TWI251697B - Liquid crystal display element and producing method thereof - Google Patents

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TWI251697B
TWI251697B TW089110030A TW89110030A TWI251697B TW I251697 B TWI251697 B TW I251697B TW 089110030 A TW089110030 A TW 089110030A TW 89110030 A TW89110030 A TW 89110030A TW I251697 B TWI251697 B TW I251697B
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liquid crystal
electrode portion
common electrode
pixel electrode
electric field
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TW089110030A
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Kazuo Inoue
Hiroyuki Yamakita
Katsuhiko Kumagawa
Akinori Shiota
Masanori Kimura
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Matsushita Electric Ind Co Ltd
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Description

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
本叙明係關於利用在液晶顯示裝置或光快門等之液晶 顯示元件及其製造方法。 液晶顯示元件所用之液晶面板因具有可薄型化、輕量 化、能以低電壓驅動等之長處,因而被廣泛利用在手錶、 桌上型電子计异機、個人電腦、個人文字處理機等。 在以往,主要被利用的TN(Twisted Nematic)型液晶面 板,係在上下基板形成電極,藉垂直於基板之縱方向電場 使液晶轉接之方式。 對此,有一擴大液晶面板之視野角度之方式之提案, 疋在同一基板上形成像素電極体及共同電極体,施加橫方 向之電場,使液晶分子動作之橫電場方式。此方式另被稱 作IPS(In-Plane Switching)方式或梳形電極方式(參照,液晶 顯示技術:產業圖書p42)。而lps方式之改良版有,縮小電 極間隔驅動之FFS模式(Fringe Fieid Switching M〇de),或在 對向基板側形成電極而利用斜電場之Hs模式仙 Switching Mode)(參照第57圖)等,此等模式在基板表面也 發生有橫電場,因此’包括此等斜電場統稱作橫電場模式。 第1圖及第2圖表示傳統之IPS方式之液晶面板之架構 圖在此係考慮,令液晶分子初期與共同電極部分6 ··(或 像素電極部分8.··)平行排列,在共同電極部分6·.·與像素電 才° Ρ刀8…施加電壓後,液晶分子排列成垂直於共同電極部 分6···(或像素電極部分8_.)時。再者,與下述發明之實施 例具有同一功能之構件標示同一記號。 惟’傳統之橫電場方式因共同電極部分6···及像素電極
本紙張尺賴财_ 規格(210χ297公髮)
9 , j> 訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
• ^1 ·1 ϋ I 1251697 A7 五、發明說明(2 ) 部分8.··是平板,截面呈四方形狀,因此,橫方向之電場不 太能及於共同電極部分6·.·及像素電極料8 .上之液晶分 子。因此,> 第3圖所示,施加電壓時,液晶12••也有不十 77動作之問題。再者’傳統之橫電場方式之共同電極部分 6···及像素電極部分8···係以AI等之金屬形成,因此光線不 會透過兩電極部分6·.·、8·.•上。換言之,兩電極部分6·..、 L上之液晶分子不動作時,光線也不會透過電極,惟因看 不見,所以不被重視。 因為考慮這些問題,為了抑止反射型液晶面板在電極 上發生反射,有使用透明導電体形成兩電極部分之方法之 提案(參照曰本國特開平9-61842號公報),但如上述,兩電 極部分上之液晶分子未加有充分之橫電場,》夜晶分子不會 向橫方向動I ^使兩電極部分成為透明,並沒有效果。 另有提案疋,使像素電極部分與共同電極部分之截 面呈曲截面形狀之方法(參照日本國特開平9_i7ii94號公 報)。本提案之目的是藉連續施加電場,以改善液晶之上昇 特性。因為僅使兩電極部分成曲截面時,縱方向之電極較 強,橫方向沒有足夠之電場,因此無法改善兩電極部分上 之液晶分子之動作,而且該提案之兩電極部分又不是透明 狀,因此無法提高開口率。除此之外,如該提案使兩電極 ⑷分本身成曲截面,在製造上相當困難。 同時,又有一提案是令像素電極部分或共同電極部分 之方主倒立V子狀,藉電極表面之反射使射入光線集中 在開口部(參照曰本國特開平9-286211號公報),但因需將 297公釐)
4 本紙張尺度翻+國@家鮮(CNS)A4規格(21〇 : 1251697 A7 B7 五、發明說明( 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 光線集中到開口部,無法使用透明電極,反而要使用光反 射率高之A1或CU等。因此無法提高開口率,而且,光線也 必須從V子狀之尖端方向射入,實際上之問題很多。除此 =外’如第4圖所示’因電極之反射面之戴面形狀呈倒立^ 子狀或倒立U字狀,射出角度(第4圖之Θ0)在倒立V字或倒 立U字之錐形角度以而受到一定範圍之限制,視野角會變 乍。亦即,依據上述液晶顯示元件時,因反射面之截面形 狀呈倒立V字狀或倒立u字狀,因此反射光有方向性,限制 到視野角度,因此留下橫電場施加方式(IPS)之廣視野角之 長處無法發揮之課題。 除此之外,另有將像素電極部分及共同電極部分形成 在層間絕緣膜之上面及傾斜面之方法(參照日本國特開平 9-258265號公報),但該提案明記兩電極部分不是透明。且 本提案並未提及回應速度之改善。 因此,本發明之目的在提供,在電極上,橫方向之電 場可以充分到達液晶,因而可以提昇顯示特性之液晶顯示 元件及其製造方法。 同時,本發明之目的在提供,因為提高開口率而可以 獲得明亮之顯示,而且可以提高回應速度之液晶顯示元件 及其製造方法。 而且,本發明之目的在提供,可以獲得寬視野角度之 液晶顯示元件及其製造方法。 為了達成上述目的,本發明係配備有,具有一對基板, 及封裝在此等基板間之液晶,令其一對基板中之一方之基 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) t ^-----------^---- 線_. 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 五、發明說明(4 ) 板,面產生橫電場’藉此使液晶之排列變化之液晶面板之 夜曰曰』不凡件’其特徵在於,產生上述橫電場之基板上在 表面形成有多數凹凸條部,而僅在此凹凸條部之凸條部分 面或在凸條部分之側面及頂部,交互形成有像素電 極体之像素電極部分與共同電極体之共同電極部分,同 夺此等像素電極部分與共同電極部分中之至少一方之電 極部分呈透明狀。 、 I木稱,若是僅在凹凸條部之凸條部分之側面, 或在凸條部分之側面及頂部形成像素電極部分及共同電極 部分,電場可及於兩電極部分(即,有充分大之橫電場), 兩電極部分上之液晶分子也動作,可提高顯示特性。又因 部分之至少一方之電極部分是透明狀,因為可以抑 t 電極部分阻檔,藉此開口率可以大幅度提高, ,’縮小電極部分之間隔時,開口率也不會降低,因為 可以縮小電極部分之間隔,藉此可以提高液晶之回應速度。 ▲再者,僅在凸條部分之側面形成像素電極部分 凸條部之凸條部分之側面及頂部形成像素電極部: 素電若二==條部分之頂部也形成像 ,刀寺%,電%可以延伸向上方(縱方向),對此, = 分之側面形成像素電極部分等,電場則僅及於 像素電^分及共同電極部分之間(僅橫方向之電場)。 面。同時’其特徵在於’上述凹凸條部形成在絕、二之表 同時’其特徵在於,上述絕緣膜由彩色濾色層 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1251697 A7 五、發明說明(5 ) 若採這種架構,便不必另行形成彩色濾色層,因此便 不必預留黏貼彩色濾色層之部分,開口率會更大。 同時,其特徵在於,上述絕緣膜為透明膜。 若是這種構造,便可以因應穿透型之液晶顯示元件, 而且可以防止開口率降低。 同時,其特徵在於,上述絕緣膜之膜厚度為丨μιη以上。 要如此節制之理由是,形成絕緣膜之基板表面有凹 凸,若絕緣膜之膜厚度為1μΓη以上,便可以充分吸收此凹 凸刀,因此絕緣膜之表面會平滑,以及,要確實發揮絕緣 膜之絕緣性時,絕緣膜之膜厚度為1μιη以上較佳。 同時,其特徵在於,僅在此凹凸條部之凸條部分之侧 面’父互形成像素電極部分與共同電極部分時,凸條部分 之頂部之此等電極部分間之間隔節制在6μηι以下。 要如此節制之理由是,電極部分間之間隔超過6μιη 時’兩電極部分會太短,在兩電極部分間不會有充分大之 電場。 同時,其特徵在於,上述凸條部分之縱橫比節制在25 以下’最好是節制在1 · 5以下。 如此節制之理由是,若縱橫比超過2 5,兩電極部分之 對向面積變小’橫電場不太會及於兩電極部分之故。 同時,其特徵在於,對凸條部之斜面長度之像素電極 部分或共同電極部分之長度之比節制在〇·5以下。 如此節制之理由是,若對上述凸條部之斜面長度之像 素電極部分或共同電極部分之長度之比超過〇·5,橫電場狀 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
1251697 五、發明說明(6 A7 B7 態有時會變亂。 同時,其特徵在於,從上述兩基板中之陣列基板側射 入光線。 同時,其特徵在於,備有多層上述液晶面板。 人同守為了達成上述目的,本發明之其特徵在於,包 :有在對基板中之一方基板,形成掃目苗信號線、影像 。I線及半‘體層之第丨製程;在上述掃瞒信號線、影像信 广線及半‘體層上’形成表面有多數凹凸條部之絕緣層之 々製轾,以及,僅在此凹凸條部之凸條部分之側面,或在 凸條部分之側面及頂部,形成至少_方是透明之像素電極 体之像素電極部分與共同電極体之共同電極部分之第3製 程。 “右疋上述方法,則並非使兩電極成曲截面,而是在 電極部分之基礎之絕緣膜之表面形成凹凸條部(曲截面) 因此可很容易製作具有申請專利範圍第!項之作用效果 液晶顯示元件。 〃同時’其特徵在於,在上述第2製程,塗敷感光性樹脂 後,以表面有凹凸之模具擠壓上述感光性樹脂,或擠壓後 曝光,以形成絕緣膜。 若採上述方法,便可以很容易製作表面備有凹凸條部 ,絕緣膜。再者,、絕緣膜之樹脂不限^為上述光硬化型樹 月旨’也可以使用熱硬化型樹脂等。 同時’其特徵在於’上述絕緣膜由彩色濾色層構成。 若是上述方法,便很容易製作申請專利範圍第3項之液 本我張尺度適用t國國家標準規格⑵挪公爱) 兩 之
-----1,---Ί每裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線— 1251697 A7 B7
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同犄,為了達成上述目的,本發明係配備有,具有一 對基板,及封裝在此等基板間之液晶,在上述_對基板中 之方之基板表面上父互形成像素電極体之像素電極部分 ^共同電極体之共同電極部分,令上述基板表面產生橫電 場,藉此使)夜晶之排列變化之液晶面板之液晶顯示元件, -特徵在於,上述像素電極部分與共同電極部分中之至少 方’其棱電場方向之截面形狀呈錐形,並成透明狀。 由於使成上述架構,電場可及於上述電極部分之至少 一方上(亦即橫電場充分大),電極部分上之液晶分子也動 作’顯示特性會提高。@電極#分之至少一方之電極部分 疋透明狀,因此可以抑制光線被電極部分所阻擋,藉此開 口率會大幅度提高,同時,縮小電極部分之間隔開口率也 不會下降,因此可以縮小電極間隔,藉此加速液晶之回應 速度。 同日寸,其特徵在於,上述像素電極部分或共同電極部 分之錐形角為2〇度以上未滿9〇度。 如此節制之理由是,若錐形角是2〇度以上時,可以獲 得报大之橫電場。 同時,其特徵在於,上述像素電極部分或共同電極部 分之錐形角為45度以上未滿90度。
本紙張尺度翻中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公爱)
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S 五、發明說明(8 ) 如此節制之理由是,若錐形角是45度以上時,可以獲 得極大之橫電場。 同時,其特徵在於,上述像素電極部分與共同電極部 分之電極間隔節制在6 μπι以下。 由於如此節制,又因為上述電極部分是透明狀,可以 抑制光線被電極部分所阻擋,—方面防止開口率之降低同 2縮短電極間隔,可藉此加相應時間,可以充分顯示動 同%,其特徵在於,上述像素電極部分或共同電極部 分之橫電場方向之截面形狀呈三角形狀。 因採上述架構,上述電極部分之至少一方之截面形狀 “有錐形之三角形狀’電場可及於電極上,因此電極部 分上之液晶分子也動作,可提高顯示特性。再者,上述三 角形狀之頂部之頂角以135度以下為佳,尤其是⑽度^ 最好。 、5寺〃特试在於’上述像素電極部分或共同電極部 分之橫電場方向之截面形狀呈台形形狀。 :採上述架構’上述電極部分之至少一方之截面形狀 父有錐形之台形形狀’電場可及於電極上,因此,電極 之液晶分子也動作,可提高顯示特性。再者,α/β 員示特性(對比)較佳,緣在2/3以下較佳,ι/2以下最 八=時’其特徵在於,在絕緣膜上形成上述像素電極部 、同電極部分’像素電極部分及共同電極部分位於同 頁 4 本紙張尺度適用 1251697 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(9 ) 一平面上。 由於形成上述絕緣膜,可以加大液晶顯示面板之開口 率’同時’上述像素電極部分與上述共同電極部分之對向 面積^:大’因此橫方向之電場較容易施加到,液晶分子較 易動作。 同時,其特徵在於’上述絕緣膜之膜厚度為1μΐΏ以上。 如此節制之理由是,形成絕緣膜之基板表面有凹凸, 右、巴緣膜之膜厚度為1 以上’便可以充分吸收此凹凸 分,因此絕緣膜之表面會平滑,以及,要確實發揮絕緣膜 之絕緣性時,絕緣膜之膜厚度為1 μηι以上較佳。 同時,其特徵在於,上述絕緣膜由彩色濾色層構成。 若採這種架構,便不必另行形成彩色濾色層,因此便 不必預留黏貼彩色濾色層之部分,開口率會更大。 