KR100592820B1 - 리소그래피장치, 디바이스제조방법 및 그에 따라 제조된디바이스 - Google Patents

리소그래피장치, 디바이스제조방법 및 그에 따라 제조된디바이스 Download PDF

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에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
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Abstract

리소그래피투영장치의 2개의 밀봉된 격실 또는 격실과 펌프를 연결시키는데 사용되는 벨로스는 평활한 나선형 주름을 갖는 제1섹션 및 상기 제1섹션의 끝단부의 상대적인 회전에 의하여 발생되는 길이방향의 움직임을 수용할 수 있는 제2섹션을 포함한다. 상기 제2섹션은 상기 제1섹션 또는 원주형 주름으로 된 1이상의 서브섹션(sub-section)의 거울이미지일 수 있다.

Description

리소그래피장치, 디바이스제조방법 및 그에 따라 제조된 디바이스 {Lithographic Apparatus, Device Manufacturing Method and Device Manufactured thereby}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 리소그래피투영장치의 도면;
도 2 내지 도 6은 본 발명의 실시예에 사용가능한 벨로스의 사시도이다.
본 발명은,
- 방사투영빔을 공급하는 방사선시스템;
- 소정의 패턴에 따라 투영빔을 패터닝시키는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체;
- 기판을 잡아주는 기판테이블; 및
- 기판의 타겟부상으로 패터닝된 빔을 투영시키는 투영시스템을 포함하는 리소그래피투영장치에 관한 것이다.
"패터닝수단(patterning means)"이라는 용어는 기판의 타겟부에 형성되어야 할 패턴에 대응하는 패터닝된 단면을 입사하는 방사빔에 부여하도록 사용될 수 있 는 수단을 의미하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 하며, 본 명세서에서는 "광 밸브(light valve)"라는 용어로도 사용된다. 일반적으로, 상기 패턴은 집적회로 또는 기타 디바이스와 같이 타겟부에 형성될 디바이스 내의 특정기능층에 해당할 것이다(이하 참조). 그러한 패터닝수단의 예로는 다음과 같은 것들이 포함된다.
- 마스크. 이 마스크의 개념은 리소그래피분야에서 이미 잘 알려져 있고, 바이너리(binary)형, 교번위상-시프트(alternating phase-shift)형 및 감쇠위상-시프트형과 같은 마스크형식과 다양한 하이브리드 마스크형식을 포함한다. 방사빔내에 이러한 마스크가 놓이면, 마스크의 패턴에 따라 마스크로 입사되는 방사선의 선택적인 투과(투과형 마스크의 경우) 또는 반사(반사형 마스크의 경우)가 이루어진다. 마스크의 경우에는, 일반적으로 마스크테이블이 지지구조체가 되고, 상기 마스크테이블은 입사되는 방사빔내의 소정위치에 마스크가 고정될 수 있게 하며, 필요한 경우에는 마스크를 상기 빔에 대하여 상대적으로 이동시킬 수 있도록 한다.
- 프로그래밍 가능한 거울배열. 이러한 장치의 예로는, 점탄성 제어층 (viscoelastic control layer)과 반사면을 구비한 매트릭스-어드레서블 표면이 있다. 이러한 장치의 기본원리는, (예를 들어)반사면의 어드레스된 영역(addressed area)에서는 입사광이 회절광으로 반사되는 반면, 어드레스되지 않은 영역에서는 입사광이 비회절광으로 반사되는 것이다. 적절한 필터를 사용하면, 상기 비회절광을 필터링하여 회절광만 남게 할 수 있다. 이러한 방식으로, 상기 빔은 상기 매트릭스-어드레서블 표면의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 프로그래밍 가능한 거울배열의 대안적인 실시예는 작은 거울의 매트릭스 배치를 채택하는 것인데, 상기 각각의 작은 거울은 국부화된 적절한 전기장을 가하거나 또는 압전작동수단(piezoelectric actuation means)을 채택하여 축에 대하여 개별적으로 기울어질 수 있다. 또한, 상기 거울은 매트릭스-어드레서블이고, 이러한 어드레싱된 거울은 입사하는 방사빔을 어드레싱되지 않은 거울에 대하여 다른 방향으로 반사할 것이다. 이러한 방식으로, 반사된 빔은 매트릭스-어드레서블 거울의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 이때 요구되는 매트릭스 어드레싱은 적당한 전자수단을 사용하여 수행될 수 있다. 상술된 두가지 상황 모두에 있어서, 패터닝수단은 1이상의 프로그래밍가능한 거울배열로 이루어질 수 있다. 이 때 요구되는 매트릭스 어드레싱은 적절한 전자수단을 사용하여 수행될 수 있다. 이러한 거울배열에 관한 보다 상세한 정보는, 예를 들어 본 명세서에서 참고자료로 채용되고 있는 미국특허 US 5,296,891호 및 US 5,523,193호와 PCT특허출원 WO 98/38597호 및 WO 98/33096호로부터 얻을 수 있다. 프로그래밍 가능한 거울배열의 경우에, 상기 지지구조체는 필요에 따라 고정되거나 또는 이동할 수 있는, 예를 들어, 프레임 또는 테이블로 구현될 수 있다.
- 프로그래밍 가능한 LCD 배열. 이러한 구조의 일례는 본 명세서에서 참고자료로 채용되고 있는 미국특허 US 5,229,872호에 개시되어 있다. 상술된 바와 같이, 이러한 경우에서의 지지구조체는 필요에 따라 고정되거나 또는 이동할 수 있는, 예를 들어, 프레임 또는 테이블로 구현될 수 있다.
