JP5587450B2 - リソグラフィ装置、方法、および多自由度制御システム - Google Patents

リソグラフィ装置、方法、および多自由度制御システム Download PDF

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Description

[0001] 本発明の実施形態は、固有モード結合を補償するリソグラフィ装置に関し、また、固有モード結合を補償する方法に関する。
[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路(IC)の製造に用いることができる。その場合、ICの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板(例えばシリコンウェーハ)上のターゲット部分(例えば1つ以上のダイの一部を含む)に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料(レジスト)層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するいわゆるステッパ、及び放射ビームによってある特定の方向(「スキャン」方向)にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行又は逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射するいわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
[0003] リソグラフィ装置を用いたIC及び他のデバイスの製造には、通常、非常に高度な位置精度を必要とする極めて微細なサブミクロンパターンの複写が関与する。したがって、例えば基板ハンドリングコンポーネント及びパターニングデバイスハンドリングコンポーネントである、リソグラフィ装置の可動コンポーネントを正確に位置決めすることが望ましい。このような位置決めを達成するために、リソグラフィ装置は、一般的に、コンポーネントを移動させる1つ以上の位置決めモジュールと、コンポーネントの位置を測定する1つ以上の位置センサとを有する多自由度位置決めシステムを使用する。一般的に、センサは、コンポーネントの剛体運動と非剛体運動とを区別することができない。したがって、位置決めシステムは、センサ位置において、コンポーネントの動作を、当該コンポーネントの他の部分が動いていないのにも関わらず、検出する。例えば、センサは、センサ位置において、パターニングデバイスサポート構造の動作を、パターニングデバイスサポート構造に結合されているパターニングデバイスは動いていないにも関わらず、検出できる。この場合、リソグラフィ装置は、パターニングデバイス自体の運動ではなく、検出された動作に基づいてパターニングデバイスサポート構造の運動制御を調節し、これにより、パターニングデバイスの実際動作及び位置決め誤差をもたらす。
[0004] 非剛体運動源の1つは、固有モード振動である。多自由度位置決めシステムでは、1つの軸方向に沿った(力又は位置入力といった)入力は、固有モードの形状に応じて1つ以上の他の軸方向に沿った非剛体固有モード結合動作を引き起こす。この固有モード結合は、利得バランシング(gain balancing)及び利得スケジューリング(gain scheduling)といった既存の補償方法では補償されない。したがって、このような固有モード結合を補償できる改良型リソグラフィ装置及び制御方法が必要である。
[0005] いくつかの実施形態では、リソグラフィ装置は、コンポーネントと、コンポーネントに動作可能に結合され且つ第1の軸に沿ってコンポーネントを移動させるように構成される位置決めシステムとを含みうる。位置決めシステムは、第2の軸に沿ってコンポーネントの位置を測定するようにさらに構成されうる。また、位置決めシステムは、第1の軸に沿ったコンポーネントの移動と第2の軸に沿ったコンポーネントの測定位置との間の固有モード結合の影響を補償するように、コンポーネントの移動を制御するように構成されうる。いくつかの実施形態では、コンポーネントは、レチクルステージ又はウェーはステージである。
[0006] 別の実施形態では、方法は、第1の軸に沿ってリソグラフィ装置のコンポーネントを移動させることと、第2の軸に沿ってコンポーネントの位置を測定することとを含む。かかる方法は、第1の軸に沿ったコンポーネントの移動と第2の軸の沿ったコンポーネントの測定位置との間の固有モード結合の影響を補償するように、第2の軸に沿ってコンポーネントを移動させることをさらに含みうる。いくつかの実施形態では、コンポーネントは、レチクルステージ又はウェーはステージである。
[0007] 本明細書に組み込まれ且つ本明細書の一部を形成する添付図面は、本発明を解説し、以下の記載とともに、本発明の原理をさらに説明し、且つ、当業者が本発明を作り、利用できるようにする。
[0008] 図1Aは、本発明の一実施形態による反射型リソグラフィ装置を示す。 [0008] 図1Bは、本発明の一実施形態による透過型リソグラフィ装置を示す。 [0009] 図2は、一実施形態によるフィードバック制御システムのブロック図を示す。 [0010] 図3は、別の実施形態によるフィードバック制御システムのブロック図を示す。 [0011] 図4は、さらに別の実施形態によるフィードバック制御システムのブロック図を示す。 [0012] 図5は、別の実施形態によるフィードバック制御システムのブロック図を示す。 [0013] 図6は、例示的な固有モードモデル記述の周波数応答を示す。
[0014] 本発明の特徴及び利点は、これらの図面と併せて以下に記載される詳細な説明からより明らかになるであろう。図面において、同じ参照記号は、全体を通じて対応する要素を特定する。図面において、同じ参照番号は、基本的に、同一の、機能的に同様な、及び/又は構造的に同様な要素を示す。ある要素が初めて登場する図面は、対応する参照番号における左端の数字によって示される。
[0015] 本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ実施形態を開示する。開示される実施形態は本発明を例示するに過ぎない。本発明の範囲は開示される実施形態に限定されない。
[0016] 説明される実施形態、及び明細書中の「一実施形態」、「ある実施形態」、「例示的な実施形態」等への言及は、説明される実施形態が特定の特徴、構造、又は特性を含み得ることを示すが、必ずしもすべての実施形態がその特定の特徴、構造、又は特性を含んでいなくてもよい。また、かかる表現は、必ずしも同じ実施形態を指すものではない。また、特定の特徴、構造、又は特性がある実施形態に関連して説明される場合、かかる特徴、構造、又は特性を他の実施形態との関連においてもたらすことは、それが明示的に説明されているか否かにかかわらず、当業者の知識内のことであると理解される。
[0017] 本明細書において、IC製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターン及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」又は「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」又は「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック(通常、基板にレジスト層を塗布し、且つ露光されたレジストを現像するツール)、メトロロジーツール、及び/又はインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツール及びその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ICを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
[0018] いくつかの実施形態では、リソグラフィ装置は、EUVリソグラフィ用の極端紫外線(EUV)放射ビームを発生するように構成されたEUV源を含みうる。一般に、EUV源は、放射システム(下記参照)内に構成され、また、対応する照明システムが、EUV源のEUV放射ビームを調整するように構成される。
