TWI252619B - Semiconductor laser device - Google Patents

Description

1252619 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種半導體雷射裝置。 【先前技術】 近年來，隨著個人電腦及多媒體機器之高性 為處理對象之資訊量也顯著增加。隨著資訊量之增力口，’ 開發了對應大容量化及資訊處理的 ^ 及其驅動裝置。 尤子。己錄媒體 尤其是在可對光學記錄媒體進行讀寫之 CD一R(C⑽pact DlskRec〇rdable’可記 動口。 M〇(m_eto0ptlcalDlsk: =.犯動益、 v 兹九磲）驅動為、DVD(Digital 動穿置中6 1S .數位影音光碟)驅動器等光學記錄媒體驅 力裒置中，已使用半導體雷射裝置。 發井：：广本專利特開2〇° "3°5。2號公報所揭示之 置中，於支持半導體雷射元件之支持體上設置有具 ^性之複數隻針腳（ριη)。該複數隻針腳分別透過導線 2到各半導體雷射元件之_電極及P側電極。藉此， σ半導月且雷射兀件之n侧電極與P側電極之間施加電壓 、!^向形成於各半導體雷射元件内之活性層注入電流，透 匕兒洞與電子之再結合進行發光。 =是:於上述發光裝置中，由於射出紅色光之紅色半 帝田射兀件之n侧電極與射出紅外線光之紅外線半導體 元件之n侧電極形成共用，》工色半導體雷射元件之P \¥與射出藍紫色光之藍紫色半導體雷射元件之η侧電 316782 5 1252619 ，極形成共用，故難於單獨 線半導俨+舢-从, 匕干今月丑田射兀件、紅外 杯立 件及I紫色半導體雷射元件之夂-… 任意電麼。 丁心合兔極施加 【發明内容】

:#、本^之目的在於提供—種具有複數個半導體雷射― '且可複數個輕體 H 之半導體雷射裝置。（各半導體兩射元株t甲‘極施加電愿 中之—妒兔 Va千冷月且田射兀件具有兩個電極，苴 %為-方電極，另—稱為另一方電極） ' 本表明之一恐樣之半導體雷射裝置係包括 具有導電性；基座，$晋 ·框月豆， 月楚q山 D又置於框體而具有導電性，·第i、第？ 及笫3编子，設置於框體、且 弟 置於框體、且電性連接至Α;ί . 4’弟4端子，設 包旺遝接至基座，以及第j、 導體雷射元件，設置於基座上、且分別具有一方半 ' / 弟2端子係沿第1方向配置，第3" 及：4端子係沿與第1方向交叉之第2方向配置】Γ 第及第3半導體雷射元件，係配置成使第二二射 兀：之：方電極比第2及第3半導體雷射元件之—二= 更罪近弟1端子，使第2半導體雷射元件之一 二 1及第3半導體雷射元件之—方電極 甩子匕弟 第3半導體雷射元件之—方電極之至少一部;：第子)方使 位於第^導體雷射元件之一方電極與第2半導體雷身= 件之一方電極之間，而第丨 盥 、兀 ^ ^ L /、昂1牛導體雷射元株夕 -方電極透過第1導線連接，第2端子與第2半導= 元件之一方電極透過第2導線 月旦田射 兮、.果運接，弟3端子與第3半導 316782 ^252619 體雷射元件之一方電極透過第3導線連接，第3半導體雷 射元件復包括有電性連接至基座之另一方電極。 且田 於該半導體雷射裝置中，第！端子與第】半導體雷射 之一方電極透過第丨導線連接，第2 3體半雷，件之-方電極透過第_接，第;:= 4 =射元件之一方電極透過第3導線連接，從而可 件及第3半導體雷射2 件、弟2半導體雷射元 另外，因第1半導體雷射元件一 + 及第3半導體雷射元件方电極位於比第2 置，故第1半導體：：之杜方：極更靠近第1端子之位 且簡單地透過第！ <》電極與第1端子可單純 处、弟i ¥線連接。因 方電極位於比第！及第3半導 +卜射-件之- 近第2端子之位置，故第 二千兀之—方電極更靠 第2端子可單純且簡單地透件之-方電極與 體雷射元件之—方# 蜍線連接。因第3半導 半導體雷射元件之至〃部分在帛1方向位於第1 柯兀件之—方電極與第2 ⑽之間，故第3半導體雷射 二射元件之-方 可單❹簡單地透過第3導線連接。笔極與第3端子 第1半導體雷射元件及第 於第3半導體雷射- V體雷射元件最好設置 射7L件上。此時，々 導體雷射元件之各雷射光之間隔。…、W、第2及第3 弟3半導體雷射元 件之一方電極側之资括有形成於第3半導體雷射元 “、以及形成於脊部側面之絕緣膜， 316782 7 1252619 脊部亦可設置於第i半導體雷射元件與 件之間。此時，第3丰 冷月且田射元 子可更加料且二U元件之-方電極與第3端 早、，屯且間早地透過第3導線連接。 較好是將第1導線與第 之第1連接位置、第3導後 =射兀件之—方電極 電極之第3連接位置及第導體雷射元件之一方 置及弟2蛉線與第2半導俨φ射生 -方電極之第2連接位置 〜田射兀件之 第2端子側之順序配置。2 =，從第1端子側至 導線交叉。 i 1日此，可防止第】、第2及第3 弟3連接位置相較於繁 連接位置，#定於盘〜、及弟2連接位置中至少一個 口又疋於與弟1、第2及第3 雷射光之射出側之相反侧亦可。夢此射：:， 口“小」故形成可高速驅動第3半導體雷射元件。 六、^# 2 A第3端子係以沿與第1方向及第2方向 又之第3方向自一侧向另一側延伸，第卜第2及第3 ^導體雷射元件沿第3方向向另一側射出主要雷射光的方 _ ^ 弟2 + V肢雷射元件分別復包括有另 帝方电極’在比乐1連接值置更靠第1半導體雷射元件之 田射光之射出侧位置，將第i半導體雷射元件之另一方電 極透過第4導線電性連接至基座亦可。此時，邛透過第4 ‘泉將第1半‘體雷射元件之另-方電極與第3半導體雷 射兀件之另一方電極共同連接到基座。 在比第2連接位置更靠第2半導體雷射元件之雷射光 之射出側位置，將第2半導體雷射元件之另一方電極透過 8 316782 1252619 磉 I 2 5 ‘次ι性連接至基座亦可。此時，可透過第5導線將 第導月豆雷射元件之另一方電極與第3半導體雷射元件 之另一方電極共同連接到基座。 _ 明之另一態樣之半導體雷射裝置，包括有··框體， :¥ =性，基座，設置於框體，具有導電性，·第1、第2 : 而子6又置於框體、且與框體絕緣；第4端子，設 置於框體、且電性卓技 連接至基座，以及第1、第2及第3半 脰雷射元件，巧罟 〃 °又置於基座上、且分別具有一方電極；其 “山二1'子及第2端子沿第1方向配置’第3端子及第 方向交又之第2方向配置，第-第2及第 方m: 70件’係配置成使第1半導體雷射元件之- 方电極比弟2及第3半導麵+ 1端子，使第2丰莫上 方電極更靠近第 主、曾财 體雷射元件之一方電極比第1及第3 半導體雷射元妹夕 ^ ^ 〇 耵兀件之一方電極更靠 體雷射元件之—方雷〇 U3+導 ,u 万电極與基座之間復包括有副支座 (submount)，第3半導 从 體雷射元件突出的一方電極自第3半導

半導體雷射元件之—古* 弟1鳊子與第J 方甩極izL過第1導線連接 與第2半導體雷射元件之 =連接，弟2端子 3端子與第3半導體帝 从 ¥、、表逑接，第 第3導線連接，第3 。支座上透過 基座之另一方電極。^射兀件復包括有電性連接至 於該半導體雷射裝置中，第！端子 兀件之一方電極透過第 + ¥奴雷射 弟1導線連接，第2端子與第2半導 316782 9

