JP6278427B1 - 光学装置、及び除振方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】光の照射位置を安定化することができる光学装置、及びその除振方法を提供する。【解決手段】本発明の一態様にかかる光学装置は、光源用チャンバ10と、光源用チャンバ10内に配置されたEUV光源12と、光学系用チャンバ20と、光学系用チャンバ20内に配置され、ベローズ50を介して光学系用チャンバ20内に入射した光を対象物に導く光学系30と、光学系用チャンバ20内に配置され、EUV光源12で発生したEUV光L2を検出する光学センサ22と、光源用チャンバ10に対する光学系用チャンバ20の相対位置を検出するために設けられた位置センサ51と、光学センサ22と位置センサ51との検出結果に基づいて、光源用チャンバを除振する第2の除振装置11と、を備えたものである。【選択図】図1

Description

本発明は、光学装置、及びその除振方法に関する。
半導体の微細化を担うリソグラフィ技術に関しては、現在、露光波長193nmのArFエキシマレーザを露光光源としたArFリソグラフィが量産適用されている。また、露光装置の対物レンズとウエハとの間を水で満たして、解像度を高める液浸技術(ArF液浸リソグラフィと呼ばれる。)も量産に利用され始めている。さらに一層の微細化を実現するために、露光波長13.5nmのEUVL(Extremely Ultraviolet Lithography)の実用化に向けて様々な技術開発が行われている。
EUV光を用いる装置では、光学系を真空チャンバ内に配置して、光路を真空としている。真空ポンプやステージなどの駆動機構がある場合、振動が発生してしまう。さらに、光源で振動発生することもある。したがって、除振台を用いた露光装置が開示されている。
特許文献1のEUV露光装置では、2つの除振台を有している。一方の除振台は、ステージ装置とローダとを除振し、他方の除振台は照明光学系と投影光学系とを除振する。特許文献2の除振装置は、空気バネを用いた除振台を備えている。
特許文献3の露光装置は、露光装置本体部と、レーザ発振部と、防振台とを備えている。露光装置本体部内の装置は全て防振台に設置されている。そして、レーザ発振部と露光装置本体部とが蛇腹状の接続部で接続されている。これにより、レーザ発振部での振動が露光装置本体側に伝達するのを防いでいる。
特開2005−136120号公報 特開平11−264444号公報 特開平11−327155号公報
このような光学装置では、光源からの光の照射位置が照射位置を安定させる必要がある。したがって、冷却機構、駆動機構等で発生する振動を確実に除振することが必要となる。また、光源として、DPP光源を用いた場合、発光点の位置が変動してしまうという問題点がある。
本発明は、このような事情を背景としてなされたものであり、光の照射位置を安定させることができる光学装置、及びその除振方法を提供することを目的とするものである。
本実施形態の一態様にかかる光学装置は、光源用真空チャンバと、前記光源用真空チャンバ内に配置された光源と、光学系用真空チャンバと、前記光源用真空チャンバと前記前記光学系用真空チャンバとを接続し、前記光源で発生した光が通過するベローズと、前記光学系用真空チャンバ内に配置され、前記ベローズを介して前記光学系用真空チャンバ内に入射した光を対象物に導く光学系と、前記光学系用真空チャンバを除振する第1の除振装置と、前記光学系用真空チャンバ内に配置され、前記光源で発生した光を検出する光学センサと、前記光学系用真空チャンバに対する前記光源用真空チャンバの相対位置を検出するために設けられた位置センサと、前記光学センサの前記位置センサとの検出結果に基づいて、前記光源用真空チャンバを除振する第2の除振装置と、を備えたものである。これにより、光の照射位置を安定させることができる。
上記の光学装置は、前記位置センサで検出された相対位置が所定の目標位置になるように前記第2の除振装置を制御する制御部をさらに備え、前記制御部が、前記光学センサでの前記光の検出位置に基づいて、前記目標位置を補正するようにしてもよい。これにより、光の照射位置を安定させることができる。
上記の光学装置において、前記光学センサでの前記光の検出位置に基づいて、前記光源からの光の光軸に垂直な面内における前記目標位置が補正されていてもよい。これにより、光の照射位置を安定させることができる。
上記の光学装置において、前記光学センサが前記光源の発光点と共役な位置に配置されていてもよい。これにより、発光点の位置ずれを適切に検出することができ、光の照射位置を安定させることができる。
上記の光学装置において、前記ベローズがS字状に湾曲していてもよい。光源用チャンバの振動が光学系用チャンバに伝達するのを効果的に防ぐことができる。
上記の光学装置において、前記光源用真空チャンバと前記光学系用真空チャンバとの間に設けられ、前記光源用真空チャンバ、及び前記光学系用真空チャンバの圧力に応じて動作する空気バネをさらに備えていてもよい。これにより、除振装置のアクチュエータにかかる負荷を低減することができる。
上記の光学装置において、前記光源がEUV(Extremely Ultraviolet)光を発生するDPP(Discharge Produced Plasma)光源であってもよい。
本発明に係る除振方法は、光源用真空チャンバと、前記光源用真空チャンバ内に配置された光源と、光学系用真空チャンバと、前記光源用真空チャンバと前記前記光学系用真空チャンバとを接続し、前記光源で発生した光が通過するベローズと、前記光学系用真空チャンバ内に配置され、前記ベローズを介して前記光学系用真空チャンバ内に入射した光を対象物に導く光学系と、を備えた光学装置における除振方法であって、前記光源用真空チャンバ内に配置された光学センサで、前記光源で発生した光を検出するステップと、前記光源用真空チャンバに対する前記光学系用真空チャンバの相対位置を位置センサで検出するステップと、前記光学センサと前記位置センサとの検出結果に基づいて、前記光源用真空チャンバを除振するステップと、を備えたものである。これにより、光の照射位置を安定させることができる。
