射离开光栅光谱滤光器240以沿着由点划线O’指示的光轴在虚拟源点IF中聚焦。虚拟源点IF通常被称为中间焦点，并且源集光器模块布置为使得中间焦点IF位于包封结构220的开口221处或者附近。虚拟源点IF是辐射发射等离子体210的像。
随后，辐射穿过照明系统IL，其可以包含分面的场反射镜装置22和分面的光瞳反射镜装置24，将它们布置为提供在图案化装置MA处的辐射束21的期望的角度分布，以及在图案化装置MA处的辐射强度的期望的均匀性。在辐射束21在由支撑结构MT保持的图案化装置MA处反射时，形成图案化的束26并且将该图案化的束26由投射系统PS经由反射元件28、30成像到由基板桌WT保持的基板W上。
在照明光学单元IL和投射系统PS中通常出现比所示出更多的元件。可以可选地出现光栅光谱滤光器240，这取决于光刻设备的类型。另外，可以有比图中所示出的那些更多的反射镜存在，例如与图3所示相比可以有1-6个附加的反射元件出现于投射系统PS中。
如图3中所示的集光器光学件CO描绘为具有掠入射反射器253、254和255的巢状的集光器，仅作为集光器(或者集光器反射镜)的示例。掠入射反射器253、254和255轴向对称地设置在光轴O的周围并且这种类型的集光器光学件CO可期望地用来结合放电产生等离子体源，其经常被称为DPP源。替代地，源集光器模块SO可以是LPP辐射系统的部件。
如图4中所示出的，光刻设备LA可以形成光刻单元LC(有时还称为光刻单元或光刻群集)的部件，该光刻单元LC还包含在基板上进行一个或多个曝光前和曝光后工艺的设备。常规地，这些包含沉积抗蚀剂层的一个或多个旋涂机SC、显影曝光的抗蚀剂的一个或多个显影机DE、一个或多个冷却板CH以及一个或多个烘烤板BK。基板操作机或机器人RO从输入/输出端口I/O1、I/O2捡起基板，在不同工艺装置之间移动基板并且递送基板到光刻设备的装载平台LB。这些装置(其经常共同被称为轨迹(track))是在自身由监管控制系统SCS控制的轨迹控制单元TCU的控制下，其还经由光刻控制单元LACU控制光刻设备。因此，可以操作不同设备以最大化吞吐量和处理效率。光刻单元LC还可以包括蚀刻基板的一个或多个蚀刻机和配置为测量基板的参数的一个或多个测量装置。测量装置可以包括配置为测量基板的物理参数的光学测量装置，诸如散射仪、扫描电子显微镜等。
如上所述，实施例中，经由投射系统将图案化装置的照明部分投射到一部分基板上。实施例中，投射系统包括多个光学元件。实施例中，这些光学元件中的一个或多个被设计为反射式的(例如反射镜)。实施例中，光学元件中的多数被设计为反射式的。实施例中，投射系统包括至少4个反射光学元件、至少5个反射光学元件、至少6个反射光学元件、至少7个反射光学元件、至少8个反射光学元件、至少9个反射光学元件、或者至少10个光学元件。
为了在基板上得到良好限定的和/或定位的图案，光学元件、基板和图案化装置的相对定位应该被相当良好地限定并且是稳定的。因此，实施例中，光学元件中的一个或多个可借助于致动器来移动；实施例中，两个或更多个光学元件或者多数光学元件是可移动的。实施例中，致动器是机械式或电机械式致动器装置。实施例中，致动器能够在多达2个自由度、多达3个自由度、多达4个自由度、多达5个自由度或者多达6个自由度中移动关联的一个或多个光学元件。此外，实施例中，那些一个或多个光学元件具有测量那些一个或多个光学元件的位置和/或取向(例如平移或者旋转等)的关联的光学元件测量系统。实施例中，测量系统能够在多达2个自由度、多达3个自由度、多达4个自由度、多达5个自由度或者多达6个自由度中测量位置和/或取向。实施例中，测量系统可以包括能够在可用数量的自由度中测量的单个测量装置(例如干涉仪或编码器)，或者可以包括多个测量装置(例如干涉仪或编码器)，该多个测量装置中的每一个能够在一个或多个自由度中测量使得测量系统整体上能够在可用数量的自由度中测量。
实施例中，投射系统的光学元件被承载或支撑在机械框架结构(以下称为力框架结构，以与例如下文中所描述的计量框架结构区分)中。实施例中，力框架结构包括多个分离的框架。实施例中，力框架结构包括单个完整的框架。实施例中，光学元件中的一个或多个是可移动的并且因此经由关联的致动器连接到力框架结构。因此，反作用力总体上集中到力框架结构中。
实施例中，提供计量框架结构。计量框架结构实质上与力框架结构和/或其它外力源隔离。换言之，计量框架结构与外力或者来自例如力框架结构的振动有效地隔离。实施例中，计量框架结构可以通过例如隔离装置或结构(例如阻尼结构、弹簧结构、力补偿结构等)支撑在力框架结构上。实施例中，计量框架结构从力框架结构分离地连接到地面。
实施例中，计量框架结构承载或支撑光学元件测量系统中的一个或多个部件。实施例中，计量框架结构可以担当稳定结构，相对于该稳定结构，投射的多个光学元件的位置是相关的。因此，例如相对于计量框架，使用一个或多个测量系统测量光学元件(中的多个、中的多数等)的六个自由度位置。
随着光刻设备的越来越先进，期望具有具备例如增加的数值孔径的投射系统。例如投射系统是反射式设计时，这可能导致更大的反射光学元件、更多的反射光学元件、不同的反射光学元件类型和/或更大的反射光学元件距离(例如反射光学元件之间的距离)。但是，对于透射式光学设计可能出现类似问题。
所以，实施例中，计量框架必须递送光学元件位置和/或取向测量的参考的位置以及光学元件之间的距离可能从例如几厘米增加到1、2或更多米。相应地，可能仅仅缩放计量框架以试图保持距离在几厘米到1米。但是这样的缩放可能意味着更多的质量倾向于降低计量框架的内部共振频率。附加地或替代地，还可能增长对光学元件定位以及因此计量框架的动态需求，由于更小的曝光狭缝尺寸(例如，来自更高的NA)和/或在曝光期间更高的速度(例如吞吐量)。因此，期望计量框架的更高共振频率。
参考图5a和图5b，展示光刻设备的图案化装置台MT、投射系统PS和基板台WT的实施例的示意图，旨在解决本文中和/或本领域中其它地方所标识的问题中的一个或多个。该图和它们的应用示例实质上是相同的，这是为什么除了它们的区别之外下面将一起解释该图。