I 1252619 ，體雷射元件之一方電極透過第2導線連 3半導體雷射元件之-方電極透過第3導後二而子與第 分別單獨地驅動第1半導體番 ，、厂連接，從而可 件及第3半導體雷射元件射兀件、第2半導體雷射元 另外，因第1半導體雷射元件一帝 :及第3半導體雷射元件之 極於比第2 置，故第！半導體雷射元件之―方^“1端子之位 且簡單地透過第1導線連接。子可單純 方電極位於比第1及第3半導體雷射元件二：:牛之- ΐ 故第2半導體雷射元件之-方4: 弟2端子可單純且簡單地 免極，、 體雷射元件之一方電極以向第妾。因第3半導 式形成於副支座上，故第3半元件突出的方 第3端子可於副支座上單純且簡單地透:第T導與 第1及第2半導體雷射元件之少—部分最好比 此，第3半導$極更靠近第3端子。藉 簡單地透過第3導線連接。 4 3古而子可早純且 弟1半導體雷射元件及裳9山 於第3半導體雷射元件上。：時 半導”射元件之各雷射光之_可減小弟卜第2及第3 最好將第1導線與第i半導+ 第1連接位置、第3導㈣第射兀件之一方電極之 極之第3連接位著 半導體雷射元件之-方電 連接位置，及第2導線與第2半導體雷射元件之 316782 10 1252619 ·—方電極之第2連接位置，在第1方向從第！端子侧向第 而子/則依序配置。藉此，防止第卜第2及第3導線交又。 第3連接位置可設定於比第丨及第2連接位置中 妾位置，更靠近與第卜第2及第3半導體雷射： 件之Μ射光之射出側相對之相反側。藉此，第3導線 感成二因為變小’故形成可高速驅動第3半導體雷射元件。 丄弟2、第2及第3端子係以沿與第1方向及第2方向 交叉之第3方向自一側向另一側延伸，第1、第2及第3 2導體雷射元件沿第3方向向另一側射出主要雷射光的方 二力=配置’第i及第2半導體雷射元件分別復包括有另 -方電極’帛i、第2及第3半導體雷射元件之另一方電 極=相電性連接，在比第丄連接位置更靠第工半導體雷射 之雷射光之射出側位置，將第3半導體雷射元件之另 —方電極透過第4導線電性連接至基座亦可。 雨此時，因第1、第2及第3半導體雷射元件之另一方 鲁甩極互相％性連接，故可透過第4導線將第卜第2及第3 半導體雷射元件之另一方電極共同連接到基座。 名2月之又悲樣之半導體雷射裝置，包括有：框體， 八有導电性，基座，设置於框體，具有導電性；第1、第2 及第3端子，設置於框體、且與框體絕緣；帛4端子，設 且電性連接至基座；第1、第2及第3半導體 :㈣，設置於基座上、且分別具有一方電極；其中， 弟1端子及第2端子沿第i方向配置，第3端子及第4端 子沿與第1方向交叉之第2方向配置，將第工半導體雷射 336782 11 1252619 ,兀件之發光部、第3半導體帝 體雷射元件之發光部，在第7方:從二=及第2半導 子側依序配置，第3半導體雷射元= 向第2端 向，延伸到比第2端子侧之筮9 * 电極於第1方 '近第2端子之位置，第以二丰導體雷射元件側面更靠 方电極透_〗導線連接，第 ％件之- :之:方電極透過第3導線連接，第3:二導= 田：兀件之—方電極透過第2導線連接，第3半^ 广咖長比第1及第2半導體雷身元二;導， 光，同時復包括有電性連接至基座 ^丑之雷射 於該半導體雷射裝置中，射 ^方琶極。 體雷射元件都短之雷射光之第^波長比弟1及第2半導 於第1方向，設置於第丨半導體::體:射元件之發光部 半導體雷射元件之發 Z =之發光部與第2 件位於框體之中央部。藉此，I:透:= 可提高第3半導體雷射元件之發雷射光時， 另外第3半導體雷射元件之一方：極之先之利用率。 伸到比第2端子側之第2半導體雷射:件向，延 端子之位置，從而可縮短連接射出^側面更罪近第2 體雷射元件都短之雷射光之第3半導,;1: 1及第2半導 極與第2端子之第3導線長度。藉此之-方電 分因變小，從而形成可高速㈣第3半：=線之電感成 另外第1半導體雷射元件之一方月^射兀件。 純且簡單地透過第1導線連接，第3 =與第1端子可單 弟d +導體雷射元件之— 316782 12 1252619 二與第2端子可單純且簡 2 +導體雷射元件之 、弟3 I泉連接，| 透過第2導線連接。电° Λ弟3端子可單純且簡單地 第1、第2及第3端子沪盥笛 之第3方6白y σ一乐1方向及第2方向交叉 、昂J方向自-側向另一側延伸 又又 :體雷射元件係以沿第3方向向另—：二弟2:第3半導 式加以配置，第丨及第 、出主要盂射光的方 H 切體雷射元件分別復包括有另 k方$極，在比第1導線與第丨 ^括有另 極之第！連接位置更靠近第1半導；：射：件之-方電 射出側位置，將第i半導體雷射兀=雷射光之 4導線電性連接至基座亦可。 另-方琶極透過第 此時，可透過第4導線將第 方電極與第3半導體雷射元件 ：⑽射兀件之另- 座。 方電極共同連接到基 在比第2導線與第2半 _ 2連接位置更靠第2半導體 置’將第2半導體雷射元件 性連接至基座亦可。 ，體雷射元件之—方電極之第 田射元件之雷射光之射出侧位 之另一方電極透過第5導線電 半導體雷射元件之另一 一方電極共同連接到基 此時，可透過第5導線將第2 方電極與第3半導體雷射元件之另 座0 第2連接位置可設定在 第3半導體雷射元件之一方 個連接位置，更靠近於與第 =乐1連接位置及第3導線與 兒極之第3連接位置中至少一 1、乐2及第3半導體雷射元 316782 13 1252619 件之雷射光之身 感成分因變小…側相反之相反側。藉此，第3導線之電 自第攸而形成可高速驅動第3半導體雷射元件。 第卜第2 、看見々第1、第2及第3半導體雷射元件時， 且簡單地進行^弟山4導線最好各不交叉。藉此，可單純 —延仃书椏、端子及基座之配線。 之活雷！;件可包括有由氮化物系半導體構成 紫色光。 了 第3半導體雷射元件之活性層射出藍 第端子之長度比第1及第2端子的長度短，第卜 :二=端子沿與第1方向及第2方向交叉之第3方向 側延伸，第卜第2及第3半導體雷射元件 μ彳、a 向另一側射出主要雷射光的方式加以配置， ^ 2及弟3半導體雷射元件於第1方向配置於第丨 2端!之間，第3端子之長度可設定為於第3方 ° ”弟1、$ 2及第3半導體雷射元件之雷射光之射出 ㈣側之端面重疊。藉此’可不受第3端子干擾 間早將弟卜第2及第3半導體雷射元件安裝於基座上。 本發明之再另一態樣之半導體雷射裝置，包括有：框 月^具有導電性；基座，設置於框體，具有導電性；第i 及第2端子，設置於框體、且與框體絕緣；以及第丨及第 2半導體雷射元件，設置於基座上、且分別具有—方電極 及另-方電極；其中，S i半導體雷射元件設置於第2半 :體雷射元件上，f 1端子及第2端子沿第）方向配置， 第1纟而子與第1半導體雷射元件之一方電極透過第1導線 316782 14 1252619 1 、 第2、子與第2半導體雷射元件之一方# 2導線連接，第丨 鱗帝 ^ 电極透過第 之至少-方之另方："、兀4及弟2半導體雷射元件 座。 之另―方電極係透過基座料線電性連接至基 •於該半導體雷射裝置中，第2端子與第她… _:之-方電極透過第！導線連第广雷射 體雷射元件之一方#托味、μ 罘^而子與第2半導 獨地驅動第j丰導:&過弟2導線連接，從而可分別單 第體雷射元件及第2半導體雷射元件 置於比第2古 射元件於第2半導體雷射元件上最好# 二：端子更靠近第1端子之位置。此時，第Τ1: 1導線連接，同時也可 m心地透過苐 第2半導體雷射元與第如 之活性層。此時，自第2半；=氦:物系半導體構成 紫色光。 豆由射兀件之活性層射出藍 \連接在:二導Γ與第1半導體雷射元件之-方電極之第 上逆接位置或弟2導線盥 电让之弟 之第2連接位置，更靠近體雷射元件之—方電極 射出側位置，將第1及第2半射元件之雷射光之 另-方電極透過基座側導線性::::::至少-方的 可防止基座侧導線分別 賴至基㈣可。此時， 藉由第1至第3之^導線及第2導線交叉。 體雷射元件、第2半導俨 V分別早獨地驅動第I半導 同時第】、第2及第及：咖 由射兀件之各一方電極與各 J5 3Ϊ678? 1252619 ， 端子也可透過導線單純且簡單地進行連接。 另外，藉由第4發明，可分別單獨地驅動第i半導體 雷射兀件及第2半導體雷射元件，同時第i及第2半導體 雷射元件之各-方電極與各端子也可透過導線單純且 地進行連接。 ‘【實施方式】 以下參照圖式説明本實施形態之半導體雷射裝置。 (弟1實施形態） •帛1圖為第1實施形態之半導體雷射裝置的一例 意剖視圖。 不 本實施形態之半導體雷射裝置100 約為650删之雷射光之半導 耵出波長 導… 件（下面稱為紅色半 ===件）卜射出波長約為氣^雷射光 :射兀件（τ面稱為紅外線㈣體雷射元件）2及射出波 長約為400随之雷射光之半導體雷射元件（下 势 #色半導體雷射元件）3。再者，餘 _ 舟為 包括有由氮化物系半導P構成雷射7^件3 干今月且構成之活性層（未圖示）。 於本實施形態中，誃紫 —