[0019] 本明細書において記載される実施形態において、「レンズ」及び「レンズ要素」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、及び静電型光学コンポーネントを含む様々な種類の光学コンポーネントのいずれか1つ又はこれらの組合せを指すことができる。
[0020] さらに、本明細書において使用される「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線(UV)(例えば、365、248、193、157、又は126nmの波長λを有する)、極端紫外線(EUV又は軟X線)(例えば、13.5nmといった5〜20nmの範囲内の波長を有する)、又は5nm以下で機能する硬X線、ならびにイオンビームや電子ビームといった粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。一般に、約780〜3000nm(又はそれ以上)の波長を有する放射は、IR放射とみなされる。UVは、約100〜400nmの波長を有する放射を指す。リソグラフィでは、通常、水銀放電ランプによって生成可能な波長、すなわち、G線:436nm、H線:405nm、及び/又はI線:365nmにも適用される。真空UV、すなわちVUV(すなわち、空気によって吸収されるUV)は、約100〜200nmの波長を有する放射を指す。深UV(DUV)は、一般に、126nmから428nmの範囲内の波長を有する放射を指し、また、ある実施形態では、エキシマレーザが、リソグラフィ装置内で使用されるEUV放射を発生しうる。なお、例えば5〜20nmの範囲内の波長を有する放射とは、特定の波長帯域を有する放射であって、そのうちの一部が5〜20nmの範囲内である放射に関することを理解すべきである。
[0021] このような実施形態をより詳細に説明する前に、本発明の実施形態が実施され得る例示的な環境を提示することが有益である。
[0022] 図1A及び図1Bは、それぞれ、リソグラフィ装置100及びリソグラフィ装置100’を概略的に示す。リソグラフィ装置100及びリソグラフィ装置100’のそれぞれは、放射ビームB(例えば、DUV又はEUV放射)を調整するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、パターニングデバイス(例えば、マスク、レチクル、又はダイナミックパターニングデバイス)MAを支持するように構成され、且つサポート構造MT及びパターニングデバイスMAを正確に位置決めするように構成された第1の位置決めシステムPMに接続されたサポート構造(例えばマスクテーブル)MTと、基板(例えば、レジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、且つ基板テーブルWT及び基板Wを正確に位置決めするように構成された第2の位置決めシステムPWに接続された基板テーブル(例えば、ウェーハテーブル)WTとを含む。リソグラフィ装置100及び100’はさらに、パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付けられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば、1つ以上のダイを含む)上に投影するように構成された投影システムPSを有する。リソグラフィ装置100では、パターニングデバイスMA及び投影システムPSは反射型であり、リソグラフィ装置100’では、パターニングデバイスMA及び投影システムPSは透過型である。
[0023] 照明システムILとしては、放射Bを誘導し、整形し、又は制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、或いはそれらの任意の組み合せ等の様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
[0024] サポート構造MTは、パターニングデバイスMAの向き、リソグラフィ装置100及び100’の設計、及び、パターニングデバイスMAが真空環境内で保持されているか否か等の他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスMAを保持する。サポート構造MTは、機械式、真空式、静電式又はその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスMAを保持することができる。サポート構造MTは、例えば、必要に応じて固定又は可動式にすることができるフレーム又はテーブルであってもよい。サポート構造MTは、パターニングデバイスを、例えば投影システムPSに対して所望の位置に確実に置くことができる。
[0025] 「パターニングデバイス」MAという用語は、基板Wのターゲット部分C内にパターンを作り出すように、放射ビームBの断面にパターンを付与するために使用できるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。放射ビームBに付与されたパターンは、集積回路等のターゲット部分C内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応しうる。
[0026] パターニングデバイスMAは、(図1Bのリソグラフィ装置100’において見られるような)透過型であっても(図1Aのリソグラフィ装置100において見られるような)反射型であってもよい。パターニングデバイスMAの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは周知であり、バイナリ、レべンソン型(alternating)位相シフト、及びハーフトーン型(attenuated)位相シフト等のマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられ、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように各小型ミラーを個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射された放射ビームBにパターンを付与する。
[0027] 「投影システム」PSという用語は、用いられる露光放射に、又は、液浸液の使用もしくは真空の使用といった他の要素に適切な屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はそれらのあらゆる組合せを含むあらゆるタイプの投影システムを包含しうる。他のガスは放射又は電子を吸収し過ぎることがあるので、EUV又は電子ビーム放射には真空環境が用いられうる。したがって、真空環境は、真空壁及び真空ポンプを用いてビーム経路全体に提供されうる。
[0028] リソグラフィ装置100及び/又はリソグラフィ装置100’は、2つ(デュアルステージ)以上の基板テーブルWT及び/又は2つ以上のサポート構造MTを有するタイプのものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械では、追加の基板テーブルWT又はサポート構造MTを並行して使うことができ、すなわち予備工程を1つ以上の基板テーブルWT又はサポート構造MT上で実行しつつ、別の1つ以上の基板テーブルWT又はサポート構造MTを露光用に使うこともできる。
[0029] 図1A及び図1Bを参照すると、イルミネータILは、放射源SOから放射ビームを受け取る。放射源SO及びリソグラフィ装置100又は100’は、例えば放射源SOがエキシマレーザである場合、別個の構成要素であってよい。この場合、放射源SOは、リソグラフィ装置100又は100’の一部を形成しているとは見なされず、放射ビームBは、放射源SOから、例えば、適切な誘導ミラー及び/又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムBD(図1B)を用いて、イルミネータILへと渡される。その他の場合においては、例えば、放射源SOが水銀ランプである場合、放射源SOは、リソグラフィ装置100又は100’の一体部分とすることもできる。放射源SO及びイルミネータILは、必要ならばビームデリバリシステムBDとともに、放射システムと呼んでもよい。