설명을 간단히 하기 위하여, 본 명세서의 나머지 부분 중 어느 곳에서는 그 자체가 마스크와 마스크테이블을 포함하는 예시적인 용어로서 특정적으로 지칭될 수도 있다. 하지만, 그러한 예시에서 논의된 일반적인 원리는 상술한 바와 같은 패터닝수단의 광의의 개념으로 이해되어야 한다.
예를 들어, 리소그래피투영장치는 집적회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 이 경우에, 패터닝수단은 IC의 각각의 층에 대응되는 회로패턴을 형성할 수 있으며, 이 패턴은 이후에 방사선 감지물질(레지스트)층으로 도포된 기판(실리콘 웨이퍼)상의 타겟부(예를 들어, 1이상의 다이로 구성되는)상으로 묘화될 수 있다. 일반적으로, 단일 웨이퍼는 인접해 있는 타겟부들의 전체적인 네트워크를 포함하고, 이들 타겟부는 투영시스템에 의하여 한번에 하나씩 연속적으로 조사된다. 현재 통용되는 장치에서, 마스크테이블상의 마스크에 의한 패터닝을 채택하는 데에는, 두 가지 상이한 형식의 기계로 구분될 수 있다. 어느 한 형식의 리소그래피투영장치에서는 타겟부상으로 전체 마스크 패턴을 한번에 노광함으로써 각 타겟부가 조사되는데, 이러한 장치를 통상적으로 웨이퍼 스테퍼(wafer stepper)라고 한다. 통상, 스텝-앤드-스캔 장치(step-and-scan apparatus)라고 불리워지는 대체 장치에서는 소정의 기준 방향("스캐닝 방향")으로 투영빔 하의 마스크 패턴을 점진적으로 스캐닝하는 한편, 상기 스캐닝 방향과 같은 방향 또는 반대 방향으로 기판테이블을 동기적으로 스캐닝함으로써 각 타겟부가 조사된다. 일반적으로, 투영시스템은 배율인자 M(일반적으로 < 1)을 가지므로 기판테이블이 스캐닝되는 속도 V는 마스크테이블이 스캐닝되는 속도의 인자 M배가 된다. 본 명세서에 참고자료로 채택되고, 여기서 서술된 리소그래피장치에 관한 보다 상세한 정보는, 예를 들어 미국특허 US 6,046,792호에서 찾을 수 있다.
리소그래피투영장치를 사용하는 제조공정에서, (예를 들어, 마스크의) 패턴은 방사선 감지물질(레지스트)층에 의하여 적어도 부분적으로 도포되는 기판상으로 묘화된다. 이 묘화 단계(imaging step)에 앞서, 기판은 전처리(priming), 레지스트 코팅 및 소프트 베이크와 같은 여러가지 과정을 거칠 수 있다. 노광 후에는, 노광후 베이크(PEB), 현상, 하드 베이크 및 묘화된 피처(imaged feature)의 측정/검사와 같은 또 다른 과정을 거치게 된다. 이러한 일련의 과정은, 예를 들어 IC와 같은 디바이스의 각각의 층을 패터닝하는 기초로서 사용된다. 이렇게 패터닝된 층은 에칭, 이온 주입(도핑), 금속화, 산화, 화학-기계적 폴리싱 등과 같은, 각각의 층을 가공하기 위한 여러 공정을 거친다. 여러 개의 층이 요구된다면, 새로운 층마다 전체공정 또는 그것의 변형된 공정이 반복되어져야만 할 것이다. 그 결과로, 기판(웨이퍼)상에는 집적회로 디바이스의 배열이 존재하게 될 것이다. 이들 집적회로 디바이스는 다이싱 또는 소잉 등의 기술에 의하여 서로 분리되고, 이들 각각의 디바이스는 캐리어에 장착되고 핀 등에 접속될 수 있다. 본 명세서에서 참고자료로 채택되고 있는 이와 같은 공정에 관한 추가정보는 예를 들어, "Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing" (3판, Peter van Zant 저, McGraw Hill출판사, 1997, ISBN 0-07-067250-4)으로부터 얻을 수 있다.
설명을 간단히 하기 위하여, 상기 투영시스템은 이후에 "렌즈"라고 언급 될 것이다. 하지만 이 용어는 예를 들어, 굴절광학기, 반사광학기, 카타디옵트릭 (catadioptric) 시스템을 포함하는 다양한 형태의 투영시스템을 내포하는 것으로서 폭 넓게 해석되어야 한다. 상기 방사선시스템은 방사투영빔의 지향, 성형 또는 제 어하는 이들 설계형식 중의 어느 하나에 따라 동작하는 구성요소를 포함할 수 있고, 이후에 설명에서는 이러한 구성요소들을 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈"라고 언급할 것이다. 나아가, 상기 리소그래피장치는 2이상의 기판테이블 (및/또는 2이상의 마스크테이블)을 구비하는 형태가 될 수도 있다. 이러한 "다수 스테이지" 장치에서, 추가테이블이 병행으로 사용될 수 있으며, 1이상의 스테이지가 노광에 사용되고 있는 동안, 1이상의 다른 스테이지에서는 준비작업단계가 수행될 수 있다. 본 명세서에서 참고자료로 채택되는 듀얼 스테이지 리소그래피장치는, 예를 들어, 미국특허 US 5,969,441호 및 국제특허출원 WO 98/40791호에 개시되어 있다.