实施例中，投射系统PS包括多个光学元件。图5a和图5b中，所有光学元件被描绘为反射光学元件。但是，图5a和图5b中的光学元件不是全部需要是反射式的。光学元件中的一个或多个可以是透射式的。当然，所有光学元件可以是透射式的。
图5a和图5b中，光学元件包括光学元件505、光学元件510、光学元件515、光学元件520、光学元件525、光学元件530和光学元件535。如图5a和图5b中所见，那些光学元件作用以从图案化装置MA提供束B，26到基板W。实施例中，那些光学元件由力框架结构(为了演示的清楚性而未示出)支撑，该力框架结构可以包括单个框架或多个分离框架。另外，那些光学元件中的每一个连接到关联的致动器(为了演示的清楚性而未示出)，实施例中该关联的致动器连接到力框架结构。尽管图5a和图5b中描绘了七个光学元件，但是可以提供不同数量的光学元件。
为了以最低损失引导束B，26，如果光学元件505-535中的至少两个、至少三个、至少四个、至少五个、至少六个或全部光学元件设计为能够使束路径平坦化的掠入射反射镜，则可以是有利的。图5a和图5b的示例中，光学元件510-525示例性设计为掠入射反射镜。
实施例中，提供计量框架结构500。实施例中，计量框架结构500是单个框架。换言之，单个框架可以包括单个部件(单片设计)或者包括彼此牢固或刚性地连接(例如螺栓连接、焊接、铆接等在一起)的多个部件，以便于充当单个框架。实施例中，在尺寸上限制计量框架结构。例如，长度小于或等于5米、小于或等于4米、小于或等于3米、或者小于或等于2米。实施例中，框架具有大约为2∶1∶1的框架长度：厚度：宽度的比率。实施例中，计量框架结构的共振频率高于或等于300Hz，期望在500-1000Hz的范围中。实施例中，计量框架结构500主要由陶瓷制成。实施例中，计量框架结构500主要由金属制成。
实施例中，计量框架结构500充当光学元件位置和/或取向测量的相对定位参考。换言之，相对于计量框架结构来测量投射系统PS的光学元件中的一个或多个的位置和/或取向。然而，光学元件505-535中的一个或多个、图案化装置台MT、基板台WT和/或投射系统PS外侧的外部结构(参见图6)也可以充当一些应用的光学元件定位测量的相对定位参考。总体上也可以使用多于一个参考，例如单个参考是仅测量的自由度(DOF)的第一部分(区段)的参考、而另一个参考是自由度的第二部分(区段)的参考。
实施例中，计量框架结构500保持一个或多个光学元件测量系统中的一个或多个部件。实施例中，计量框架结构保持多个光学元件测量系统中的一个或多个部件，每一个光学元件测量系统配置为测量相应的光学元件的位置和/或取向。实施例中，一个或多个光学元件测量系统配置为光学上测量位置和/或取向，即使用辐射来确定位置。
实施例中，计量框架结构500支撑两种不同类型的光学元件测量系统的部件。有利地，光学元件测量系统的类型的混合使计量框架结构500例如相对紧凑和/或具有相对较高的共振频率成为可能。
然而，使用单个类型的光学元件测量系统也可以是有利的。优选地，一个或多个光学元件测量系统全部可以设计为干涉仪测量系统(图5a和图5b中未示出)。
实施例中，计量框架结构500支撑光学编码器系统的部件以测量相对靠近计量框架结构500的光学元件，并且支撑光学干涉仪系统的部件以测量相对远离计量框架结构500的光学元件。实施例中，相对较近是在5厘米内、4厘米内、3厘米内、2厘米内或者1厘米内。例如，实施例中，相对较近距离选自2-20mm的范围。实施例中，相对较远大于或等于5厘米、大于或等于7厘米、大于或等于10厘米、大于或等于15厘米或大于或等于20厘米。实施例中，相对较远距离小于或等于3米、小于或等于2米、或者小于或等于1米。例如，实施例中相对较远距离选自5-10cm的范围。因此，实施例中，光学元件中的一个或多个可以位于距计量框架结构500相对较远的距离处(并且使用干涉仪系统来测量)，而一个或多个其它光学元件可以位于距计量框架结构500相对较近的距离处(并且使用编码器系统来测量)。相应地，可以使用适当选择的计量框架结构500，这可以使光学元件和计量框架结构500之间的距离的适当桥接成为可能并且实现稳定的相对光学元件定位。
所以，参考图5a和图5b，实施例中，计量框架结构500包括测量光学元件510的位置和/或取向的编码器系统的部件540、测量光学元件515的位置和/或取向的编码器系统的部件545、测量光学元件520的位置和/或取向的编码器系统的部件550、以及测量光学元件525的位置和/或取向的编码器系统的部件555。实施例中，在计量框架结构500上所支撑的编码器系统的部件是传感器、读取头或者设计为将编码器光学信息重定向到传感器或读取头的光学元件，在该情况下光学元件支撑编码器标尺(encoder scale)或光栅。实施例中，在计量框架结构500上所支撑的编码器系统的部件是编码器标尺或光栅，在该情况下光学元件支撑传感器、读取头或者设计为将编码器光学信息重定向到传感器或读取头的光学元件。实施例中，可以在适当的情况下提供向编码器系统供应辐射的输出端(其可以是辐射源自身或者连接到辐射源)，该输出端可以在计量框架结构500上，在适用的光学元件上或其它地方。对于部件540-555中的每一个，图5a和图5b中示出虚线以表示光学信息经由例如测量束的转移。
再次参考图5a和图5b，实施例中，计量框架结构500包括测量光学元件505的位置和/或取向的干涉仪系统的部件560、测量光学元件530的位置和/或取向的干涉仪系统的部件565、以及测量光学元件535的位置和/或取向的干涉仪系统的部件570。实施例中，在计量框架结构500上所支撑的干涉仪系统的部件是传感器或者设计为将干涉仪光学信息重定向到传感器的光学元件，在该情况下光学元件支撑接收干涉束的反射表面。实施例中，在计量框架结构500上所支撑的干涉仪系统的部件是接收干涉束的反射表面，在该情况下光学元件支撑传感器或者设计为将干涉仪光学信息重定向到传感器的光学元件。实施例中，可以在适当的情况下提供向干涉仪系统供应辐射的输出端(其可以是辐射源自身或者连接到辐射源)，该输出端可以在计量框架结构500上，在适用的光学元件上或其它地方。对于部件560-570中的每一个，图5a和图5b中示出虚线以表示光学信息经由例如测量束的转移。