[0030] イルミネータILは、放射ビームの角強度分布を調節するためのアジャスタAD(図1B)を含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び/又は内側半径範囲(通常、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる)を調節することができる。さらに、イルミネータILは、インテグレータIN及びコンデンサCOといった様々な他のコンポーネント(図1B)を含むことができる。イルミネータILを使って放射ビームBを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性及び強度分布を持たせることができる。
[0031] 図1Aを参照すると、放射ビームBは、サポート構造(例えば、マスクテーブル又はレチクルステージ)MT上に保持されているパターニングデバイス(例えば、マスク又はレチクル)MA上に入射して、パターニングデバイスMAによってパターン形成される。リソグラフィ装置100では、放射ビームBは、パターニングMAから反射される。パターニングデバイスMAから反射された後、放射ビームBは投影システムPSを通過し、投影システムPSは、基板Wのターゲット部分C上に放射ビームBの焦点を合わせる。いくつかの実施形態では、1つ以上の力アクチュエータ(例えば、サーボ機構、又は、任意の他の適切な力アクチュエータ)と、1つ以上の位置センサIF2(例えば、干渉計デバイス、リニアエンコダーダ、静電容量センサ、又は任意の他の適切な位置感知デバイス)とを含みうる第2の位置決めシステムPWを用いて、例えば、様々なターゲット部分Cを放射ビームBの経路内に位置決めするように、基板テーブルWT及び基板Wを正確に動かすことができる。同様に、いくつかの実施形態では、1つ以上の力アクチュエータ(例えば、サーボ機構、又は、任意の他の適切な力アクチュエータ)と、1つ以上の位置センサIF1(例えば、干渉計デバイス、リニアエンコダーダ、静電容量センサ、又は任意の他の適切な位置感知デバイス)とを含みうる第1の位置決めシステムPMを用いて、サポート構造MT及びパターニングデバイスMAを放射ビームBの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイスMA及び基板Wは、マスクアライメントマークM1、M2と、基板アライメントマークP1、P2を使って位置合わせされうる。
[0032] いくつかの実施形態では、位置決めシステムPW及びPMは、それぞれ、例えば3つの垂直軸に沿って及び1つ以上の軸周りの回転である多自由度で、基板テーブルWT及び基板Wと、サポート構造MT及びパターニングデバイスMAを移動させるように構成されうる。
[0033] 図1Bを参照すると、放射ビームBは、サポート構造(例えば、マスクテーブル又はウェーハステージ)MT上に保持されているパターニングデバイス(例えば、マスク又はレチクル)MA上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイスMAを横断した後、放射ビームBは投影システムPSを通過し、投影システムPSは、基板Wのターゲット部分C上にビームの焦点を合わせる。いくつかの実施形態では、1つ以上の力アクチュエータ(例えば、サーボ機構、又は、任意の他の適切な力アクチュエータ)と、1つ以上の位置センサIF(例えば、干渉計デバイス、リニアエンコダーダ、静電容量センサ、又は任意の他の適切な位置感知デバイス)とを含みうる第2の位置決めシステムPWを用いて、例えば、様々なターゲット部分Cを放射ビームBの経路内に位置決めするように、基板テーブルWT及び基板Wを正確に動かすことができる。同様に、いくつかの実施形態では、1つ以上の力アクチュエータ(例えば、サーボ機構、又は、任意の他の適切な力アクチュエータ)と、1つ以上の位置センサ(例えば、干渉計デバイス、リニアエンコダーダ、静電容量センサ、又は任意の他の適切な位置感知デバイス(図1Bには図示せず))とを含みうる第1の位置決めシステムPMを用いて、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後又はスキャン中に、サポート構造MT及びパターニングデバイスMAを放射ビームBの経路に対して正確に位置決めすることもできる。
[0034] 通常、サポート構造MTの移動は、第1の位置決めシステムPMの一部を形成するロングストロークモジュール(粗動位置決め)及びショートストロークモジュール(微動位置決め)を使って実現することができる。同様に、基板テーブルWTの移動も、第2の位置決めシステムPWの一部を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使って実現することができる。ステッパの場合(スキャナとは対照的に)、サポート構造MTは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、又は固定されてもよい。パターニングデバイスMA及び基板Wは、マスクアライメントマークM1、M2と、基板アライメントマークP1、P2を使って位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる(これらはスクライブラインアライメントマークとして知られている)。同様に、複数のダイがパターニングデバイスMA上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
[0035] リソグラフィ装置100及び100’は、以下に説明するモードのうち少なくとも1つのモードで使用できる。
1.ステップモードでは、サポート構造(例えば、マスクテーブル又はウェーハステージ)MTと基板テーブルWTとを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームBに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一静的露光)。その後、基板テーブルWTは、X及び/又はY方向に移動され、それにより別のターゲット部分Cを露光することができる。
2.スキャンモードでは、サポート構造MTと基板テーブルWTとを同期的にスキャンする一方で、放射ビームBに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一動的露光)。サポート構造MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの(縮小)拡大率及び像反転特性によって決めることができる。
3.別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造MTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かす、又はスキャンする一方で、放射ビームBに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。パルス放射源SOが採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、又はスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、本明細書において言及されたタイプのプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
[0036] 上述の使用モードの組合せ及び/又はバリエーション、或いは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
[0037] 図2は、ある実施形態によるフィードバック制御システム200のブロック図を示す。いくつかの実施形態では、制御システム200は、多自由度制御システムであってよい。制御システム200は、例えば図1A及び図1Bに示されるリソグラフィ装置100又は100’の位置決めシステムPM又は位置決めシステムPWである、位置決めシステム201を含む。位置決めシステム201は、リソグラフィ装置のコンポーネント203を移動させる。例えば、コンポーネント203は、図1A及び図1Bに示されるリソグラフィ装置100又は100’のサポート構造MT及びパターニングデバイスMA、又は基板テーブルWTを含みうる。いくつかの実施形態では、位置決めシステム201は、例えば3軸、4軸、5軸、6軸、又は7軸以上である2つ以上の軸に沿って、コンポーネント203を移動させるように構成されうる。本願では、「軸に沿って移動させる」、「軸に沿った移動」、「軸に沿って移動させられた」、又は同様の表現は、軸に沿った並進、又は、軸周りの回転を意味する。いくつかの実施形態では、位置決めシステム201は、互いに垂直な6軸に沿ってコンポーネント203を移動させるように構成されうる。例えば、位置決めシステム201は、x軸、y軸、及びz軸に沿ってコンポーネント203を並進させ、x軸、y軸、及びz軸周りにコンポーネント203を回転させるように構成されうる。
