JP2023134527A - リソグラフィ装置の光学素子の位置測定 - Google Patents
リソグラフィ装置の光学素子の位置測定 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023134527A JP2023134527A JP2023105649A JP2023105649A JP2023134527A JP 2023134527 A JP2023134527 A JP 2023134527A JP 2023105649 A JP2023105649 A JP 2023105649A JP 2023105649 A JP2023105649 A JP 2023105649A JP 2023134527 A JP2023134527 A JP 2023134527A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical elements
- frame structure
- metrology frame
- optical element
- patterning device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 728
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title claims abstract description 236
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 361
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 272
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 255
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 85
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 72
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims description 20
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 claims description 18
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 6
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 6
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 21
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000037452 priming Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70833—Mounting of optical systems, e.g. mounting of illumination system, projection system or stage systems on base-plate or ground
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/02—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
- G02B17/06—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
- G02B17/0668—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror having non-imaging properties
- G02B17/0673—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror having non-imaging properties for light condensing, e.g. for use with a light emitter
- G02B17/0678—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror having non-imaging properties for light condensing, e.g. for use with a light emitter specially adapted to emit light in a 360° plane or hemisphere
Abstract
【課題】投影系と投影系の性能を向上させるためのメトロロジフレーム構造体とを備えたリソグラフィ装置を提供する。【解決手段】複数の光学素子６０５～６４０を含む投影系ＰＳを備え、複数の光学素子は、放射線ビームＢ、２６を放射線感光基板Ｗに投影するよう構成されるリソグラフィ装置であって、リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する１つ又は複数の光学素子測定システムの一部６６０～６９５を含むメトロロジフレーム構造体６００を備え、複数の光学素子、パターニングデバイスステージＭＴ、基板ステージＷＴが投影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、基板ステージを囲むような矩形ＯＲＥが規定されるように配置され、矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体６００は、矩形内に位置決めされる。【選択図】図６
Description
本明細書の記載は、リソグラフィ装置及びプロセスに関し、より詳細には、リソグラフ
ィ装置の光学素子の位置及び／又は姿勢を測定するシステム及び方法に関する。
ィ装置の光学素子の位置及び／又は姿勢を測定するシステム及び方法に関する。
リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）その他の機能デバイスの製造に用いる
ことができる。このような場合、パターニングデバイス（例えば、マスク）が、デバイス
の個々の層に対応するパターン（「設計レイアウト」）を含むか又は提供してもよく、こ
のパターンは、放射線感光材料層（「レジスト」）で覆われた基板（例えば、シリコンウ
ェハ）上の（例えば、１つ又は複数のダイを含む）ターゲット部分に転写することができ
、これはパターニングデバイス上のパターンを通したターゲット部分の照射等の方法によ
り行われる。概して、１つの基板が複数の隣接するターゲット部分を含み、ターゲット部
分へのパターンの転写は、リソグラフィ装置により一度に１つずつ連続して行われる。あ
るタイプのリソグラフィ装置では、パターニングデバイス全体のパターンが一度にまとめ
てターゲット部分に転写され、このような装置はウェハステッパと一般に称される。ステ
ップアンドスキャン装置と一般に称される代替的な装置では、投影ビームが所与の基準方
向（「走査」方向）にパターニングデバイスを走査するのと同期して、この基準方向と平
行又は反平行に基板を移動させる。パターニングデバイスのパターンの異なる部分が１つ
のターゲット部分に漸次転写される。
ことができる。このような場合、パターニングデバイス（例えば、マスク）が、デバイス
の個々の層に対応するパターン（「設計レイアウト」）を含むか又は提供してもよく、こ
のパターンは、放射線感光材料層（「レジスト」）で覆われた基板（例えば、シリコンウ
ェハ）上の（例えば、１つ又は複数のダイを含む）ターゲット部分に転写することができ
、これはパターニングデバイス上のパターンを通したターゲット部分の照射等の方法によ
り行われる。概して、１つの基板が複数の隣接するターゲット部分を含み、ターゲット部
分へのパターンの転写は、リソグラフィ装置により一度に１つずつ連続して行われる。あ
るタイプのリソグラフィ装置では、パターニングデバイス全体のパターンが一度にまとめ
てターゲット部分に転写され、このような装置はウェハステッパと一般に称される。ステ
ップアンドスキャン装置と一般に称される代替的な装置では、投影ビームが所与の基準方
向（「走査」方向）にパターニングデバイスを走査するのと同期して、この基準方向と平
行又は反平行に基板を移動させる。パターニングデバイスのパターンの異なる部分が１つ
のターゲット部分に漸次転写される。
パターニングデバイスから基板にパターンを転写する前に、基板は、プライミング、レ
ジスト塗布、及びソフトベーク等のさまざまな手順を施され得る。露光後に、基板は、露
光後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハードベーク、及び転写パターンの測定／検査等の他の手
順を施され得る。この一連の手順が、デバイス、例えばＩＣの個々の層を作製する基礎と
して用いられる。続いて、基板は、エッチング、イオン注入（ドーピング）、メタライゼ
ーション、酸化、化学機械研磨等のさまざまな手順を施され得るが、これらは全てデバイ
スの個々の層を仕上げるためのものである。デバイスでいくつかの層が必要な場合、これ
らの手順の一部若しくは全部又はその変形形態が層毎に繰り返され得る。最終的に、デバ
イスが基板上の各ターゲット部分に存在することになる。複数のデバイスがある場合、こ
れらのデバイスは、ダイシング又はソーイング等の技法により相互に分離され、それから
個々のデバイスのキャリアへの取り付け、ピンへの接続等を行うことができる。
ジスト塗布、及びソフトベーク等のさまざまな手順を施され得る。露光後に、基板は、露
光後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハードベーク、及び転写パターンの測定／検査等の他の手
順を施され得る。この一連の手順が、デバイス、例えばＩＣの個々の層を作製する基礎と
して用いられる。続いて、基板は、エッチング、イオン注入（ドーピング）、メタライゼ
ーション、酸化、化学機械研磨等のさまざまな手順を施され得るが、これらは全てデバイ
スの個々の層を仕上げるためのものである。デバイスでいくつかの層が必要な場合、これ
らの手順の一部若しくは全部又はその変形形態が層毎に繰り返され得る。最終的に、デバ
イスが基板上の各ターゲット部分に存在することになる。複数のデバイスがある場合、こ
れらのデバイスは、ダイシング又はソーイング等の技法により相互に分離され、それから
個々のデバイスのキャリアへの取り付け、ピンへの接続等を行うことができる。
したがって、半導体デバイス等のデバイスの製造は、通常は複数の加工プロセスを用い
て基板（例えば、半導体ウェハ）を加工してデバイスのさまざまなフィーチャ及び複数の
層を形成することを伴う。このような層及びフィーチャは、通常は例えば蒸着、リソグラ
フィ、エッチング、化学機械研磨、及びイオン注入を用いて製造及び加工される。複数の
デバイスが基板上の複数のダイに加工されてから、個々のデバイスに分離され得る。この
デバイス製造プロセスは、パターニングプロセスと考えることができる。パターニングプ
ロセスは、リソグラフィ装置でパターニングデバイスを用いてパターニングデバイスのパ
ターンを基板に転写する光学及び／又はナノインプリントリソグラフィ等のパターニング
ステップを伴い、通常は、任意ではあるが、現像装置によるレジスト現像、ベークツール
を用いた基板のベーキング、エッチング装置を用いたパターンを用いたエッチング等の、
１つ又は複数の関連パターン加工ステップを伴う。
て基板（例えば、半導体ウェハ）を加工してデバイスのさまざまなフィーチャ及び複数の
層を形成することを伴う。このような層及びフィーチャは、通常は例えば蒸着、リソグラ
フィ、エッチング、化学機械研磨、及びイオン注入を用いて製造及び加工される。複数の
デバイスが基板上の複数のダイに加工されてから、個々のデバイスに分離され得る。この
デバイス製造プロセスは、パターニングプロセスと考えることができる。パターニングプ
ロセスは、リソグラフィ装置でパターニングデバイスを用いてパターニングデバイスのパ
ターンを基板に転写する光学及び／又はナノインプリントリソグラフィ等のパターニング
ステップを伴い、通常は、任意ではあるが、現像装置によるレジスト現像、ベークツール
を用いた基板のベーキング、エッチング装置を用いたパターンを用いたエッチング等の、
１つ又は複数の関連パターン加工ステップを伴う。
例えば、特許文献１は、概して光学系及びそれを有する露光装置に関する。より詳細に
は、特許文献１の開示は、フォトリソグラフィプロセスで用いられる光学系であって、極
紫外（ＥＵＶ）光と呼ばれる非常に短い波長の光を用いてレチクルのパターンをウェハに
投影し、ＩＣ等の半導体デバイスを製造する光学系に適用可能である。高精度な光学系を
製造するには、このような装置内の光学素子の位置及び姿勢を非常に正確にしなければな
らず、こうした理由から、光学素子は通常は動作前に又は動作中にも規定の基準に対して
測定される。したがって、１つ又は複数のメトロロジー（センサ）フレーム構造体に通常
は取り付けられるリソグラフィ装置に、複雑な測定システムを組み込む必要がある。測定
システムの部品、例えば個々のセンサを測定対象の光学素子の周りに配置することが知ら
れている。しかしながら、既知の解決手段の欠点は、周囲のメトロロジフレーム構造体に
起因して、このようなリソグラフィ装置の寸法が比較的大きいことである。さらに、既知
のフレームは振動を受けやすく、メトロロジフレームの一般に用いられている分割設計は
、通常は測定誤差の増加につながるが、これは、フレームのいくつかの部品の、ひいては
フレームの種々の部品に取り付けられたセンサの相互に対する位置がずれ得る、より正確
にはコンポーネント公差の影響を受けやすいことによる。
は、特許文献１の開示は、フォトリソグラフィプロセスで用いられる光学系であって、極
紫外（ＥＵＶ）光と呼ばれる非常に短い波長の光を用いてレチクルのパターンをウェハに
投影し、ＩＣ等の半導体デバイスを製造する光学系に適用可能である。高精度な光学系を
製造するには、このような装置内の光学素子の位置及び姿勢を非常に正確にしなければな
らず、こうした理由から、光学素子は通常は動作前に又は動作中にも規定の基準に対して
測定される。したがって、１つ又は複数のメトロロジー（センサ）フレーム構造体に通常
は取り付けられるリソグラフィ装置に、複雑な測定システムを組み込む必要がある。測定
システムの部品、例えば個々のセンサを測定対象の光学素子の周りに配置することが知ら
れている。しかしながら、既知の解決手段の欠点は、周囲のメトロロジフレーム構造体に
起因して、このようなリソグラフィ装置の寸法が比較的大きいことである。さらに、既知
のフレームは振動を受けやすく、メトロロジフレームの一般に用いられている分割設計は
、通常は測定誤差の増加につながるが、これは、フレームのいくつかの部品の、ひいては
フレームの種々の部品に取り付けられたセンサの相互に対する位置がずれ得る、より正確
にはコンポーネント公差の影響を受けやすいことによる。
本願は、２０１６年５月２５日付けで出願された独国特許出願第ＤＥ１０ ２０１６
２０９ １６７．０号の優先権を主張し、当該出願の内容を参照により本明細書に援用す
る。
２０９ １６７．０号の優先権を主張し、当該出願の内容を参照により本明細書に援用す
る。
投影系と投影系の性能を向上させるためのメトロロジフレーム構造体とを備えたリソグ
ラフィ装置を提供することが望ましい。
ラフィ装置を提供することが望ましい。
本発明の一実施形態によれば、複数の光学素子を含む投影系を備え、複数の光学素子は
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備える。
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元
図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩
形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロ
ジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備える。
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元
図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩
形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロ
ジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
一実施形態では、矩形は、メトロロジフレーム構造体の全部品、光学素子の全部品、パ
ターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲み、すなわちこれらの要素のいずれ
も矩形に重ならない。
ターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲み、すなわちこれらの要素のいずれ
も矩形に重ならない。
メトロロジフレーム構造体は、矩形（「外側矩形」と呼ぶこともできる）内に、すなわ
ちリソグラフィ装置の中心の近くに位置決めされるので、メトロロジフレーム構造体を比
較的小さく設計することができ、これによりリソグラフィシステムを小型化することがで
きる。さらに、メトロロジフレーム構造体の剛性及びその共振周波数を上げることができ
、これはミラー位置決め／測定に対する昨今の要求にとって重要であり得る。最後に、本
発明によるメトロロジフレーム構造体の設計及び配置により、測定精度の向上さえも達成
できる。結果として、既知の技術水準と比べて高精度なリソグラフィプロセスが達成でき
る。
ちリソグラフィ装置の中心の近くに位置決めされるので、メトロロジフレーム構造体を比
較的小さく設計することができ、これによりリソグラフィシステムを小型化することがで
きる。さらに、メトロロジフレーム構造体の剛性及びその共振周波数を上げることができ
、これはミラー位置決め／測定に対する昨今の要求にとって重要であり得る。最後に、本
発明によるメトロロジフレーム構造体の設計及び配置により、測定精度の向上さえも達成
できる。結果として、既知の技術水準と比べて高精度なリソグラフィプロセスが達成でき
る。
本発明の一実施形態によれば、複数の光学素子を含む投影系を備え、複数の光学素子は
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備える。
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元
図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩
形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロ
ジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。複数の光学素子はさらに、投影系の２次
元図で複数の光学素子を囲むような内側矩形が規定されるよう配置される。内側矩形はさ
らに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、内側矩形内に位置決め
される。
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備える。
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元
図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩
形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロ
ジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。複数の光学素子はさらに、投影系の２次
元図で複数の光学素子を囲むような内側矩形が規定されるよう配置される。内側矩形はさ
らに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、内側矩形内に位置決め
される。
本発明の一実施形態によれば、複数の光学素子を含む投影系を備え、複数の光学素子は
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備える。
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元
図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩
形が規定されるように配置され、２次元図は、パターニングデバイスステージから基板ス
テージまでの放射線ビームの経路を全体的に見ることができる投影系の図である。矩形は
さらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めさ
れる。
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備える。
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元
図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩
形が規定されるように配置され、２次元図は、パターニングデバイスステージから基板ス
テージまでの放射線ビームの経路を全体的に見ることができる投影系の図である。矩形は
さらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めさ
れる。
本発明の一実施形態によれば、複数の光学素子を含む投影系を備え、複数の光学素子は
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備える。
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元
図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩
形が規定されるように配置され、２次元図は、パターニングデバイスステージから基板ス
テージまでの放射線ビームの側面図を見ることができる投影系の図である。矩形はさらに
、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備える。
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元
図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩
形が規定されるように配置され、２次元図は、パターニングデバイスステージから基板ス
テージまでの放射線ビームの側面図を見ることができる投影系の図である。矩形はさらに
、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
本発明の一実施形態によれば、複数の光学素子を含む投影系を備え、複数の光学素子は
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備える。
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元
図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩
形が規定されるように配置され、２次元図は、放射線ビームの大部分又は全部がパターニ
ングデバイスステージから基板ステージまで進む平面の図である。矩形はさらに、できる
限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備える。
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元
図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩
形が規定されるように配置され、２次元図は、放射線ビームの大部分又は全部がパターニ
ングデバイスステージから基板ステージまで進む平面の図である。矩形はさらに、できる
限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
本発明の一実施形態によれば、複数の光学素子を含む投影系を備え、複数の光学素子は
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備える。
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元
図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩
形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロ
ジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。複数の光学素子はさらに、外側光学素子
群を含み、外側光学素子群は、メトロロジフレーム構造体を包囲するよう位置決めされる
。
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備える。
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元
図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩
形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロ
ジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。複数の光学素子はさらに、外側光学素子
群を含み、外側光学素子群は、メトロロジフレーム構造体を包囲するよう位置決めされる
。
「包囲する」という特徴は、光学素子がメトロロジフレーム構造体の周りに連続的に、
すなわち隙間なく配置されることを必ずしも意味するとは限らないことが理解されよう。
例えば、メトロロジフレーム構造体のそれぞれ異なる側に配置された３つの光学素子があ
れば、メトロロジフレーム構造体を包囲するのに十分であり得る。好ましくは、光学素子
がメトロロジフレーム構造体の四方を包囲し、すなわち好ましくは、４つの光学素子がメ
トロロジフレーム構造体を包囲するよう配置される。メトロロジフレーム構造体は、２次
元又は３次元で光学素子により包囲され得る。
すなわち隙間なく配置されることを必ずしも意味するとは限らないことが理解されよう。
例えば、メトロロジフレーム構造体のそれぞれ異なる側に配置された３つの光学素子があ
れば、メトロロジフレーム構造体を包囲するのに十分であり得る。好ましくは、光学素子
がメトロロジフレーム構造体の四方を包囲し、すなわち好ましくは、４つの光学素子がメ
トロロジフレーム構造体を包囲するよう配置される。メトロロジフレーム構造体は、２次
元又は３次元で光学素子により包囲され得る。
本発明の一実施形態によれば、複数の光学素子を含む投影系を備え、複数の光学素子は
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備える。
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元
図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩
形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロ
ジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。複数の光学素子はさらに、外側光学素子
群を含み、外側光学素子群は、メトロロジフレーム構造体を包囲するよう位置決めされ、
外側光学素子群は、光学素子のうち少なくとも４つ、少なくとも５つ、少なくとも６つ、
又は少なくとも７つを含む。
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備える。
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元
図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩
形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロ
ジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。複数の光学素子はさらに、外側光学素子
群を含み、外側光学素子群は、メトロロジフレーム構造体を包囲するよう位置決めされ、
外側光学素子群は、光学素子のうち少なくとも４つ、少なくとも５つ、少なくとも６つ、
又は少なくとも７つを含む。
本発明の一実施形態によれば、複数の光学素子を含む投影系を備え、複数の光学素子は
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備える。
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元
図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩
形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロ
ジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。複数の光学素子はさらに、外側光学素子
群を含み、外側光学素子群は、メトロロジフレーム構造体を包囲するよう位置決めされ、
外側光学素子群は、複数の光学素子のうち過半数又は全部を含む。
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備える。
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元
図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩
形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロ
ジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。複数の光学素子はさらに、外側光学素子
群を含み、外側光学素子群は、メトロロジフレーム構造体を包囲するよう位置決めされ、
外側光学素子群は、複数の光学素子のうち過半数又は全部を含む。
好ましくは、メトロロジフレーム構造体は、全部の光学素子により包囲されるか、又は
投影系の外側光学素子により規定される内側矩形内に配置されるが、それはこのような構
成でメトロロジフレーム構造体の寸法をさらに小さくできるからである。
投影系の外側光学素子により規定される内側矩形内に配置されるが、それはこのような構
成でメトロロジフレーム構造体の寸法をさらに小さくできるからである。
本発明の一実施形態によれば、複数の光学素子を含む投影系を備え、複数の光学素子は
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備える。
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元
図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩
形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロ
ジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされ、メトロロジフレーム構造体は、放射線ビー
ムにメトロロジフレーム構造体を通過させるよう構成された開口を備える。
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備える。
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元
図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩
形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロ
ジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされ、メトロロジフレーム構造体は、放射線ビー
ムにメトロロジフレーム構造体を通過させるよう構成された開口を備える。
メトロロジフレーム構造体の開口は、リソグラフィ装置の寸法をさらに縮小することを
可能にするコンパクトなビーム経路を有するシステムの設計に特に有利であり得る。メト
ロロジフレーム構造体に開口を設けるために、メトロロジフレーム構造体は、例えばトー
ラス又はリング構造として本質的に設計され得る。しかしながら、基本設計では、ビーム
経路は少なくとも大部分がメトロロジフレーム構造体を包囲する。
可能にするコンパクトなビーム経路を有するシステムの設計に特に有利であり得る。メト
ロロジフレーム構造体に開口を設けるために、メトロロジフレーム構造体は、例えばトー
ラス又はリング構造として本質的に設計され得る。しかしながら、基本設計では、ビーム
経路は少なくとも大部分がメトロロジフレーム構造体を包囲する。
本発明の一実施形態によれば、複数の光学素子を含む投影系を備え、複数の光学素子は
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備える。
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元
図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩
形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロ
ジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされ、メトロロジフレーム構造体は、放射線ビー
ムにメトロロジフレーム構造体を通過させるよう構成された開口を備え、複数の光学素子
は、内側光学素子群を含み、内側光学素子群は、メトロロジフレーム構造体の開口内に少
なくとも部分的に位置決めされる。
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備える。
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元
図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩
形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロ
ジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされ、メトロロジフレーム構造体は、放射線ビー
ムにメトロロジフレーム構造体を通過させるよう構成された開口を備え、複数の光学素子
は、内側光学素子群を含み、内側光学素子群は、メトロロジフレーム構造体の開口内に少
なくとも部分的に位置決めされる。
投影系の構造はやや複雑になるかもしれないが、光学素子のうち少なくともいくつか（
好ましくは半数未満）、例えば１つ、２つ、３つ、又は４つをメトロロジフレーム構造体
内に位置決めすることで、装置の実装密度をさらに減らすことができる。内側光学素子群
は、光学素子を１つしか含まなくてもよい。内側光学素子群は、好ましくは斜入射（grac
ing incidence）ミラーとして設計され得る。
好ましくは半数未満）、例えば１つ、２つ、３つ、又は４つをメトロロジフレーム構造体