同時’為了達成上述目的,本發明係配備有,具有一 對基板,及封裝在此等基板間之液晶,同時在上述一對基 板中之一方之基板表面上交互形成像素電極体之像素電極 部分與共同電極体之共同電極部分,令上述基板表面產生 毛、電昜,藉此使液晶之棑列變化之液晶面板之液晶顯示元 件,其特徵在於,上述像素電極部分與共同電極部分中之 至^方,其橫電場方向之截面形狀形成在具有錐形面之 透明纟巴緣層上,而由透明導電膜構成。 由於使成上述架構,電場可及於上述電極部分之至少 方上(亦即,橫電場充分大),電極部分上之液晶分子也 作”、員不特性會提高。而電極部分之至少一方之電極部 規格(210 X 297公楚) I、---U--裝--------訂--------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1251697 A7 B7 五、發明說明(10) 刀疋透明狀’因此可以抑制光線被電極部分所阻擔,藉此 ,二率會大幅度提高。又因上述像素電極部分與共同電極 ^中之至少—方,其橫電場方向之截面形狀形成在具有 錐形面之透明絕緣層上,因此電阻變小,電場更易施加到, 液晶分子更易動作。 同時,其特徵在於,上述像素電極部分與共同電極部 分之電極間隔節制在6μιη以下。 一由於如此節制,因為上述電極部分是透明狀,可以抑 Τ光線被電極部分所阻擋,一方面防止開口率之降低同時 縮紐電極間隔,可藉此加速回應時間,可以充分顯示動晝。 同時,其特徵在於,上述透明絕緣層之橫電場方向之 截面形狀呈三角形狀。 /由於採這種架構,上述透明絕緣層之橫電場方向之截 面形狀呈三角形狀,電場可以及於形成在上述透明絕緣膜 上之電極上,電極部分上之液晶分子也動作,可以提高顯 不特性。再者,上述三角形狀之頂部之頂角以135度以下為 佳’尤其是110度以下最好。 同時,其特徵在於,上述透明絕緣層之橫電場方向之 截面形狀呈台形形狀。 因採上述架構,上述透明絕緣層之橫電場方向之截面 形狀呈台形形狀,電場可以及於形成在上述透明絕緣膜上 之電極上電極4分上之液晶分子也動作,可提高顯示特 f生再者Α/Β較小顯不特性(對比)較佳,在以下較 佳,1/2以下最好。 本紙張尺度適用中國國家標準(ijNS)A4規格(2_10 X 297公董)--------- _ 13 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 !251697 Α7 ^^^----—__ 五、發明說明(11) 同日f,其特徵在於,上述透明絕緣層之錐形角為20度 以上未滿90度。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如此郎制之理由是,若錐形角是20度以上時,可以獲 得很大之橫電場。 同時,其特徵在於,上述透明絕緣層之錐形角為45度 以上未滿90度。 如此節制之理由是,若錐形角是45度以上時,可以獲 得極大之橫電場。 同時,其特徵在於,在絕緣膜上形成上述透明絕緣層, 形成在透明絕緣層上之像素電極部分或共同電極部分位於 同一平面上。 由於形成上述絕緣膜,可以加大液晶顯示面板之開口 率’同日寸’上述像素電極部分與上述共同電極部分之對向 面積變大,因此,橫方向之電場較容易施加到,液晶分子 較易動作。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 同時,其特徵在於,上述絕緣膜之膜厚度為1μιη以上。 如此卽制之理由是,形成絕緣膜之基板表面有凹凸, 若絕緣膜之膜厚度為1 μηι以上,便可以充分吸收此凹凸 分,因此絕緣膜之表面會平滑,以及,要確實發揮絕緣膜 之絕緣性時,絕緣膜之膜厚度為1μιη以上較佳。 同時,其特徵在於,上述絕緣膜由彩色濾色層構成。 右採這種架構’便不必另行形成彩色濾、色層,因此便 不必預留黏貼彩色濾、色層之部分,開口率會更大。 同時,為了達成上述目的,本發明係配備有,具有一 14 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 五、發明說明(I2) 對基板’及封裝在此蓉其k 土板間之液晶,同時在上述一對基 板中之-方之基板表面上交互形成像素電極体之像素電極 部分與共同電極体之共同電極部分,令上述基板表面產生 橫電場,藉此使液晶之排列變化之液晶面板之液晶顯示元 件之製造方法’其特徵在於,包含有··形成構成上述共同 電極体之共同電極部分及構成上述像素電極体之像素電極 部分之第1製程;將上述共同電極部分及上述像素電極部分 之至y Μ以上’形成為橫電場方向之截面形狀有錐形面 之第2製程。 口上述方法疋用以形成橫電場方向之截面形狀有錐形 面’因此可以很容易製作具有中請專利範圍第15項之作用 效果之液晶顯示元件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 同枯,為了達成上述目的,本發明係配備有,具有一 對基板’及封裝在此等基板m同時在上述一對基 板中之-方之基板表面上交互形成像素電極体之像素電極 部分與共同電極体之共㈣極部分,令上述基板表面產生 橫電場,藉此使液晶之排列變化之液晶面板之液晶顯示元 件之製造方法,其特徵在於,包含有:在形成構成像素電 極体之像素電極部分與構成共同電極体之共同電極部分之 至少-方之位置,形成透明絕緣層之^製冑;將上述透明 :緣層形成為,橫電場方向之截面形狀具有錐形面之第2 製程;以及’在上述透明絕緣層上,成膜狀形成上述共同 電極°卩分與像素電極部分之至少一方之第3製程。 因上述方法是要形成橫電場方向之截面形狀具有錐
本紙張尺度_中國國家標準—4規格⑵〇 χ 297公髮) 1251697 智 員 工 消 A7 五、發明說明(I3) 面之透明絕緣膜’在上述透明絕緣膜上形成電極,因此可 .以很容易製作具有申請專利範圍第26項之作用效果之液晶 顯示元件。 同時’為了達成上述目的,本發明係至少在一對基板 間挾持有液晶,在上述基板之至少一方之基板,形成有具 有多數像素電極部之像素電極,及具有多數共同電極部之 共同電極’在上述像素電極與上述共同電極間施加電壓, 使液晶分子之排列變化之液晶顯示元件,其特徵在於,在 上述像素電極及/或上述共同電極中,至少一個電極部形成 有分別隔離之兩個以上之凸狀部。 具有上述架構時,因反射光具有方向性,不會限制視 野角度,因此一方面可以發揮橫電場施加方式(ips)之特 徵,同時可獲得實質開口率高,高亮度之液晶顯示元件。 同時,其特徵在於,上述凸狀部由感光性樹脂材料構 若是這種架構,便可以很容易製成具有上述效果之液 晶顯示元件。 同時,其特徵在於,上述各凸狀部中之至少—個凸狀 =呈兩個以上之突起一体化之形狀,且各突起之高度不相 若是這種架構,更可以發揮上述效果。 同時,其特徵在於,上述突起中之至少兩個之形狀被 規劃成,使其由同-方向射入光線時各突起之射出方 相同。 个 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
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本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) 1251697 同時’其特徵在於,上述突起中之至少^個,其凸狀 部之錐形角在各部位不相同。 /、有上it 4構日T,因反射光具有方向性,不會限制視 :角度’因此一方面可以發揮橫電場施加方式㈣)之特 被同日寸可獲仔貫質開口率高,高亮度之液晶顯示元件。 同時,其特徵在於,上述突起中之至少一個具有上述 基板間間隔所需要之高度。 右疋故種架構,便不會發生如珠子形間隔片在面板内 移動而傷到陣列基才反,或在間隔片之部分發生漏光,不會 有對比降低或獨特之刺眼反光等之晝質之劣化。 同時,其特徵在於,上述凸部之大小對應離像素中心 之距離而異。 同% ’其特徵在於,上述共同電極及上述像素電極中 之方’其上述凸部之大小對應離像素之中心之距離而變 大’另一方則上述凸部之大小對應離像素之中心之距離而 變小。 由於使成這種架構,液晶分子在施加電壓時,液晶分 子之轉動方向會反轉,相互抵消色調之移位,能夠大幅度 減低色調之方位依存性,可以防止傳統之橫電場施加方式 會發生之著色現象。 同時’其特徵在於,上述像素電極或上述共同電極之 至少一個以上以透明導電体形成。 17
「裝--------訂---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1251697
五、發明說明(l5) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 之至2,其特徵在於,上述像素電極上或上述共同電極 y 個以上以光反射機能材料形成。 採這種架構時,不論射入角度如何均會全反射,而射 出面板外’因此可以減低反射損失,提高光線之利用效率。 除此之外,對周圍之外光也有同樣之效果,可以進— 尚光線之利用效率。 y 同蛉,為了達成上述目的,本發明係至少在一對基板 間挾持有液晶,在上述基板之至少—方之基板,形成有具 :多數像素電極部之像素電極,及具有多數共同電極部之 /、同電極,在上述像素電極與上述共同電極間施加電壓, 使液日日刀子之排列變化之液晶顯示元件,其特徵在於,在 j述像素電極及/或上述共同電極中,至少一個電極部被設 定成可使射入光亂反射之形狀。 同時,其特徵在於,上述各凸狀部中之至少一個凸狀 部呈兩個以上之突起—体化之形狀且各突起之高度不相 同。 同時,其特徵在於,上述突起之至少兩個突起,其凸 狀部之錐形角在各部位互異。 [第1實施例] (實施例1) 茲依據第5圖〜第13圖說明本發明之第丨實施例之實施 例1如下。第5圖係以模式方表示實施例丨之液晶面板之構造 之上面圖,第6圖係第5圖線截面圖,第7圖係以模式 表不貫施例1之液晶面板之動作狀態之截面圖,第8圖係 方 凹 ,裝------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) t 訂-------- _線0· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1251697 A7 -------- Β7__ 五、發明說明(16) 凸條部之放大說明圖,第9圖係表示橫電場之比率與縱橫比 之關係之曲線圖,第1 〇圖係以模式方表示實施例丨之其他例 子之液晶面板之構造之上面圖,第u圖係第1〇圖之c_c線 截面圖,第12圖係以模式方表示實施例丨之再一其他例子之 液晶面板之構造之上面圖,第13圖係第12圖之D_D線截面 圖。 如第5圖及第6圖所示,在陣列基板之玻璃基板丨上設有 杈方向(以下稱作X方向)延伸之掃瞄信號線4,此掃瞄信號 線4上形成有保護配線之絕緣膜1〇a。此絕緣膜l 〇a上設有縱 方向(以下稱作γ方向)延伸之影像信號線7,此影像信號線了 上形成有保護配線之絕緣膜10b。此絕緣膜1〇b上形成有絕 緣膜1 5,此絕緣膜15之表面形成有γ方向延設之波浪狀之 凹凸。上述絕緣膜15之上方設有對向基板之玻璃基板2,此 玻璃基板2與絕緣膜15之間封裝有液晶(未圖示)。 又在上述絕緣膜15上設有一對梳形之像素電極体23與 共同電極体22。上述像素電極体23係由直線狀而相互平行 之像素電極部分8.·.(向γ方向延設),及連結此等像素電極 部分8···之引線21(向X方向延設),所構成。另一方面,上 述共同電極体22係由直線狀而相互平行之共同電極部分 6··•(向Υ方向延設),及連結此等共同電極部分6·..之引線 2〇(向X方向延設),所構成。上述像素電極部分8·..與共同 電極部分6···係交互形成在上述絕緣膜15之凹凸條部μ之 凸條部分16a之頂部及側面部。而,上述像素電極部分$ 與上述引線21係介由接觸孔連接在一起, 乃一万面, --------^ ·1111111 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
1251697 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(Π) 上述共同電極部分6.··與引線20係介由接觸孔13a···連接在 一起。 而且,在上述掃瞄信號線4與影像信號線7之交叉位置 配置有主動元件(轉接元件)之半導體層(TFT : Thin Film Transistor)9,掃瞄信號線4之信號供給閘極4a,上述半導體 層9變成ON狀態時,影像信號線7之影像信號電壓經由源極 線7a及汲極14加在上述像素電極体23。 因為具有這種構造,在像素電極体23之像素電極部分 8···與共同電極部分6··.之間產生橫電場,液晶分子在基板 面内轉動,進行液晶層之驅動顯示。 在此,上述構造之液晶面板係經由,在玻璃基板1上矩 陣狀形成金屬配線之影像信號線7與掃瞄信號線4,在其交 點形成半導體層9之製程製成,具体上如下述。 首先’在玻璃基板1之表面,以A1等金屬形成掃瞄信號 線4與共同電極体22之引線20後,為了保護此等配線形成由 SiNx 4構成之絕緣膜i〇a,再於其上形成半導體層9之 TFT。然後,以A1/Ti等金屬形成影像信號線7,源極線〜 及汲極14後,為了保護此等配線形成由SiNx等構成之絕緣 膜10b。接著,使用光硬化型樹脂之感光性之亞克力性樹脂 (PC302:日本徽製),以下述方法,在上述絕緣膜⑽上形 成表面備有凹凸條部16之絕緣膜15。亦即,在陣列基板上, 用旋轉塗敷法塗敷PC302後,以80〇c進行預烘烤1分鐘,再 以表面加工成一定形狀(具有與絕緣膜15相反之形狀,例如 表面由正弦曲線構成)之金屬模具壓製,同時從玻璃基板i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨—丨丨丨丨_訂· I丨—丨丨—丨- 20 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1251697 A7 --- —_B7______ 五、發明說明(以) 側以300mJ/cm2進行曝光。然後,使用顯像液(Cd7〇2aD), 以25°C之溫度進行i分鐘之顯像,以流水洗淨後,再以 200°C進行1小時之後烘烤(使其較室溫昇溫),形成膜厚度 1·5μηι之絕緣膜15。 在此’為了要獲得充分之絕緣性及在大致平坦面上形 成像素電極体及透明電極,絕緣膜之膜厚度以1μηι以上較 佳。而由玻璃基板丨側照射光線時,以射入被擴散之光線(從 橫方向也射入光線,或通過擴散板照射光線)較佳。而且, 若製成透光之模具,則可從模具側射入光線。 如上述方式製作絕緣膜15後,在絕緣膜15形成接觸孔 13a、13b、13c。然後以透明導電膜(ΙΤ〇 :氧化銦_氧化錫) 形成連接没極14之像素電極体23之像素電極部分8···。這 時,汲極14與像素電極体23之像素電極部分8…經由接觸孔 13c··.連接在一起,同時,像素電極体23之引線以與像素電 極部分8.··經由接觸孔13b...連接在一起。 然後,以ITO構成之透明導電膜形成共同電極部分 6·.·。這時,共同電極体22之引線2〇與共同電極部分6..經 由接觸孔13a··.連接在一起。 再者,掃瞄信號線4或影像信號線7也可以考慮用IT〇 ^成但右以ΙΤΟ形成此等信號線4、7時,配線電阻會過 大(Α1之電阻值為4μΩοηι,而ΙΤΟ之電阻值為1〇〇〜5〇〇 μΩοηι),因此信號線4、7以Α1等配線電阻較小之金屬形成 較仏。又為了保護像素電極体23之像素電極部分$…或丑同 電極体22之共同電極部分6···,可在形成像素電極部分8·..
