TWI260945B

TWI260945B - Light-emitting apparatus and method for forming the same

Info

Publication number: TWI260945B
Application number: TW093113399A
Authority: TW
Inventors: Tetsuya Utsumi; Masaaki Arima; Masayuki Harada; Mari Funada
Original assignee: Toyota Ind Corp
Priority date: 2003-05-16
Filing date: 2004-05-13
Publication date: 2006-08-21
Also published as: KR20040099163A; US20040227462A1; US20060186806A1; EP1478034A2; US7071617B2; CN1575064A; TW200427366A

Description

1260945 九、發明說明： (一）發明所屬之技術領域本發明係有關一種在基板上形成有發光裝置的發光設備。該發光裝置指的是一種有機電致發光裝置（有機EL裝置）或是一種無機電致發光裝置（無機EL裝置）。此種發光裝置具有支持在一對電極之間的發光層。本發明也有關一種用於形成該發光設備的製造方法。 (二）先前技術文獻中已提出使用諸如有機電致發光設備（有機E L設備）或是無機電致發光設備（無機EL設備）之類發光設備的照明系統及顯示器。已知這種發光設備具有低粹取效率。亦即，從設備外面所粹取之光與由發光層產生之光的比値很低。這是因爲用於形成發光設備之各層具有不同折射率的緣故。例如於如第22圖所示之底部放射型有機EL設備中，可透過透明的第一電極2 0 1及透明基板1 〇〇從設備外面粹取由發光層211產生的所有光。有些光會在設備內衰減爲光線h 4 ’有些則可從設備外面透過設備的邊緣粹取爲光線 h5。依這種方式，習知發光設備無法自光出射表面A從設備外面粹取由發光層2 1 1產生的所有光。針對這一點’第一習知設計提出的是於透明基板上形成具有凹凸結構的不均勻表面並於該不均勻表面上形成有機EL裝置（例如’日本公開專利出版品第1 - 1 8 6 5 8 7號文件） 1260945 。該第一習知設計揭示的是一種使用無機EL設備之有關的技術，其中係在該凹凸結構的每一個下凹及置一個無畫素，使得發光膜內所捕獲的光會因該凹所形成的階梯而受到反射。據此，增加了透明基板粹取到的光量額。可藉由指向相對於發光層之光粹取側相反方向光改良發光設備的粹取效率。明確地說，係在發光光粹取側相對一側上設置由諸如鋁之類光反射性材的電極。另一種作法是，可在發光層之與光粹取側側上設置一光反射性構件。不過在這類例子裡，當不發光時會出現外來光的空間反射作用。針對這一點，第二習知設計提出的是於透明基機地形成點狀的凹凸結構並於該凹凸結構上設置各發光層（例如，日本公開專利出版品第2 0 0 0 - 4 0 5 8 4 ! 。該第二習知設計防止了肇因於金屬電極之空間反生的眩目現象。第三習知設計揭示了一種可應用在有機E L設板上的技術，其中該有機EL設備具有一有機EL裝用作液晶顯示面板的背光。該技術係有關在設備之形成凹凸結構的方法（例如，日本公開專利出版品第< 號文件）。根據第三習知設計，具有凹凸結構的基板著漫射板的角色’因此當使用該有機EL設備當作反可防止空間反射作用的發生。不過如同第一習知設計一般，於基板上形成具顯示器突起設凸結構外面所的反射層之與料製成相對一發光層板上隨電極及虎文件）射所產備之基置且係基板上 )- 5 0 0 3 1 會扮演射板時有凹凸 -6- 1260945 結構的不均勻表面並於該不均勻表面上形成有機EL裝置未必能夠改良其粹取效率。取決於該凹凸結構的形狀，較之其上未形成任何不均勻表面的平面發光設備，會減少從光出射表面粹取到的光量額。同時，取決於該凹凸結構的形狀會出現下列難題。亦即當如第23 (a)圖所示於不均勻表面上形成發光裝置時，用以形成該發光裝置之每一層（特別是發光層）的厚度都會根據其位置而改變。同時如第2 3 ( b )圖所示，各電極2 0 1 5 2 2 1 可相互接觸（例如在位置E上）。如第2 3 ( a)圖所示’發光層2 1 1上一比其他部分（例如部分B)更薄的部分（例如圖中的部分C)會具有較低的電阻且因此使電流更容易通過。這會在部分C上造成較之其他部分（部分B)更高的亮度。在較薄之部分C上的大量額電流會升高部分C上的溫度。這會進一步減小部分C上的電阻。據此，會有更大的電流通過部分C且進一步提高其亮度。據此，該設備可能具有不均勻的亮度。此外，該現象會造成有顯著量額的電流會通過該發光層2 1 1上的特定部分且因此縮短了這些部分的使用期限。結果，縮短了該設備的使用期限。假如在如第2 3 (b)圖所示有一不存在任何發光層2丨丨的部分（例如圖中的部分E )，則會有顯著量額的電流通過這個部分。如是，減小了通過該發光層2 1 1上例如部分d的電流量額。結果，無法獲致充分的亮度。此外，一發光設備必需在特定方向上具有高亮度。這 -7- 1260945 是因爲使用或觀測發光設備的使用者通常係從和設備的特定方向（一般而言，係沿著設備之光粹取側或是光表面的垂線方向）進行觀測。另一方面，當如同第三習知設計以發光設備當作板時，除了防止發生空間反射之外必需提高沿著特定之反射光的亮度。第24圖顯示的是一種在例如日光或燈管之類光源9的照射下以發光設備液晶顯示單元8 光的例子。此例中，當來自光源9的光沿著從顯示表之垂線Η偏移了角度Θ (角度0大槪是2 0 °到4 0 °且較是大槪是3 0 ° )的方向抵達液晶顯示單元8時，不僅需止發生空間反射同時必需提高光在顯示表面80之垂方向或是角度0大槪是0°方向上的亮度。 (三）發明內容據此，本發明的第一目的是提供一種發光設備，實質上可自光粹取側發射更大量額的光且亮度不均勻小於不含任何不均勻表面之發光設備的亮度不均勻度發明也提供一種用以形成此設備的製造方法。本發明的第二目的是提供一種發光設備及其製造，使之在光出射側的特定方向上具有高亮度。此外，本發明的第三目的是提供一種發光設備及造方法，使之在將發光設備用作反射板時不僅防止了反射的發生同時也防止了當用以接收沿著假設性光源的光時在特定方向上具有高亮度。爲了達成上述目的，本發明提供了一種發光設備有關出射反射方向螢光之背面80 佳的要防線Η 使之度會。本方法其製空間方向。該 1260945 設備包含一基板以及一設置於該基板上的發光裝置。該設備也包含一落在各電極之間的發光層。於該基板之形成有發光裝置的面上形成具有複數個凹凸結構的不均勻表面。各相鄰凹凸結構之間的平均間隔Sm或是凹凸結構之各相鄰突起峰頂間的平均間隔s，都不會小於由發光層產生光之最長波長的三倍且不會大於該最長波長的兩百倍。該不均勻表面必需滿足下列要求（i)到（v i)中的至少一項要求： (i) 該不均勻表面的算術平均斜率八&係落在4°S AaS 30° 的範圍內。 (ii) 該不均勻表面的均方根斜率Aq係落在4°SAqS35° 的範圍內。 (i i i)該不均勻表面的算術平均粗糙度Ra與各凹凸結構間之平均間隔Sm的比例Ra/Sm係落在0.00 8 $ Ra/Sm S 〇 · 〇 9的範圍內。 (iv) 該不均勻表面的算術平均粗糙度Ra與各凹凸結構峰頂間之平均間隔S的比例Ra/S係落在0.00 9 $ Ra/S S 0 · 1 〇的範圍內。 (v) 該不均勻表面不規則度之10-點高度Rz與各凹凸結構間之平均間隔Sm的比例Rz/Sm係落在0.05 $ Rz/Sm $ 〇 · 2 2的範圍內。 (vi) 該不均勻表面不規則度之1 〇_點高度與各凹凸結構峰頂間之平均間隔S的比例Rz/S係落在0.〇5$ Rz/S $ 0 · 2 5的範圍內。根據本發明的另一槪念，提供了一種用於製造具有發 1260945 光層之發光設備的方法。該方法包含的步驟有及該基板的一面上形成複數個凹凸的結構。各構之間的平均間隔S m或是凹凸結構之各相鄰的平均間隔 S，都不會小於由發光層產生光之三倍且不會大於該最長波長的兩百倍。該不均成方式是必需滿足上述要求（i)到（v i)中的至少該方法進一步包含於該不均勻表面上形成一具一對電極之發光裝置的步驟，其中係令該發光電極之間使得該發光裝置會沿著該不均勻表面象。本發明的其他槪念及優點將會因爲以下結由本發明原理之實例的顯示而變得更淸楚。 (四）實施方式現在將參照各附圖以說明本發明的幾個實圖中係以相同的符號標示出類似或相同的元件說明第一有機EL設備。如第1圖所示，該第一有機EL設備係一種及有機E L裝置2的底部放射型有機E L設備。凹凸結構形成於透明基板丨的一面（入射表面} 話說，該入射表面1 1係一不均勻表面。該有榜則形成於該入射表面1 1上。 <基板1>

基板1實質上係一用以支撐該有機EL裝置透明構件。該基板1具有其上形成有該有機E L 製備基板以相鄰凹凸結突起峰頂間最長波長的勻表面的形一項要求。有發光層及層落在該對出現彎曲現合各附圖藉施例。各附。現在將要包含基板1 其中係將各 1)上。換句 ! EL裝置2 2的平板狀裝置2的入 -10- 1260945 射表面1 1以及落在與該入射表面1 1相對一側的光出射表面1 0。該基板1係透過該入射表面1 1接收來自該有機E L 裝置2的光並透過該光出射表面1 0發射所接收到的光。該第一有機EL設備具有落在入射表面1 1上的凹凸結構或凸起部分與凹陷部分，且其特徵爲該凹凸結構的算術平均斜率△ a係落在4 ° S △ a $ 3 0 °的範圍內。爲了改良該有機EL設備的反射性質至偏好位準，較佳的是使該入射表面1 1的算術平均斜率△ a係落在4 ° S △ a S 1 5 °的範圍內。該算術平均斜率△ a係詳述於JIS B 0 6 0 1 - 1 9 94文件中。該算術平均斜率△ a係依下列方式計算得的。首先，沿著平均線將量測曲線分割成長度各爲△ X的區段。然後，取得每一個區段上用以連接該區段之起始點及終點的線段之傾斜角度的絕對値。之後，計算所取得絕對値的平均値。亦即，係利用下列方程式試算出該算術平均斜率△ a :