[0038] 図2は、コンポーネント203が2軸に沿って移動される位置決めシステムを示すが、位置決めシステム201は、追加の軸に沿ってコンポーネントを位置決めする追加のセンサ及び位置決めモジュールを含んでよい。
[0039] いくつかの実施形態では、位置決めシステム201は、コンポーネント203を、1軸以上に沿って及び/又は1軸以上の周りを移動させるように構成される1つ以上の位置決めモジュールを含む。例えば、図2に示されるように、位置決めシステム201は、第1の位置決めモジュール210及び第2の位置決めモジュール226を含みうる。位置決めモジュール210は、コンポーネント203を第1の軸に沿って移動させるように構成され、位置決めモジュール226は、コンポーネント203を第2の軸に沿って移動させるように構成されうる。いくつかの実施形態では、位置決めモジュール210及び位置決めモジュール226は、それぞれ、例えばデジタルプロセッサ、ディスクリート回路、アナログ回路、又は任意の他の適切な制御デバイスである制御ユニットと、例えばサーボ機構又は任意の他の適切な力アクチュエータである1つ以上の力アクチュエータ(図示せず)とを含みうる。いくつかの実施形態では、位置決めモジュール210及び位置決めモジュール226の制御ユニットは、同じ制御ユニットである。いくつかの実施形態では、位置決めモジュール210及び位置決めモジュール226は、別個の制御ユニットを有してもよい。制御ユニットは、コンポーネント203の所望の移動を達成するために、コンポーネント203に力アクチュエータによって加えられる1つ以上の力の大きさ及び方向を制御する。いくつかの実施形態では、位置決めモジュール210及び226は、1つ以上の信号コンディショナ又はフィルタを含みうる。いくつかの実施形態では、位置決めモジュール210又は226は、制御ユニット及び1つ以上のサーボ機構を含むサーボ機構コントローラを含みうる。各サーボ機構コントローラは、それが動作する帯域幅を有しうる。
[0040] いくつかの実施形態では、位置決めシステム201は、コンポーネント203の位置を測定するように構成された1つ以上の位置センサ(例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、静電容量センサ、又は、任意の他の適切な位置感知デバイス)を含む。図2に示されるように、位置決めシステム201は、第1の軸に沿ったコンポーネント203の位置(215に概略的に示される位置A1)を測定し、一次フィードバック信号204を生成するように構成された第1の位置センサ216を含みうる。一次フィードバック信号204は、第1の軸に沿ったコンポーネント203の測定位置に応じた信号である。位置決めシステム201は、さらに、第2の軸に沿ったコンポーネント203の位置(位置A2、229に概略的に示される)を測定し、一次フィードバック信号220を生成するように構成された第2の位置センサ230も含みうる。一次フィードバック信号220は、第2の軸に沿ったコンポーネント203の測定位置に応じた信号である。
[0041] 図2に示されるように、位置決めシステム201は、第1の軸に沿ったコンポーネント203の所望の位置を表す信号である設定点信号202を受信する。位置決めシステム201は、設定点信号202を、一次フィードバック信号204と比較して、作動信号208(例えば、サーボ機構誤差信号)を生成する。いくつかの実施形態では、作動信号208は、設定点信号202と一次フィードバック信号204との差である。
[0042] 位置決めモジュール210は、作動信号208を受信し、当該作動信号208に基づく特定の大きさ及び方向を有する1つ以上の制御力(212に概略的に示される力A1)を加える。位置決めモジュール210は、力A1(212)が、第1の軸に沿ってコンポーネント203を移動させるように構成される。位置センサ216は、第1の軸に沿ったコンポーネント203の位置A1(215)を測定し、一次フィードバック信号204を生成する。
[0043] 位置決めシステム201は、さらに、第2の軸に沿ったコンポーネント203の所望の位置を表す信号である設定点信号218も受信しうる。位置決めシステム201は、設定点信号218を、一次フィードバック信号220と比較して、作動信号224(例えば、サーボ機構誤差信号)を生成する。いくつかの実施形態では、作動信号224は、設定点信号218と一次フィードバック信号220との差である。
[0044] 位置決めモジュール226は、作動信号224を受信し、当該作動信号224に基づく特定の大きさ及び方向を有する1つ以上の制御力(228に概略的に示される力A2)を加える。位置決めモジュール226は、力A2(228)が第2の軸に沿ってコンポーネント203を移動させるように構成される。位置センサ230は、第2の軸に沿ったコンポーネント203の位置A2(229)を測定し、一次フィードバック信号220を生成する。
[0045] 図2は、センサ216及びセンサ230の両方について、単一のセンサを示すが、位置決めシステム201は、第1及び第2の軸に沿ったコンポーネント203の位置を検出するために複数のセンサ216及びセンサ230を含んでよい。いくつかの実施形態では、センサ216及びセンサ230は、同じセンサであってよい。
[0046] 設定点信号202、設定点信号218、作動信号208、一次フィードバック信号204、作動信号224、及び一次フィードバック信号220は、それぞれ、1つ以上のアナログ又はデジタル信号を含んでよく、これは、当業者には明らかとなる実施上の詳細である。
[0047] 第1の軸と第2の軸との間の非剛体の機械的結合は、自励固有モード振動から生じうる。例えば、第1の軸に沿った作動と、第2の軸に沿ったフィードバックセンシングとの間に固有モード結合がありうる。換言すれば、力A1(212)によって第1の軸に沿ってコンポーネント203を移動させると、非剛体の位置変動(232に概略的に示される)を引き起こしうる。この位置変動はセンサ230によって検出される。位置決めモジュール210及び226がサーボ機構コントローラであるいくつかの実施形態では、変動232は、サーボ機構コントローラの帯域幅よりも上である。
[0048] いくつかの実施形態では、センサ230は、剛体運動と非剛体運動とを区別することができないため、生成された一次フィードバック信号220は、コンポーネント203の他の部分が動いていないにも関わらず、変動232を含むことになる。したがって、位置決めモジュール226は、一次フィードバック信号220に基づいて、第2の軸に沿ったコンポーネント203の移動制御を調節する。一次フィードバック信号220は変動232を含みうるので、第2の軸に沿ったコンポーネント203の位置誤差が生じてしまいうる。いくつかの実施形態では、位置決めシステム201が、例えば基板サポートWTからのフィードフォワード信号である、リソグラフィ装置の別の動いているコンポーネントからの高性能フィードフォワード信号を使用する場合、この位置誤差は増幅してしまう。
[0049] したがって、いくつかの実施形態では、リソグラフィ装置は、第1の軸に沿ったコンポーネントの移動と、第2の軸に沿ったコンポーネントの測定位置との間の固有モード結合の影響を補償するように、リソグラフィ装置のコンポーネントの移動を制御するように構成された位置決めシステムを含みうる。図3は、1つのそのような実施形態によるフィードバック制御システム300のブロック図を示す。