(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) t 裝 ----訂---------線· 1251697 A7 —_________B7 __ 五、發明說明(19) 與共同電極部分6···後,形成由SiNx構成之絕緣膜(本實施 例未圖示)。 然後’在玻璃基板1與玻璃基板2上印刷排向^ (AL5417 :曰本JSR製),摩擦處理後,在玻璃基板丨之緣部 印刷封閉樹脂(Stract-Bond :日本三井東壓製)。再者,在 封閉樹脂中混合4·0μιη之玻璃纖維構成之間隔片。 此後’為了保持基板間隔’在顯示領域内散布直徑 3·5μηι之樹脂球(Ep0Ster GP-HC :曰本觸媒製)作為間隔 片。然後,將玻璃基板1與玻璃基板2黏貼在一起,以15〇c>c 加熱兩個小時,令封閉樹脂硬化。 接著,在如上述製成之空面板,以真空注入法(將空面 板設置在減壓之槽内,面板内抽真空後,令注入口接觸到 液晶,再使槽内恢復常壓,將液晶注入面板内之方法),注 入液晶(MT5087:曰本氮氣公司製)。 最後,在整個注入口塗敷光硬化性樹脂(L〇cktight 352A:曰本Locktight公司製)作為封口樹脂,以 照射光線5分鐘使封口樹脂硬化後,在玻璃基板旧玻璃基 板2之上下(玻璃基板之外側)黏貼偏光板 HEG1425DU:日東電工製)。藉此,製成液晶面板。 在此,如第1圖及第2圖所示,也製作像素電極体23之 像素電極部分8···與共同電極体22之共同f極部分6…與傳 統者同樣為矩形時之液晶面板,與本發明之液晶面板就各 種性能作比較,其結果如下。 首先’在兩液晶面板施加電壓而用顯微鏡觀察的結 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
Vi---一----: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
1251697 A7 五、發明說明(2〇) 1 員 工 消 費 果,發現比較例之液晶面板係如第3圖所示,因橫電場不充 分及於電極上之液晶分子12,因此該部分之液晶分子12不 動作,液晶面板之亮度不充分。對此,本發明之液晶面板 則如第7圖所示’橫電場可充分及於電極上之液晶分子12, T此該部分之液晶分子12也動作,獲得有充分之亮度之液 晶面板。 同時,如本發明,形成表面形成有凹凸條部Μ之絕緣 膜15,便可以加大開口率,同時,像素電極体^之像素電 極部分8.·.與共同電極体22之#同電極部分6·..之對向面積 也變大,因此橫方向之電場較容易施加到,液晶分子較易 動作。 除此之外,因本發明之液晶面板在凹凸條部之凸條 部分16a形成像素電極部分8·與共同電極部分6··.,因此γ 較之比較例之液晶面板’像素電極部分8...與共同電極部分 6··.之朝上部分變窄(即,僅凸條部分l6a之頂部靱上卜 縱方向之電場較難施加到,因而有充分之橫方向之 場。 而回應時間與像素電極部分8·..及共同電極部如 _之平方成比例是眾所周知’因此’顯然縮短像素電 部分8...與共同電極部分6之電極間隔較佳。現用之液 ,板之電極間隔是12叫前後,回答時間為60msee,相▽ I·又因此也可考慮縮短像素電極部分8··.與共同電極部分6. 以提高回應速度。然而’因傳統之像素電極 °刀……、同電極部分6.··並非以透明電極構成,若縮短 因 電 .之 極 曰曰 本紙張尺度適財關家標準(CNS)A4規格⑵G χ撕公复 -23
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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1251697 像素電極部分8··.與共同電極部分6.··之電極間隔,電極數 會因此而增加,致使開口率降低。 對此,如本發明,以透明電極構成像素電極部分8 與共同電極部分6·.·時,縱使縮短像素電極部分8··.與共同 電極部分6...之電極間隔,而增加電極數,仍可防止開口率 之降低。因此,能夠一面防止開口率降低而縮短電極間隔, 同時加速回應時間。再者’已確認藉由縮短電極間隔為 ’而得以15msee之回應時間驅動,十分有可能作動畫 顯示。 其次,如第8圖所示,調查凸條部分16a之縱橫比(圖中 b/a)之最合適值,其結果示於第9圖。 從第9圖可以清楚,凸條部分16a之縱橫比(b/a)在2.5以 下,則施加有50%以上之橫電場,尤其是縱橫比(b/a)在15 以下時,確認施加有70%以上之橫電場。因此,凸條部分 16a之縱橫比(b/a)在2.5以下較佳,L5以下最好。 並進一步’如第8圖所示,對斜面之長度(cl)之像素電 極部分8與共同電極部分6之長度(c2)之比率(c2/cl)之最合 適值作調查。其結果雖未圖示,但可確認比率(c2/cl)超過 0.5時’橫電場狀態會混亂。因此,比率(c2/cl)以〇.5以下 較佳。 再者’上述第1形態係使用絕緣膜15之凹凸條部16呈波 浪狀者’但不限定如此,當然也可以是,例如第10圖及第 11圖所示之V字狀者,如第12圖及第13圖所示之倒立半圓 狀者’或倒立半橢圓狀(未圖示)者。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
^ · I ^ I I ^ I ϋ 一 Φ, I- I I I ^ I I · (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 24 1251697 A7 五、發明說明(22) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此等凹凸條部16之形成方法也不限定如上述形態之 方法,例如也可以使用蝕刻法。 (實施例2) 兹依據第14圖〜第16圖說明本發明之第1實施例之實 施例2如下。第14圖係表示實施例2之液晶面板之構造之截 面圖,第15圖係表示實施例2之另一例子之液晶面板之構造 之截面圖,第16圖係表示實施例2之另一其他例子之液晶 板之構造之截面圖。 如第14圖所示’實施例2所示之液晶面板之架構是, 將像素電極体23之像素電極部分8...與共同電極部分6...: 成在絕緣膜1 5之凸條部分16a之側面(即,不形成在頂部) 其他則與上述實施例i一樣。 若是這種架構,因頂部未形成像素電極部分8 •.及共同 電極部分6··.,較之上述實施例卜縱方向之電場較難施加 到’因而有充分之橫方向之電場。 但若頂點之電極間之距離(第14圖中之以)過長,便不 會有充分大之橫方向之電場,因此,電極間之距離節制在 ό μηι以下較佳。 再者,在本實施例2,絕緣膜15之凹凸條部16也不限定 為波浪狀者,當然也可以是,例如第15圖所示之v字狀者, 如第16圖所不之倒立半圓狀者’或倒立半擴圓狀(未圖 者。 (實施例3) 兹依據第17圖〜第19圖說明本發明之第丨實施例之實 而 面 僅 形 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) «»裝-------- 訂-----.----· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2】〇 χ 297公釐 1251697 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ---—---Η_ 五、發明說明(23) 轭例3如下。第17圖係表示實施例3之液晶面板之構造之截 面圖,第1 8圖係表示實施例3之另一例子之液晶面板之構造 之截面圖,第19圖係表示實施例3之另一其他例子之液晶面 板之構造之截面圖。 如第1 7圖所示,除了表面形成有凹凸條部16之絕緣膜 使用彩色濾色層17以外,具有與實施例丨同樣之構造。 上述彩色滤色層1 7係如下述方式形成。 首先,以喷墨法在基板上塗敷亞克力系之感光性樹脂 分散顏料之著色抗蝕劑後,以8〇〇c預烘烤1分鐘。再者, 著色抗餘劑係在對應各像素之位置塗敷r、〇、B之三原色。 接著,以表面加工成一定形狀之模具壓製,同時從玻璃基 板1側以500mJ/cm2進行曝光後,使用顯像液以25〇c之溫度 進行兩分鐘之顯像,再以流水洗淨後,以2〇〇〇c進行i個小 日守之後烘烤’形成膜厚度1_〇μπι之彩色濾色層17。 由於具有這種条構,與上述實施例1 一樣,可以提高開 口率與回應速度,以及液晶面板之亮度以外,可以不必在 玻璃基板2上形成彩色濾色層,因此不必預留黏貼彩色濾色 層之部位,因而可以進一步加大開口率。同時,因為能夠 共用絕緣膜與彩色濾色層17(以彩色濾色層17兼用做絕緣 膜),因此可以達成製程之簡化及構件之削減。 再者,上述實施例3係使用喷墨法同時形成各色(R、 G、B),但也可以使用旋轉塗敷法或印刷法,一次一色分 別形成。 同時,上述實施例3係使用感光性之著色抗蝕劑,但也 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) · : 裝--------訂- — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 26 1251697 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(24) 可以在基板上形成分散顏料之非感光性聚合物材料後,另 行塗敷感光性抗餘劑,進行曝光、顯像。此外,也可以使 用其他之染色法等其他方法形成。 除此之外攸玻璃基板1侧照射光線時,射入經擴散之 光線較佳或預先製成可透光之模具,便可以從絕緣膜i 5 側射入光線等與上述實施例1、2相同。 而且,在本實施例3,彩色濾色層17之凹凸條部也不限 疋為波浪狀者,當然也可以是,例如第丨8圖所示之V字狀 者,如第19圖所不之倒立半圓狀者,或倒立半橢圓狀(未圖 示)者。 (實施例4) 茲依據第20圖〜第22圖說明本發明之第i實施例之實 施例4如下。第20圖係表示實施例4之液晶面板之構造之截 面圖,第21圖係表示實施例4之另一例子之液晶面板之構造 之截面圖,第22圖係表示實施例4之另一其他例子之液晶面 板之構造之截面圖。 如第20圖所示,實施例4所示之液晶面板之架構是,僅 將像素電極体23之像素電極部分8·.·與共同電極部分6··.形 成在彩色濾色層17之凸條部分之側面(即,不形成在頂 部),其他與上述實施例3 —樣。 若是這種架構,因頂部未形成像素電極部分8···及共同 電極部分6···,較之上述實施例3,縱方向之電場較難施加 到’因而有充分之橫方向之電場。 但若頂點之電極間之距離(第16圖中之d2)過長,便不 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) 27 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---------線 1251697
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(25) 會有充分大之橫方向之電場,因A,電極間之距離節制在 4μηι以下較佳。 再者,在本實施例4,彩色濾色層17凹凸條部16也不限 定為波浪狀者,當然也可以是,例如第21圖所示之V字狀 者’如第22圖所不之倒立半圓狀者,或倒立半橢圓狀(未圖 示)者。 (關於第1實施例之實施例i〜實施例4之構造之其他事項) (1) 上述各實施例之液晶係使用介電率異方性為正之 MT5087(曰本氮氣公司製),但不限定如此,可以用E_7(曰 本BDil公司製),E-8(曰本BDH公司製),ZLI4792(曰本 MERUKlJ公司製)或TL202(日本MERUKU公司製),介電率 異方性為負之ZLI4788(日本MERUKU)也可以使用。同時, 液晶也不限定為Nematic液晶也可以使用強介電性液晶或 反強介電性液晶等。亦即,本發明不依液晶材料或排向膜 材料,均為有效。 (2) 上述各實施例之主動元件使用三端子元件之tFT, 但二端子元件之MIM(Metal-Insulator-Metal),ZnO變阻体 或SlNx二極体,a_Si二極体等也可以。同時,電晶体之構 造並不限定為底閘構造之a_Si,頂閘構造,p-Si等均可以。 也可以在基板周邊形成驅動電路。 (3) 上述各實施例之兩基板均使用玻璃基板,但其一方 或雙方之基板均可以用薄膜或塑膠等形成。而其玻璃基板 2(對向基板)也可以使用附有17〇之玻璃基板或附設彩色濾 色層之基板等。而且,在玻璃基板丨(陣列基板)側或玻璃基 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格⑽x 297公愛) 28 -裝--------訂---------^91. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} f 1251697 A7 五、發明說明(26) 板2(對向基板)侧形成彩色濾色層之基板也可以。 (4) 排向膜可以使用預傾斜(pre-tilt)角會變大之排向膜 或垂直排向膜,而排向方法採不使用摩擦之排向(例如藉光 排向之方法)時,可以獲得更均勻之排向,因此對比會更 好。而單元厚度形成方法若使用不是間隔片散布方法(例如 藉樹脂形成柱子之方法),便可以獲得均一之單元厚度。 (5) 上述凹凸條部不限定形成在絕緣膜,例如可以形成 在基板(玻璃)上。 (6) 上述各實施例未在對向基板(玻璃基板2)側形成電 極,但也可以在對向基板側形成電極,也可以用導電性之 物質取代電極。 [第2實施例] (實施例1) 炫依據第23圖〜第25圖說明本發明之第2實施例之實 施例1如下。第23圖係以模式方表示第2實施例之實施例1 之液晶面板之構造之上面圖,第24圖係第23圖之E-E線截 面圖’第25圖係以模式方表示第2實施例之實施例1之液晶 面板之動作狀態之截面圖。 如第23圖及第24圖所示,在陣列基板之玻璃基板1上設 有檢方向(以下稱作X方向)延伸之掃瞄信號線4及梳型之共 同電極体22。上述共同電極体22係由直線狀且相互平行之 共同電極部分6·..(向Y方向延設),及連結此等共同電極部 分6···之引線20(向X方向延設),所構成。上述此掃瞄信號 線4及共同電極体22上形成有保護配線用之絕緣膜10&。此 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝*-------訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 29 1251697 A7 ------------B7___ ^ 五、發明說明(27) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 絕緣膜10a上設有縱方向(以下稱作γ方向)延伸之影像信號 線7及梳型之像素電極体23吐述像素電極体23係由直線狀 且相互平行之像素電極部分8·.•(向¥方向延設),及連結此 等像素電極部分6.··之引線21(向χ方向延設),所構成。上 述影像信號線7及像素電極体23上形成有保護配線用之絕 緣膜i〇b。此絕緣膜10b之上方設有對向基板之玻璃基板2, 此玻璃基板2與絕緣膜10b之間封裝有液晶(未圖示)。 而上述像素電極部分8··.與共同電極部分6 .係形成為 橫電場方向之截面形狀呈錐形(本實施例m形成為三角形 狀)同時是父互形成,上述像素電極部分8·.·與引線21連 接在起,另一方面,上述共同電極部分6.與引線2〇連接 在一起° 而且,在上述掃瞄信號線4與影像信號線7之交叉位置 配置有主動元件(轉接元件)之半導體層(TFT : Thin Fiim Transistor)9,掃瞄信號線4之信號供給閘極乜,上述半導體 層9變成〇 N狀態時,影像信號線7之影像信號電壓經由源極 線7a及汲極14加在上述像素電極体23。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因為具有這種構造,在像素電極体23之像素電極部分 8···與共同電極部分6·.·之間產生橫電場,液晶分子在基板 面内轉動,進行液晶層之驅動顯示。 在此,上述構造之液晶面板係經由,在玻璃基板1上矩 陣狀形成金屬配線之影像信號線7與掃瞄信號線4,在其交 點形成半導體層9之製程製成,具体上如下述。 首先,在玻璃基板1之表面,以A1等金屬形成掃瞄信號 本紙張尺度剌中國國家標準(CNS)A4規格⑵〇 χ 297公f ) 30 1251697 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ----*——^--— 五、發明說明(28) 線4與共同電極体22之引線2〇。然後,成直線狀且相互平行 狀向γ方向延設以透明導電膜(IT〇:氧化铜_氧化锡鳩成之 共同電極部分6_··,同時將此等共同電極部分6.•連結在引 線20。然後,上述共同電極部分6••係藉錐形蝕刻使其截面 形狀成三角形狀。接著,為了保護此等配線形成由8驗等 構成之絕緣膜l〇a,再於其上形成TFT作為半導體層9。 然後,以Al/Ti等金屬形成影像信號線7,源極線以及 汲極14後,在X方向形成引線21,成直線狀且相互平行狀 向Y方向延設連結於上述引線21之以透明導電膜(IT〇 :氧 化銦-氧化錫)構成之像素電極部分8··.,而上述像素電極部 分8係連接於上述汲極14。上述像素電極部分8·.·係藉錐形 蝕刻使其截面形狀成三角形狀。為了保護此等配線形成由 SiNx等構成之絕緣膜1〇1^。 再者’知目苗彳g號線4或影像信號線7也可以考慮用ιτο 形成,但若以ITO形成此等信號線4、7時,配線電阻會過 大(A1之電阻值為4μΩοιη,而ITO之電阻值為100〜5〇〇 μΩςηι),因此信號線4、7以Α1等配線電阻較小之金屬形成 較佳。 然後,在玻璃基板1與玻璃基板2上印刷排向膜 (AL5417 :曰本JSR製),摩擦處理後,在玻璃基板丨之緣部 印刷封閉樹脂(Stract-Bond :日本三井東壓製)。再者,在 封閉樹脂中混合4·0μιη之玻璃纖維構成之間隔片。 此後,為了保持基板間隔,在顯示領域内散布直徑 3·5μηι之樹脂球(Eposter GP-HC ··曰本觸媒製)作為間隔 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 31 【裝------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線 1251697
五、 發明說明(^) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 片。然後,將玻璃基板1與玻璃基板2黏貼在一起,以150°C 加熱兩個小時,令封閉樹脂硬化。 接著,在如上述製成之空面板,以真空注入法(將空面 板设置在減壓之槽内,面板内抽真空後,令注入口接觸到 液晶’再使槽内恢復常壓,將液晶注入面板内之方法),注 入液晶(MT5〇87:日本氮氣公司製)。 最後,在整個注入口塗敷光硬化性樹脂(Locktight 352A :曰本Locktight公司製)作為封口樹脂,以1〇inw/Cm2 照射光線5分鐘使封口材料硬化後,在玻璃基板丨與玻璃基 板2之上下(玻璃基板之外側)黏貼偏光板(NpF_ HEG1425DU :曰東電工製)。藉此,製成液晶面板。 在此’如第1圖及第2圖所示,也製作像素電極体23之 像素電極部分8…與共同電極体22之共同電極部分6···與傳 統者同樣為矩形時之液晶面板,與本發明之液晶面板就各 種性能作比較,其結果如下。 首先,在兩液晶面板施加電壓而用顯微鏡觀察的結 果’發現比較例之液晶面板係如第3圖所示,因橫電場不充 为及於電極上之液晶分子12,因此該部分之液晶分子12不 動作’液晶面板之亮度不充分。對此,本發明之液晶面板 因像素電極部分8···與共同電極部分6.··之截面形狀呈三角 形狀,因此如第25圖所示,橫電場可充分及於電極上之液 晶分子12,因此該部分之液晶分子12也動作,獲得有充分 之亮度之液晶面板。又如本發明,以透明電極形成像素電 極部分8·.·與共同電極部分6…時,可以加大開口率。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 32 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---------線· 五、發明說明(30) 狀之本發明之液晶面板形成有截面形狀呈三角形 . 與共同電極部分6•,因此較㈣ 上部分變窄(即,僅頂部朝上)。因此1電極部分6.··之朝 施加到,因而㈣八 财向之電場較難 有充刀之棱方向之電場。 間隔:=間與像素電極部分8_..及共同電極部分6.·.之 W之千方成比例是眾所周知 部分8...與妓同雷㈣八, U此顯然細短像素電極 面柄μ 之電極間隔較佳。現用之液晶 Γ因::間隔是12_前後,回應時間為一 ^ 之又電^可考慮縮短像素電極部分8·..與共同電極部分L 二電以提高回應速度。然而,因傳統之像素電極 合因“ ·〜、共同電極部分6...之電極間隔,電極數 會因此而增加,致使開口率降低。 =此,如本發明,以透明電極構成像素電 =電極部分6·..時’縱使縮短像素電極部分8·.·與共同電 :Γ;之電極間隔,而增加電極數,仍可防止開口: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
A L面防止開口率降低而縮短電極間隔, 同時加速回鹿時η 隔 ,而^i二 確認藉由縮短電極間隔為 顯示。 Sec之回應時間驅動’十分有可能作動晝 再者’本實施例1係將電極之截面形狀形成為=角 狀:旦只要是錐形形狀,其截面形狀不受限制,也二 五角形狀以上之多角形狀。 也了以疋
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訂 9 先 閲 讀 背 面 之 注 項 再 填 寫 本 頁 Ψ
1251697 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(32) 係介由接觸孔13 a...連接在一起。 而且,在上述掃瞄信號線4與影像信號線7之交叉位置 配置有主動元件(轉接元件)之半導體層(TFT : Thin Film Transistor)9,掃瞄信號線4之信號供給閘極4&,上述半導體 層9變成ON狀態時,影像信號線7之影像信號電壓經由源極 線7a及汲極14加在上述像素電極体23。 因為具有這種構造,在像素電極体23之像素電極部分 8·.·與共同電極部分6···之間產生橫電場,液晶分子在基板 面内轉動,進行液晶層之驅動顯示。 在此,上述構造之液晶面板係經由,在玻璃基板1上矩 陣狀形成金屬配線之影像信號線7與掃瞄信號線4,在其交 點形成半導體層9之製程製成,具体上如下述。 首先,在玻璃基板1之表面,以A1等金屬形成掃瞄信號 線4與共同電極体22之引線20後,為了保護此等配線形成由 SiNx等構成之絕緣膜1〇a,再於其上形成半導體層9之 TFT。然後,以A1/Ti等金屬形成影像信號線7,源極線π 及/及極14後,為了保護此等配線形成由Si〇2等構成之絕緣 膜1〇b。接著’使用光硬化型樹脂之亞克力性樹脂(pc3〇2 : 日本JSR製),以下述方法,在上述絕緣膜1〇b上形成絕緣膜 15亦即’在陣列基板上,用旋轉塗敷法塗敷PC302後, 以80 C進行預烘烤}分鐘,再從玻璃基板Hg〗&3〇〇mJ/cm2 進行曝光。然後,使用顯像液(CD702AD),以25°C之溫度 進行1刀知之顯像,以流水洗淨後,再以200。(:進行1小時 後九、烤(使其較至溫昇溫),形成膜厚度1. 之絕緣膜 本紙張尺財關家標^X 297公釐)-71ΓΤ-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) «·裝----- 訂ί——.—— 251697 A7 —--------B7_ 五、發明說明(33) 15 〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在此’為了要獲得充分之絕緣性及在大致平坦面上形 成像素電極体及透明電極,絕緣膜之膜厚度以1μηχ以上較 佳。而由玻璃基板1側照射光線時,以射入經擴散之光線(從 橫方向也射入光線,或通過擴散板照射光線)較佳。 如上述方式製作絕緣膜15後,在絕緣膜15形成接觸孔 13a、13b、13c。然後以透明導電膜(ΙΤ〇:氧化銦_氧化錫) 形成連接汲極14之像素電極体23之像素電極部分8.·.。這 時,汲極14與像素電極体23之像素電極部分8••經由接觸孔 13c··.連接在一起,同時,像素電極体23之引線21與像素電 極部分8.·.經由接觸孔13b·..連接在一起。 然後’藉錐形蝕刻將上述像素電極部分8···形成為截面 形狀成三角形狀。接著,以ITO構成之透明導電膜形成共 同電極部分6..·。這時,共同電極体22之引線2〇與共同電極 部分6…經由接觸孔13a…連接在一起。而上述共同電極部 分6.··也同樣藉錐形蝕刻使其截面形狀成三角形狀。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者,掃瞄信號線4或影像信號線7也可以考慮用IT〇 形成,但若以ITO形成此等信號線4、7時,配線電阻會過 大(A1之電阻值為4μΩ(:ιη,而IT〇之電阻值為ι〇〇〜5〇〇 μΩοιη),因此信號線4、7以八丨等配線電阻較小之金屬形成 較佳。又為了保護像素電極体23之像素電極部分8• •或共同 電極体22之共同電極部分6.··,可在形成像素電極部分8··. 與共同電極部分6···後,形成由SiNx構成之絕緣膜(本實施 例未圖示)。 