可选地，计量框架结构500可以用于测量计量框架结构500和图案化装置计量框架575之间的位置和/或取向、和/或计量框架结构500和基板计量框架580之间的位置和/或取向。实施例中，图案化装置计量框架575使得能够测量图案化装置台MT和/或图案化装置MA的位置和/或取向，图案化装置计量框架575和图案化装置台MT/图案化装置MA之间的虚线表示相对于图案化装置计量框架575对图案化装置台MT和/或图案化装置MA的位置和/或取向的测量。
图5b示出该原理的扩展例，其中传感器部件585属于测量系统以测量图案化装置计量框架结构575的位置和/或取向的六个自由度的第一区段，并且光学元件515(或光学元件510)包括测量系统的其它部件(未示出)以测量图案化装置计量框架结构575的位置和/或取向的六个自由度的第二部分。光学元件515的测量系统的其它部件可以优选地是位于图案化装置计量框架575上的干涉仪传感器部件586的反射器。
相似地，基板计量框架580使得能够测量基板台WT和/或基板W的位置和/或取向，基板计量框架580和基板台WT和/或基板W之间的虚线表示相对于基板计量框架580对基板台WT和/或基板W的位置和/或取向的测量。所以，通过相对于计量框架结构500测量图案化装置计量框架575的位置和/或取向以及相对于计量框架结构500测量基板计量框架580的位置和/或取向，可以(通过测量系统)确定并且(通过使用与图案化装置MA、基板W和/或光学元件505-535中的一个或多个关联的一个或多个适当的致动器)控制在图案化装置MA、一个或多个光学元件505-535以及基板W之间的适当相对的位置和/或取向。
再次，图5b示出该构思的扩展例，其中部件590属于测量系统以测量基板计量框架结构580的位置和/或取向的六个自由度的第一区段，并且光学元件530包括测量系统的其它部件(例如反射器部件(未示出))以测量基板计量框架结构580的位置和/或取向的六个自由度的第二区段。
实施例中，图案化装置计量框架575和/或基板计量框架580的传感器系统可以是解码器或干涉仪。这样的编码器或干涉仪的相关部件的位置可以类似于对于光学元件测量系统所描述的(视情况而定，例如框架上的部件和基板台/图案化装置台上的其它部件)。
所以，参考图5a和图5b，实施例中，计量框架结构500包括测量图案化装置计量框架575的位置和/或取向的干涉仪系统的部件585、以及测量基板计量框架580的位置和/或取向的干涉仪系统的部件590。实施例中，在计量框架结构500上所支撑的干涉仪系统的部件是传感器或者设计为将干涉仪光学信息重定向到传感器的光学元件，在该情况下图案化装置计量框架575或基板计量框架580支撑接收干涉仪束的反射表面。实施例中，在计量框架结构500上所支撑的干涉仪系统的部件是支撑接收干涉仪束的反射表面；在该情况下图案化装置计量框架575或基板计量框架580支撑传感器或者设计为将干涉仪光学信息重定向到传感器的光学元件。实施例中，可以在适当的情况下提供向干涉仪系统供应辐射的输出端(其可以是辐射源自身或者连接到辐射源)，该输出端可以在计量框架结构500上，在适用的图案化装置计量框架575上或基板计量框架580或者其它地方。对于部件585和590中的每一个，图5a和图5b中示出虚线以表示光学信息经由例如测量束的转移。具有关于图5a/b所描述的特征中的一个或多个特征的基板计量框架580和/或图案化装置计量框架575也可以可选地是根据图6的第三实施例的部件。
图5a和图5b中，部件560、565、570、585、586、590和591中的每一个被描绘为具有两个测量束以说明多个测量自由度。但是，具有多个束是非必要的。
实施例中，光刻设备(例如计量框架结构)配备有，光学元件位置和/或取向测量干涉仪系统的一个或多个选自以下的硬件：相关束递送、分束、束弯曲、束偏振清除、控制范围的一个或多个束调整操纵器、测量束波长跟踪装备、折射率确定装备、归零系统、对诸如气流的外部影响的局部和/或全局束屏蔽(屏蔽不需要安装于计量框架结构)等。实施例中，可以为光学元件位置和/或取向测量编码器系统提供相似的装备。
实施例中，光刻设备(例如远离计量框架结构)配备有，光学元件位置和/或取向测量干涉仪系统的一个或多个选自以下的硬件：辐射供应器(例如激光器)、电子硬件以及用于实时(伺服)和/或延时计算(漂移补偿)的信号处理和计算的软件(例如信号调节、位置确定、位置校正、计量模型、校准模型等)。实施例中，可以为光学元件位置和/或取向测量编码器系统提供相似的装备。
实施例中，计量模型提供为校准干涉仪系统，通过相对于使用其它测量系统所校准的一个或多个参考位置(归零)来校准(例如通过采用使用其它光学测量系统所测量的测试图案的像)。
因此，实施例中，使用用于例如EUV投射系统的反射镜的一个或多个干涉仪，提供相对大距离、多个自由度光学元件位置和/或取向测量(例如具有皮米级的精度)。实施例中，单个计量框架提供有高共振频率，而使得能够测量距计量框架相对远的一个或多个光学元件。实施例中，计量框架结构允许在某些光学元件(例如光学元件530和535)和计量框架结构之间有相当大的自由空间，以允许更多设计空间/自由，然而仍然能够以高精度测量那些光学元件。
参见图6，示出了光刻设备中的投射系统PS、基板台WT和图案化装置台MT的另一个实施例的示意图。应用示例与图5a和图5b中所示的一个类似，这就是为什么这些应用示例的特定特征可以容易地由本领域技术人员互换。正如图5a/b和6s是相似的，下面将参照图6具体描述与图5a和图5b的区别。