[0050] 制御システム300は、第1の軸に沿ったコンポーネント303の移動と、第2の軸に沿ったコンポーネント303の測定位置との間の固有モード結合の影響を補償するように、リソグラフィ装置のコンポーネント303の移動を制御するように構成された位置決めシステム301を含む。制御システム300は、上記制御システム200と同様の特徴を含む。これらの同様の特徴は、同様の番号が付され、制御システム200においてそれらが機能するのと実質的に同じに機能する。すなわち、位置決めシステム301は、第1の軸及び第2の軸にそれぞれ沿ってコンポーネント303を移動させるように構成されうる位置決めモジュール310及び326を含む。位置決めシステム301は、さらに、第1及び第2の軸にそれぞれ沿ったコンポーネント303の位置を検出するための位置センサ316及び330も含みうる。いくつかの実施形態では、コンポーネント303は、図1A及び図1Bに示されるリソグラフィ装置100又は100’のサポート構造MT及びパターニングデバイスMA、又は、基板テーブルWTである。位置決めシステム301は、例えば3軸、4軸、5軸、6軸、又は7軸以上である2つ以上の軸に沿って、コンポーネント303を移動させるように構成されうる。いくつかの実施形態では、位置決めシステム301は、6軸に沿ってコンポーネント303を移動させるように構成されうる。例えば位置決めシステム301は、垂直x軸、y軸、及びz軸に沿ってコンポーネント303を並進させ、x軸、y軸、及びz軸周りにコンポーネント303を回転させるように構成されうる。
[0051] 図3に示されるように、制御システム300は、第1の軸と第2の軸との間の機械的結合を補償するモデリングユニット336を含みうる。例えばモデリングユニット336は、第1の軸と第2の軸との間の非剛体の機械的結合を示す補償モデルを含みうる。いくつかの実施形態では、モデリングユニット336は、位置センサ330によって検出される変動(332に概略的に示される)を予測しうる。変動332は、位置決めモジュール310によって加えられた1つ以上の制御力(312に概略的に示される力A1)によって、第1の軸に沿ってコンポーネント303を移動させることによってもたらされる自励固有モード機械的共振によって引き起こされうる。
[0052] いくつかの実施形態では、モデリングユニット336は、モデル化変動信号334(例えば、結合信号)を生成しうる。モデリングユニット336は、第1の軸と第2の軸との間の機械的結合を記述する任意の適切な補償モデルを用いてよい。いくつかの実施形態では、モデリングユニット336は、第1の軸に沿ったコンポーネント303の移動(例えば、第1の軸に沿ったコンポーネント303の並進)と、第2の軸に沿ったコンポーネント303の測定位置との間の固有モード結合の影響を補償するように構成されうる。具体的には、モデル化変動信号334は、センサ330によって検出可能である、固有モード変動332に起因する第2の軸に沿った予測位置変位を示しうる。例えばモデリングユニット336は、補償される1つ以上の固有モード変動のモデル記述を用いうる。当業者には様々な固有モードモデル記述が知られている。いくつかの実施形態では、モデリングユニット336は、モデル化変動信号334を生成するように、補償モデルと併せて、第1の軸に沿ってコンポーネント303を移動させる制御力A1(312)を用いるように構成されうる。いくつかの実施形態では、第2の軸に沿った固有モード結合に起因する予測位置変位は、第1の軸に沿ってコンポーネント303を移動させるようにコンポーネント303に加えられる力A1(312)の関数であってよい。いくつかの実施形態では、モデリングユニット336は、図6に示されるような周波数応答を有するモデル記述を用いてよい。いくつかの実施形態では、モデリングユニット336によって用いられるモデル記述は、いくつか知られている較正方法のうち、周波数領域又は時間領域最適化方法を用いて較正されうる。
[0053] いくつかの実施形態では、モデル化変動信号334は、補償済み作動信号340(例えば、補償済みサーボ機構誤差信号)を生成するように、作動信号324(例えば、サーボ機構誤差信号)と組み合わされる。いくつかの実施形態では、モデル化変動信号334は、補償済み作動信号340を生成するように、(図3に示されるように)加算器を用いて作動信号348と合計されてもよい。位置決めモジュール326は、補償済み作動信号324を受信し、当該補償済み作動信号340に基づく特定の大きさ及び方向を有する1つ以上の制御力(328に概略的に示される力A2)を加える。したがって、いくつかの実施形態では、変動332及びその結果もたらされる動作は、位置決めモジュール326から隠される。位置決めモジュール326は、センサ330によって検出される変動332を補償するように、力A2(328)が、第2の軸に沿ってコンポーネント303を移動させるように構成されうる。このような実施形態では、位置決めモジュール326は、当該位置決めモジュール326が任意の位置誤差を増幅しないように、変動332に起因する一次フィードバック信号320の一部を無視しうる。したがって、位置決めシステム301は、第2の軸に沿ったコンポーネント303の真の位置誤差を、位置決めモジュール326に提供するように構成されうる。したがって、非剛体の変動332に起因する位置誤差は、減少されるか又は除去されうる。
[0054] いくつかの実施形態では、位置決めシステム301及びモデリングユニット336は、第1の軸を第2の軸から動的に切り離すように構成されうる。
[0055] 図3には示されないが、いくつかの実施形態では、位置決めシステム301は、第3の軸に沿ってコンポーネント303を移動させるように構成された第3の位置決めモジュールを含んでもよい。例えば位置決めシステム301は、x軸、y軸、及びz軸に沿ってコンポーネント303を移動させるように構成されうる。いくつかの実施形態では、図3における第1の軸は、焦点に関連するz軸であり、第2の軸は、結像及びオーバーレイに関連するx軸である。
[0056] 以下の表1は、(1)設定点信号202及び218が標準性能フィードフォワード信号に基づいている図2に示されるものと同様の制御システムと、(2)設定点信号202及び218が高性能フィードフォワード信号に基づいている図2に示されるものと同様の制御システムと、(3)設定点信号302及び318が高性能フィードフォワード信号に基づいている図3に示されるものと同様の制御システムとを用いて、レチクルステージを移動させた場合に得られるx軸及びz軸に沿った並進位置決め誤差の大きさを示す。値はすべてナノメートル単位である。
[0057] 移動平均MA(moving average)は、位置決め誤差の低周波部分であり、移動標準偏差MSD(moving standard deviation)は、位置決め誤差の高周波部分である。x軸及びy軸に沿った並進と、z軸周りの回転について、MA誤差は、オーバーレイ誤差と相関関係にある。z軸に沿った並進について、MA誤差は、焦点性能と相関関係にある。x軸及びy軸に沿った並進について、MSD誤差は、画像ぶれと相関関係にあり、また、クリティカルディメンションユニットに影響を及ぼす。x軸及びy軸に沿ったMSD並進誤差は、像に縞模様(image streaking)ももたらしうる。z軸に沿った並進について、MSD誤差も、焦点性能と相関関係にある。
[0058] 以下の表2は、以下の制御システム、すなわち、(1)設定点信号202及び218が標準性能フィードフォワード信号に基づいている図2に示される制御システムと、(2)設定点信号202及び218が高性能フィードフォワード信号に基づいている図2に示される制御システムと、(3)設定点信号302及び318が高性能フィードフォワード信号に基づいている図3に示される制御システムとを用いて、レチクルステージを移動させた場合に6つの異なるウェーハに生じる垂直の縞模様(vertical streaks)の数を示す。垂直の縞模様はx軸における高MSD誤差によって引き起こされうる。
[0059] 表1及び表2に示すように、図3に示されるものと同様の制御システムは、性能フィードフォワード信号を用いることによって、x軸におけるMSD誤差を減少するのに役立つ一方で、z軸における向上された性能を実質的に維持することができる。
[0060] モデル化変動信号334及び補償済み作動信号340は、それぞれ、1つ以上のデジタル又はアナログ信号を含んでよく、これは、当業者には明らかとなる実施上の詳細である。