보다 더 작은 피쳐를 묘화시키기 위하여, 보다 더 짧은 파장의 투영빔을 사용할 필요가 있다; 기존의 장치는 193nm까지의 자외선(UV) 또는 딥 자외선(DUV)을 사용하는 한편, 157nm 또는 126nm의 DUV방사선 또는 5nm 내지 20nm 범위의 극자외선(EUV)을 사용하도록 제안되고 있다. 또한, 하전 입자빔, 특히 전자빔을 사용하는 장치도 제안되고 있다. 이들 제안된 방사선의 모든 종류는 공기에 의하여 강하게 흡수되므로, 157nm 또는 126nm 방사선을 사용하는 장치는 질소와 같은 퍼지가스로 씻겨져야만 하는 한편, EUV 및 하전 입자빔을 사용하는 장치는 엄격한 기준에 따라 배출(evacuate)되어야 한다. 따라서, 이러한 장치는 가스밀폐실 또는 진공밀폐실안에 있어야 한다.
예를 들어, 방사원, 조명시스템 및 투영시스템과 같은 장치의 상이한 부분들은 별도의 격실로 둘러싸는 것이 편리하다. 그런 다음, 투영빔이 지나갈, 상당히 큰 직경을 가질 수 있는 상기 격실들 사이의 이음부를 가스밀폐 또는 진공밀폐시킬 필요가 있다. 또한, 상이한 격실들을 진공펌프 또는 퍼지가스공급 및 배출시스템에 연결시킬 필요가 있다.
모든 리소그래피장치에서는, 적어도 마스크, 기판 및 투영렌즈를 진동으로부터 격리시키는 것이 중요하고, 이러한 요건은 묘화될 피쳐의 크기가 작아짐에 따라 증가하게 된다. 또한 상이한 격실들을 예를 들어, 열팽창, 진동 및 설치공차(mounting tolerance)에 의하여 발생되는 상대운동에서 기인하는 응력, 힘, 모멘트로부터 격리시키는 것이 또한 중요하다. 따라서, 장치의 상이한 격실들을 서로 기계적으로 격리시키는 것 특히, 진동의 중요한 원인인 펌프와 같은 장치를 격리시키는 것이 바람직하다.
따라서, 배기 또는 퍼지된 리소그래피장치의 격실들 간의 이음부에 대하여 금속벨로스(metal bellows)를 사용하고, 펌프로 통하는 진공도관을 사용하는 것이 알려져 있다. 이러한 벨로스는 다양한 형태를 가지고 있으나, 일반적으로 벨로스의 축선에 수직한 주름(corrugations)을 가지고 있는 원통형 또는 원뿔형이다. 주름을 충분히 크게 만들고, 벨로스의 벽을 충분히 얇게 만들면, 벨로스 끝단부의 길이방향 및 측방향의 상대운동 및 원통 또는 원뿔의 축선에 수직한 축선들에 대한 각운동에 관한 벨로스의 경직성(stiffness)이 낮아질 수 있다. 경직성이 낮으면, 벨로스를 통하여 진동이 전달되는 것을 막을 수 있다. 그러나, 공지된 벨로스는 특히, 투영빔 또는 공기나 퍼지가스의 많은 흐름을 수용하기 위하여 벨로스의 직경이 큰 경우에는 원통 또는 원뿔의 축선을 중심으로 하는 회전운동에 대하여 경직되어 있다. 따라서, 공지된 벨로스에는 바람직하지 않은 비틀림 진동, 힘 및 모멘트의 전 달경로가 남아 있게 된다.
본 발명의 목적은 비틀림 진동, 힘 및/또는 모멘트를 단절시킬 수 있는 리소그래피장치용 벨로스를 제공하는 것이다.
본 발명의 상기 및 기타 목적은,
- 방사투영빔을 공급하는 방사선시스템;
- 소정의 패턴에 따라 상기 투영빔을 패터닝시키는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체;
- 기판을 잡아주는 기판테이블; 및
- 상기 기판의 타겟부상으로 상기 패터닝된 투영빔을 투영시키는 투영시스템을 포함하는 리소그래피투영장치로서,
상기 방사선시스템, 상기 지지구조체, 상기 기판테이블 및 상기 투영시스템중 하나 이상의 적어도 일부는 밀봉된 챔버에 수용되고, 벨로스가 상기 밀봉된 챔버와 여타의 챔버 또는 펌프사이에 폐쇄된 통로를 제공하기 위하여 제공되며, 상기 통로는 길이방향의 축선을 갖는 리소그래피투영장치에 있어서,
상기 벨로스는,
제1섹션의 대향하는 끝단부가 서로에 대하여 회전될 수 있도록 상기 길이방향의 축선을 중심으로 나선형으로 연장되는 복수의 주름을 갖는 제1섹션; 및
상기 제1섹션의 길이의 변화를 보상하기 위하여, 길이가 변화될 수 있도록 되어 있는 제2섹션을 포함하는 것을 특징으로 하는 본 발명에 따른 리소그래피장치로 달성된다.
이러한 회전이 제1섹션의 길이의 변화를 일으킨다고 하더라도, 제1섹션내의 나선형 주름은 그 끝단부의 상대적인 회전을 수용하도록 한다. 따라서, 제2섹션은 상기의 변화를 수용하고, 벨로스의 전체 길이를 일정하게 유지시키도록 제공된다. 제1섹션은 회전에 대한 길이의 변화들을 결합(couple)시키지만, 제2섹션은 그것들을 완화(de-couple)시킨다. 소정 범위내에서, 벨로스의 끝단부는 서로에 대하여 독립적으로 총 6개의 자유도로 병진 및 회전할 수 있다. 벨로스는 이들 자유도의 각각에서 낮은 경직성을 가질 수 있어, 벨로스를 건너 진동이 전달되는 것을 방지할 수 있다.