图6示出了光刻设备的投射系统PS，其包括配置为将辐射束B，26投射到辐射敏感基板W上的多个光学元件605-640。投射系统PS还包括计量框架结构600，其包括光学元件测量系统的部件660-695以测量光学元件605-640中的至少一个的位置和/或取向。多个光学元件605-640、图案化装置台MT和基板台WT布置使得在投射系统PS上的二维视图中，矩形ORE(“外部矩形”)限定为包封多个光学元件605-640、图案化装置台MT和基板台WT。矩形ORE还限定为尽可能小，其中计量框架结构600定位在矩形ORE内。矩形ORE还示于图5a和图5b的应用示例中。
此外，多个光学元件605-640还布置使得在投射系统PS上的二维视图中，内部矩形IRE限定为包封多个光学元件605-640。内部矩形IRE还限定为尽可能小，其中计量框架结构600定位在内部矩形IRE内。
参照二维视图，二维视图是投射系统PS的视图，其中可以完整看到辐射束B，26从图案化装置台MT到基板台WT的路径。可以看到辐射束B，26从图案化装置台MT到基板台WT的侧视图。通常，辐射束B，26将以“平坦的”方式、平面中可能均匀地行进。在这种情况下，二维视图是其中大部分或全部的辐射束B，26从图案化装置台MT出发到基板台WT的平面上的视图。
多个光学元件605-640还包括围绕计量框架结构600定位的光学元件的外部组605-625、635、640。图6示出了投射系统PS，其中多个光学元件605-640包括八个光学元件605-640——然而本发明既不限制于该数目也不限制于图5a和图5b中所示出的光学元件的数量。本发明可以有利地以任意数量的光学元件来实现，例如至少两个、至少三个、至少四个、至少五个、至少六个、至少七个、至少八个、至少九个、至少十个或者甚至更多个光学元件。
在本文中，本发明主要关于为EUV辐射所设计的投射系统PS进行讨论。然而，也可以使用能用于任意辐射波长的任何其它投射系统。因此，投射系统PS的光学元件可以总体上是反射式或者透过式的——优选地光学元件或者至少多个光学元件是反射式的，例如设计为反射镜，如图5a、图5b和图6所示的。
如已经提到的，图5a、图5b和图6示出了计量框架结构500、600上的二维视图。从而可以看到计量框架结构500、600定位在光学元件的外部组505-535；605-625、635、640内，其中光学元件505-535；605-625、635、640的外部组定位为围绕计量框架结构500、600。
光学元件的外部组605-625、635、640包含光学元件605-640中的七个，但是总体上还可以包含光学元件605-640中的更多个或者全部。图6中，光学元件605-640中的多数被光学元件的外部组605-625、635、640包含。
如可从图6所见，计量框架结构600包括开口OP，其配置为让辐射束B，26穿过计量框架结构600。这可以例如通过将计量框架结构600设计为环面或环形的形式来实现——图6中开口OP以高度抽象的方式示出，仅仅为了说明。
此外，示出了内部光学元件630，其至少部分定位在计量框架结构600的开口OP内。总体上，投射系统PS甚至可以包含光学元件的内部组。内部组可以包含至少一个、至少两个、至少三个、至少四个、或者甚至更多个光学元件605-640，但是优选地仅仅光学元件605-640的少数部件。
如关于图5a和图5b已经解释的，一个或多个光学元件测量系统可以配置为光学地测量光学元件505-535、605-640中的至少一个的位置和/或取向。因此，多数或全部(如图6的情况)光学元件测量系统可以设计为干涉仪系统。
为了引导束B，26穿过投射系统PS，可以优选平坦的束路径。若是这种情况，如果多数或者全部多个光学元件505-535、605-640设计为掠入射反射镜，则可以是有利的。图6中，光学元件615、620、630设计为掠入射反射镜，仅作为示例。
如可以在图6中看到，多个光学元件605-640可以由一个或多个力框架结构601支撑，其中力框架结构601独立于计量框架结构600。为了简化，图6仅示出力框架结构601的部分。
如已经在前面讨论的，计量框架结构500、600可以是单个框架，例如实现有单个部件或者包括彼此牢固或刚性地连接的多个部件。优选地，计量框架结构600实现为轻重量设计并且例如设计为中空结构。图5a、图5b和图6中的演示必须理解为仅仅为示意图。
通常使用光学元件605-640的位置和/或取向的测量的参考。首先，计量框架结构600可以充当这样的光学元件定位测量的相对定位参考。此外，光学元件605-640中的一个或多个、图案化装置台MT、基板台WT和/或投射系统PS外侧的外部结构OSTR也可以充当一些应用的光学元件定位测量的相对定位参考。
如果计量框架结构500、600是冷却的，则可以是有利的。受控制的温度环境还可以改进测量。
图6的干涉仪测量系统可以设计用于在一个或多个自由度中的测量。干涉仪测量系统还可以包括以下特征中的一个或多个：相关束递送、光纤馈送、分束、束弯曲、束偏振清除、控制范围的一个或多个束调整操纵器和/或目标/规定、测量束波长跟踪装备、折射率确定装备、归零系统、和/或对诸如气流的外部影响的局部和/或全局束屏蔽。
计量框架结构600可以具有大于或者等于400Hz的共振频率。高共振频率可以有利于改进测量。
优选地，用干涉仪测量系统所测量的从计量框架结构600到至少一个光学元件605-640的间隙距离是5厘米或更多厘米。
总体上，计量框架结构600可以具有小于或者等于三米的长度。
计算机系统可以辅助实现本文中公开的方法和流程。计算机系统可以包含通信信息的总线或其它通讯机构、以及处理信息的与总线耦接的处理器(或多个处理器)。计算机系统还可以包含主存储器，诸如随机存取存储器(RAM)或其它动态储存装置，该主存储器耦接到总线以储存和/或供应信息和将要由处理器执行的指令。主存储器可以用于储存和/或供应在执行将要由处理器执行的指令期间的临时变量或其它中间信息。计算机系统还可以包含只读存储器(ROM)或其它静态储存装置，其耦接到总线以储存和/或供应静态信息和处理器的指令。诸如磁盘或光盘的储存装置可以被提供并且耦接到总线以储存和/或供应信息和指令。计算机系统可以经由总线耦接到诸如阴极射线管(CRT)或平板或触摸面板显示器的显示器，以向计算机用户显示信息。包含字母和其它键的输入装置可以耦接到总线以向处理器通信信息和命令选择。其它类型的用户输入装置可以是诸如鼠标、轨迹球或光标方向键的光标控制器，以向处理器通信方向信息和命令选择并且在显示器上控制光标移动。触摸面板(屏)显示器还可以用作输入装置。