[0061] いくつかの実施形態では、リソグラフィ装置は、第1の軸に沿ったコンポーネントの移動と、第2の軸及び第3の軸に沿ったコンポーネントの測定位置との間の固有モード結合の影響を補償するように、リソグラフィ装置の当該コンポーネントの移動を制御するように構成された位置決めシステムを含みうる。図4は、1つのそのような実施形態によるフィードバック制御システム400のブロック図を示す。
[0062] 制御システム400は、第1の軸に沿ったコンポーネント403の移動と、第2の軸に沿った及び第3の軸に沿ったコンポーネント403の測定位置との間の固有モード結合の影響を補償するように、リソグラフィ装置の当該コンポーネント403の移動を制御するように構成された位置決めシステム401を含む。制御システム400は、上記制御システム200及び300と同様の特徴を含む。これらの同様の特徴は、同様の番号が付され、制御システム200及び300においてそれらが機能するのと実質的に同じに機能する。
[0063] 図4に示されるように、位置決めシステム401は、第3の軸に沿ったコンポーネント403の所望の位置を表す信号である設定点信号442を受信しうる。位置決めシステム401は、設定点信号442を、一次フィードバック信号444と比較する。一次フィードバック信号444は、第3の軸に沿ったコンポーネント403の測定位置の関数である信号である。いくつかの実施形態では、作動信号448は、設定点信号442と一次フィードバック信号444との差である。
[0064] 制御システム400は、第1の軸と第3の軸との間の機械的結合を補償する第2のモデリングユニット462を含む。例えばモデリングユニット462は、第1の軸と第3の軸との間の非剛体の機械的結合を示す補償モデルを含みうる。いくつかの実施形態では、モデリングユニット462は、センサ460によって検出される変動(464に概略的に示される)を予測しうる。変動464は、位置決めモジュール410によって加えられた1つ以上の制御力(412に概略的に示される力A1)によって、第1の軸に沿ってコンポーネント403を移動させることによってもたらされる自励固有モード機械的共振によって引き起こされうる。
[0065] いくつかの実施形態では、モデリングユニット462は、モデル化変動信号450(例えば、結合信号)を生成しうる。モデリングユニット462は、第1の軸と第3の軸との間の機械的結合を記述する任意の適切な補償モデルを用いてよい。いくつかの実施形態では、モデリングユニット462は、第1の軸に沿ったコンポーネント403の移動と、第2の軸に沿ったコンポーネント403の測定位置との間の固有モード結合の影響を補償するように構成されうる。具体的には、モデル化変動信号450は、固有モード変動464に起因する第3の軸に沿った予測位置変位を示しうる。モデリングユニット462は、例えば変動464である、補償されている1つ以上の固有モード変動の任意のモデル記述を用いうる。いくつかの実施形態では、モデリングユニット462は、モデル化変動信号450を生成するように、補償モデルと併せて、第1の軸に沿ってコンポーネント403を移動させる制御力A1(412)を用いるように構成されうる。いくつかの実施形態では、第3の軸に沿った測定位置変位の予測は、コンポーネント403に加えられた力A1(412)に基づくことができる。当業者には様々な固有モードモデル構造が知られている。いくつかの実施形態では、モデリングユニット462によって用いられるモデル記述は、いくつか知られている較正方法のうち、周波数領域又は時間領域最適化方法を用いて較正されうる。
[0066] いくつかの実施形態では、モデル化変動信号450は、補償済み作動信号454(例えば、補償済みサーボ機構誤差信号)を生成するように、作動信号448と組み合わされる。例えばいくつかの実施形態では、モデル化変動信号450は、補償済み作動信号454を生成するように、(図4に示されるように)加算器を用いて作動信号448と合計されてもよい。位置決めシステム401はさらに、補償済み作動信号454を受信し、当該補償済み作動信号454に基づく特定の大きさ及び方向を有する1つ以上の制御力(458に概略的に示される力A3)を加える位置決めモジュール456も含む。したがって、いくつかの実施形態では、変動464及びその結果もたらされる動作は、位置決めモジュール456から隠される。位置決めモジュール456は、センサ460において変動464を補償するように、力A3(458)が、第3の軸に沿ってコンポーネント403を移動させるように構成されうる。このような実施形態では、位置決めモジュール456は、当該位置決めモジュール456が任意の位置誤差を増幅しないように、変動464に起因する一次フィードバック信号444の一部を無視しうる。したがって、位置決めシステム401は、第3の軸に沿ったコンポーネント403の真の位置誤差を、位置決めモジュール456に提供するように構成されうる。したがって、非剛体の変動464に起因する位置誤差は、減少されるか又は除去されうる。
[0067] いくつかの実施形態では、位置決めシステム401及びモデリングユニット462は、第1の軸を第3の軸から動的に切り離すように構成されうる。
[0068] いくつかの実施形態では、位置決めモジュール456、426、及び410は、それぞれ、例えばデジタルプロセッサ、ディスクリート回路、アナログ回路、又は任意の他の適切な制御デバイスである制御ユニットと、例えばサーボ機構又は任意の他の適切な力アクチュエータである1つ以上のアクチュエータとを含みうる。いくつかの実施形態では、位置決めモジュール410、426、及び456の制御ユニットは、同じ制御ユニット、例えば同じデジタルプロセッサである。いくつかの実施形態では、位置決めモジュール410、426、及び456は、別個の制御ユニットを有してもよい。制御ユニットは、コンポーネント403の所望の移動を達成するために、コンポーネントの403にアクチュエータによって加えられる力の大きさ及び方向を制御する。
[0069] いくつかの実施形態では、位置決めシステム401は、第3の軸に沿ったコンポーネント403の位置(459に概略的に示される位置A)を測定し、一次フィードバック信号444を生成するように構成された位置センサ460も含む。
[0070] いくつかの実施形態では、コンポーネント403は、図1A及び図1Bに示されるリソグラフィ装置100又は100’のサポート構造MT及びパターニングデバイスMA、又は、基板テーブルWTであってよい。位置決めシステム401は、例えば3軸、4軸、5軸、6軸、又は7軸以上である3つ以上の軸に沿って、コンポーネント403を移動させるように構成されうる。いくつかの実施形態では、位置決めシステム401は、6軸に沿ってコンポーネント403を移動させるように構成されうる。例えば位置決めシステム401は、垂直x軸、y軸、及びz軸に沿ってコンポーネント403を並進させ、x軸、y軸、及びz軸周りにコンポーネント403を回転させるように構成されうる。
[0071] いくつかの実施形態では、リソグラフィ装置は、第1の軸に沿ったコンポーネントの移動と、第2の軸に沿ったコンポーネントの測定位置との間の固有モード結合の影響と、第2の軸に沿ったコンポーネントの移動と、第1の軸に沿ったコンポーネントの測定位置との間の固有モード結合の影響も補償するように、リソグラフィ装置の当該コンポーネントの移動を制御するように構成された位置決めシステムを含みうる。図5は、1つのそのような実施形態によるフィードバック制御システム500のブロック図を示す。
[0072] 制御システム500は、第1の軸に沿ったコンポーネント503の移動と、第2の軸に沿ったコンポーネント503の測定位置との間の固有モード結合の影響と、第2の軸に沿ったコンポーネント503の移動と、第1の軸に沿ったコンポーネント503の測定位置との間の固有モード結合の影響とを補償するように、リソグラフィ装置の当該コンポーネント503の移動を制御するように構成された位置決めシステム501を含む。制御システム500は、上記制御システム200、300、及び400と同様の特徴を含む。これらの同様の特徴は、同様の番号が付され、制御システム200、300、及び400においてそれらが機能するのと実質的に同じに機能する。