上記の除振方法において、前記位置センサで検出された相対位置が所定の目標位置になるように制御し、前記光学センサでの前記光の検出位置に基づいて、前記目標位置を補正するようにしてもよい。これにより、光の照射位置を安定させることができる。
上記の除振方法において、前記光学センサでの前記光の検出位置に基づいて、前記光源からの光の光軸に垂直な面内における前記目標位置が補正されていてもよい。これにより、光の照射位置を安定させることができる。
上記の除振方法において、前記光学センサが前記光源の発光点と共役な位置に配置されていてもよい。これにより、発光点の位置ずれを適切に検出することができ、光の照射位置を安定させることができる。
上記の除振方法において、前記ベローズがS字状に湾曲していてもよい。光源用チャンバの振動が光学系用チャンバに伝達するのを効果的に防ぐことができる。
上記の除振方法において、前記光源用真空チャンバと前記光学系用真空チャンバとの間に設けられ、前記光源用真空チャンバ、及び前記光学系用真空チャンバの圧力に応じて動作する空気バネをさらに備えていてもよい。これにより、除振装置のアクチュエータにかかる負荷を低減することができる。
上記の除振方法において、前記光源がEUV光を発生するDPP光源であってもよい。
本発明によれば、光の照射位置を安定させることができる光学装置、及びその除振方法を提供することができる。
本実施の形態1にかかる検査装置の構成を示す図である。 検査装置の制御系を示すブロック図である。 チャンバの連結部分の構成を示す図である。 チャンバの連結部分の制御構成を示すブロック図である。
実施の形態1.
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。まず、図1を用いて本実施形態に係る光学装置の全体構成を説明する。本実施の形態では、光学装置がEUV(Extremely UltraViolet)光を用いて、EUVマスクを検査する検査装置100となっている。したがって、試料42はEUVマスクとなっている。なお、試料42となるEUVマスクはパターン付きマスクでもよく、パターンなしのマスクブランクスであってもよい。
(装置構成)
本実施の形態にかかる検査装置100は、光源用チャンバ10と、第2の除振装置11と、EUV光源12、楕円面鏡13と、光学系用チャンバ20と、第1の除振装置21と、光学系30と、ステージ41と、処理装置45と、ベローズ50と、位置センサ51とを備えている。
光源用チャンバ10は、真空チャンバであり、図示しない真空ポンプに接続されている。光源用チャンバ10内には、EUV光源12と、楕円面鏡13が配置されている。光源用チャンバ10は、第2の除振装置11の上に設置されている。第2の除振装置11は、光源用チャンバ10を除振する。すなわち、第2の除振装置11は、光源用チャンバ10に対する床等からの振動を除去する。第2の除振装置11は、アクティブ除振台であり、センサからの出力に応じて駆動するアクチュエータを備えている。第2の除振装置11のアクチュエータとしては、例えば、空気圧アクチュエータを用いることができる。第2の除振装置11の制御については後述する。
光学系用チャンバ20は、真空チャンバであり、図示しない真空ポンプに接続されている。光学系用チャンバ20と光源用チャンバ10とは、ベローズ50によって、連結されている。すなわち、光学系用チャンバ20の内部空間と、光源用チャンバ10との内部空間とは、ベローズ50を介して接続されている。光源用チャンバ10と光学系用チャンバ20の内部空間が真空状態となっているため、EUV光が真空中を伝播する。なお、光源用チャンバ10と光学系用チャンバ20の排気は共通の真空ポンプにより行われてもよく、別々の真空ポンプにより行われてもよい。
ベローズ50は蛇腹状の真空配管である。さらに、ベローズ50は、光学系用チャンバ20と光源用チャンバ10との間に伝達する振動を吸収する。したがって、光源用チャンバ10内のEUV光源12の駆動機構で発生した振動が光学系用チャンバ20に伝達するのを抑制することができる。
光学系用チャンバ20内には、ステージ41と光学系30とが配置されている。光学系用チャンバ20は、第1の除振装置21の上に設置されている。第1の除振装置21は、光学系用チャンバ20を除振する。第1の除振装置21は、光学系用チャンバ20に対する床等からの振動を除去する。第1の除振装置21は、アクティブ除振台であり、センサからの出力に応じて駆動するアクチュエータを備えている。
第2の除振装置11と第1の除振装置21のアクチュエータとしては、例えば、空気圧アクチュエータを用いることができる。なお、空気圧アクチュエータに限らず、ピエゾアクチュエータ又は磁歪素子等をアクチュエータとして用いてもよい。
第1の除振装置21は、光学系用チャンバ20の加速度を検出して、加速度を打ち消すようにフィードバック制御、及びフィードフォワード制御を行う。すなわち、光学系用チャンバ20の加速度が0に近づくように、第1の除振装置21は、空気圧アクチュエータの空気圧をフィード制御する。これにより、光学系用チャンバ20に発生する振動を抑制することができる。
光学系用チャンバ20には、ステージ41が設けられている。ステージ41の上には、試料42が載置されている。ステージ41はXYZステージなどの駆動ステージである。ステージ41が光軸と垂直なXY平面内において移動することで、試料42が移動する。これにより、試料42の照明位置が変化するため、試料42の任意の位置を観察することができる。
光学系用チャンバ20内には、光学系30、及び光学センサ22が設けられている。光学系30は、楕円面鏡31と、取り出しミラー32と、落とし込みミラー33と、シュバルツシルト拡大光学系36と、凹面鏡37と、凹面鏡38と、カメラ39とを備えている。シュバルツシルト拡大光学系36は、穴開き凹面鏡34と凸面鏡35とを備えている。