根据一个实施例，本文所描述的过程的一部分可以由计算机系统执行，以响应于执行储存器(例如主存储器)中所包含的一个或多个指令中的一个或多个序列的处理器。指令的序列的执行引起该处理器进行本文所描述的过程步骤。多处理布置中的一个或多个处理器可以用于执行指令的序列。在替代的实施例中，硬接线的电路可以用来代替软件指令或者与软件指令结合。因此，在本文中的描述不限于硬件电路和软件的任何具体组合。
如本文所使用的术语“计算机可读介质”是指参与向处理器提供指令用于执行的任何介质。这样的介质可以采取许多形式，包括但不限于，非易失性介质、易失性介质和传输介质。非易失性介质包括例如光盘或磁盘。易失性介质包括动态存储器。传输介质包含同轴电缆、铜线或光纤，包含了包括总线的导线。传输介质还可以采用声波或光波的形式，诸如射频(RF)和红外(IR)数据通信期间产生的那些声波或光波。计算机可读介质的常用形式包含，例如软盘、柔性盘、硬盘、磁带、任何其它的磁介质，CD-ROM、DVD、任何其它的光学介质，打孔卡、纸带、具有孔的图案的其它任何物理介质，RAM、PROM、EPROM、闪存-EPROM、任何其它的存储器芯片或盒，如下文所描述的载波或计算机可以读取的任何其它介质。
计算机系统可以包含耦接到总线的通信接口。通信接口提供耦接到网络链路的双向数据通信，该网络链路连接到网络或到其它计算装置(例如光刻设备中的计算装置)。例如，通信接口可以提供有线或者无线数据通信连接。在这样的实现方式中，通信接口发送并且接收携带表示各种类型数据的电子数据流的电信号、电磁信号或光信号。
计算机系统可以通过网络、网络链路和通信接口发送消息并且接收包含程序代码的数据。在互联网示例中，服务器可以通过网络(例如互联网)和通信接口传输应用程序的(所请求的)代码。例如，一种这样的下载应用可以提供代码来实现本文中的方法。可以由处理器在接收时来执行接收的代码，和/或将该接收的代码储存在储存装置或其它非易失性储存器中用于稍后执行。如此，计算机系统可以获得载波形式的应用代码。
实施例中，光刻设备还可以是这样的类型，其中至少部分的基板可以被具有相对高折射率的液体(例如水)覆盖，以便于填充投射系统和基板之间的空间。浸没液还可以施加到光刻设备中的其它空间，例如在掩模和投射系统之间。浸没技术是本领域已知的，用于增加投射系统的数值孔径。如本文所使用的术语“浸没”并不意味着诸如基板的结构必须淹没在液体中，而是仅仅意味着在曝光期间液体位于投射系统和基板之间。
本文中所公开的构思可以采用涉及光刻设备的任何装置制造工艺，并且对于能够产生越来越小尺寸的波长的新兴的成像技术是特别有用的。已经使用的新兴的技术包含能够采用ArF激光器产生193nm波长、以及甚至采用氟激光产生157nm波长的深紫外(DUV)光刻。此外，EUV光刻能够产生5-20nm范围内的波长。
尽管本文中所公开的构思可以用于在诸如硅晶片的基板上制造的装置，应该理解所公开的构思可以使用任何类型的光刻系统，例如用于除了硅晶片以外的基板的图案化的那些。
如提到的，微光刻是在制造诸如IC的装置中的重要步骤，其中形成在基板上的图案限定IC的功能元件，诸如微处理器、存储器芯片等。相似的光刻技术还用于形成平板显示器、微机电系统(MEMS)和其它装置。因此，尽管在本文中可以具体参考IC的制造，但是应该明确理解的是本文中的描述具有许多其它可能的应用。例如，它可以用在集成光学系统的制造、磁畴存储器的引导和检测图案、液晶显示器面板、薄膜磁头等中。技术人员将认识到，这样的替代应用的背景下，对本文中术语“掩模母版”、“晶片”或“裸芯”的任何使用应该被认为可以与更概括的术语“掩模、“基板”和“目标部分”互换。
在本文档中，术语“辐射”和“束”用于涵盖所有类型的电磁辐射，包含紫外辐射(例如具有365、248、193、157或126nm的波长)以及EUV(极紫外辐射，例如具有5-20nm范围中的波长)。
尽管上面已经具体参考光学光刻的背景下的实施例的使用，但是将认识到本发明的实施例可以用在例如压印光刻的其它应用中，并且在上下文允许的情形中不限于光学光刻。在压印光刻中，图案化装置的形貌限定基板上创造的图案。可以将图案化装置的形貌按压到向基板所供应的抗蚀剂的层中，该基板上抗蚀剂通过施加电磁辐射、热、压强或其组合来固化。图案化装置被移出抗蚀剂，在抗蚀剂固化后在其中保留图案。因此，使用压印技术的光刻设备典型地包含保持压印模板的模板夹具、保持基板的基板桌以及引起基板和压印模板之间的相对移动的一个或多个致动器，使得压印模板的图案可以被压印到基板的层上。
上文描述旨在是说明性的，而不是限制性的。因此，对于本领域技术人员显而易见的是，在不背离下面陈述的权利要求书的范围的情况下可以如所描述进行修改。

Claims (70)

1.一种光刻设备，包括
投射系统(PS)，所述投射系统(PS)包括多个光学元件(505-535；605-640)，所述多个光学元件(505-535；605-640)配置为将辐射束(B，26)投射到辐射敏感基板(W)上；以及
计量框架结构(500；600)，所述计量框架结构(500；600)包括测量所述光学元件(505-535；605-640)中的至少一个的位置和/或取向的一个或多个光学元件测量系统的部件(540-570；660-695)，其中所述多个光学元件(505-535；605-640)、图案化装置台(MT)和基板台(WT)布置为使得在所述投射系统(PS)上的二维视图中，矩形(ORE)限定为包封所述多个光学元件(505-535；605-640)、所述图案化装置台(MT)和所述基板台(WT)，所述矩形(ORE)还限定为尽可能小，其中所述计量框架结构(500；600)定位在所述矩形(ORE)内，