内に位置決めすることで、装置の実装密度をさらに減らすことができる。内側光学素子群
は、光学素子を１つしか含まなくてもよい。内側光学素子群は、好ましくは斜入射（grac
ing incidence）ミラーとして設計され得る。
本発明の一実施形態によれば、複数の光学素子を含む投影系を備え、複数の光学素子は
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備え、１
つ又は複数の光学素子測定システムは、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は
姿勢を光学的に測定するよう構成される。複数の光学素子、パターニングデバイスステー
ジ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスス
テージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるように配置される。矩形はさら
に、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる
。
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備え、１
つ又は複数の光学素子測定システムは、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は
姿勢を光学的に測定するよう構成される。複数の光学素子、パターニングデバイスステー
ジ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスス
テージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるように配置される。矩形はさら
に、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる
。
本発明の一実施形態によれば、複数の光学素子を含む投影系を備え、複数の光学素子は
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備え、光
学素子測定システムのうち過半数又は全部が、干渉計システムとして設計される。複数の
光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複
数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規
定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレ
ーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備え、光
学素子測定システムのうち過半数又は全部が、干渉計システムとして設計される。複数の
光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複
数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規
定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレ
ーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
特に干渉計システムを用いて、遠方の光学素子の位置及び／又は姿勢も正確に測定する
ことができる。したがって、干渉計測定システムを用いることにより、メトロロジフレー
ム構造体の設計がより柔軟になり得るが、それはこのようなセンサの位置をほぼ任意に選
択できるからである。
ことができる。したがって、干渉計測定システムを用いることにより、メトロロジフレー
ム構造体の設計がより柔軟になり得るが、それはこのようなセンサの位置をほぼ任意に選
択できるからである。
本発明の一実施形態によれば、複数の光学素子を含む投影系を備え、複数の光学素子は
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備え、メ
トロロジフレーム構造体は、２つの異なるタイプの光学素子測定システムの一部を含む。
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元
図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩
形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロ
ジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備え、メ
トロロジフレーム構造体は、２つの異なるタイプの光学素子測定システムの一部を含む。
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元
図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩
形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロ
ジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
本発明の一実施形態によれば、複数の光学素子を含む投影系を備え、複数の光学素子は
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備え、メ
トロロジフレーム構造体は、２つの異なるタイプの光学素子測定システムの一部を含み、
光学素子測定システムは、１つ又は複数の光学エンコーダシステム及び１つ又は複数の干
渉計システムとして設計される。複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び
基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、
及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるように配置される。矩形はさらに、でき
る限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備え、メ
トロロジフレーム構造体は、２つの異なるタイプの光学素子測定システムの一部を含み、
光学素子測定システムは、１つ又は複数の光学エンコーダシステム及び１つ又は複数の干
渉計システムとして設計される。複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び
基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、
及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるように配置される。矩形はさらに、でき
る限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
干渉計の使用は有益であり得るが、測定対象の光学素子がセンサに近い場合、光学エン
コーダシステムが好ましくは適用され得る。したがって、光学エンコーダシステムのみ又
はエンコーダシステムと干渉計システムとの組み合わせを用いる装置の設計も可能であり
得る。当然ながら、他の測定システム、特に光学測定システム単独、又はエンコーダ測定
システム及び／又は干渉計測定システムとの組み合わせを適用することもできる。
コーダシステムが好ましくは適用され得る。したがって、光学エンコーダシステムのみ又
はエンコーダシステムと干渉計システムとの組み合わせを用いる装置の設計も可能であり
得る。当然ながら、他の測定システム、特に光学測定システム単独、又はエンコーダ測定
システム及び／又は干渉計測定システムとの組み合わせを適用することもできる。
本発明の一実施形態によれば、複数の光学素子を含む投影系を備え、複数の光学素子は
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備え、メ
トロロジフレーム構造体は、光学素子のうち少なくとも１つの位置を測定するエンコーダ
測定システムの一部を含み、且つ光学素子のうち少なくとも１つの他の光学素子の位置及
び／又は姿勢を測定する干渉計測定システムの一部を含む。複数の光学素子、パターニン
グデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素子、パター
ニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるように配置さ
れる。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内
に位置決めされる。
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備え、メ
トロロジフレーム構造体は、光学素子のうち少なくとも１つの位置を測定するエンコーダ
測定システムの一部を含み、且つ光学素子のうち少なくとも１つの他の光学素子の位置及
び／又は姿勢を測定する干渉計測定システムの一部を含む。複数の光学素子、パターニン
グデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素子、パター
ニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるように配置さ
れる。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内
に位置決めされる。
本発明の一実施形態によれば、複数の光学素子を含む投影系を備え、複数の光学素子は
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備え、複
数の光学素子は、少なくとも１つ、少なくとも２つ、少なくとも３つ、少なくとも４つ、
少なくとも５つ、少なくとも６つ、又は少なくとも７つの斜入射ミラーを含む。複数の光
学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数
の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定
されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレー
ム構造体は、矩形内に位置決めされる。
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備え、複
数の光学素子は、少なくとも１つ、少なくとも２つ、少なくとも３つ、少なくとも４つ、
少なくとも５つ、少なくとも６つ、又は少なくとも７つの斜入射ミラーを含む。複数の光
学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数
の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定
されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレー
ム構造体は、矩形内に位置決めされる。
特に斜入射（ＧＩ）ミラーを含む投影系の設計を、本発明では効率的に用いることがで
きるが、それはこのようなミラーでは入射角及び反射角が非常に平坦であり得ると共に、
ビーム経路をメトロロジフレーム構造体の周りに巡らせることができるからである。用途
によっては、外側光学素子群及び／又は内側光学素子群の全部の光学素子を斜入射ミラー
として設計することが妥当であり得る。
きるが、それはこのようなミラーでは入射角及び反射角が非常に平坦であり得ると共に、
ビーム経路をメトロロジフレーム構造体の周りに巡らせることができるからである。用途
によっては、外側光学素子群及び／又は内側光学素子群の全部の光学素子を斜入射ミラー
として設計することが妥当であり得る。
本発明の一実施形態によれば、複数の光学素子を含む投影系を備え、複数の光学素子は
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備え、複
数の光学素子のうち過半数又は全部が斜入射ミラーとして設計される。複数の光学素子、
パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素
子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるよ
うに配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体
は、矩形内に位置決めされる。
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備え、複
数の光学素子のうち過半数又は全部が斜入射ミラーとして設計される。複数の光学素子、
パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素
子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるよ
うに配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体
は、矩形内に位置決めされる。
本発明の一実施形態によれば、複数の光学素子を含む投影系を備え、複数の光学素子は
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備える。
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元
図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩
形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロ
ジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。複数の光学素子は、１つ又は複数のフォ
ースフレーム構造体により支持され、フォースフレーム構造体は、メトロロジフレーム構
造体から独立している。
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備える。
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元
図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩
形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロ
ジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。複数の光学素子は、１つ又は複数のフォ
ースフレーム構造体により支持され、フォースフレーム構造体は、メトロロジフレーム構
造体から独立している。
したがって、メトロロジフレーム構造体及びフォースフレーム構造体は、相互に独立し
た設計とすることができ、これは、センサが取り付けられるフレームと同じフレームに好
ましい実施形態の光学素子が取り付けられないことを意味する。光学素子及びセンサを機
械的力、例えば振動及び／又は発熱から切り離すことができるので、このような設計が好
ましいことがある。両方のフレームを最も効率的に小さく設計する融通性も高めることが
できる。
た設計とすることができ、これは、センサが取り付けられるフレームと同じフレームに好
ましい実施形態の光学素子が取り付けられないことを意味する。光学素子及びセンサを機
械的力、例えば振動及び／又は発熱から切り離すことができるので、このような設計が好
ましいことがある。両方のフレームを最も効率的に小さく設計する融通性も高めることが
できる。
本発明の一実施形態によれば、複数の光学素子を含む投影系を備え、複数の光学素子は
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、メトロロジフレーム構造体も備え、メトロロジフレーム構造体は
、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する１つ又は複数の光学素
子測定システムの一部を含む単一フレームである。複数の光学素子、パターニングデバイ
スステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデ
バイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるように配置される。矩
形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決
めされる。
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、メトロロジフレーム構造体も備え、メトロロジフレーム構造体は
、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する１つ又は複数の光学素
子測定システムの一部を含む単一フレームである。複数の光学素子、パターニングデバイ
スステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデ
バイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるように配置される。矩
形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決
めされる。
メトロロジフレーム構造を単一フレームとして設計することで、その剛性を大幅に高め
ることができるので、これは有利であり得る。それにより、メトロロジフレーム構造体の
部品公差に起因した振動に対する感度及び測定値の不確かさを抑えることができる。
ることができるので、これは有利であり得る。それにより、メトロロジフレーム構造体の
部品公差に起因した振動に対する感度及び測定値の不確かさを抑えることができる。
本発明の一実施形態によれば、複数の光学素子を含む投影系を備え、複数の光学素子は
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、メトロロジフレーム構造体も備え、メトロロジフレーム構造体は
、単一フレームであり、単一フレームは、単一部品であるか又は相互に剛接続又は強固に
接続された複数部品を含み、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定
する１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含む。複数の光学素子、パターニング
デバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素子、パターニ
ングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるように配置され
る。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に
位置決めされる。
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、メトロロジフレーム構造体も備え、メトロロジフレーム構造体は
、単一フレームであり、単一フレームは、単一部品であるか又は相互に剛接続又は強固に
接続された複数部品を含み、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定
する１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含む。複数の光学素子、パターニング
デバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素子、パターニ
ングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるように配置され
る。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に
位置決めされる。
概して、単一フレームを単一部品で、すなわちモノリシックに実現することができる。
フレームに必要とされる複雑性ゆえにこれが不可能である用途の場合、又はモノリシック
設計が不経済である場合、単一フレームを複数部品で、但し好ましくはできる限り少ない
部品で、例えば２つ、３つ、４つ、又は５つの部品により実現することもでき、これらの
部品は、装置の製造又は設置中に相互にしっかりと接続される（例えば、ねじ等により固
定される）。したがって、本発明によれば、適切に構成され接続されている場合、複数部
品フレームでも単一フレームとして働くことができる。
フレームに必要とされる複雑性ゆえにこれが不可能である用途の場合、又はモノリシック
設計が不経済である場合、単一フレームを複数部品で、但し好ましくはできる限り少ない
部品で、例えば２つ、３つ、４つ、又は５つの部品により実現することもでき、これらの
部品は、装置の製造又は設置中に相互にしっかりと接続される（例えば、ねじ等により固
定される）。したがって、本発明によれば、適切に構成され接続されている場合、複数部
品フレームでも単一フレームとして働くことができる。
本発明の一実施形態によれば、複数の光学素子を含む投影系を備え、複数の光学素子は
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備える。
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元
図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩
形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロ
ジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされ、メトロロジフレーム構造体は、光学素子位
置決め測定用の相対位置決め基準として働く。
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備える。
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元
図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩
形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロ
ジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされ、メトロロジフレーム構造体は、光学素子位
置決め測定用の相対位置決め基準として働く。
光学素子の位置及び／又は姿勢の測定中は常に、測定の基準が必要である。好ましくは
、基準の位置及び／又は姿勢は確実に知られており安定している。したがって、特にメト
ロロジフレーム構造体が本発明の１つ又は複数の態様に従って設計される場合、用途によ
ってはこれを選択するのが適切であり得る。
、基準の位置及び／又は姿勢は確実に知られており安定している。したがって、特にメト
ロロジフレーム構造体が本発明の１つ又は複数の態様に従って設計される場合、用途によ
ってはこれを選択するのが適切であり得る。
本発明の一実施形態によれば、複数の光学素子を含む投影系を備え、複数の光学素子は
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備える。
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元
図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩
形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロ
ジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされ、光学素子のうち１つは、光学素子位置決め
測定用の相対位置決め基準として働く。
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備える。
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元
図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩
形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロ
ジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされ、光学素子のうち１つは、光学素子位置決め
測定用の相対位置決め基準として働く。
素子のうち１つ（又は複数）を、用途によっては適した基準として選択することもでき
る。一般的に、投影系で放射線ビームを誘導するために、光学素子を相互に対して位置決
め及び／又は位置合わせしなければならないので、投影系内の基準、例えば１つ又は複数
の光学素子で十分であり得る。光学素子を担持するフォースフレーム構造体も、本発明に
従ってより剛直且つ精密に設計することができるので、このような基準の信頼性は極めて
良好であり得る。基準にふさわしい候補としては、パターニングデバイス（レチクル）か
らビームを直接受ける投影系の第１光学素子、例えば第１ミラーがあり得る。基準として
用いられる可能性のある別の光学素子は、放射線感光基板へ放射線ビームを誘導する投影
系内の最終光学素子、例えば最終ミラーであり得る。しかしながら、投影系内の光学素子
、例えばミラーのいずれを他の光学素子の、特に外側光学素子群の光学素子又は内側光学
素子群の光学素子の基準として用いてもよい。好ましくは、最も低剛性の光学素子が基準
として選択される。
る。一般的に、投影系で放射線ビームを誘導するために、光学素子を相互に対して位置決
め及び／又は位置合わせしなければならないので、投影系内の基準、例えば１つ又は複数
の光学素子で十分であり得る。光学素子を担持するフォースフレーム構造体も、本発明に
従ってより剛直且つ精密に設計することができるので、このような基準の信頼性は極めて
良好であり得る。基準にふさわしい候補としては、パターニングデバイス（レチクル）か
らビームを直接受ける投影系の第１光学素子、例えば第１ミラーがあり得る。基準として
用いられる可能性のある別の光学素子は、放射線感光基板へ放射線ビームを誘導する投影
系内の最終光学素子、例えば最終ミラーであり得る。しかしながら、投影系内の光学素子
、例えばミラーのいずれを他の光学素子の、特に外側光学素子群の光学素子又は内側光学
素子群の光学素子の基準として用いてもよい。好ましくは、最も低剛性の光学素子が基準
として選択される。
基準、例えば光学素子のうち１つが必ずしも全自由度に関する基準でなくてもよいこと
に留意されたい。したがって、例えば第１光学基準素子は自由度の第１部分（成分（sect
ion））に関する基準とすることができ、第２光学基準素子は自由度の第２部分（成分）
に関する基準とすることができる。６自由度のそれぞれに関する基準を個別に規定するこ
とさえ可能である。
に留意されたい。したがって、例えば第１光学基準素子は自由度の第１部分（成分（sect
ion））に関する基準とすることができ、第２光学基準素子は自由度の第２部分（成分）
に関する基準とすることができる。６自由度のそれぞれに関する基準を個別に規定するこ
とさえ可能である。
本発明の一実施形態によれば、複数の光学素子を含む投影系を備え、複数の光学素子は
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備える。
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元
図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩
形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロ
ジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされ、投影系の外側の外部構造体が、光学素子位
置決め測定用の相対位置決め基準として働く。
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備える。
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元
図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩
形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロ
ジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされ、投影系の外側の外部構造体が、光学素子位
置決め測定用の相対位置決め基準として働く。
さらに、ハウジング部分、壁等を包囲し得る外部又は周囲構造体が基準として働き得る
。投影系及び／又はフォースフレーム構造体及び／又はメトロロジフレーム構造体が、外
部構造体に剛接続又は強固に接続されている場合、このタイプの基準が特に好ましいこと
がある。
。投影系及び／又はフォースフレーム構造体及び／又はメトロロジフレーム構造体が、外
部構造体に剛接続又は強固に接続されている場合、このタイプの基準が特に好ましいこと
がある。
本発明の一実施形態によれば、複数の光学素子を含む投影系を備え、複数の光学素子は
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備える。
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元
図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩
形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロ
ジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされ、メトロロジフレーム構造体は冷却される。
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備える。
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元
図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩
形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロ
ジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされ、メトロロジフレーム構造体は冷却される。
本発明の一実施形態によれば、複数の光学素子を含む投影系を備え、複数の光学素子は
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備え、光
学素子測定システムのうち少なくとも１つは、干渉計測定システムとして設計される。複
数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図
で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形
が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジ
フレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。干渉計測定システムは、１つ又は複数の自
由度の測定用にさらに設計され、且つ／又は以下の特徴のうち１つ又は複数を含む：関連
ビームデリバリ、ファイバフィーディング、ビーム分割、ビーム曲げ、ビーム偏光クリー
ニング（beam polarization cleaning）、１つ又は複数のビーム調整マニピュレータ及び
／又は範囲制御用のターゲット／設備、測定ビーム波長追跡機、屈折率決定機、ゼロ化シ
ステム、及び／又はガス流等の外部影響からの局所的且つ／又は全域的ビーム遮蔽。
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備え、光
学素子測定システムのうち少なくとも１つは、干渉計測定システムとして設計される。複
数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図
で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形
が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジ
フレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。干渉計測定システムは、１つ又は複数の自
由度の測定用にさらに設計され、且つ／又は以下の特徴のうち１つ又は複数を含む：関連
ビームデリバリ、ファイバフィーディング、ビーム分割、ビーム曲げ、ビーム偏光クリー
ニング（beam polarization cleaning）、１つ又は複数のビーム調整マニピュレータ及び
／又は範囲制御用のターゲット／設備、測定ビーム波長追跡機、屈折率決定機、ゼロ化シ
ステム、及び／又はガス流等の外部影響からの局所的且つ／又は全域的ビーム遮蔽。
本発明の一実施形態によれば、複数の光学素子を含む投影系を備え、複数の光学素子は
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、メトロロジフレーム構造体も備え、メトロロジフレーム構造体は
、４００Ｈｚ以上の共振周波数を有し、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は
姿勢を測定する１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含む。複数の光学素子、パ
ターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素子
、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるよう
に配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は
、矩形内に位置決めされる。
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置は、メトロロジフレーム構造体も備え、メトロロジフレーム構造体は
、４００Ｈｚ以上の共振周波数を有し、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は
姿勢を測定する１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を含む。複数の光学素子、パ
ターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素子
、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるよう
に配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は
、矩形内に位置決めされる。
本発明の一実施形態によれば、複数の光学素子を含む投影系を備え、複数の光学素子は
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置はさらに、パターニングデバイス及び／又はパターニングデバイステ
ーブル、すなわちパターニングデバイスステージの位置及び／又は姿勢の測定を可能にす
るよう構成されたパターニングデバイスメトロロジフレーム構造体を備え、メトロロジフ
レーム構造体はさらに、パターニングデバイスメトロロジフレーム構造体の位置及び／又
は姿勢を測定する測定システムの一部を含む。