AYi ΔΧ 此方程式中係將該傾斜角表爲： ΔΖ 只要能將有機EL裝置2形成於基板1上並受到支撐且基扳1是透明的，則該基板1可以是由任何材料製成的。通常，該基板1係由玻璃、石英或塑膠製成的。另一種作法是，可藉由組合兩個或更多個相同型式或不同型式之基板形成該基板1。 -11- 1260945 本發明中’ 「透明」一詞指的是能使從設備出射的光有不少於5 0 %的透射率，較佳的是其透射率不少於8 〇 %且最佳的是其透射率不少於9 Q %。通常，係在能使波長大槪 4 0 0奈米到8 0 〇奈米的光（亦即可見光）自設備出射下判定爲透明的。假如其透射率太低，則會使由發光層發射的光衰減掉且幾乎無法獲致當作發光設備所需要的亮度。該不均勻表面（入射表面1 1 )的設計方式是使之滿足下列要求（a)或（b)。這是因爲，假如係將S m或S設定爲不小於以下的下限値’則可執行幾何光學的模擬而明顯地有利於設計該有機EL設備的光學性質。假如係將S m或S設定爲大於以下的上限値，則可認定該入射表面1 1係呈光學平坦的。此例中，該入射表面1 1 實質上係處於與其上未形成任何凹凸結構之表面相同的狀況中。 (a) 各相鄰凹凸結構之間的平均間隔Sm不會小於由發光層產生光之最長波長的三倍且不會大於該最長波長的兩百倍。 (b) 各凹凸結構之相鄰突起峰頂間的平均間隔S不會小於由發光層產生光之最長波長的三倍且不會大於該最長波長的兩百倍。各相鄰凹凸結構之間的平均間隔Sm係詳述於JIS B 060卜 1 9 94文件中。各相鄰凹凸結構之間的平均間隔Sm係依下列方程式計算得的。首先，沿著平均線自粗糙度曲線選出 -12- 1260945 對應於參考長度L的區段。然後’相對於該平均線的延伸方向取得每一個峰頂與相鄰谷底的距離S m i。之後，計算各距離Smi的平均値並以毫米爲單位表出。亦即，可利用下列方式計算出各相鄰凹凸結構之間的平均間隔S m :

Sm = Smi ^ Μ 各凹凸結構之相鄰突起峰頂間的平均間隔S係詳述於 J I S B 0 6 0 1 - 1 9 9 4文件中。各凹凸結構之相鄰突起峰頂間的平均間隔S係依下列方式計算得的。首先，沿著平均線自粗糙度曲線選出對應於參考長度L的區段。然後，相對於該平均線的延伸方向取得每一對相鄰峰頂之間距離S i。之後，計算各距離S i的平均値並以毫米爲單位表出。亦即，可利用下列方式計算出各凹凸結構之相鄰突起峰頂間的平均間隔S : n ,=1 本發明的發明人係透過以下各實例及比較用實例找出上述數値用於有機EL設備的最佳範圍。於各實例及比較用實例中，係在從大於0 °上達3 0。的範圍內改變入射表面1 1的算術平均斜率△ a下製作各有機 EL設備。其他包含材料、薄膜厚度及配方之類條件則是完全相同的。以下將要說明於製作各實例及比較用實例之有機EL設備的方法。準備各含一入射表面及一光出射表面10的平板狀透明基板。利用遮罩於每一個基板的入射表面上形成光阻層 -13- 1260945 。塗覆該光阻層以參照其光出射表面定義出對應於將要形成之各突起的圖案。於此狀態中，對該入射表面進行蝕刻。因此，完成了具有凹凸結構的入射表面1 1。在形成該入射表面1 1之後，以粗糙計量測該入射表面11的算術平均斜率△ a。在量測了該入射表面1 1的算術平均斜率△ a之後，透過射頻濺射法於該入射表面1 1上形成由錫銦氧化物（ITO) 製成的透明電極或是厚度50奈米的第一電極20。在形成第一電極2 0之後，在〇 . 1奈米/秒的澱積速率及5 X 1 (Γ 5 P a 的真空度下以真空澱積設備或是碳坩堝形成一有機發光層 2 1。所形成的有機發光層2 1包含一電洞注入傳輸層、一含有機材料層以及一電子注入傳輸層。厚度爲8 0奈米的電洞注入傳輸層係由三苯基胺四聚物（TPTE)形成的。厚度爲30 奈米之含有機材料層係藉由施行1，4-雙（2,2-二苯乙烯基）聯苯（DPVBi)(93.0重量％)及4,4 -雙（9 -乙基-3-咔唑乙烯基） -1，Γ -聯苯（B c z V B i) ( 7.0重量。/。）之共澱積作業形成的。厚度爲20奈米的電子注入傳輸層則係由2,5-雙（6’-(2’，2’’-聯吡啶基））-1，1-二甲基-3,4-二苯基矽唑形成的。之後，在1奈米/秒的澱積速率及5 X 1 〇·5 p a的真空度下以鎢船形成厚度爲1 5 0奈米的鋁層（第二電極22)。以習知保護膜（惰性膜）封裝每一個有機EL設備。 [評估1 ] 以相同的電流加到所形成的每一個有機EL設備上，並以亮度計量測由每〜個光出射表面所發射之光的總量額。 -14- 1260945 第2圖的曲線顯示的是其入射表面丨1之算術平均斜率△ a 與每一個有機EL設備之亮度間的關係。其亮度係表爲一比 Μ (亮度比）形式亦即該亮度與具有依上述方式形成之有機 EL裝置2但是在入射表面1 1上不含任何凹凸結構的有機 EL設備之亮度的比値。參考用有機EL設備的亮度係繪製於其算術平均斜率△ a等於0。的位置上。本發明的發明人係從第2圖的實驗結果發現，假如其 △ a等於或大於4 °則透過光出射表面1 0出射的光量額會大於具有平坦入射表面之習知有機EL設備的出射光量額。換句話說，本發明的發明人發現只要在入射表面上設置凹凸結構，便能造成透過光出射表面1 0出射的光量額比習知有機EL .設備更少。 [評估2] 在未啓動有機EL裝置2進行發光下，以來自位置落在從光出射表面1 〇之垂線偏移了 3 0 °角方向上之光源的光照射每一個有機EL設備。亦即，以3 0 °角的入射光照射每一個有機E L設備，並以亮度計量測該光出射表面1 0之垂線方向上的光亮度或是該光出射表面1〇之垂線方向上的反射光亮度。第3圖的曲線顯示的是其入射表面1 1之算術平均斜率△ a與該光出射表面1 0之垂線方向上的反射光亮度之間的關係。其亮度係表爲一比値（亮度比）形式亦即該亮度與具有依上述方式形成之有機EL裝置2但是在入射袠面 1 1上不含任何凹凸結構的有機EL設備之亮度的比値。如同第2圖的情況，參考用有機EL設備的亮度係繪製於其算 -15- 1260945 術平均斜率△ a等於〇。的位置上。本發明的發明人係從第3圖的實驗結果發現，假如其算術平均斜率△ a落在4。$ △ a $ 1 5。的範圍內則該光出射表面10之垂線方向上的反射光亮度與3〇。角之入射光亮度的比値不會小於具有平坦入射表面之習知有機EL設備之亮度比値的1 · 5倍。亦即，本發明的發明人發現較之△ α小於4 °或大於1 5 °的情況，本發明可顯著地增加反射光的亮度比値。本發明的發明人也發現，假如其算術平均斜率△ a落在0°SAaS30°的範圍內則於30°角之入射光中在該光出射表面1 〇之垂線方向上的反射光量額會大於未於入射表面 1 1上形成任何凹凸結構情況下這個方向上的反射光量額。此外，本發明的發明人發現不像在入射表面1 1上不含任何凹凸結構的習知有機EL設備，本發明的有機EL設備不致在其算術平均斜率△ a落在0 ° $ △ a S 3 0 °之範圍內時出現任何空間反射作用。本發明的發明人發現，假如係以來自位置落在從光出射表面1 0之垂線偏移了範圍落在從2 0 °到4 0 °角度方向上之光源的定常光進行照射也能獲致相同的優點。 [評估3] 同時，在將Aa改變爲35°、40°及45°下依上述相同的方式形成各具有一有機E L裝置2的三個有機e l設備。在啓動時能以視覺在這些有機EL設備中觀測到亮度的不均勻性。另一方面，在其算術平均斜率△ a落在〇。$ △ a $ 3 0。 -16- 1260945 的範圍內的有機E L設備中，並未在與△ a等於3 5。、4 〇。及 4 5 °的相同條件下啓動發光時以視覺觀測到任何亮度不均勻性。本發明的發明人認定上述結果係由下列事實造成的，假如入射表面1 1的△ a大於3 0 °，則很難在基板1的整個表面上形成具有均勻厚度的有機EL裝置2特別是具有均句厚度的有機發光層2 1。亦即，由於該有機發光層2 1具有厚的部分及薄的部分，而在薄的部分上的亮度會增高而造成了亮度的不均勻性。