其中所述多个光学元件(505-535；605-640)包括光学元件的外部组(505-535；605-625，635，640)，所述光学元件的外部组(505-535；605-625，635，640)定位为围绕所述计量框架结构(500；600)，以及
其中所述多个光学元件(505-535；605-640)包括至少一个掠入射反射镜(510-520；610-620，630)。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个光学元件(505-535；605-640)布置为使得在所述投射系统(PS)上的二维视图中，内部矩形(IRE)限定为包封所述多个光学元件(505-535；605-640)，所述内部矩形(IRE)还限定为尽可能小，其中所述计量框架结构(500；600)定位在所述内部矩形(IRE)内。
3.根据权利要求1所述的设备，其中所述二维视图是所述投射系统(PS)的视图，其中能够完整看到所述辐射束(B，26)从所述图案化装置台(MT)到所述基板台(WT)的路径。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述二维视图是所述投射系统(PS)的视图，其中能够看到所述辐射束(B，26)从所述图案化装置台(MT)到所述基板台(WT)的侧视图。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述二维视图是其中大部分或全部的所述辐射束(B，26)从所述图案化装置台(MT)出发到所述基板台(WT)的平面上的视图。
6.根据权利要求1所述的设备，其中所述光学元件的外部组(505-535；605-625，635，640)包含所述光学元件(505-535；605-640)中的至少四个、至少五个、至少六个或至少七个。
7.根据权利要求1所述的设备，其中所述光学元件的外部组(505-535；605-625，635，640)包含多数或全部多个光学元件(505-535；605-640)。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述计量框架结构(500；600)包括开口(OP)，所述开口(OP)配置为让所述辐射束(B，26)穿过所述计量框架结构(500；600)。
9.根据权利要求8所述的设备，其中所述多个光学元件(605-640)包括光学元件的内部组(630)、所述光学元件的内部组(630)至少部分地定位在所述计量框架结构(600)的开口(OP)内。
10.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述一个或多个光学元件测量系统配置为光学地测量所述光学元件(505-535；605-640)中的至少一个的位置和/或取向。
11.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，其中多数或者全部光学元件测量系统设计为干涉仪系统。
12.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述计量框架结构(500；600)包括两个不同类型的光学元件测量系统的部件(540-570；660-695)。
13.根据权利要求12所述的设备，其中所述光学元件测量系统设计为一个或多个光学编码器系统并且设计为一个或多个干涉仪系统。
14.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述计量框架结构(500)包括测量所述光学元件中的至少一个(510-525)的位置和/或取向的编码器测量系统的部件(540-555)，并且包括测量所述光学元件中的至少另一个(505，530，535)的位置和/或取向的干涉仪测量系统的部件(560-570)。
15.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述多个光学元件(505-535；605-640)包括至少两个、至少三个、至少四个、至少五个、至少六个或者至少七个掠入射反射镜(510-520；610-620，630)。
16.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，其中多数或全部多个光学元件(505-535；605-640)设计为掠入射反射镜(510-520；610-620，630)。
17.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述多个光学元件(505-535；605-640)由一个或多个力框架结构(601)支撑，其中所述力框架结构(601)独立于所述计量框架结构(500；600)。
18.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述计量框架结构(500；600)是单个框架。
19.根据权利要求18所述的设备，其中所述单个框架是单个部件或者包括彼此牢固或刚性地连接的多个部件。
20.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述计量框架结构(500；600)充当所述光学元件定位测量的相对定位参考。
21.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述光学元件(505-535；605-640)中的一个充当所述光学元件定位测量的相对定位参考。
22.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述投射系统(PS)外侧的外部结构(OSTR)充当所述光学元件定位测量的相对定位参考。
23.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述计量框架结构(500；600)是冷却的。
