JP5306664B2 - 液晶装置 - Google Patents

Description

本発明は液晶装置に関する。典型的にはディスプレイとして用いる液晶表示装置に関する。より詳しくは、光散乱モードで動作する液晶表示装置に関する。

ＴＮモードや、垂直配向を用いたＶＡモード、基板面内でスイッチングするＩＰＳモードやＦＦＳモードといった様々な液晶モードが存在する中、散乱型液晶は、光の散乱状態、非散乱状態（透過状態）で、スイッチングを行うモードで、一般的に偏光板が不要であり、偏光板が不可欠な前記液晶モードに比べ、より明るい表示ができることで盛んに研究開発されている。

一般的に散乱型液晶としては、高分子分散型液晶が用いられる。この原理を図１（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。１は、ガラス基板、２はＩＴＯ電極、３は高分子ポリマー、４は液晶分子である。高分子モノマーを添加した液晶を、上下に電極を有したセルに注入し、その後、紫外光を照射することにより液晶と高分子の相分離が起こり液晶は小球状となり、その周りを重合した高分子が囲む状態となる。

電圧無印加時の状態では、図１（ａ）のように、小球内の液晶はランダムな方向を向いており、その平均の屈折率は、周囲の高分子と異なるため光が散乱する。電圧印加時には、図１（ｂ）のように、液晶が正の誘電異方性の場合、液晶の長軸は電界Ｅに平行になるように配向する。このとき、液晶の短軸方向の屈折率が、周囲の高分子液晶の屈折率とほぼ同じになる材料であれば、光は散乱せずに透過する。これが高分子分散型液晶の原理である。

また、動的散乱を用いた散乱型液晶も存在する。これは、上下に電極を有した素子に、一般的には負の誘電異方性をもつ液晶とイオンが注入されている。このような素子に高電圧を印加すると、液晶に乱流がおこり、光が散乱される（動的散乱）。

従来の液晶表示装置は液晶の厚み方向（縦方向）に電圧を印加して表示する縦方向電界方式が主流であった。これに対して近年横電界方式の液晶表示装置が注目を集めている。基板面内でスイッチングするＩＰＳモードやＦＦＳモードであり、例えば以下の特許文献１に記載がある。横電界方式の液晶表示装置は、一対の基板と、その間隙に保持された液晶と、片方の基板に形成された電極と、この電極を介して基板の面方向に沿った横電界を液晶に印加する駆動手段とを有し、横電界により液晶の配向状態を制御して表示を行う。縦方向電界方式に比べ、横電界方式の液晶表示装置は広視野角で高コントラストである点に特徴があり、携帯機器用のディスプレイとして注目されている。
特開２００５−３３８２６４公報

横電界モードについて図２（ａ）の平面図および図２（ｂ）の断面図を用いて説明を行う。横電界モードでは、駆動基板５上に共通電極６が設けられ、この共通電極上に絶縁膜７を介して櫛歯状に画素電極８がパターン形成され、この画素電極を覆う形で図示しない配向膜が設けられている。そして、駆動基板側の配向膜と対向基板９の図示していない配向膜との間に液晶層１０が挟持されている。また各基板を挟んでクロスニコルの状態で配置された偏光板１１，１１ａを備えている。ここで駆動基板側の配向膜のラビング方向および対向基板側の配向膜のラビング方向、すなわち液晶の配向方向は、２枚の偏光板の一方の透過軸と一致している。さらに、液晶層の誘電異方性が正の場合、ラビング方向と画素電極の延設方向は略平行であり、実際には、電圧を印加したときに液晶の回転する方向が規制されるように数度の角度θをなしている。

このような構成にすることにより、共通電極と画素電極間に電圧を印加していない状態では、液晶層を構成する液晶分子の配向方向が、一方の偏光板の透過軸と垂直に、またもう一方の偏光板の透過軸と平行になるため、黒表示となる。また共通電極と画素電極間に電圧を印加した状態では、液晶分子の配向方向が画素電極間に生じる横電界（フリンジフィールド）により、画素電極の延設方向に対して斜め方向に回転する。これにより液晶層を通過した光は偏光状態が回転し、対向側の偏光板を透過して、白状態となる。以上に説明した横電界モードはフリンジフィールドスイッチングモード（ＦＦＳモード）と呼ばれるものである。このほかの横電界モードとして例えばＩＰＳモードがある。

