TWI266958B - Top-coating composition photoresist and process for forming fine pattern using the same - Google Patents

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TWI266958B TW089109900A TW89109900A TWI266958B TW I266958 B TWI266958 B TW I266958B TW 089109900 A TW089109900 A TW 089109900A TW 89109900 A TW89109900 A TW 89109900A TW I266958 B TWI266958 B TW I266958B
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Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1266958 A7 B7 五、發明說明（/ ) 發明背景 1、 發明領域 本發明係關於一種頂塗組成物及一種經由使用該組成 物形成微細圖案之方法’其係使用於半導體裝置製造法之 光刻法。更精確地說，本發明係關於一種用於保護胺污染 之頂塗組成物及經由使用該組成物形成微細圖案之方法， 其適合用於應用具有低於25〇nm超短波之光源以形成超微 圖案之光刻法。 2、 背景技藝描述 近來，化學放大形式DUV光阻劑已被硏究以達到於 製備半導體裝置之微影像形成法中之高靈敏度。此種光阻 劑係經由摻合一光酸發生劑與具有酸性不安定基團之基質 樹脂聚合物而被製備。 根據此種光阻劑（有時稱爲“PR”)之反應機構，當光酸 產生劑被一光源照射時，該光酸產生劑產生酸，且該樹脂 之主鏈或支鏈與產生之酸反應以被分解或交聯。該樹脂之 極性變化誘導在顯影液中之經曝光部分及未曝光部分間之 溶解度差異以形成預先決定之圖案。 在微影術方法中，解析度視光源之波長而定，波長越 短，可形成之圖案越微細。 最近已硏究使用具有波長低於250nm之光源的微影術 方法。作爲一合適的光阻劑聚合物，關於含脂環衍生物之 聚合物的主鏈或支鏈已有很大興趣。然而，應用這些脂環 聚合物至半導體製造方法中具有許多缺點。例如，由於經 5 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -----:---訂---------線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1266958 B7___ 五、發明說明（2 ) 由曝光產生的酸，該脂環聚合物之化學性質必需不同。此 外，在曝光及曝光後烘烤Γ曝光後延遲效應”)間之時間期間 ，該產生之酸可經由環境胺化合物中和。因此，所需解析 度並無法獲得或圖案可能具有T-形狀（T-shaPe)(”T-頂（T-topping)”）。當環境胺之濃度超過30PPb時，此問題尤其嚴 重，其造成無圖案形成。 爲了克服前述之缺點，於先前技藝中已建議下列方法： (1) 一種回火方法，在PR被塗覆後，PR樹脂被烘烤 至其玻態轉變溫度（Tg)[參見W· D· Hinsberg， S.A. MacDonald，N. J. Clecak，C. D. Snyder，及 H. Ito， Proc· SPIE， 1925，（1993) 43; H· Ito，W. P. England， R. Sooriyakumaran， N. J. Clecak 5 G. Breyta， W. D. Hinsberg， H. Lee，及 D. Y. Yoon，/·
Sci. and TechnoL 5 6， （1993) 547; G. Breyta， D. C.
Hofer，H· Ito，D· Seeger，K. Petrillo，H. Moritz，及 T. Fischer， J· Photopolymer Sci. and TechnoL ， 7， (1994) 449; H. Ito， G. Breyta， D. Hofer， R.
Sooriyakumaran ， K. Petrillo ，及 D. Seeger ， J. Photopolymer Sci. and Technol. 5 7， (1994) 433; H. Ito 5 G. Breyta， R. Sooriyakumaran，及 D. Hofer， J· Photopolymer Sci· and Technol·， 8， (1995) 505] ·· (2) 添加胺化合物至PR[參見Y· Kawai，A· Otaka， J. Nakamura ， A. Tanaka ，及 T. Matsuda ， J.