벨로스내의 평활한 주름은, 주름으로부터 발생되는 비틀림 응력(torsional stress)을 벨로스 전체에 걸쳐 고르게 배분한다. 이것은 하나의 점에 응력을 집중시키기 보다는, 오히려 벨로스의 전반적인 마모를 감소시키므로, 따라서 벨로스의 누설이 덜 일어나게 한다. EUV방사선을 사용하는 이들 고도의 정밀한 응용에 있어서는, 가스의 손실이 중요한 문제가 된다. 사용전에, 상기 장치는 전반적으로 세정되어야 하고, 평활한 주름은 예를 들어, 접은자리 보다는 세정하기가 보다 용이하여, 더욱 효과적으로 세정될 수 있다.
따라서, 상기 주름은 벨로스소재의 두께에 비하여 예를 들어, 적어도 4배 더 큰 곡률반경을 가져야 하는 것이 바람직하다. 상기 주름은 사인곡선의 모양이 될 수 있고, 정점(peak) 및 골(trough)은 서로 평행하게 움직이는 것이 바람직하다.
제2섹션은 제1섹션의 나선형 주름의 섹션에 대응하는 섹션일 수 있으나, 반대로 감겨지거나 또는 원주형 주름일 수 있다.
적어도 제1섹션은 회전 대칭인 기본 형태를 가져야 한다.
본 발명의 또 다른 형태에 따르면,
- 적어도 부분적으로 방사선감응재층으로 덮인 기판을 제공하는 단계;
- 방사선시스템을 사용하여, 방사선의 투영빔을 제공하는 단계;
- 패터닝수단을 사용하여, 투영빔의 단면에 패턴을 부여하는 단계;
- 방사선감응재층의 타겟부상으로 방사선의 패터닝된 빔을 투영시키는 단계를 포함하는 디바이스제조방법에 있어서,
상기 방사선시스템, 상기 지지구조체, 상기 기판테이블 및 상기 투영시스템중의 하나의 적어도 일부를 둘러싸는 밀봉된 격실과 또 다른 격실 또는 펌프 사이를 연통시키기 위하여, 나선형 주름을 갖는 제1섹션 및 상기 제1섹션의 길이변화를 수용하도록 되어 있는 제2섹션을 갖는 벨로스를 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법이 제공된다.
본 명세서에서는 IC의 제조에서의 본 발명에 따른 장치의 사용에 있어서, 특정한 적용예에 대하여 언급하였으나, 이러한 장치는 다른 여러 가능한 응용예를 가지고 있음이 명백히 이해되어야 한다. 예를 들어, 상기 장치는 집적광학시스템, 자기영역메모리용 유도 및 검출패턴, 액정표시패널, 박막자기헤드 등의 제조에도 이용될 수 있다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "레티클", "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 용어가 각각 "마스크", "기판" 또는 "타겟부" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어로 대체되고 있음을 고려하여야 할 것이다.
본 명세서에서, "방사선" 및 "빔" 과 같은 용어는(예를 들어, 365nm, 248nm, 193nm, 157nm 또는 126nm 파장의)자외선방사선 및 (예를 들어, 5~20nm 범위의 파장을 갖는)(극자외선)EUV와 함께 이온빔 또는 전자빔과 같은 입자빔을 포함하는 모든 형식의 전자기 방사선을 포괄하는 것으로 사용된다.
제1실시예
도 1은 본 발명의 특정한 실시예에 따른 리소그래피 투영장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는,
ㆍ방사선(예를 들어, EUV 방사선)의 투영빔(PB)을 공급하는 방사선시스템(Ex, IL)(특별히 이 경우에 방사선시스템이 방사원(LA)도 포함한다);
ㆍ마스크(MA)(예를 들어, 레티클)를 잡아주는 마스크 홀더가 마련된, 아이템 PL에 대하여 마스크를 정확히 위치시키는 제1위치설정수단에 연결된 제1대물테이블(마스크테이블)(MT);
ㆍ기판(W)(예를 들어, 레지스트 코팅된 실리콘 웨이퍼)을 잡아주는 기판 홀더가 마련된, 아이템 PL에 대하여 기판을 정확히 위치시키는 제2위치설정수단에 연결된 제2대물테이블(기판테이블)(WT); 및
ㆍ기판(W)의 타겟부(C)(1이상의 다이를 포함)에 마스크(MA)의 조사된 부분을 묘화하는 투영시스템("렌즈")(PL)(예를 들어, 거울그룹)을 포함하여 이루어진다. 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (반사마스크를 구비한) 반사형이다. 하지만, 일반 적으로는, 예를 들어 (투과마스크를 구비한) 투과형일 수도 있다. 대안적으로, 상기 장치는 위에서 언급한 바와 같은 형태의 프로그램가능한 거울배열과 같은 그 밖의 다른 종류의 패터닝수단을 채용할 수도 있다.
방사원(LA)(예를 들어, 방전 또는 레이저생성플라즈마원)은 방사선의 빔을 생성한다. 상기 빔은 곧바로 조명시스템(일루미네이터)(IL)으로 들어 가거나, 예를 들어 빔 익스펜더(Ex)와 같은 컨디셔닝 수단을 거친 다음에 조명시스템으로 들어간다. 상기 일루미네이터(IL)는 빔내의 세기 분포의 외반경 및/또는 내반경 크기(통상 각각 외측-σ 및 내측-σ라고 함)를 설정하는 조정수단(AM)을 포함하여 이루어진다. 또한 그것은 일반적으로 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같은 그 밖의 다른 다양한 구성요소들을 포함한다. 이러한 방식으로, 마스크(MA)에 입사하는 빔(PB)은 그 단면에 소정의 균일성과 세기분포를 갖게 된다.