[0073] 図5に示されるように、位置決めシステム501は、モデリングユニット572を含みうる。モデリングユニット572は、位置決めモジュール526によって加えられた1つ以上の制御力(528に概略的に示される力A2)によって、第2の軸に沿ってコンポーネント503を移動させることによってもたらされる自励固有モード機械的共振によって引き起こされる、位置センサ516によって検出される変動(573に概略的に示される)を予測しうる。いくつかの実施形態では、モデリングユニット572は、モデル化変動信号566(例えば、結合信号)を生成しうる。モデリングユニット572は、第1の軸と第2の軸との間の機械的結合を記述する任意の適切な補償モデルを用いうる。いくつかの実施形態では、モデリングユニット572は、第2の軸に沿ったコンポーネント503の移動と、第1の軸に沿ったコンポーネント503の測定位置との間の固有モード結合の影響を補償するように構成されうる。具体的には、モデル化変動信号566は、固有モード変動573に起因する第1の軸に沿った予測位置変位を示しうる。モデリングユニット572は、例えば変動573である、補償されている1つ以上の固有モード変動の任意の適切なモデル記述を用いてよい。いくつかの実施形態では、モデリングユニット572は、モデル化変動信号566を生成するように、補償モデルと併せて、第2の軸に沿ってコンポーネント503を移動させる制御力A2(528)を用いるように構成されうる。いくつかの実施形態では、第1の軸に沿った測定位置変位の予測は、コンポーネント503に加えられる力A2(528)に基づきうる。当業者には様々な固有モードモデル構造が知られている。いくつかの実施形態では、モデリングユニット572によって用いられるモデル記述は、いくつか知られている較正方法のうち、周波数領域又は時間領域最適化方法を用いて較正されうる。
[0074] モデル化変動信号566は、補償済み作動信号570(例えば、補償済みサーボ機構誤差信号)を生成するように、作動信号508と組み合わされる。いくつかの実施形態では、モデル化変動信号566は、補償済み作動信号570を生成するように、(図5に示されるように)加算器を用いて作動信号508と合計されてもよい。位置決めモジュール510は、補償済み作動信号570を受信し、補償済み作動信号570に基づく特定の大きさ及び方向を有する1つ以上の制御力(512に概略的に示される力A1)を加える。したがって、いくつかの実施形態では、変動573及びその結果もたらされる動作は、位置決めモジュール510から隠される。位置決めモジュール510は、センサ516において変動573を補償するように、力A1(512)が、第1の軸に沿ってコンポーネント303を移動させるように構成されうる。このような実施形態では、位置決めモジュール510は、当該位置決めモジュール510が任意の位置誤差を増幅しないように、変動573に起因する一次フィードバック信号504の一部を無視しうる。したがって、位置決めシステム501は、第1の軸に沿ったコンポーネント503の真の位置誤差を、位置決めモジュール510に提供するように構成される。したがって、非剛体の変動573に起因する位置誤差は、減少されるか又は除去されうる。
[0075] いくつかの実施形態では、リソグラフィ装置は、制御システム300、400、及び500の1つ以上の態様を組み込む。例えばリソグラフィ装置は、第1の軸、第2の軸、及び第3の軸に沿ってコンポーネント303を移動させるように構成された位置決めシステムを含みうる。また、リソグラフィ装置は、これらの軸の各対間の固有モード結合の影響を補償するように構成されうる。
[0076] 本発明の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又はそれらのあらゆる組合せにおいて実施され得る。本発明の実施形態はまた、機械可読媒体に記憶され、1つ又は複数のプロセッサにより読み出され実行され得る命令として実施されてもよい。機械可読媒体は、機械(例えばコンピュータデバイス)によって読み取りが可能な形態で情報を記憶又は送信するためのあらゆるメカニズムを含み得る。例えば、機械可読媒体は、読出し専用メモリ(ROM)、ランダムアクセスメモリ(RAM)、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、又は電気、光、音、もしくはその他の形態の伝搬信号(例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号等)、などを含み得る。また、本明細書において、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令が何らかの動作を行うと説明されることがある。しかし、そのような説明は単に便宜上のものであり、かかる動作は実際には、コンピュータデバイス、プロセッサ、コントローラ、又はファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令等を実行する他のデバイスによるものであることが理解されるべきである。
[0077] 発明の概要及び要約の項目は、発明者が想定するような本発明の1つ又は複数の例示的実施形態について述べることができるが、全部の例示的実施形態を述べることはできず、したがって本発明及び添付の特許請求の範囲をいかなる意味でも制限しないものとする。
[0078] 本発明の実施形態は、特定の機能の実施とそれらの関係を示す機能的構成要素を用いて上に説明された。これらの機能的構成要素の境界は、説明の便宜上任意に定義されている。特定の機能及びそれらの関係が適切に行われる限り別の境界が定義されてもよい。
[0079] 特定の実施形態の上記の説明は、本発明の一般的性質を十分に明らかにし、それにより、当業者の知識を適用することによって、他の人が、必要以上の実験を行うことなく、本発明の一般的な概念から逸脱することなく、特定の実施形態の様々な適用を容易に修正及び/又は適応することができるようにする。したがって、このような適応及び修正は、本明細書に提示する教示及び指導内容に基づいて、開示された実施形態の等価物の意味及び範囲内であることを意図するものである。本明細書における表現及び用語は、説明のためであって限定を目的とせず、したがって本明細書の用語及び表現は教示及び指導内容を鑑みて当業者によって解釈されるべきであることを理解すべきである。
[0080] 本発明の大きさ及び範囲は、上述した例示的な実施形態のいずれにも限定されるべきではなく、特許請求の範囲及びその等価物に応じてのみ定義されるべきである。

Claims (19)

  1. コンポーネントと、
    前記コンポーネントに動作可能に結合される位置決めシステムであって、第1の軸に沿って前記コンポーネントを移動させ、第2の軸に沿って前記コンポーネントの位置を測定する位置決めシステムと、
    を備え、
    前記位置決めシステムは、前記第1の軸に沿った前記コンポーネントの前記移動と前記第2の軸に沿った前記コンポーネントの前記測定位置との間の固有モード結合の影響を補償するように、前記コンポーネントの移動を制御
    前記位置決めシステムは、
    前記第1の軸に沿って前記コンポーネントを移動させるように第1の力を加える第1の位置決めモジュールと、
    前記第2の軸に沿って前記コンポーネントを移動させるように第2の力を加える第2の位置決めモジュールあって、サーボ機構帯域幅を有する第2の位置決めモジュールと、を備え、
    前記第2の軸に沿った前記コンポーネントの前記測定位置への固有モード結合の前記影響は、前記第2の位置決めモジュールの前記サーボ機構帯域幅より上である、リソグラフィ装置。
  2. 前記位置決めシステムは、前記第1の力に基づいて、前記第2の軸に沿った前記コンポーネントの前記測定位置への固有モード結合の前記影響を予測するモデリングユニットをさらに備える、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
  3. 記第2の位置決めモジュールは、前記第2の軸に沿った前記コンポーネントの前記測定位置への固有モード結合の前記予測された影響に基づいて、前記第2の力の大きさ及び方向を調節する、請求項2に記載のリソグラフィ装置。
  4. 前記位置決めシステムは、さらに、第3の軸に沿って前記コンポーネントの位置を測定し、
    前記位置決めシステムは、さらに、前記第1の軸に沿った前記コンポーネントの前記移動と前記第3の軸に沿った前記コンポーネントの前記測定位置との間の固有モード結合の影響を補償するように、前記コンポーネントの移動を制御する、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