まず、EUV光源からのEUV光L1を試料42に導くための照明光学系について説明する。EUV光源12は、検査対象である試料42の露光波長と同じ13.5nmのEUV光L1を発生する。EUV光源12は、例えば、放電を利用するDPP(Discharge Produced Plasma)光源である。また、EUV光源12は回転電極や回転式フォイルトラップを備えたDPP光源であってもよい。EUV光源12は点光源となっている。回転電極、及び回転式フォイルトラップは、モータなどのアクチュエータを有しているため、振動源となる。回転電極、及び回転式フォイルトラップの回転に伴い、振動が発生する。
EUV光源12で発生したEUV光L1は拡がりながら進む。EUV光源12から発生したEUV光L1は、楕円面鏡13で反射する。楕円面鏡13で反射したEUV光L1は、絞られながら進む。そして、EUV光L1は、ベローズ50を通過する。なお、ベローズ50の内部に、楕円面鏡13によるEUV光L1の集光点が配置されている。よって、ベローズ50からのEUV光L1は拡がりながら進む。ベローズ50を介して、光学系用チャンバ20内に入射したEUV光L1は、楕円面鏡31で反射する。楕円面鏡31で反射したEUV光L1は、絞られながら進んで、落とし込みミラー33に入射する。
落とし込みミラー33は平面鏡であり、試料42の真上に配置されている。落とし込みミラー33で反射したEUV光L1が試料42に入射する。楕円面鏡31は、試料42にEUV光L1を集光する。このように、試料42の検査領域がEUV光L1で照明される。したがって、EUV光L1が試料42を照明する照明光となる。
さらに、楕円面鏡31と落とし込みミラー33との間の光路中には、取り出しミラー32が配置されている。取り出しミラー32は、瞳位置の近傍に配置されている。取り出しミラー32は、EUV光L1の一部を光学センサ22の方向に反射する。具体的には、取り出しミラー32はEUV光L1の光路の一部に配置されている。取り出しミラー32は、EUV光L1の光路の途中まで挿入されているため、取り出しミラー32にはEUV光L1の一部が入射する。取り出しミラー32で反射したEUV光をEUV光L2とする。取り出しミラー32は、瞳の一部を切り出す。このように、取り出しミラー32によってEUV光L1がサンプリングされる。
取り出しミラー32で反射したEUV光L2は光学センサ22に入射する。画素が2次元アレイ状に配列されたエリアセンサである。具体的には、光学センサ22は、CCD(Charge Coupled Device)センサやCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)センサなどである。光学センサ22は、検出結果を処理装置45に出力する。
光学センサ22は、EUV光源12の発光点と共役な位置に配置されている。したがって、EUV光源12の発光点の位置が変化すると、光学センサ22におけるEUV光L2の入射位置も変化する。EUV光源12の発光点の位置変化に応じて、光学センサ22に対するEUV光L2の入射位置が変化する。例えば、発光点の位置が光軸と垂直な面内において変化すると、EUV光L2が光学センサ22の異なる画素に入射する。したがって、光学センサ22の検出結果に応じて、EUV光源12における発光点の位置変化を検出することができる。光学センサ22は、基準となる基準位置からの発光点の位置ずれを検出している。なお、光学センサ22で検出される検出位置は、EUV光L1の光軸に垂直な平面内における位置である。光学センサ22は、後述するカメラ39よりも低倍率で画像を撮像する。
次に、試料42からの光を検出する検出光学系について説明する。上記のようにEUV光L1は試料42の検査領域を照明している。試料42で反射したEUV光をEUV光L3とする。試料42で反射したEUV光L3はシュバルツシルト拡大光学系36に入射する。シュバルツシルト拡大光学系36は試料42の上に配置された穴開き凹面鏡34、及び凸面鏡35を備えている。
試料42で反射したEUV光L3は、穴開き凹面鏡34に入射する。穴開き凹面鏡34の中心には、穴34aが設けられている。穴開き凹面鏡34で反射されたEUV光L3は、凸面鏡35に入射する。凸面鏡35は、穴開き凹面鏡34からのEUV光L3を穴開き凹面鏡34の穴34aに向けて反射する。穴開き凹面鏡34の穴34aを通過したEUV光L3は、凹面鏡37、及び凹面鏡38で反射して、カメラ39に入射する。シュバルツシルト拡大光学系36、凹面鏡37、及び凹面鏡38によって、試料42の検査領域がカメラ39に拡大投影される。
凹面鏡38で反射されたEUV光L3はカメラ39で検出される。カメラ39は、CCD(Charge Coupled Device)センサ、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)センサ、TDI(Time Delay Integration)センサ等の撮像装置であり、試料42を撮像する。すなわち、カメラ39は、試料42の検査領域の拡大像を撮像する。
カメラ39で撮像された試料42の画像は、処理装置45に出力される。処理装置45は、プロセッサやメモリなどを有する演算処理装置であり、試料42の画像に基づいて、検査を行う。例えば、処理装置45は、試料42の画像の輝度をしきい値と比較することで欠陥検査を行う。また、処理装置45は、ステージ41の座標を制御している。これにより、試料42の欠陥座標を特定することができる。
光源用チャンバ10と光学系用チャンバ20とには、位置センサ51が設けられている。位置センサ51は、光学系用チャンバ20に対する光源用チャンバ10の相対位置を検出する。位置センサ51は、例えばレーザ変位計である。具体的には、位置センサ51は、6軸センサでありチャンバの相対位置を検出する。
そして、位置センサ51は検出した相対位置を、位置検出信号として処理装置45に出力される。さらに、光学センサ22からの検出信号が処理装置45に入力されている。処理装置45は、位置センサ51での検出結果と、光学センサ22での検出結果とに基づいて、第2の除振装置11を制御する。
(除振制御)