同時，具有陡峭斜率亦即其△ a大於3 0 °的凹凸結構會產生其上未形成任何有機發光層2 1的部分而造成各電極之間的漏泄現象。換句話說，本發明的發明人發現在入射表面1 1上設置凹凸結構可造成產生亮度不均勻性或是各電極之間的漏泄現象，而另一方面假如將△ a設定於上述範圍內則不致發生任何亮度不均勻性或是電極漏泄現象。現在將要說明該第一有機EL設備的有機EL裝置2。如第1圖所示，有機EL裝置2含有一對電極20，22 以及支持在電極20與22之間的有機發光層21。該有機發光層2 1含有有機發光材料。該有機EL裝置2會發射預定顏色的光（具有預定波長的光或是具有預定色品的光）。由於除了該有機發光層2 1係沿著基板1上入射表面1 1的凹凸結構而設置之外，該第一有機EL設備的有機EL裝置2 和習知有機EL裝置是相同的，故可將習知有機EL裝置用於有機EL裝置2。 -1 7 - 1260945 [第一電極20] 底邰放射型桌一有機E L設備的有機e L裝置2係相對於有機發光層2 1形成於光出射表面上，故第一電極2 〇必須是透明的。該桌一電極2 0可以是一陽極或陰極。較佳的是用於該第一電極20(透明電極）的材料是一種容許載子 (電洞或電子）充分注入該有機發光層21內的材料。當作陽極偏好使用的是一種工作函數爲4 · 5 e V到5 . 5 e V 的材料。明確地說，偏好使用的是一種以錫銦氧化物（I T 〇) 、鋅銦氧化物（I Ζ Ο )、氧化銦（I n 2 〇 3 )、氧化錫（s n 〇 2 )及氧化鋅（ZnO)爲主要成分的材料。這些氧化物可能多少偏離了化學計量學。在IT0內 Sn〇2相對於In2 〇3之混合比例的較佳範圍內是例如從1到 2 0重量％以及從5到1 2重量％。在I Z 0內Ζ η 0相對於I n 2 〇 3 之混合比例的較佳範圍是例如從1 2到3 2重量。/〇。此外，假如在整個透明第一電極內的平均混合比例係落在這些範圍內，則可能沿著厚度方向存在有濃度梯度。除了列舉如上的成分之外，陽極材料中也可以含有以氧化物爲基礎之1重量％的錫、鈦及鉛氧化物。陰極指的是用於將電子注入有機材料層的電極。爲了提高電子注入效率，可使用工作函數小於4.5 eV且一般而言不大於4.OeV而通常不大於3.7eV之金屬、合金、導電化合物及這類材料的混合物當作電極材料。列舉如上的陽極材料也可用於陰極。同時，可使用下列材料。 -18- 1260945 例如，可使用將透明的導電性氧化物層壓到一由鎂-銀合金製成的超薄膜上的結構。在陰極中，較佳的是在陰極與有機發光層2 1之間設置有含銅酞花青的緩衝層以防止該有機發光層2 1及其他成分在濺射導電性氧化物時因電獎受到破壞。 [有機發光層2 1 ] 有機發光層21容許來自有機發光層21及第二電極22 中至少一個電極的載子（電洞或電子）進行復合（recombillati〇n) 而產生激子且造成激子在回到基態時發光（電致發光）。該有機發光層2 1主要係由有機材料製成的。可使用能給予該有機發光層2 1更多必要功能的有機材料。同時’可使用能給予該有機發光層2 1不同功能的數種材料。至於這類材料可使用習知有機EL裝置之有機發光層所用的諸如三（8 -羥基喹啉酯）化鋁（a 1 q 3)或二氯甲烷（D C Μ) 之類材料。此外，該有機發光層2 1可具有層壓結構且其中每一層都具有必要功能之一。此例中，係將一含有螢光材料或磷光材料（有機發光材料）且能產生電致發光的材料層稱作含有機發光材料層。例如’可在陰極與含有機發光材料層之間設置一具有可由陰極或電子注入傳輸層注入電子之功能的電子注入層。可將在該含有機發光材料層與陰極之間或是在該含有機發光材料層與電子注入層之間設置一具有電子傳輸功能的電子傳輸層。可設置一具有可由陽極或電洞傳輸層注入電 -19- 1260945 洞之功能的電洞注入層。另一種作法是，可設置一具有電洞傳輸功能的電洞傳輸層。可採用與習知有機EL裝置相同的層膜結構及材料。可依與習知有機E L裝置相同的方式調整所發射之顏光的色。例如，可使用下列調整方法。選擇的材料型式（有機發光材料）是能給予該有機發光層2 1可在從激態回到基態時產生電致發光的功能。調整加到該有機發光層2 1上之有機材料或是有機發光材料的混合比例。調整所混合之有機發光材料的量額。調整該有機發光層21的厚度。於有機EL設備上設置習知彩色濾光層以限制從該設備出射之光的波長。添加可改變所接收光之波長的彩色變換材料。可混合兩種或更多種型式之有機發光材料以致產生兩種或更多種色光因此表現出疊加的顏色。添加可增進或阻礙發光作用的材料以調整所產生光的顏色。藉由供應到該有機發光層2 1上的電流量額調整所產生光的顏色。 [弟—電極2 2 ] 假如第一電極2 0係一陽極則第二電極2 2即爲一陰極。假如第一電極2 0係一陰極則第二電極2 2即爲一陽極。因此，可使用用於習知有機EL裝置且滿足陽極或陰極之要 -20- 1260945 求的材料。如是，可將用於第一電極2 0的材料用在第二電極22上。不過，由於第二電極2 2可藉由使發射到與光粹取側相對一側上的光朝光粹取側反射並在有機EL裝置2不發光時反射透過光粹取側接收到的光以提高設備的粹取效率，故較佳的是該第二電極2 2具有反射功能。當在該第二電極 22上添加反射功能時，可使用習知有機EL裝置所用的金屬或合金。明確地說，用於第二電極2 2的材料除了當作陽極或陰極所需要的性質之外必需具有下列性質。亦即，這類材料必需至少能在來自有機發光層2 1之光以及從外面加到設備之光的整個波長範圍中，反射具有將要從光出射表面1 0粹取到設備外面之波長範圍的光。同時，除了列舉如上的材料之外也可依組合方式使用習知有機E L裝置的各層及材料。例如，當未在該第二電極 2 2上添加反射功能時，可在該有機發光層2 1與光粹取側相對一側上設置一反光構件。同時，也可於該有機EL裝置 2內設置半透明的反射性構件（半鏡面）。現在將要說明該第一有機EL設備的形成方法。 <形成方法> 該第一有機E L設備係透過一種用於形成基板的習知方法以及一種用於形成有機EL裝置的習知方法所形成的。於基板的形成方法中，係於基板1的入射表面1 1上形成滿足上述條件的凹凸結構。於有機E L裝置的製作方法中，係於該入射表面η上接續形成用以形成該有機EL裝置的 1260945 各層。例如，可依下列方式形成該第一有機EL設備。首先，製備如第4(a)圖所示的平板狀透明基板r。在透明基板Γ的一側（入射表面）1 1，上塗覆其圖案對應於由將要形成之凹陷及突起構成配置的遮罩。然後利用該遮罩於表面上形成具有該圖案的光阻材料層。此中，係對透明基板厂進行蝕刻以致形成如第4 (b)圖所示之不均勻表面1 1。然後如第4(c)圖所示，於透明基板1的入射表面1 1上形成具有順應該入射表面1 1之凹陷及突起的第一電極2 0 ，同時於該第一電極20上接續形成有機發光層2 1及第二電極2 2使得每一層都具有順應其底下一層的凹陷及突起。由於所形成的每一層都具有均勻厚度，故每一層都具有順應該透明基板1之入射表面1 1的彎曲形狀。可使用用以形成習知有機EL裝置上各層的層壓方法。例如，可使用諸如真空澱積法、濺射法、旋轉塗鍍法、鑄造法及LB法之類用以形成薄膜的習知方法。依上述方式形成了有機EL設備。取代對入射表面1 1進行蝕刻地，也可使用其他基板處理方法。例如，可使用噴砂的表面處理法。另一種作法是 ’可使用內部表面具有凹凸結構的鑄模。此例中，係將融化的透明樹脂或玻璃倒入鑄模內以形成具有入射表面11 的基板1。 <優點> 根據本實施例具有上述結構之有機EL設備具有下列優點： -22 - 1260945 蓋·^.取效率以及明顯的低入射亮度不均勻性由於入射表面1 1具有上述結構，故較之具有平均入射表面之習知有機EL設備該入射表面1 1具有更高的粹取效率。同時，該入射表面1 1上發生的亮度不均勻性明顯地較低。換句話說，該入射表面1 1具有無法只藉由於入射表面上形成凹凸結構得到的性能。