GaN其妃l ^， 凰”色半¥月豆运射元件3係透過於 及體::s成。紅色半導趙雷射元件1' 體層而射兀件2係透過於㈣基板上形成丰導 如第1圖所示，藍紫色半 :條狀之输。藍紫色半導二= 形成有絕緣膜4,以包覆输之上面的二二 ]6 316782 1252619

P電極32，下面张Λ、I q π 士士 &成有n電極35。藍紫多主… =成有作為㈣半導體與η型半導切體雷射元件 面30。 尘牛之接合面之Ρη接合 紅色半導體雷射元件1之上 形成有ρ電極i 2。 乂有n電極1 3，下面 半導體與η型半導〜=體雷射元件1形成有作為" 紅外線本t: 接合面之，接合面1。。 一 面形成有P電田Γ:件、2之上面形成有n電極23,下 P型半導體與n型半導二導體雷射元件2形成有作為 誌紫声车、首¥肽之接合面之卯接合面20。 4色+¥體雷射元件3之 分隔形成^型焊塾（pad)電極心％。上與Ρ電極犯 P型焊墊電極12a、22a之上面分別 曰 色半導體雷射元件彳 ^ ^成有焊膜Η。紅 墊電極12a上^ =極12透過焊膜《接合至Ρ型焊 上 另外，紅外線半導护φ私-22透過焊膜η接入$ ，牛¥版田射兀件2之ρ電極 一 ^胰Η接合至ρ型焊墊電極22&上。 弟曰此、、、工色半導體雷射元件1之p電極 電極12a電性挂姑,, f 2與P型焊墊 盘， 接，紅外線半導體雷射元件2之p 與P型焊塾電極22a電性連接。 ^極22 ^於第1 W中’如箭頭X、Y、Z所轉互相垂直之3個 方向設為X方向、Υ方向及Ζ方向。χ方向及$個 紫色半導體雷射元件3、紅色半導卜射元丄方向係與監 半W射1 0 千^田射兀件1及紅外線 2方向=:，接合面3°、1〇、2。為平行的方向。 及紅外線半導體雷射元件2之_接合面 Π 316782 1252619 直的方向。 #紅色半導體雷射元件i、紅外線半導體雷射 監紫色半導體雷射元件3，係配置成沿χ 主要雷射光。 χ方向向一侧射出 π透過於藍紫色半導體雷射元件3之P電極32與〇電掩 之間施加電壓’使從prl接合面3〇 .5 r 工π 4 # 會部R1下方區域 (下面％為監紫色發光點）3 1向X方 之雷射光。 Μ出波長約為40〇nm 透過於紅色半導體雷射元件電極 13之間施加電壓，使從pn接合面1〇之預定區域;;： 為紅色發光咖向χ方向射出波長約為65。随之= ==線半導體雷射元件2之？電極電極 23之叫電壓，使從pn接合面2〇之預定區域（ :紅外線發光點)21向乂方向射出波長約為78〇·之雷射 无0 弟2圖（a)為第）圖之半導體雷射裝置！⑽組裝至基 座上時之示意剖視圖1 2圖⑴為 裝請組裝至基座上時之俯視圖。 “ “射 Μ弟]圖之半導體雷射裝置100用於光讀取裝置時，如 :2圖/a)所示，將半導體裝置100安裝於由Cu、CuW =A1寺金屬構成之導電性的基座500上。且，使用導線 Μ、lWa、lWb、2Wa、^ 2仏’進行P電極32、12a、22a及η 電極13、23之配線。 再者，此時η電極35接合至基座5〇〇之上面。藉此， 316782 1252619 η電極35與基座500電性連接。 、紅色半導體雷射7件1之η電極！ 3透過導線1 Wb電性 連接至基座5GG之上面。紅外線半導體雷射元件2之n電 極23透過導線2Wb電性連接至基座5〇〇。 藉此’基座500成為藍紫色半導體雷射元件3、紅色 半導體雷射元件i及紅外線半導體雷射元件2之共用η電 極，可實現陰極共用之接線。 女衣有半導體雷射裝置1〇〇之基座5〇〇上設置有導電 性之底座（stem)501。 底座5 0 1 置有繁1 *山1 D 。 又乐1知子1P、第2端子2p、第3端子 3 P 及弟 4 端子 4 P 〇 Jk ^ ^ 者弟3 ‘子3Ρ之長度比第1端子 1Ρ及第2端子2Ρ短。

第1端子1Ρ利用絕緣環π與底座5〇1絕緣，第2端 子2Ρ利用絕緣環21與底m絕緣，第3端子3Ρ利用絕 緣壞3ί與底座501絕緣。再者，第4端子4p設置於基座 500内，與基座500電性導通。 第"而子1P及帛2端子2P沿Y方向配置，第3浐 3P及第4端子4P則沿與γ方向相交之z方向配置。另而外， 弟1端子1P、第2端子2P及第3端子3MX方向自 向另一側延伸。 目侧 ^紅色半導體雷射元件1、紅外線半導體雷射元件 監糸色半導體雷射元件3，係於γ方向配置於第1沪 與第2端子2Ρ之間。 第3端子3Ρ之長度可設定為於χ方向不蛊 /、、、、Χ色半導體 316782 19 1252619 田射兀件1 k外線半導體雷射元件2及藍紫色半導體φ 件3之射出主要雷射光之端面射出側之相反侧端面; 在 所明射出主要雷射光之端面係指與相反侧端面 相比射出光之光I I彡彡 、 夕之'而面（以下稱之為射出侧端面）。 在此，呪明ρ型焊墊 、 ^ 备'色4^^射讀3之卩電極32與第 端子2P及第3端子3P之位置關係。 子1P弟2 邮P型:^電極12a tb p型焊塾電極22a及藍紫 月豆雷射兀件3之p電極32更靠 T · 極22a比D刑、Ρ乱予 文菲、弟1糕子1Ρ，ρ型焊墊電 土予上-电極12a及藍紫色半導體雷 :電極32更靠近第2端子2p，分別配置紅色半導體：二之 卜紅外線半導體雷射元件2及藍紫色半導體田： 3,以使藍紫色半導俨n Q》已牛¥肢雷射兀件 巴千¥肢雷射兀件3之p電 於Ρί焊塾電極…與P型焊塾電極22a之間。向位 • ’曰此、’如弟2圖（b)所示，第1端子1P與P型焊墊 曼極12 a透過導碎1 μ 于塑1