Photopolymer Sci. and Technol. ? 8， (1995) 535; S. 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1266958 A7 B7 五、發明說明（3 )
Saito，Ν· Kihara，Τ· Naito，Μ· Nakase，Τ· Nakasugi ν ^ Υ. Kat. Photopolymer Sci. and TechnoL ? 9， （1996) 677; S. Funato，Y· Kinoshita，T. Kuto， S. Masuda， H. Okazaki， M. Padmanaban， K. J. Przybilla， N. Suehiro，及 G_ Pawlowski， J. Photopolymer Sci. and Technol.^ 8» (1995) 543]： (3)在PR塗覆步驟及烘烤步驟後，在PR之上部形成 一^頂塗以保護PR避免垣境胺污染[參見Nakamura，H. Ban ’ Υ· Kawai ’ 及 A. Tanaka ’ J· Photopolymer Sci· and TechnoL 5 8 » (1995) 555; A. Oikawa ? Y. Hatakenaka 9 Y· Ikeda，Y. Kokubo，S. Miyata，N. Santoh，及 N· Abe ， J· Photopolymer Sci· and Technol.， 8 , (1995) 519] o 然而，前述傳統方法亦有許多缺點，如方法之複雜性 。實際上其很難藉由使用前述方法形成一超微細圖案。 發明摘述 因此，本發明之一個目的爲提供一種包含一保護胺污 染化合物之頂塗組成物，其可解決前述之問題。 此外，本發明之另一目的爲提供一種經由使用前述頂 塗組成物形成光阻劑圖案之方法。 圖式簡單說明 圖1及2爲顯示傳統光阻劑圖案之SEm照片；及 圖3至7爲顯示根據本發明較佳實施例之光阻劑圖案 之SEM照片。 7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) ------J---訂------I--線 _ A7 五、 1266958 B7 發明說明（+) 較佳具體實施例之詳述餐 爲達到前述目的，本發明提供一種包括一頂塗物質及 〜保護胺污染化合物之保護胺污染的頂塗組成物’該化合 物具有鹼性或弱鹼性性質(即，一種鹼性化合物）。本發明 亦提供一種經由使用該頂塗組成物形成微細圖案之方法。 任何商業上可獲得之用於頂塗半導體裝置之材料’其 舄習於此技藝人士所熟知，可被使用於本發明中。此種材 料的實施例係以名稱“NFC 54〇”由Japan Synthetic Rubber 販賣，及名稱“Aquatar”由Clariant，Inc.販賣。 本發明之保護胺污染化合物爲一鹼性或弱鹼性化合物 ，較佳地爲一水溶性化合物，包括環型或無環型含氮化合 物。有用於本發明之代表性含氮化合物包括胺衍生物類； 胺基酸衍生物類；醯胺衍生物類；氨基甲酸乙酯衍生物類 :尿素衍生物類；及其鹽類。保護胺污染化合物之莫耳％ 範圍較佳地爲對頂塗物質之溶劑，即，水，0.001〜0.1莫耳 %，更佳地爲對頂塗物質之溶劑0.005〜0.05莫耳％，且最 佳地爲對頂塗物質之溶劑〇·〇〇7〜0.03莫耳％。 較佳地，該鹼性化合物之共軛酸（即，質子化形式）具 有pKa値約13或更少，較佳地爲約11或更少，更佳地爲 約9或更少，且最佳地爲約7或更少。 在一特別較佳具體實施例中，保護胺污染化合物爲式 I化合物：
Ri——N—R2
I r3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
1266958 ch3 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（f ) 其中每一個R1，R2及R3係彼此獨立爲Η或Q-C20烷基 。根據本發明之烷基爲脂肪族碳氫化合物，其可爲直鏈或 支鏈基團。烷基可選性地以一或數個取代基，如鹵素，烯 基，炔基，芳基，羥基，胺基，硫基，烷氧基，羧基，氧 基或環烷基取代。其可被選擇性地該烷基一或數個氧，硫 或經取代之或未經取代之氮原子。較佳的烷基包括含一或 數個經基’胺，及/或羰基(如酮，羧酸，及酯）基團之未經 取代之烷基及經取代之烷基，即，直鏈或分枝Cl_C2()烷基 ’直鏈或分枝CVC20醇(-0H)，直鏈或分枝CVC20羧酸， 直鏈或分枝胺，直鏈或分枝CkCm酮，或直鏈或分 枝（VC20酯。 在本發明之一個觀點中，該保護胺污染化合物包括胺 基酸’特別是L-脯胺酸(即，式II化合物），氫氧化四甲基 鏡五水合物(即，式III化合物），三乙醇胺(即，式IV化合 物）’及其混合物。較佳地，該保護胺污染化合物包括三 乙醇胺