次に、第2の除振装置11の制御について、図2を用いて説明する。図2は、第2の除振装置11の制御構成を示すブロック図である。位置センサ51が6軸センサであるため、図2では、位置センサ51の6軸センサのそれぞれを第1の位置センサ51a〜第6の位置センサ51fと示している。
第2の除振装置11は、第1のアクチュエータ64a〜第6のアクチュエータ64fを備えている。第1のアクチュエータ64a〜第6のアクチュエータ64fは、アクティブ除振を行うための空気圧アクチュエータである。
中心位置検出演算装置61、及び座標演算装置62は、図1の処理装置45の一部として機能する。中心位置検出演算装置61、及び座標演算装置62は、第2の除振装置11を制御する制御部となる。具体的には、座標演算装置62が第2の除振装置11を制御するための制御信号を生成する。中心位置検出演算装置61、及び座標演算装置62はプロセッサやメモリなどを備えるマイコンなどによって構成されていてもよい。
第1のアクチュエータ64a〜第6のアクチュエータ64fは、第1の電空レギュレータ63a〜第6電空レギュレータ63fが供給するエア圧力によってそれぞれ制御される。例えば、第1の電空レギュレータ63a〜第6電空レギュレータ63fが供給するエア圧力が大きくなるほど、第1のアクチュエータ64a〜第6のアクチュエータ64fの駆動量が大きくなる。第1の電空レギュレータ63a〜第6電空レギュレータ63fが供給するエア圧力は、座標演算装置62の制御信号に応じて制御される。
もちろん、第1のアクチュエータ64a〜第6のアクチュエータ64fは独立して駆動する。すなわち、座標演算装置62は第1の電空レギュレータ63a〜第6電空レギュレータ63fを独立して制御するための制御信号をそれぞれ生成する。
以下の説明において、第1のアクチュエータ64a〜第6のアクチュエータ64fを区別しない場合、アクチュエータ64として示す。同様に、第1の電空レギュレータ63a〜第6電空レギュレータ63fを区別しない場合、電空レギュレータ63として示す。本実施の形態では、位置センサ51が6軸センサであるため、第1のアクチュエータ64a〜第6のアクチュエータ64fの数を6個としているが、位置センサ51及びアクチュエータ64の数は特に限定されるものでない。位置センサ51の数と、アクチュエータの数とは、適宜変更可能であり、異なる数でもよい。
第1の位置センサ51a〜第6の位置センサ51fのそれぞれは1軸の加速度又は角速度を検出する。したがって、第1の位置センサ51a〜第6の位置センサ51fは6軸の加速度センサを構成する。第1の位置センサ51a〜第6の位置センサ51fの位置検出信号は、座標演算装置62に出力される。
座標演算装置62は、位置検出信号に基づいて、目標位置を算出する。例えば、位置センサ51が検出した相対位置が一定になるように、座標演算装置62は目標位置を算出する。そして、座標演算装置62は、目標位置に応じた制御信号を生成する。これにより、光学系用チャンバ20に対する光源用チャンバ10の相対位置が一定となるように、第2の除振装置11が除振を行う。換言すると、座標演算装置62は、光学系用チャンバ20と光源用チャンバ10との位置関係が一定となるように、第1の電空レギュレータ63a〜第6電空レギュレータ63fを制御する。
例えば、位置センサ51の座標系と第2の除振装置11の座標系とで、軸方向が異なっている。具体的には、位置センサ51である6軸センサの検出軸によって位置センサの座標系が規定され、第1のアクチュエータ64a〜第6のアクチュエータ64fの駆動軸によって第2の除振装置11の座標系が規定されている。検出軸と駆動軸は異なる方向になるため、座標演算装置62は座標変換を行う。すなわち、位置センサ51の座標系における位置座標を、第2の除振装置11の座標系における位置座標に変換する。そして、座標演算装置62は、光源用チャンバ10の相対位置が所定の位置になるように、制御信号を生成する。
このように、座標演算装置62が位置検出信号に基づいて、目標位置を算出している。そして、座標演算装置62が目標位置に基づいた制御信号を生成する。第2の除振装置11の第1のアクチュエータ64a〜第6のアクチュエータ64fが、光源用チャンバ10の位置が目標位置となるように駆動する。したがって、光学系用チャンバ20に対する光源用チャンバ10の相対位置が一定となる。これにより、安定した照射位置でEUV光L1を試料42に照射することができる。照射位置がずれて検査領域が暗くなるのを防ぐことができるため、検査をより安定して行うことができる。
さらに、本実施の形態では、光学センサ22が、検出信号を中心位置検出演算装置61に出力している。上記の通り、光学センサ22からの検出信号は、EUV光源12における発光点の位置に対応している。すなわち、中心位置検出演算装置61はEUV光L1の光軸に垂直な平面内における発光点の位置ずれを検出している。例えば、中心位置検出演算装置61は、光学センサ22の検出面(2次元画素アレイ)におけるEUV光L2の重心座標を算出する。そして、検出面におけるEUV光L2の重心位置の変化に基づいて、中心位置検出演算装置61が位置ずれ量を測定する。中心位置検出演算装置61は、発光点の位置ずれ量を示す誤差信号を座標演算装置62に出力する。
そして、座標演算装置62は、誤差信号に含まれる位置ずれ量に基づいて、目標位置を補正する。具体的には、座標演算装置62は、光軸と垂直な平面内における位置ずれ量を、第2の除振装置11の座標系における位置ずれ量に変換する。そして、座標演算装置62は、光学センサ22が検出した位置ずれ量を打ち消すように、目標位置を補正する。具体的には、位置ずれ量に応じた補正量を、制御信号に含まれる目標位置に加える。そして、光源用チャンバ10が補正された目標位置になるように、座標演算装置62はアクチュエータ64をフィードバック制御する。
このようにすることで、試料42におけるEUV光L1の照射位置を安定させることができる。すなわち、発光点の位置が、カメラ39における試料上の観察点の位置と共役な位置関係になるように、座標演算装置62が位置ずれを補正する。EUV光源12において発光点の位置が変動した場合でも、試料42におけるEUV光L1の照射位置が一定となる。このような除振方法によって、検査をより安定して行うことができる。