特定方向亮度的改S 已確認的是，當上述實施例之有機EL設備發光時相對鲁於光出射表面1 0沿著特定方向的亮度會高於其他方向的亮度。同時，已確認的是可藉由變更△ a改變該特定方向〇這種亮度變化被視爲係肇因於各凹陷的集光性質以及因各凹陷及突起產生的反射及折射作用而產生的。因此，根據本實施例之有機EL設備適合用在顯示器、照明系統及液晶顯示單元之背光之類必需使特定方向之亮度高於其他方向之亮度的裝置上。 0

發射大量額的I 由於該有機E L裝置2係沿著不均勻之入射表面1 1上的各凹凸結構形成的，故較之具有平均入射表面之習知有機EL設備可增加有機發光層2 1之發光量額。據此，增加了設備的發光量額。同時，由於係將算術平均斜率△ a設定於上述範圍內 ’故顯者地減小了出現有些部分不存在任何有機發光層2 1 -23- 1260945 的可#性。換句話說，顯著地減小了在各電極2 〇，2 2之間產生電流漏泄的可能性。據此，大部分供應到有機E L裝置 2上的電流都會通過該有機發光層2 1並改良了設備的發光效率。反射性質的改良當用作反射板時，依上述方式設計的有機EL設備具有可改良其反射性質的優點。亦即，當反射了來自位置落在從光出射表面1 0之垂線偏移了 2 〇。到4 〇。（一般而言爲3 〇。）角方向上之光源的光時，該設備會沿著光出射表面1 〇之垂線方向照射其上之光中的很大部分。由於係於入射表面1 1以及該有機E L裝置2的每一層上形成有微細的凹凸結構，故防止了空間反射的發生。色品性質的改良當設備發光時，來自光出射表面10之所有發光方向的光都具有均勻的色品。這是因爲係於入射表面1 1以及該有機EL裝置2的每一層上形成有微細的凹凸結構，故每一個波長的光會在不同的方向上受到漫射，且在來自光出射表面1 0的各發光方向上明顯地減小了每一個波長的光對角度的依賴度。可依下列方式修正該第一有機EL設備。同時，可組合兩種或更多種下列修正型式。修正型式1中，係將凹凸結構形成於一中間層內。亦即如第5圖所不’在基板1與有機EL裝置2之間形成一具有不均勻表面3 0的中間層3。取代形成於基板1之入射表 >24- 1260945 面1 1上的凹凸結構，將凹凸結構形成於該不均勻表面3 0 上。該不均勻表面3 0上各凹凸結構的算術平均斜率△ a的範圍爲4 ° S △ a S 3 0 °，且係沿著該不均勻表面3 〇形成有機EL裝置2。這種修正型式具有與上述實施例相同的優點〇假如其算術平均斜率△ a的範圍爲4 ° $ △ a g 1 5 °，則可將其反射性質改良到令人滿意的位準。此修正型式中，因爲上述理由將不均勻表面3 0設計成滿足要求⑷或（b)。 φ 例如，可依下列方式形成這種修正的有機EL設備。如第6 ( a)圖所示，於平板狀透明基板Γ的表面上形成具有預定厚度的透明中間層3 ’。在該透明中間層3 ’的表面上，塗覆其圖案對應於由將要形成之凹陷及突起構成配置的遮罩。然後利用該遮罩於表面上形成具有該圖案的光阻材料層。此中，係對中間層3’進行蝕刻以致形成如第6(b)圖所示之不均勻表面3 0。然後如第6(c)圖所示，於不均勻表面30上形成第一電 H 極2 0亦即具有均勻厚度的透明基板。於該第一電極2 〇上形成具有均勻厚度的有機發光層21。於該有機發光層21 上形成第二電極2 2亦即具有均勻厚度的反射性電極。此中 ’係使每一層上所形成的凹凸結構都會順應底下一層（中間層3或是最靠近該中間層3的層）上的凹凸結構。由於所形成的每一層都具有均勻厚度，故每一層都具有順應該中間層3之不均勻表面3 0的彎曲形狀。依這種方式，形成了如 -25- 1260945 第5圖所示之有機EL設備。取代透過如上所述之蝕刻作業形成該中間層3的是，也可h過利用半曝光及焦點偏移的光刻法以形成中間層、。亦即該中間層3可以是由光阻材料製成的。此外取代透過蝕刻作業形成該中間層3之不均句表面 3 0的是，也可藉由噴砂法施行的表面處理法形成該不均句表面3 0。同時，可將由樹脂製成且具有凹凸結構的透明薄片黏貼於基板1上以形成該中間層3。上述該修正型式中，係將各凹凸結構形戶於基板1上所形成具有均勻厚度之中間層3的表面上。取代地，也可透過下列方法形成各凹凸結構。亦即，首先只在基板1上對應於將要形成之突起的部分之上形成一透明膜。然後，於該第一透明膜及透明基板 1的整個表面上形成另一透明膜。據此’形成了各凹凸結構該中間層3可以是由任何材料製成的’只要該材料在形成爲該中間層3時係呈透明的、具有與基板1及有機E L 裝置2(第一電極20)的高黏著度且作用在有機EL裝置2及基板1上的化學及物理影響很小。例如，該中間層3可以是由聚酯樹脂及丙烯酸樹脂製成的。同時，該中間層3可具有除了用於形成不均句表面30 之功用之外的功能。例如’該中間層3的折射率可能具有落在有機E L裝置（第一電極2 0)之折射率與透明基板1之折射率間的中間數値。此例中，較之不具有中間層3之有機 1260945 EL設備從該有機EL裝置2進入透明基板！的光量額會增加。該中間層3內可含有波長轉換材料。同時，該中間層 3內可埋藏有散射構件。假如在該有機EL裝置2上（特別是在有機發光層21上）添加某些添加劑，則將會改變該有機E L裝置2的發光性質。因此這類添加劑無法用在習知的有機E L設備內。不過，假如該中間層3係由對這類添加劑具有阻抗的材料製成的 ’則可將這類添加劑加到中間層3內。此外，形成該中間層3容許將其上很難或無法形成凹凸結構的基板1用於發光設備。修正型式2中，係將凹凸結構形成於落在光粹取側的電極20之上而不是有機發光層2 1上。亦即，取代於基板 1之入射表面1 1上形成各凹凸結構的是，係將具有凹凸結構的不均勻表面20a形成於設置在緊鄰基板！處之電極2〇上’亦即在第一電極20上緊鄰該有機發光層2 1的一側上 ° δ亥不均句表面2 0 a上各凹凸結構的算術平均斜率△ a的範圍爲4 ° △ a $ 3 〇。，且係沿著各凹凸結構形成該有機發光層21及第二電極（另一電極）22。這種修正型式具有與上述實施例相同的優點。假如其算術平均斜率△ a的範圍爲4。S △ a S 1 5 °，則可將其反射性質改良到令人滿意的位準。此修正型式中，因爲上述理由將不均勻表面20a設計成滿足要求（a)或（b) 例如’可依下列方式形成這種修正的有機EL設備。如 -27 - 1260945 第8 (a)圖所示，於平板狀透明基板丨，的表面上形成具有預定厚度的透明第一電極2 〇，◦在該第一電極2 〇，的表面上，塗覆其I®案對應於由將要形成之凹陷及突起構成配置的遮罩°然後利用該遮罩於表面上形成具有該圖案的光阻材料層。此中，係對第一電極20,進行蝕刻以致形成如第8(b) 圖所示之不均勻表面20a。然後如第8 ( c )圖所示’於第一電極2 0的不均勻表面 2 0a上形成具有均勻厚度的有機發光層2ι。於該有機發光層2 1上形成第二電極22亦即具有均勻厚度的反射性電極馨。據此’形成各具有不均勻表面的有機發光層21及第二電極2 2以順應底下一層（第一電極2 〇或是有機發光層2丨）的表面。由於所形成的每一層都具有均勻厚度，故每一層都具有順應該第一電極2 0的不均勻表面2 0 a的彎曲形狀。依這種方式’形成了如第7圖所示之有機EL設備。此外取代透過蝕刻作業形成該第一電極2 0的不均勻表面2 0 a的是’也可藉由噴砂法施行的表面處理法形成該不均勻表面20a。 _ 前述修正型式中’係於基板上所形成具有均勻厚度之第一電極2 0的表面上形成各凹凸結構。取代地，也可透過下列方法形成各凹凸結構。亦即，首先只在基板1上對應於將要形成之突起的部分之上形成一由透明電極之材料製成的透明膜。然後，於該第一透明膜及透明基板1的整個表面上形成另一由相同材料製成的透明膜。據此，形成了各凹凸結構。 -28- 1260945 此外取代S亥透明膜的是，可使用一其比電阻較第一電極20更低且較佳的是呈透明或不透明的電極。這可將該第一電極2 0表面內的電位改變爲更均等的狀態且因此顯著地減小了其亮度不均勻性。同時，減小了第一電極2〇的電阻。同樣地’在形成具有均勻厚度的第一電極2 〇之後，可形成一其比電阻較該透明電極更低且較佳的是呈透明或不透明的電極以形成不均勻表面20a。這顯著地減小了其亮度不均勻性。同時，減小了第一電極2 〇的電阻。馨如同前述修正型式，可使用其上很難形成凹凸結構的基板。修正型式3中，使用的無機EL裝置。亦即，可將上述實施例中的有機E L裝置2更換成一無機e L裝置。如第9 圖所示，無機EL裝置4包含支持在第一電極4〇與第二電極42之間由金屬製成且扮演著反射層角色的三-層結構式無機發光層41。該無機發光層41包含其主要成分爲諸如硫化鋅之類無機材料的含無機發光材料層4 1 2。該含無機馨發光材料包含層4 1 2係支持在一對由例如氧化矽製成的絕緣層4 1 1，4 1 3之間。在將大約2 0 0伏特之交流電壓加到電極4 0與4 2之間時，由含無機發光材料層4 1 2與各絕緣層 4 1 1，4 1 3之間界面發射出的電子會受到加速。這會激發該無機發光層4 1內的摻雜原子且因此產生光（電致發光）。然後光會透過透明電極4〇自裝置發射出去。修正型式4中，使用一稜鏡薄片。亦即如第1 〇圖所示 -29- 1260945 ，可在對應於有機發光層2 1之光粹取側的一側設置一稜鏡薄片5。稜鏡薄片5的數目可以是兩個或更多個。如上所述，本實施例的有機EL設備可根據其不均勻表面的算術平均斜率△ a提高特定方向的亮度。因此，假如在光粹取側上設置一個或更多個能將沿著特定方向發射之光的行進方向改變到光出射表面1 〇之垂線方向上的稜鏡薄片5，則可增加該光出射表面1 0之垂線方向或是設備之向前方向上的亮度。當然，該設備可設計成用以提高除了向前方向之外其他方向上的亮度。對稜鏡薄片5而言，可根據該有機EL設備的發光性選擇任何習知薄片。可利用任何習知方法或是習知構件將所選擇的稜鏡薄片5連接到該有機EL設備上。修正型式5中，係將該第一有機EL設備用作液晶顯示單元的背光。亦即，可將該第一有機EL設備用於照明系統〇該第一有機EL設備適合用作液晶顯示單元的背光（背光光源）。這是因爲，較之各習知有機E L設備，該第一有機E L設備可發射較大量額的光、具有較小的亮度不均勻性、較高的反射性質以及不具有如上所述的空間反射作用。因此，較之將習知有機EL設備用作液晶顯示單元之背光的情況’使用該第一有機EL設備當作背光可提高亮度、減小亮度不均句性且容許所顯示的內容在設備不發光時淸楚可見。假如如第1 1圖所示，可將該第一有機E L設備與習知 1260945 透射式或半透明的液晶顯示面板6 —起使用。該面板6的安排方式是使得其非顯示面6 1面向光出射表面1 〇。亦即 ’該面板6的安排方式是使得其顯示面6 1從液晶顯示單元外面可見的。當單元外面足夠亮時，可在不啓動該有機E L裝置2 下淸楚看見該液晶顯示面板6的顯示內容。當單元外面不夠亮時，可藉由啓動該有機EL裝置2看見該液晶顯示面板 6的顯示內容。依這種方式，以該第一有機EL設備當作背光的顯示單兀能夠在照明良好例如日光照射下的地方以及暗處例如房間內或是晚上淸楚地顯示內容。同時當有足夠外來光時，不需要啓動該有機EL裝置2。如是，較之具有背光的習知液晶顯示單元，本修正型式的顯示單元可減少電力消耗。修正型式6中’係將該第一有機EL設備結合於顯示器中。亦即’將該第一有機EL設備與習知有機EL裝置的驅動方法結合以形成顯示器。至於該有機EL裝置的驅動方法 ’可使用被動矩陣式系統或是主動矩陣式系統。

被動矩陣式系統中，使用的是一種利用掃瞄電極及信號電極的XY矩陣式電極結構。在用以形成該矩陣的每一個點上都連接有一個顯示裝置（有機EL裝置2)。各有機EL 裝置2都是透過導線序列程式及啓動動作（發光）加以驅動的。主動矩陣式系統中，係爲每一個顯示裝置（有機EL裝置2)即爲每一個畫素或子畫素設置有一切換裝置（開關）及 1260945 一保持裝置。各顯示裝置（有機E L裝置2)係設置在各掃瞄電極及信號電極的矩陣交點上。較佳的是以薄膜電晶體 (TFT)當作開關。修正型式7中，改變了光粹取側。亦即，該第一有機 EL設備並不受限於底部放射型式。可將該第一有機EL設備建造成可從除了底部之外的一側發光。例如，當應用在頂部放射型有機EL設備上時，基板1 及第一電極2 0不需要是透明的。此例中，可令第二電極 22是透明的，以致由有機發光層2 1產生的光可透過該第二電極22從設備射出。假如以反射性電極當作第一電極 2 〇或者假如在該有機發光層2 1上與光粹取側相對的一側上設置一反射板，則該有機發光層2 1朝第一電極2 0發射之所有或是部分的光會透過該第二電極2 2從設備射出。現在將要說明第二有機EL設備。除了以下各點之外，可依與第一有機EL設備相同的方式建造第二有機EL設備。同時，可依與第一有機EL設備相同的方式製作第二有機EL設備的各修正型式。 g亥弟一有機EL設備含有一入射表面11及一有機EL 裝置2。該入射表面1 1的均方根斜率△ q係落在4 ° △ q S 3 5 °的範圍內。該有機e L裝置2係沿著該入射表面1 1 形成的。該有機EL裝置2的每一層都是彎曲的以順應該入射表面1 1上所形成的各凹凸結構。此外，當該有機EL裝置2係建造具有反射功能時較佳的是使其均方根斜率△ q係落在4。g △ q ‘ 2 〇 °的範圍內。 -32- 1260945 該均方根斜率△ q係詳述於J1 s b ο6 〇丨-〗9 9 *文件中。該均方根斜率△q係依下列方式計算得的。首先，沿著平均線將量測曲線分成長度各爲△x的區段。然後，取得每一個區段上用以連接該區段之起始點及終點的線段之傾斜角度旅取其平方。之後’ §十算該平方値的平均値。最後，計算該平均値的平方根以取得該均方根斜率△ q。亦即，係利用下列方程式計算出該均方根斜率△ q : ；7-1 AYi ΔΧ / tan' 1 Δ^=