OeH H3C-N±-CHpH-.5H20 HOCzH5-N-C2H5〇H
H、OOH (1Η3 C2H5〇H
II III IV 經由本案發明人已發現，當頂塗步驟係使用本發明之 保護胺污染頂塗組成物進行時，可形成一具有優良剖面圖 之超微細圖案。並沒有經由任何理論束縛，茲相信本發明 之保護胺污染頂塗組成物在曝光後延遲（此後，稱爲’PED’) 期間，有效地阻止環境胺污染物，及防止由光照所產生之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
1266958 A7 B7 五、發明說明（6) 酸擴散至未曝光區域。亦即，當本發明之保護胺污染化合 物被加至傳統頂塗組成物時，該生成之保護胺污染頂塗組 成物具有適合的鹼性性質以作爲一緩衝劑以防止在曝光區 域之產生的酸被環境胺化合物所污染。此外，本發明之保 護胺污染頂塗組成物係被塗覆在PR之上部。茲相信包含 於本發明之保護胺污染頂塗組成物之保護胺污染化合物限 制酸在PR表面擴散，藉以提供較優良之具有直立剖面圖 的圖案。 對習於此技藝人士而言在檢視下列實施例後，本發明 之額外的目的，優點及新穎特徵將變得明白，該等實施例 並非意欲限制本發明。 實施例 爲了確認根據本發明之頂塗組成物之效果，一 PR圖 案係於下列實施例中藉由使用一包括下列步驟之頂塗方法 而形成： (a) 塗覆一光阻劑組成物於一基板上以形成一光阻劑薄 膜； (b) 塗覆頂塗組成物於該光阻劑薄膜之上部以形成頂塗 ’ (c) 藉由使用一曝光器將該生成塗覆基板曝光；及 (d) 顯影該生成產物。 前述使用之PR組成物係製備自經由溶解⑴聚(2-羥基 乙基5-降冰片烯-2-羧酸/第三丁基5-降冰片烯-2-羧酸酯 /5-降冰片烯-2-羧酸/順丁烯二酸酐），（ii)一光酸產生劑及 10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) !·裝 -----—訂---------線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1266958 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（TJ ) (出)其它特定選擇添力D劑於(W)丙二醇甲基醚醋酸酯 (PGMEA)溶劑[參見 J· C· Jung，C· Κ· Bok，及 Κ. Η· Baik ，J. Photopolymer Sci. and Technol. 5 10， (1997) 529; J· C. Jung， C. K. Bok，及 K. H. Baik， Proc· SPIE， 3333，（1998) 11; J· C. Jung，Μ· H· Jung，及 K_ H. Baik ，J, Photopolymer Sci· and Technol·， 11， (1998) 481] o 於發明實施例中之保護胺污染頂塗組成物係經由添加 保護胺污染化合物至一傳統的頂塗組成物而被製備。 所有的圖案形成實驗係在具有環境胺濃度超過十億分 之15(PPb)之條件下進行。 比較實施例1 在15 ppb之環境胺濃度下，PR組成物被塗覆於基板 上，於110°C下烘烤90秒，及在23。0：下冷卻。 其後，由 Japan Synthetic Rubber 所製造之 NFC 540 頂 塗材料(此後，稱爲7SR’)係作爲頂塗組成物被塗覆於PR之 上部，在60°C下烘烤60秒及冷卻。 該生成產物係經由ArF曝光器曝光，在110°C下烘烤 90秒，且於2.38重量％丁]^人11溶液中顯影，藉以獲得顯示 於圖1之150 nm圖案。 如顯示於圖1中，該圖案之上部受到相當損害，且其 直立剖面圖並不完全。茲相信此係來自在PED期間酸擴散 至未曝光區域。 比較實施例2 11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) !·裝 --------訂---------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1266958 A7 _ B7 五、發明說明（？） 在15 ppb之環境胺濃度下，PR組成物被塗覆於基板 上，於110°C下烘烤90秒，及在23QC下冷卻。 其後，由Clariant Inc.所製造之Aquatar頂塗材料被塗 覆於PR之上部，在60°C下烘烤60秒及冷卻。 該生成產物係經由ArF曝光器曝光，在ll〇°C下烘烤 90秒，且於2.38重量。/〇TMAH溶液中顯影，藉以獲得顯示 於圖2之150 nm圖案。 如於圖2中所列舉說明，該圖案之上部如同圖1受到 相當損害，且該曝光區域之顯影狀態並不完全。 