  5. 前記位置決めシステムは、さらに、前記第2の軸に沿って前記コンポーネントを移動させ、前記第1の軸に沿って前記コンポーネントの位置を測定し、
    前記位置決めシステムは、さらに、前記第2の軸に沿った前記コンポーネントの前記移動と前記第1の軸に沿った前記コンポーネントの前記測定位置との間の固有モード結合の影響を補償するように、前記コンポーネントの移動を制御する、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
  6. 前記第1の軸は、前記第2の軸に直交し、前記位置決めシステムは、前記第1の軸に沿って前記コンポーネントを並進させる、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
  7. 第1の軸に沿ってリソグラフィ装置のコンポーネントを移動させることと、
    第2の軸に沿って前記コンポーネントの位置を測定することと、
    前記第1の軸に沿った前記コンポーネントの前記移動と前記第2の軸の沿った前記コンポーネントの前記測定位置との間の固有モード結合の影響を補償するように、位置決めモジュールを用いて前記第2の軸に沿って前記コンポーネントを移動させることと、を含
    前記第2の軸に沿った前記コンポーネントの前記測定位置への固有モード結合の前記影響は、前記位置決めモジュールのサーボ機構帯域幅より上である、方法。
  8. 前記第1の軸に沿った前記コンポーネントの前記移動と前記第2の軸の沿った前記コンポーネントの前記測定位置との間の固有モード結合の前記影響を補償することは、前記第1の軸に沿って前記コンポーネントを移動させるように前記コンポーネントに加えられる第1の力に基づいて、前記第2の軸に沿った前記コンポーネントの前記測定位置への固有モード結合の前記影響を予測することを含む、請求項7に記載の方法。
  9. 前記第1の軸に沿った前記コンポーネントの前記移動と前記第2の軸に沿った前記コンポーネントの前記測定位置との間の固有モード結合の前記影響を補償するように、前記第2の軸に沿って前記コンポーネントを移動させることは、前記第2の軸に沿った前記コンポーネントの前記測定位置への固有モード結合の前記予測された影響に基づいて前記コンポーネントに第2の力を加えることを含む、請求項7に記載の方法。
  10. 第3の方向における前記コンポーネントの位置を測定することと、
    前記第1の軸に沿った前記コンポーネントの前記移動と前記第3の軸に沿った前記コンポーネントの前記測定位置との間の固有モード結合の影響を補償するように、前記第3の軸に沿って前記コンポーネントを移動させることと、をさらに含む、請求項7に記載の方法。
  11. 前記第2の軸に沿って前記コンポーネントを移動させることと、
    前記第1の軸に沿って前記コンポーネントの位置を測定することと、
    前記第2の軸に沿った前記コンポーネントの前記移動と前記第1の軸に沿った前記コンポーネントの前記測定位置との間の固有モード結合の影響を補償するように、前記第1の軸に沿って前記コンポーネントを移動させることと、をさらに含む、請求項7に記載の方法。
  12. 前記第1の軸は、前記第2の軸に直交し、前記第1の軸に沿って前記リソグラフィ装置の前記コンポーネントを移動させることは、前記コンポーネントを並進させることを含む、請求項7に記載の方法。
  13. 第1の軸に沿ってリソグラフィ装置のコンポーネントを移動させるために、第1の補償済みサーボ機構誤差信号に応答して、第1の制御力を生成する、前記第1の軸に関連付けられた第1のサーボ機構コントローラであって、サーボ機構帯域幅を有する第1のサーボ機構コントローラと、
    第2の軸に沿って前記コンポーネントを移動させるために、第2の補償済みサーボ機構誤差信号に応答して、第2の制御力を生成する、前記第2の軸に関連付けられた第2のサーボ機構コントローラと、
    前記第1及び第2のサーボ機構コントローラに動作可能に結合された結合補償器であって、前記第1及び第2の軸間の機械的結合を示す補償モデルを有し、結合信号を生成するように前記補償モデルと併せて前記第2の制御力を用いる結合補償器と、
    前記結合信号を受信し、前記第1の補償済みサーボ機構誤差信号を生成するように、前記結合信号を第1のサーボ機構誤差信号と合計する加算器と、を備え、
    前記第1及び第2の軸間の機械的結合によって引き起こされた前記第1の軸上に結果として生じる動作は、前記第1のサーボ機構コントローラの前記サーボ機構帯域幅より上である、多自由度制御システム。
  14. 前記結合補償器は、前記第2の軸に沿った前記コンポーネントの前記移動と前記第1の軸に沿った前記コンポーネントの測定位置との間の固有モード結合の影響を補償する、請求項13に記載の多自由度制御システム。
  15. 記結合補償器は、前記第1のサーボ機構コントローラに誤差を無視させ且つ該誤差を増幅させないことによって、結合動作の結果を前記第1のサーボ機構コントローラから隠す、請求項13に記載の多自由度制御システム。
  16. 前記補償モデルは、補償されることが望まれる1つ以上の固有モードを記述するモデル構造を含む、請求項13に記載の多自由度制御システム。
  17. 当該制御システムは、前記第1の補償済みサーボ機構誤差信号を、前記第1のサーボ機構誤差信号と前記結合信号の前記合計として提供することによって、関心点における真のサーボ機構誤差を提供する、請求項13に記載の多自由度制御システム。
  18. 当該制御システムは、前記第1の軸を前記第2の軸から動的に切り離し、前記コンポーネントは、前記リソグラフィ装置のステージである、請求項13に記載の多自由度制御システム。
  19. 前記ステージは、レチクルステージ又はウェーハステージであり、
    当該制御システムは、前記第1及び第2のサーボ機構コントローラに動作可能に結合される第2の結合補償器をさらに備え、
    前記第2の結合補償器は、前記第1の軸に沿った前記ステージの移動と前記第2の軸の沿った前記ステージの測定位置との間の固有モード結合の影響を補償する、請求項18に記載の多自由度制御システム。
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US10095123B2 (en) * 2014-04-04 2018-10-09 Asml Netherlands B.V. Control system, positioning system, lithographic apparatus, control method, device manufacturing method and control program
JP7148295B2 (ja) * 2018-07-04 2022-10-05 キヤノン株式会社 制御装置、露光装置及び物品の製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4289713B2 (ja) * 1999-03-17 2009-07-01 キヤノン株式会社 ステージ装置、露光装置およびデバイス製造方法
US7630059B2 (en) * 2006-07-24 2009-12-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE502007002028D1 (de) * 2007-02-05 2009-12-31 Integrated Dynamics Eng Gmbh Regelungssystem zur aktiven Schwingungsisolation einer gelagerten Nutzlast
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JP2009088018A (ja) * 2007-09-27 2009-04-23 Nikon Corp ステージ制御方法、ステージ制御装置、露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法

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