V 該第二有機E L設備的入射表面1 1係因列舉如上的相同理由設計成滿足要求（a)或（b)。依上述方式設計的第二有機EL設備可提供與弟一有機EL設備相同的優點。此外’如上所述可於中間層3上或是第一電極2 〇上形成各凹凸結構。本發明的發明人係透過以下各實例及比較用實例找出上述數値用於有機EL設備的最佳範圍。於各實例及比較用實例中，係在從大於〇。上達4 〇。的範圍內改變入射表面1 1的均方根斜率△ q下製作各有機E L 設備。其他包含材料、薄膜厚度及配方之類條件則是與第一有機E L設備完全相同的。 [評估4] 以相同的電流加到所形成的每一個有機E L設備上，並以壳度計量測由每一個光出射表面所發射之光的總量額。第1 2圖的曲線顯示的是其入射表面n之均方根斜率△ ^ -33- 1260945 與每一個有機EL設備之亮度間的關係。其亮度係表爲一比値（亮度比）形成亦即該亮度與具有依上述方式形成之有機 EL裝置2但是在入射表面1 1上不含任何凹凸結構的有機 E L設備之亮度的比値。參考用有機e l設備的亮度係繪製於其均方根斜率△ q等於0。的位置上。本發明的發明人係從第1 2圖的實驗結果發現，假如其 △ q等於或大於4 °則透過光出射表面1 〇出射的光量額會大於具有平坦入射表面之習知有機EL設備的出射光量額。 [評估5] φ 在未啓動有機EL裝置2進行發光下，以來自位置落在從光出射表面1 0之垂線偏移了 3 0。角方向上之光源的光照射每一個有機EL設備，並以亮度計量測該光出射表面1 〇之垂線方向上的光亮度或是該光出射表面〗〇之垂線方向上之反射光売度。第1 3圖的曲線顯示的是其入射表面1 1 之均方根斜率△ q與該光出射表面1 〇之垂線方向上的反射光売度之間的關係。其亮度係表爲一比値（亮度比）形式亦即該亮度與具有依上述方式形成之有機EL裝置2但是在入鲁射表面1 1上不含任何凹凸結構的有機EL設備之亮度的比値。如同上述實施例，參考用有機EL設備的亮度係繪製於其均方根斜率△ q等於0。的位置上。本發明的發明人係從第1 3圖的實驗結果發現，假如其均方根斜率△ q落在4。$ △ q $ 2 0。的範圍內則該光出射表面之垂線方向上的反射光亮度與30。角之入射光亮度的比値不會小於具有平坦入射表面之習知有機EL設備之亮 -34- 1260945 度比値的1 . 5倍。亦即，本發明的發明人發現較之△ a小於 4 °或大於2 0 °的情況，本發明可顯著地增加反射光的亮度比値。本發明的發明人也發現，假如其均方根斜率△ q落在 0 ° △ q S 4 0 °的範圍內則於3 0 °角之入射光中在該光出射表面1 〇之垂線方向上的反射光量額會大於未於入射表面1 i 上形成任何凹凸結構情況下這個方向上的反射光量額。此外，本發明的發明人發現不像在入射表面1 1上不含任何凹凸結構的習知有機EL設備，本發明的有機EL設備不致在其均方根斜率Aq落在〇°SAqS40°之範圍內時出現任何空間反射作用。本發明的發明人發現，假如係以來自位置落在從光出射表面1 0之垂線偏移了範圍落在從2 0 °到4 0 °角度方向上之光源的定常光進行照射也能獲致相同的優點。 [評估6] 此外，在將△ q改變爲4 0°、4 5 °及5 0 °下依上述相同的方式形成具有一有機EL裝置2的三個有機EL設備。在啓動時能以視覺在這些有機EL設備中觀測到亮度的不均勻性。另一方面，在其△ q落在〇 ° $ △ q $ 3 5 °的範圍內的有機EL設備中，並未在啓動發光時以視覺觀測到任何亮度不均勻性。本發明的發明人認定上述結果係由下列事實造成的，假如入射表面1 1的△ q大於3 5 °，則很難在基板1的整個表面上形成具有均勻厚度的有機EL裝置2特別是具有均勻 -35- 1260945 厚度的有機發光層2]。從上述評估可淸楚地看出，該第二有機EL設備可提供與第一有機EL設備相同的優點。現在將要說明第三有機EL設備。除了以下各點之外，可依與第一有機EL設備相同的方式建造第三有機E L設備。同時，可依與第一有機£ l設備相同的方式製作第三有機EL設備的各修正型式。該第三有機EL設備具有形成於入射表面1 1上的各凹凸結構且其特徵爲滿足下列要求（i)。 (i) 該不均勻表面的算術平均粗糙度Ra與各凹凸結構間之平均間隔Sm的比例Ra/Sm係落在〇.〇〇8SRa/Smg〇.〇9 的範圍內。爲了改良該有機E L設備的反射性質使之具有偏好位準，較佳的是使該入射表面1 1的設計滿足下列要求（ii)而不是要求（i)。 (ii) 該不均勻表面的算術平均粗糙度Ra與各凹凸結構間之平均間隔S m的比例R a/ S m係落在〇 . 〇〇 8 S R a/ S m S 0.0 3 的範圍內。該算術平均粗糙度Ra係詳述於：HS B 060 1 - 1 994文件中。該算術平均粗糙度Ra係依下列方式計算得的。首先，沿著平均線將量測曲線分割成長度各爲L的區段。然後，取得平均線上所選擇區段之偏移量f( X )的絕對値。之後，計算所取得絕對値的平均値並且以微米來表示。亦即，係利用下列方程式計算出該算術平均粗糙度Ra: -36- 1260945

L J Q 無論使用的是要求（〇或（H)，該入射表面n都會滿足上述要求（a)或（b)。本發明的發明人係透過以各實例及比較用實例找出上述數値用於有機EL設備的最佳條件。以下各實例及比較用實例中，係在〇.〇〇8$Ra/Sm$0.10 的範圍內改變入射表面1 1的算術平均粗糙度r a與各凹凸結構之平均間隔Sm的比例Ra/Sm下製作各有機EL設備。同時’該入射表面1 1的建造方式是使其S或S m滿足要求 (a)或（b)。其他包含材料、薄膜厚度及配方之類條件則是完全相同的。以下將要說明於製作各實例及比較用實例之有機EL設備的方法。當形成各實.例及比較用實例之有機EL 設備時，首先形成該入射表面1 1。然後以粗糙計量測該入射表面1 1的算術平均粗糙度Ra與各凹凸結構間之平均間隔S m。然後於該入射表面1 1形成第一電極2 〇 [評估1 1] 以相同的電流加到所形成的每一個有機EL設備上，並以亮度計量測由每一個光出射表面所發射之光的總量額。第1 4圖的曲線顯示的是其入射表面1 1之比例Ra/Sm與每一個有機EL設備之亮度間的關係。其亮度係表爲一比値 (亮度比）形式亦即該亮度與具有依上述方式形成之有機EL 裝置但是在入射表面1 1上不含任何凹凸結構的有機EL設備之亮度的比値。本發明的發明人係從第1 4圖的實驗結果發現，假如其 -37- 1260945 比例Ra/Sm等於或大於〇.〇〇8則透過光出射表面1 〇出射的光量額會大於具有平坦入射表面之習知有機E L設備的出射光量額。換句話說’本發明的發明人發現只要在入射表面上設置凹凸結構，便能造成透過光出射表面1 〇出射的光量額比習知有機EL設備更少。 [評估1 2 ] 在未啓動有機EL裝置2進行發光下，以來自位置落在從光出射表面1 〇之垂線偏移了 3 0 °角方向上之光源的光照 φ 射每一個有機E L設備。亦即，以3 0 °角的入射光照射每一個有機EL設備，並以亮度計量測該光出射表面1 〇之垂線方向上的光売度或是該光出射表面10之垂線方向上的反射光亮度。第1 5圖的曲線顯示的是其入射表面11之比例 Ra/Sm與該光出射表面之垂線方向上的反射光亮度之間的關係。其亮度係表爲一比値（亮度比）形式亦即該亮度與具有依上述方式形成之有機EL裝置但是在入射表面11上不含任何凹凸結構的有機EL設備之亮度的比値。 · 本發明的發明人係從第1 5圖的實驗結果發現，假如其比例Ra/Sm落在0.008 S Ra/Sm S 0.03的範圍內則該光出射表面10之垂線方向上的反射光亮度與30°角之入射光亮度的比値不會小於具有平坦入射表面之習知有機EL設備之亮度比値的1 .8倍。亦即，本發明的發明人發現較之Ra/Sm 小於0.0 0 8或大於〇 . 〇 3的情況，本發明可顯著地增加反射光的亮度比値。 -38- 1260945 本發明的發明人也發現’假如其比例R a / S m落在從〇上達〇 . 〇 9的範圍內則於3 Ο °角之入射光中在該光出射表面 1 〇之垂線方向上的反射光量額會大於未於入射表面1 1上形成任何凹凸結構情況下這個方向上的反射光量額。此外，本發明的發明人發現不像在入射表面1 1上不含任何凹凸結構的習知有機E L設備，本發明的有機E L設備不致在其比例Ra/Sm落在從0上達0.09之範圍內時出現任何空間反射作用。本發明的發明人發現，假如係以來自位置落在從光出射表面1 0之垂線偏移了範圍落在從2 0 °到4 0 °角度方向上之光源的定常光進行照射也能獲致相同的優點。 [評估13] 此外，在將比例R a/ S m改變爲〇 · 1 0、0 . 1 3及0 . 1 5下依上述相同的方式形成各具有一有機EL裝置2的三個有機 EL設備。在啓動時能以視覺在這些有機EL設備中觀測到亮度的不均勻性。另一方面，在其比例r a / S m落在0 . 〇〇 8 $ Ra/Sm$ 0.09的範圍內的有機EL設備中，並未在啓動發光時以視覺觀測到任何亮度不均勻性。本發明的發明人認定上述結果係由下列事實造成的，假ί如入射表面1 1的比例R a / S 1Ί1大於〇 . Q 9，則很難在基板1 的整個表面上形成具有均勻厚度的有機EL裝置2特別是具有均勻厚度的有機發光層2 1。亦即，由於該有機發光層2 1 具有厚的部分及薄的部分，而在薄的部分上的亮度會增高而造成了亮度的不均勻性。 -39- 1260945 同時’具有陡峭斜率亦即其比例Ra/Sm大於0.09的凹凸結構會產生其上未形成任何有機發光層2 1的部分而造成各電極2 0，2 2之間的漏泄現象。如所設計的第三有機EL設備實質上具有與第一有機 E L設備相同的優點。例如’當第三有機e L設備發光時相對於光出射表面1 〇沿著特定方向的亮度會高於其他方向的亮度。同時’已確認的是可藉由變更比例Ra/ S m改變該特定方向。此外’可於中間層3上或是第一電極2 0上形成各凹凸結構。現在將要說明第四有機EL設備。除了以下各點之外，可依與第一有機EL設備相同的方式建造第四有機EL設備。同時，可依與第一有機EL設備相同的方式製作第四有機 EL設備的各修正型式。第四有機EL設備的入射表面1 1滿足下列要求（iii)。該第四有機EL設備的有機EL裝置2係沿著入射表面Π 而形成。每一層有機EL裝置2係彎曲地順應形成在入射表面1 1上的各凹凸結構。 (iii)該不均勻表面的算術平均粗糙度Ra與各峰頂間之平均間隔S的比例Ra/S係落在0.00 9 S Ra/S $ 〇· 1 〇的範圍內。此外，當該第四有機EL設備建造成具有反射功能時’ 較佳的是該第四有機EL設備會滿足下列要求（iv)而不是要求（i i i) 〇 1260945 (iv)該不均勻表面的算術平均粗糙度Ra與各峰頂間之平均間隔s的比例R a / S係落在〇 . 〇〇 9 $ R a / S S 0.0 3的範圍內。無論使用的是要求（i1 i)或（i v ) ’該入射表面1 1都會滿足上述要求（a)或（b)。如所設計的第四有機EL設備實質上具有與第一有機 EL設備相同的優點。本發明的發明人係透過以下各實例及比較用實例找出上述數値用於有機EL設備的最佳範圍。以下各實例及比較用實例中，係在0.001SRa/SS0.15 的範圍內改變入射表面1 1的算術平均粗糙度Ra與各峰頂間之平均間隔S的比例Ra/s下製作各有機EL設備。其他包含材料、薄膜厚度及配方之類條件則是完全相同的。 [評估14]