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置はさらに、パターニングデバイス及び／又はパターニングデバイステ
ーブル、すなわちパターニングデバイスステージの位置及び／又は姿勢の測定を可能にす
るよう構成されたパターニングデバイスメトロロジフレーム構造体を備え、メトロロジフ
レーム構造体はさらに、パターニングデバイスメトロロジフレーム構造体の位置及び／又
は姿勢を測定する測定システムの一部を含む。
本発明の一実施形態によれば、複数の光学素子を含む投影系を備え、複数の光学素子は
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置はさらに、パターニングデバイス及び／又はパターニングデバイステ
ーブル、すなわちパターニングデバイスステージの位置及び／又は姿勢の測定を可能にす
るよう構成されたパターニングデバイスメトロロジフレーム構造体を備え、メトロロジフ
レーム構造体はさらに、パターニングデバイスメトロロジフレーム構造体の位置及び／又
は姿勢を測定する測定システムの一部を含み、メトロロジフレーム構造体はさらに、パタ
ーニングデバイスメトロロジフレーム構造体の位置及び／又は姿勢の６自由度のうち第１
成分を測定するために基板メトロロジフレーム構造体の位置及び／又は姿勢を測定する測
定システムの一部を含み、複数の光学素子は、パターニングデバイスメトロロジフレーム
構造体の位置及び／又は姿勢の６自由度のうち第２部分を測定する測定システムの別途部
分（further part）を含む。
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置はさらに、パターニングデバイス及び／又はパターニングデバイステ
ーブル、すなわちパターニングデバイスステージの位置及び／又は姿勢の測定を可能にす
るよう構成されたパターニングデバイスメトロロジフレーム構造体を備え、メトロロジフ
レーム構造体はさらに、パターニングデバイスメトロロジフレーム構造体の位置及び／又
は姿勢を測定する測定システムの一部を含み、メトロロジフレーム構造体はさらに、パタ
ーニングデバイスメトロロジフレーム構造体の位置及び／又は姿勢の６自由度のうち第１
成分を測定するために基板メトロロジフレーム構造体の位置及び／又は姿勢を測定する測
定システムの一部を含み、複数の光学素子は、パターニングデバイスメトロロジフレーム
構造体の位置及び／又は姿勢の６自由度のうち第２部分を測定する測定システムの別途部
分（further part）を含む。
本発明の一実施形態によれば、複数の光学素子を含む投影系を備え、複数の光学素子は
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置はさらに、基板及び／又は基板テーブル、すなわち基板ステージの位
置及び／又は姿勢の測定を可能にするよう構成された基板メトロロジフレーム構造体を備
え、メトロロジフレーム構造体はさらに、基板メトロロジフレーム構造体の位置及び／又
は姿勢を測定する測定システムの一部を含む。
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置はさらに、基板及び／又は基板テーブル、すなわち基板ステージの位
置及び／又は姿勢の測定を可能にするよう構成された基板メトロロジフレーム構造体を備
え、メトロロジフレーム構造体はさらに、基板メトロロジフレーム構造体の位置及び／又
は姿勢を測定する測定システムの一部を含む。
本発明の一実施形態によれば、複数の光学素子を含む投影系を備え、複数の光学素子は
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置はさらに、基板及び／又は基板テーブル、すなわち基板ステージの位
置及び／又は姿勢の測定を可能にするよう構成された基板メトロロジフレーム構造体を備
え、メトロロジフレーム構造体はさらに、基板メトロロジフレーム構造体の位置及び／又
は姿勢の６自由度のうち第１成分を測定するために基板メトロロジフレーム構造体の位置
及び／又は姿勢を測定する測定システムの一部を含み、複数の光学素子は、基板メトロロ
ジフレーム構造体の位置及び／又は姿勢の６自由度のうち第２部分を測定する測定システ
ムの別途部分を含む。
放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される
。リソグラフィ装置はさらに、基板及び／又は基板テーブル、すなわち基板ステージの位
置及び／又は姿勢の測定を可能にするよう構成された基板メトロロジフレーム構造体を備
え、メトロロジフレーム構造体はさらに、基板メトロロジフレーム構造体の位置及び／又
は姿勢の６自由度のうち第１成分を測定するために基板メトロロジフレーム構造体の位置
及び／又は姿勢を測定する測定システムの一部を含み、複数の光学素子は、基板メトロロ
ジフレーム構造体の位置及び／又は姿勢の６自由度のうち第２部分を測定する測定システ
ムの別途部分を含む。
本発明の一実施形態によれば、複数の光学素子を含む投影系を備え、複数の光学素子は
、放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成され、複数の光学素子は、少なくと
も７つ、少なくとも８つ、又は少なくとも９つの光学素子を含むリソグラフィ装置が提供
される。
、放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成され、複数の光学素子は、少なくと
も７つ、少なくとも８つ、又は少なくとも９つの光学素子を含むリソグラフィ装置が提供
される。
本発明の一実施形態によれば、複数の光学素子を含む投影系を備え、複数の光学素子は
、放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成され、複数の光学素子は反射型であ
るリソグラフィ装置が提供される。
、放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成され、複数の光学素子は反射型であ
るリソグラフィ装置が提供される。
本発明の一実施形態によれば、複数の光学素子を含む投影系を備え、複数の光学素子は
、放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成され、投影系は、ＥＵＶ放射線用に
設計されるリソグラフィ装置が提供される。
、放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成され、投影系は、ＥＵＶ放射線用に
設計されるリソグラフィ装置が提供される。
本発明の一実施形態によれば、複数の光学素子を含む投影系を備え、複数の光学素子は
、放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成され、エンコーダ測定システムで測
定したメトロロジフレーム構造体から少なくとも１つの光学素子までのギャップ距離が、
５センチメートル以内であるリソグラフィ装置が提供される。
、放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成され、エンコーダ測定システムで測
定したメトロロジフレーム構造体から少なくとも１つの光学素子までのギャップ距離が、
５センチメートル以内であるリソグラフィ装置が提供される。
本発明の一実施形態によれば、複数の光学素子を含む投影系を備え、複数の光学素子は
、放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成され、干渉計測定システムで測定し
たメトロロジフレーム構造体から少なくとも１つの光学素子までのギャップ距離が、５セ
ンチメートル以上であるリソグラフィ装置が提供される。
、放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成され、干渉計測定システムで測定し
たメトロロジフレーム構造体から少なくとも１つの光学素子までのギャップ距離が、５セ
ンチメートル以上であるリソグラフィ装置が提供される。
本発明の一実施形態によれば、複数の光学素子を含む投影系を備え、複数の光学素子は
、放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成され、メトロロジフレーム構造体は
、３メートル以下の長さを有するリソグラフィ装置が提供される。
、放射線ビームを放射線感光基板に投影するよう構成され、メトロロジフレーム構造体は
、３メートル以下の長さを有するリソグラフィ装置が提供される。
本発明のさらに別の実施形態によれば、デバイス製造方法であって、投影系の複数の光
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含むデバイス製造
方法がある。複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投
影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを
囲むような矩形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定さ
れ、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含むデバイス製造
方法がある。複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投
影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを
囲むような矩形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定さ
れ、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
リソグラフィ装置に関して既に前述した特徴が、デバイス製造方法にも適用され得るこ
とが有利であり、技術上適用可能であれば、以下に記載したデバイス製造方法の特徴と組
み合わせることもできる。リソグラフィ装置に関して記載した利点は、以下に記載したデ
バイス製造方法及びその特徴に関しても有効であり得る。
とが有利であり、技術上適用可能であれば、以下に記載したデバイス製造方法の特徴と組
み合わせることもできる。リソグラフィ装置に関して記載した利点は、以下に記載したデ
バイス製造方法及びその特徴に関しても有効であり得る。
本発明のさらに別の実施形態によれば、デバイス製造方法であって、投影系の複数の光
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含むデバイス製造
方法がある。複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投
影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを
囲むような矩形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定さ
れ、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされ、複数の光学素子は、投影系の
２次元図で複数の光学素子を囲むような内側矩形が規定されるよう配置され、内側矩形は
さらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、内側矩形内に位置決
めされる。
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含むデバイス製造
方法がある。複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投
影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを
囲むような矩形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定さ
れ、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされ、複数の光学素子は、投影系の
２次元図で複数の光学素子を囲むような内側矩形が規定されるよう配置され、内側矩形は
さらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、内側矩形内に位置決
めされる。
本発明のさらに別の実施形態によれば、デバイス製造方法であって、投影系の複数の光
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含むデバイス製造
方法がある。複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投
影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを
囲むような矩形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定さ
れ、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされ、２次元図は、パターニングデ
バイスステージから基板ステージまでの放射線ビームの経路を全体的に見ることができる
投影系の図である。
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含むデバイス製造
方法がある。複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投
影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを
囲むような矩形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定さ
れ、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされ、２次元図は、パターニングデ
バイスステージから基板ステージまでの放射線ビームの経路を全体的に見ることができる
投影系の図である。
本発明のさらに別の実施形態によれば、デバイス製造方法であって、投影系の複数の光
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含むデバイス製造
方法がある。複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投
影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを
囲むような矩形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定さ
れ、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされ、２次元図は、パターニングデ
バイスステージから基板ステージまでの放射線ビームの側面図を見ることができる投影系
の図である。
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含むデバイス製造
方法がある。複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投
影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを
囲むような矩形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定さ
れ、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされ、２次元図は、パターニングデ
バイスステージから基板ステージまでの放射線ビームの側面図を見ることができる投影系
の図である。
本発明のさらに別の実施形態によれば、デバイス製造方法であって、投影系の複数の光
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含むデバイス製造
方法がある。複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投
影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを
囲むような矩形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定さ
れ、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされ、２次元図は、放射線ビームの
大部分又は全部がパターニングデバイスステージから基板ステージまで進む平面の図であ
る。
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含むデバイス製造
方法がある。複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投
影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを
囲むような矩形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定さ
れ、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされ、２次元図は、放射線ビームの
大部分又は全部がパターニングデバイスステージから基板ステージまで進む平面の図であ
る。
本発明のさらに別の実施形態によれば、デバイス製造方法であって、投影系の複数の光
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、複数の光学
素子は、外側光学素子群を含み、外側光学素子群は、メトロロジフレーム構造体を包囲す
るよう位置決めされるデバイス製造方法がある。複数の光学素子、パターニングデバイス
ステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバ
イスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるように配置される。矩形
はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決め
される。
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、複数の光学
素子は、外側光学素子群を含み、外側光学素子群は、メトロロジフレーム構造体を包囲す
るよう位置決めされるデバイス製造方法がある。複数の光学素子、パターニングデバイス
ステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバ
イスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるように配置される。矩形
はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決め
される。
本発明のさらに別の実施形態によれば、デバイス製造方法であって、投影系の複数の光
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、複数の光学
素子は、外側光学素子群を含み、外側光学素子群は、メトロロジフレーム構造体を包囲す
るよう位置決めされ、外側光学素子群は、光学素子のうち少なくとも４つ、少なくとも５
つ、少なくとも６つ、又は少なくとも７つを含むデバイス製造方法がある。複数の光学素
子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光
学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定され
るように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構
造体は、矩形内に位置決めされる。
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、複数の光学
素子は、外側光学素子群を含み、外側光学素子群は、メトロロジフレーム構造体を包囲す
るよう位置決めされ、外側光学素子群は、光学素子のうち少なくとも４つ、少なくとも５
つ、少なくとも６つ、又は少なくとも７つを含むデバイス製造方法がある。複数の光学素
子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光
学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定され
るように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構
造体は、矩形内に位置決めされる。
本発明のさらに別の実施形態によれば、デバイス製造方法であって、投影系の複数の光
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、複数の光学
素子は、外側光学素子群を含み、外側光学素子群は、メトロロジフレーム構造体を包囲す
るよう位置決めされ、外側光学素子群は、複数の光学素子のうち過半数又は全部を含むデ
バイス製造方法がある。複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステ
ージが、投影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板
ステージを囲むような矩形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小
さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、複数の光学
素子は、外側光学素子群を含み、外側光学素子群は、メトロロジフレーム構造体を包囲す
るよう位置決めされ、外側光学素子群は、複数の光学素子のうち過半数又は全部を含むデ
バイス製造方法がある。複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステ
ージが、投影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板
ステージを囲むような矩形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小
さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
本発明のさらに別の実施形態によれば、デバイス製造方法であって、投影系の複数の光
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、メトロロジ
フレーム構造体は、放射線ビームにメトロロジフレーム構造体を通過させるよう構成され
た開口を備えるデバイス製造方法がある。複数の光学素子、パターニングデバイスステー
ジ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスス
テージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるように配置される。矩形はさら
に、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる
。
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、メトロロジ
フレーム構造体は、放射線ビームにメトロロジフレーム構造体を通過させるよう構成され
た開口を備えるデバイス製造方法がある。複数の光学素子、パターニングデバイスステー
ジ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスス
テージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるように配置される。矩形はさら
に、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる
。
本発明のさらに別の実施形態によれば、デバイス製造方法であって、投影系の複数の光
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、メトロロジ
フレーム構造体は、放射線ビームにメトロロジフレーム構造体を通過させるよう構成され
た開口を備え、複数の光学素子は、内側光学素子群を含み、内側光学素子群は、メトロロ
ジフレーム構造体の開口内に少なくとも部分的に位置決めされるデバイス製造方法がある
。複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次
元図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような
矩形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロ
ロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、メトロロジ
フレーム構造体は、放射線ビームにメトロロジフレーム構造体を通過させるよう構成され
た開口を備え、複数の光学素子は、内側光学素子群を含み、内側光学素子群は、メトロロ
ジフレーム構造体の開口内に少なくとも部分的に位置決めされるデバイス製造方法がある
。複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次
元図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような
矩形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロ
ロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
本発明のさらに別の実施形態によれば、デバイス製造方法であって、投影系の複数の光
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、１つ又は複
数の光学素子測定システムは、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を光
学的に測定するよう構成されるデバイス製造方法がある。複数の光学素子、パターニング
デバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素子、パターニ
ングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるように配置され
る。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に
位置決めされる。
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、１つ又は複
数の光学素子測定システムは、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を光
学的に測定するよう構成されるデバイス製造方法がある。複数の光学素子、パターニング
デバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素子、パターニ
ングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるように配置され
る。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に
位置決めされる。
本発明のさらに別の実施形態によれば、デバイス製造方法であって、投影系の複数の光
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、光学素子測
定システムのうち過半数又は全部が、干渉計システムとして設計されるデバイス製造方法
がある。複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系
の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲む
ような矩形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、
メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、光学素子測
定システムのうち過半数又は全部が、干渉計システムとして設計されるデバイス製造方法
がある。複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系
の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲む
ような矩形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、
メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
本発明のさらに別の実施形態によれば、デバイス製造方法であって、投影系の複数の光
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、メトロロジ
フレーム構造体は、２つの異なるタイプの光学素子測定システムの一部を含むデバイス製
造方法がある。複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、
投影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージ
を囲むような矩形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定
され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、メトロロジ
フレーム構造体は、２つの異なるタイプの光学素子測定システムの一部を含むデバイス製
造方法がある。複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、
投影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージ
を囲むような矩形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定
され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
本発明のさらに別の実施形態によれば、デバイス製造方法であって、投影系の複数の光
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、メトロロジ
フレーム構造体は、２つの異なる光学素子測定システムの一部を含み、光学素子測定シス
テムは、１つ又は複数の光学エンコーダシステム及び１つ又は複数の干渉計システムとし
て設計されるデバイス製造方法がある。複数の光学素子、パターニングデバイスステージ
、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスステ
ージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるように配置される。矩形はさらに
、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、メトロロジ
フレーム構造体は、２つの異なる光学素子測定システムの一部を含み、光学素子測定シス
テムは、１つ又は複数の光学エンコーダシステム及び１つ又は複数の干渉計システムとし
て設計されるデバイス製造方法がある。複数の光学素子、パターニングデバイスステージ
、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスステ
ージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるように配置される。矩形はさらに
、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
本発明のさらに別の実施形態によれば、デバイス製造方法であって、投影系の複数の光
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、メトロロジ
フレーム構造体は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するエン
コーダ測定システムの一部を含み、且つ光学素子のうち少なくとも１つの他の光学素子の
位置及び／又は姿勢を測定する干渉測定システムの一部を含むデバイス製造方法がある。
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元
図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩
形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロ
ジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、メトロロジ
フレーム構造体は、光学素子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するエン
コーダ測定システムの一部を含み、且つ光学素子のうち少なくとも１つの他の光学素子の
位置及び／又は姿勢を測定する干渉測定システムの一部を含むデバイス製造方法がある。
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元
図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩
形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロ
ジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
本発明のさらに別の実施形態によれば、デバイス製造方法であって、投影系の複数の光
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、複数の光学
素子は、少なくとも１つ、少なくとも２つ、少なくとも３つ、少なくとも４つ、少なくと
も５つ、少なくとも６つ、又は少なくとも７つの斜入射ミラーを含むデバイス製造方法が
ある。複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の
２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むよ
うな矩形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メ
トロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、複数の光学
素子は、少なくとも１つ、少なくとも２つ、少なくとも３つ、少なくとも４つ、少なくと
も５つ、少なくとも６つ、又は少なくとも７つの斜入射ミラーを含むデバイス製造方法が
ある。複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の
２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むよ
うな矩形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メ
トロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
本発明のさらに別の実施形態によれば、デバイス製造方法であって、投影系の複数の光
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、複数の光学
素子のうち過半数又は全部が、斜入射ミラーとして設計されるデバイス製造方法がある。
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元