械張尺度中_家標準(CNS)A4規格(2W χ 297公爱) 1251697 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(34) 然後,在玻璃基板1與玻璃基板2上印刷排向膜 (AL5417 :曰本JSR製)’摩擦處理後,在玻璃基板1之緣部 印刷封閉樹脂(Stract-Bond ··曰本三井東壓製)。再者,在 封閉樹脂中混合4.Ομπι之玻璃纖維構成之間隔片。 此後’為了保持基板間隔,在顯示領域内散布直徑 3·5μηι之樹脂球(Eposter* GP-HC :曰本觸媒製)作為間隔 片。然後’將玻璃基板1與玻璃基板2黏貼在一起,以1 5 0。C 加熱兩個小時,令封閉樹脂硬化。 接著,在如上述製成之空面板,以真空注入法(將空面 板設置在減壓之槽内,面板内抽真空後,令注入口接觸到 液晶,再使槽内恢復常壓,將液晶注入面板内之方法),注 入液晶(MT5〇87 :氮氣公司製)。 最後,在整個注入口塗敷光硬化性樹脂(Locktight 352A :曰本Locktight公司製)作為封口樹脂,以lOmW/cm2 照射光線5分鐘使封口材料硬化後,在玻璃基板丨與玻璃基 板2之上下(玻璃基板之外側)黏貼偏光板(NpF_ HEG1425DU :日東電工製)。藉此,製成液晶面板。 在此’也製作像素電極体23之像素電極部分8...與共同 電極体22之共同電極部分6···與傳統者同樣為矩形時之液 晶面板’與本發明之液晶面板就各種性能作比較,其結果 如下。 首先’在兩液晶面板施加電壓而用顯微鏡觀察的結 果’發現比較例之液晶面板係如第45圖所示,因橫電場不 充分及於電極上之液晶分子12,因此該部分之液晶分子12 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 37 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) «»裝
訂·!.---.----線 I 1251697 A7 B7 五、發明說明(35) 員
不動作,液晶面板之亮度不充分。對此,本發明之液晶面 板則如第29圖所示,橫電場可充分及於電極上之液晶分子 12,因此該部分之液晶分子12也動作,獲得有充分之亮度 之液晶面板。 而第30圖係模擬加在第2實施例之實施例2之液晶面板 之電場時之概略之曲線圖,第46圖模擬加在傳統之液晶面 板之電場時之概略之曲線圖。箭頭表示電力線,傳統之液 晶面板之像素電極部分8、共同電極部分6上幾乎都是縱方 向之電場,對此,本發明之液晶面板則有橫方向之電場。 第33圖表示以傳統之方法製成之液晶面板與第2實施 例之貝施例1及2製成之液晶面板之開口率與像素間距之關 係。從第33圖可以看出,本發明之第2實施例之實施例^及] =成之液晶面板之開口率較傳統之液晶面板有大幅度之提 同而且’實施例2製成之液晶面板之開口率較實施例1之 液晶面板提高。因此,如實施例2形成絕緣膜15便可以加大 開口率,同時,像素電極体23之像素電極部分8··與共同 才°, 2之,、同電極部分6··.之對向面積變大,因此橫方向 電場較容易施加到,因此液晶分子較易動作。 角幵因本發明之液晶面板形成有截面形狀I 角祕之像素電極部狀··與共同電極部分6.·.,因此 之比㈣之液晶面板’像素電極部分8••與 之朝上部分變窄(即,僅 f 776 較難施加到,因而有充分之横方向之電場。 電 而回應時間與像素電極部分8.·.及共同電極部分L 電 場 •之 本紙張尺度適用中國國家
-----·----; — 裝--------訂---------. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 38 1251697 五、 智 慧 財 員 工 消 費 合 作 社 印 發明說明(36) 項 =隔之平方成比例是眾所周知,因此,㈣縮短像素電極 。刀8…與共同電極部分6...之電極間隔較佳。王見用之液曰 ,?板之電極間隔是12_前後,回應時間為,相;曰 匕,因此也可考慮縮短像素電極部分8··.與共同電極部分6 之電極間隔,以提高回應速度。然而,因傳統之像素電極 ^8…與共同電極部分6.·.並非以透明電極構成,若縮短 像素電極部分8·.·與共同電極部分6··之電極間隔,電極數 會因此而增加,致使開口率降低。 對此,如本發明以透明電極構成像素電極部分8盘妓 同電極部分6...時,縱使縮短像素電極部分8...與共同電極 部分6...之電極㈣,而增加電極數,仍可防止開口率之降 低。因此’能夠-面防止開口率降低而縮短電極間隔,同 時加速回應_。再者,已確認藉由驗電極_為6帅, 而得以Umsee之回應時間驅動,十分有可能作動畫顯示。 第圖表示三角形狀之頂部之頂角與從電極端2㈣内 側之橫方向之電場之強度之關係。(傳統架構之電極與電極 間之橫方向之電場為1G%,下述第32圖亦同)。從此結果可 以確認’若頂角在135度以下’則施加有5〇%以上之橫電 f,尤其是頂角在110度以下,則會施加有7〇%以上之橫電 %。因此,丁頁角以135度以下較佳,特別是ιι〇度以下時更 佳。 再於第32圖表示三角形狀之錐形角與從電極端2_内 側之橫方向之電場之強度之關係。再者,所謂錐形角係如 第34圖所示’指三角形之斜面與底面間之角度。若截面是 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1251697 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製
訂-!.---·---- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) i 裝 A7 五、發明說明(37) 台形狀,則如第35圖所示,指. 夕灶里士 低面間之角度。從第 ' 果確認,錐形角在20度以上時,施加有45%以上 之橫電場,尤其是,錐形角在45度以上時,則施加有㈣ 以上之知、電場。因此’錐形角在2〇度以上為佳,特別是45 度以上時更佳。 在第2實施例之實施例2所示之絕緣膜15也可以用彩色 濾士層形成,若以上述彩色濾色層形成,對向基板便不需 要才> 色濾、色層,因此不必要求上下基板之對準精度,又可 以加大開口率。 (實施例3) 茲依據第36圖〜第38圖說明本發明之第2實施例之實 細例3如下。第36圖係表示第2實施例之實施例)之液晶面板 之構造之截面圖,第37圖係表示第2實施例之實施例3之其 他例子之液晶面板之構造之截面圖,第38圖係表示第2實施 例之實施例3之再一其他例子之液晶面板之構造之截面圖。 如第36圖所示’實施例3所示之液晶面板,除了將像素 電極体23之像素電極部分8·.·及共同電極体22之共同電極 部分6...形成在截面形狀呈三角形狀之透明絕緣層31.··上 以外,其餘架構均與上述實施例1相同。 首先’在玻璃基板1之表面,以A1等金屬形成掃瞄信號 線4與共同電極体22之引線20。然後,以下述方法,在陣列 基板1上,使用光硬化型樹脂之感光性之亞克力性樹脂 (PC403 :日本JSR製),在形成共同電極部分6···之位置形成 透明絕緣層3 1。亦即,藉旋轉塗敷法在陣列基板1上塗敷
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1251697 A7 —__B7_— ___ 五、發明說明(38) PC403後,以90°C預烘烤兩分鐘,再以3〇〇mJ/cm2進行曝 光。然後以顯像液(PD523AD),在25°C之溫度下進行i分鐘 之顯像,以流水洗淨後,在11〇。〇之烤箱進行兩分鐘之後 烘烤,再以220°C進行一個小時之後烘烤,形成高丨卜瓜,寬 5μηι之二角形狀之透明絕緣層3 1。因為急激進行後烘烤, 可以形成錐形,製成三角形狀之透明絕緣層3 i。 然後,在上述透明絕緣層31上形成以透明導電膜 (ITO :氧化銦-氧化錫)構成之共同電極部分6· .·。接著,為 了保護此等配線,形成由Si〇2等構成之絕緣膜丨〇a,在其上 形成TFT作為半導體層9。 然後,以Al/Ti等金屬形成影像信號線7 ,源極線〜及 汲極14後,在X方向形成引線21,在形成像素電極部分8之 位置,以跟上述方法同樣形成三角形狀之透明絕緣層3 ^。 在此三角形狀之透明絕緣層3丨上形成連接汲極14之透 明導電膜(ιτο :氧化銦_氧化錫)構成之像素電極部分8。為 了保護此等配線,形成由以^^等構成之絕緣膜1〇b。然後, 如貝施例1同樣製成液晶顯示元件。也可以如第圖所示, 與上述實施例2同樣形成絕緣膜15後,形成三角形狀之透明 絕緣層31···,在透明絕緣層31.··上形成像素電極部分8··. 或共同電極部分6···。再者,也可以用彩色濾色層形成上述 絕緣膜15。 藉此架構時,也可以在電極上之液晶分子12施加充分 之橫電場,該部位之液晶分子12也動作,獲得十分明亮之 液晶面板。 $張尺度適用—中國國家標準規格⑽χ挪公髮)-------- -41 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) #·裝-------- 訂-l·---'----\ 1251697 A7 五、發明說明(39) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 若以透明電極形成像音 ., 风像素電極部分8.··及共同電極部分 志德:Γ加大開口率。又如第37圖所示藉由在透明電極形 伖?/ I部分8··.或共同電極部分6.··之架構,像素電極 体23之像素電極部分8 | 刀《···與共同電極体22之共同電極部分 6…之對向面積會變大闵 貝曰夂X因此杈方向之電場較易施加到,液 晶分子較易動作。 矛、此之外本發明之液晶面板形成有截面形狀呈三角 形狀之像素電極部分8···及共同電極部分6···,因此,較之 車乂例之液aa面板,像素電極部分8••與共同電極部分6··· 之朝上部分變窄(即,僅頂部朝上)。因此,縱方向之電場 較難施加到,因而有充分之橫方向之電場。 又如第38圖所示,在上述透明絕緣層31上形成像素電 極4刀8與共同電極部分6時,若同時形成構成上述像素電 極邛刀8與共同電極部分6之一部分之緣部,緣部以、 a在衣造過程上可確實形成像素電極部分8與共同電極部 分6 〇 (實施例4) 炫依據第39圖〜第40圖說明本發明之第2實施例之實 靶例4如下。第39圖係表示第2實施例之實施例4之液晶面板 之構造之截面圖,第40圖係表示第2實施例之實施例3之其 他例子之液晶面板之構造之截面圖。 如第39圖所示,實施例4所示之液晶面板,除了將像素 電極体23之像素電極部分8···與共同電極体22之共同電極 4刀6··.形成在戴面形狀五角形狀之透明絕緣層32___上 以 ^丨丨丨J丨丨裝·丨—丨 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂_|——-----線
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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(4〇) 外,其餘均與上述實施例1同樣之架構。具体之形成方法如 下。 首先,在玻璃基板1之表面,以A1等金屬形成掃瞄信號 線4與共同電極体22之引線2〇。然後,以下述方法,在陣列 基板1上,使用光硬化型樹脂之感光性之亞克力性樹脂 (PC403 ·曰本jSR製”在形成共同電極部分6.··之位置形成 透明絕緣層32。亦即,藉旋轉塗敷法在陣列基板丨上塗敷 PC403後’以9〇°c預烘烤兩分鐘,再以3〇〇mJ/cm2進行曝 光。然後以顯像液(PD523AD),在25°C之溫度下進行1分鐘 之員像,以流水洗淨後,以22〇°c進行一個小時之後烘烤(使 幸乂至昇溫),形成高〇 2(im,寬5μιη之截面形狀呈四角形 狀之透明絕緣層。在上述截面形狀呈四角形狀之透明絕緣 層上,藉下述方法形成截面形狀呈三角形狀之透明絕緣層。 在陣列基板1上,藉旋轉塗敷法塗敷PC4〇3後,以9〇°C 預烘烤兩分鐘,再以300mJ/cm2進行曝光。然後以顯像液 (PD523AD),在25°C之溫度下進行丨分鐘之顯像,以流水洗 淨後,在no〇c之烤箱進行兩分鐘之後烘烤,再以22〇0(:進 行個小日守之後烘烤,形成高1 μηι,寬5 μηι之三角形狀之 透明絕緣層32。因為急激進行後烘烤,可以形成錐形,製 成三角形狀之透明絕緣層。以上述方法製成截面形狀呈五 角形狀之透明絕緣層32。 然後’在上述透明絕緣層32上形成以透明導電膜 (ΙΤΟ ·氧化銦_氧化錫)構成之共同電極部分6...。接著,為 了保護此等配線,形成由Si〇2等構成之絕緣膜1〇a,在其上 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公釐) ! !,ί d 装! — — — —.訂 — — I — ! (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 43