泉1Wa早純且簡單地連接，第2踹早9P 輿P型焊墊電極22诱岛1 子2P 3端子3P與藍紫色半導單純且簡單地連接，第 ㈣單純且簡單=射兀件電極32透過導 另外自2方向觀察紅色半導體雷 導體雷射元件2及6 卜'、泉丰 smw,。 雷射元件3時，導線】^、 n mb分別不交叉。 如上所述，於本實施形態令，透過於基座5〇〇與導線 316782 20 1252619 w之間施加電壓，從而可動誌 it ^ ^ ^ ^ 1^系邑牛導體雷射元件3， 。、土坐500與導線1 Wa之間施加電壓 色半導俨+斜—μ 兒土 攸而可驅動紅 千^月豆每射兀件】，透過於基座 加電屙，产品叮一 ¥線2Wa之間施 "攸而可驅動紅外線半導體雷射元件2。 女此’可分別單獨地驅動藍紫声 紅色半導俨H， 》一色切體雷射元件3、 牛射兀件丨及紅外線半導體雷射元件2。 "Γ-卜！出波長比紅色半導體雷射元件1及紅外線半導 妙多於止射先的監紫色半導體雷射元件3之藍 本土光點31於Υ方向設於紅色半導 發光點η與紅外線半導^射^，田射兀件1之紅色 之間，丄 之紅外線發光點21 、首門仗而用於光讀取裝置等光學裝置時，可將該 v體雷射元件3容易定位於透鏡之中央部。一 紫色ΐϊ二:=鏡周邊部之像差之影響，且提高藍 千¥月豆每射兀件3之光利用率。 另外，最好將導線1Wa與紅色半 型焊墊電極12a之連接位置、導㈣盘―：射兀件1之p 元件3之p電極32之連丄？、，紫色半導體雷射 ^ 〇 之連接位置及導線2Wa與紅外線半導 而W向弟2端子侧依序配置。藉此，可防止導線 IWa、2Wa、3W 交叉。 V、、果

卜第3端子3P之長度比第1端子1P及第2端子2P

的長度短，红声丰導妒+如-加 而子2P 、色牛¥肢雷射兀件1、紅外線半導體雷射-件2及藍紫色丰導娜兩斛-从π 守版田射兀 1Dp "色+ ¥肢田射兀件3於y方向配置於第】 】P與弟2端子？p夕門工^々斤。 而子 之間，而弟3端子3P之長度係設定為於 316782 21 1252619 不與紅色半導體雷射元件1、紅外線半導體雷射元件 =監紫色半導體雷射元件3之雷射光之射出側端面之相 反側端面重疊，從而可將藍紫色半導體雷射元件3之p電 極32與第3端子3p透過導線別單純且簡單地連接。电 山再者’監紫色半導體雷射元件3之p電極犯與第3 古而子3P之連接位置最好設定於比紅色半導體雷射元件1 =型焊墊電極12a與第之連接位置及紅外線半 V脰雷射元件2之？型焊墊電極22a與 I 立置t至少-個連接位置，更靠近紅色半導體雷射元^接 、·工外線半導體雷射元件2及藍紫色半導體雷射元件3 ::: 光之射出側之相反側。藉&，可減短導線 =⑽之電感成分，從而可高速驅動藍紫色半導體雷射元 2Ρ、Π二第2圖（a)所示，第1端子1P、第2端子 弟3^子3P及第4端子4p於支座5{)1上，最好 I為大致同心圓狀。藉此，可防止 : 各端子之各導線交又。 l+h由射几件與 2^=^；半料㈣元件1及紅外料㈣雷射元件 乙I 口又罝位置可以相反。 另外紅色半導體雷射元件j及紅外 2還可具有單片（細QUtk)結構。 ^t7L# ^者藍紫色半導體雷射元件3與基座_之間還可* 置由石反切或氮化銘等構成之副支座。此時， : 色半導體雷射元件3之散熱。 '見監糸 316782 22 1252619 (第2實施形態） 立第3圖為第2實施形態之半導體雷射裝置的一例之示 思剖視圖。第4圖（a)為第3圖之半導體雷射裝置組裝至 基座上時之示意剖視圖，第4圖（b)為第3圖之半導^兩 射裝置組裝至基座上時之俯視圖。 、 、本實施形態之半導體雷射裝置2〇〇與第〗實施形態之 半導體雷射裝置100之不同點如下所述。 “

一如帛3圖所示，本實施形態之半導體雷射裝置200中， 藍紫色半導體雷射元件3 m午3之p电極3 2於Y方向延伸到比第 Z令而子2P側之紅外線丰導辦φ ▲ 土 9 %^月豆苗射兀件2之側面更靠近第2 端子2 Ρ之位置。 另外於Ρ電極32上隔著絕緣膜4b形成有？型焊塾電 = 型焊墊電極22a上隔著焊膜_成有紅 +導體雷射元件2。 、_再且，如第4圖⑷及第4圖U)所示，紅外線半 ^豆雷射兀件2之？型焊墊電極22a與第3端子3p透過導 賴a連接，藍紫色半導體雷射元件3之口電極32與第2 立而子2P透過導線3W連接。 如上料，於本實施形態中，透過於基座500與導線 3'丨之間施加電歷，可驅動藍紫色半導體雷 於基座5。。與導線1Wa之間施加電墨， 彻 雷射元们，透過於基座500與導線％之間施加電墨: 可驅動紅外線半導體雷射元件2。 如上所述，可分別單獨地驅動藍紫色半導體雷射元件 316782 1252619 3、紅色半導體雷射元们及紅外線半導體雷射元件2。 Π I出波長比紅色半導體雷射元件1及紅外線半導 ^射兀件2短之雷射光的藍紫色半導體 = 糸色發光點31係於γ方^j f 【 之红多恭止 °°又置於紅色半導體雷射元件】 -點21之間、田射兀件2之紅外線發光 -色半導Hr先_置^學裝置時，可將藍紫 巴千^雷射件3空 — 仟J奋易疋位於透鏡之中央部。 其結果，可減少透鏡周邊部之 、，仏一 a 紫色半導體帝射开杜q S ，亚提向藍 ，版田射兀件3之光利用率。 另外藍紫色半導體雷射元件3之 柚5丨丨μ卜结Ο , 〜Ρ电往V於Υ方向延 弟2令而子2Ρ侧之紅外線半導^ 靠近第2端HP之位置，ϋΓ 之側面更 半導體+ 置仗而可減短連接射出波長比紅色 千¥肢每射兀件1及紅外線 的“^本道一， 雷射兀件2短之雷射光 皿’、色+ V肢运射兀件3之ρ電極盥 導線3W長度。藉此，導：、弟“而子卯之 叮^ ± 忒dW之電感成分形成變小，從而 >问速驅動藍紫色半導體雷射元件3。 第^工色半導體雷射元件1之13型焊塾電極12a與 導/射一杜可透過導線1Wa單純且簡單地連接，藍紫色半 單二,=、LtP電極32與第2端子2P可透過導賴 十：早地連接，紅外線半導體雷射元件2之？刑焊墊 电極22a與第3端子3P可透過導砷？w -从 土十塾 而丁 π」還過V線2Wa早純且簡單地連接。 且’相較於紅色半導體雷射元件 與第 1 *山工 1 D >、土 ^ ^ ^ 12a ^ 而 、接位置及監紫色半導體雷射元件；3之！3 ”弟2鳊子2P之連接位置中至少一個連接位置， 316782 24 1252619 、夕丨線半導體雷射元件2之p型焊墊電極22a與第3端子 、P、=連接位置取好設定於紅色半導體雷射元件1、紅外線 半導雷射兀件2及藍紫色半導體雷射元件3之雷射光之 射出侧之相反側。據此，防止導線1Wa、2Wa、3W交叉。 再者，紅色半導體雷射元件卜紅外線半導體雷射元 山2及監紫色半導體雷射元件3之設置位置可設定為以第 而子3P之長度方向為中心，左右對稱之結構。 另外，紅色半導體雷射元件1及紅外線半導體雷射 件2亦可具有單片結構。 者監紫色半導體雷射幻牛3與基座500之間亦可設 _有由炭化梦或氮化料構成之副支座 守，可實現藍紫色半導體雷射元件3之散熱。 〜1實施形態及第2實施形態中，導線…相 :二導線2恥相當於第2導線，導線3W相當於 5導I庄導線1W1?當於第4導線，導線哪相當於第