図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩
形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロ
ジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、複数の光学
素子のうち過半数又は全部が、斜入射ミラーとして設計されるデバイス製造方法がある。
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元
図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩
形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロ
ジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
本発明のさらに別の実施形態によれば、デバイス製造方法であって、投影系の複数の光
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、複数の光学
素子は、１つ又は複数のフォースフレーム構造体により支持され、フォースフレーム構造
体は、メトロロジフレーム構造体から独立しているデバイス製造方法がある。複数の光学
素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の
光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定さ
れるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム
構造体は、矩形内に位置決めされる。
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、複数の光学
素子は、１つ又は複数のフォースフレーム構造体により支持され、フォースフレーム構造
体は、メトロロジフレーム構造体から独立しているデバイス製造方法がある。複数の光学
素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の
光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定さ
れるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム
構造体は、矩形内に位置決めされる。
本発明のさらに別の実施形態によれば、デバイス製造方法であって、投影系の複数の光
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、メトロロジ
フレーム構造体は、単一フレームであるデバイス製造方法がある。複数の光学素子、パタ
ーニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素子、
パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるように
配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、
矩形内に位置決めされる。
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、メトロロジ
フレーム構造体は、単一フレームであるデバイス製造方法がある。複数の光学素子、パタ
ーニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素子、
パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるように
配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、
矩形内に位置決めされる。
本発明のさらに別の実施形態によれば、デバイス製造方法であって、投影系の複数の光
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、メトロロジ
フレーム構造体は、単一フレームであり、単一フレームは、単一部品であるか又は相互に
剛接続又は強固に接続された複数部品を含むデバイス製造方法がある。複数の光学素子、
パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素
子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるよ
うに配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体
は、矩形内に位置決めされる。
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、メトロロジ
フレーム構造体は、単一フレームであり、単一フレームは、単一部品であるか又は相互に
剛接続又は強固に接続された複数部品を含むデバイス製造方法がある。複数の光学素子、
パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素
子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるよ
うに配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体
は、矩形内に位置決めされる。
本発明のさらに別の実施形態によれば、デバイス製造方法であって、投影系の複数の光
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、メトロロジ
フレーム構造体は、光学素子位置決め測定用の相対位置決め基準として働くデバイス製造
方法がある。複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投
影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを
囲むような矩形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定さ
れ、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、メトロロジ
フレーム構造体は、光学素子位置決め測定用の相対位置決め基準として働くデバイス製造
方法がある。複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投
影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを
囲むような矩形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定さ
れ、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
本発明のさらに別の実施形態によれば、デバイス製造方法であって、投影系の複数の光
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、光学素子の
うち１つは、光学素子位置決め測定用の相対位置決め基準として働くデバイス製造方法が
ある。複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の
２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むよ
うな矩形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メ
トロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、光学素子の
うち１つは、光学素子位置決め測定用の相対位置決め基準として働くデバイス製造方法が
ある。複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の
２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むよ
うな矩形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メ
トロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
本発明のさらに別の実施形態によれば、デバイス製造方法であって、投影系の複数の光
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、投影系の外
側の外部構造体が、光学素子位置決め測定用の相対位置決め基準として働くデバイス製造
方法がある。複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投
影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを
囲むような矩形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定さ
れ、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、投影系の外
側の外部構造体が、光学素子位置決め測定用の相対位置決め基準として働くデバイス製造
方法がある。複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投
影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを
囲むような矩形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定さ
れ、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
本発明のさらに別の実施形態によれば、デバイス製造方法であって、投影系の複数の光
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、メトロロジ
フレーム構造体は冷却されるデバイス製造方法がある。複数の光学素子、パターニングデ
バイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素子、パターニン
グデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるように配置される
。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位
置決めされる。
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、メトロロジ
フレーム構造体は冷却されるデバイス製造方法がある。複数の光学素子、パターニングデ
バイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素子、パターニン
グデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるように配置される
。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位
置決めされる。
本発明のさらに別の実施形態によれば、デバイス製造方法であって、投影系の複数の光
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、光学測定シ
ステムのうち少なくとも１つは、干渉測定システムとして設計されるデバイス製造方法が
ある。複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の
２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むよ
うな矩形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メ
トロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。干渉計測定システムは、１つ又は
複数の自由度の測定用に設計され、且つ／又は以下の特徴のうち１つ又は複数を含む：関
連ビームデリバリ、ファイバフィーディング、ビーム分割、ビーム曲げ、ビーム偏光クリ
ーニング、１つ又は複数のビーム調整マニピュレータ及び／又は範囲制御用のターゲット
／設備、測定ビーム波長追跡機、屈折率決定機、ゼロ化システム、及び／又はガス流等の
外部影響からの局所的且つ／又は全域的ビーム遮蔽。
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、光学測定シ
ステムのうち少なくとも１つは、干渉測定システムとして設計されるデバイス製造方法が
ある。複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の
２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むよ
うな矩形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メ
トロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。干渉計測定システムは、１つ又は
複数の自由度の測定用に設計され、且つ／又は以下の特徴のうち１つ又は複数を含む：関
連ビームデリバリ、ファイバフィーディング、ビーム分割、ビーム曲げ、ビーム偏光クリ
ーニング、１つ又は複数のビーム調整マニピュレータ及び／又は範囲制御用のターゲット
／設備、測定ビーム波長追跡機、屈折率決定機、ゼロ化システム、及び／又はガス流等の
外部影響からの局所的且つ／又は全域的ビーム遮蔽。
本発明のさらに別の実施形態によれば、デバイス製造方法であって、投影系の複数の光
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、メトロロジ
フレーム構造体は、４００Ｈｚ以上の共振周波数を有するデバイス製造方法がある。複数
の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が
規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフ
レーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、メトロロジ
フレーム構造体は、４００Ｈｚ以上の共振周波数を有するデバイス製造方法がある。複数
の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で
複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が
規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフ
レーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
本発明のさらに別の実施形態によれば、デバイス製造方法であって、投影系の複数の光
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、メトロロジ
フレーム構造体に取り付けられた測定システムの少なくとも一部を用いて、パターニング
デバイスメトロロジフレーム構造体の位置及び／又は姿勢を測定するステップをさらに含
み、パターニングデバイスメトロロジフレーム構造体は、パターニングデバイス及び／又
はパターニングデバイステーブル、すなわちパターニングデバイスステージの位置及び／
又は姿勢の測定を可能にするよう構成されるデバイス製造方法がある。複数の光学素子、
パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素
子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるよ
うに配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体
は、矩形内に位置決めされる。
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、メトロロジ
フレーム構造体に取り付けられた測定システムの少なくとも一部を用いて、パターニング
デバイスメトロロジフレーム構造体の位置及び／又は姿勢を測定するステップをさらに含
み、パターニングデバイスメトロロジフレーム構造体は、パターニングデバイス及び／又
はパターニングデバイステーブル、すなわちパターニングデバイスステージの位置及び／
又は姿勢の測定を可能にするよう構成されるデバイス製造方法がある。複数の光学素子、
パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素
子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるよ
うに配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体
は、矩形内に位置決めされる。
本発明のさらに別の実施形態によれば、デバイス製造方法であって、投影系の複数の光
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、パターニン
グデバイスメトロロジフレーム構造体の位置及び／又は姿勢の６自由度のうち第１成分を
測定するメトロロジフレーム構造体に取り付けられた測定システムの一部を用いて、パタ
ーニングデバイスメトロロジフレーム構造体の位置及び／又は姿勢を測定するステップを
さらに含み、複数の光学素子は、パターニングデバイスメトロロジフレーム構造体の位置
及び／又は姿勢の６自由度のうち第２成分を測定する測定システムの別途部分を含み、パ
ターニングデバイスメトロロジフレーム構造体は、パターニングデバイス及び／又はパタ
ーニングデバイステーブル、すなわちパターニングデバイスステージの位置及び／又は姿
勢の測定を可能にするよう構成されるデバイス製造方法がある。複数の光学素子、パター
ニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素子、パ
ターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるように配
置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩
形内に位置決めされる。
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、パターニン
グデバイスメトロロジフレーム構造体の位置及び／又は姿勢の６自由度のうち第１成分を
測定するメトロロジフレーム構造体に取り付けられた測定システムの一部を用いて、パタ
ーニングデバイスメトロロジフレーム構造体の位置及び／又は姿勢を測定するステップを
さらに含み、複数の光学素子は、パターニングデバイスメトロロジフレーム構造体の位置
及び／又は姿勢の６自由度のうち第２成分を測定する測定システムの別途部分を含み、パ
ターニングデバイスメトロロジフレーム構造体は、パターニングデバイス及び／又はパタ
ーニングデバイステーブル、すなわちパターニングデバイスステージの位置及び／又は姿
勢の測定を可能にするよう構成されるデバイス製造方法がある。複数の光学素子、パター
ニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素子、パ
ターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるように配
置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩
形内に位置決めされる。
本発明のさらに別の実施形態によれば、デバイス製造方法であって、投影系の複数の光
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、メトロロジ
フレーム構造体に取り付けられた測定システムの少なくとも一部を用いて、基板メトロロ
ジフレーム構造体の位置及び／又は姿勢を測定するステップをさらに含み、基板メトロロ
ジフレーム構造体は、基板及び／又は基板テーブル、すなわち基板ステージの位置及び／
又は姿勢の測定を可能にするよう構成されるデバイス製造方法がある。複数の光学素子、
パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素
子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるよ
うに配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体
は、矩形内に位置決めされる。
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、メトロロジ
フレーム構造体に取り付けられた測定システムの少なくとも一部を用いて、基板メトロロ
ジフレーム構造体の位置及び／又は姿勢を測定するステップをさらに含み、基板メトロロ
ジフレーム構造体は、基板及び／又は基板テーブル、すなわち基板ステージの位置及び／
又は姿勢の測定を可能にするよう構成されるデバイス製造方法がある。複数の光学素子、
パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素
子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるよ
うに配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体
は、矩形内に位置決めされる。
本発明のさらに別の実施形態によれば、デバイス製造方法であって、投影系の複数の光
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、基板メトロ
ロジフレーム構造体の位置及び／又は姿勢の６自由度のうち第１成分を測定するメトロロ
ジフレーム構造体に取り付けられた測定システムの一部を用いて、基板メトロロジフレー
ム構造体の位置及び／又は姿勢を測定するステップをさらに含み、複数の光学素子は、基
板メトロロジフレーム構造体の位置及び／又は姿勢の６自由度のうち第２成分を測定する
測定システムの別途部分を含み、基板メトロロジフレーム構造体は、基板及び／又は基板
テーブル、すなわち基板ステージの位置及び／又は姿勢の測定を可能にするよう構成され
るデバイス製造方法がある。複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板
ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び
基板ステージを囲むような矩形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限
り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、基板メトロ
ロジフレーム構造体の位置及び／又は姿勢の６自由度のうち第１成分を測定するメトロロ
ジフレーム構造体に取り付けられた測定システムの一部を用いて、基板メトロロジフレー
ム構造体の位置及び／又は姿勢を測定するステップをさらに含み、複数の光学素子は、基
板メトロロジフレーム構造体の位置及び／又は姿勢の６自由度のうち第２成分を測定する
測定システムの別途部分を含み、基板メトロロジフレーム構造体は、基板及び／又は基板
テーブル、すなわち基板ステージの位置及び／又は姿勢の測定を可能にするよう構成され
るデバイス製造方法がある。複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板
ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び
基板ステージを囲むような矩形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限
り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
本発明のさらに別の実施形態によれば、デバイス製造方法であって、投影系の複数の光
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、複数の光学
素子は、少なくとも７つ、少なくとも８つ、又は少なくとも９つの光学素子を含むデバイ
ス製造方法がある。複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージ
が、投影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステ
ージを囲むような矩形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく
規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、複数の光学
素子は、少なくとも７つ、少なくとも８つ、又は少なくとも９つの光学素子を含むデバイ
ス製造方法がある。複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージ
が、投影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステ
ージを囲むような矩形が規定されるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく
規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めされる。
本発明のさらに別の実施形態によれば、デバイス製造方法であって、投影系の複数の光
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、複数の光学
素子は反射型であるデバイス製造方法がある。複数の光学素子、パターニングデバイスス
テージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイ
スステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるように配置される。矩形は
さらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めさ
れる。
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、複数の光学
素子は反射型であるデバイス製造方法がある。複数の光学素子、パターニングデバイスス
テージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバイ
スステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるように配置される。矩形は
さらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決めさ
れる。
本発明のさらに別の実施形態によれば、デバイス製造方法であって、投影系の複数の光
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、ビームは主
にＥＵＶ放射線であるデバイス製造方法がある。複数の光学素子、パターニングデバイス
ステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバ
イスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるように配置される。矩形
はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決め
される。
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、ビームは主
にＥＵＶ放射線であるデバイス製造方法がある。複数の光学素子、パターニングデバイス
ステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学素子、パターニングデバ
イスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定されるように配置される。矩形
はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体は、矩形内に位置決め
される。
本発明のさらに別の実施形態によれば、デバイス製造方法であって、投影系の複数の光
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、エンコーダ
測定システムで測定したメトロロジフレーム構造体から少なくとも１つの光学素子までの
ギャップ距離が、５センチメートル以内であるデバイス製造方法がある。複数の光学素子
、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学
素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定される
ように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造
体は、矩形内に位置決めされる。
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、エンコーダ
測定システムで測定したメトロロジフレーム構造体から少なくとも１つの光学素子までの
ギャップ距離が、５センチメートル以内であるデバイス製造方法がある。複数の光学素子
、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学
素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定される
ように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造
体は、矩形内に位置決めされる。
本発明のさらに別の実施形態によれば、デバイス製造方法であって、投影系の複数の光
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、干渉計測定
システムで測定したメトロロジフレーム構造体から少なくとも１つの他の光学素子までの
ギャップ距離が、５センチメートル以上であるデバイス製造方法がある。複数の光学素子
、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学
素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定される
ように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造
体は、矩形内に位置決めされる。
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、干渉計測定
システムで測定したメトロロジフレーム構造体から少なくとも１つの他の光学素子までの
ギャップ距離が、５センチメートル以上であるデバイス製造方法がある。複数の光学素子
、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の光学
素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定される
ように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造
体は、矩形内に位置決めされる。
本発明のさらに別の実施形態によれば、デバイス製造方法であって、投影系の複数の光
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、メトロロジ
フレーム構造体は、３メートル以下の長さを有するデバイス製造方法がある。複数の光学
素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の
光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定さ
れるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム
構造体は、矩形内に位置決めされる。
学素子を介して放射線ビームを放射線感光基板に投影するステップと、メトロロジフレー
ム構造体に取り付けられた１つ又は複数の光学素子測定システムの一部を用いて、光学素
子のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定するステップとを含み、メトロロジ
フレーム構造体は、３メートル以下の長さを有するデバイス製造方法がある。複数の光学
素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージが、投影系の２次元図で複数の
光学素子、パターニングデバイスステージ、及び基板ステージを囲むような矩形が規定さ
れるように配置される。矩形はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム
構造体は、矩形内に位置決めされる。
本明細書は、リソグラフィ装置、デバイス製造方法及びプロセス、及びより詳細にはリ
ソグラフィ装置における光学素子の位置及び／又は姿勢を測定するシステム及び方法にも
関する別の発明を含む。当該他方の発明は、以下の特徴を特徴とする。
ソグラフィ装置における光学素子の位置及び／又は姿勢を測定するシステム及び方法にも
関する別の発明を含む。当該他方の発明は、以下の特徴を特徴とする。
他方の発明によれば、複数の光学素子を含む投影系を備え、複数の光学素子は放射線ビ
ームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される。リソグ
ラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置を測定する１つ又は複数の光学素子
測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備える。複数の光学素子は、外側
光学素子群を含み、外側光学素子群は、メトロロジフレーム構造体を包囲するよう位置決
めされる。
ームを放射線感光基板に投影するよう構成されるリソグラフィ装置が提供される。リソグ
ラフィ装置は、光学素子のうち少なくとも１つの位置を測定する１つ又は複数の光学素子
測定システムの一部を含むメトロロジフレーム構造体も備える。複数の光学素子は、外側
光学素子群を含み、外側光学素子群は、メトロロジフレーム構造体を包囲するよう位置決
めされる。
技術上適用可能であれば、第１発明に関して既に前述した特徴が他方の発明にも適用さ
れ得ることが有利である。第１発明に関して記載した利点は、他方の発明に関しても有効
であり得る。
れ得ることが有利である。第１発明に関して記載した利点は、他方の発明に関しても有効
であり得る。
以下において、本発明のいくつかの適用例を図面に従って説明する。図は好ましい適用
例を、したがって本発明の特徴を組み合わせて示すものである。しかしながら、いずれの
適用例の特徴も、同じ適用例の他の特徴から分離して実現することもでき、したがって当
業者が難なく本発明の他の特徴と組み替えることができる。
例を、したがって本発明の特徴を組み合わせて示すものである。しかしながら、いずれの
適用例の特徴も、同じ適用例の他の特徴から分離して実現することもでき、したがって当
業者が難なく本発明の他の特徴と組み替えることができる。
図１は、例示的なリソグラフィ装置を概略的に示す。本装置は、
放射線ビームＢを調節する照明系ＩＬであり、特にこの場合、放射源ＳＯも含む照明系
ＩＬと、
パターニングデバイスＭＡ（例えば、レチクル）を保持するパターニングデバイスホル
ダが設けられ、且つアイテムＰＳに関してパターニングデバイスを正確に位置決めする第
１ポジショナＰＭに接続された第１オブジェクトテーブル（例えば、マスクテーブル）Ｍ
Ｔと、