도 1과 관련하여, 상기 방사원(LA)은 리소그패피투영장치의 하우징내에 놓이지만(예를 들어, 방사원(LA)이 흔히 수은 램프인 경우에서처럼), 그것이 리소그래피 투영장치로부터 멀리 떨어져 있어서 그것이 만들어 낸 방사선빔이 (가령, 적절한 지향거울에 의해) 장치 내부로 들어오게 할 수도 있다. 후자의 시나리오는 방사원(LA)이 엑시머레이저인 때에 흔한 경우이다. 본 발명과 청구범위는 이들 시나리오를 모두 포괄하고 있다.
이후, 상기 빔(PB)은 마스크테이블(MT)상에 잡혀있는 마스크(MA)를 통과한다. 마스크(MA)를 지난 빔(PB)은 렌즈(PL)를 통과하여 기판(W)의 타겟부(C)위에 빔(PB)의 초점을 맞춘다. 제2위치설정수단(및 간섭계측정수단(IF))에 의하여, 기 판테이블(WT)은, 예를 들어 빔(PB)의 경로내에 상이한 타겟부(C)를 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제1위치설정수단은 예를 들어, 마스크 라이브러리로부터 마스크(MA)를 기계적으로 회수한 후에, 또는 스캔하는 동안, 빔(PB)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시키도록 사용될 수 있다. 일반적으로 대물테이블(MT, WT)의 이동은, 도 1에 명확히 도시되지는 않았지만, 긴 행정모듈(long stroke module)(개략 위치설정) 및 짧은 행정모듈(미세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 것이다. 하지만, (스텝-앤드-스캔장치와는 대조적으로) 웨이퍼스테퍼의 경우에는 마스크테이블(MT)이 단지 짧은행정액츄에어터에만 연결될 수 있고 고정될 수도 있다.
상술한 장치는 다음의 두가지 상이한 모드로 사용될 수 있다.
1. 스텝모드에서는, 마스크테이블(MT)은 기본적으로 정지상태로 유지되며, 전체 마스크이미지는 한번에(즉, 단일 "섬광"으로) 타겟부(C)에 투영된다. 이후 기판테이블(WT)이 x 및/또는 y 방향으로 쉬프트되어 다른 타겟부(C)가 빔(PB)에 의하여 조사될 수 있다.
2. 스캔모드에서는, 소정 타겟부(C)가 단일 "섬광"으로 노광되지 않는 것을 제외하고는 기본적으로 동일한 시나리오가 적용된다. 그 대신에, 마스크테이블(MT)이 v의 속도로 소정방향(소위 "스캔방향", 예를 들어 y 방향)으로 이동가능해서, 투영빔(PB)이 마스크 이미지의 모든 부분을 스캐닝하도록 되고, 이와 함께 기판테이블(WT)은 속도 V=Mv로, 동일방향 또는 그 반대방향으로 동시에 이동하는데, 이 때 M은 렌즈(PL)의 배율(통상 M=1/4 또는 1/5)이다. 이러한 방식으로, 해상도를 떨 어뜨리지 않고 비교적 넓은 타겟부(C)가 노광될 수 있다.
도 1에는 도시되지 않았지만, 장치의 빔경로는 매우 높은 진공(탄화수소의 분압이 10-8 또는 10-9밀리바를 가짐에 따라 전체 압력은 10-6 밀리바만큼 낮아야 한다)으로 배기된다. 이러한 엄격한 요건은 거울, 마스크 및 웨이퍼의 오염을 막기 위한 것이다. 이러한 진공레벨에 도달하고 지속시키기 위해서, 예를 들어, 방사원(LA), 조명시스템(IL), 마스크스테이지, 투영시스템(PL) 및 기판스테이지와 같은 장치의 다양한 섹션들이 별도의 진공밀폐공간내에서 보존되고, 적절한 형식 및 용량을 가진 진공펌프에 연결된다.
투영빔, 측정빔 또는 가스흐름을 통과시키고, 격실들간의 진동, 힘 및 모멘트의 전달을 차단하면서, 다양한 격실과 그들의 펌프를 함께 연결하기 위해서, 격리벨로스(isolation bellows)가 사용된다. 벨로스의 축선에 대한 비틀림방향(Rz), 길이방향(Z)과 측방향(X, Y) 및 각방향(Rx, Ry)에서의 진동, 힘 및 모멘트의 전달을 방지하기 위하여, 본 발명에 사용된 격리벨로스는 나선형 주름을 갖는 적어도 하나의 섹션 및 길이방향의 이동을 수용하는 적어도 하나의 섹션을 포함한다.
이하의 설명에서, 기준은 XYZ직각좌표계로 이루어져 있고, 여기서 Z축은 응력을 받지 않은 벨로스의 길이방향 축선이고 벨로스의 한 끝단은 XY평면에 놓여있다. 이러한 좌표계에서, 비틀림 움직임은 Rz로 불려질 수 있다. 본 좌표시스템을 사용하는 것은 보다 쉽게 설명하기 위한 것일 뿐, 지표면 또는 상기 장치에서 정의되는 여타의 임의의 좌표계에 대한 벨로스의 어떠한 특정방위를 지칭하는 것이 아님 을 유의하여야 한다. 또한, 벨로스의 길이방향 축선에 대한 상기의 기준은 벨로스가 원통형이거나 또는 곧은 길이방향 축선을 갖도록 요구되는 것으로 받아들여져서는 안된다.