發明實施例1 一種本發明之新穎保護胺污染頂塗組成物係首先製備 自摻合20克NFC 540(—種由JSR製造之頂塗材料）及 0.016克L-脯胺酸。 該PR圖案係經由重覆比較實施例1之程序，但使用 前述組成物作爲保護胺污染頂塗組成物而形成。簡言之， 在約15ppb之環境胺濃度中，該Pr組成物係塗覆於基板 上，於110°C下烘烤90秒，及在23°C下冷卻。 其後，該保護胺污染頂塗組成物係被塗覆於PR塗覆 物之上部，於60。0：下烘烤60秒及冷卻。 該生成產物係經由ArF曝光器曝光，於1HTC下烘烤 90秒，且在2·38重量％TMAH溶液中顯影，以產生顯示於 圖3之150 nm圖案。 與圖1相比，於圖3中之圖案的上部係明顯地較少 損害且顯示明顯改良的直立剖面圖。 12 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -1 --------訂---------. 1266958 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（？） 發明實施例2 一種本發明之新穎保護胺污染頂塗組成物係首先製備 自摻合20克NFC 540(—種由JSR製造之頂塗材料）及 0.025克氫氧化四甲基銨五水合物。 該微影術方法係以如比較實施例1之相同方式使用前 述保護胺污染頂塗組成物進行以產生如於圖4所描繪之 150 nm圖案。 與圖1相比，於圖4中之圖案的上部係明顯地較少 損害且顯示明顯改良的直立剖面圖。 發明實施例3 一種本發明之新穎保護胺污染頂塗組成物係製備自摻 合20克Aquatar(—種由Clariant Inc·製造之頂塗材料)及 0.016克L-腩胺酸。 該頂塗方法係經由重覆比較實施例2之程序，但使 用前述保護胺污染頂塗組成物進行。該微影術方法如描述 於比較實施例2產生150 nm PR圖案如顯示於圖5中。與 圖2相比，於圖5中之圖案的上部係明顯地較少損害且其 直1L剖面圖顯不明顯改良。 發明實施例4 一種本發明之新穎保護胺污染頂塗組成物係製備自摻 合20克Aquatar(—種由Clariant Inc.製造之頂塗材料)及 〇·〇25克氫氧化四甲基銨五水合物。 該頂塗方法係經由重覆比較實施例2之程序，但使 用前述保護胺污染頂塗組成物進行。該微影術方法如描述 13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公璧） (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) -1 ---- « --------線一 1266958 A7 B7 五、發明說明（〖。） 於比較實施例2產生15〇 nm PR圖案如顯示於圖6中。與 圖2相比，於圖6中之圖案的上部係明顯地較少損害且其 直立剖面圖顯示明顯改良。 發明實施例5 一種本發明之新穎保護胺污染頂塗組成物係製備自摻 合20克Aquatar(—種由Clariant Inc.製造之頂塗材料)及 0.025克三乙醇胺。 該頂塗方法係經由重覆比較實施例2之程序，但使 用前述保護胺污染頂塗組成物進行。該微影術方法如描述 於比較實施例2產生150 nm PR圖案如顯示於圖7中。與 圖2相比，於圖7中之圖案的上部係明顯地較少損害且其 直立剖面圖顯示明顯改良。 當實施例1-5描述使用ArF輻射作爲曝光光源時，其 他光源，包括超短波光源如KrF(248nm)，F2(157nm)，E- 輻射束，離子輻射束及極紫外線(EUV)，亦可被使用。 除了前述PR組成物外，其他對習於此技藝人士而言 爲已知之傳統的PR組成物亦可被使用。若需要，使用於 實施例中之微影術條件可改變。 獲得自前述實施例之結果顯示在PED期間之胺污染及 圖案於PR層之頂端表面的形變’其係因爲酸擴散可藉由 添加一保護胺污染化合物至根據本發明之傳統頂塗組成物 中而明顯地減少或防止。 本發明之前述討論係以列舉說明及描述目的呈現。前 述並不意欲限制本發明至此處所揭示之形式。雖然本發明 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝---------訂---------線| 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1266958 A7 B7 — — _ 五、發明說明（丨I ) 之描述包括一或數個具體實施例及特定變異及修飾之描述 ，在了解本發明揭示後，其他變異及修飾係落於本發明之 範疇內，例如，可落於此技藝之技能及知識中。茲意欲獲 得權利，其包括選擇具體實施例至可允許的範圍，包括替 代，交換及/或均等結構，功能，範圍或步驟至所請內容’ 不論是否此種替代，交換及/或均等結構，功能，範圍或步 驟爲此處所揭示，且並不意欲公開地貢獻可專利標的。 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 裝-----Λ---訂---------線羞 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