2 ，於上述帛1實施形態及第2實施形態中，導 線lWb、2Wb相當於基座側之導線。 V 相二T士述第1實施形態及第2實施形態中，Y方向 二二向，Z方向相當於第2方向，“向相當於第 :第：丰2體雷射元件，紅外線半導體雷射元件2相當 第3半導“射元/ 一色+ ^雷射兀件3相當於 態中，P型焊 且，於上述第1實施形態及第2實施形 316782 25 1252619 墊電極12a相當於第1半導體雷射元件之一方電極，p型 焊墊電極22a相當於第2半導體雷射元件之一方電極，p 型電極32相當於第3半導體雷射元件之一方電極，η電極 1 3相當於第1半導體雷射元件之另一方電極，η電極23 相當於第2半導體雷射元件之另一方電極，η電極35相當 ’於第3半導體雷射元件之另一方電極。 " (第3實施形態） 第5圖為第3實施形態之半導體雷射裝置的一例之示 鲁意剖視圖。 如第5圖所示，本實施形態之半導體雷射裝置300與 第1實施形態之半導體雷射裝置100之不同點為沒有設置 紅外線半導體雷射元件2、焊膜Η(但是紅色半導體雷射元 件1之焊膜Η除外）及ρ型焊墊電極22a。 第6圖（a)為第5圖之半導體雷射裝置30 0組裝至基 座上時之示意剖視圖，第6圖（b)為第5圖之半導體雷射 $裝置300組裝至基座上時之俯視圖。 如第6圖（a)及第6圖（b)所示，將本實施形態之 半導體雷射裝置300組裝至基座500上而製成之光讀取裝 置與將第1實施形態之半導體雷射裝置1 00組裝至基座 5 0 0上而製成之光讀取裝置之不同點如下所述。 底座501電性連接光電二極體50。該光電二極體50 與第3端子3P透過導線4W連接。另外，藍紫色半導體雷 射元件3之ρ電極32與第2端子2P透過導線3W連接。 在此，對ρ型焊墊電極1 2a及藍紫色半導體雷射元件 316782 1252619 P电極32與第〗端子]p、第2端子 之位罟μ /么上 久乐而子3Ρ <祖置關係加以說明。 刀別配置紅色半導，帝身 元件3，伯*丨牛蜍虹田射兀件1及藍紫色半導體雷射 m Ρ::塾電極12&比藍紫色半導體雷射元件3 之二^近第1端子1ρ，藍紫色半導體雷射元件3 电 比Ρ型焊塾電極⑶更靠近第2端子2Ρ。 ，此，第1端子1?與？型焊整電極12a可 1 Wa單純且簡單地連接，第2端 °， 件3之ρ _ 32可透過導線⑽單純且簡單地連接。 導二射於IS觀察紅色半導體雷射元件1及藍紫色半 运射兀件3蚪，導線1Wa、3W、m、4W分別不交叉。 ㈣如上所述’於本實施形態中，透過於基座500盘導線 3W之間施加電壓，從而可驅動藍紫色半導體雷射元件 =於基座500與導線1Wa之間施加電壓，從而可驅動红 色+導體雷射元件1 °如此，可分別單獨地驅動藍紫色半 導體雷射元件3及紅色半導體雷射元件丨。 〃 另外最好於Υ方向，自第1端子IP侧向第2端子2ρ 側依序配置導線IWa與紅色半導體雷射元件工之ρ型焊塗 電極12a之連接位置、以及導線3W與藍紫色半導體兩^元 件3之P電極3 2之連接位置。藉此，可防止導線丄：與兀 3W交叉。 再者，如第6圖（a)所示，第i端子lp、第2端子 2P、第3端子3P及第4端子4P於底座50丨上，最好設置 為大致同心圓形狀。藉此，可防止連接各半導體雷射:件 316782 27 1252619 與各端子之各導線交又。 再者監紫色半導體雷射元件3與基座500之間冰 f有由碳化矽或氮化紹等構成之副支座。此時，可二可設 紫色半導體雷射元件3之散熱。 ％現藍 亦可取代紅色半導體雷射元件1設晋红外# '體雷射元件。 .-置'、，工外線半導 =上述第3實施形態中’導線iWa相當於第 1 Υ方向相’ s U ^泉，¥線1 w b相#於基座側之導線， 當於第3二 2方向相當於第2方向，X方向相 件1相米於y底座501相當於框體，紅色半導體雷射元 田灰弟1半導體雷射元件，藍紫 3相當於第2半導體雷射元件。“體雷射元件 於上述第3實施形態中，p型焊| 於第1半導體雷射元件之一方、墊'極12“目當 2半導體P型電極32相當於第 田射兀件之一方電極，η電極13^彳·！ t 體雷射亓杜夕兄 _ •^相§於第1半導 射元件之另一方電極。 才目…2半導體雷 (第4實施形態） 第7圖為第4實施形態之半導 意剖視圖。 町衣置的一例之不 第^第7圖所示，本實施形態之半導體雷卿置4〇〇與 1貝靶形態之半導體雷射裝置i 〇〇 ^ ^ ^ , I不同點如下所池。 知“Μ之上面及脊部Ri之兩