以相同的電流加到所形成的每一個有機E L設備上，並以亮度計量測由每一個光出射表面1 〇所發射之光的總量額。第1 6圖的曲線顯示的是其入射表面1 1之比例Ra/S與每一個有機EL設備之亮度間的關係。其亮度係表爲一比値 (売度比）形式亦即該亮度與具有依上述方式形成之有機EL 裝置但是在入射表面1 1上不含任何凹凸結構的有機E L設備之亮度的比値。本發明的發明人係從第1 6圖的實驗結果發現，假如其比例Ra/S等於或大於〇·〇〇9則透過光出射表面1〇出射的光Μ額會大於具有平坦入射表面之習知有機e l設備的出 1260945 射光量額。換句話說’本發明的發明人發現只要在入射表面上設置凹凸結構，便能造成透過光出射表面1 〇出射的光量額比習知有機E L設備更少。 [評估1 5] 在未啓動有機EL裝置2進行發光下，以來自位置落在從光出射表面1 〇之垂線偏移了 3 0 °角方向上之光源的光照射每一個有機E L設備。亦即，以3 0 °角的入射光照射每一個有機E L設備，並以亮度計量測該光出射表面丨〇之垂線方向上的光亮度或是該光出射表面10之垂線方向上的反射光亮度。第1 7圖的曲線顯示的是其入射表面1 1之比例 Ra/S與該光出射表面10之垂線方向上的反射光亮度之間的關係。其亮度係表爲一比値（亮度比）形式亦即該亮度與具有依上述方式形成之有機EL裝置但是在入射表面π上不含任何凹凸結構的有機EL設備之亮度的比値。本發明的發明人係從第1 7圖的實驗結果發現，假如其比例Ra/S落在0.0 0 9 S Ra/S $ 0.03的範圍內則該光出射表面10之垂線方向上的反射光亮度與30°角之入射光亮度的比値不會小於具有平坦入射表面之習知有機E L設備之亮度比値的1 . 5倍。亦即，本發明的發明人發現較之Ra/S小於0 · 0 0 9或大於0 · 0 3的情況，本發明可顯著地增加反射光的亮度比値。本發明的發明人也發現，假如其比例Ra/S落在從〇上達0 . 1 0的範圍內則於3 0 °角之入射光中在該光出射表面j 〇 1260945 之垂線方向上的反射光量額會大於未於入射表面1 1上形成任何凹凸結構情況下這個方向上的反射光量額。此外，本發明的發明人發現不像在入射表面1 1上不含任何凹凸結構的習知有機E L設備，本發明的有機e L設備不致在其比例Ra/S落在從0上達0.10之範圍內時出現任何空間反射作用。本發明的發明人發現，假如係以來自位置落在從光出射表面1 0之垂線偏移了範圍落在從2 0 °到4 0。角度方向上之光源的定常光進行照射也能獲致相同的優點。 [評估16] 同時，在將比例Ra/S改變爲0.12、0.15及0.18下依上述相同的方式形成各具有一有機EL裝置2的三個有機 E L設備。在啓動時能以視覺在這些有機EL設備中觀測到亮度的不均勻性。另一方面，在其比例Ra/S落在0.009 $ Ra/S m $ 〇 · 1 〇的範圍內的有機EL設備中，並未在啓動發光時以視覺觀測到任何亮度不均勻性。本發明的發明人認定上述結果係由下列事實造成的，假如入射表面1 1的比例Ra/S大於0. 1 0，則很難在基板1 的整個表面上形成具有均勻厚度的有機EL裝置2特別是具有均勻厚度的有機發光層2 1。現在將要說明第五有機EL設備。除了以下各點之外，可依與第一有機EL設備相同的方式建造第五有機EL設備。同時，可依與第一有機EL設備相同的方式製作第五有機 EL設備的各修正型式。 -43- 1260945 第五有機E L設備的入射表面1 1滿足下列要求（v)。該第五有機EL設備的有機EL裝置2係沿著該入射表面i j 形成的。該有機EL裝置2的每一層都是彎曲地以順應該入射表面1 1上所形成的各凹凸結構。 (v) 該不均勻表面不規則度之1 0 -點高度R z與各凹凸結構之平均間隔Sm的比例Rz/Sm係落在0.05$ Rz/Smg 〇.22 的範圍內。此外，當該第五有機EL設備建造成具有反射功能時，較佳的是該第五有機EL設備會滿足下列要求（vi)而不是要求（v)。 (vi) 該不均勻表面不規則度之10-點高度Rz與各凹凸結構之平均間隔Sm的比例Rz/Sm係落在0.05 S Rz/Smg 0 . 1 4的範圍內。該不規則度之10-點高度Rz係詳述於：HS B 0 6 0 1 - 1 994 文件中。該不規則度之1 〇 -點高度Rz係依下列方式計算得的。首先，沿著平均線的延伸方向自粗糙度曲線選出對應於參考長度L的區段。然後，計算平均線上五個最高峰頂 Ypl-Yp5的平均高度及平均線上五個最深谷底Yvl-Yv5的平均深度。該不規則度之1 〇 -點高度R z係藉由計算各平均値的總和並以微米爲單位表出。亦即，係利用下列方程式計算出該不規則度之10-點高度Rz : d \Yp\ + Yp2 + Yp3 + Υρ4 + Υρ5\ + \Υν\ + Υν2 + Υν3 + Υν4 + 7ν5| L— 5 ' ~ 無論使用的是要求（V)或（Vi)，該入射表面1 1都會滿足 1260945 上述要求（a)或（b)。如所設計的第五有機EL設備實質上具有與第一有機 EL設備相同的優點。本發明的發明人係透過以下各實例及比較用實例找出上述數値用於有機EL設備的最佳範圍。