본 발명에 사용할 수 있는 격리벨로스(20)의 제1실시예가 도 2에 도시된다. 격리벨로스(20)는 일반적으로 원통형상이고, 3개의 움직임수용섹션(movement accommodating sections):평활한 나선형 주름(22)을 갖는 중앙섹션(21), 원주형 주름(25, 26)을 갖는 외측섹션(23, 24)을 포함한다. 평평한 원통형 끝단부(27, 28)는 격실 또는 진공도관에 벨로스를 설치하는 것을 쉽게 하도록 제공된다. 벨로스의 길이방향 축선을 중심으로 각각 실질적으로 1/2회전만큼 연장되는 8개의 주름이 있다. 상기 벨로스(20)는 한 진공챔버로부터 다른 진공챔버까지의 폐쇄된 통로를 형성하는데 사용되고, 본 실시예에서, 벨로스의 길이방향 축선은 통로의 길이방향 축선과 일치한다.
나선형 주름(22)은 벨로스(20)의 길이바향 축선에 대하여 30°내지 60°사이의 각도, 바람직하게는 45°로 배치된다. 비틀림(Rz)력이 상기 끝단(27, 28)들 사이에 가해지면, 중심섹션(21)의 나선형 주름(22)은 외측섹션(23, 24)의 상대적인 회전운동을 허용하지만, 그렇게 함으로써, 길이방향(Z)으로 길이가 변화한다. 그러나, 이러한 길이의 변화는 외측섹션(23, 24)의 원주형 주름(25, 26)에 의하여 수용되어, 끝단부(23, 24)의 길이방향으로 움직이지 않는다. 본질적으로, 나선형 주름(22)이 Z 및 Rz움직임을 결합시키기는 한편, 외측섹션들은 Z움직임을 수용하여 이들 움직임을 완화시킨다.
벨로스의 치수 및 다양한 주름의 크기 및 수는 수용되여야 하는 진공경로의 소정의 크기 및 움직임의 범위에 따라 달라질 수 있음을 이해하여야 한다. 이것은 본 발명에 사용할 수 있는 격리벨로스(30)의 제2실시예를 도시하는 도 3에 의하여 알 수 있다. 이 벨로스는 기능적으로는 벨로스(20)와 동일하지만, 그 길이에 비하여 더 큰 반경을 갖는다. 벨로스(30)의 부분들은 10이 적은 참조부호를 갖는 벨로스(20)의 부분들과 동일한 기능을 수행한다. 벨로스(30)는 길이방향 축선을 중심으로 각각 실질적으로 1/2회전만큼 연장하는 15개의 주름을 갖는다.
본 발명에 따른 격리벨로스(40)의 제3실시예가 도 4에 도시된다. 벨로스(40)에는, 각각 실질적으로 1/4회전만큼 연장하는 8개의 나선형 주름(43, 44)을 갖는 2개의 나선형 섹션(41, 42)이 제공된다. 2개의 나선형 섹션(41, 42)의 나선형 주름(43, 44)은 하나는 시계방향, 나머지 하나는 반시계방향으로, 반대로 회전한다. 이러한 방식으로, 나선형 섹션중의 하나는 다른 하나의 길이방향 움직임을 수용하도록 작용한다. 이것은 장착 플랜지(48)를 고정시키고, 장착 플랜지(49)에 가해지는 시계방향 토크의 예를 참조하여 설명될 수 있다. 이러한 힘의 영향을 받아, 나선형 섹션(43)은 "감겨(wind up)"지고 길이방향으로 수축되는 한편, 나선형 섹션(42)은 "풀려(unwind)"져서 길이방향으로 연장된다. 거울이미지로, 2개의 나선형 섹션이 동일하게 구성되면, 벨로스(40)의 전체 길이는 일정하게 유지된다.
벨로스(40)에서, 원통형부분(45, 46, 47)은 편의상 제공된다. 벨로스(40)는 끝단부에 대한 중간부분(45)의 회전에 의하여 2개의 끝단부의 상대적인 Z변위를 수 용하는 것임을 유의하여야 한다. 예를 들어, 벨로스를 압축시키면, 2개의 나선형 부분이 감기도록 하고, 이들 2개의 나선형 부분은 중간섹션을 반시계방향(anti-clockwise)으로 회전시킨다. 물론, 비틀림 및 길이방향 움직임 모두가 조합되어 수용될 수 있다.
벨로스(40)에는, 원통형 부분(45, 46, 47)이 제조상의 편의를 위하여, 또한 벨로스의 전체길이가 원하는 대로 설정되도록 하기 위하여 제공된다. 또한, 나선형 주름(43, 44)은 공칭 원통형 표면내에 삽입물(inset)로 형성되고, 비교적 날카로운 모서리를 이루는 것을 알 수 있다.
도 5는 본 발명에 사용할 수 있는 격리벨로스(50)의 제4실시예를 나타낸다. 본 실시예는 각각 실질적으로 1/2회전만큼 연장하는 15개의 대향하여 회전하는 나선형 주름(53, 54)을 구비한 2개의 나선형섹션(51, 52) 및 원주형 주름(56)의 중간섹션(55)을 갖는다. 반대로 "감긴" 나선형 섹션(51, 52)은 제3실시예와 동일한 기능을 하는 한편, 중간섹션(55)은 길이방향(Z), 측방향(X, Y) 및 각방향(Rx, Ry)움직임을 수용하기 위한 부가적인 수용력을 제공한다. 또한, 상기 중간섹션(55)은 한 끝단부의 회전에 대한 약간의 길이방향의 움직임을 수용하여, 비틀림(Rz)움직임에 대한 경직성을 감소시킨다.