24.根据权利要求14所述的设备，其中所述干涉仪测量系统设计用于一个或多个自由度中的测量，和/或包括以下特征中的一个或多个：相关束递送、光纤馈送、分束、束弯曲、束偏振清除、控制范围的一个或多个束调整操纵器和/或目标/规定、测量束波长跟踪装备、折射率确定装备、归零系统、和/或对诸如气流的外部影响的局部和/或全局束屏蔽。
25.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述计量框架结构(500；600)具有大于或等于400Hz的共振频率。
26.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，还包括图案化装置计量框架结构(575)，所述图案化装置计量框架结构(575)配置为使得能够测量图案化装置(MA)和/或所述图案化装置台(MT)的位置和/或取向，并且其中所述计量框架结构(500)还包括测量所述图案化装置计量框架结构(575)的位置和/或取向的测量系统的部件(585)。
27.根据权利要求26所述的设备，其中所述部件(585)属于测量系统以测量所述图案化装置计量框架结构(575)的位置和/或取向的六个自由度的第一区段，并且所述多个光学元件(505-535)包括测量系统的其它部件，以测量所述图案化装置计量框架结构(575)的位置和/或取向的六个自由度的第二区段。
28.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，还包括基板计量框架结构(580)，所述基板计量框架结构(580)配置为使得能够测量所述基板(WT)和/或所述基板台(WT)的位置和/或取向，并且其中所述计量框架结构(500)还包括测量所述基板计量框架结构(580)的位置和/或取向的测量系统的部件(590)。
29.根据权利要求28所述的设备，其中所述部件(590)属于测量系统以测量所述基板计量框架结构(580)的位置和/或取向的六个自由度的第一区段，并且所述多个光学元件(505-535)包括测量系统的其它部件，以测量所述基板计量框架结构(580)的位置和/或取向的六个自由度的第二区段。
30.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述多个光学元件(505-535；605-640)包括至少七个光学元件(505-535；605-640)。
31.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述多个光学元件(505-535；605-640)是反射式的。
32.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述投射系统(PS)设计用于EUV辐射。
33.根据权利要求14所述的设备，其中用所述编码器测量系统所测量的从所述计量框架结构(500)到所述至少一个光学元件(510-525)的间隙距离在5厘米内。
34.根据权利要求14项所述的设备，其中用所述干涉仪测量系统所测量的从所述计量框架结构(500；600)到所述至少一个光学元件(505，530，535；605-640)的间隙距离是5厘米或更多厘米。
35.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，其中所述计量框架结构(500；600)具有小于或等于三米的长度。
36.一种装置制造方法，包括
经由投射系统(PS)的多个光学元件(505-535；605-640)将辐射束(B，26)投射到辐射敏感基板(W)上；
使用安装在计量框架结构(500；600)上的一个或多个光学元件测量系统的部件(540-570；660-695)测量所述光学元件(505-535；605-640)中的至少一个的位置和/或取向，其中所述多个光学元件(505-535；605-640)、图案化装置台(MT)和基板台(WT)布置为使得在所述投射系统(PS)上的二维视图中，矩形(ORE)限定为包封所述多个光学元件(505-535；605-640)、所述图案化装置台(MT)和所述基板台(WT)，所述矩形(ORE)还限定为尽可能小，其中所述计量框架结构(500；600)定位在所述矩形(ORE)内，
其中所述多个光学元件(505-535；605-640)包括光学元件的外部组(505-535；605-625，635，640)，所述光学元件的外部组(505-535；605-625，635，640)定位为围绕所述计量框架结构(500；600)，以及
其中所述多个光学元件(505-535；605-640)包括至少一个掠入射反射镜(510-520；610-620，630)。
37.根据权利要求36所述的方法，其中所述多个光学元件(505-535；605-640)布置为使得在所述投射系统(PS)上的二维视图中，内部矩形(IRE)限定为包封所述多个光学元件(505-535；605-640)，所述内部矩形(IRE)还限定为尽可能小，其中所述计量框架结构(500；600)定位在所述内部矩形(IRE)内。
38.根据权利要求36所述的方法，其中所述二维视图是所述投射系统(PS)的视图，其中能够完整看到所述辐射束(B，26)从所述图案化装置台(MT)到所述基板台(WT)的路径。
39.根据权利要求36至38中任一项所述的方法，其中所述二维视图是所述投射系统(PS)的视图，其中能够看到所述辐射束(B，26)从所述图案化装置台(MT)到所述基板台(WT)的侧视图。
40.根据权利要求36至38中任一项所述的方法，其中所述二维视图是其中大部分或全部的所述辐射束(B，26)从所述图案化装置台(MT)出发到所述基板台(WT)的平面上的视图。
41.根据权利要求36所述的方法，其中所述光学元件的外部组(505-535；605-625，635，640)包含所述光学元件(505-535；605-640)中的至少四个、至少五个、至少六个或至少七个。
42.根据权利要求36所述的方法，其中所述光学元件的外部组(505-535；605-625，635，640)包含多数或全部多个光学元件(505-535；605-640)。