基板Ｗ（例えば、レジスト塗布シリコンウェハ）を保持する基板ホルダが設けられ、且
つアイテムＰＳに関して基板を正確に位置決めする第２ポジショナＰＷに接続された第２
オブジェクトテーブル(基板テーブル)ＷＴと、
パターニングデバイスＭＡの照射部分を基板Ｗの（例えば、１つ又は複数のダイを含む
）ターゲット部分Ｃに結像する投影系ＰＳ（例えば、屈折、反射、又は反射屈折光学系）
と
を備える。
放射線ビームＢを調節する照明系ＩＬであり、特にこの場合、放射源ＳＯも含む照明系
ＩＬと、
パターニングデバイスＭＡ（例えば、レチクル）を保持するパターニングデバイスホル
ダが設けられ、且つアイテムＰＳに関してパターニングデバイスを正確に位置決めする第
１ポジショナＰＭに接続された第１オブジェクトテーブル（例えば、マスクテーブル）Ｍ
Ｔと、
基板Ｗ（例えば、レジスト塗布シリコンウェハ）を保持する基板ホルダが設けられ、且
つアイテムＰＳに関して基板を正確に位置決めする第２ポジショナＰＷに接続された第２
オブジェクトテーブル(基板テーブル)ＷＴと、
パターニングデバイスＭＡの照射部分を基板Ｗの（例えば、１つ又は複数のダイを含む
）ターゲット部分Ｃに結像する投影系ＰＳ（例えば、屈折、反射、又は反射屈折光学系）
と
を備える。
本明細書に示すように、本装置は透過型である（すなわち、透過マスクを有する）。し
かしながら、概して、本装置は例えば（反射マスクを有する）反射型でもあり得る。代替
的に、本装置は、典型的なマスクの使用の代わりに別の種類のパターニングデバイスを用
いることができ、例として、プログラマブルミラーアレイ又はＬＣＤマトリックスが挙げ
られる。
かしながら、概して、本装置は例えば（反射マスクを有する）反射型でもあり得る。代替
的に、本装置は、典型的なマスクの使用の代わりに別の種類のパターニングデバイスを用
いることができ、例として、プログラマブルミラーアレイ又はＬＣＤマトリックスが挙げ
られる。
支持構造体ＭＴは、パターニングデバイスを保持する。支持構造体ＭＴは、パターニン
グデバイスの姿勢、リソグラフィ装置の設計、及び他の条件、例えばパターニングデバイ
スが真空環境で保持されるか否か等に応じた方法でパターニングデバイスを保持する。支
持構造体ＭＴは、機械、真空、静電、又は他のクランピング技術を用いてパターニングデ
バイスを保持することができる。支持構造体ＭＴは、例えば、必要に応じて固定又は可動
であり得るフレーム又はテーブルであり得る。支持構造体ＭＴは、パターニングデバイス
が例えば投影系に対して所望の位置にあることを確実にし得る。本明細書中での用語「レ
チクル」又は「マスク」の使用は、より一般的な用語「パターニングデバイス」と同義で
あると考えることができる。
グデバイスの姿勢、リソグラフィ装置の設計、及び他の条件、例えばパターニングデバイ
スが真空環境で保持されるか否か等に応じた方法でパターニングデバイスを保持する。支
持構造体ＭＴは、機械、真空、静電、又は他のクランピング技術を用いてパターニングデ
バイスを保持することができる。支持構造体ＭＴは、例えば、必要に応じて固定又は可動
であり得るフレーム又はテーブルであり得る。支持構造体ＭＴは、パターニングデバイス
が例えば投影系に対して所望の位置にあることを確実にし得る。本明細書中での用語「レ
チクル」又は「マスク」の使用は、より一般的な用語「パターニングデバイス」と同義で
あると考えることができる。
放射源ＳＯ（例えば、水銀ランプ又はエキシマレーザ）は、放射線ビームを生成する。
このビームは、照明系（イルミネータ）ＩＬへ直接、又はビームエキスパンダ等のコンデ
ィショナを通った後に送られる。イルミネータＩＬは、ビームの強度分布の外径及び／又
は内径範囲（それぞれ一般に外側σ及び内側σと称する）を設定するよう構成されたアジ
ャスタＡＤを含み得る。さらに、イルミネータＩＬは概して、インテグレータＩＮ及びコ
ンデンサＣＯ等のさまざまな他のコンポーネントを含む。このように、パターニングデバ
イスＭＡに入射するビームＢは、その断面において所望の均一性及び強度分布を有する。
このビームは、照明系（イルミネータ）ＩＬへ直接、又はビームエキスパンダ等のコンデ
ィショナを通った後に送られる。イルミネータＩＬは、ビームの強度分布の外径及び／又
は内径範囲（それぞれ一般に外側σ及び内側σと称する）を設定するよう構成されたアジ
ャスタＡＤを含み得る。さらに、イルミネータＩＬは概して、インテグレータＩＮ及びコ
ンデンサＣＯ等のさまざまな他のコンポーネントを含む。このように、パターニングデバ
イスＭＡに入射するビームＢは、その断面において所望の均一性及び強度分布を有する。
図１に関して、（例えば、放射源ＳＯが水銀ランプである場合によくあるように）放射
源ＳＯはリソグラフィ装置のハウジング内にあり得るが、リソグラフィ装置から遠隔にあ
って、生成される放射線ビームが（例えば、適当な誘導ミラー（directing mirrors）Ｂ
Ｄを用いて）装置へ導かれる場合もあることに留意されたい。この後者のシナリオは、放
射源ＳＯが（例えば、ＫｒＦ、ＡｒＦ、又はＦ２レージングに基づく）エキシマレーザで
ある場合によくある。
源ＳＯはリソグラフィ装置のハウジング内にあり得るが、リソグラフィ装置から遠隔にあ
って、生成される放射線ビームが（例えば、適当な誘導ミラー（directing mirrors）Ｂ
Ｄを用いて）装置へ導かれる場合もあることに留意されたい。この後者のシナリオは、放
射源ＳＯが（例えば、ＫｒＦ、ＡｒＦ、又はＦ２レージングに基づく）エキシマレーザで
ある場合によくある。
ビームＢは、続いて、パターニングデバイステーブルＭＴ上に保持されたパターニング
デバイスＭＡに入射する。パターニングデバイスＭＡを通ると、ビームＢは投影系ＰＳを
通過し、投影系ＰＳは、ビームＢを基板Ｗのターゲット部分Ｃに集束させる。第２ポジシ
ョナＰＷ（及び干渉計ＩＦ）を用いて、例えばビームＢの経路内に異なるターゲット部分
Ｃを位置決めするように基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、例
えばパターニングデバイスライブラリからのパターニングデバイスＭＡの機械的回収後又
は走査中に、第１ポジショナＰＭを用いて、ビームＢの経路に関してパターニングデバイ
スＭＡを正確に位置決めすることができる。概して、オブジェクトテーブルＭＴ、ＷＴの
移動は、長行程モジュール（粗動位置決め）及び短行程モジュール（微動位置決め）を用
いて実現されるが、これらは図１には明確に示されていない。
デバイスＭＡに入射する。パターニングデバイスＭＡを通ると、ビームＢは投影系ＰＳを
通過し、投影系ＰＳは、ビームＢを基板Ｗのターゲット部分Ｃに集束させる。第２ポジシ
ョナＰＷ（及び干渉計ＩＦ）を用いて、例えばビームＢの経路内に異なるターゲット部分
Ｃを位置決めするように基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、例
えばパターニングデバイスライブラリからのパターニングデバイスＭＡの機械的回収後又
は走査中に、第１ポジショナＰＭを用いて、ビームＢの経路に関してパターニングデバイ
スＭＡを正確に位置決めすることができる。概して、オブジェクトテーブルＭＴ、ＷＴの
移動は、長行程モジュール（粗動位置決め）及び短行程モジュール（微動位置決め）を用
いて実現されるが、これらは図１には明確に示されていない。
パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマー
クＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いて位置合わせされ得る。図示
の基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占めているが、これらはターゲッ
ト部分間の空間に位置付けられてもよい（これらは、スクライブレーンアライメントマー
クとして知られている）。同様に、２つ以上のダイがパターニングデバイス（例えば、マ
スク）ＭＡ上に設けられる状況では、パターニングデバイスアライメントマークがダイ間
に位置付けられ得る。小さなアライメントマーカがダイ内のデバイスフィーチャ間に含ま
れていてもよく、その場合、マーカができる限り小さく、隣接するフィーチャとは異なる
結像又はプロセス条件を必要としないことが望ましい。
クＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いて位置合わせされ得る。図示
の基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占めているが、これらはターゲッ
ト部分間の空間に位置付けられてもよい（これらは、スクライブレーンアライメントマー
クとして知られている）。同様に、２つ以上のダイがパターニングデバイス（例えば、マ
スク）ＭＡ上に設けられる状況では、パターニングデバイスアライメントマークがダイ間
に位置付けられ得る。小さなアライメントマーカがダイ内のデバイスフィーチャ間に含ま
れていてもよく、その場合、マーカができる限り小さく、隣接するフィーチャとは異なる
結像又はプロセス条件を必要としないことが望ましい。
本明細書で用いられる用語「マスク」又は「パターニングデバイス」は、基板のターゲ
ット部分にパターンを形成するようなパターンの（すなわち、基板のターゲット部分に形
成されるパターンに対応する）断面を放射線ビームに付与するために用いることができる
任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。なお、放射線ビームに付
与されるパターンは、例えば位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含
む場合には基板のターゲット部分における所望のパターンに正確に対応しなくてもよい。
概して、放射線ビームに付与されるパターンは、集積回路等のターゲット部分に形成され
ているデバイスの特定の機能層に対応する。
ット部分にパターンを形成するようなパターンの（すなわち、基板のターゲット部分に形
成されるパターンに対応する）断面を放射線ビームに付与するために用いることができる
任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。なお、放射線ビームに付
与されるパターンは、例えば位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含
む場合には基板のターゲット部分における所望のパターンに正確に対応しなくてもよい。
概して、放射線ビームに付与されるパターンは、集積回路等のターゲット部分に形成され
ているデバイスの特定の機能層に対応する。
本明細書で用いられる用語「投影系」は、使用される露光放射線に、又は浸液の使用若
しくは真空の使用等の他の要因に適切とされる、屈折、反射、反射屈折、磁気、電磁、及
び静電光学系、又はこれらの任意の組み合わせを含む任意のタイプの投影系を包含するも
のとして広義に解釈されるべきである。用語「投影系」は、集合的に又は単独で投影放射
線ビームを誘導、整形、又は制御するためにこれらの設計タイプのいずれかに従って動作
するコンポーネントも含み得る。
しくは真空の使用等の他の要因に適切とされる、屈折、反射、反射屈折、磁気、電磁、及
び静電光学系、又はこれらの任意の組み合わせを含む任意のタイプの投影系を包含するも
のとして広義に解釈されるべきである。用語「投影系」は、集合的に又は単独で投影放射
線ビームを誘導、整形、又は制御するためにこれらの設計タイプのいずれかに従って動作
するコンポーネントも含み得る。
典型的なマスク（透過又は反射；バイナリ、位相シフト（レベンソン型（alternating
）位相シフト及び減衰型位相シフト）、ハイブリッド等）のほかに、他のこのようなパタ
ーニングデバイスの例として以下のものが挙げられる。
・プログラマブルミラーアレイ。かかるデバイスの例は、入射放射線ビームを異なる方向
に反射するようそれぞれを個別に傾斜させることができる小さなミラーのマトリックス配
置を用いる。傾斜ミラーは、ミラーマトリックスにより反射された放射線ビームにパター
ンを付与する。例えば、かかるデバイスは、粘弾性制御層及び反射面を有するマトリック
スアドレス可能（matrix-adressable）面を有し得る。このような装置の基本原理は、（
例えば）反射面のアドレス領域が入射放射線を回折放射線として反射する一方で、非アド
レス領域は入射放射線を非回折放射線として反射するというものである。適当なフィルタ
を用いて、回折放射線のみをそのままにして非回折放射線を反射ビームから除去すること
ができる。このようにして、ビームはマトリックスアドレス可能面のアドレスパターンに
従ってパターン化される。必要なマトリックスアドレッシングは、適当なエレクトロニク
スを用いて行うことができる。
・プログラマブルＬＣＤアレイ。
）位相シフト及び減衰型位相シフト）、ハイブリッド等）のほかに、他のこのようなパタ
ーニングデバイスの例として以下のものが挙げられる。
・プログラマブルミラーアレイ。かかるデバイスの例は、入射放射線ビームを異なる方向
に反射するようそれぞれを個別に傾斜させることができる小さなミラーのマトリックス配
置を用いる。傾斜ミラーは、ミラーマトリックスにより反射された放射線ビームにパター
ンを付与する。例えば、かかるデバイスは、粘弾性制御層及び反射面を有するマトリック
スアドレス可能（matrix-adressable）面を有し得る。このような装置の基本原理は、（
例えば）反射面のアドレス領域が入射放射線を回折放射線として反射する一方で、非アド
レス領域は入射放射線を非回折放射線として反射するというものである。適当なフィルタ
を用いて、回折放射線のみをそのままにして非回折放射線を反射ビームから除去すること
ができる。このようにして、ビームはマトリックスアドレス可能面のアドレスパターンに
従ってパターン化される。必要なマトリックスアドレッシングは、適当なエレクトロニク
スを用いて行うことができる。
・プログラマブルＬＣＤアレイ。
リソグラフィ装置は、２つ以上の支持構造体（例えば、基板ステージ又は基板テーブル
等の２つ以上の基板支持構造体及び／又はパターニングデバイス用の２つ以上の支持構造
体）を有するタイプのものであり得る。複数の基板ステージを有する装置では、全部の基
板ステージが同等で交換可能であり得る。一実施形態では、複数の基板ステージのうち少
なくとも１つが、特に露光ステップ用に構成され、複数の基板ステージのうち少なくとも
１つが、特に測定ステップ又は準備ステップ用に構成される。一実施形態では、複数の基
板ステージのうち１つ又は複数は、測定ステージに置き換えられる。測定ステージは、セ
ンサ検出器等の１つ又は複数のセンサシステム及び／又はセンサシステムのターゲットの
少なくとも一部を含むが、基板を支持しない。測定ステージは、基板ステージ又はパター
ニングデバイス用の支持構造体の代わりに投影ビーム内に位置決め可能である。複数の支
持ステージを有する装置において、付加的なステージを並行して用いてもよく、又は１つ
又は複数の他のステージを露光に用いながら１つ又は複数のステージ上で準備ステップを
実行してもよい。
等の２つ以上の基板支持構造体及び／又はパターニングデバイス用の２つ以上の支持構造
体）を有するタイプのものであり得る。複数の基板ステージを有する装置では、全部の基
板ステージが同等で交換可能であり得る。一実施形態では、複数の基板ステージのうち少
なくとも１つが、特に露光ステップ用に構成され、複数の基板ステージのうち少なくとも
１つが、特に測定ステップ又は準備ステップ用に構成される。一実施形態では、複数の基
板ステージのうち１つ又は複数は、測定ステージに置き換えられる。測定ステージは、セ
ンサ検出器等の１つ又は複数のセンサシステム及び／又はセンサシステムのターゲットの
少なくとも一部を含むが、基板を支持しない。測定ステージは、基板ステージ又はパター
ニングデバイス用の支持構造体の代わりに投影ビーム内に位置決め可能である。複数の支
持ステージを有する装置において、付加的なステージを並行して用いてもよく、又は１つ
又は複数の他のステージを露光に用いながら１つ又は複数のステージ上で準備ステップを
実行してもよい。
図２は、別の例示的なリソグラフィ装置１０００を概略的に示す。リソグラフィ装置１
０００は、
放射線ビームＢ（例えば、ＥＵＶ放射線）を調節するよう構成された照明系（イルミネ
ータ）ＩＬと、
パターニングデバイス（例えば、マスク又はレチクル）ＭＡを支持するよう構成されて
おり、且つパターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成された第１ポジショナＰ
Ｍに接続された支持構造体（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
基板(例えば、レジスト塗布ウェハ)Ｗを保持するよう構成されており、且つ基板を正確
に位置決めするよう構成された第２ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えば、
ウェハテーブル）ＷＴと、
パターニングデバイスＭＡにより放射線ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの（例
えば、１つ又は複数のダイを含む)ターゲット部分に投影するよう構成された投影系(例え
ば、反射投影系)ＰＳと
を含む。
０００は、
放射線ビームＢ（例えば、ＥＵＶ放射線）を調節するよう構成された照明系（イルミネ
ータ）ＩＬと、
パターニングデバイス（例えば、マスク又はレチクル）ＭＡを支持するよう構成されて
おり、且つパターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成された第１ポジショナＰ
Ｍに接続された支持構造体（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
基板(例えば、レジスト塗布ウェハ)Ｗを保持するよう構成されており、且つ基板を正確
に位置決めするよう構成された第２ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えば、
ウェハテーブル）ＷＴと、
パターニングデバイスＭＡにより放射線ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの（例
えば、１つ又は複数のダイを含む)ターゲット部分に投影するよう構成された投影系(例え
ば、反射投影系)ＰＳと
を含む。
リソグラフィ装置１０００は、ソースコレクタモジュールＳＯをさらに備える。
ここに図示するように、装置１０００は反射型である（例えば、反射マスクを用いる）
。なお、大抵の材料はＥＵＶ波長域内で吸収性があるので、パターニングデバイスは、例
えばモリブデン及びケイ素のマルチスタックを含む多層膜反射鏡を有し得る。一例では、
マルチスタック反射鏡は、４０層対のモリブデン及びケイ素を有する。さらに短い波長も
Ｘ線リソグラフィで生成され得る。大抵の材料はＥＵＶ及びＸ線波長で吸収性があるので
、パターニングデバイストポグラフィ上の薄いパターン状の吸収材料（例えば、多層膜反
射鏡上のＴａＮ吸収体）が、フィーチャをプリントする場所（ポジ型レジスト）及びしな
い場所（ネガ型レジスト）を定める。
。なお、大抵の材料はＥＵＶ波長域内で吸収性があるので、パターニングデバイスは、例
えばモリブデン及びケイ素のマルチスタックを含む多層膜反射鏡を有し得る。一例では、
マルチスタック反射鏡は、４０層対のモリブデン及びケイ素を有する。さらに短い波長も
Ｘ線リソグラフィで生成され得る。大抵の材料はＥＵＶ及びＸ線波長で吸収性があるので
、パターニングデバイストポグラフィ上の薄いパターン状の吸収材料（例えば、多層膜反
射鏡上のＴａＮ吸収体）が、フィーチャをプリントする場所（ポジ型レジスト）及びしな
い場所（ネガ型レジスト）を定める。
図２を参照すると、イルミネータＩＬは、ソースコレクタモジュールＳＯから極紫外（
ＥＵＶ）放射線ビームを受け取る。ＥＵＶ放射線を生成する方法は、ＥＵＶ域で１つ又は
複数の輝線を有する少なくとも１つの元素、例えばキセノン、リチウム、又はスズを有す
る材料をプラズマ状態に変換することを含むが、必ずしもこれに限定されない。レーザ生
成プラズマ（「ＬＰＰ」）と称する場合が多いこのような一方法では、線発光元素を有す
る物質の小滴、流れ、又はクラスタ等の燃料にレーザビームを照射することにより、プラ
ズマを生成することができる。ソースコレクタモジュールＳＯは、燃料を励起するレーザ
ビームを提供するための図２には不図示のレーザを含むＥＵＶ放射システムの一部であり
得る。得られるプラズマは、出力放射線、例えばＥＵＶ放射線を放出し、これがソースコ
レクタモジュール内に配置された放射線コレクタを用いて集光される。例えばＣＯ２レー
ザを用いて燃料励起用のレーザビームを提供する場合、レーザ及びソースコレクタモジュ
ールは別個のものであり得る。
ＥＵＶ）放射線ビームを受け取る。ＥＵＶ放射線を生成する方法は、ＥＵＶ域で１つ又は
複数の輝線を有する少なくとも１つの元素、例えばキセノン、リチウム、又はスズを有す
る材料をプラズマ状態に変換することを含むが、必ずしもこれに限定されない。レーザ生
成プラズマ（「ＬＰＰ」）と称する場合が多いこのような一方法では、線発光元素を有す
る物質の小滴、流れ、又はクラスタ等の燃料にレーザビームを照射することにより、プラ
ズマを生成することができる。ソースコレクタモジュールＳＯは、燃料を励起するレーザ
ビームを提供するための図２には不図示のレーザを含むＥＵＶ放射システムの一部であり
得る。得られるプラズマは、出力放射線、例えばＥＵＶ放射線を放出し、これがソースコ
レクタモジュール内に配置された放射線コレクタを用いて集光される。例えばＣＯ２レー
ザを用いて燃料励起用のレーザビームを提供する場合、レーザ及びソースコレクタモジュ
ールは別個のものであり得る。
このような場合、レーザは、リソグラフィ装置の一部を形成するとは考えられず、放射
線ビームは、例えば適当な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバ
リシステムを用いてレーザからソースコレクタモジュールへ送られる。他の場合では、例
えば放射源が、ＤＰＰ源と称する場合が多い放電プラズマＥＵＶ発生装置である場合、放
射源はソースコレクタモジュールの一体部分であり得る。
線ビームは、例えば適当な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバ
リシステムを用いてレーザからソースコレクタモジュールへ送られる。他の場合では、例
えば放射源が、ＤＰＰ源と称する場合が多い放電プラズマＥＵＶ発生装置である場合、放
射源はソースコレクタモジュールの一体部分であり得る。
イルミネータＩＬは、放射線ビームの角度強度分布を調整するよう構成されたアジャス
タを含み得る。概して、イルミネータの瞳平面内の強度分布の少なくとも外径及び／又は
内径範囲（それぞれ一般に外側σ及び内側σと称する）が調整され得る。さらに、イルミ
ネータＩＬは、ファセット視野及び瞳ミラーデバイス等のさまざまな他のコンポーネント
を含み得る。イルミネータを用いて、放射線ビームをその断面で所望の均一性及び強度分
布を有するよう調節することができる。
タを含み得る。概して、イルミネータの瞳平面内の強度分布の少なくとも外径及び／又は
内径範囲（それぞれ一般に外側σ及び内側σと称する）が調整され得る。さらに、イルミ
ネータＩＬは、ファセット視野及び瞳ミラーデバイス等のさまざまな他のコンポーネント
を含み得る。イルミネータを用いて、放射線ビームをその断面で所望の均一性及び強度分
布を有するよう調節することができる。
放射線ビームＢは、支持構造体（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパター
ニングデバイス(例えば、マスク)ＭＡに入射し、パターニングデバイスによりパターン化
される。パターニングデバイス(例えば、マスク)ＭＡからの反射後に、放射線ビームＢは
、投影系ＰＳを通過し、投影系ＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに集束させる
。第２ポジショナＰＷ及び位置センサＰＳ２（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ
、又は容量センサ）を用いて、例えば異なるターゲット部分Ｃを放射線ビームＢの経路内
に位置決めするように基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、第１
ポジショナＰＭ及び別の位置センサＰＳ１を用いて、放射線ビームＢの経路に関してパタ
ーニングデバイス(例えば、マスク)ＭＡを正確に位置決めすることができる。パターニン
グデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマ
ークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いて位置合わせされ得る。
ニングデバイス(例えば、マスク)ＭＡに入射し、パターニングデバイスによりパターン化
される。パターニングデバイス(例えば、マスク)ＭＡからの反射後に、放射線ビームＢは
、投影系ＰＳを通過し、投影系ＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに集束させる
。第２ポジショナＰＷ及び位置センサＰＳ２（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ
、又は容量センサ）を用いて、例えば異なるターゲット部分Ｃを放射線ビームＢの経路内
に位置決めするように基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、第１
ポジショナＰＭ及び別の位置センサＰＳ１を用いて、放射線ビームＢの経路に関してパタ
ーニングデバイス(例えば、マスク)ＭＡを正確に位置決めすることができる。パターニン
グデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマ
ークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いて位置合わせされ得る。
図示の装置は、以下のモードのうち少なくとも１つで用いることができる。
１．ステップモードでは、放射線ビームに付与されたパターン全体がターゲット部分Ｃ
に１回で投影される間、支持構造体（例えば、マスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷ
Ｔが本質的に静止状態に保たれる（すなわち、単一静止露光）。異なるターゲット部分Ｃ
を露光できるように、基板テーブルＷＴをＸ及び／又はＹ方向にシフトさせる。
に１回で投影される間、支持構造体（例えば、マスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷ
Ｔが本質的に静止状態に保たれる（すなわち、単一静止露光）。異なるターゲット部分Ｃ
を露光できるように、基板テーブルＷＴをＸ及び／又はＹ方向にシフトさせる。
２．走査モードでは、放射線ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影さ
れる間、支持構造体(例えば、マスクテーブル)ＭＴ及び基板テーブルＷＴが所与の方向（
いわゆる「走査方向」）に同期走査される（すなわち、単一動的露光）。支持構造体（例
えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影系ＰＳの
拡大（縮小）及び像反転特性により決まり得る。
れる間、支持構造体(例えば、マスクテーブル)ＭＴ及び基板テーブルＷＴが所与の方向（
いわゆる「走査方向」）に同期走査される（すなわち、単一動的露光）。支持構造体（例
えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影系ＰＳの
拡大（縮小）及び像反転特性により決まり得る。
３．別のモードでは、放射線ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影さ
れる間、支持構造体（例えば、マスクテーブル）ＭＴが本質的に静止状態に保たれながら
プログラマブルパターニングデバイスを保持し、基板テーブルＷＴが移動又は走査される
。このモードでは、概してパルス放射源が用いられ、走査中の基板テーブルＷＴの移動毎
又は連続放射パルスの合間にプログラマブルパターニングデバイスが必要に応じて更新さ
れる。この動作モードは、上述のようなタイプのプログラマブルミラーアレイ等のプログ
ラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用できる。
れる間、支持構造体（例えば、マスクテーブル）ＭＴが本質的に静止状態に保たれながら
プログラマブルパターニングデバイスを保持し、基板テーブルＷＴが移動又は走査される
。このモードでは、概してパルス放射源が用いられ、走査中の基板テーブルＷＴの移動毎
又は連続放射パルスの合間にプログラマブルパターニングデバイスが必要に応じて更新さ
れる。この動作モードは、上述のようなタイプのプログラマブルミラーアレイ等のプログ
ラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用できる。
ＥＵＶリソグラフィ装置では、ガスが放射線を吸収し過ぎるので、真空又は低圧環境を
用いることが望ましい。したがって、真空壁及び１つ又は複数の真空ポンプを用いて、真
空環境をビーム経路全体に与えることができる。
用いることが望ましい。したがって、真空壁及び１つ又は複数の真空ポンプを用いて、真
空環境をビーム経路全体に与えることができる。
一実施形態では、制御システム（図示せず）が、例えば測定デバイスからの測定値に基
づいてリソグラフィ装置の全動作を制御する。制御システムは、中央処理ユニット並びに
揮発性及び不揮発性記憶装置を備えた適切にプログラムされた汎用コンピュータとして具
現することができる。場合によっては、制御システムはさらに、キーボード及びスクリー
ン等の１つ又は複数の入力及び出力デバイス、１つ又は複数のネットワーク接続、及び／
又はリソグラフィ装置のさまざまな部品に対する１つ又は複数のインタフェースを備え得
る。制御コンピュータとリソグラフィ装置との間の１対１の関係は必要ないことが理解さ
れよう。一実施形態では、１つのコンピュータが複数のリソグラフィ装置を制御できる。
一実施形態では、複数のネットワーク接続されたコンピュータを用いて１つのリソグラフ
ィ装置を制御できる。制御システムは、リソグラフィ装置が一部を形成するリソセル又は
クラスタにおける１つ又は複数の関連のプロセスデバイス及び基板ハンドリングデバイス
を制御するようにも構成され得る。制御システムは、リソセル又はクラスタの監視制御シ
ステム及び／又はファブの総合制御システムに従属するよう構成することもできる。
づいてリソグラフィ装置の全動作を制御する。制御システムは、中央処理ユニット並びに
揮発性及び不揮発性記憶装置を備えた適切にプログラムされた汎用コンピュータとして具
現することができる。場合によっては、制御システムはさらに、キーボード及びスクリー
ン等の１つ又は複数の入力及び出力デバイス、１つ又は複数のネットワーク接続、及び／
又はリソグラフィ装置のさまざまな部品に対する１つ又は複数のインタフェースを備え得
る。制御コンピュータとリソグラフィ装置との間の１対１の関係は必要ないことが理解さ
れよう。一実施形態では、１つのコンピュータが複数のリソグラフィ装置を制御できる。
一実施形態では、複数のネットワーク接続されたコンピュータを用いて１つのリソグラフ
ィ装置を制御できる。制御システムは、リソグラフィ装置が一部を形成するリソセル又は
クラスタにおける１つ又は複数の関連のプロセスデバイス及び基板ハンドリングデバイス
を制御するようにも構成され得る。制御システムは、リソセル又はクラスタの監視制御シ
ステム及び／又はファブの総合制御システムに従属するよう構成することもできる。
図３は、ソースコレクタモジュールＳＯ、照明系ＩＬ、及び投影系ＰＳを含む装置１０
００をより詳細に示す。ソースコレクタモジュールＳＯは、ソースコレクタモジュールＳ
Ｏの密閉構造体２２０内で真空環境が維持されるように構成及び配置される。ＥＵＶ放射
線放出プラズマ２１０が、放電生成プラズマ源により形成され得る。ＥＵＶ放射線は、高
温熱プラズマ２１０を発生させて電磁スペクトルのＥＵＶ域の放射線を放出するガス又は
蒸気、例えばＸｅガス、Ｌｉ蒸気、又はＳｎ蒸気により生成され得る。高温熱プラズマ２
１０は、例えば、少なくとも部分的にイオン化されたプラズマをもたらす放電により発生
する。例えば１０ＰａのＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気又は任意の他の適当なガス若しくは蒸気の
分圧が、放射線の効率的な発生に必要であり得る。一実施形態では、励起スズ（Ｓｎ）の
プラズマがＥＵＶ放射線の生成のために提供される。
００をより詳細に示す。ソースコレクタモジュールＳＯは、ソースコレクタモジュールＳ
Ｏの密閉構造体２２０内で真空環境が維持されるように構成及び配置される。ＥＵＶ放射
線放出プラズマ２１０が、放電生成プラズマ源により形成され得る。ＥＵＶ放射線は、高
温熱プラズマ２１０を発生させて電磁スペクトルのＥＵＶ域の放射線を放出するガス又は
蒸気、例えばＸｅガス、Ｌｉ蒸気、又はＳｎ蒸気により生成され得る。高温熱プラズマ２
１０は、例えば、少なくとも部分的にイオン化されたプラズマをもたらす放電により発生
する。例えば１０ＰａのＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気又は任意の他の適当なガス若しくは蒸気の
分圧が、放射線の効率的な発生に必要であり得る。一実施形態では、励起スズ（Ｓｎ）の
プラズマがＥＵＶ放射線の生成のために提供される。
熱プラズマ２１０により放出された放射線は、放射源チャンバ２１１から放射源チャン
バ２１１の開口内又は開口の後方に位置決めされた任意のガスバリア又は汚染物トラップ
２３０（場合によっては、汚染物バリア又はホイルトラップとも称する）を介してコレク
タチャンバ２１２へ送られる。汚染物トラップ２３０は、チャネル構造も含み得る。汚染
物トラップ２３０は、ガスバリア又はガスバリア及びチャネル構造の組み合わせも含み得
る。当該技術分野で既知のように、本明細書にさらに示す汚染物トラップ又は汚染物バリ
ア２３０は、少なくともチャネル構造を含む。
バ２１１の開口内又は開口の後方に位置決めされた任意のガスバリア又は汚染物トラップ
２３０（場合によっては、汚染物バリア又はホイルトラップとも称する）を介してコレク
タチャンバ２１２へ送られる。汚染物トラップ２３０は、チャネル構造も含み得る。汚染
物トラップ２３０は、ガスバリア又はガスバリア及びチャネル構造の組み合わせも含み得
る。当該技術分野で既知のように、本明細書にさらに示す汚染物トラップ又は汚染物バリ
ア２３０は、少なくともチャネル構造を含む。
コレクタチャンバ２１１は、いわゆる斜入射コレクタであり得る放射線コレクタＣＯを
含み得る。放射線コレクタＣＯは、上流放射線コレクタ側２５１及び下流放射線コレクタ
側２５２を有する。コレクタＣＯを通る放射線は、格子分光フィルタ２５０で反射されて
、点破線「Ｏ」で示す光軸に沿って仮想光源点ＩＦに集束され得る。仮想光源点ＩＦは、
一般に中間焦点と称し、ソースコレクタモジュールは、中間焦点ＩＦが密閉構造体２２０
の開口２２１に又はその近くに位置付けられるように配置される。仮想光源点ＩＦは、放
射線放出プラズマ２１０の像である。
含み得る。放射線コレクタＣＯは、上流放射線コレクタ側２５１及び下流放射線コレクタ
側２５２を有する。コレクタＣＯを通る放射線は、格子分光フィルタ２５０で反射されて
、点破線「Ｏ」で示す光軸に沿って仮想光源点ＩＦに集束され得る。仮想光源点ＩＦは、
一般に中間焦点と称し、ソースコレクタモジュールは、中間焦点ＩＦが密閉構造体２２０
の開口２２１に又はその近くに位置付けられるように配置される。仮想光源点ＩＦは、放
射線放出プラズマ２１０の像である。
続いて、放射線は照明系ＩＬを通り、照明系ＩＬは、パターニングデバイスＭＡで放射
線ビーム２１の所望の角度分布及びパターニングデバイスＭＡで所望の放射強度均一性を
提供するよう配置されたファセット視野ミラーデバイス２２及びファセット瞳ミラーデバ