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1251697 形成TFT作為半導體層。 然後,以Al/Ti等金屬形成影像信號線7,源極線〜及 汲極14後’在X方向形成引線21,在形成像素電極部分8··. 之位置’以跟上述方法同樣形成五角形狀之透明絕緣層32。 在此截面形狀呈五角形狀之透明絕緣層32••上形成連 接汲極14之透明電極膜(IT〇 ··氧化銦_氧化錫)構成之像素 電極部分8···。為了保護此等配線,形成*siNx等構成之絕 緣膜l〇b。然後,如實施例丨同樣製成液晶顯示元件。也可 以如第40圖所示,與上述實施例2同樣形成絕緣膜。後,形 成透明絕緣層32.··,在上述透明絕緣層32.·.上形成像素電 極邛刀8 ·..或共同電極部分6…。再者,也可以用彩色遽色 層形成上述絕緣膜15。 藉此架構時,也可以在電極上之液晶分子12施加充分 之秘電場,該部位之液晶分子丨2也動作,獲得十分明亮之 液晶面板。 若以透明電極形成像素電極部分8••及共同電極部分 6···,則可加大開口率。又如第4〇圖所示藉由在透明電極形 成像素電極部分8··.或共同電極部分6 ••之架構,像素電極 体23之像素電極部分8_.與共同電極体22之共同電極部分 6·.·之對向面積會變大,因此橫方向之電場較易施加到,液 晶分子較易動作。 (實施例5) 茲依據第41圖〜第44圖說明本發明之第2實施例之實 施例5如下。第41圖係表示第2實施例之實施例5之像素電極 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格⑽χ 297公楚)
—丨丨·丨丨丨J 丨裝.丨丨丨 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) H I ϋ ϋ 訂-l·---'---Λ 44 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1251697 A7 ------------- 五、發明說明(42) 部分或共同電極部分之截面形狀之截面圖,第42圖係表示 第2貫施例之實施例5之液晶面板之構造之截面圖,第43圖 係表示第2實施例之實施例5之其他例子之液晶面板之構造 之截面圖,第44圖係表示第2實施例之實施例5之像素電極 部分或共同電極部分之截面形狀之上邊與下邊之比率與對 比之關係之曲線圖。 如第41圖、第42圖所示,實施例5所示之液晶面板,除 了將像素電極体23之像素電極部分19···與共同電極体22之 共同電極部分18··.形成為截面形狀呈台形狀外,其餘架構 與實施例1相同。上述台形狀之形狀之上邊A為4μηι,下邊 Β為6μιη,可藉改變錐形蝕刻之條件而形成。 第42圖表示第2實施例之實施例5之液晶面板之構造之 截面圖,本實施例5係將像素電極部分19••與共同電極部分 18…之截面形狀形成為具有錐形之台形形狀,電極上之液 晶分子較實施例1(第23圖)者不易動,但較傳統例子容易 動’可以^南顯不性能(對比)。 第44圖表示第2實施例之實施例5之像素電極部分或共 同電極部分之截面形狀之上邊與下邊之比率與對比之關 係。可以看出,A/B較小者對比較佳,A/B以2/3以下較佳, 最好是1/2以下最佳。又如第43圖所示,與上述實施例二同 樣,可以在形成絕緣膜15後,在上述絕緣膜15上形成像素 電極部分19.··或共同電極部分18···。也可以用彩色濾色層 形成上述絕緣膜15。 (實施例6) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝1 — !1 訂 1--— II 線|
1251697 A7 B7 五、發明說明(43) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 絲依據第45圖〜第46圖說明本發明之第2實施例之實 施例6如下。第45圖係表示第2實施例之實施例6之液晶面板 之構造之截面圖,第46圖係表示第2實施例之實施例6之其 他例子之液晶面板之構造之截面圖。 如第45圖所示,本實施例6係形成截面形狀呈台形狀之 透明絕緣層20···,在其上面形成像素電極部分8··.及共同電 極部分6…。上述台形狀之形狀之上邊A為4 μιη,下邊b為 6μηι,可藉改變後烘烤之條件而形成。 在本實施例6,像素電極部分8…與共同電極部分... 上之液晶分子較實施例3(第36圖)者不易動,但較傳統例子 (第2圖)容易動,可以提高對比性能。α/Β較小者對比較佳, Α/Β以2/3以下較佳,最好是1/2以下。又如第46圖所示,可 以在形成絕緣膜1 5後,形成截面形狀呈台形形狀之透明絕 緣層20···,在上述透明絕緣層20·.·上形成像素電極部分8... 或共同電極部分6.··。也可以用彩色濾色層形成上述絕緣膜 15 〇 (關於第2實施例之實施例1〜實施例6之構造之其他事項) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (1)上述各實施例之液晶係使用介電率異方性為正之 ΜΤ5087(日本氮氣公司製),但不限定如此,可以用日 本BDH公司製),Ε-8(日本BDH公司製),ZLI4792(曰本 MERUKU公司製)或TL202(日本MERUKU公司製),介電率 異方性為負之ZLI4788(日本MERUKU)也可以使用。同時, 液晶也不限定為Nematic液晶也可以使用強介電性液晶或 反強介電性液晶等。亦即,本發明不依液晶材料或排向膜 46 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1251697 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 --—____B7_____ 五、發明說明(44) 材料,均為有效。 (2) 上述各實施例之主動元件使用三端子元件之TFT, ^ 知子元件之 MIM(Metal-Insulator-Metal),ZnO 變阻体 或SiNx二極体,a_Si:極体等也可以。同時,電晶体之構 迈並不限疋為底閘構造之心Si,頂閘構造,p_si等均可以。 也可以在基板周邊形成驅動電路。 (3) 上述各實施例之兩基板均使用玻璃基板,但其一方 或雙方之基板均可以用薄膜或塑膠等形成。而其玻璃基板 2(對向基板)也可以使用附有IT〇之玻璃基板或附設彩色濾 色層之基板等。而且,在玻璃基板丨(陣列基板)側或玻璃基 板2(對向基板)侧形成彩色濾色層之基板也可以。 (4) 排向膜可以使用預傾斜(pre-tilt)角會變大之排向膜 或垂直排向膜,而排向方法採不使用摩擦之排向(例如藉光 排向之方法)時,可以獲得更均勻之排向,因此對比會更 好。而單70厚度形成方法若使用不是間隔片散布方法(例如 藉樹脂形成柱子之方法),便可以獲得均一之單元厚度。 (5) 上述各實施例未在對向基板(玻璃基板2)側形成電 極’但也可以在對向基板側形成電極,也可以用導電性之 物質取代電極。 [弟3實施例] (實施例1) 茲依據第4 9圖〜第5 3圖說明本發明之第3實施例之實 加例1如下。第49圖係表示第3實施例之實施例1之液晶顯示 兀件之構成之平面圖,第50圖係第49圖之H-H線戴面圖, 本紙張尺度適用巾國國家標準(CNS)A4規格⑽x 297公复)-------- • I I I I —Ί I I J I I — — — — — — ^ · I--I I · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 1251697 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(45) 第51圖係表示第3實施例之實施例丨之液晶顯示元件之像素 部之截面放大圖,第52圖係第49圖之Η線截面圖,第53圖 係第49圖之J-J線截面圖。 在第49圖〜第53圖,1、2係透明之玻璃基板,42係液 晶,6係共同電極部分,8係像素電極部分,7係與像素電極 部分8連接供應影像信號之影像信號線,4係掃瞄信號線, 49係半導體轉接元件,48a係紅色彩色濾色材料,48b係綠 色彩色濾色材料,48c係藍色彩色濾色材料,49a係形成在 透明玻璃基板1内面之排向膜,49b係形成在透明玻璃基板 lb内面之排向膜,5〇係黑矩陣。 共同電極部分6(第49圖中之3列共同電極部分)係由, 用以形成各自獨立之多數凸狀部43…之透明樹脂層43a,及 形成在其上之電極層43b,所構成。同樣地,像素電極部分 8(第49圖中之3列像素電極部分)係由,用以形成各自獨立 之多數凸狀部44..·之透明樹脂層44a,及形成在其上之電極 層44b,所構成。 以下述方法製作上述構造之液晶顯示元件。 首先,在玻璃基板丨上形成以八丨等構成之導電膜形成圖 型之掃瞄信號線4,再形成絕緣膜後,形成以心以等構成之 半^體轉接件49或A1等構成之導電膜形成圖型之影像信 號線7。 接著’以透明導電体iIT〇膜或A1等構成之導電膜, 將共同電極部分6及像素電極部分8形成梳型之圖型。具体 ^ ^如下。首先以感光性樹脂之透明樹脂層43a及44a形成 ------υί·裝------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 釘-l·---.----:
1251697 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(46) 各自獨立之多數凸部。因為此凸部是多數且細微,可以用 光罩圖型化使成一定之形狀。如此,將透明樹脂層43&及4如 形成為一定之形狀後,在透明樹脂層43a及44a上,以透明 導電体之ITO膜形成電極層43b及44b。 接著,在玻璃基板2上將紅色彩色濾色材料48&,綠色 彩色濾色材料48b,藍色彩色濾、色材料48c,及黑色矩陣5〇 形成為一定之圖型後,在玻璃基板1、2形成用以使液晶42 之分子之排列整齊之排向膜49a、49b。然後,將玻璃基板2 配置成面向玻璃基板1。再者,上述玻璃基板1、2分別施加 有一定方向之摩擦。 最後’以封閉劑接合周邊部後,注入液晶42後封裝, 製成施加橫電場方式之液晶顯示元件。 在此,上述液晶顯示元件係藉由經影像信號線7及掃瞄 信號線4輸入之驅動信號〇n/〇FF控制半導體轉接元件49。 而在連接於半導體轉接元件49之像素電極部分8與共同電 極部分6間施加電壓而產生電場,使液晶42之排向變化,控 制各像素之亮度,顯示晝像。 第5 1圖表示,本實施例之將經由影像信號線7及掃瞄信 號線4輸入之驅動電壓施加在像素電極部分8時,產生在像 素電極部分8與共同電極部分6間之電場分布之情形,箭頭 表示電力線。 如本實施例在電極設有多數凸狀部43_··、44 ••時,電 極上也產生橫電場,使液晶分子動作。再者,共同電極部 分6、像素電極部分8係以透明電極形成,因此有共同電極 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •Ί -· H ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ· n ϋ ϋ ϋ n · 49 1251697 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(47) 部分6、像素電極部分8存在之處所也會使光線通過,其結 果較之使用矩形狀之電極時,可以提高穿透率。 第52圖,第53圖係將形成於電極之凸狀部43…、44..· 之一部分形成到一定之單元間隙高度時之實施例。 本例與上述例子(第4 9圖〜第5 1圖所示者),很大之差別 在於凸狀部43.··之一部分被兼用作單元間隙分隔片。 由於使成本實施例之架構,散布珠子狀間隔片之製程 不再而要,不會再有珠子狀間隔片在面板内移動傷及陣列 基板,或因背光之光線發生亂反射,損及晝質。 再者,傳統之藉摩擦之排向處理方法,有可能使成凸 狀之電極之-部分所形成之間隔片之柱子成為影子致成排 向不良,或使柱子折斷,因此,本實施例最好應用藉 光等獲得排向之光排向。 (實施例2) 级依據第54圖〜第55圖說明本發明之第3實施例之實 鉍例2如下。第54圖係表示第3實施例之實施例2之液晶顯示 兀件之像素部之截面放大圖,第55圖係說明錐形角之說明 圖。 本貫施例2與上述第3實施例之實施例1不同的地方 疋’在共同電極部分6與像素電極部分8之電極層43b、44b 使用光反射機能材料這一點。 電極層之種類以外之製作玻璃基板1 ' 2之製程,製作 面板之製程’顯示晝像之動作原理基本上可以與上述第3 實施例之實施例1相同即可。 