前述した散乱型液晶モードは一般的に電圧が数十ボルトと高いのが欠点だった。また高分子を分散させるため、信頼性も通常の液晶モードに対して劣っていた。更に、電圧を上昇させていく際の透過率と、電圧を減少させていく際の透過率が異なるという、いわゆるヒステリシスが存在することも問題であった。また、動的散乱モードに関しても、駆動電圧が一般的に数十ボルトと高く、また電流が流れるため消費電力が大きかった。またイオンを添加するため、信頼性に関しても問題があった。

本発明は、これら課題に鑑み、より低電圧で駆動可能な、横電界を用いるまったく新しい散乱型液晶装置を提案するものである。本発明は、所定の間隙を介して互いに接合した一対の基板と、該間隙に保持された液晶層と、少なくとも片方の基板に形成され該液晶層に基板と平行な横電界を印加する電極とを有し、横電界を印加しない状態で、該液晶層は光透過状態を呈する一方、横電界を印加した状態で、該液晶層は光散乱状態を呈する。典型的には、一対の基板間に液晶層を挟持してなる散乱型の液晶装置において、前記一対の基板のうち一方の基板の前記液晶層側にある面にフリンジフィールドを発生させるよう共通電極と櫛歯状の画素電極とを互いに絶縁状態で配置し、前記液晶層の誘電異方性が正であり、前記一対の基板のそれぞれにて前記液晶層側の面に形成された配向膜に前記櫛歯状の画素電極の延設方向に対して垂直方向にアンチパラレルラビングが施され、電圧無印加時の液晶の配向方向は電圧印加時に発生する横電界と平行であって前記櫛歯状の画素電極の延設方向と垂直である。ただし、ここでいう「平行」の意味は必ずしも幾何学的に厳密な意味合いではなく、本発明の効果を奏する範囲程度の許容幅を有するものである。

従来の技術で述べたとおり、通常の横電界モードにおいては、液晶の誘電異方性が正の場合には、電圧無印加時の液晶の配向方向は、画素電極の延設方向に平行である。すなわち、電圧印加時に発生する横電界の方向と垂直である。もし本発明のような電圧無印加時の液晶の配向方向が、画素電極の延設方向と垂直、すなわち、電圧印加時に発生する横電界の方向と平行の場合は、電圧印加時には液晶は回転せず、表示モードには通常使えないと考えられる。ところが、本発明の素子構成にすることにより、電圧印加時に液晶層が強く光を散乱させるような状態になることを初めて見出し、より低電圧駆動の散乱型液晶を提案することができたのである。

更に本発明では、前記横電界はフリンジフィールドであることを特徴としている。これにより確実に、液晶層が光を散乱する状態となる。

更に本発明では、一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶装置において、前記基板のうち少なくとも一方の基板における液晶層側に共通電極と櫛歯状の画素電極とを絶縁状態で配置してなり、前記液晶層の誘電異方性が正であり、電圧無印加時の液晶の配向方向は、画素電極の延設方向と垂直であることを特徴としている。このような構成の液晶装置にすることにより、確実にフリンジフィールドが発生し、電圧印加時に液晶層が光を散乱させる状態となる。ただし、ここでいう「垂直」の意味は必ずしも幾何学的に厳密な意味合いではなく、本発明の効果を奏する範囲程度の許容幅を有するものである。

更に本発明では、前記一対の基板のうち一方の、液晶層と接していない側に光反射板、もしくは低反射板（黒色板）を配置している。光反射板を配置した場合、電圧無印加時には、外部から入射してきた光は、光反射板で正反射されるため、実質黒状態となる。電圧印加時には液晶層で光が散乱され、白状態となる。また低反射板を配置した場合、電圧無印加時には外部から入射してきた光は、低反射板で吸収されるため黒状態となる。また電圧印加時には液晶層で光が散乱され、白状態となる。このように偏光板を用いない反射型液晶が可能となる。