본 발명에 사용할 수 있는 격리벨로스(60)의 제5실시예가 도 6에 도시된다. 이것은 반대로 "감긴" 나선형 섹션(61, 62)을 갖는다는 점에서 (도 4의)제3실시예와 유사하지만, 실질적으로 1/2회전만큼 연장하는 8개의 더 둥글게 된 주름(63, 64)을 갖는다. 또한, 장착을 위한 원통형 끝단섹션(65, 66)이 제공된다.
도 2 내지 도 6에서 알 수 있는 바와 같이, 상기 주름은 평활하고, 예를 들어, 금속과 같은 벨로스소재의 두께에 비하여 더 큰 곡률반경을 갖는다. 각각의 이들 실시예에서, 주름의 정점 및 골은 서로 평행하게 나아가고, 벨로스의 길이방향축선에 대하여 동일한 각을 형성한다.
일반적으로 원통형태를 갖는 격리벨로스의 실시예가 기술되었지만, 상기 벨로스는 여타의 형태를 가질 수도 있음을 유의하여야 한다. 예를 들어, 벨로스의 기본 형태(즉, 주름이 그 위에 겹쳐진 형상)는 타원형, 정사각형 또는 기타의 다각형 형태의 단면을 가질 수 있다. 일반적으로, 벨로스의 기본형태는 그것의 끝단부가 유사하거나, 동일하거나 평행한 다각형 형상을 나타내는 각기둥일 수 있고, 측면들은 그것의 끝단부가 유사하지만, 코어의 제한적 실시예인 실린더를 가지고 있는, 동일하지 않은 다각형 또는 원뿔형상을 나타내는 각뿔대인 평행사변형이다. 또한, 벨로스의 기능적 섹션은 편리한 형태의 섹션에 의하여 서로 근접해 있거나 분리되어 있을 수 있어, 낮은 경직성을 가질 필요는 없다. 다시말해, 어떤 편리한 형태의 종결부(terminating portion)가 어느 한쪽 또는 양쪽 끝단부 모두에 제공될 수 있다.
상술된 모든 격리벨로스는 금속과 같은 탄성재료로 형성되어야 한다. 현재, 이들 디바이스를 제조하는 바람직한 방법은 전기주조(electro-forming)이다. 이러한 방법에서는, 적절한 모양의 모형으로 형성된 다음, 전기도금 기술에 의하여 적절한 두께의 금속층으로 입혀진다. 그런 다음, 상기 모형은 예를 들어, 용해(dissolving), 용융(melting) 또는 기계적 수단에 의하여 제거되고, 자립(free-stand) 금속층이 남는다.
본 발명의 특정 실시예가 상술되었지만, 본 발명은 상술된 것과 다르게 실시될 수도 있음을 이해하여야 한다. 상기 설명은 본 발명을 한정하지 않는다.
본 발명에 따른 벨로스를 사용하면, 비틀림 진동, 힘 및/또는 모멘트를 격리시킬 수 있다.

Claims (16)

  1. - 방사투영빔을 공급하는 방사선시스템;
    - 원하는 패턴에 따라 상기 투영빔을 패터닝시키는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체;
    - 기판을 잡아주는 기판테이블; 및
    - 상기 기판의 타겟부상으로 상기 패터닝된 투영빔을 투영시키는 투영시스템을 포함하는 리소그래피투영장치로서,
    상기 방사선시스템, 상기 지지구조체, 상기 기판테이블 및 상기 투영시스템 중 하나 이상의 적어도 일부는 밀봉된 챔버에 수용되고, 벨로스가 상기 밀봉된 챔버와 여타의 챔버 또는 펌프사이에 폐쇄된 통로를 제공하기 위하여 제공되며, 상기 통로는 길이방향의 축선을 갖는 리소그래피투영장치에 있어서,
    상기 벨로스는,
    상기 길이방향의 축선을 중심으로 나선형으로 연장하는 복수의 평활한 주름을 갖는 제1섹션을 포함하되, 상기 제1섹션의 마주보는 끝단부는 서로에 대하여 회전될 수 있고; 및
    상기 제1섹션의 길이변화를 보상하기 위하여, 길이가 변화될 수 있도록 되어 있는 제2섹션;을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2섹션은 상기 제1섹션의 평활한 주름에 대하여 반대로 상기 길이방향의 축선을 중심으로 나선형으로 연장하는 복수의 평활한 주름을 갖는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2섹션은 실질적으로 상기 제1섹션의 거울이미지인 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2섹션은 상기 길이방향 축선에 수직하게 연장하는 복수의 평활한 주름을 갖는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 길이방향 축선에 수직하게 연장하는 복수의 평활한 주름을 갖는 제3섹션을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 평활한 주름의 정점(peak) 및 골(trough)은 평행한 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 평활한 주름의 정점 및 골은 벨로스의 길이방향 축선에 대하여 동일한 각을 이루고 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  8. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 평활한 주름의 곡률반경은 벨로스소재의 두께에 비해 큰 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  9. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 평활한 주름은 사인곡선의 형상인 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  10. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1섹션은 4개 내지 30개 사이의 평활한 주름을 갖는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  11. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1섹션의 상기 평활한 주름은 상기 길이방향 축선을 중심으로 1/4회전과 1회전 사이만큼 연장하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  12. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1섹션 및/또는 상기 제2섹션은 상기 축선과 수직을 이루는, 일반적으로 원형인 단면을 갖는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  13. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지구조체는 마스크를 잡아주는 마스크테이블을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  14. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방사선시스템은 방사원을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  15. - 적어도 부분적으로 방사선감응재층으로 덮인 기판을 제공하는 단계;
    - 방사선시스템을 사용하여, 방사선의 투영빔을 제공하는 단계;
    - 패터닝수단을 사용하여, 상기 투영빔의 단면에 패턴을 부여하는 단계;
    - 상기 방사선감응재층의 타겟부상으로 상기 방사선의 패터닝된 빔을 투영시키는 단계를 포함하는 디바이스제조방법에 있어서,
    상기 방사선시스템, 상기 지지구조체, 상기 기판테이블 및 상기 투영시스템중 하나 이상의 적어도 일부를 둘러싸는 밀봉된 격실과 또 다른 격실 또는 펌프 사이를 연통시키기 위하여, 평활한 나선형 주름을 갖는 제1섹션 및 상기 제1섹션의 길이의 변화를 수용하도록 되어 있는 제2섹션을 갖는 벨로스를 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
  16. 제15항의 방법에 따라 제조된 디바이스.