中心位置検出演算装置61からの誤差信号は、EUV光L1の光軸に垂直な平面内における補正量を目標位置に与え、それ以外の軸方向については目標位置に与えないようにしてもよい。すなわち、回転成分、及びチルト成分については、位置センサ51からの位置検出信号のみに基づいて、制御される。
このように、光学センサ22の検出結果と、位置センサ51の検出結果と、に基づいて、座標演算装置62が第2の除振装置11を制御している。すなわち、第1の除振装置21のように加速度を打ち消すような制御ではなく、光源用チャンバ10の相対位置の変化、及び発光点の位置ずれ量を打ち消すように、座標演算装置62がアクチュエータ64をフィードバック制御している。このようにすることで、機械的な振動だけでなく、発光点の位置変化も除去することができる。よって、効果的に除振することができ、照射位置を安定させることができる。よって、安定した検査が可能となる。
なお、誤差信号の更新周期は、位置検出信号の更新周期よりも遅くすることが可能である。例えば、発光点の位置は、熱膨張などによりドリフトすることが多く、急激には変化しない。よって、誤差信号の更新周期を1分〜10分程度に設定してもよい。
また、本実施の形態では、光学センサ22としてエリアセンサを用いているため、光軸調整が容易となる。例えば、メンテナンス等でのEUV光源12の交換前後において、EUV光L1の光軸のずれの検出が容易になる。すなわち、EUV光源12の交換前後において、光学センサ22におけるEUV光L2の入射位置を測定して、交換前の入射位置に一致するようにアライメントを行う。これにより、EUV光源12の交換を容易に行うことができる。特に、光学センサ22は、カメラ39に比べて倍率が低く、視野が広いため、EUV光L2の入射位置が大きくずれた場合でも、容易に光軸調整を行うことができる。
さらに、光軸調整時において、光軸な垂直な平面内の位置だけでなく、光軸方向の位置を調整するようにしてもよい。位置センサ51は、6軸センサであるので、光軸方向における位置変化を検出することができる。位置センサ51の検出結果に応じて、アクチュエータ64を光軸に沿った方向に駆動する。これにより、楕円面鏡13と楕円面鏡31との距離を変えることができ、焦点位置を調整することができる。このようにすることで、3次元的なフォーカス調整を容易に行うことができる。これにより、焦点位置ずれを防ぐことができ、焦点位置を試料42上に調整することができる。また、光軸調整は、EUV光源12の交換時だけでなく、EUV光源12の使用中に定期的に行ってもよい。
(チャンバの連結箇所)
次に、2つの真空チャンバの連結箇所の好適な一例について、図3を用いて説明する。図3は、図1で示した光源用チャンバ10と光学系用チャンバ20との連結箇所を示す図である。光源用チャンバ10の光学系用チャンバ20に向かう壁をチャンバ壁10aとして示している。光学系用チャンバ20の光源用チャンバ10に向かう壁をチャンバ壁20aとして示している。チャンバ壁10aとチャンバ壁20aとは対向して配置されており、互に平行になっている。
光源用チャンバ10と光学系用チャンバ20とはベローズ50で連結されている。具体的には、ベローズ50の一端は、チャンバ壁10aに固定され、他端はチャンバ壁20aに固定されている。チャンバ壁10aとチャンバ壁20aとの間に配置されたベローズ50は、S字状に湾曲している。したがって、EUV光L1の光軸OX1は、チャンバ壁10aと直交する方向から傾いている。同様に、EUV光L1の光軸OX1は、チャンバ壁20aと直交する方向から傾いている。
ベローズ50を直線的に設けた場合、回転方向の剛性が高くなる。すなわち、ベローズ50の中心軸周りの回転方向の振動は、ベローズ50に吸収されずに、チャンバ間を伝達してしまう。しかしながら、本実施の形態のように、ベローズ50をS字状にくねらせて、接続することにより、回転方向の剛性を低くすることができる。これにより、ベローズ50が回転方向の振動を吸収することができる。
さらに、チャンバ壁10aとチャンバ壁20aとの間には空気バネ74が設けられている。ここでは、2つの空気バネ74がチャンバ壁10aとチャンバ壁20aとの間に設けられている。空気バネ74はベローズ50の両側にそれぞれ設けられている。すなわち、2つの空気バネ74の間に、ベローズ50が配置されている。
空気バネ74は、光源用チャンバ10、及び光学系用チャンバ20の圧力に応じて動作する。例えば、光源用チャンバ10と光学系用チャンバ20を真空状態とした場合に、チャンバ同士が引き合う力を打ち消すように空気バネ74が動作する。このようにすることで、第2の除振装置11、及び第1の除振装置21のアクチュエータにかかる負荷を低減することができる。
なお、チャンバ壁10aとチャンバ壁20aとの間に配置される空気バネ74の数は、1個でもよく、3個以上でもよい。空気バネ74は、2以上とすることが好ましい。複数の空気バネ74をベローズ50の周辺に回転対称に配置する事によって、チャンバ壁10aとチャンバ壁20aとの間にモーメント力を発生させず、第2の除振装置11及び第1の除振装置21のアクチュエータの負荷を低減することができる。
次に、空気バネ74を制御するための制御系について、図4を用いて説明する。図4は、空気バネ74を制御する制御構成を示すブロック図である。差圧計71は、光源用チャンバ10と光学系用チャンバ20の圧力を測定する。具体的には、差圧計71は光源用チャンバ10の差圧(大気圧との圧力差)と、光学系用チャンバ20の差圧(大気圧との圧力差)とを測定する。そして、差圧計71は測定圧力を換算回路72に出力する。