43.根据权利要求36至38中任一项所述的方法，其中所述计量框架结构(500；600)包括开口(OP)，所述开口(OP)配置为让所述辐射束(B，26)穿过所述计量框架结构(500；600)。
44.根据权利要求43所述的方法，其中所述多个光学元件(605-640)包括光学元件的内部组(630)、所述光学元件的内部组(630)至少部分地定位在所述计量框架结构(600)的开口(OP)内。
45.根据权利要求36至38中任一项所述的方法，其中所述一个或多个光学元件测量系统配置为光学地测量所述光学元件(505-535；605-640)中的至少一个的位置和/或取向。
46.根据权利要求36至38中任一项所述的方法，其中多数或者全部光学元件测量系统设计为干涉仪系统。
47.根据权利要求36至38中任一项所述的方法，其中所述计量框架结构(500；600)包括两个不同类型的光学元件测量系统的部件(540-570；660-695)。
48.根据权利要求47所述的方法，其中所述光学元件测量系统设计为一个或多个光学编码器系统并且设计为一个或多个干涉仪系统。
49.根据权利要求36至38中任一项所述的方法，其中所述计量框架结构(500)包括测量所述光学元件中的至少一个(510-525)的位置和/或取向的编码器测量系统的部件(540-555)，并且包括测量所述光学元件中的至少另一个(505，530，535)的位置和/或取向的干涉仪测量系统的部件(560-570)。
50.根据权利要求36至38中任一项所述的方法，其中所述多个光学元件(505-535；605-640)包括至少两个、至少三个、至少四个、至少五个、至少六个或者至少七个掠入射反射镜(510-520；610-620，630)。
51.根据权利要求36至38中任一项所述的方法，其中多数或全部多个光学元件(505-535；605-640)设计为掠入射反射镜(510-520；610-620，630)。
52.根据权利要求36至38中任一项所述的方法，其中所述多个光学元件(505-535；605-640)由一个或多个力框架结构(601)支撑，其中所述力框架结构(601)独立于所述计量框架结构(500；600)。
53.根据权利要求36至38中任一项所述的方法，其中所述计量框架结构(500；600)是单个框架。
54.根据权利要求53所述的方法，其中所述单个框架是单个部件或者包括彼此牢固或刚性地连接的多个部件。
55.根据权利要求36至38中任一项所述的方法，其中所述计量框架结构(500；600)充当所述光学元件定位测量的相对定位参考。
56.根据权利要求36至38中任一项所述的方法，其中所述光学元件(505-535；605-640)中的一个充当所述光学元件定位测量的相对定位参考。
57.根据权利要求36至38中任一项所述的方法，其中所述投射系统(PS)外侧的外部结构(OSTR)充当所述光学元件定位测量的相对定位参考。
58.根据权利要求36至38中任一项所述的方法，其中所述计量框架结构(500；600)是冷却的。
59.根据权利要求49所述的方法，其中所述干涉仪测量系统设计用于一个或多个自由度中的测量，和/或包括以下特征中的一个或多个：相关束递送、光纤馈送、分束、束弯曲、束偏振清除、控制范围的一个或多个束调整操纵器和/或目标/规定、测量束波长跟踪装备、折射率确定装备、归零系统、和/或对诸如气流的外部影响的局部和/或全局束屏蔽。
60.根据权利要求36至38中任一项所述的方法，其中所述计量框架结构(500；600)具有大于或等于400Hz的共振频率。
61.根据权利要求36至38中任一项所述的方法，还包括使用安装在所述计量框架结构(500)上的测量系统的部件(585)来测量图案化装置计量框架结构(575)的位置和/或取向，所述图案化装置计量框架结构(575)配置为使得能够测量图案化装置(MA)和/或所述图案化装置台(MT)的位置和/或取向。
62.根据权利要求61所述的方法，其中所述部件(585)属于测量系统以测量所述图案化装置计量框架结构(575)的位置和/或取向的六个自由度的第一区段，并且所述多个光学元件(505-535)包括测量系统的其它部件，以测量所述图案化装置计量框架结构(575)的位置和/或取向的六个自由度的第二区段。
63.根据权利要求36至38中任一项所述的方法，还包括使用安装在所述计量框架结构(500)上的测量系统的部件(590)来测量基板计量框架结构(580)的位置和/或取向，所述基板计量框架结构(580)配置为使得能够测量所述基板(WT)和/或所述基板台(WT)的位置和/或取向。
64.根据权利要求63所述的方法，其中所述部件(590)属于测量系统以测量所述基板计量框架结构(580)的位置和/或取向的六个自由度的第一区段，并且所述多个光学元件(505-535)包括测量系统的其它部件，以测量所述基板计量框架结构(580)的位置和/或取向的六个自由度的第二区段。
65.根据权利要求36至38中任一项所述的方法，其中所述多个光学元件(505-535；605-640)包括至少七个光学元件(505-535；605-640)。
66.根据权利要求36至38中任一项所述的方法，其中所述多个光学元件(505-535；605-640)是反射式的。
67.根据权利要求36至38中任一项所述的方法，其中所述束(B，26)主要是EUV辐射。
68.根据权利要求49所述的方法，其中用所述编码器测量系统所测量的从所述计量框架结构(500)到所述至少一个光学元件(510-525)的间隙距离在5厘米内。
69.根据权利要求49所述的方法，其中用所述干涉仪测量系统所测量的从所述计量框架结构(500；600)到所述至少一个光学元件(505，530，535；605-640)的间隙距离是5厘米或更多厘米。
70.根据权利要求36至38中任一项所述的方法，其中所述计量框架结构(500；600)具有小于或等于三米的长度。
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