  1. 1266958 六、申請專利範圍 1、 一種用於光阻劑之保護胺污染之頂塗組成物，其包 括： (a) —頂塗組成物；及 (b) —鹼性化合物，其係爲選自如下式所表示之胺衍生 物類；胺基酸衍生物類；醯胺衍生物類；氨基甲酸乙酯衍 生物類；尿素衍生物類；其鹽類及其混合物所組成之族群 中之含氮化合物，其中該鹼性化合物係以(a)頂塗組成物之 溶劑之0.001〜0.1莫耳％之量使用，且該鹼性化合物之共軛 酸具有pKa値約爲13或更少： R-i"·—N-R2 I · r3 其中，每一個Ri，R2及R3彼此獨立爲η，或直鏈或 支鏈CVQo烷基。 2、 根據申請專利範圍第1項之保護胺污染之頂塗組成 物，其中該烷基爲(i)未經取代直鏈或分枝烷基；或(Π)選自 直鏈或分枝CVCm醇(-OH)，直鏈或分枝CVC20羧酸，直 鏈或分枝胺，直鏈或分枝CrCao酮，及直鏈或分枝 G-Cm酯所組成之族群中之經取代之直鏈或分枝烷基。 3、 根據申請專利範圍第1項之保護胺污染之頂塗組成 物，其中該胺衍生物係選自L-脯胺酸，氫氧化四甲基銨五 水合物，三乙醇胺，及其混合物所組成之族群中。 4、 一種形成光阻劑圖案之方法，其包括下列步驟： (a)塗覆一光阻劑組成物於一基板上以形成一光阻劑薄 膜； 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐） ..........................•裝...............、玎............it * t (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1266958 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (b)塗覆根據申請專利範圍第1項之保護胺污染頂塗組 成物於該光阻劑薄膜之上部以形成頂塗； ⑷藉由使用一包括選自KrF (248nm)，ArF (193nm)， F2(157mn)，E-輻射束，離子輻射束及極紫外線(EUV)所組 成之族群中之光源的曝光器將該頂塗基板曝光；及 (d)顯影該曝光基板。 5、 根據申請專利範圍第1項之保護胺污染頂塗組成 物，其係用於製造半導體元件。 6、 根據申請專利範圍第1項之保護胺污染之頂塗組成 物，其中該鹼性化合物係以⑷頂塗組成物之溶劑之 0.005〜0.05莫耳％之量使用。 7、 根據申請專利範圍第6項之保護胺污染之頂塗組成 物，其中該鹼性化合物係以（a)頂塗組成物之溶劑之 0.007〜0.03莫耳％之量使用。 2 中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ"29^¥Τ ..........................裝·..............訂................線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100537181B1 (ko) * 1999-12-30 2005-12-16 주식회사 하이닉스반도체 노광후 현상 지연에 의한 패턴 불량을 방지할 수 있는포토레지스트 패턴 형성 방법
KR100390991B1 (ko) * 2001-05-29 2003-07-12 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 감광막패턴 형성방법
KR100390998B1 (ko) * 2001-06-26 2003-07-12 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 감광막패턴 형성방법
JP3476082B2 (ja) * 2001-11-05 2003-12-10 東京応化工業株式会社 パターン微細化用被覆形成剤およびそれを用いた微細パターンの形成方法
KR100642416B1 (ko) 2004-08-31 2006-11-03 주식회사 하이닉스반도체 상부 반사방지막 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의패턴 형성 방법
CN1786830A (zh) * 2004-12-09 2006-06-14 三洋电机株式会社 抗蚀剂图案形成方法