以下各貫例及比較用實例中，係在0.001 S Rz/SmS 0.30 的範圍內改變入射表面丨丨的不規則度之1 〇_點高度與各凹凸結構之平均間隔Sm的比例Rz/Sm下製作各有機EL 設備。其他包含材料、薄膜厚度及配方之類條件則是完全相同的。 [評估17] 以相同的電流加到所形成的每一個有機EL設備上，並以亮度計量測由每一個光出射表面所發射之光的總量額。第1 8圖的曲線顯示的是其入射表面n之比例r z / s❿與每一個有機EL設備之亮度間的關係。其亮度係表爲一比値 (亮度比）形式亦即該亮度與具有依上述方式形成之有機EL 裝置但是在入射表面1 1上不含任何凹凸結構的有機EL設備之亮度的比値。本發明的發明人係從第1 8圖的實驗結果發現，假如其比例Rz/Sm等於或大於0.05則透過光出射表面10出射的光量額會大於具有平坦入射表面之習知有機E L設備的出射光量額。 [評估18] 在未啓動有機EL裝置2進行發光下，以來自位置落在 -45- 1260945 從光出射表面1 0之垂線偏移了 3 0 °角方向上之光源的光照射每一個有機EL設備，並以亮度計量測該光出射表面1 〇之垂線方向上的光亮度或是該光出射表面1 0之垂線方向上的反射光亮度。第1 9圖的曲線顯示的是其入射表面1 1 之比例R z / S m與該光出射表面1 0之垂線方向上的反射光亮度之間的關係。其亮度係表爲一比値（亮度比）形式亦即該亮度與具有依上述方式形成之有機EL裝置但是在入射表面1 1上不含任何凹凸結構的有機EL設備之亮度的比値。本發明的發明人係從第1 9圖的實驗結果發現，假如其比例Rz/Sm落在0.05 S Rz/Sm S 0. 1 4的範圍內則該光出射表面10之垂線方向上的反射光亮度與30°角之入射光亮度的比値不會小於具有平坦入射表面之習知有機EL設備之亮度比値的1 .5倍。亦即，本發明的發明人發現較之Rz/Sm 小於〇 . 〇 5或大於0 · 1 4的情況，本發明可顯著地增加反射光的亮度比値。本發明的發明人也發現，假如其比例Rz/Sm落在從0 上達0 · 2 2的範圍內則於3 0 °角之入射光中在該光出射表面 1 〇之垂線方向上的反射光量額會大於未於入射表面1 1上形成任何凹凸結構情況下這個方向上的反射光量額。此外，本發明的發明人發現不像在入射表面1 1上不含任何凹凸結構的習知有機EL設備，本發明的有機EL設備不致在其比例Rz/Sm落在從〇上達0.22之範圍內時出現任何空間反射作用。本發明的發明人發現，假如係以來自位置落在從光出 -46- 1260945 射表面1 0之垂線偏移了範圍落在從2 0。到4 〇。角度方向上之光源的定常光進行照射也能獲致相同的優點。 [評估1 9 ] 此外，在將比例Rz/Sm改變爲0·03、〇·〇4及〇·〇5下依上述相同的方式形成各具有一有機EL裝置2的三個有機 EL設備。在啓動時能以視覺在這些有機EL設備中觀測到亮度的不均勻性。另一方面，在其比例Rz/Sm落在〇〇5$ Rz/Sm $ 〇 · 2 2的範圍內的有機EL設備中，並未在啓動發光時以視覺觀測到任何亮度不均勻性。 φ 本發明的發明人認定上述結果係由下列事實造成的，假如入射表面1 1的比例Rz/Sm大於0.22，則很難在基板1 的整個表面上形成具有均勻厚度的有機EL裝置2特別是具有均勻厚度的有機發光層2 1。現在將要說明第六有機EL設備。除了以下各點之外，可依與第一有機EL設備相同的方式建造第六有機EL設備。同時，可依與第一有機EL設備相同的方式製作第六有機 EL設備的各修正型式。 _ 第六有機EL設備具有形成於入射表面1 1上的各凹凸結構且其特徵爲滿足下列要求（vi丨）。該第六有機EL設備之有機EL裝置2係沿著該入射表面1 1形成的。該有機EL 裝置2的每一層都是彎曲地順應該入射表面1 1上所形成的各凹凸結構。 (vii)該不均勻表面不規則度之10-點高度Rz與各峰頂間之平均間隔S的比例Rz/S係落在0.05 $ Rz/S S 0.25的範 -47- 1260945 圍內。此外，當該第六有機EL設備建造成具有反射功能時，較佳的是該第六有機EL設備會滿足下列要求（viii)而不是要求〇 i)。 (v i i i)該不均勻表面不規則度之！〇 -點高度R z與各峰頂間之平均間隔S的比例R z / S係落在〇 . 〇 4 8 S R z / S S 0 · 1 2的範圍內。無論使用的是要求（vii)或（viii)，該入射表面11都會滿足上述要求（a)或（b)。如所設計的第六有機E L設備實質上具有與第一有機 EL設備相同的優點。本發明的發明人係透過以下各實例及比較用實例找出上述數値用於有機EL設備的最佳範圍。以下各實例及比較用實例中，係在0.001 S Rz/S S 0.03 的範圍內改變入射表面1 1的不規則度之1 0 -點高度Rz與各峰頂間之平均間隔S的比例Rz/S下製作各有機EL設備。其他包含材料、薄膜厚度及配方之類條件如同各實例及比較用實例則是完全相同的。 [評估20] 以相同的電流加到所形成的每一個有機EL設備上，並以亮度計量測由每一個光出射表面所發射之光的總量額。第2 0圖的曲線顯示的是其入射表面1 1之比例r z / s與每一個有機EL設備之亮度間的關係。其亮度係表爲一比値（亮度比）形式亦即該亮度與具有依上述方式形成之有機EL裝 -48- 1260945 置2但是在入射表面u上不含任何凹凸結構的有機£ L設備之亮度的比値。本發明的發明人係從第2 0圖的實驗結果發現，假如其比例Rz/ S等於或大於0 〇 5則透過光出射表面1 〇出射的光量額會大於具有平坦入射表面之習知有機EL設備的出射光量額。 [評估21] 在未啓動有機EL裝置2進行發光下，以來自位置落在從光出射表面1 0之垂線偏移了 3 0。角方向上之光源的光照 φ 射母個有機E L設備’並以売度計量測該光出射表面1 〇之垂線方向上的光亮度或是該光出射表面1 〇之垂線方向上的反射光亮度。弟2 1圖的曲線顯不的是其入射表面1 1之比例r z / §與該光出射表面1 0之垂線方向上的反射光亮度之間的關係。其亮度係表爲一比値（亮度比）形式亦即該亮度與具有依上述方式形成之有機EL裝置但是在入射表面1 1上不含任何凹凸結構的有機EL設備之亮度的比値。 0 本發明的發明人係從第2 1圖的實驗結果發現，假如其比例Rz/S落在0.04 8 S Rz/SS 0.12的範圍內則該光出射表面1 〇之垂線方向上的反射光亮度與3 0 °角之入射光亮度的比値不會小於具有平坦入射表面之習知有機EL設備之亮度比値的1 . 5倍。亦即，本發明的發明人發現較之Rz/ s小於〇 · 04 8或大於0. 1 2的情況，本發明可顯著地增加反射光的売度比値。 -49- 1260945 本發明的發明人也發現，假如其比例Rz/s落在從0上達〇 . 2 5的範圍內則於3 0 °角之入射光中在該光出射表面1 0 之垂線方向上的反射光量額會大於未於入射表面1 1上形成任何凹凸結構情況下這個方向上的反射光量額。此外，本發明的發明人發現不像在入射表面1 1上不含任何凹凸結構的習知有機EL設備，本發明的有機EL設備不致在其比例Rz/S落在從0上達0.25之範圍內時出現任何空間反射作用。本發明的發明人發現，假如係以來自位置落在從光出射表面1 0之垂線偏移了範圍落在從2 0 °到4 0 °角度方向上之光源的定常光進行照射也能獲致相同的優點。 [評估22] 此外，在將比例R Z / S改變爲0.3 0、0.3 5及0 · 4 0下依上述相同的方式形成各具有一有機EL裝置2的三個有機 E L設備。在啓動時能以視覺在這些有機E L設備中觀測到亮度的不均勻性。另一方面，在其比例Rz/S落在〇.〇5^Rz/S S 0 · 2 5的範圍內的有機E L設備中，並未在啓動時以視覺觀測到任何亮度不均勻性。本發明的發明人認定上述結果係由下列事實造成的，假如入射表面1 1的比例Rz/ S大於〇. 2 5，則很難在基板！的整個表面上形成具有均勻厚度的有機E L裝置2特別是具有均勻厚度的有機發光層2 1。本發明中所說明的各實例及比較用實例僅供展示而非限制的’且本發明並不受限於此中給出的詳細說明，而是 -50- 1260945 可在不偏離本發明所附申請專利範圍之架構及等效項目下作各種修正。 (五）圖式簡單說明本發明連同其目的及優點將會因爲以下參照各附圖對各較佳實施例的說明而獲致最好的理解。第1圖係用以顯示一種根據本發明第一實施例之有機 EL設備的截面圖示。第2圖係用以顯不該第有機E L設備實例及一比較用實例中，其亮度與算術平均斜率△ a之關係的曲線圖。第3圖係用以顯示該第一有機EL設備實例及一比較用實例中，當光從落在自光出射表面之垂線偏移了 3 0 °角方向上的位置進行照射時，沿著光出射表面之垂線方向之光的亮度與其算術平均斜率△ a之關係的曲線圖。第4 (a)圖到第4(c)圖係用以顯示一種用於如第1圖所示之第一有機EL設備之形成方法的截面圖示。第5圖係用以顯示如第1圖所示第一有機EL設備之一種修正型式的截面圖示。第6(a)圖到第6(c)圖係用以顯示一種用於如第5圖所示之有機EL設備之形成方法的截面圖示。第7圖係用以顯示如第1圖所示之第一有機EL設備之另一種修正型式的截面圖不。第8 (a)圖到第8(c)圖係用以顯示一種用於如第7圖所示之有機E L設備之形成方法的截面圖示。第9圖係用以顯示一種應用該第一有機EL設備結構之 -51- 1260945 有機EL設備實例的截面圖示。第1 0圖係用以顯示一種設備（照明系統或顯示器）的截面圖示，其中係將一稜鏡薄片5設置於該第一有機EL 5又備的光粹取側上以提高光在特定方向上的亮度。第1 1圖係用以顯示一種以該第一有機E L設備當作背光之液晶顯示單元的截面圖示。第]2圖係用以顯示該第二有機EL設備實例及一比較用實例中，其亮度與均方根斜率△ q之關係的曲線圖。第1 3圖係用以顯示該第二有機EL設備實例及一比較馨用實例中，其如第3圖所示之反射光亮度與均方根斜率A q 之關係的曲線圖。第1 4圖係用以顯示第三有機E L設備中，其粹取光量額與Ra/Sm比例之關係的曲線圖。第1 5圖係用以顯示第三有機EL設備中，其如第3圖所示之反射光亮度與Ra/Sm比例之關係的曲線_。第1 6圖係用以顯示第四有機E L設備中，其粹取光量額與Ra/S比例之關係的曲線圖。 φ 第1 7圖係用以顯示第四有機E L設備中，其如第3圖所示之反射光亮度與Ra/S比例之關係的曲線陶。第1 8圖係用以顯示第五有機EL設備中，其粹取光量額與Rz/Sm比例之關係的曲線圖。第1 9圖係用以顯示第五有機EL設備中，其如第3圖所示之反射光亮度與Rz/Sm比例之關係的曲線陶。第2 0圖係用以顯示第六有機EL設備中，其粹取光量 -52- 1260945 額與Rz/S比例之關係的曲線圖。第2 1圖係用以顯示第六有機EL設備中，其如第3圖所示之反射光亮度與Rz/ S比例之關係的曲線圖。第22圖係用以顯示一種習知底部放射型有機EL設備及其缺點的截面圖示。第23(a)圖和第23(b)圖係用以解釋一種習知有機EL 設備之缺點的截面圖示，其中係於基板1 0 0的入射表面上形成有凹凸結構。第24圖係用以解釋一種以有機EL設備當作背光之液晶顯示單元情況下之缺點的截面圖示。主要元件符號說明

1 基板 1 ' 平板狀透明基板 2 有機EL裝置 3 中間層 3, 透明中間層 4 無機EL裝置 5 稜鏡薄片 6 透光或半透明液晶顯 8 液晶顯不單元 9 光源 10 光出射表面 11 光入射表面 20 第一電極示面板 -53- 1260945 20' 透明的第 —* 電極 20a 非均勻表面 2 1 有機發光層 22 第二電極 3 0 非均勻表面 40 第 — 電極 4 1 te j \ \\ 機發光層 42 第二電極 60 顯示面 6 1 非顯示面 100 透明基板 20 1 第一電極 2 11 發光層 22 1 第二電極 411,413 絕緣層 4 12 含姐機發光材料的層 A 光出射表面 A 1 反射光材料 h4，h5 光線