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10212161B4 (de) * 2002-03-19 2007-01-04 Maier Jun., Jakob Milchschlauch mit stoßabsorbierendem Bereich
JP3984898B2 (ja) * 2002-09-18 2007-10-03 キヤノン株式会社 露光装置
FR2848497B1 (fr) * 2002-12-13 2007-02-16 Rz Engineering Procede de fabrication d'une enveloppe a soufflets de protection de dispositif de transmission et enveloppe obtenue par la mise en oeuvre du procede
US6870600B2 (en) * 2003-01-13 2005-03-22 Nikon Corporation Vibration-attenuation devices and methods using pressurized bellows exhibiting substantially zero lateral stiffness
DE102005035597A1 (de) * 2005-07-29 2007-02-01 Robert Bosch Gmbh Faltenbalg für eine selbstverstärkende, elektromechanische Scheibenbremse und Scheibenbremse mit einem derartigen Faltenbalg
NL1036957A1 (nl) * 2008-06-13 2009-12-15 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
US8441615B2 (en) * 2008-09-04 2013-05-14 Nikon Corporation System for isolating an exposure apparatus
CN102003593A (zh) * 2010-12-13 2011-04-06 浙江银轮机械股份有限公司 波纹管与螺旋管组合式位移补偿器
US9206923B2 (en) * 2013-03-14 2015-12-08 Fisher Controls International Llc Rotary shaft seals
JP6278427B1 (ja) * 2017-01-05 2018-02-14 レーザーテック株式会社 光学装置、及び除振方法
CN109343312B (zh) * 2018-09-29 2020-07-14 张家港奇点光电科技有限公司 一种曝光机的自动风门机构
DE102021208843A1 (de) * 2021-08-12 2023-02-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie mit einem Verbindungselement

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3318335A (en) * 1963-10-15 1967-05-09 Chester M Heller Torsional pipe coupling
US4125130A (en) * 1975-02-04 1978-11-14 Doryokuro Kakunenryo Kaihatsu Jigyodan Bellows permitting twisting movement
JPS5776362A (en) 1980-10-31 1982-05-13 Hitachi Ltd Bellows
DE8200937U1 (de) 1982-01-16 1982-09-16 Elastogran Kunststoff-Technik GmbH, 2844 Lemförde Faltenmanschette
JPS6053274A (ja) * 1983-09-02 1985-03-26 Toshiba Corp ベロ−ズ
JPS62118163A (ja) * 1985-11-18 1987-05-29 Hitachi Constr Mach Co Ltd ねじりベロ−ズ
FR2641838B1 (fr) * 1989-01-19 1992-06-19 Sealol Dispositif d'etancheification, destine a realiser une etancheite entre deux organes disposant d'une possibilite de rotation relative d'amplitude limitee
JPH04151088A (ja) 1990-10-12 1992-05-25 Canon Inc 真空用回転可撓管および該真空用回転可撓管を用いた真空配管構造
JP3070085B2 (ja) 1990-10-19 2000-07-24 石川島播磨重工業株式会社 Ｓｏｒ光装置の光取り出しライン
JPH05272674A (ja) * 1992-03-30 1993-10-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> ベローズ
DE4310510C2 (de) * 1993-03-31 1995-04-20 Freudenberg Carl Fa Faltenbalg
US5439781A (en) 1993-05-10 1995-08-08 At&T Corp. Device fabrication entailing synchrotron radiation
JPH11294658A (ja) * 1998-04-06 1999-10-29 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 可とう伸縮継手及びその製造方法
DE19824095C2 (de) 1998-05-29 2000-05-18 Iwk Regler Kompensatoren Flexibles Leitungselement
AU4779700A (en) * 1999-05-27 2000-12-18 Nikon Corporation Exposure system, method of manufacturing device, and method of environmental control of exposure system
US6961113B1 (en) * 1999-05-28 2005-11-01 Nikon Corporation Exposure method and apparatus
US6727981B2 (en) * 1999-07-19 2004-04-27 Nikon Corporation Illuminating optical apparatus and making method thereof, exposure apparatus and making method thereof, and device manufacturing method
JP3976981B2 (ja) * 2000-03-30 2007-09-19 キヤノン株式会社 露光装置、ガス置換方法、デバイス製造方法
JP4689064B2 (ja) * 2000-03-30 2011-05-25 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
US20020159042A1 (en) * 2001-04-25 2002-10-31 Poon Alex Ka Tim Chamber assembly for an exposure apparatus

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