換算回路72は、2つの測定圧力に基づいて、光源用チャンバ10と光学系用チャンバ20との間に発生する力に換算する。光源用チャンバ10と光学系用チャンバ20とが真空状態になった場合において、差圧に応じて光源用チャンバ10と光学系用チャンバ20とに引き合う力が発生する。すなわち、大気圧から真空にすると、ベローズ50が縮む方向に力が発生して、チャンバ間の距離が接近する。換算回路72は、差圧に応じて、引き合う力を算出する。なお、光源用チャンバ10と光学系用チャンバ20との間に発生する力は、各チャンバの形状、面積及び差圧等に応じて決定することができる。
換算回路72は、チャンバ間に発生する力をキャンセルするように、電空レギュレータ73の圧力を制御する。電空レギュレータ73は、空気バネ74を駆動するための圧力を発生している。よって、空気バネ74は、チャンバ間に発生する力をキャンセルするように駆動される。
このような構成によって、光源用チャンバ10と光学系用チャンバ20とを引き合う力がキャンセルされる。よって、第2の除振装置11、及び第1の除振装置21のアクチュエータが常時、差圧により引き合う力をキャンセルする必要がなくなる。光源用チャンバ10、光学系用チャンバ20が大気圧であっても、真空であっても、第2の除振装置11、及び第1の除振装置21のアクチュエータの動作状態が変化しないように維持することができる。換言すると、チャンバ同士が引き合う力が空気バネ74で打消されるため、第2の除振装置11、及び第1の除振装置21において、引き合う力を打ち消すための余分な推力が不要となる。第2の除振装置11、及び第1の除振装置21を小型化することができる。
なお、図3に示すチャンバ連結の構成は、実施の形態1に示す検査装置100に限らず、その他の光学装置に適用してもよい。例えば、図1に示す構成以外の検査装置、観察装置、露光装置等に図3に示す構成を適用することができる。
本実施の形態にかかる光学装置は、第1の真空チャンバと、第2の真空チャンバと、第1の真空チャンバと、第2の真空チャンバとを接続するベローズを備え、ベローズがS字状に湾曲して設けられているものである。これにより、ベローズが光束を遮ることなく回転方向を含めた全方向の振動の伝達を抑制することができる。
さらに、光学装置には、第1の真空チャンバを除振する第1の除振装置と、第2の真空チャンバを除振する第2の除振装置とが設けられており、第1の真空チャンバと、第2の真空チャンバとの間には、空気バネが配置されており、第1の真空チャンバと、第2の真空チャンバの圧力に応じて、空気バネが動作する。これにより、真空排気時において、除振装置のアクチュエータにかかる負荷を軽減することができる。
上記の説明では、検査装置100の構成について説明したが、本発明は、検査装置以外の光学装置に適用することができる。例えば、測定装置、観察装置、露光装置等の光学装置について、照射位置を安定させることができる。本実施の形態にかかる光学装置は、特に、空気中での吸収が大きいEUV光やVUV光を用いた光学装置に好適である。
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明はその目的と利点を損なうことのない適宜の変形を含み、更に、上記の実施形態よる限定は受けない。
10 光源用チャンバ
11 第2の除振装置
12 EUV光源
13 楕円面鏡
20 光学系用チャンバ
21 第1の除振装置
22 光学センサ
30 光学系
31 楕円面鏡
32 取り出しミラー
33 落とし込みミラー
34 穴開き凹面鏡
35 凸面鏡
36 シュバルツシルト拡大光学系
37 凹面鏡
38 凹面鏡
39 カメラ
41 ステージ
42 試料
45 処理装置
51 位置センサ
61 中心位置検出演算装置
62 座標演算装置
63 電空レギュレータ
64 アクチュエータ
71 差圧計
72 換算回路
73 電空レギュレータ
74 空気バネ
100 検査装置

Claims (10)

  1. 光源用真空チャンバと、
    前記光源用真空チャンバ内に配置された光源と、
    光学系用真空チャンバと、
    前記光源用真空チャンバと前記光学系用真空チャンバとを接続し、前記光源で発生した光が通過するベローズと、
    前記光学系用真空チャンバ内に配置され、前記ベローズを介して前記光学系用真空チャンバ内に入射した光を対象物に導く光学系と、
    前記光学系用真空チャンバを除振する第1の除振装置と、
    前記光学系用真空チャンバ内に配置され、前記光源で発生した光を検出する光学センサと、
    前記光学系用真空チャンバに対する前記光源用真空チャンバの相対位置を検出するために設けられた位置センサと、
    前記光学センサと前記位置センサとの検出結果に基づいて、前記光源用真空チャンバを除振する第2の除振装置と、
    前記位置センサで検出された相対位置が所定の目標位置になるように前記第2の除振装置を制御する制御部と、を備え、
    前記第1の除振装置と前記第2の除振装置のうち、前記第1の除振装置のみがチャンバの加速度を打ち消すように除振しており、
    前記制御部が、前記光学センサでの前記光の検出位置に基づいて、前記光源からの光の光軸に垂直な面内における前記目標位置補正する光学装置。
  2. 前記光学センサが前記光源の発光点と共役な位置に配置されている請求項1に記載の光学装置。
  3. 前記ベローズがS字状に湾曲している請求項1、又は2に記載の光学装置。
  4. 前記光源用真空チャンバと前記光学系用真空チャンバとの間に設けられ、前記光源用真空チャンバ、及び前記光学系用真空チャンバの圧力に応じて動作する空気バネをさらに備えた請求項1〜3のいずれか1項に記載の光学装置。
  5. 前記光源がEUV(Extremely Ultraviolet)光を発生するDPP(Discharge Produced Plasma)光源である請求項1〜4のいずれか1項に記載の光学装置。
  6. 光源用真空チャンバと、
    前記光源用真空チャンバ内に配置された光源と、
    光学系用真空チャンバと、
    前記光源用真空チャンバと前記光学系用真空チャンバとを接続し、前記光源で発生した光が通過するベローズと、
    前記光学系用真空チャンバ内に配置され、前記ベローズを介して前記光学系用真空チャンバ内に入射した光を対象物に導く光学系と、を備えた光学装置における除振方法であって、