本紙張尺度關家標準(CNS)A4規格(210 x 297公楚) 50 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I 1 -aBi ϋ I ϋ mm— 1 KmmB —Mm ϋ I · 1251697 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(48) 第54圖之箭頭表示從背光射入之光線在面板内部前進 之方向。 背光是假設使用導光板之邊緣光方式。 從設在面板側方之光源射入之光線在面板内部返複反 射,而終於射出面板外,而被利用作照明光。 如第3實施例之實施例1以透明電極形成電極層43b、 44b時,以較臨界角為小之角度射入之光線將直接透過,回 到月光侧而再者返複反射,因此反射損失變大,光線之利 用效率降低。 另一方面,以例如A1或Ag之光反射率高之光反射機能 材料形成共同電極部分6或像素電極部分8之電極層43b、 44b時,當光線射入這一部分時,則如第54圖所示,不論射 入之角度如何,均成全反射而射出面板外。因此,可以減 低反射損失,提高光線之利用效率。同樣地,對周圍環境 之外光也可獲得同樣之效果,因此可以進一步提高光線之 利用效率。 本實施例之共同電極部分6及像素電極部分8之多數凸 狀。卩43 .··、44…之形狀’係呈將兩個以上之突起一体化之 形狀,且各突起之高度互異,同時凸狀部43…、44·..之錐 形角在各部位均不相同。再者,本第3實施例之錐形角係 指,如第55圖所示從截面凸狀之某點拉切線時之切線與底 面間之角度Θ。而第54圖之Θ1係在本實施例,以不同之兩 個角度射入電極(射入角度係與上述第4圖相同之角度)而 射出面板外之光線所成之射出角度。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •Γ • 裝--------訂-I--------線秦 51 1251697 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明(49) 比車乂第54圖及上述第7圖(傳統例子)時,本實施例之液 晶顯示元件之射出角⑽’明顯比傳統例子之液晶顯示元 件=射出角度Θ0大,可以看出,因採這種架構,射出角度 之fc圍車乂單純之倒立v字狀或倒立畔狀者寬,可以一方面 維持t田、電场知加(1?8)方式之特徵之寬視野角度,同時使成 门儿度另方面,本實施例在共同電極部分及像素電極 卩刀之反射面’射人光線產生亂反射,其結果,可以說射 出角度之範圍較單純之倒立V字狀或倒立呀狀寬。 …藉上述之作用,可以獲得視野角寬,可以提高面板之 實質開口率,有高亮度而明亮之液晶顯示元件。 (實施例3) 茲依據第56圖說明本發明之第3實施例之實施例3如 下第56圖係表不第3實施例之實施例丨之液晶顯示元件之 構成之平面圖。 本貫施例3與第3實施例之實施例丨不相同的是,凸狀部 3··· 44…之大小對應離像素中心之距離而互異,特別是 本實施例係,共同電極部分6之凸狀部43••之大小對應離像 素中心之距離而變小,像素電極部分8之凸狀部44.··之大小 對應離像素中心之距離而變大之例子。 除了電極層之種類以外,製作玻璃基板丨、2之製程, 製作面板之製程基本上與第3實施例之實施例1相同即可。 使電極之凸狀部43.··、44···之大小成為一定之形狀,也可 以在設計光感光性樹脂之光罩時加以安排即可。 因施加在連接於半導体轉接元件49之像素電極部分 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) • 裝-----
1251697 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 —-~—---—- ___B7____ 五、發明說明(50) 8 ’與共同電極部分6之間之電壓而產生電場 像 '域之上部之液晶分子2a,及τ部之液晶分子2b分別以= 相同面積形成棑列方向互異之領域。 由於形用14種架構,在液晶分子2a、几施加電壓時, 液晶分子之轉動方向會逆轉,因此互相抵消色調之偏移, 可大幅度減低色調之方位依存性,可以防止傳統之橫電場 施加方式會發生之著色。 (關於第3實施例之實施例丨〜實施例3之構造之其他事項) (1) 上述實施例丨〜3係在共同電極及像素電極之雙方形 成凸狀部,但不限定如此,只要是在共同電極或像素電極 之至少一方之電極形成凸狀部即可。 (2) 上述實施例1〜3係在各電極之所有部分形成突狀 部,但不限定如此,只要在一部分形成凸狀部即可。 (3) 上述實施例1〜3之各電極部係藉透明樹脂層與電極 層形成凸狀部,但不限定如此,例如僅從電極層形成突狀 部之架構也可以。 (4) 本各實施例未在對向基板(玻璃基板2)側形成電 極但也可以在對向基板側形成電極,也可以用導電性之 物質取代電極。 本發明係如以上所說明之形態實施,可收到以下所述 之效果。 亦即,本發明可以使電極上之橫方向電場也可以充分 及於液晶,因此可以收到,能夠提高顯示特性,同時因開 口率之提高,可以獲得明亮之顯示,而且可以提高回應速 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) I —1 I I J I I ---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
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五、發明說明(51) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 度,且可以獲得較寬之視野角之效果。 因此,本發明可以適用於利用液晶顯示元件之液晶顯 示裝置或光快門等之領域,非常有用。圖式之簡單說明 第1圖係以模式方表示傳統之液晶面板之構造之上面 圖。 第2圖係第1圖之α·α線截面圖。 第3圖係以模式方表示傳統之液晶面板之動作狀態之 截面圖。 第4圖係表示傳統之液晶顯示元件之像素部之截面放大圖。 第5圖係以模式方表示實施例1之液晶面板之構造之上 面圖。第6圖係第5圖之Β-Β線截面圖。 第7圖係以模式方表示第1實施例之實施例1之液晶面 板之動作狀態之截面圖。 第8圖係凹凸條部之放大說明圖。 第9圖係表示橫電場之比率與縱橫比之關係之曲線圖。 第10圖係以模式方表示第1實施例之實施例1之其他例 子之液晶面板之構造之上面圖。第11圖係第10圖之C-C線截面圖。 第12圖係以模式方表示第1實施例之實施例1之再一其 他例子之液晶面板之構造之上面圖。第13圖係第12圖之D-D線截面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) 54 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1.
> I I I n I ϋ i^i · ϋ ϋ I I •線i 1251697 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(52) 第14圖係表示第;!實施例之實施例2之液晶面板之構造 之截面圖。 第15圖係表示第L實施例之實施例2之另一例子之液晶 面板之構造之截面圖。 第16圖係表示第丨實施例之實施例2之另一其他例子之 液晶面板之構造之截面圖。 第17圖係表示第1實施例之實施例3之液晶面板之構造 之截面圖。 第18圖係表示第丨實施例之實施例3之另一例子之液晶 面板之構造之戴面圖。 第19圖係表示第1實施例之實施例3之另一其他例子之 液晶面板之構造之截面圖。 第20圖係表示第1實施例之實施例4之液晶面板之構造 之截面圖。 第21圖係表示第1實施例之實施例4之另一例子之液晶 面板之構造之截面圖。 第22圖係表示第1實施例之實施例4之另一其他例子之 液晶面板之構造之截面圖。 第23圖係以模式方表示第2實施例之實施例1之液晶面 板之構造之上面圖。 第24圖係第23圖之E-E線截面圖。 第25圖係以模式方表示第2實施例之實施例1之液晶面 板之動作狀態之截面圖。 第26圖係以模式方表示第2實施例之實施例2之液晶面 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 55 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •1· --------訂L---·----線表 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1251697 Α7 ----------- 五、發明說明(53) 板之構造之上面圖。 第27圖係第26圖之F-F線截面圖。 第28圖係第26圖之G-G線截面圖。 第29圖係以模式方表示第2實施例之實施例2之液晶面 板之動作狀態之截面圖。 第30圖係表示模擬施加在第2實施例之實施例2之液晶 面板之電場時之概要之曲線圖。 第3 1圖係表示三角形狀之頂部之頂角與從電極端2μιη 内侧之橫方向之電場之強度之關係之曲線圖。 第32圖係表示三角形狀之錐形角與從電極端2μπι内側 之橫方向之電場之強度之關係之曲線圖。 第33圖係表示以傳統之方法製成之液晶面板與第2實 她例之貝施例1及2製成之液晶面板之開口率與像素間距之 關係之曲線圖。 第34圖係說明錐形角用之說明圖。第3 5圖係說明錐形 角用之說明圖。 第36圖係表示第2實施例之實施例3之液晶面板之構造 之截面圖。 弟3 7圖係表示第2實施例之實施例3之其他例子之液晶 面板之構造之截面圖。 第38圖係表示第2實施例之實施例3之再一其他例子之 液晶面板之構造之截面圖。 第39圖係表示第2實施例之實施例4之液晶面板之構造 之截面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 56 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,--------訂 L---“----線* 1251697 A7 -----___B7 五、發明說明(54) 第40圖係表示第2實施例之實施例3之其他例子之液晶 面板之構造之截面圖。 第41圖係表示第2實施例之實施例5之像素電極部分或 共同電極部分之截面形狀之截面圖。 第42圖係表示第2實施例之實施例5之液晶面板之構造 之截面圖。 第43圖係表示第2實施例之實施例5之其他例子之液晶 面板之構造之戴面圖。 第44圖係表示第2實施例之實施例5之像素電極部分或 共同電極部分之截面形狀之上邊與下邊之比率與對比之關 係之曲線圖。 第45圖係表示第2實施例之實施例6之液晶面板之構造 之截面圖。 第46圖係表示第2實施例之實施例6之其他例子之液晶 面板之構造之截面圖。 第47圖係以模式方式表示傳統之液晶面板之動作狀態 之截面圖。 第48圖係表示模擬傳統之液晶面板之電場時之概要之 曲線圖。 第49圖係表示第3實施例之實施例1之液晶顯示元件之 構成之平面圖。 第50圖係第49圖之H-H線截面圖。 第5 1圖係表示第3實施例之實施例1之液晶顯示元件之 像素部之截面放大圖。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂 Ik--------線* 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 4 57 1251697 A7 B7 _ 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 發明說明(55) 第52圖係第49之圖I-Ι線截面圖。 第53圖係第49圖之J-J線截面圖。 第54圖係表示第3實施例之實施例2之液晶顯示元件之 像素部之戴面放大圖。 第55圖係說明錐形角用之說明圖。 第56圖係表示第3實施例之實施例3之液晶顯示元件之 構成之平面圖。 第57圖係混合轉接模式之說明圖。 元件標號對照 1、2…玻璃基板 4…掃瞄信號線 6···共同電極部分 7···影像信號線 8…像素電極部分 9···半導體層 10,15···絕緣膜 12···液晶分子 13···接觸孔 14…没極 16···凹凸條部 16a…凸條部分 17…彩色濾色層 18…共同電極部分 19…像素電極部分 20…引線 22…共同電極体 23…像素電極体 31、32···透明絕緣層 42…液晶 43、44···透明樹脂層 49…半導體轉接元件 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 58 ϋ ί ϋ ϋ «ϋ ϋ - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ----
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Claims (1)

1251697 申請專利範圍