4，而以包覆該各絕緣膜4的方式有W v^成P電極32。因此， 316782 28 1252619 於本實施形態中，不設置幽 且於該P電極32上之兩 極2…。 半導體雷射元件〗&者焊膜Η形成有紅色 如此，於本實上:，雷射元件2。 々、+只知形恶之半導髀恭 連接紅色半導體f射元件、裝置彻中，電性 :射元件電極22及藍紫色半=、紅外線半導體雷 32。 ’ 雷射元件3之p電極 *且，上述藍紫色半導體雷射 ，設置有絕緣性副支座6〇。 件3與基座500之間 在此，監糸色半導體雷射北 性副支座60上分別+佑古、曾+ 月面之電極上及絕緣 丄刀另J塗佈有導電性黏著 黏著劑互相貼合，黏著藍紫色丰導二；j透過该寺導電性 副支座60。於本實施妒能;t ^射元件3與絕緣性 面之+ β «、·· '八^中，監紫色半導體雷射元件3背 电極及導電性黏著劑形成η電極35。 ηΐϋ所述’於將η電極35黏合於絕緣性副支座6〇時， ，之；式:：端部係向藍紫色半導體雷射元件3之外側突出 :8圖（a)為第7圖之半導體雷射裝置400組裝至基 ^番日Γ示意剖視圖，第8圖⑴為第7圖之半導體雷射 衣置4〇2組裝至基座上時之俯視圖。 士第8圖⑷及第8 ® ( b)所示，將本實施形態之 ::::射衣置4。。組裝至基座5。〇上而製成之光讀取裝 置/、爿寸第1 λ施形態之半導體雷射裝置i 〇〇組裝至基座 500上而製成之光讀取裝置之不同點如下所述。 316782 29 1252619 如上所述，透過於藍紫色半導體雷射元件3之n電極 35與基座500之間設置絕緣性副支座6〇，從而n電極％ 與基座5 0 0透過絕緣性副支座6 〇達成絕緣。 且，紅色半導體雷射元件1之η電極13與第1端子 1Ρ透過導線1 Wa連接，紅外線半導體雷射元件2之η電極 23與第2端子2Ρ透過導線2Wa連接，藍紫色半導體雷射 兀件3之η電極35與第3端子3P透過導線3W連接。 再者，藍紫色半導體雷射元件3之ρ電極32與基座 500通過導線IWb連接。在此，導線_相#於基座侧之 藉由上述構成，於Z方向觀察紅色半導體雷射元件卜 紅外線半導體雷射元件2及藍紫色半導體雷射元件3時， 導線lWa、2Wa、3W、1Wb分別不交又。 \上所述，於本實施形態巾，透過於基座500與導線 3 W之間施加電麼，你 # 、 -me 攸而了驅動監紫色半導體雷射元件3， =土 f 5〇0與導線1Wa之間施加電麼，從而可驅動έ工 色：導體雷射元件卜透過於基座5◦。與導線2Wa之=: 加电塵，從而可驅動紅外線半導體雷射元件2。 & 如此’可分別單獨地驅動藍紫 紅色丰導騁+ μ —， 卞夺妝田射兀件3、 已牛v脰羞射几件2及紅外線 另外射Ψ +目 f版田射兀件2。 體雷射元件2短之+ b 兀件】及紅外線半導 紫色發光點3! w方肢雷射兀件3之藍 色笋光又置灰紅色半導體雷射元件1之红 色“點]]輿紅外線半導體雷 午i之、..工 十Z之紅外線發光點 316782 30 1252619 21之間，攸而用於光讀取裝置等光學 ^ 體雷射元件3可交易宏办认+ 乂 τ ’監紫色半導 卞J J办易疋位於透鏡之中央部。 十 =果’可減少透鏡周邊部之像差之影 監I色半導體雷射元件3之光利用率。B且可扶高 另外最好於y方向，自第】端子]p# 之連接位置、導線3W與藍紫色半導體雷射 ^13 35之連接位置及導绰 之η电極 p電極23之連接位f。茲* _ 田对丁兀件2in 叉。 置错此，可防止導線^、.、⑽交 且透過弟3端子3P之長度比篦】— 子2P之長度短，紅色半導而 及弟2端 射元件2及誌紫色丰紅外線半導體雷 俨；1P p 語射元件3於Y方向配置於第1 X而方向不It 2端子2Ρ之間，第3端子扑之長度設定為於 二二、、”工色半導體雷射元件1、紅外線半導體雷射元件 f及監山糸色半導體雷射元件3之雷射光之射出側端面之相 :側端面相重疊，從而可將藍紫色半導體雷射元件3之^ 電極35與第3端子3ρ透過導線⑽單純且簡單地連接。 ^者’如第8圖（a)所示，第1端子1P、第2端子 2P、第3端子3P及第4端子4p於底座5〇ι上，最好設置 為大交同u圓形狀。藉此，可防止連接各半導體雷射元件 與各端子之各導線相交。 另外紅色半導體雷射元件1與紅外線半導體雷射元件 2之設置位置可以相反。 316782 31 1252619 且，紅色半導體雷射元件1及紅外線半導體雷射元件 2亦可包括有單片結構。 於上述第4實施形態中，導線1 Wa相當於第1導線， 導線2Wa相當於第2導線，導線3W相當於第3導線，導線 lWb相當於第4導線。

: 於上述第4實施形態中，Y方向相當於第1方向，Z _方向相當於第2方向，X方向相當於第3方向，底座501 相當於框體，紅色半導體雷射元件1相當於第1半導體雷 _射元件，紅外線半導體雷射元件2相當於第2半導體雷射 元件，藍紫色半導體雷射元件3相當於第3半導體雷射元 件。 且，於上述第4實施形態中，η電極13相當於第1半 導體雷射元件之一方電極，η電極23相當於第2半導體雷 射元件之一方電極，η電極35相當於第3半導體雷射元件 之一方電極，Ρ電極12相當於第1半導體雷射元件之另一 g方電極，ρ電極22相當於第2半導體雷射元件之另一方電 極，ρ電極32相當於第3半導體雷射元件之另一方電極。 (第5實施形態） 第9圖為第5實施形態之半導體雷射裝置組裝至基座 上時之示意剖視圖。 本實施形態之半導體雷射裝置550與第1實施形態之 半導體雷射裝置1 0 0之不同點如下所述。 如第9圖所示，藍紫色半導體雷射元件3於下面侧具 有帶狀之脊部R1。於該脊部R i之兩側形成有絕緣膜4，而 32 316782 1252619 以包覆脊部…下面的方 有n電極35。藍紫色半導 P:& 32 ’於上面形成 導體與”半導體之接合面H3形成有作為p型半 工色半導體雷射元件心接；面3〇。 :形成有P電極12。紅色半導：形成有η電極13，上面 半導體與η型半導體 :―兀件】形成有作為^ 紅外嗖丰1姊+ 0 之卯接合面10。 Π +導體雷射元件2 f面形成有Ρ電極22。紅外線半導體雷:成有η電極23，上 ρ型半導體與η型半導體之八田，％件2形成有作為 紅色半導體雷射:面之卯接合面20。 別隔者焊膜Η形成於藍 一射元件2分 上。 肢由射兀件3之1!電極35 如此，於本實施形態之半導杂 連接紅色半導體雷射：田射裝置550中，電性 射开杜9 之η電極W、紅外線半導俨+ 射兀件2之η電極23及藍紫色半導 又牛¥粗每 35。 千¥肢雷射兀件3之η電極 將本實施形態之半導體雷射裝置55{)組裝至基座 上而製成光讀取裝置與將第丨實施彤能之 二 1。。組裝至基座50。上而製成：’…射裝置 所述。 衣成之4取裝置之不同點如下 於藍紫色半導體雷射元件3之Ρ電極32與基座50〇 之間設置絕緣性副支座60。藉此，ρ電極32與基座5。。 之間透過絕緣性副支座60達成絕緣。 且紅色半導體雷射兀件（之口電極12與第丄端子 316782 33 1252619 -1P透過導線1Wa連接，紅外線半導體雷射Tt件2之P電極 22與第2端子2P透過導線2Wa連接，藍紫色半導體雷射 元件3之p電極32與第3端子3p透過導線㈣連接。 再者k糸色半導體雷射元件3之n電極Μ與基座 ，500透過導線m連接。在此，導線目當於某座彻丨之 、導線。 —·’ 藉由上述構成，於2方向觀察紅色半導體雷射元件1、 紅夕卜線+導體雷射元件2及藍紫色半導體雷射元件3時， 攀¥線1^、^，、別分別不交叉。 如上所述，於本實施形態中，透過於基座500盘導線 、秀W、:::加電麗，從而可驅動藍紫色半導體雷射元件3， 5導二與導線^之間施加電麼，從而可驅動紅 = 元件^透過於基座5°°與導她之間施 私i仅而可驅動紅外線半導體雷射元件2。 色二：Γ別單獨驅動藍紫色半導體雷射元件3、紅 #色丰¥㈣射元件！及紅外線半導體雷射元件2。 料Πt波長比紅色半導體雷射元件1及紅外線半導 月豆苗射兀件2短之雷射井之萨4匕洛*、旨a 紫色發先二 導體雷射元件3之藍 2== 置於紅色半導體雷射元件I之紅 21= 導體雷射元件2之紅外線發光點 之間’仗而用於光讀取裝置等光學裝置時，藍紫 月以射兀件3可容易定位於透鏡之中央部。 ' v 其結果，可減少透鏡周邊部之像差之影塑，且可^