    前記光源用真空チャンバ内に配置された光学センサで、前記光源で発生した光を検出するステップと、
    前記光源用真空チャンバに対する前記光学系用真空チャンバの相対位置を位置センサで検出するステップと、
    前記光学センサと前記位置センサとの検出結果に基づいて、前記光源用真空チャンバを除振するステップと、を備え、
    前記光学系用真空チャンバと前記光源用真空チャンバのうちの前記光学系用真空チャンバのみが加速度を打ち消すように第1の除振装置により除振されており、
    前記位置センサで検出された相対位置が所定の目標位置になるように前記光源用真空チャンバが第2の除振装置により制御され、
    前記光学センサでの前記光の検出位置に基づいて、前記光源からの光の光軸に垂直な面内における前記目標位置を補正する除振方法。
  7. 前記光学センサが前記光源の発光点と共役な位置に配置されている請求項6に記載の除振方法。
  8. 前記ベローズがS字状に湾曲している請求項6、又は7に記載の除振方法。
  9. 前記光源用真空チャンバと前記光学系用真空チャンバとの間に設けられ、前記光源用真空チャンバ、及び前記光学系用真空チャンバの圧力に応じて動作する空気バネをさらに備えた請求項6〜8のいずれか1項に記載の除振方法。
  10. 前記光源がEUV光を発生するDPP光源である請求項6〜9のいずれか1項に記載の除振方法。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020055540A1 (en) * 2018-09-12 2020-03-19 Cymer, Llc Metrology for a body of a gas discharge stage
US10670970B1 (en) * 2019-01-25 2020-06-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lithography system and method thereof
CN113467203B (zh) * 2021-06-10 2024-01-23 东莞市多普光电设备有限公司 利用相机对平台进行对位的方法、对位装置及直接成像光刻设备
US20230122832A1 (en) * 2021-10-18 2023-04-20 Kla Corporation Method and apparatus for positioning optical isolator assembly with replaceable motor assembly

Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4803712A (en) * 1987-01-20 1989-02-07 Hitachi, Ltd. X-ray exposure system
JPH04136943A (ja) * 1990-09-28 1992-05-11 Toshiba Corp X線露光装置
JPH09275062A (ja) * 1996-04-03 1997-10-21 Canon Inc 露光装置
JPH11185304A (ja) * 1997-12-24 1999-07-09 Sony Corp レーザ露光装置
US6031598A (en) * 1998-09-25 2000-02-29 Euv Llc Extreme ultraviolet lithography machine
JP2003059801A (ja) * 2001-08-14 2003-02-28 Canon Inc 露光装置及び露光方法
JP2004311657A (ja) * 2003-04-04 2004-11-04 Nikon Corp 真空チャンバ及びそれを有する露光装置
JP2005223011A (ja) * 2004-02-03 2005-08-18 Canon Inc 露光装置及び半導体デバイスの製造方法
JP2005273904A (ja) * 2004-02-24 2005-10-06 Ebara Corp 除振装置
JP2006017994A (ja) * 2004-07-01 2006-01-19 Canon Inc 光ファイバケーブルの密封方法および投影露光装置
JP2007024313A (ja) * 2005-07-16 2007-02-01 Integrated Dynamics Engineering Gmbh 振動に敏感な要素を支持する支持装置
JP2007048932A (ja) * 2005-08-10 2007-02-22 Canon Inc 位置合せ装置、露光装置およびデバイス製造方法
JP2009071055A (ja) * 2007-09-13 2009-04-02 Nikon Corp 露光装置および電子機器
JP2009525590A (ja) * 2005-11-10 2009-07-09 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 光源の変動を測定するためのシステムを備えたeuv照明システム
JP2010123942A (ja) * 2008-10-24 2010-06-03 Komatsu Ltd 極端紫外光源装置
JP2012134372A (ja) * 2010-12-22 2012-07-12 Lasertec Corp 汚染防止装置、汚染防止方法、露光装置、及びパターン付きウエハの製造方法
JP2012235043A (ja) * 2011-05-09 2012-11-29 Lasertec Corp Euvマスク検査装置、euvマスク検査方法
JP2013026621A (ja) * 2011-07-22 2013-02-04 Asml Netherlands Bv 放射源、放射源を制御する方法、リソグラフィ装置およびデバイスを製造する方法