US8168367B2 (en) * 2008-07-11 2012-05-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
KR102200511B1 (ko) * 2013-01-24 2021-01-11 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 리소그래피용 레지스트 상층막 형성 조성물 및 이것을 이용한 반도체장치의 제조방법
WO2014119396A1 (ja) * 2013-01-31 2014-08-07 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3652273A (en) * 1967-09-11 1972-03-28 Ibm Process using polyvinyl butral topcoat on photoresist layer
JPS5034966B2 (zh) * 1972-07-24 1975-11-12
GB8700599D0 (en) * 1987-01-12 1987-02-18 Vickers Plc Printing plate precursors
DE3715790A1 (de) * 1987-05-12 1988-11-24 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
WO1992005474A1 (en) * 1990-09-18 1992-04-02 International Business Machines Corporation Top coat for acid catalyzed resists
JPH04204848A (ja) * 1990-11-30 1992-07-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 微細パターン形成方法
DE4117127A1 (de) * 1991-05-25 1992-11-26 Basf Ag Lichtempfindliche aufzeichnungselemente, verfahren zu ihrer herstellung und weiterverarbeitung sowie geraete fuer die durchfuehrung dieser verfahren
SG52770A1 (en) * 1992-07-10 1998-09-28 Hoechst Celanese Corp Metal ion reduction in top anti-reflective coatings for photoresists
JP3362797B2 (ja) * 1993-04-30 2003-01-07 東洋紡績株式会社 印刷原版用感光性樹脂積層体
US5631314A (en) * 1994-04-27 1997-05-20 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Liquid coating composition for use in forming photoresist coating films and photoresist material using said composition
US5506090A (en) * 1994-09-23 1996-04-09 Minnesota Mining And Manufacturing Company Process for making shoot and run printing plates
JP3510003B2 (ja) * 1995-05-01 2004-03-22 クラリアント インターナショナル リミテッド 反射防止コーティング用組成物
JPH0971765A (ja) * 1995-06-29 1997-03-18 Nippon Zeon Co Ltd 粘着防止用組成物
JP3694703B2 (ja) * 1996-04-25 2005-09-14 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 反射防止コーティング用組成物
JPH10261574A (ja) * 1997-03-19 1998-09-29 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法

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