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Claims

1260945 十、申請專利範圍： 1 . 一種發光設備，包含一基板以及一設置於該基板上的發光裝置，該設備的特徵爲：該裝置包含一落在各電極之間的發光層，於該基板之形成有發光裝置的面上形成具有複數個凹凸結構的不均勻表面，各相鄰凹凸結構之間的平均間隔s m或是凹凸結構之各相鄰突起峰頂間的事均間隔S，都不會小於由發光層產生光之最長波長的三倍且不會大於該最長波長的兩百倍，其中至少滿足下列要求（i)到（vi)之一： (i)該不均勻表面的算術平均斜率△ a係落在4。 3 0 °的範圍內； (Π)該不均勻表面的均方根斜率Aq係落在 3 5 °的範圍內； (iii)該不均勻表面的算術平均粗糙度Ra與各凹凸結構間之平均間隔S m的比例R a / s m係落在〇 . 〇〇 8 $ R a / S m S 0.0 9的範圍內； (i v)該不均勻表面的算術平均粗糙度r a與各凹凸結構峰頂間之平均間隔S的比例R a / S係落在〇 . 〇〇 9 $ R a / S S 〇 . 1 0的範圍內； (v) 該不均勻表面不規則度之10-點高度Rz與各凹凸結構間之平均間隔S m的比例R z / S m係落在〇 . 〇 5 g R z / S m ^ 0 · 2 2的範圍內；及 (vi) 該不均勻表面不規則度之1〇_點高度與各凹凸結構峰頂間之平均間隔S的比例rz/s係落在〇.05 $ -55- 1260945 Rz/S^ 0.25的範圍內。 2 . —種發光設備，包含一基板、一設置於該基板上的中間層以及設置於該中間層上的發光裝置，該設備的特徵爲 :該裝置包含一落在各電極之間的發光層，於該基板之形成有發光裝置的面上形成具有複數個凹凸結構的不均勻表面，各相鄰凹凸結構之間的平均間隔S m或是凹凸結構之各相鄰突起峰頂間的平均間隔S，都不會小於由發光層產生光之最長波長的三倍且不會大於該最長波長的兩百倍，其中至少滿足下列要求（i)到（vi)之一： (i) 該不均勻表面的算術平均斜率△ a係落在4° S 3 0 °的範圍內； (i i)該不均勻表面的均方根斜率△ q係落在4 ° S △ q $ 3 5 °的範圍內； (iii) 該不均勻表面的算術平均粗糙度Ra與各凹凸結構間之平均間隔S m的比例R a / S m係落在0.0 0 8 S R a / S m S 0.0 9的範圍內； (iv) 該不均勻表面的算術平均粗糙度Ra與各凹凸結構峰頂間之平均間隔S的比例Ra/S係落在0.0 09 S Ra/S $ 0 . 1 0的範圍內； (V)該不均勻表面不規則度之10-點高度Rz與各凹凸結構間之平均間隔Sm的比例Rz/Sm係落在〇.〇5 $ Rz/ S m € 0.2 2的範圍內；及 (vi)該不均勻表面不規則度之1 點高度Rz與各凹凸結構峰頂間之平均間隔S的比例Rz/S係落在〇 . 〇 5 $ 1260945 R z / S S 0.2 5的範圍內。 J .〜種發光設備，包含一基板以及一設置於該基板上的發光裝置，該設備的特徵爲：該裝置包含一落在各電極之間的發光層，其中較靠近基板之電極上具有一面向發光層的面且係一形成有複數個凹凸結構的不均勻表面，各相鄰凹凸結構之間的平均間隔S m或是凹凸結構之各相鄰突起峰頂間的平均間隔S，都不會小於由發光層產生光之最長波長的三倍且不會大於該最長波長的兩百倍，其中至少滿足下列要求（i)到（vi)之一： (i) 該不均勻表面的算術平均斜率△ a係落在4。ag 3 0 °的範圍內； (ii) 該不均勻表面的均方根斜率△ q係落在4° S △ qS 3 5 °的範圍內； (iii) 該不均勻表面的算術平均粗糙度Ra與各凹凸結構間之平均間隔Sm的比例Ra/Sm係落在0.0 0 8 SRa/Sm $ 0.0 9的範圍內； (iv) 該不均勻表面的算術平均粗糙度Ra與各凹凸結構峰頂間之平均間隔S的比例Ra/S係落在0.009 S Ra/S $ 0 . 1 0的範圍內； (V)該不均勻表面不規則度之10-點高度Rz與各凹凸結構間之平均間隔Sm的比例Rz/Sm係落在0.〇5 S Rz/ S m $ 〇 . 2 2的範圍內；及 (vi)該不均勻表面不規則度之10_點高度Rz與各凹凸結構峰頂間之平均間隔S的比例Rz/S係落在0.05 $ -57- 1260945 Rz/SS〇.25的範圍內。 4 · 一種發光設備，包含一基板以及一設置於該基板上的發光裝置，該設備的特徵爲：該裝置包含一落在各電極之間的發光層’該發光層具有落在面向基板一側上的第一面以及與該第一面相對的第二面，其中該第一面及第二面各是一形成具有複數個凹凸結構的不均勻表面’該第一面上的各突起都對應到該第二面上的各凹陷且該第一面上的各凹陷都對應到該第二面上的各突起，各相鄰凹凸結構之間的平均間隔S m或是凹凸結構之各相鄰突起峰頂間的平均間隔S，都不會小於由發光層產生光之最長波長的三倍且不會大於該最長波長的兩百倍，其中至少滿足下列要求（0到（vi)之一： (i) 該不均勻表面的算術平均斜率△ a係落在4° $ △ aS 3 0 °的範圍內； (i i)該不均勻表面的均方根斜率△ q係落在4 ° △ q $ 3 5 °的範圍內； (i i i)該不均勻表面的算術平均粗糙度Ra與各凹凸結構間之平均間隔S m的比例R a / S m係落在0.0 0 8 S R a / S m $ 〇 · 〇 9的範圍內； (iv) 該不均勻表面的算術平均粗糙度Ra與各凹凸結構峰頂間之平均間隔S的比例Ra/S係落在0.009 $ Ra/S S 0. 1 0的範圍內； (v) 該不均勻表面不規則度之10_點高度與各凹凸結構間之平均間隔Sm的比例Rz/Sm係落在〇.〇5 S Rz/ -58- 1260945 Sm$ 0.22的範圍內；及 (vi)該不均勻表面不規則度之ι〇-點高度rz與各凹凸結構峰頂間之平均間隔S的比例Rz/ S係落在0 . 〇 5 g Rz/S$〇.25的範圍內。 5 ·如申請專利範圍第1至4項中任一項之設備，其中至少滿足了要求（i)。 6 .如申請專利範圍第1至4項中任一項之設備，其中至少滿足了要求（i i)。 7 ·如申請專利範圍第1至4項中任一項之設備，其中至少滿足了要求（iii)。 8 ·如申請專利範圍第1至4項中任一項之設備，其中至少滿足了要求（iv)。 9 ·如申請專利範圍第1至4項中任一項之設備，其中至少滿足了要求（v)。 1 〇 ·如申請專利範圍第1至4項中任一項之設備，其中至少滿足了要求（vi)。 1 1 ·如申請專利範圍第1或2項之設備，其中該發光裝置係沿著不均勻表面呈彎曲的。 1 2 .如申請專利範圍桌1 1項之設備，其中該發光層具有落在面向基板一側上的第一面以及與該第一面相對的第二面，其中該第一面及第二面都是沿著該不均勻表面呈彎曲的，而該第一面上的各突起都對應到該第二面上的各凹陷且該第一面上的各凹陷都對應到該第二面上的各突起。 1 3 ·如申請專利範圍第1 1項之設備，其中所形成的各電極以 -59- 1260945 及該發光層都具有定常的厚度。 1 4 ·如申請專利範圍第3或4項之設備，其中該發光層係沿著該不均勻表面呈彎曲的。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之設備，其中該發光層具有落在面向基板一側上的第一面以及與該第一面相對的第二面，其中該第一面及第二面都是沿著該不均勻表面呈彎曲的，而該第一面上的各突起都對應到該第二面上的各凹陷且該第一面上的各凹陷都對應到該第二面上的各突起。 1 6 .如申請專利範圍第1 4項之設備，其中所形成的各電極中與基板相對的一個電極以及該發光層都具有定常的厚度〇 i 7 .如申請專利範圍第1至4項中任一項之設備，其中將稜鏡薄片設置於用以粹取由該發光層產生之光的一側。 1 8 .如申請專利範圍第1至4項中任一項之設備，其中該發光裝置指的是一種有機電致發光（EL)裝置。 1 9 . 一種用於製造具有發光層之發光設備的方法，其特徵爲：準備一基板；於該基板的一面上形成具有複數個凹凸結構的不均勻表面，其中各相鄰凹凸結構之間的平均間隔Sm或是凹凸結構之各相鄰突起峰頂間的平均間隔S，都不會小於由發光層產生光之最長波長的三倍且不會大於該最長波長的兩百倍，其中至少滿足下列要求（i)到（v i)之一： (i) 該不均勻表面的算術平均斜率△ a係落在4° -60· 1260945 3 0 °的範圍內； (1 i)該不均勻表面的均方根斜率△ q係落在4 ° s △ q s 3 5 °的範圍內； (Hi)該不均勻表面的算術平均粗糙度Ra與各凹凸結構間之平均間隔S m的比例R a / S m係落在0 · 0 〇 8 S R a / S m S 0.0 9的範圍內； (iv) 該不均勻表面的算術平均粗糙度Ra與各凹凸結構峰頂間之平均間隔S的比例Ra/S係落在0.009 S Ra/S S 0 . 1 0的範圍內； (v) 該不均勻表面不規則度之10-點高度Rz與各凹凸結構間之平均間隔Sm的比例Rz/Sm係落在〇.〇5 $ Rz/ S m $ 0.2 2的範圍內；及 (v i)該不均勻表面不規則度之1 0 -點筒度R z與各凹凸結構峰頂間之平均間隔S的比例Rz/S係落在〇.〇5 $ R z / S $ 0.2 5的範圍內；於該不均勻表面上形成具有發光層之發光裝置以及一對電極令該發光層座落其間使得該發光裝置係沿著該不均勻表面呈彎曲的。 20. —種用於製造具有發光層之發光設備的方法，其特徵爲：準備一基板；於基板上形成一中間層；於該中間層的一面上形成具有複數個凹凸結構的不均勻表面，其中各相鄰凹凸結構之間的平均間隔Sm或是凹凸結構之各相鄰突起峰頂間的平均間隔S，都不會小 -61- 1260945 於由發光層產生光之最長波長的三倍旦不會大於該最長波長的兩百倍，其中至少滿足下列要求（i)到（^)之一： (i)該不均勻表面的算術平均斜率△ a係落在4。$ △ a $ 3 〇 °的範圍內； (11)該不均勻表面的均方根斜率△ q係落在4。S △ q $ 3 5 °的範圍內； (iii) 該不均勻表面的算術平均粗糙度Ra與各凹凸結構間之平均間隔S m的比例R a / s m係落在0.0 0 8 S R a / S m $ 〇 · 〇 9的範圍內； (iv) 該不均勻表面的算術平均粗糙度Ra與各凹凸結構峰頂間之平均間隔S的比例Ra/S係落在0.00 9 g Ra/S S 0 · 1 0的範圍內； (ν )該不均勻表面不規則度之1 〇 -點高度RZ與各凹凸結構間之平均間_ S m的比例R z / S m係落在0 . 〇 5 S R z / SmS0.22的範圍內；及 (vi)該不均勻表面不規則度之ίο-點高度rz與各凹凸結構峰頂間之平均間隔S的比例Rz/S係落在〇 . 〇 5 $ Rz/S ^ 0.25的範圍內；於該不均勻表面上形成具有發光層之發光裝置以及一對電極令該發光層座落其間使得該發光裝置係沿著該不均勻表面呈彎曲的。 21. —種用於製造具有發光層之發光設備的方法，其特徵爲：準備一基板；於基板上形成一第一電極；於該第一電極的一面上形成具有複數個凹凸結構的 -62 - 1260945 不均勻表面’其中各相鄰凹凸結構之間的平均間隔S m 或是凹凸結構之各相鄰突起峰頂間的平均間隔S，都不會小h由發光層產生光之最長波長的三倍且不會大於該最長波長的兩百倍，其中至少滿足下列要求⑴到（v i) 之一： (0 該不均勻表面的算術平均斜率△ a係落在4。S △ a S 3 0 °的範圍內； (i i)該不均勻表面的均方根斜率△ q係落在4。$ △ q S 3 5 °的範圍內； (iii) 該不均勻表面的算術平均粗糙度Ra與各凹凸結構間之平均間隔Sm的比例Ra/Sm係落在0.0 0 8 SRa/Sm $ 0.0 9的範圍內； (iv) 該不均勻表面的算術平均粗糙度Ra與各凹凸結構峰頂間之平均間隔S的比例Ra/S係落在0.009 S Ra/S $ 0 . 1 0的範圍內； (V)該不均勻表面不規則度之10-點高度RZ與各凹凸結構間之平均間隔Sm的比例Rz/Sm係落在〇.〇5 $ Rz/ 的範圍內；及 (v i)該不均勻表面不規則度之1 〇 -點高度R z與各凹凸結構峰頂間之平均間隔S的比例RZ/S係落在0.05 $ RZ/S $ 0.25的範圍內；於該不均勻表面上形成該發光層使得該發光層係沿著該不均勻表面呈_曲的；且於該發光層上形成一第二電極使得該發光層座落在該第一電極與第二電極之間，因此形成一發光裝置。 -63-