監糸色半導體雷射元件3之光利用率。 W 316782 34 1252619 力外喪好於γ方向 側依序並列配置導線lw f而子1Ρ侧向第2端子2Ρ 極12之連接位署首，與'色半導體雷射元件1之Ρ電 Ρ電極32的φ ¥矣3W與藍紫色半導體雷射元件3之 -2之币 接位置及導線2Wa肖紅外線半導體雷射元件 .3W=電極一 ^ 子2P之吾透二弟3螭子3P之長度比第1端子1P及第2端 丁 β之長度短，紅色丰導，+ ^ 7t # ? ^ ^ ¥月且田射兀件1、紅外線半導體雷 :=== /、矛Zi而子2P之問，楚 X方向不與紅色半導”射二^子3?之長度設定為於 2及!…丄· 件卜紅外線半導體雷射元件 反側Γ面重雷射元件3之雷射光之射出側端面之相 == 〜而藍紫色半導體雷射元件3之?電極32 而子3Ρ可透過導線3W單純且簡單地連接。 再者’如第9圖所示，第i端子lp、第2端子2ρ、第 >二。Ρ4Ρ於底座5(Π上’最好設置為大致 子之各導線相交。 接各切體雷射元件與各端 另外紅色半導體雷射元件i與紅外線半導體雷射元件 2之设置位置可以相反。 且，紅色半導體雷射元们及紅外線半導體雷 2逛可包括有單片結構。 + 於上述第5實施形態中，導線1Wa相當於第】導線， 導線2Wa相當於第2導線，導線3W相當於帛3導，線，導線 336782 35 1252619 lWb相當於第4導線。 於上述第5實施形態中，Y方向相當於第1方向，Z 方向相當於第2方向，X方向相當於第3方向，底座501 相當於框體，紅色半導體雷射元件1相當於第1半導體雷 <射元件，紅外線半導體雷射元件2相當於第2半導體雷射 —元件，藍紫色半導體雷射元件3相當於第3半導體雷射元 件。 且，於上述第5實施形態中，p電極1 2相當於第1半 籲導體雷射元件之一方電極，P電極22相當於第2半導體雷 射元件之一方電極，p電極32相當於第3半導體雷射元件 之一方電極，η電極13相當於第1半導體雷射元件之另一 方電極，η電極23相當於第2半導體雷射元件之另一方電 極，η電極35相當於第3半導體雷射元件之另一方電極。 【圖式簡單說明】 第1圖為第1實施形態之半導體雷射裝置的一例之示 φ意剖視圖； 第2圖（a)為第1圖之半導體雷射裝置組裝至基座上 時之示意剖視圖； 第2圖（b)為第1圖之半導體雷射裝置組裝至基座上 時之俯視圖； 第3圖為第2實施形態之半導體雷射裝置的一例之示 意剖視圖； 第4圖（a)為第3圖之半導體雷射裝置組裝至基座上 時之不意剖視圖， 36 316782 1252619 為第3圖之半導體雷射裝置組裳至基座 時之俯視圖； 上 第5圖為第q& 例之示 意剖視圖； 之半導體雷射裝置的- 第6圖（a)為第 時之示意剖視圖； 圖之半導體雷射裝置組裝至基座 上 上 時之⑴為第5圖之半導體雷射裝置組裝至基座 意剖=圖為第4實施形態之半導體雷㈣置的—例之示 上 時之= 為第7圖之半導體雷射裝置組裝至基座 犄之不思剖視圖； 上 弟8圖（b)為第7圖之半導體雷射裝置組 時之俯視圖；以及 忒主丞压 第9圖為第5實施形態之半導體雷射裝置組 上時之示意剖視圖。 才土压 【主要元件符號說明】 1 紅色半導體雷射元件 2 纟工外線半導體雷射元件 3 監紫色半導體雷射元件 4、4b絕緣膜 1〇、2〇、3〇 pn 接合面 11 紅色發光點 12、22、32 p 電極 316782 37 1252619 12a、22a P型焊墊電極 13、23、35 n 電極 316782 21 紅外線發光點 31 藍紫色發光點 50 光電二極體 100、 200 、 300 、 400 、 500 半導體雷射裝 500 基座 501 底座 lWa、 lWb 、 2Wa 、 2Wb 、 3W、4W 導線 Ri 脊部 1P 第1端子 2P 第2端子 3P 第3端子 4P 第4端子 1卜 21、31絕緣環

Claims (1)

1252619 十、申請專利範圍： 1. 一種半導體雷射裝置，包括有： 框體，具有導電性； 基座，設置於前述框體，具有導電性； 第1、第2及第3端子，設置於前述框體，且與 前述框體絕緣； 第4端子，設置於前述框體，且電性連接至前述 基座；以及 第1、第2及第3半導體雷射元件，設置於前述 基座上，且分別具有一方電極；其中， 前述第1端子及前述第2端子沿第1方向配置； 前述第3端子及前述第4端子沿與前述第1方向 交叉之第2方向配置； 且配置前述第1、第2及第3半導體雷射元件， 使前述第1半導體雷射元件之前述一方電極比前述第 2及第3半導體雷射元件之前述一方電極更靠近前述 第1端子，使前述第2半導體雷射元件之前述一方電 極比前述第1及第3半導體雷射元件之前述一方電極 更靠近前述第2端子，使前述第3半導體雷射元件之 前述一方電極之至少一部分在前述第1方向位於前述 第1半導體雷射元件之前述一方電極與前述第2半導 體雷射元件之前述一方電極之間； 前述第1端子與前述第1半導體雷射元件之前述 一方電極透過第1導線連接，前述第2端子與前述第 2半導體雷射元件之前述一方電極透通過第2導線連 39 316782 U52619 接，前述第 鳊子與前述第 方電極透過第3導線；：J半導體雷射元件之前述 箣述第3半導體命身 述其广々P 田射70件復包括有電拇4立 ， 迷基座之另一方電極； 巧兔性連接至前 削述弟1半導辦帝έ 一 元件設置於前述第件及前述第2半導體雷射 2.如申請專利範圍=2雷射元件上。 述第半導體雷射裝置，复中，1 雷射元件之一方+朽彳目丨 有形成於雨述第3半導體 側面之絕緣膜； 之脊部、以及形成於前述脊部 月ίι述脊部係設置於前 3述第2半導體雷射元件之間弟1〜“射-件與前 •如申請專利範圍第丨項 述第1導線與前述第i半導二 之二?中，前 極之第1連接位置、4 运射件之刚述一方電 雷射元件 置別述弟3導線與前述第3半導體 :处$電極之第3連接位置及前述第2 〇^與刚述弟2半導體雷射元件之前述一方電極之第 价接^位置，係在前述第1方向從前述第1端子侧向 乐2端子侧依序配置。 、^月專利範圍帛3項之半導體雷射裝置，其中，前 1第3連接位置係設定於比前述第1及第2連接位置 中個連接位置，更靠近前述第1、第2及第3 半導體雷射元件之雷射光之射出側之相反側。 5·如申請專利範圍第3項之半導體雷射裝置，其中， 則述第1、第2及第3端子係沿著與前述第1方 40 316782 1252619 向及前述第2方向交叉之第3方向 伸； 侧向另一侧延