JP2013080810A (ja) * 2011-10-04 2013-05-02 Lasertec Corp Euvマスク検査装置及びeuvマスク検査方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5930324A (en) 1996-04-03 1999-07-27 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method using the same
JP4313865B2 (ja) 1998-01-14 2009-08-12 キヤノン株式会社 除振装置
JP3039542B2 (ja) 1999-04-12 2000-05-08 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
US6937316B2 (en) * 2001-08-15 2005-08-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
JP2005136120A (ja) 2003-10-30 2005-05-26 Nikon Corp Euv光投影露光装置及び方法
JP4440031B2 (ja) * 2004-07-29 2010-03-24 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US7812928B2 (en) * 2005-07-06 2010-10-12 Nikon Corporation Exposure apparatus
US8648999B2 (en) * 2010-07-22 2014-02-11 Cymer, Llc Alignment of light source focus
EP2469340B1 (en) * 2010-12-21 2021-01-06 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102016203990A1 (de) * 2016-03-10 2017-09-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Beleuchtungssystems für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage, Beleuchtungssystem und Messverfahren

Patent Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4803712A (en) * 1987-01-20 1989-02-07 Hitachi, Ltd. X-ray exposure system
JPH04136943A (ja) * 1990-09-28 1992-05-11 Toshiba Corp X線露光装置
JPH09275062A (ja) * 1996-04-03 1997-10-21 Canon Inc 露光装置
JPH11185304A (ja) * 1997-12-24 1999-07-09 Sony Corp レーザ露光装置
US6031598A (en) * 1998-09-25 2000-02-29 Euv Llc Extreme ultraviolet lithography machine
JP2003059801A (ja) * 2001-08-14 2003-02-28 Canon Inc 露光装置及び露光方法
JP2004311657A (ja) * 2003-04-04 2004-11-04 Nikon Corp 真空チャンバ及びそれを有する露光装置
JP2005223011A (ja) * 2004-02-03 2005-08-18 Canon Inc 露光装置及び半導体デバイスの製造方法
JP2005273904A (ja) * 2004-02-24 2005-10-06 Ebara Corp 除振装置
JP2006017994A (ja) * 2004-07-01 2006-01-19 Canon Inc 光ファイバケーブルの密封方法および投影露光装置
JP2007024313A (ja) * 2005-07-16 2007-02-01 Integrated Dynamics Engineering Gmbh 振動に敏感な要素を支持する支持装置
JP2007048932A (ja) * 2005-08-10 2007-02-22 Canon Inc 位置合せ装置、露光装置およびデバイス製造方法
JP2009525590A (ja) * 2005-11-10 2009-07-09 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 光源の変動を測定するためのシステムを備えたeuv照明システム
JP2009071055A (ja) * 2007-09-13 2009-04-02 Nikon Corp 露光装置および電子機器
JP2010123942A (ja) * 2008-10-24 2010-06-03 Komatsu Ltd 極端紫外光源装置
JP2012134372A (ja) * 2010-12-22 2012-07-12 Lasertec Corp 汚染防止装置、汚染防止方法、露光装置、及びパターン付きウエハの製造方法
JP2012235043A (ja) * 2011-05-09 2012-11-29 Lasertec Corp Euvマスク検査装置、euvマスク検査方法
JP2013026621A (ja) * 2011-07-22 2013-02-04 Asml Netherlands Bv 放射源、放射源を制御する方法、リソグラフィ装置およびデバイスを製造する方法
JP2013080810A (ja) * 2011-10-04 2013-05-02 Lasertec Corp Euvマスク検査装置及びeuvマスク検査方法

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