イス２４を含み得る。放射線ビーム２１が支持構造体ＭＴにより保持されたパターニング
デバイスＭＡで反射すると、パターンビーム２６が形成され、パターンビーム２６は、投
影系ＰＳにより反射素子２８、３０を介して基板テーブルＷＴにより保持された基板Ｗに
結像される。
線ビーム２１の所望の角度分布及びパターニングデバイスＭＡで所望の放射強度均一性を
提供するよう配置されたファセット視野ミラーデバイス２２及びファセット瞳ミラーデバ
イス２４を含み得る。放射線ビーム２１が支持構造体ＭＴにより保持されたパターニング
デバイスＭＡで反射すると、パターンビーム２６が形成され、パターンビーム２６は、投
影系ＰＳにより反射素子２８、３０を介して基板テーブルＷＴにより保持された基板Ｗに
結像される。
概して、図示されているよりも多くの素子が照明光学系ユニットＩＬ及び投影系ＰＳに
存在してもよい。格子分光フィルタ２４０は、リソグラフィ装置のタイプに応じて任意に
存在し得る。さらに、図示されているよりも多くのミラーが存在してもよく、例えば、図
３に示すよりも多くの、１つ～６つの付加的な反射素子が投影系ＰＳに存在してもよい。
存在してもよい。格子分光フィルタ２４０は、リソグラフィ装置のタイプに応じて任意に
存在し得る。さらに、図示されているよりも多くのミラーが存在してもよく、例えば、図
３に示すよりも多くの、１つ～６つの付加的な反射素子が投影系ＰＳに存在してもよい。
コレクタ光学系ＣＯは、図３に示すように、単にコレクタ（又はコレクタミラー）の一
例として斜入射反射鏡２５３、２５４、及び２５５を有する入れ子式コレクタとして図示
されている。斜入射反射鏡２５３、２５４、及び２５５は、光軸Ｏの周りに軸対称に配置
され、このタイプのコレクタ光学系ＣＯは、ＤＰＰ源と呼ばれる場合が多い放電生成ブラ
ズマ源と組み合わせて用いられることが望ましい。代替的に、ソースコレクタモジュール
ＳＯは、ＬＰＰ放射系の一部であり得る。
例として斜入射反射鏡２５３、２５４、及び２５５を有する入れ子式コレクタとして図示
されている。斜入射反射鏡２５３、２５４、及び２５５は、光軸Ｏの周りに軸対称に配置
され、このタイプのコレクタ光学系ＣＯは、ＤＰＰ源と呼ばれる場合が多い放電生成ブラ
ズマ源と組み合わせて用いられることが望ましい。代替的に、ソースコレクタモジュール
ＳＯは、ＬＰＰ放射系の一部であり得る。
図４に示すように、リソグラフィ装置ＬＡは、リソセル又はリソクラスタとも称される
場合があるリソグラフィセルＬＣの一部を形成することができ、リソグラフィセルＬＣは
、基板に対して１つ又は複数の露光前及び露光後プロセスを行う装置も含む。従来、これ
らはレジスト層を被着させる１つ又は複数のスピンコータＳＣと、露光されたレジストを
現像する１つ又は複数のデベロッパＤＥと、１つ又は複数のチルプレートＣＨと、１つ又
は複数のベークプレートＢＫとを含む。基板ハンドラ、すなわちロボットＲＯが、入出力
ポートＩ／Ｏ１、Ｉ／Ｏ２から基板を持ち上げ、それを異なる処理デバイス間で移動させ
、リソグラフィ装置のローディングベイＬＢへ届ける。トラックと総称される場合が多い
これらのデバイスは、トラック制御ユニットＴＣＵの制御下にあり、トラック制御ユニッ
トＴＣＵ自体は監視制御システムＳＣＳにより制御され、監視制御システムＳＣＳは、リ
ソグラフィ制御ユニットＬＡＣＵを介してリソグラフィ装置も制御する。したがって、処
理量及び処理効率を最大化するために異なる装置を作動させることができる。リソグラフ
ィセルＬＣはさらに、基板をエッチングする１つ又は複数のエッチャと、基板のパラメー
タを測定するよう構成された１つ又は複数の測定デバイスとを含み得る。測定デバイスは
、スキャトロメータ、走査型電子顕微鏡等、基板の物理的パラメータを測定するよう構成
された光学測定デバイスを含み得る。
場合があるリソグラフィセルＬＣの一部を形成することができ、リソグラフィセルＬＣは
、基板に対して１つ又は複数の露光前及び露光後プロセスを行う装置も含む。従来、これ
らはレジスト層を被着させる１つ又は複数のスピンコータＳＣと、露光されたレジストを
現像する１つ又は複数のデベロッパＤＥと、１つ又は複数のチルプレートＣＨと、１つ又
は複数のベークプレートＢＫとを含む。基板ハンドラ、すなわちロボットＲＯが、入出力
ポートＩ／Ｏ１、Ｉ／Ｏ２から基板を持ち上げ、それを異なる処理デバイス間で移動させ
、リソグラフィ装置のローディングベイＬＢへ届ける。トラックと総称される場合が多い
これらのデバイスは、トラック制御ユニットＴＣＵの制御下にあり、トラック制御ユニッ
トＴＣＵ自体は監視制御システムＳＣＳにより制御され、監視制御システムＳＣＳは、リ
ソグラフィ制御ユニットＬＡＣＵを介してリソグラフィ装置も制御する。したがって、処
理量及び処理効率を最大化するために異なる装置を作動させることができる。リソグラフ
ィセルＬＣはさらに、基板をエッチングする１つ又は複数のエッチャと、基板のパラメー
タを測定するよう構成された１つ又は複数の測定デバイスとを含み得る。測定デバイスは
、スキャトロメータ、走査型電子顕微鏡等、基板の物理的パラメータを測定するよう構成
された光学測定デバイスを含み得る。
上述のように、一実施形態では、パターニングデバイスの照明された部分が投影系を介
して基板の一部に投影される。一実施形態では、投影系は複数の光学素子を含む。一実施
形態では、これらの光学素子のうち１つ又は複数は反射型の設計（例えば、ミラー）であ
る。一実施形態では、光学素子のうち過半数は反射型の設計である。一実施形態では、投
影系は、少なくとも４つの反射光学素子、少なくとも５つの反射光学素子、少なくとも６
つの反射光学素子、少なくとも７つの反射光学素子、少なくとも８つの反射光学素子、少
なくとも９つの反射光学素子、又は少なくとも１０個の反射光学素子を含む。
して基板の一部に投影される。一実施形態では、投影系は複数の光学素子を含む。一実施
形態では、これらの光学素子のうち１つ又は複数は反射型の設計（例えば、ミラー）であ
る。一実施形態では、光学素子のうち過半数は反射型の設計である。一実施形態では、投
影系は、少なくとも４つの反射光学素子、少なくとも５つの反射光学素子、少なくとも６
つの反射光学素子、少なくとも７つの反射光学素子、少なくとも８つの反射光学素子、少
なくとも９つの反射光学素子、又は少なくとも１０個の反射光学素子を含む。
基板上で良好に規定及び／又は位置決めされたパターンを得るためには、光学素子、パ
ターニングデバイス、及び基板の相対位置決めが比較的良好且つ安定しているべきである
。したがって、一実施形態では、光学素子のうち１つ又は複数は、アクチュエータにより
可動であり、一実施形態では、光学素子のうち２つ以上又は過半数が可動である。一実施
形態では、アクチュエータは、機械又は電気機械アクチュエータデバイスである。一実施
形態では、アクチュエータは、関連する１つ又は複数の光学素子を最大２自由度、最大３
自由度、最大４自由度、最大５自由度、又は６自由度で移動させることが可能である。さ
らに、一実施形態では、これら１つ又は複数の光学素子は、これら１つ又は複数の光学素
子の位置及び／又は姿勢（例えば、平行移動、回転等）を測定する関連の光学素子測定シ
ステムを有する。一実施形態では、測定システムは、位置及び／又は姿勢を最大２自由度
、最大３自由度、最大４自由度、最大５自由度、又は６自由度で測定することが可能であ
る。一実施形態では、測定システムは、適用可能な自由度数で測定可能な単一の測定デバ
イス（例えば、干渉計又はエンコーダ）を含み得るか、又は測定システム全体が適用可能
な自由度数で測定可能であるようにそれぞれが１つ又は複数の自由度で測定可能な複数の
測定デバイス（例えば、干渉計又はエンコーダ）を含み得る。
ターニングデバイス、及び基板の相対位置決めが比較的良好且つ安定しているべきである
。したがって、一実施形態では、光学素子のうち１つ又は複数は、アクチュエータにより
可動であり、一実施形態では、光学素子のうち２つ以上又は過半数が可動である。一実施
形態では、アクチュエータは、機械又は電気機械アクチュエータデバイスである。一実施
形態では、アクチュエータは、関連する１つ又は複数の光学素子を最大２自由度、最大３
自由度、最大４自由度、最大５自由度、又は６自由度で移動させることが可能である。さ
らに、一実施形態では、これら１つ又は複数の光学素子は、これら１つ又は複数の光学素
子の位置及び／又は姿勢（例えば、平行移動、回転等）を測定する関連の光学素子測定シ
ステムを有する。一実施形態では、測定システムは、位置及び／又は姿勢を最大２自由度
、最大３自由度、最大４自由度、最大５自由度、又は６自由度で測定することが可能であ
る。一実施形態では、測定システムは、適用可能な自由度数で測定可能な単一の測定デバ
イス（例えば、干渉計又はエンコーダ）を含み得るか、又は測定システム全体が適用可能
な自由度数で測定可能であるようにそれぞれが１つ又は複数の自由度で測定可能な複数の
測定デバイス（例えば、干渉計又はエンコーダ）を含み得る。
一実施形態では、投影系の光学素子は、機械フレーム構造体（以下において、例えば後
述するメトロロジフレーム構造体と区別するためにフォースフレーム構造体と称する）で
担持又は支持される。一実施形態では、フォースフレーム構造体は、複数の別個のフレー
ムを含む。一実施形態では、フォースフレーム構造体は、単一の一体フレームを含む。一
実施形態では、光学素子のうち１つ又は複数は可動なので、関連するアクチュエータを介
してフォースフレーム構造体に接続される。したがって、概してフォースフレーム構造体
に反力が集中する。
述するメトロロジフレーム構造体と区別するためにフォースフレーム構造体と称する）で
担持又は支持される。一実施形態では、フォースフレーム構造体は、複数の別個のフレー
ムを含む。一実施形態では、フォースフレーム構造体は、単一の一体フレームを含む。一
実施形態では、光学素子のうち１つ又は複数は可動なので、関連するアクチュエータを介
してフォースフレーム構造体に接続される。したがって、概してフォースフレーム構造体
に反力が集中する。
一実施形態では、メトロロジフレーム構造体が設けられる。メトロロジフレーム構造体
は、フォースフレーム構造体及び／又は他の外力源から実質的に機械的に分離される。す
なわち、メトロロジフレーム構造体は、外力又は例えばフォースフレーム構造体からの振
動から効果的に分離される。一実施形態では、メトロロジフレーム構造体は、例えば分離
デバイス又は構造体（例えば、減衰構造体、ばね構造体、力補償構造体等）を介してフォ
ースフレーム構造体上で支持することができる。一実施形態では、メトロロジフレーム構
造体は、フォースフレーム構造体とは別個にアース接続される。
は、フォースフレーム構造体及び／又は他の外力源から実質的に機械的に分離される。す
なわち、メトロロジフレーム構造体は、外力又は例えばフォースフレーム構造体からの振
動から効果的に分離される。一実施形態では、メトロロジフレーム構造体は、例えば分離
デバイス又は構造体（例えば、減衰構造体、ばね構造体、力補償構造体等）を介してフォ
ースフレーム構造体上で支持することができる。一実施形態では、メトロロジフレーム構
造体は、フォースフレーム構造体とは別個にアース接続される。
一実施形態では、メトロロジフレーム構造体は、光学素子測定システムの１つ又は複数
の部分を担持又は支持する。一実施形態では、メトロロジフレーム構造体は、投影の光学
素子のうち複数の光学素子の位置が関連付けられる安定構造体として働くことができる。
したがって、例えば、メトロロジフレームに対して、光学素子（のうちの複数、大半等）
の６自由度の位置が、１つ又は複数の測定システムを用いて測定される。
の部分を担持又は支持する。一実施形態では、メトロロジフレーム構造体は、投影の光学
素子のうち複数の光学素子の位置が関連付けられる安定構造体として働くことができる。
したがって、例えば、メトロロジフレームに対して、光学素子（のうちの複数、大半等）
の６自由度の位置が、１つ又は複数の測定システムを用いて測定される。
リソグラフィ装置の大きな進歩に伴い、例えば大きな開口数を有する投影系が望ましい
。例えば、投影系が反射型設計である場合、反射光学素子が大きくなり、反射光学素子の
数が多くなり、反射光学素子がさまざまなタイプとなり、且つ／又は反射光学素子距離（
例えば、反射光学素子間の距離）が大きくなり得る。しかしながら、透過型光学設計でも
同様の問題が生じ得る。
。例えば、投影系が反射型設計である場合、反射光学素子が大きくなり、反射光学素子の
数が多くなり、反射光学素子がさまざまなタイプとなり、且つ／又は反射光学素子距離（
例えば、反射光学素子間の距離）が大きくなり得る。しかしながら、透過型光学設計でも
同様の問題が生じ得る。
それゆえ、一実施形態では、光学素子間の距離及びメトロロジフレームが光学素子位置
及び／又は姿勢測定の基準を与えなければならない場所が、例えば数センチメートルから
１メートル、２メートル、又はそれ以上に増加し得る。したがって、メトロロジフレーム
は、数センチメートル～１メートルの距離を保つようにスケーリングすればよい。しかし
ながら、このようなスケーリングは、質量を増やすことを意味し、これはメトロロジフレ
ームの内部共振周波数を低くする傾向があり得る。付加的又は代替的に、（例えば、高Ｎ
Ａ由来の）小さな露光スリットサイズ及び／又は露光中の高い速度（例えば、処理量）に
起因して、光学素子位置決め、したがってメトロロジフレームに対する動的要求も増し得
る。したがって、メトロロジフレームの共振周波数を高くすることが望まれる。
及び／又は姿勢測定の基準を与えなければならない場所が、例えば数センチメートルから
１メートル、２メートル、又はそれ以上に増加し得る。したがって、メトロロジフレーム
は、数センチメートル～１メートルの距離を保つようにスケーリングすればよい。しかし
ながら、このようなスケーリングは、質量を増やすことを意味し、これはメトロロジフレ
ームの内部共振周波数を低くする傾向があり得る。付加的又は代替的に、（例えば、高Ｎ
Ａ由来の）小さな露光スリットサイズ及び／又は露光中の高い速度（例えば、処理量）に
起因して、光学素子位置決め、したがってメトロロジフレームに対する動的要求も増し得
る。したがって、メトロロジフレームの共振周波数を高くすることが望まれる。
図５ａ及び図５ｂを参照すると、本明細書及び／又は当該技術分野の他の文献で特定さ
れている問題の１つ又は複数に対処することを意図した、リソグラフィ装置の投影系ＰＳ
のパターニングデバイスステージＭＴ及び基板ステージＷＴの一実施形態の概略図が提示
されている。これらの図及びその用途例は本質的に同一なので、それらの差異以外は以下
でこれらの図を併せて説明する。
れている問題の１つ又は複数に対処することを意図した、リソグラフィ装置の投影系ＰＳ
のパターニングデバイスステージＭＴ及び基板ステージＷＴの一実施形態の概略図が提示
されている。これらの図及びその用途例は本質的に同一なので、それらの差異以外は以下
でこれらの図を併せて説明する。
一実施形態では、投影系ＰＳは、複数の光学素子を含む。図５ａ及び図５ｂには、全部
の光学素子が反射光学素子として示されている。しかしながら、図５ａ及び図５ｂの光学
素子の全部が反射型である必要はない。光学素子のうち１つ又は複数は透過型であり得る
。実際には、全部の光学素子を透過型とすることができる。
の光学素子が反射光学素子として示されている。しかしながら、図５ａ及び図５ｂの光学
素子の全部が反射型である必要はない。光学素子のうち１つ又は複数は透過型であり得る
。実際には、全部の光学素子を透過型とすることができる。
図５ａ及び図５ｂにおいて、光学素子は、光学素子５０５、光学素子５１０、光学素子
５１５、光学素子５２０、光学素子５２５、光学素子５３０、及び光学素子５３５を含む
。図５ａ及び図５ｂにおいて分かるように、これらの光学素子は、パターニングデバイス
ＭＡから基板ＷへビームＢ、２６を提供するよう働く。一実施形態では、これらの光学素
子は、単一のフレーム又は複数の別個のフレームを含み得るフォースフレーム構造体（説
明の明確化のために図示せず）により支持される。さらに、これらの光学素子のそれぞれ
が、関連するアクチュエータ（説明の明確化のために図示せず）に接続され、アクチュエ
ータは、一実施形態ではフォースフレーム構造体に接続される。７つの光学素子が図５ａ
及び図５ｂに示されているが、異なる数の光学素子を設けることができる。
５１５、光学素子５２０、光学素子５２５、光学素子５３０、及び光学素子５３５を含む
。図５ａ及び図５ｂにおいて分かるように、これらの光学素子は、パターニングデバイス
ＭＡから基板ＷへビームＢ、２６を提供するよう働く。一実施形態では、これらの光学素
子は、単一のフレーム又は複数の別個のフレームを含み得るフォースフレーム構造体（説
明の明確化のために図示せず）により支持される。さらに、これらの光学素子のそれぞれ
が、関連するアクチュエータ（説明の明確化のために図示せず）に接続され、アクチュエ
ータは、一実施形態ではフォースフレーム構造体に接続される。７つの光学素子が図５ａ
及び図５ｂに示されているが、異なる数の光学素子を設けることができる。
ビームＢ、２６を最小限の損失で誘導するために、光学素子５０５～５３５のうち少な
くとも２つ、少なくとも３つ、少なくとも４つ、少なくとも５つ、少なくとも６つ、又は
全部が、平坦なビーム経路を可能にする斜入射ミラーとして設計されれば有益であり得る
。図５ａ及び図５ｂの例では、光学素子５１０～５２５は、例示的に斜入射ミラーとして
設計される。
くとも２つ、少なくとも３つ、少なくとも４つ、少なくとも５つ、少なくとも６つ、又は
全部が、平坦なビーム経路を可能にする斜入射ミラーとして設計されれば有益であり得る
。図５ａ及び図５ｂの例では、光学素子５１０～５２５は、例示的に斜入射ミラーとして
設計される。
一実施形態では、メトロロジフレーム構造体５００が設けられる。一実施形態では、メ
トロロジフレーム構造体５００は単一フレームである。すなわち、単一フレームが単一部
品を含み得る（モノリシック設計）か、又は単一フレームとして働くように相互に剛接続
又は強固に接続（例えば、合わせてボルト締め、溶接、リベット止め等）された複数部品
を含み得る。一実施形態では、メトロロジフレーム構造体は、サイズが限られている。例
えば、長さは、５メートル以下、４メートル以下、３メートル以下、又は２メートル以下
である。一実施形態では、フレームは、約２：１：１のフレーム長：厚：幅比を有する。
一実施形態では、メトロロジフレーム構造体は、３００Ｈｚ以上の、望ましくは５００Ｈ
ｚ～１０００Ｈｚの範囲の共振周波数を有する。一実施形態では、メトロロジフレーム構
造体５００は、主としてセラミック製である。一実施形態では、メトロロジフレーム構造
体５００は、主として金属製である。
トロロジフレーム構造体５００は単一フレームである。すなわち、単一フレームが単一部
品を含み得る（モノリシック設計）か、又は単一フレームとして働くように相互に剛接続
又は強固に接続（例えば、合わせてボルト締め、溶接、リベット止め等）された複数部品
を含み得る。一実施形態では、メトロロジフレーム構造体は、サイズが限られている。例
えば、長さは、５メートル以下、４メートル以下、３メートル以下、又は２メートル以下
である。一実施形態では、フレームは、約２：１：１のフレーム長：厚：幅比を有する。
一実施形態では、メトロロジフレーム構造体は、３００Ｈｚ以上の、望ましくは５００Ｈ
ｚ～１０００Ｈｚの範囲の共振周波数を有する。一実施形態では、メトロロジフレーム構
造体５００は、主としてセラミック製である。一実施形態では、メトロロジフレーム構造
体５００は、主として金属製である。
一実施形態では、メトロロジフレーム構造体５００は、光学素子位置及び／又は姿勢測
定用の相対位置決め基準として働く。すなわち、投影系ＰＳの光学素子のうち１つ又は複
数の位置及び／又は姿勢は、メトロロジフレーム構造体に対して測定される。しかしなが
ら、光学素子５０５～５３５のうち１つ又は複数、パターニングデバイスステージＭＴ、
基板ステージＷＴ、及び／又は投影系ＰＳの外側の外部構造体（図６参照）も、用途によ
っては光学素子位置決め測定用の相対位置決め基準として働くことができる。概して、２
つ以上の基準を用いることができ、例えば、１つの基準が測定自由度（ＤＯＦ）の第１部
分（成分）のみの基準である一方で、別の基準が自由度の第２部分(成分)の基準である。
定用の相対位置決め基準として働く。すなわち、投影系ＰＳの光学素子のうち１つ又は複
数の位置及び／又は姿勢は、メトロロジフレーム構造体に対して測定される。しかしなが
ら、光学素子５０５～５３５のうち１つ又は複数、パターニングデバイスステージＭＴ、
基板ステージＷＴ、及び／又は投影系ＰＳの外側の外部構造体（図６参照）も、用途によ
っては光学素子位置決め測定用の相対位置決め基準として働くことができる。概して、２
つ以上の基準を用いることができ、例えば、１つの基準が測定自由度（ＤＯＦ）の第１部
分（成分）のみの基準である一方で、別の基準が自由度の第２部分(成分)の基準である。
一実施形態では、メトロロジフレーム構造体５００は、１つ又は複数の光学素子測定シ
ステムの１つ又は複数の部分を保持する。一実施形態では、メトロロジフレーム構造体は
、複数の光学素子測定システムの１つ又は複数の部分を保持し、各光学素子測定システム
は、各光学素子の位置及び／又は姿勢を測定するよう構成される。一実施形態では、１つ
又は複数の光学素子測定システムは、位置及び／又は姿勢を光学的に測定する、すなわち
放射線を用いて位置を求めるよう構成される。
ステムの１つ又は複数の部分を保持する。一実施形態では、メトロロジフレーム構造体は
、複数の光学素子測定システムの１つ又は複数の部分を保持し、各光学素子測定システム
は、各光学素子の位置及び／又は姿勢を測定するよう構成される。一実施形態では、１つ
又は複数の光学素子測定システムは、位置及び／又は姿勢を光学的に測定する、すなわち
放射線を用いて位置を求めるよう構成される。
一実施形態では、メトロロジフレーム構造体５００は、２つの異なるタイプの光学素子
測定システムの一部を支持する。有利なのは、複数タイプの光学素子測定システムの混合
により、メトロロジフレーム構造体５００が例えば比較的小型で且つ／又は比較的高い周
波数を有することができることである。
測定システムの一部を支持する。有利なのは、複数タイプの光学素子測定システムの混合
により、メトロロジフレーム構造体５００が例えば比較的小型で且つ／又は比較的高い周
波数を有することができることである。
しかしながら、単一のタイプの光学素子測定システムを用いることも有利であり得る。
好ましくは、１つ又は複数の光学素子測定システムの全部が、干渉計測定システム（図５
ａ及び図５ｂには図示せず）として設計され得る。
好ましくは、１つ又は複数の光学素子測定システムの全部が、干渉計測定システム（図５
ａ及び図５ｂには図示せず）として設計され得る。
一実施形態では、メトロロジフレーム構造体５００は、メトロロジフレーム構造体５０
０に比較的近い光学素子を測定する光学エンコーダシステムの一部を支持し、且つメトロ
ロジフレーム構造体５００から比較的遠い光学素子を測定する光学干渉計システムの一部
を支持する。一実施形態では、比較的近いとは、５センチメートル以内、４センチメート
ル以内、３センチメートル以内、２センチメートル以内、又は１センチメートル以内であ
る。例えば、一実施形態では、比較的近い距離は、２ｍｍ～２０ｍｍの範囲から選択され
る。一実施形態では、比較的遠いとは、５センチメートル以上、７センチメートル以上、
１０センチメートル以上、１５センチメートル以上、又は２０センチメートル以上である
。一実施形態では、比較的遠い距離は、３メートル以下、２メートル以下、又は１メート
ル以下である。例えば、一実施形態では、比較的遠い距離は、５ｃｍ～１０ｃｍの範囲か
ら選択される。したがって、一実施形態では、光学素子のうち１つ又は複数は、メトロロ
ジフレーム構造体５００から比較的遠い距離に位置付けられる（干渉計システムを用いて
測定される）ことができ、１つ又は複数の他の光学素子は、メトロロジフレーム構造体５
００に比較的近い距離に位置付けられる（エンコーダシステムを用いて測定される）こと
ができる。したがって、メトロロジフレーム構造体５００と光学素子との間の距離を適切
に埋めることができ且つ安定した相対光学素子位置決めをもたらすことができる、適宜選
択されたメトロロジフレーム構造体５００を用いることができる。
０に比較的近い光学素子を測定する光学エンコーダシステムの一部を支持し、且つメトロ
ロジフレーム構造体５００から比較的遠い光学素子を測定する光学干渉計システムの一部
を支持する。一実施形態では、比較的近いとは、５センチメートル以内、４センチメート
ル以内、３センチメートル以内、２センチメートル以内、又は１センチメートル以内であ
る。例えば、一実施形態では、比較的近い距離は、２ｍｍ～２０ｍｍの範囲から選択され
る。一実施形態では、比較的遠いとは、５センチメートル以上、７センチメートル以上、
１０センチメートル以上、１５センチメートル以上、又は２０センチメートル以上である
。一実施形態では、比較的遠い距離は、３メートル以下、２メートル以下、又は１メート
ル以下である。例えば、一実施形態では、比較的遠い距離は、５ｃｍ～１０ｃｍの範囲か
ら選択される。したがって、一実施形態では、光学素子のうち１つ又は複数は、メトロロ
ジフレーム構造体５００から比較的遠い距離に位置付けられる（干渉計システムを用いて
測定される）ことができ、１つ又は複数の他の光学素子は、メトロロジフレーム構造体５
００に比較的近い距離に位置付けられる（エンコーダシステムを用いて測定される）こと
ができる。したがって、メトロロジフレーム構造体５００と光学素子との間の距離を適切
に埋めることができ且つ安定した相対光学素子位置決めをもたらすことができる、適宜選
択されたメトロロジフレーム構造体５００を用いることができる。
それゆえ、図５ａ及び図５ｂを参照すると、一実施形態では、メトロロジフレーム構造
体５００は、光学素子５１０の位置及び／又は姿勢を測定するエンコーダシステムの部分
５４０、光学素子５１５の位置及び／又は姿勢を測定するエンコーダシステムの部分５４
５、光学素子５２０の位置及び／又は姿勢を測定するエンコーダシステムの部分５５０、
及び光学素子５２５の位置及び／又は姿勢を測定するエンコーダシステムの部分５５５を
含む。一実施形態では、メトロロジフレーム構造体５００に支持されたエンコーダシステ
ムの部分はセンサ、読取ヘッド、又はエンコーダ光学情報をセンサ又は読取ヘッドに転送
するよう設計された光学素子である。その場合、光学素子はエンコーダスケール又は格子
を支持する。一実施形態では、メトロロジフレーム構造体５００に支持されたエンコーダ
システムの部分は、エンコーダスケール又は格子である。その場合、光学素子は、センサ
、読取ヘッド、又はエンコーダ光学情報をセンサ又は読取ヘッドに転送するよう設計され
た光学素子を支持する。一実施形態では、エンコーダシステムに放射線を供給する出力（
放射源自体であり得るか又は放射源に接続され得る）を適当な場所に設けることができ、
これはメトロロジフレーム構造体５００上、適用可能な光学素子上、又は他の場所であり
得る。部分５４０～５５５毎に、例えば測定ビームによる光学情報の伝達を示す破線が図
５ａ及び図５ｂに示されている。
体５００は、光学素子５１０の位置及び／又は姿勢を測定するエンコーダシステムの部分
５４０、光学素子５１５の位置及び／又は姿勢を測定するエンコーダシステムの部分５４
５、光学素子５２０の位置及び／又は姿勢を測定するエンコーダシステムの部分５５０、
及び光学素子５２５の位置及び／又は姿勢を測定するエンコーダシステムの部分５５５を
含む。一実施形態では、メトロロジフレーム構造体５００に支持されたエンコーダシステ
ムの部分はセンサ、読取ヘッド、又はエンコーダ光学情報をセンサ又は読取ヘッドに転送
するよう設計された光学素子である。その場合、光学素子はエンコーダスケール又は格子
を支持する。一実施形態では、メトロロジフレーム構造体５００に支持されたエンコーダ
システムの部分は、エンコーダスケール又は格子である。その場合、光学素子は、センサ
、読取ヘッド、又はエンコーダ光学情報をセンサ又は読取ヘッドに転送するよう設計され
た光学素子を支持する。一実施形態では、エンコーダシステムに放射線を供給する出力（
放射源自体であり得るか又は放射源に接続され得る）を適当な場所に設けることができ、
これはメトロロジフレーム構造体５００上、適用可能な光学素子上、又は他の場所であり
得る。部分５４０～５５５毎に、例えば測定ビームによる光学情報の伝達を示す破線が図
５ａ及び図５ｂに示されている。
図５ａ及び図５ｂを再度参照すると、一実施形態では、メトロロジフレーム構造体５０
０は、光学素子５０５の位置及び／又は姿勢を測定する干渉計システムの部分５６０、億
額素子５３０の位置及び／又は姿勢を測定する干渉計システムの部分５６５、及び光学素
子５３５の位置及び／又は姿勢を測定する干渉計システムの部分５７０を含む。一実施形
態では、メトロロジフレーム構造体５００に支持された干渉計システムの部分は、センサ
又は干渉計光学情報をセンサに転送するよう設計された光学素子である。その場合、光学
素子は、干渉計ビームを受ける反射面を支持する。一実施形態では、メトロロジフレーム
構造体５００に支持された干渉計システムの部分は、干渉計ビームを受ける反射面である
。その場合、光学素子は、センサ又は干渉計光学情報をセンサに転送するよう設計された
光学素子を支持する。一実施形態では、干渉計システムに放射線を供給する出力（放射源
自体であり得るか又は放射源に接続され得る）を適当な場所に設けることができ、これは
メトロロジフレーム構造体５００上、適用可能な光学素子上、又は他の場所であり得る。
部分５６０～５７０毎に、例えば測定ビームによる光学情報の伝達を示す破線が図５ａ及
び図５ｂに示されている。
０は、光学素子５０５の位置及び／又は姿勢を測定する干渉計システムの部分５６０、億
額素子５３０の位置及び／又は姿勢を測定する干渉計システムの部分５６５、及び光学素
子５３５の位置及び／又は姿勢を測定する干渉計システムの部分５７０を含む。一実施形
態では、メトロロジフレーム構造体５００に支持された干渉計システムの部分は、センサ
又は干渉計光学情報をセンサに転送するよう設計された光学素子である。その場合、光学
素子は、干渉計ビームを受ける反射面を支持する。一実施形態では、メトロロジフレーム
構造体５００に支持された干渉計システムの部分は、干渉計ビームを受ける反射面である
。その場合、光学素子は、センサ又は干渉計光学情報をセンサに転送するよう設計された
光学素子を支持する。一実施形態では、干渉計システムに放射線を供給する出力（放射源
自体であり得るか又は放射源に接続され得る）を適当な場所に設けることができ、これは
メトロロジフレーム構造体５００上、適用可能な光学素子上、又は他の場所であり得る。
部分５６０～５７０毎に、例えば測定ビームによる光学情報の伝達を示す破線が図５ａ及
び図５ｂに示されている。
場合によっては、メトロロジフレーム構造体５００を用いて、メトロロジフレーム構造
体５００とパターニングデバイスメトロロジフレーム５７５との間及び／又はメトロロジ
フレーム構造体５００と基板メトロロジフレーム５８０との間で位置及び／又は姿勢を測
定することができる。一実施形態では、パターニングデバイスメトロロジフレーム５７５
は、パターニングデバイスステージＭＴ及び／又はパターニングデバイスＭＡの位置及び
／又は姿勢の測定を可能にし、パターニングデバイスメトロロジフレーム５７５とパター
ニングデバイスステージＭＴ／パターニングデバイスＭＡとの間の破線は、パターニング
デバイスメトロロジフレーム５７５に対するパターニングデバイスステージＭＴ／パター
ニングデバイスＭＡの位置及び／又は姿勢の測定を示す。
体５００とパターニングデバイスメトロロジフレーム５７５との間及び／又はメトロロジ
フレーム構造体５００と基板メトロロジフレーム５８０との間で位置及び／又は姿勢を測
定することができる。一実施形態では、パターニングデバイスメトロロジフレーム５７５
は、パターニングデバイスステージＭＴ及び／又はパターニングデバイスＭＡの位置及び
／又は姿勢の測定を可能にし、パターニングデバイスメトロロジフレーム５７５とパター
ニングデバイスステージＭＴ／パターニングデバイスＭＡとの間の破線は、パターニング
デバイスメトロロジフレーム５７５に対するパターニングデバイスステージＭＴ／パター
ニングデバイスＭＡの位置及び／又は姿勢の測定を示す。
図５ｂは、この原理の拡張を示し、センサ部分５８５は、パターニングデバイスメトロ
ロジフレーム構造体５７５の位置及び／又は姿勢の６自由度のうち第１成分を測定する測
定システムに属し、光学素子５１５（又は光学素子５１０）は、パターニングデバイスメ
トロロジフレーム構造体５７５の位置及び／又は姿勢の６自由度のうち第２部分を測定す
る測定システム（図示せず）の別途部分を含む。光学素子５１５の測定システムの上記別
途部分は、好ましくはパターニングデバイスメトロロジフレーム５７５に位置付けられた
干渉計センサ部分５８６用の反射鏡であり得る。
ロジフレーム構造体５７５の位置及び／又は姿勢の６自由度のうち第１成分を測定する測
定システムに属し、光学素子５１５（又は光学素子５１０）は、パターニングデバイスメ
トロロジフレーム構造体５７５の位置及び／又は姿勢の６自由度のうち第２部分を測定す
る測定システム（図示せず）の別途部分を含む。光学素子５１５の測定システムの上記別
途部分は、好ましくはパターニングデバイスメトロロジフレーム５７５に位置付けられた
干渉計センサ部分５８６用の反射鏡であり得る。
同様に、基板メトロロジフレーム５８０は、基板ステージＷＴ及び／又は基板Ｗの位置
及び／又は姿勢の測定を可能にし、基板メトロロジフレーム５８０と基板ステージＷＴ／
基板Ｗとの間の破線は、基板メトロロジフレーム５８０に対する基板ステージＷＴ／基板
Ｗの位置及び／又は姿勢の測定を示す。それゆえ、メトロロジフレーム構造体５００に対
するパターニングデバイスメトロロジフレーム５７５の位置及び／又は姿勢とメトロロジ
フレーム構造体５００に対する基板メトロロジフレーム５８０の位置及び／又は姿勢とを
測定することにより、パターニングデバイスＭＡ、光学素子５０５～５３５のうち１つ又
は複数、及び基板Ｗ間の適当な相対位置及び／又は姿勢を（測定システムを介して）求め
て（パターニングデバイスＭＡ、基板Ｗ、及び／又は光学素子５０５～５３５のうち１つ
又は複数に関連する１つ又は複数の適当なアクチュエータを利用することにより）制御す
ることができる。
及び／又は姿勢の測定を可能にし、基板メトロロジフレーム５８０と基板ステージＷＴ／
基板Ｗとの間の破線は、基板メトロロジフレーム５８０に対する基板ステージＷＴ／基板
Ｗの位置及び／又は姿勢の測定を示す。それゆえ、メトロロジフレーム構造体５００に対
するパターニングデバイスメトロロジフレーム５７５の位置及び／又は姿勢とメトロロジ
フレーム構造体５００に対する基板メトロロジフレーム５８０の位置及び／又は姿勢とを
測定することにより、パターニングデバイスＭＡ、光学素子５０５～５３５のうち１つ又
は複数、及び基板Ｗ間の適当な相対位置及び／又は姿勢を（測定システムを介して）求め
て（パターニングデバイスＭＡ、基板Ｗ、及び／又は光学素子５０５～５３５のうち１つ
又は複数に関連する１つ又は複数の適当なアクチュエータを利用することにより）制御す
ることができる。
改めて、図５ｂは、この原理の拡張を示し、部分５９０は、基板メトロロジフレーム構
造体５８０の位置及び／又は姿勢の６自由度のうち第１成分を測定する測定システムに属
し、光学素子５３０は、基板メトロロジフレーム構造体５８０の位置及び／又は姿勢の６
自由度のうち第２成分を測定する測定システムの別途部分、例えば反射鏡部分（図示せず
）を含む。
造体５８０の位置及び／又は姿勢の６自由度のうち第１成分を測定する測定システムに属
し、光学素子５３０は、基板メトロロジフレーム構造体５８０の位置及び／又は姿勢の６
自由度のうち第２成分を測定する測定システムの別途部分、例えば反射鏡部分（図示せず
）を含む。
一実施形態では、パターニングデバイスメトロロジフレーム５７５及び／又は基板メト
ロロジフレーム５８０用のセンサシステムは、エンコーダ又は干渉計であり得る。このよ
うなエンコーダ又は干渉計の関連部分の場所は、光学素子測定システムについて記載した
ものと同様（例えば、必要に応じて一部がフレーム上、別の部分が基板／パターニングデ
バイスステージ上）であり得る。
ロロジフレーム５８０用のセンサシステムは、エンコーダ又は干渉計であり得る。このよ