述第 置； 前述第1、第 3方向向前述 2及第3半導體 另一側射出主要 田射元件係以沿前 田射光的方式配 前述第1及第2半導體雷射 一方電極， 元件分別復包括有另 在比前述第1連接位置更靠近前、成〜 射元件之雷射光之射出侧位置，將前f 1半導體雷 射元件之前述另一方電極透過第4=第1半導體雷 述基座。 、表電性連接至前 6·如申請專利範圍第5項之半導體雷射壯 比前述第2連接位置更靠近前述苐2^、f，其中，在 之雷射光之射出側位置，將前述苐生‘體雷射兀件 之前述另一方電極透過第5導線“導體雷射元件 座。 性連接至前述基 _ 7· —種半導體雷射裝置，包括有： 框體，具有導電性； 基座，設置於前述框體， 第1、第2及第3端子， 前述框體絕緣； 具有導電性； &置於前述框體 且與 第4端子，設置於前述框體， 基座；以及 且電性連接至前述 第1、第2及第3 基座上，且分別具有一 方电極及另一方電極；其中 316782 41 51< 交 如述弟1端子及前述第 前述第3端子及前述第 叉之第2方向配置； 2端子沿第i 4端子沿與前 方向配置； 述第1方向 前述第1、第2及第3主& 半$體雷射元杜 # 成使前述第1半導體雷射元件—^… L件，係配置 第2及第3半導體雷射元件 笔極比前述 丁义W述一方命4 述第1端子，使前述第2丰墓^ 兔亟更罪近前 電極比前述第1及第3半導於命 ^ 之削述一方 極更靠近前述第2端子； 則述一方電 方電極與前 方電極自前述 前述副支座 於前述第3半導體雷射元件之前述 4基座之間復包括有副支座； 元件之前述一 的方式形成於 前述第3半導體雷射 第3半導體雷射元件突出 上； 刚述弟1端子與前述第I 一方電極透過第1導線連接，么^ =田射7件之前述 2半導體雷射元件之前述一方：=2端子與前述第 接，前述第〜子與前述第了 = 線連 -方電極於前述副支座上透過第“之前述 珂述第3半導體雷射元件之前越另―’ 性連接至前述基座。 电極係電 如申請專利範圍第7項之半導體雷射 述第3半導體雷射元件之前 二置，其中，前 ，第1及第2半導體雷射元件：ί:至少-部分 Λ近前述第3端子。 刖处方電極更 316782 42 1252619 9’如申请專利範圍第 述第1半導顺干6 卞今月丑田射I置，其中，珂 置於前二^射元件及前述第2半導體雷射元件設 置方' 則述弟3半導體雷射元件上。 10·如申！=範圍第取半導體雷射裝置，其中， -方々線與前編半導體雷射元件之前述 半導體帝射$連接位置、前述第3導線與前述第3 丁守版田射凡件之前述一方 述第2導&盘1 乃电極之弟3連接位置及前 極之第tit述第2半導體雷射元件之前述-方電 η子側向前述第2端子側依序配置。方向一弟1端 ·=:青專利範圍第10項之半導體雷 弟3連接位置相較於前述請第 位中 導體雷射元設定於前述第卜第2及第3半 U.如申这i 41〜每射光之射出側之相反側。 二專利乾圍第10項之半導體雷射裝置，其 <+、珂述第b第2及第3端子沿與前述第/方^ 刖逑篦？ 士人丄 、矛1万向及 :、2:向父又之第3方向自-側向另—側延伸； 3方剐述弟1、第2及第3半導體雷射元件 > 前、f „ 3方向a今 u 1卞/口刖述第 置；D則述另-側射出主要雷射光的方式予以配 前述第]、第2及第3半導體雷射元 -方電極互相電性連接； 彳之刚述另 :比前述第！連接位置更靠近前述 射^ ，先之射出侧位置，將前述第3半導 月J i另一方電極透過第4導線電性連接至前 316782 43 1252619 述基座。 13.—種半導體雷射裝置，包括有： 框體，具有導電性； 基座，設置於前述框體，具有導電性； —第卜第2及第3端子，設置於前述框體，且盘 珂述框體絕緣； 且電性連接至前述 第4端子，設置於前述框體， 基座；以及

，设置於前述 1方向配置； 前述第1方向 第丨、第2及第3半導體雷射元件 基座上’且分別具有一方電極；其中， 前述第1端子及前述第2端子沿第 W述第3端子及前述第4端子沿與 父叉之第2方向配置； 則述第1半導體雷射元件之發光部、前述第3 導體雷射元件之發光部及前述第2半導體雷射元件 ί ΐ::係於前述第1方向，從前述第1端子側向前 u弟2蜢子侧依序配置； ^第3半導體雷射元件之前述—方電極於前述 "’延伸到比前述第2端子侧之前述第2生… 體雷^元相面更靠近前述第2端子之位置；+導 月,J述弟1端子與前述第1半導體雷射 一方電極透汛曾 1十之則述 導料接，前❹2端子與前述第 、， 田、凡件之前述一方電極透過第3導约、击 接七述第3端子與前述第2半導體雷射元件之 一方電極透過第2導線連接； 3】6782 44 1252619 剛述第3半導體雷射元 第2半導體雷射元件都短之I:出波長比前述第1及 性連接至前迷基座之另—方先，同時復包括有電 Μ·如申请專利範圍第13項之半盏触 前述第1、$2及％+肢雷射裝置’其中， 前述第2方向交叉之第V:自沿與前述第1方向及 前述第1、第2及Μ ^ :自—側向另一側延伸； 述第3方向向H黑一半導體雷射元件係以沿前 配置； Μ、 W射出主要雷射光的方式加以 -方電=1及弟2半導體雷射元件分別復包括有另 在比刖14第1導線與前述第 珂述一方電極之第丨 牛寺版田射兀件之 雷射元件之雷射光J 罪近前述第1半導體 雷射元件之；3 側位置，將前述第1半導體 前述…-方電極透過第4導線電性連接至 ·15·::請專利範圍第14項之半導體雷射裝置， =第！導線與前述第2半導體雷射元件：前述 元件二：：2 ί接位置更靠近！述第2半導體雷射 元件之：η之士出側位置，將雨述第2半導體雷射 基座]述另-方電極透過第5導線電性連接至前述 16·如申請專利範圍第]5項之半導體雷射裝置，立 接：置係設定在比前述第1連接位置及前 弗3蛉線與月述第3半導體雷射元件之前述一#極 316782 45 i、第2 中至乂 —個連接位置，更靠，^ 弟2及弟3半導體雷 更罪近丽述第 相反側。 件之雷射光之射出側之 女申-月專利範圍第5 前述第2方向觀察前述第^ 兀件時，前述第1、第9 ^ 及罘3半導體雷射 1 8.如申嘈阜 弟3及第4導線各不交叉。 、十、心圍第1項之半導體雷射裝置，^ 乂 处弟3半導體雷射元件包括有：中，則 之活性層。 另田11化物系+導體構成 19.如申：利範圍第〗項之半導體雷射裝置， 度短？述第3端子之長度比前述第1及第2端子的長

前述第1、 前述第2方向交 前述第1、 述第3方向向前 配置 苐2及苐3端子沿與前述第1方向及 叉之第3方向自一側向另一侧延伸； 弟2及弟3半導體雷射元件係以沿前 述另一侧射出主要雷射光的方式加以 W述第1、第2及第3半導體雷射元無在前述第 1方向配置於前述第1端子與前述第2端子之間； 前述第3端子之長度係設定為於前述第3方向不 與Μ述第1、第2及第3半導體雷射元件之雷射光之 射出侧之相反侧之端面重疊。 20·—種半導體雷射裝置，包括有： 框體’具有導電性； 基座’設置於前述框體，具有導電性； 46 316782 1252619 且與前述框 第1及第2端子，設置於前述框體 體絕緣；以及 第1及第2半導體雷射元件，設置於前述基座上， 且分別具有一方電極及另一方電極；其中， ^ 前述第1半導體雷射元件設置於前述第2半導體 ' 雷射元件上； W述第1端子及庸述第2端子沿第i方向配置； 前述第1端子與前述第1半導體雷射元件之一方 • 電極透過第1導線連接，前述第2端子與前述第2半 體雷射元件之一方電極透過第2導線連接； 别述第1及第2半導體雷射元件之至少一個的另 一方電極係透過基座侧之導線電性連接至前述基座。 21·如申請專利範圍第20項之半導體雷射裝置，立中， 前述第1半導體雷射元件於前述第2半導體雷射元件 上設置於比前述第2端子更靠近前述第丨端子之 置。 22·如申請專利範圍第2〇項之半導體雷射裝置，直 ，編半導體雷射元件包括有由氮導 成之活性層。 卞守版稱 23.如申：專利範圍第2〇項之半導體雷射裝置， 相較於珂述第丨導線與前述第丨半 :甲> 述一方電極之第1連接仞罢$、且田、兀件之刖 义弟運接位置或蚵述第2導衅* 乂、+、斤 2半導體雷射亓#之箭、+、 弟2 V、、泉與刖述弟 田耵兀件之刖述一方電極之第2 於丽述第1半導體雷射元 ， 刖述弟1及第2半導體雷射元環立置 干之至少一個的前述另 316782 47 1252619 一方電極係透過前述基座侧之導線電性連接至前述 基座。

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