更に本発明では、前記一対の基板のうち一方の、液晶層側に、光反射体もしくは低反射体（黒色体）を配置していることを特徴としている。この場合、基板の内部に光反射体又は低反射体が配置されているため、前述のように外部に光反射板や低反射板を配置する必要がなく、薄型化が可能となる。

更に本発明では、前記液晶装置の共通電極が光反射性もしくは低反射性であることを特徴としている。共通電極が光反射性もしくは低反射性であるために、新たに光反射体や低反射体を作りこむ必要がなく、工程数の削減につながる。

以上のように、一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶装置において、前記液晶層の誘電異方性が正であり、電圧無印加時の液晶の配向方向は電圧印加時に発生する横電界と略平行であることを特徴とした液晶装置にすることにより、従来よりも低電圧の光散乱型液晶モードを実現することができた。さらに前記横電界はフリンジフィールであることにより、より確実に光が散乱される状態となる。かかる構成を有する液晶装置はディスプレイとして有用である。或いは散乱状態にして、向こう側を見えなくする、プライバシーフィルムのような用途にも応用可能である。

また一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶装置において、前記基板のうち少なくとも一方の基板における液晶層側に共通電極と櫛歯状の画素電極とを絶縁状態で配置してなり、前記液晶層の誘電異方性が正であり、電圧無印加時の液晶の配向方向は、画素電極の延設方向と略垂直である液晶装置にすることによって、確実に光が散乱される光散乱型液晶が実現できる。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。最初に実施例１を説明する。本発明の実施例１で用いた液晶表示装置の駆動基板側について図３を用いて説明する。ガラス基板１上には、共通電極となるＩＴＯ電極１５がスパッタによって全面に成膜されている。その上に、ＳｉＮｘが絶縁膜１６として成膜され、その上にフォトリソグラフィーによって櫛歯状にパターニングされたＩＴＯの画素電極１７が設けられている。この櫛歯電極はＬｉｎｅ／ｓｐａｃｅ＝３μｍ／３μｍとした。さらにその上に図示していない配向膜が全面に塗布、成膜されている。本実施例では配向膜として日産化学工業株式会社製ＳＥ７４９２を用いた。そして図示のとおり、櫛歯電極の延設方向、つまり長手方向に対して垂直方向にラビングが施されている。

次に対向基板１ａについて、同じく図３を用いて説明する。ガラス基板１ａ上に配向膜が塗布、成膜され、ラビングが施されている。配向膜として日産化学工業株式会社製ＳＥ７４９２を用いた。これはポリイミド系の配向膜材料である。

この駆動基板１と対向基板１ａは図３に示すように配向膜がお互い向き合うような形で、且つ、駆動基板１のラビング方向と対向基板１ａのラビング方向が図示の通り、アンチパラレルラビングになるように貼り合わせられている。また駆動基板と対向基板の間には、基板間のギャップが一定に保たれるように、スペーサー剤が適量散布されており、ギャップは３μｍになるようにスペーサー径を調整した。そのギャップ部には注入工程によって正の誘電異方性をもつ液晶が封入されている。液晶材料として、正の誘電異方性を有するメルク株式会社製、ＭＬＣ−７０２１−１００を用いた。このとき、電圧無印加時の液晶の配向はラビングされた方向、すなわち櫛歯電極の延設方向（長手方向）に対して、垂直方向になる。このような液晶表示装置の共通電極と画素電極間に電圧を印加した場合、発生するフリンジフィールド、つまり横電界は櫛歯電極の延設方向に対して直交方向となる。

上記液晶表示装置の共通電極と画素電極に、６０Ｈｚの交流矩形波を振幅１０Ｖで印加したときの液晶のテクスチャーの様子を以下に詳しく述べる。観察しやすいように、クロスニコルに配置された偏光板の間に液晶表示装置を挿入し、一方の偏光板の透過軸とラビング方向のなす角度が２０度の状態で顕微鏡観察を行った。顕微鏡写真を図４として示す。図示するように、液晶のテクスチャーは、「境界が明確で境界内部が比較的暗いドメイン」ＤＤと、「境界が不明確で境界内部が比較的明るいドメイン」ＤＢが交互に比較的規則正しく並んでいる。