うなエンコーダ又は干渉計の関連部分の場所は、光学素子測定システムについて記載した
ものと同様（例えば、必要に応じて一部がフレーム上、別の部分が基板／パターニングデ
バイスステージ上）であり得る。
それゆえ、図５ａ及び図５ｂを参照すると、一実施形態では、メトロロジフレーム構造
体５００は、パターニングデバイスメトロロジフレーム５７５の位置及び／又は姿勢を測
定する干渉計システムの部分５８５と、基板メトロロジフレーム５８０の位置及び／又は
姿勢を測定する干渉計システムの部分５９０とを含む。一実施形態では、メトロロジフレ
ーム構造体５００に支持された干渉計システムの部分は、センサ又は干渉計光学情報をセ
ンサに転送するよう設計された光学素子である。その場合、パター－ニングデバイスメト
ロロジフレーム５７５又は基板メトロロジフレーム５８０は、干渉計ビームを受ける反射
面を支持する。一実施形態では、メトロロジフレーム構造体５００に支持された干渉計シ
ステムの部分は、干渉計ビームを受ける反射面である。その場合、パターニングデバイス
メトロロジフレーム５７５又は基板メトロロジフレーム５８０は、センサ又は干渉計光学
情報をセンサに転送するよう設計された光学素子を支持する。一実施形態では、干渉計シ
ステムに放射線を供給する出力（放射源自体であり得るか又は放射源に接続され得る）を
適当な場所に設けることができ、これはメトロロジフレーム構造体５００上、適用可能な
パターニングデバイスメトロロジフレーム５７５又は基板メトロロジフレーム５８０上、
又は他の場所であり得る。部分５８５及び５９０毎に、例えば測定ビームによる光学情報
の伝達を示す破線が図５ａ及び図５ｂに示されている。図５ａ／ｂに関して記載した特徴
の１つ又は複数を有する基板メトロロジフレーム５８０及び／又はパターニングデバイス
メトロロジフレーム５７５は、場合によっては図６に示す第３実施形態の一部でもあり得
る。
体５００は、パターニングデバイスメトロロジフレーム５７５の位置及び／又は姿勢を測
定する干渉計システムの部分５８５と、基板メトロロジフレーム５８０の位置及び／又は
姿勢を測定する干渉計システムの部分５９０とを含む。一実施形態では、メトロロジフレ
ーム構造体５００に支持された干渉計システムの部分は、センサ又は干渉計光学情報をセ
ンサに転送するよう設計された光学素子である。その場合、パター－ニングデバイスメト
ロロジフレーム５７５又は基板メトロロジフレーム５８０は、干渉計ビームを受ける反射
面を支持する。一実施形態では、メトロロジフレーム構造体５００に支持された干渉計シ
ステムの部分は、干渉計ビームを受ける反射面である。その場合、パターニングデバイス
メトロロジフレーム５７５又は基板メトロロジフレーム５８０は、センサ又は干渉計光学
情報をセンサに転送するよう設計された光学素子を支持する。一実施形態では、干渉計シ
ステムに放射線を供給する出力（放射源自体であり得るか又は放射源に接続され得る）を
適当な場所に設けることができ、これはメトロロジフレーム構造体５００上、適用可能な
パターニングデバイスメトロロジフレーム５７５又は基板メトロロジフレーム５８０上、
又は他の場所であり得る。部分５８５及び５９０毎に、例えば測定ビームによる光学情報
の伝達を示す破線が図５ａ及び図５ｂに示されている。図５ａ／ｂに関して記載した特徴
の１つ又は複数を有する基板メトロロジフレーム５８０及び／又はパターニングデバイス
メトロロジフレーム５７５は、場合によっては図６に示す第３実施形態の一部でもあり得
る。
図５ａ及び図５ｂには、部分５６０、５６５、５７０、５７５、５８５、５８６、５９
０、及び５９１のそれぞれが複数自由度測定を示す２つの測定ビームを有するものとして
示されている。しかしながら、複数のビームは必要ない。
０、及び５９１のそれぞれが複数自由度測定を示す２つの測定ビームを有するものとして
示されている。しかしながら、複数のビームは必要ない。
一実施形態では、リソグラフィ装置(例えば、メトロロジフレーム構造体)には、光学素
子位置及び／又は姿勢測定干渉計システム用の以下のハードウェアから選択される１つ又
は複数が設けられる：関連ビームデリバリ、ビーム分割、ビーム曲げ、ビーム偏光クリー
ニング、範囲制御用の１つ又は複数のビーム調整マニピュレータ、測定ビーム波長追跡機
、屈折率決定機、ゼロ化システム、ガス流等の外部影響からの局所的且つ／又は全域的ビ
ーム遮蔽（遮蔽材がメトロロジフレーム構造体に取り付けられる必要はない）等。一実施
形態では、同様の機器を光学素子位置及び／又は姿勢測定エンコーダシステムに関して設
けることができる。
子位置及び／又は姿勢測定干渉計システム用の以下のハードウェアから選択される１つ又
は複数が設けられる：関連ビームデリバリ、ビーム分割、ビーム曲げ、ビーム偏光クリー
ニング、範囲制御用の１つ又は複数のビーム調整マニピュレータ、測定ビーム波長追跡機
、屈折率決定機、ゼロ化システム、ガス流等の外部影響からの局所的且つ／又は全域的ビ
ーム遮蔽（遮蔽材がメトロロジフレーム構造体に取り付けられる必要はない）等。一実施
形態では、同様の機器を光学素子位置及び／又は姿勢測定エンコーダシステムに関して設
けることができる。
一実施形態では、リソグラフィ装置には（例えば、メトロロジフレーム構造体から遠隔
に）、光学素子位置及び／又は姿勢測定干渉計システム用の以下のハードウェアから選択
される１つ又は複数が設けられる：放射線供給源（例えば、レーザ）、例えばリアルタイ
ム（サーボ）及び／又は遅延計算（ドリフト補償）のための信号処理及び演算（例えば、
信号調整、位置決定、位置補正、メトロロジモデル、較正モデル等）用のエレクトロニク
スハードウェア及びソフトウェア。一実施形態では、同様の機器を光学素子位置及び／又
は姿勢測定エンコーダシステムに関して設けることができる。
に）、光学素子位置及び／又は姿勢測定干渉計システム用の以下のハードウェアから選択
される１つ又は複数が設けられる：放射線供給源（例えば、レーザ）、例えばリアルタイ
ム（サーボ）及び／又は遅延計算（ドリフト補償）のための信号処理及び演算（例えば、
信号調整、位置決定、位置補正、メトロロジモデル、較正モデル等）用のエレクトロニク
スハードウェア及びソフトウェア。一実施形態では、同様の機器を光学素子位置及び／又
は姿勢測定エンコーダシステムに関して設けることができる。
一実施形態では、別の測定システムを用いて（例えば、別の光学測定システムを用いて
測定されたテストパターンの像の使用により）較正された１つ又は複数の基準位置に対す
る較正（ゼロ化）により、干渉計システムを較正するためのメトロロジモデルが設けられ
る。
測定されたテストパターンの像の使用により）較正された１つ又は複数の基準位置に対す
る較正（ゼロ化）により、干渉計システムを較正するためのメトロロジモデルが設けられ
る。
したがって、一実施形態では、例えばＥＵＶ投影系のミラー用の１つ又は複数の干渉計
を用いて、比較的大きな距離の複数自由度光学素子位置及び／又は姿勢測定が（例えば、
ピコメートルレベルの精度で）行われる。一実施形態では、メトロロジフレームから比較
的遠い１つ又は複数の光学素子の測定を可能にしつつ高い共振周波数を有する、単一のメ
トロロジフレームが設けられる。一実施形態では、メトロロジフレーム構造体は、特定の
光学素子（例えば、光学素子５３０及び５３５）とメトロロジフレーム構造体との間の大
きな自由空間により設計空間／自由度を広げることを可能にする一方で、それらの光学素
子を依然として高精度で測定可能である。
を用いて、比較的大きな距離の複数自由度光学素子位置及び／又は姿勢測定が（例えば、
ピコメートルレベルの精度で）行われる。一実施形態では、メトロロジフレームから比較
的遠い１つ又は複数の光学素子の測定を可能にしつつ高い共振周波数を有する、単一のメ
トロロジフレームが設けられる。一実施形態では、メトロロジフレーム構造体は、特定の
光学素子（例えば、光学素子５３０及び５３５）とメトロロジフレーム構造体との間の大
きな自由空間により設計空間／自由度を広げることを可能にする一方で、それらの光学素
子を依然として高精度で測定可能である。
図６を参照すると、リソグラフィ装置のパターニングデバイスステージＭＴ、投影系Ｐ
Ｓ、及び基板ステージＷＴの別の実施形態の概略図が示されている。適用例は図５ａ及び
図５ｂに示すものと同様なので、特にこれらの適用例の特徴は当業者によって容易に交換
可能である。図５ａ／ｂ及び図６は同様なので、図６を参照して、特に図５ａ及び図５ｂ
との差異を以下に記載する。
Ｓ、及び基板ステージＷＴの別の実施形態の概略図が示されている。適用例は図５ａ及び
図５ｂに示すものと同様なので、特にこれらの適用例の特徴は当業者によって容易に交換
可能である。図５ａ／ｂ及び図６は同様なので、図６を参照して、特に図５ａ及び図５ｂ
との差異を以下に記載する。
図６は、放射線ビームＢ、２６を放射線感光基板Ｗに投影するよう構成された複数の光
学素子６０５～６４０を備えたリソグラフィ装置の投影系ＰＳを示す。投影系ＰＳはさら
に、光学素子６０５～６４０のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する光学
素子測定システムの部分６６０～６９５を含むメトロロジフレーム構造体６００を備える
。複数の光学素子６０５～６４０、パターニングデバイスステージＭＴ、及び基板ステー
ジＷＴは、投影系ＰＳの２次元図で複数の光学素子６０５～６４０、パターニングデバイ
スステージＭＴ、及び基板ステージＷＴを囲むような矩形ＯＲＥ（「外側矩形」）が規定
されるように配置される。矩形ＯＲＥはさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジ
フレーム構造体６００は、矩形ＯＲＥ内に位置決めされる。矩形ＯＲＥは、図５ａ及び図
５ｂの適用例にも示されている。
学素子６０５～６４０を備えたリソグラフィ装置の投影系ＰＳを示す。投影系ＰＳはさら
に、光学素子６０５～６４０のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する光学
素子測定システムの部分６６０～６９５を含むメトロロジフレーム構造体６００を備える
。複数の光学素子６０５～６４０、パターニングデバイスステージＭＴ、及び基板ステー
ジＷＴは、投影系ＰＳの２次元図で複数の光学素子６０５～６４０、パターニングデバイ
スステージＭＴ、及び基板ステージＷＴを囲むような矩形ＯＲＥ（「外側矩形」）が規定
されるように配置される。矩形ＯＲＥはさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジ
フレーム構造体６００は、矩形ＯＲＥ内に位置決めされる。矩形ＯＲＥは、図５ａ及び図
５ｂの適用例にも示されている。
さらに、複数の光学素子６０５～６４０は、投影系ＰＳの２次元図で複数の光学素子６
０５～６４０を囲むような内側矩形ＩＲＥが規定されるようにも配置される。内側矩形Ｉ
ＲＥもさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体６００は、内側矩
形ＩＲＥ内に位置決めされる。
０５～６４０を囲むような内側矩形ＩＲＥが規定されるようにも配置される。内側矩形Ｉ
ＲＥもさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体６００は、内側矩
形ＩＲＥ内に位置決めされる。
２次元図を参照すると、２次元図は、パターニングデバイスステージＭＴから基板ステ
ージＷＴまでの放射線ビームＢ、２６の経路を全体的に見ることができる投影系ＰＳの図
である。パターニングデバイスステージＭＴから基板ステージＷＴまでの放射線ビームＢ
、２６の側面図を見ることができる。一般的に、放射線ビームＢ、２６は、「平坦」に、
場合によっては平面内で進む。この場合、２次元図は、放射線ビームＢ、２６の大部分又
は全部がパターニングデバイスステージＭＴから基板ステージＷＴまで進む平面の図であ
る。
ージＷＴまでの放射線ビームＢ、２６の経路を全体的に見ることができる投影系ＰＳの図
である。パターニングデバイスステージＭＴから基板ステージＷＴまでの放射線ビームＢ
、２６の側面図を見ることができる。一般的に、放射線ビームＢ、２６は、「平坦」に、
場合によっては平面内で進む。この場合、２次元図は、放射線ビームＢ、２６の大部分又
は全部がパターニングデバイスステージＭＴから基板ステージＷＴまで進む平面の図であ
る。
複数の光学素子６０５～６４０はさらに、メトロロジフレーム構造体６００を包囲する
よう位置決めされた外側光学素子群６０５～６２５、６３５、６４０を含む。図６は、複
数の光学素子６０５～６４０が８つの光学素子６０５～６４０を含む投影系ＰＳを示して
いるが、本発明はこの数にも図５ａ及び図５ｂに示す光学素子の数にも限定されない。本
発明は、任意の光学素子数で、例えば少なくとも２つ、少なくとも３つ、少なくとも４つ
、少なくとも５つ、少なくとも６つ、少なくとも７つ、少なくとも８つ、少なくとも９つ
、又は少なくとも１０個、又はそれ以上の数の光学素子で実現できることが有利である。
よう位置決めされた外側光学素子群６０５～６２５、６３５、６４０を含む。図６は、複
数の光学素子６０５～６４０が８つの光学素子６０５～６４０を含む投影系ＰＳを示して
いるが、本発明はこの数にも図５ａ及び図５ｂに示す光学素子の数にも限定されない。本
発明は、任意の光学素子数で、例えば少なくとも２つ、少なくとも３つ、少なくとも４つ
、少なくとも５つ、少なくとも６つ、少なくとも７つ、少なくとも８つ、少なくとも９つ
、又は少なくとも１０個、又はそれ以上の数の光学素子で実現できることが有利である。
本明細書中、本発明は、ＥＵＶ放射線用に設計された投影系ＰＳに関して主に述べられ
ている。しかしながら、任意の放射波長で用いることができる他のいかなる投影系も用い
ることができる。したがって、投影系ＰＳの光学素子は、概して反射型又は透過型とする
ことができ、好ましくは、図５ａ、図５ｂ、及び図６に示すように、光学素子又は少なく
とも複数の光学素子は反射型であり、例えばミラーとして設計される。
ている。しかしながら、任意の放射波長で用いることができる他のいかなる投影系も用い
ることができる。したがって、投影系ＰＳの光学素子は、概して反射型又は透過型とする
ことができ、好ましくは、図５ａ、図５ｂ、及び図６に示すように、光学素子又は少なく
とも複数の光学素子は反射型であり、例えばミラーとして設計される。
既に述べたように、図５ａ、図５ｂ、及び図６は、メトロロジフレーム構造体５００、
６００の２次元図を示す。それにより、メトロロジフレーム構造体５００、６００が外側
光学素子群５０５～５３５；６０５～６２５、６３５、６４０内に位置決めされ、外側光
学素子群５０５～５３５；６０５～６２５、６３５、６４０は、メトロロジフレーム構造
体５００、６００を包囲するよう位置決めされることが分かる。
６００の２次元図を示す。それにより、メトロロジフレーム構造体５００、６００が外側
光学素子群５０５～５３５；６０５～６２５、６３５、６４０内に位置決めされ、外側光
学素子群５０５～５３５；６０５～６２５、６３５、６４０は、メトロロジフレーム構造
体５００、６００を包囲するよう位置決めされることが分かる。
外側光学素子群６０５～６２５、６３５、６４０は、光学素子６０５～６４０のうち７
つを含むが、概して光学素子６０５～６４０のうちより多数又は全部を含む場合もある。
図６では、光学素子６０５～６４０の過半数が外側光学素子群６０５～６２５、６３５、
６４０に含まれる。
つを含むが、概して光学素子６０５～６４０のうちより多数又は全部を含む場合もある。
図６では、光学素子６０５～６４０の過半数が外側光学素子群６０５～６２５、６３５、
６４０に含まれる。
図６から分かるように、メトロロジフレーム構造体６００は、放射線ビームＢ、２６に
メトロロジフレーム構造体６００を通過させるよう構成された開口ＯＰを含む。これは例
えば、メトロロジフレーム構造体６００をトーラス又はリングの形態に設計することによ
り達成でき、単に明確化のために、図６には開口ＯＰを非常に抽象的に示す。
メトロロジフレーム構造体６００を通過させるよう構成された開口ＯＰを含む。これは例
えば、メトロロジフレーム構造体６００をトーラス又はリングの形態に設計することによ
り達成でき、単に明確化のために、図６には開口ＯＰを非常に抽象的に示す。
さらに、メトロロジフレーム構造体６００の開口ＯＰ内に少なくとも部分的に位置決め
された内側光学素子６３０が図示されている。概して、投影系ＰＳは、内側光学素子群を
含むことさえできる。内側群は光学素子６０５～６４０のうち少なくとも１つ、少なくと
も２つ、少なくとも３つ、少なくとも４つ、又はさらに多数、但し好ましくは光学素子６
０５～６４０のうち半数未満を含み得る。
された内側光学素子６３０が図示されている。概して、投影系ＰＳは、内側光学素子群を
含むことさえできる。内側群は光学素子６０５～６４０のうち少なくとも１つ、少なくと
も２つ、少なくとも３つ、少なくとも４つ、又はさらに多数、但し好ましくは光学素子６
０５～６４０のうち半数未満を含み得る。
図５ａ及び図５ｂに関して既に説明したように、１つ又は複数の光学素子測定システム
は、光学素子５０５～５３５、６０５～６４０のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿
勢を光学的に測定するよう構成され得る。したがって、過半数又は(図６の場合のように)
全部の光学素子測定システムが、干渉計システムとして設計され得る。
は、光学素子５０５～５３５、６０５～６４０のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿
勢を光学的に測定するよう構成され得る。したがって、過半数又は(図６の場合のように)
全部の光学素子測定システムが、干渉計システムとして設計され得る。
投影系ＰＳを通してビームＢ、２６を誘導するために、平坦なビーム経路が好ましい。
この場合、複数の光学素子５０５～５３５、６０５～６４０のうち過半数又は全部が斜入
射ミラーとして設計されれば有益であり得る。単なる一例として、図６では、光学素子６
１５、６２０、６３０が斜入射ミラーとして設計されている。
この場合、複数の光学素子５０５～５３５、６０５～６４０のうち過半数又は全部が斜入
射ミラーとして設計されれば有益であり得る。単なる一例として、図６では、光学素子６
１５、６２０、６３０が斜入射ミラーとして設計されている。
図６において分かるように、複数の光学素子６０５～６４０は、１つ又は複数のフォー
スフレーム構造体６０１により支持することができ、フォースフレーム構造体６０１は、
メトロロジフレーム構造体６００から独立している。簡単のために、フォースフレーム構
造体６０１の一部のみを図６に示す。
スフレーム構造体６０１により支持することができ、フォースフレーム構造体６０１は、
メトロロジフレーム構造体６００から独立している。簡単のために、フォースフレーム構
造体６０１の一部のみを図６に示す。
既に前述したように、メトロロジフレーム構造体５００、６００は、例えば単一部品で
実現されるか又は相互に剛接続又は強固に接続された複数の部品を含む単一フレームであ
り得る。好ましくは、メトロロジフレーム構造体６００は、軽量設計として実現され、例
えば中空構造体として設計される。図５ａ、図５ｂ、及び図６に提示するものは、概略図
にすぎないものと理解しなければならない。
実現されるか又は相互に剛接続又は強固に接続された複数の部品を含む単一フレームであ
り得る。好ましくは、メトロロジフレーム構造体６００は、軽量設計として実現され、例
えば中空構造体として設計される。図５ａ、図５ｂ、及び図６に提示するものは、概略図
にすぎないものと理解しなければならない。
一般的に、光学素子６０５～６４０の位置及び／又は姿勢の測定用の基準が用いられる
。まず、メトロロジフレーム構造体６００は、そのような光学素子位置決め測定用の相対
位置決め基準として働くことができる。さらに、光学素子６０５～６４０のうち１つ又は
複数、パターニングデバイスステージＭＴ、基板ステージＷＴ、及び／又は投影系ＰＳの
外側の外部構造体ＯＳＴＲも、用途によっては光学素子位置決め測定用の相対位置決め基
準として働くことができる。
。まず、メトロロジフレーム構造体６００は、そのような光学素子位置決め測定用の相対
位置決め基準として働くことができる。さらに、光学素子６０５～６４０のうち１つ又は
複数、パターニングデバイスステージＭＴ、基板ステージＷＴ、及び／又は投影系ＰＳの
外側の外部構造体ＯＳＴＲも、用途によっては光学素子位置決め測定用の相対位置決め基
準として働くことができる。
メトロロジフレーム構造体５００、６００が冷却されれば有益であり得る。制御された
温度環境が、測定をさらに改善させることができる。
温度環境が、測定をさらに改善させることができる。
図６の干渉計測定システムは、１つ又は複数の自由度の測定用に設計され得る。干渉計
測定システムはさらに、以下の特徴のうち１つ又は複数を含み得る：：関連ビームデリバ
リ、ファイバフィーディング、ビーム分割、ビーム曲げ、ビーム偏光クリーニング、１つ
又は複数のビーム調整マニピュレータ及び／又は範囲制御用のターゲット／設備、測定ビ
ーム波長追跡機、屈折率決定機、ゼロ化システム、及び／又はガス流等の外部影響からの
局所的且つ／又は全域的ビーム遮蔽。
測定システムはさらに、以下の特徴のうち１つ又は複数を含み得る：：関連ビームデリバ
リ、ファイバフィーディング、ビーム分割、ビーム曲げ、ビーム偏光クリーニング、１つ
又は複数のビーム調整マニピュレータ及び／又は範囲制御用のターゲット／設備、測定ビ
ーム波長追跡機、屈折率決定機、ゼロ化システム、及び／又はガス流等の外部影響からの
局所的且つ／又は全域的ビーム遮蔽。
メトロロジフレーム構造体６００は、４００Ｈｚ以上の共振周波数を有し得る。高い共
振周波数が測定の改善に有利であり得る。
振周波数が測定の改善に有利であり得る。
好ましくは、干渉計測定システムで測定したメトロロジフレーム構造体６００から少な
くとも１つの光学素子６０５～６４０までのギャップ距離は、５センチメートル以上であ
る。
くとも１つの光学素子６０５～６４０までのギャップ距離は、５センチメートル以上であ
る。
概して、メトロロジフレーム構造体６００は、３メートル以下の長さを有し得る。
コンピュータシステムが、本明細書に開示した方法及び流れの実施を補助することがで
きる。コンピュータシステムは、情報を通信するためのバス又は他の通信機構と、バスと
結合されて情報を処理するプロセッサ（又は複数のプロセッサ）とを含み得る。コンピュ
ータシステムは、バスに結合されてプロセッサにより実行される情報及び命令を記憶及び
／又は供給するランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）又は他の動的記憶装置等の主メモリも
含み得る。主メモリを用いて、プロセッサにより実行される命令の実行中に一時変数又は
他の中間情報を記憶及び／又は供給することができる。コンピュータシステムはさらに、
バスに結合されてプロセッサ用の静的情報及び命令を記憶及び／又は供給するリードオン
リメモリ（ＲＯＭ）又は他の静的記憶装置を含み得る。磁気ディスク又は光ディスク等の
記憶装置を用意し、バスに結合して情報及び命令を記憶及び／又は供給してもよい。コン
ピュータシステムは、バスを介して陰極線管（ＣＲＴ）又はフラットパネル若しくはタッ
チパネルディスプレイ等のディスプレイに結合されて、コンピュータユーザに対して情報
を表示することができる。英数字及び他のキーを含む入力デバイスをバスに結合して情報
及びコマンド選択をプロセッサに通信することができる。別のタイプのユーザ入力デバイ
スは、方向情報及びコマンド選択をプロセッサに通信してディスプレイ上のカーソル移動
を制御するためのマウス、トラックボール、又はカーソル方向キー等のカーソル制御であ
り得る。タッチパネル（スクリーン）ディスプレイを入力デバイスとして用いることもで
きる。
きる。コンピュータシステムは、情報を通信するためのバス又は他の通信機構と、バスと
結合されて情報を処理するプロセッサ（又は複数のプロセッサ）とを含み得る。コンピュ
ータシステムは、バスに結合されてプロセッサにより実行される情報及び命令を記憶及び
／又は供給するランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）又は他の動的記憶装置等の主メモリも
含み得る。主メモリを用いて、プロセッサにより実行される命令の実行中に一時変数又は
他の中間情報を記憶及び／又は供給することができる。コンピュータシステムはさらに、
バスに結合されてプロセッサ用の静的情報及び命令を記憶及び／又は供給するリードオン
リメモリ（ＲＯＭ）又は他の静的記憶装置を含み得る。磁気ディスク又は光ディスク等の
記憶装置を用意し、バスに結合して情報及び命令を記憶及び／又は供給してもよい。コン
ピュータシステムは、バスを介して陰極線管（ＣＲＴ）又はフラットパネル若しくはタッ
チパネルディスプレイ等のディスプレイに結合されて、コンピュータユーザに対して情報
を表示することができる。英数字及び他のキーを含む入力デバイスをバスに結合して情報
及びコマンド選択をプロセッサに通信することができる。別のタイプのユーザ入力デバイ
スは、方向情報及びコマンド選択をプロセッサに通信してディスプレイ上のカーソル移動
を制御するためのマウス、トラックボール、又はカーソル方向キー等のカーソル制御であ
り得る。タッチパネル（スクリーン）ディスプレイを入力デバイスとして用いることもで
きる。
一実施形態によれば、本明細書に記載したプロセスの少なくとも一部が、記憶装置（例
えば、主メモリ）に含まれた１つ又は複数の命令の１つ又は複数のシーケンスをプロセッ
サが実行することに応答してコンピュータシステムにより実施され得る。命令シーケンス
の実行により、プロセッサは本明細書に記載したプロセスステップを実施する。マルチプ
ロセッシング構成の１つ又は複数のプロセッサを用いて、命令シーケンスを実行してもよ
い。代替的な実施形態では、ハードワイヤード回路をソフトウェア命令の代わりに、又は
ソフトウェア命令と組み合わせて用いることができる。したがって、本明細書の記載は、
ハードウェア回路及びソフトウェアのいかなる特定の組み合わせにも限定されない。
えば、主メモリ）に含まれた１つ又は複数の命令の１つ又は複数のシーケンスをプロセッ
サが実行することに応答してコンピュータシステムにより実施され得る。命令シーケンス
の実行により、プロセッサは本明細書に記載したプロセスステップを実施する。マルチプ
ロセッシング構成の１つ又は複数のプロセッサを用いて、命令シーケンスを実行してもよ
い。代替的な実施形態では、ハードワイヤード回路をソフトウェア命令の代わりに、又は
ソフトウェア命令と組み合わせて用いることができる。したがって、本明細書の記載は、
ハードウェア回路及びソフトウェアのいかなる特定の組み合わせにも限定されない。
本明細書で用いられる用語「コンピュータ可読媒体」は、プロセッサに実行される命令
を提供するのに関与する任意の媒体を指す。このような媒体は、限定はされないが、不揮
発性媒体、揮発性媒体、及び伝送媒体を含む多くの形態をとり得る。不揮発性媒体として
は、例えば光又は磁気ディスクが挙げられる。揮発性媒体としては、動的メモリが挙げら
れる。伝送媒体としては、同軸ケーブル、銅線、及び光ファイバ、例えばバスを含むワイ
ヤといったものが挙げられる。伝送媒体は、無線（ＲＦ）及び赤外線（ＩＲ）通信中に発
生するもの等の音波又は光波の形態をとることもできる。一般的な形態のコンピュータ可
読媒体としては、例えば、フロッピーディスク、フレキシブルディスク、ハードディスク
、磁気テープ、任意の他の磁気媒体、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ、任意の他の光学媒体、パン
チカード、紙テープ、孔パターンを有する任意の他の物理媒体、ＲＡＭ、ＰＲＯＭ、及び
ＥＰＲＯＭ、ＦＬＡＳＨ－ＥＰＲＯＭ、任意の他のメモリチップ又はカートリッジ、以下
に記載する搬送波、又はコンピュータにより読み取り可能な任意の他の媒体が挙げられる
。
を提供するのに関与する任意の媒体を指す。このような媒体は、限定はされないが、不揮
発性媒体、揮発性媒体、及び伝送媒体を含む多くの形態をとり得る。不揮発性媒体として
は、例えば光又は磁気ディスクが挙げられる。揮発性媒体としては、動的メモリが挙げら
れる。伝送媒体としては、同軸ケーブル、銅線、及び光ファイバ、例えばバスを含むワイ
ヤといったものが挙げられる。伝送媒体は、無線（ＲＦ）及び赤外線（ＩＲ）通信中に発
生するもの等の音波又は光波の形態をとることもできる。一般的な形態のコンピュータ可
読媒体としては、例えば、フロッピーディスク、フレキシブルディスク、ハードディスク
、磁気テープ、任意の他の磁気媒体、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ、任意の他の光学媒体、パン
チカード、紙テープ、孔パターンを有する任意の他の物理媒体、ＲＡＭ、ＰＲＯＭ、及び
ＥＰＲＯＭ、ＦＬＡＳＨ－ＥＰＲＯＭ、任意の他のメモリチップ又はカートリッジ、以下
に記載する搬送波、又はコンピュータにより読み取り可能な任意の他の媒体が挙げられる
。
コンピュータシステムは、バスに結合された通信インタフェースを含み得る。通信イン
タフェースは、ネットワーク又は別のコンピューティングデバイス(例えば、リソグラフ
ィ装置のコンピューティングデバイス)に接続されたネットワークリンクに対する双方向
データ通信結合を提供する。例えば、通信インタフェースは、有線又は無線データ通信接
続を提供し得る。いかなるこのような実施態様においても、通信インタフェースは、各種
情報を表すデジタルデータストリームを搬送する電気信号、電磁信号、又は光信号を送受
信する。
タフェースは、ネットワーク又は別のコンピューティングデバイス(例えば、リソグラフ
ィ装置のコンピューティングデバイス)に接続されたネットワークリンクに対する双方向
データ通信結合を提供する。例えば、通信インタフェースは、有線又は無線データ通信接
続を提供し得る。いかなるこのような実施態様においても、通信インタフェースは、各種
情報を表すデジタルデータストリームを搬送する電気信号、電磁信号、又は光信号を送受
信する。
コンピュータシステムは、ネットワーク(単数又は複数)、ネットワークリンク、及び通
信インタフェースを介してメッセージを送信し、プログラムコードを含むデータを受信す
ることができる。インターネットの例では、サーバがネットワーク（例えば、インターネ
ット）及び通信インタフェースを介してアプリケーションプログラム用の（要求された）
コードを伝送し得る。例えば、このようなダウンロードされたアプリケーションの１つは
、本明細書中の方法を実施するコードを提供し得る。受け取られたコードは、そのままプ
ロセッサにより実行され、且つ／又は後で実行するように記憶装置又は他の不揮発性記憶
装置に記憶され得る。このように、コンピュータシステムは、搬送波の形態でアプリケー
ションコードを得ることができる。
信インタフェースを介してメッセージを送信し、プログラムコードを含むデータを受信す
ることができる。インターネットの例では、サーバがネットワーク（例えば、インターネ
ット）及び通信インタフェースを介してアプリケーションプログラム用の（要求された）
コードを伝送し得る。例えば、このようなダウンロードされたアプリケーションの１つは
、本明細書中の方法を実施するコードを提供し得る。受け取られたコードは、そのままプ
ロセッサにより実行され、且つ／又は後で実行するように記憶装置又は他の不揮発性記憶
装置に記憶され得る。このように、コンピュータシステムは、搬送波の形態でアプリケー
ションコードを得ることができる。
一実施形態では、リソグラフィ装置は、投影系と基板との間の空間を満たすように比較
的高い屈折率を有する液体、例えば水により基板の少なくとも一部が覆われ得るタイプの
ものでもあり得る。浸液をリソグラフィ装置の他の空間に、例えばマスクと投影系との間
に入れることもできる。液浸技法は、当該技術分野では投影系の開口数を増加させること
でよく知られている。本明細書で用いられる用語「液浸」は、基板等の構造体が液体に浸
漬されなければならないことを意味するのではなく、露光中に液体が投影系と基板との間
に位置付けられることを意味するだけである。
的高い屈折率を有する液体、例えば水により基板の少なくとも一部が覆われ得るタイプの
ものでもあり得る。浸液をリソグラフィ装置の他の空間に、例えばマスクと投影系との間
に入れることもできる。液浸技法は、当該技術分野では投影系の開口数を増加させること
でよく知られている。本明細書で用いられる用語「液浸」は、基板等の構造体が液体に浸
漬されなければならないことを意味するのではなく、露光中に液体が投影系と基板との間
に位置付けられることを意味するだけである。
本明細書に開示した概念は、リソグラフィ装置を伴う任意のデバイス製造プロセスと共
に用いることができ、さらに短縮された波長を発生させることができる新興結像技術で特
に有用であり得る。既に用いられている新興技術としては、ＡｆＲレーザを用いて１９３
ｎｍの波長及びさらにはフッ素レーザを用いて１５７ｎｍの波長を発生させることができ
る深紫外線（ＤＵＶ）リソグラフィが挙げられる。さらに、ＥＵＶリソグラフィは、５ｎ
ｍ～２０ｎｍの範囲内の波長を発生させることができる。
に用いることができ、さらに短縮された波長を発生させることができる新興結像技術で特
に有用であり得る。既に用いられている新興技術としては、ＡｆＲレーザを用いて１９３
ｎｍの波長及びさらにはフッ素レーザを用いて１５７ｎｍの波長を発生させることができ
る深紫外線（ＤＵＶ）リソグラフィが挙げられる。さらに、ＥＵＶリソグラフィは、５ｎ
ｍ～２０ｎｍの範囲内の波長を発生させることができる。
本明細書に開示した概念は、シリコンウェハ等の基板上のデバイス製造に用いられ得る
が、開示した概念を任意のタイプのリソグラフィシステム、例えばシリコンウェハ以外の
基板のパターニングに用いられるものと共に用いてもよいことが理解されよう。
が、開示した概念を任意のタイプのリソグラフィシステム、例えばシリコンウェハ以外の
基板のパターニングに用いられるものと共に用いてもよいことが理解されよう。
上述のように、マイクロリソグラフィは、ＩＣ等のデバイスの製造における重要なステ
ップであり、基板上に形成されたパターンがマイクロプロセッサ、メモリチップ等のＩＣ
の機能要素を規定する。同様のリソグラフィ技法が、フラットパネルディスプレイ、微小
電気機械システム（ＭＥＭＳ）及び他のデバイスの形成でも用いられる。したがって、本
明細書ではＩＣの製造に特に言及している場合があるが、本明細書の記載に多くの他の可
能な用途があることを明確に理解すべきである。例えば、マイクロリソグラフィは、集積
光学系、磁気ドメインメモリ用の誘導及び検出パターン、液晶ディスプレイパネル、薄膜
磁気ヘッド等の製造で用いることができる。当業者であれば、このような代替的な用途に
関連して、本明細書における用語「レチクル」、「ウェハ」、又は「ダイ」の使用は、よ
り一般的な用語「マスク」、「基板」、及び「ターゲット部分」と交換可能であるとみな
すべきであることを理解するであろう。
ップであり、基板上に形成されたパターンがマイクロプロセッサ、メモリチップ等のＩＣ
の機能要素を規定する。同様のリソグラフィ技法が、フラットパネルディスプレイ、微小
電気機械システム（ＭＥＭＳ）及び他のデバイスの形成でも用いられる。したがって、本
明細書ではＩＣの製造に特に言及している場合があるが、本明細書の記載に多くの他の可
能な用途があることを明確に理解すべきである。例えば、マイクロリソグラフィは、集積
光学系、磁気ドメインメモリ用の誘導及び検出パターン、液晶ディスプレイパネル、薄膜
磁気ヘッド等の製造で用いることができる。当業者であれば、このような代替的な用途に
関連して、本明細書における用語「レチクル」、「ウェハ」、又は「ダイ」の使用は、よ
り一般的な用語「マスク」、「基板」、及び「ターゲット部分」と交換可能であるとみな
すべきであることを理解するであろう。
本文献では、用語「放射線」及び「ビーム」は、紫外線（例えば、３６５ｎｍ、２４８
ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、又は１２６ｎｍの波長を有する）及びＥＵＶ（例えば、
５ｎｍ～２０ｎｍの範囲の波長を有する極紫外線）を含む全タイプの電磁放射線を包含す
るために用いられる。
ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、又は１２６ｎｍの波長を有する）及びＥＵＶ（例えば、
５ｎｍ～２０ｎｍの範囲の波長を有する極紫外線）を含む全タイプの電磁放射線を包含す
るために用いられる。
上記では光リソグラフィに関連した実施形態の使用に特に言及している場合があったが
、本発明の一実施形態を他の用途で、例えばインプリントリソグラフィで用いてもよく、
文脈によっては光リソグラフィに限定されないことが理解されよう。インプリントリソグ
ラフィでは、パターニングデバイスのトポグラフィが基板に形成されるパターンを規定す
る。パターニングデバイスのトポグラフィを基板に供給されたレジスト層に押し付けるこ
とができ、それから電磁放射線、熱、圧力、又はこれらの組み合わせを施すことによりレ
ジストを硬化させる。レジストの硬化後に、レジストにパターンを残してパターニングデ
バイスをレジストから移動させる。したがって、インプリント技術を用いたリソグラフィ
装置は、インプリント用テンプレートを保持するテンプレートホルダと、基板を保持する
基板テーブルと、基板とインプリントテンプレートとの間で相対移動を行わせてインプリ
ント用テンプレートのパターンを基板の層に転写できるようにする１つ又は複数のアクチ
ュエータとを通常は含む。
、本発明の一実施形態を他の用途で、例えばインプリントリソグラフィで用いてもよく、
文脈によっては光リソグラフィに限定されないことが理解されよう。インプリントリソグ
ラフィでは、パターニングデバイスのトポグラフィが基板に形成されるパターンを規定す
る。パターニングデバイスのトポグラフィを基板に供給されたレジスト層に押し付けるこ
とができ、それから電磁放射線、熱、圧力、又はこれらの組み合わせを施すことによりレ
ジストを硬化させる。レジストの硬化後に、レジストにパターンを残してパターニングデ
バイスをレジストから移動させる。したがって、インプリント技術を用いたリソグラフィ
装置は、インプリント用テンプレートを保持するテンプレートホルダと、基板を保持する
基板テーブルと、基板とインプリントテンプレートとの間で相対移動を行わせてインプリ
ント用テンプレートのパターンを基板の層に転写できるようにする１つ又は複数のアクチ
ュエータとを通常は含む。
以上の記載は、説明を意図したものであり限定ではない。したがって、添付の特許請求
の範囲から逸脱せずに記載の通り変更を行ってもよいことが当業者には明らかであろう。
の範囲から逸脱せずに記載の通り変更を行ってもよいことが当業者には明らかであろう。
Claims (72)
- リソグラフィ装置であって、
複数の光学素子（５０５～５３５；６０５～６４０）を含む投影系（ＰＳ）であり、前
記複数の光学素子（５０５～５３５；６０５～６４０）は、放射線ビーム（Ｂ、２６）を
放射線感光基板（Ｗ）に投影するよう構成される投影系（ＰＳ）と、
前記光学素子（５０５～５３５；６０５～６４０）のうち少なくとも１つの位置及び／
又は姿勢を測定する１つ又は複数の光学素子測定システムの一部（５４０～５７０；６６
０～６９５）を含むメトロロジフレーム構造体（５００；６００）であり、前記複数の光
学素子（５０５～５３５；６０５～６４０）、パターニングデバイスステージ（ＭＴ）、
及び基板ステージ（ＷＴ）は、前記投影系（ＰＳ）の２次元図で前記複数の光学素子（５
０５～５３５；６０５～６４０）、前記パターニングデバイスステージ（ＭＴ）、及び前
記基板ステージ（ＷＴ）を囲むような矩形（ＯＲＥ）が規定されるように配置され、前記
矩形（ＯＲＥ）はさらに、できる限り小さく規定され、メトロロジフレーム構造体（５０
０；６００）は、前記矩形（ＯＲＥ）内に位置決めされるメトロロジフレーム構造体（５
００；６００）と
を備えたリソグラフィ装置。 - 請求項１に記載の装置において、前記複数の光学素子（５０５～５３５；６０５～６４
０）は、前記投影系（ＰＳ）の２次元図で前記複数の光学素子（５０５～５３５；６０５
～６４０）を囲むような内側矩形（ＩＲＥ）が規定されるように配置され、前記内側矩形
（ＩＲＥ）はさらに、できる限り小さく規定され、前記メトロロジフレーム構造体（５０
０；６００）は、前記内側矩形（ＩＲＥ）内に位置決めされる装置。 - 請求項１又は２に記載の装置において、前記２次元図は、前記パターニングデバイスス
テージ（ＭＴ）から前記基板ステージ（ＷＴ）までの前記放射線ビーム（ＺＢ、２６）の
経路を全体的に見ることができる前記投影系（ＰＳ）の図である装置。 - 請求項１～３のいずれか１項に記載の装置において、前記２次元図は、前記パターニン
グデバイスステージ（ＭＴ）から前記基板ステージ（ＷＴ）までの前記放射線ビーム（Ｚ
Ｂ、２６）の側面図を見ることができる前記投影系（ＰＳ）の図である装置。 - 請求項１～４のいずれか１項に記載の装置において、前記２次元図は、前記放射線ビー
ム（Ｂ、２６）の大部分又は全部が前記パターニングデバイスーステージ（ＭＴ）から前
記基板ステージ（ＷＴ）まで進む平面の図である装置。 - 請求項１～５のいずれか１項に記載の装置において、前記複数の光学素子（５０５～５
３５；６０５～６４０）は、外側光学素子群（５０５～５３５；６０５～６２５、６３５
、６４０）を含み、該外側光学素子群（５０５～５３５；６０５～６２５、６３５、６４
０）は、前記メトロロジフレーム構造体（５００；６００）を包囲するよう位置決めされ
る装置。 - 請求項６に記載の装置において、前記外側光学素子群（５０５～５３５；６０５～６２
５、６３５、６４０）は、前記光学素子（５０５～５３５；６０５～６４０）のうち少な
くとも４つ、少なくとも５つ、少なくとも６つ、又は少なくとも７つを含む装置。 - 請求項６又は７に記載の装置において、前記外側光学素子群（５０５～５３５；６０５
～６２５、６３５、６４０）は、前記複数の光学素子（５０５～５３５；６０５～６４０
）のうち過半数又は全部を含む装置。 - 請求項１～８のいずれか１項に記載の装置において、前記メトロロジフレーム構造体（
５００；６００）は、前記放射線ビーム（Ｂ、２６）にメトロロジフレーム構造体（５０
０；６００）を通過させるよう構成された開口（ＯＰ）を含む装置。 - 請求項９に記載の装置において、前記複数の光学素子（６０５～６４０）は、内側光学
素子群（６３０）を含み、該内側光学素子群（６３０）は、前記メトロロジフレーム構造
体（６００）の前記開口（ＯＰ）内に少なくとも部分的に位置決めされる装置。 - 請求項１～１０のいずれか１項に記載の装置において、前記１つ又は複数の光学素子測
定システムは、前記光学素子（５０５～５３５；６０５～６４０）のうち前記少なくとも
１つの位置及び／又は姿勢を光学的に測定するよう構成される装置。 - 請求項１～１１のいずれか１項に記載の装置において、前記光学素子測定システムの過
半数又は全部が干渉計システムとして設計される装置。 - 請求項１～１１のいずれか１項に記載の装置において、前記メトロロジフレーム構造体
（５００；６００）は、２つの異なるタイプの光学素子測定システムの一部（５４０～５
７０；６６０～６９５）を含む装置。 - 請求項１３に記載の装置において、前記光学素子測定システムは、１つ又は複数の光学
エンコーダシステム及び１つ又は複数の干渉計システムとして設計される装置。 - 請求項１～１４のいずれか１項に記載の装置において、前記メトロロジフレーム構造体
（５００）は、前記光学素子（５１０～５２５）のうち少なくとも１つの位置及び／又は
姿勢を測定するエンコーダ測定システムの一部（５４０～５５５）と、前記光学素子（５
０５、５３０、５３５）のうち少なくとも１つの他の光学素子の位置及び／又は姿勢を測
定する干渉計測定システムの一部（５６０～５７０）とを含む装置。 - 請求項１～１５のいずれか１項に記載の装置において、前記複数の光学素子（５０５～
５３５；６０５～６４０）は、少なくとも１つ、少なくとも２つ、少なくとも３つ、少な
くとも４つ、少なくとも５つ、少なくとも６つ、又は少なくとも７つの斜入射ミラー（５
１０～５２０；６１０～６２０、６３０）を含む装置。 - 請求項１～１６のいずれか１項に記載の装置において、前記複数の光学素子（５０５～
５３５；６０５～６４０）の大部分又は全体が、斜入射ミラー（５１０～５２０；６１０
～６２０、６３０）として設計される装置。 - 請求項１～１７のいずれか１項に記載の装置において、前記複数の光学素子（５０５～
３５；６０５～６４０）は、１つ又は複数のフォースフレーム構造体（６０１）により支
持され、該フォースフレーム構造体（６０１）は、前記メトロロジフレーム構造体（５０
０；６００）から独立している装置。 - 請求項１～１８のいずれか１項に記載の装置において、前記メトロロジフレーム構造体
（５００；６００）は単一フレームである装置。 - 請求項１９に記載の装置において、前記単一フレームは、単一部品であるか又は相互に
剛接続又は強固に接続された複数の部品を含む装置。 - 請求項１～２０のいずれか１項に記載の装置において、前記メトロロジフレーム構造体
（５００；６００）は、光学素子位置決め測定用の相対位置決め基準として働く装置。 - 請求項１～２１のいずれか１項に記載の装置において、前記光学素子（５０５～５３５
；６０５～６４０）のうち１つが、光学素子位置決め測定用の相対位置決め基準として働
く装置。 - 請求項１～２２のいずれか１項に記載の装置において、前記投影系（ＰＳ）の外側の外
部構造体（ＯＳＴＲ）が、光学素子位置決め測定用の相対位置決め基準として働く装置。 - 請求項１～２３のいずれか１項に記載の装置において、前記メトロロジフレーム構造体
（５００；６００）は冷却される装置。 - 請求項１２～２４のいずれか１項に記載の装置において、前記干渉計測定システムは、
１つ又は複数の自由度の測定用に設計され、且つ／又は以下の特徴：関連ビームデリバリ
、ファイバフィーディング、ビーム分割、ビーム曲げ、ビーム偏光クリーニング、１つ又
は複数のビーム調整マニピュレータ及び／又は範囲制御用のターゲット／設備、測定ビー
ム波長追跡機、屈折率決定機、ゼロ化システム、及び／又はガス流等の外部影響からの局
所的且つ／又は全域的ビーム遮蔽、のうち１つ又は複数を含む装置。 - 請求項１～２５のいずれか１項に記載の装置において、前記メトロロジフレーム構造体
（５００；６００）は、４００Ｈｚ以上の共振周波数を有する装置。 - 請求項１～２６のいずれか１項に記載の装置において、パターニングデバイス（ＭＡ）
及び／又は前記パターニングデバイスステージ（ＭＴ）の位置及び／又は姿勢の測定を可
能にするよう構成されたパターニングデバイスメトロロジフレーム構造体（５７５）をさ
らに備え、前記メトロロジフレーム構造体（５００）はさらに、前記パターニングデバイ
スメトロロジフレーム構造体（５７５）の位置及び／又は姿勢を測定する測定システムの
一部（５８５）を含む装置。 - 請求項２７に記載の装置において、前記一部（５８５）は、前記パターニングデバイス
メトロロジフレーム構造体（５７５）の位置及び／又は姿勢の６自由度のうち第１成分を
測定する測定システムに属し、前記複数の光学素子（５０５～５３５）は、前記パターニ
ングデバイスメトロロジフレーム構造体（５７５）の位置及び／又は姿勢の６自由度のう
ち第２成分を測定する測定システムの別途部分を含む装置。 - 請求項１～２８のいずれか１項に記載の装置において、前記基板（Ｗ）及び／又は前記
基板ステージ（ＷＴ）の位置及び／又は姿勢の測定を可能にするよう構成された基板メト
ロロジフレーム構造体（５８０）をさらに備え、前記メトロロジフレーム構造体（５００
）は、前記基板メトロロジフレーム構造体（５８０）の位置及び／又は姿勢を測定する測
定システムの一部（５９０）をさらに含む装置。 - 請求項２９に記載の装置において、前記一部（５９０）は、前記基板メトロロジフレー
ム構造体（５８０）の位置及び／又は姿勢の６自由度のうち第１成分を測定する測定シス
テムに属し、前記複数の光学素子（５０５～５３５）は、前記基板メトロロジフレーム構
造体（５８０）の位置及び／又は姿勢の６自由度のうち第２成分を測定する測定システム
の別途部分を含む装置。 - 請求項１～３０のいずれか１項に記載の装置において、前記複数の光学素子（５０５～
５３５；６０５～６４０）は、少なくとも７つの光学素子（５０５～５３５；６０５～６
４０）を含む装置。 - 請求項１～３１のいずれか１項に記載の装置において、前記複数の光学素子（５０５～
５３５；６０５～６４０）は反射型である装置。 - 請求項１～３２のいずれか１項に記載の装置において、前記投影系（ＰＳ）は、ＥＵＶ
放射線用に設計される装置。 - 請求項１４～３３のいずれか１項に記載の装置において、前記エンコーダ測定システム
で測定した前記メトロロジフレーム構造体（５００）から前記少なくとも１つの光学素子
（５１０～５２５）までのギャップ距離が、５センチメートル以内である装置。 - 請求項１２～３４のいずれか１項に記載の装置において、前記干渉計システムで測定し
た前記メトロロジフレーム構造体（５００；６００）から前記少なくとも１つの光学素子
（５０５、５３０、５３５；６０５～６４０）までのギャップ距離が、５センチメートル
以上である装置。 - 請求項１～３５のいずれか１項に記載の装置において、前記メトロロジフレーム構造体
（５００；６００）は、３メートル以下の長さを有する装置。 - デバイス製造方法であって、
投影系（ＰＳ）の複数の光学素子（５０５～５３５、６０５～６０４）を介して放射線
ビーム（Ｂ、２６）を放射線感光基板（Ｗ）に投影するステップと、
メトロロジフレーム構造体（５００；６００）に取り付けられた１つ又は複数の光学素
子測定システムの一部（５４０～５７０；６６０～６９５）を用いて、前記光学素子（５
０５～５３５、６０５～６０４）のうち少なくとも１つの位置及び／又は姿勢を測定する
ステップと
を含み、前記複数の光学素子（５０５～５３５、６０５～６０４）、パターニングデバイ
スステージ（ＭＴ）、及び基板ステージ（ＷＴ）が、前記投影系（ＰＳ）の２次元図で前
記複数の光学素子（５０５～５３５、６０５～６０４）、前記パターニングデバイスステ
ージ（ＭＴ）、及び前記基板ステージ（ＷＴ）を囲むような矩形（ＯＲＥ）が規定される
ように配置され、前記矩形（ＯＲＥ）はさらに、できる限り小さく規定され、前記メトロ
ロジフレーム構造体（５００；６００）は、前記矩形（ＯＲＥ）内に位置決めされるデバ
イス製造方法。 - 請求項３７に記載の方法において、前記複数の光学素子（５０５～５３５、６０５～６
０４）は、前記投影系（ＰＳ）の２次元図で前記複数の光学素子（５０５～５３５；６０
５～６４０）を囲むような内側矩形（ＩＲＥ）が規定されるように配置され、前記内側矩
形（ＩＲＥ）はさらに、できる限り小さく規定され、前記メトロロジフレーム構造体（５
００；６００）は、前記内側矩形（ＯＲＥ）内に位置決めされる方法。 - 請求項３７又は３８に記載の方法において、前記２次元図は、前記パターニングデバイ
スステージ（ＭＴ）から前記基板ステージ（ＷＴ）までの前記放射線ビーム（ＺＢ、２６
）の経路を全体的に見ることができる前記投影系（ＰＳ）の図である方法。 - 請求項３７～３９のいずれか１項に記載の方法において、前記２次元図は、前記パター
ニングデバイスステージ（ＭＴ）から前記基板ステージ（ＷＴ）までの前記放射線ビーム
（ＺＢ、２６）の側面図を見ることができる前記投影系（ＰＳ）の図である方法。 - 請求項３７～４０のいずれか１項に記載の方法において、前記２次元図は、前記放射線
ビーム（Ｂ、２６）の大部分又は全部が前記パターニングデバイスーステージ（ＭＴ）か
ら前記基板ステージ（ＷＴ）まで進む平面の図である方法。 - 請求項３７～４１のいずれか１項に記載の方法において、前記複数の光学素子（５０５
～５３５；６０５～６４０）は、外側光学素子群（５０５～５３５；６０５～６２５、６
３５、６４０）を含み、該外側光学素子群（５０５～５３５；６０５～６２５、６３５、
６４０）は、前記メトロロジフレーム構造体（５００；６００）を包囲するよう位置決め
される方法。 - 請求項４２に記載の方法において、前記外側光学素子群（５０５～５３５；６０５～６
２５、６３５、６４０）は、前記光学素子（５０５～５３５；６０５～６４０）のうち少
なくとも４つ、少なくとも５つ、少なくとも６つ、又は少なくとも７つを含む方法。 - 請求項４２又は４３に記載の方法において、前記外側光学素子群（５０５～５３５；６
０５～６２５、６３５、６４０）は、前記複数の光学素子（５０５～５３５；６０５～６
４０）のうち過半数又は全部を含む方法。 - 請求項３７～４４のいずれか１項に記載の方法において、前記メトロロジフレーム構造
体（５００；６００）は、前記放射線ビーム（Ｂ、２６）にメトロロジフレーム構造体（
５００；６００）を通過させるよう構成された開口（ＯＰ）を含む方法。 - 請求項４５に記載の方法において、前記複数の光学素子（６０５～６４０）は、内側光
学素子群（６３０）を含み、該内側光学素子群（６３０）は、前記メトロロジフレーム構
造体（６００）の前記開口（ＯＰ）内に少なくとも部分的に位置決めされる方法。 - 請求項３７～４６のいずれか１項に記載の方法において、前記１つ又は複数の光学素子
測定システムは、前記光学素子（５０５～５３５；６０５～６４０）のうち前記少なくと
も１つの位置及び／又は姿勢を光学的に測定するよう構成される方法。 - 請求項３７～４７のいずれか１項に記載の方法において、前記光学素子測定システムの
過半数又は全部が干渉計システムとして設計される方法。 - 請求項３７～４７のいずれか１項に記載の方法において、前記メトロロジフレーム構造
体（５００；６００）は、２つの異なるタイプの光学素子測定システムの一部（５４０～
５７０；６６０～６９５）を含む方法。 - 請求項４９に記載の方法において、前記光学素子測定システムは、１つ又は複数の光学
エンコーダシステム及び１つ又は複数の干渉計システムとして設計される方法。 - 請求項３７～５０のいずれか１項に記載の方法において、前記メトロロジフレーム構造
体（５００）は、前記光学素子（５１０～５２５）のうち少なくとも１つの位置及び／又
は姿勢を測定するエンコーダ測定システムの一部（５４０～５５５）と、前記光学素子（
５０５、５３０、５３５）のうち少なくとも１つの他の光学素子の位置及び／又は姿勢を
測定する干渉計測定システムの一部（５６０～５７０）とを含む方法。 - 請求項３７～５１のいずれか１項に記載の方法において、前記複数の光学素子（５０５
～５３５；６０５～６４０）は、少なくとも１つ、少なくとも２つ、少なくとも３つ、少
なくとも４つ、少なくとも５つ、少なくとも６つ、又は少なくとも７つの斜入射ミラー（
５１０～５２０；６１０～６２０、６３０）を含む方法。 - 請求項３７～５２のいずれか１項に記載の方法において、前記複数の光学素子（５０５
～５３５；６０５～６４０）の大部分又は全体が、斜入射ミラー（５１０～５２０；６１
０～６２０、６３０）として設計される方法。 - 請求項３７～５３のいずれか１項に記載の方法において、前記複数の光学素子（５０５
～３５；６０５～６４０）は、１つ又は複数のフォースフレーム構造体（６０１）により
支持され、該フォースフレーム構造体（６０１）は、前記メトロロジフレーム構造体（５
００；６００）から独立している方法。 - 請求項３７～５４のいずれか１項に記載の方法において、前記メトロロジフレーム構造
体（５００；６００）は単一フレームである方法。 - 請求項５５に記載の方法において、前記単一フレームは、単一部品であるか又は相互に
剛接続又は強固に接続された複数の部品を含む方法。 - 請求項３７～５６のいずれか１項に記載の方法において、前記メトロロジフレーム構造
体（５００；６００）は、光学素子位置決め測定用の相対位置決め基準として働く方法。 - 請求項３７～５７のいずれか１項に記載の方法において、前記光学素子（５０５～５３
５；６０５～６４０）のうち１つが、光学素子位置決め測定用の相対位置決め基準として
働く方法。 - 請求項３７～５８のいずれか１項に記載の方法において、前記投影系（ＰＳ）の外側の
外部構造体（ＯＳＴＲ）が、光学素子位置決め測定用の相対位置決め基準として働く方法
。 - 請求項３７～５９のいずれか１項に記載の方法において、前記メトロロジフレーム構造
体（５００；６００）は冷却される方法。 - 請求項４８～６０のいずれか1項に記載の方法において、前記干渉計測定システムは、
１つ又は複数の自由度の測定用に設計され、且つ／又は以下の特徴：関連ビームデリバリ
、ファイバフィーディング、ビーム分割、ビーム曲げ、ビーム偏光クリーニング、１つ又
は複数のビーム調整マニピュレータ及び／又は範囲制御用のターゲット／設備、測定ビー
ム波長追跡機、屈折率決定機、ゼロ化システム、及び／又はガス流等の外部影響からの局
所的且つ／又は全域的ビーム遮蔽、のうち１つ又は複数を含む方法。 - 請求項３７～６１のいずれか１項に記載の方法において、前記メトロロジフレーム構造
体（５００；６００）は、４００Ｈｚ以上の共振周波数を有する方法。 - 請求項３７～６２のいずれか１項に記載の方法において、前記メトロロジフレーム構造
体（５００）に取り付けられた測定システムの一部（５８５）を用いて、パターニングデ
バイスメトロロジフレーム構造体（５７５）の位置及び／又は姿勢を測定するステップを
さらに含み、前記パターニングデバイスメトロロジフレーム構造体（５７５）は、パター
ニングデバイス（ＭＡ）及び／又は前記パターニングデバイスステージ（ＭＴ）の位置及
び／又は姿勢の測定を可能にするよう構成される方法。 - 請求項６３に記載の方法において、前記一部（５８５）は、前記パターニングデバイス
メトロロジフレーム構造体（５７５）の位置及び／又は姿勢の６自由度のうち第１成分を
測定する測定システムに属し、前記複数の光学素子（５０５～５３５）は、前記パターニ
ングデバイスメトロロジフレーム構造体（５７５）の位置及び／又は姿勢の６自由度のう
ち第２成分を測定する測定システムの別途部分を含む方法。 - 請求項３７～６４のいずれか１項に記載の方法において、前記メトロロジフレーム構造
体（５００）に取り付けられた測定システムの一部（５９０）を用いて基板メトロロジフ
レーム構造体（５８０）の位置及び／又は姿勢を測定するステップをさらに含み、前記基
板メトロロジフレーム構造体（５８０）は、前記基板（Ｗ）及び／又は前記基板ステージ
（ＷＴ）の位置及び／又は姿勢の測定を可能にするよう構成される方法。 - 請求項６５に記載の方法において、前記一部（５９０）は、前記基板メトロロジフレー
ム構造体（５８０）の位置及び／又は姿勢の６自由度のうち第１成分を測定する測定シス
テムに属し、前記複数の光学素子（５０５～５３５）は、前記基板メトロロジフレーム構
造体（５８０）の位置及び／又は姿勢の６自由度のうち第２成分を測定する測定システム
の別途部分を含む方法。 - 請求項３７～６６のいずれか１項に記載の方法において、前記複数の光学素子（５０５
～５３５；６０５～６４０）は、少なくとも７つの光学素子（５０５～５３５；６０５～
６４０）を含む方法。 - 請求項３７～６７のいずれか１項に記載の方法において、前記複数の光学素子（５０５
～５３５；６０５～６４０）は反射型である方法。 - 請求項３７～６８のいずれか１項に記載の方法において、前記ビーム（Ｂ、２６）は主
にＥＵＶ放射線である方法。 - 請求項５０～６９のいずれか１項に記載の方法において、前記エンコーダ測定システム
で測定した前記メトロロジフレーム構造体（５００）から前記少なくとも１つの光学素子
（５４０～５５５）までのギャップ距離が、５センチメートル以内である方法。 - 請求項４８～７０のいずれか１項に記載の方法において、前記干渉計測定システムで測
定した前記メトロロジフレーム構造体（５００；６００）から前記少なくとも１つの光学
素子（５０５、５３０、５３５；６０５～６４０）までのギャップ距離が、５センチメー
トル以上である方法。 - 請求項３７～７１のいずれか１項に記載の方法において、前記メトロロジフレーム構造
体（５００；６００）は、３メートル以下の長さを有する方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102016209167.0 | 2016-05-25 | ||
| DE102016209167 | 2016-05-25 | ||
| PCT/EP2017/062643 WO2017202976A1 (en) | 2016-05-25 | 2017-05-24 | Position measurement of optical elements in a lithographic apparatus |
| JP2018561664A JP7305353B2 (ja) | 2016-05-25 | 2017-05-24 | リソグラフィ装置の光学素子の位置測定 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018561664A Division JP7305353B2 (ja) | 2016-05-25 | 2017-05-24 | リソグラフィ装置の光学素子の位置測定 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023134527A true JP2023134527A (ja) | 2023-09-27 |
Family
ID=59009679
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018561664A Active JP7305353B2 (ja) | 2016-05-25 | 2017-05-24 | リソグラフィ装置の光学素子の位置測定 |
| JP2023105649A Pending JP2023134527A (ja) | 2016-05-25 | 2023-06-28 | リソグラフィ装置の光学素子の位置測定 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018561664A Active JP7305353B2 (ja) | 2016-05-25 | 2017-05-24 | リソグラフィ装置の光学素子の位置測定 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US10509325B2 (ja) |
| JP (2) | JP7305353B2 (ja) |
| CN (2) | CN109154783B (ja) |
| WO (1) | WO2017202976A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109154783B (zh) | 2016-05-25 | 2021-12-07 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 光刻设备中的光学元件的位置测量 |
| DE102019214242A1 (de) * | 2019-09-18 | 2021-03-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie |
| DE102021117043A1 (de) | 2021-07-01 | 2022-08-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum zerstörungsfreien Prüfen eines keramischen Bauteils |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004266264A (ja) | 2003-02-13 | 2004-09-24 | Canon Inc | 光学系、露光装置、デバイス製造方法 |
| US7126671B2 (en) * | 2003-04-04 | 2006-10-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP1513017A1 (en) | 2003-09-04 | 2005-03-09 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US8027022B2 (en) * | 2007-07-24 | 2011-09-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection objective |
| DE102009034166A1 (de) * | 2008-08-11 | 2010-02-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Kontaminationsarme optische Anordnung |
| KR101619280B1 (ko) | 2008-09-30 | 2016-05-10 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 투영 시스템 및 리소그래피 장치 |
| JP6154808B2 (ja) | 2012-03-05 | 2017-06-28 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 振動遮断支持ユニットを有する光学結像装置 |
| CN104380201B (zh) * | 2012-05-31 | 2016-11-23 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 具有多个度量支撑单元的光学成像设备 |
| DE102014208770A1 (de) * | 2013-07-29 | 2015-01-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsoptik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Projektionsoptik |
| KR102162035B1 (ko) * | 2013-09-30 | 2020-10-07 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 간단화된 제조를 갖는 광학 영상화 장치 |
| DE102015225262A1 (de) * | 2015-12-15 | 2017-06-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
| CN109154783B (zh) | 2016-05-25 | 2021-12-07 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 光刻设备中的光学元件的位置测量 |
-
2017
- 2017-05-24 CN CN201780032606.5A patent/CN109154783B/zh active Active
- 2017-05-24 CN CN202111432430.7A patent/CN114236970A/zh active Pending
- 2017-05-24 JP JP2018561664A patent/JP7305353B2/ja active Active
- 2017-05-24 WO PCT/EP2017/062643 patent/WO2017202976A1/en active Application Filing
-
2018
- 2018-11-19 US US16/194,795 patent/US10509325B2/en active Active
-
2019
- 2019-11-19 US US16/688,598 patent/US10908508B2/en active Active
-
2021
- 2021-01-28 US US17/161,211 patent/US20210149309A1/en not_active Abandoned
-
2023
- 2023-06-28 JP JP2023105649A patent/JP2023134527A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109154783A (zh) | 2019-01-04 |
| US10509325B2 (en) | 2019-12-17 |
| US10908508B2 (en) | 2021-02-02 |
| US20190086813A1 (en) | 2019-03-21 |
| JP7305353B2 (ja) | 2023-07-10 |
| CN114236970A (zh) | 2022-03-25 |
| CN109154783B (zh) | 2021-12-07 |
| US20210149309A1 (en) | 2021-05-20 |
| JP2019517034A (ja) | 2019-06-20 |
| US20200089126A1 (en) | 2020-03-19 |
| WO2017202976A1 (en) | 2017-11-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5008687B2 (ja) | アラインメントシステム及び方法及びそれにより製造したデバイス | |
| JP4566137B2 (ja) | フォトリソグラフィ・パターン化装置を生成する方法、コンピュータ・プログラム、パターン化装置、基板上若しくは基板の近傍の目標画像の位置を決定する方法、測定装置及びリソグラフィ装置 | |
| JP2023134527A (ja) | リソグラフィ装置の光学素子の位置測定 | |
| JP6618921B2 (ja) | 位置決めシステム、物体振動補償方法、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
| US11016397B2 (en) | Source separation from metrology data | |
| US8854607B2 (en) | Controller, lithographic apparatus, method of controlling the position of an object and device manufacturing method | |
| JP4323388B2 (ja) | リソグラフィ装置及び集積回路製造方法 | |
| JP5587450B2 (ja) | リソグラフィ装置、方法、および多自由度制御システム | |
| US7177059B2 (en) | Device and method for manipulation and routing of a metrology beam | |
| JP6990775B2 (ja) | 位置決め装置、リソグラフィ装置、バランス・マストルクを補償する方法及び装置製造方法 | |
| KR20230131225A (ko) | 빠른 균일성 드리프트 보정 | |
| JP4335084B2 (ja) | 測定装置を有するリトグラフ投影装置 | |
| CN116762042A (zh) | 快速均匀性漂移校正 | |
| TW202340881A (zh) | 用於從單照明源產生多個照明位點之系統及方法 | |
| WO2023016815A1 (en) | Lithographic method to enhance illuminator transmission | |
| WO2024068308A1 (en) | Systems for path compensation with a moving objective | |
| CN114391125A (zh) | 具有远心转换器的放大率恒定的多级光学装置 | |
| WO2023001459A1 (en) | Systems and methods for thermally stable mounting of optical columns | |
| JP2022524206A (ja) | リソグラフィ装置、計測装置、光学システムおよび方法 | |
| JP2019530894A (ja) | アライメントシステムの断熱化 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230726 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230726 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240123 |