931 —1:Lf #f正本 經 智 慧 貝才 產 局 員 工 消 貴 合 作 社 印
第89110030號專利申請案申請專利範圍修正本 93年04月14日 1·一種液晶顯示元件,配備有液晶面板,該液晶面板係具 有一對基板及封裝在此等基板之間的液晶,同時藉由令 該對基板中之一方之基板表面上產生橫電場,而使液晶 分子之排列發生變化者,其特徵在於, 在產生上述橫電場之基板上,所設置之膜厚度為 Ιμιη以上之由彩色濾色層所構成之絕緣膜的表面上,形 成有多數凹凸條部,而僅在此凹凸條部之凸條部分之側 面,或在凸條部分之側面及頂部,交互地形成有像素電 極体之像素電極部分與共同電極体之共同電極部分,同 時’此專像素電極部分與共同電極部分中之至少一方之 電極部分呈透明狀,凸條部分之頂部之此等電極部分間 之間隔係節制在6μπι以下。 2· —種液晶顯示元件,配備有液晶面板,該液晶面板係具 有一對基板及封裝在此等基板之間的液晶,同時藉由令 該對基板中之一方之基板表面上產生橫電場,而使液晶 分子之排列發生變化者,其特徵在於, 在產生上述橫電場之基板上,所設置之膜厚度為 Ιμιη以上之透明之絕緣膜的表面上,形成有多數凹凸條 部,而僅在此凹凸條部之凸條部分之側面,或在凸條部 分之側湳及頂部,交互地形成有像素電極体之像素電極 部分與共同電極体之共同電極部分,同時,此等像素電 極部分與共同電極部分中之至少一方之電極部分呈透 明狀,凸條部分之頂部之此等電極部分間之間隔係節制
(CNS)A:丨 5.;0
---S9 經濟邹智慧財產局員工消費合作社印¾ 1251697 、申請專利範圍 在6μηι以下。 3.如申请專利範圍第丨或2項之液晶顯示元件,上述凸條部 分之縱橫比節制在2.5以下,最好是節制在15以下。 1申請專利範圍第_項之液晶顯示元件,對上述凸條 部之斜面長度之像素電極部分或共同電極部分之長度之 比節制在0.5以下。 5·如申請專利範圍第⑷項之液晶顯示元件,從上述兩基 板中之陣列基板側射入光線。 6.如申凊專利範圍第丨或2項之液晶顯示元件,備有多層上 述液晶面板。 7·一種液晶顯示元件,配備有液晶面板,該液晶面板係具 有對基板及封裝在此等基板間之液晶,同時在上述一 對基板中之一方之基板表面上交互地形成像素電極体之 像素電極部分與共同電極体之共同電極部分,令上述基 板表面產生橫電場,藉此使液晶分子之排列發生變化 者,其特徵在於, 上述像素電極部分與共同電極部分中之至少一 方’其板電場方向之截面形狀呈錐形,並呈透明狀,上 述像素電極部分或共同電極部分之錐形角為2〇度以上 未滿90度’上述像素電極部分與共同電極部分之電極間 隔節制 '在6μηι以下’上述像素電極部分或共同電極部分 之橫電場方向之截面形狀呈三角形狀。 8· 一種液晶顯示元件,配備有液晶面板,該液晶面板係具 有一對基板及封裝在此等基板間之液晶,同時在上述一 函固家標ψ (CNS)/V!規格(2.:0 公$*7 丨裝--------訂—^ c請先閱續背面之注音項再填寫本頁) A8BSC8D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印3 1251697 、申請專利範圍 對基板中之一方之基板表面上交互地形成像素電極体 之像素電極部分與共同電極体之共同電極部分,令上述 基板表面產生橫電場,藉此使液晶分子之排列發生變化 者’其特徵在於, 上述像素電極部分與共同電極部分中之至少一 方,其検電場方向之截面形狀呈錐形,並呈透明狀,上 述像素電極部分或共同電極部分之錐形角為45度以上 未滿90度,上述像素電極部分與共同電極部分之電極間 隔節制在6μΐη以下,上述像素電極部分或共同電極部分 之橫電場方向之截面形狀呈三角形狀。 9· -種液晶顯示元件,配備有液晶面板,該液晶面板係具 有一對基板及封裝在此等基板間之液晶,同時在上述一 對基板中之-方之基板表面上交互地形成像素電極体 之像素電極部分與共同電極体之共同電極部分,令上述 基板表面產生橫電場,藉此使液晶分子之排列發生變化 者,其特徵在於, 上述像素電極部分與共同電極部分中之至少一 方,其橫電場方向之截面形狀呈錐形,並呈透明狀,上 述像素電極部分或共同電極部分之錐形角為2〇度以上 未滿90度,上述像素電極部分與共同電極部分之電極間 隔節制’在6μηι以下,上述像素電極部分或共同電極部分 之k電場方向之截面形狀呈台形形狀。 一種液晶顯示元件,配備有液晶面板,該液晶面板係 具有對基板及封裝在此等基板間之液晶,同時在上述 (CNS)A」
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經濟部智慧財產局員工消費合作社印¾ 木紙張尺度逃吊 、基板中之一方之基板表面上交互地形成像素電極 体之像素電極部分與共同電極体之共同電極部分,令上 述基板表面產生橫電場,藉此使液晶分子之排列發生變 化者,其特徵在於, 上述像素電極部分與共同電極部分中之至少一 方,其橫電場方向之截面形狀呈錐形,並呈透明狀,上 述像素電極部分或共同電極部分之錐形角為45度以上 未滿90度,上述像素電極部分與共同電極部分之電極間 隔節制在6μηι以下,上述像素電極部分或共同電極部分 之杈電場方向之截面形狀呈台形形狀。 11·如申請專利範圍第7至10項中任一項之液晶顯示元件, 在、、、邑緣膜上形成上述像素電極部分及共同電極部分,像 素電極部分或共同電極部分位於同一平面上。 12·如申請專利範圍第7至10項中任一項之液晶顯示元件, 上述絕緣膜之膜厚度為1μιη以上。 13·如申請專利範圍第7至1〇項中任一項之液晶顯示元件, 上述絕緣膜由彩色濾色層構成。 14·一種液晶顯示元件,配備有液晶面板,該液晶面板係具 有對基板及封裝在此專基板間之液晶,同時在上述一 對基板中之一方之基板表面上交互地形成像素電極体之 像素電極、部分與共同電極体之共同電極部分,令上述基 板表面產生;^電场,藉此使液晶分子之排列發生變化 者,其特徵在於, 上述像素電極部分與共同電極部分中之至少一 ®(CNS)八」!規格(2J
1251697 A8 BS C8 D8 六、申請專利範® ~_ ~~’ 方’係形成在-其横電衫向之截面形狀呈錐形的透明 絕緣層上’且由透明導電膜所構成,上述像素電極部分 與共同電極部分之電極間隔節制在6μιη以下,上述透明 絕緣層之橫電場方向之截面形狀呈三㈣狀,上述透明 、、邑緣層之錐形角為2〇度以上未滿9〇度,在絕緣膜上形成 上述透明絕緣層,形成在透明絕緣層上之像素電極部分 或共同電極部分位於同一平面上。 15.—種液晶顯示元件,配備有液晶面板,該液晶面板係具 有一對基板及封裝在此等基板間之液晶,同時在上述一 對基板中之一方之基板表面上交互地形成像素電極体之 像素電極部分與共同電極体之共同電極部分,令上述基 板表面產生;^電场,藉此使液晶分子之排列發生變化 者,其特徵在於, 上述像素電極部分與共同電極部分中之至少一方, 係形成在一其橫電場方向之戴面形狀呈錐形的透明絕緣 層上,且由透明導電膜所構成,上述像素電極部分與共 同電極部分之電極間隔節制在6 μπι以下,上述透明絕緣 層之橫電場方向之截面形狀呈三角形狀,上述透明絕緣 層之錐形角為45度以上未滿90度,在絕緣膜上形成上述 透明絕緣層,形成在透明絕緣層上之像素電極部分或共 同電極部分位於同一平面上。 16 · —種液晶顯示元件,配備有液晶面板,該液晶面板係具 有一對基板及封裝在此等基板間之液晶,同時在上述一 對基板中之一方之基板表面上交互地形成像素電極体之 (請先Mti背面之·± 裝------- 項再填寫本頁) & 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印¾ +紙張尺度過闬 ;V- ·!·^γ- ψ (L ίχί S) /\ "I /'11.(2.10 x 2cj / 1251697 經濟部智慧財產局員工消費合作社印3
A8 BS C8 D8 --------_ ____ 申請專利範圍 像素電極部分與共同電極体之共同電極部分,令上述基 板表面產生橫電場,藉此使液晶分子之排列發生變化 者’其特徵在於, 上述像素電極部分與共同電極部分中之至少一方, 係形成在一其橫電場方向之截面形狀呈錐形的透明絕緣 層上,且由透明導電膜所構成,上述像素電極部分與共 同電極部分之電極間隔節制在6以下,上述透明絕緣 層之橫電場方向之截面形狀呈台形形狀,上述透明絕緣 層之錐形角為2〇度以上未滿9〇度,在絕緣膜上形成上述 透明絕緣層,形成在透明絕緣層上之像素電極部分或共 同電極部分位於同一平面上。 17·—種液晶顯示元件,配備有液晶面板,該液晶面板係具 有一對基板及封裝在此等基板間之液晶,同時在上述一 對基板中之一方之基板表面上交互地形成像素電極体之 像素電極部分與共同電極体之共同電極部分,令上述基 板表面產生橫電場,藉此使液晶分子之排列發生變化 者,其特徵在於, 上述像素電極部分與共同電極部分令之至少一方, 係形成在一其橫電場方向之截面形狀呈錐形的透明絕緣 層上,且由透明導電膜所構成,上述像素電極部分與共 同電極部、分之電極間隔節制在6μιη以下,上述透明絕緣 層之橫電場方向之截面形狀呈台形形狀,上述透明絕緣 層之錐形角為45度以上未滿90度,在絕緣膜上形成上述 透明絕緣層,形成在透明絕緣層上之像素電極部分或共 (讀先Mts背面之注音再填寫本頁) 裝 8 00 8 oo ABCD 1251697 申請專利範圍 同電極部分位於同一平面上。 18.如申請專利範圍第14至17項中任一項之液晶顯示元 件,上述絕緣膜之膜厚度為1μηι以上。 19·如申請專利範圍第14至17項中任一項之液晶顯示元 件’上述絕緣膜由彩色濾色層構成。 20. —種液晶顯示元件,至少在一對基板間挾持有液晶,在 上述基板之至少一方之基板,形成有具有多數像素電極 部之像素電極,及具有多數共同電極部之共同電極,在 上述像素電極與上述共同電極間施加電壓,使液晶分子 之排列發生變化,其特徵在於, 在上述像素電極及/或上述共同電極中,至少一個 電極部形成有各自隔離之兩個以上之凸狀部,且,上述 凸部之大小對應離像素中心之距離而異。 21 ·如申請專利範圍第2〇項之液晶顯示元件,上述凸狀部由 感光性樹脂材料構成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印¾ 22·如申請專利範圍第2〇項之液晶顯示元件,上述共同電極 及上述像素電極中之一方,上述凸部之大小對應離像素 之中心之距離而變大,另一方則上述凸部之大小對應離 像素之中心之距離而變小。 23·如申請專利範圍第2〇項之液晶顯示元件,上述像素電極 或上述共、同電極之至少一個以上,以透明導電体形成。 24·如申請專利範圍第20項之液晶顯示元件,上述像素電極 或上述共同電極之至少一個以上,以光反射機能材料形 成0 (CNS)/V丨現格(2:10 ~65—=~~
1251697 a8 B8 C8 六、申請專利範圍 25 · —種液晶顯示元件,至少在一對基板間挾持有液晶,在 上述基板之至少一方之基板,形成有具有多數像素電極 部之像素電極,及具有多數共同電極部之共同電極,在 上述像素電極與上述共同電極間施加電壓,使液晶分子 之排列發生變化,其特徵在於, 在上述像素電極及/或上述共同電極中,至少一個 電極部,係具有在各自獨立之多數凸狀部上所形成之由 反射機能材料所構成之電極層,上述凸狀部之形成係被 設定成可使射入光發生亂反射之形狀。 26·如申凊專利範圍第25項之液晶顯示元件,上述各凸狀部 中之至少一個凸狀部呈兩個以上之突起一体化之形狀, 且各突起之高度不相同。 27·如申請專利範圍第25項之液晶顯示元件,上述突起之至 少兩個途起,其凸狀部之錐形角在各部位不相同。 28·—種液晶顯示元件,至少在一對基板間挾持有液晶,在 上述基板之至少-方之基板,形成有具有多數像素電極 部之像素電極,及具有多數共同電極部之共同電極,在 上述像素電極與上述共同電極間施加電壓,使液晶分子 之排列發生變化,其特徵在於, 在上述像素電極及/或上述共同電極中,至少一個電 極部上’、係形成各自分離之多數的凸狀部, 上述凸狀部之大小’在電極之長度方向上,係對應 離像素中心之距離而異, 上述共同電極及上述像素電極中 ^之方,上述凸狀 :氏張尺度過斤丨? S舀家榀準(CNS)/V丨現.¾ (2J0 X (請先閱??背面之注音翁項再填S本頁) 丨 i--------^----^--- ·綉 經濟部智慧財產局員工消費合作社印3 1251697 A8 BS C8 D8 六、申請專利範圍 部之大小,在電極之長度方向上,係對應離像素之中心 之距離而變大,另一方,上述凸狀部之大小,在電極之 長度方向上,則對應離像素之中心之距離而變小。 (請先/ati背面之注意 _ * --- 再填寫本頁) 訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印¾
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