以下液晶のテクスチャーの模式図５，６を参照して詳細に説明する。印加電圧の振幅が５Ｖのときまでは、顕著な変化は現れなかった。振幅が６Ｖのとき、図５（ａ）に示すように、櫛歯電極のＩＴＯ−ＩＴＯ間に図示するようなドメインが現れ始めた。このドメインは櫛歯に沿って、「境界が明確で境界内部が比較的暗いドメイン」ＤＤと、「境界が不明確で境界内部が比較的明るいドメイン」ＤＢが交互に並んでいた。さらに振幅が７Ｖのとき、図５（ｂ）に示すように、櫛歯の電極上にも同様のドメインが現れ始めた。その後振幅を１０Ｖまで上昇させると、ドメインに顕著な変化は現れなかったが、散乱強度が増していった。このような微小なドメインができることで、ドメイン間に屈折率の境界ができ、光を強く散乱することがわかった。

次に、このドメインがどのような配向をしているか調べるため、ラビング方向と偏光板のなす角度が−２０度の状態で顕微鏡観察を行った。すると図６に示すようにこれまで「境界が明確だったドメイン」ＤＤは、「境界が不明確なドメイン」ＤＢとなり、「境界が不明確だったドメイン」ＤＢは「境界が明確なドメイン」ＤＤに変化した。この現象と、クロスニコルにしても光が透過してくるのを鑑みると、この「境界が明確なドメイン」ＤＤと「不明確なドメイン」ＤＢは、お互いに逆向きにツイストした、ツイスト配向状態であると推察される。

従来の技術で述べたとおり、通常の横電界モードにおいては、液晶の誘電異方性が正の場合には、電圧無印加時の液晶の配向方向は、画素電極の延設方向に略平行である。すなわち、電圧印加時に発生する横電界の方向と略垂直である。もし本発明のような電圧無印加時の液晶の配向方向が、画素電極の延設方向と垂直、すなわち、電圧印加時に発生する横電界の方向と平行の場合は、電圧印加時には液晶は回転せず、表示モードには通常使えないと考えられる。ところが、本発明の素子構成にすることにより、電圧印加時に液晶層が強く光を散乱させるような状態になることを初めて見出し、より低電圧駆動の散乱型液晶を提案することができたのである。

次に実施例２について説明する。実施例２は、実施例１の液晶表示装置（液晶パネル）に鏡面板（光反射板）を組み合わせたものである。図７のように、実施例１で用いた液晶表示装置の液晶層と接していない側に、ガラス基板にＡｌが全面スパッタされた鏡面板１８を設置し、分光測色計ＲＤで拡散反射率を測定した。分光測色計ＲＤとして、ミノルタ製のＣＭ２００２を用い、電圧を印加していったときの拡散反射率を測定した。分光測色計ＲＤは、光発射口１９、受光部２０、積分球２１、正反射成分を逃すためのハッチ２２などを有する。正反射成分を除けるように、分光測色計ＲＤのハッチ２２をオープンにした状態で測定した。

そのときの結果を図８に示す。このように印加電圧１０Ｖでは、拡散反射率２０でコントラスト１６を達成することができた。また電圧を増加させていった場合と、減少させていった場合に拡散反射率に差はなく、ヒステリシスはないことが確認できた。以上のように、偏光板を用いない状態で低電圧の散乱型の反射型液晶表示装置を実現することができた。なお拡散反射率の値は、完全白色板の反射率を１００とした場合の比率を表している。

次に、実施例３について説明する。実施例３は、実施例２において、鏡面板１８の代わりに、ガラス基板にクロムと酸化クロムがスパッタされた低反射板（黒色板）を設置したものである。低反射板は、光吸収性で黒色を呈する。実施例２と同様にミノルタ製の分光測色計ＣＭ２００２で電圧を印加したときの拡散反射率を測定した。このとき、電圧の振幅１０Ｖでは、拡散反射率７でコントラスト９となり、実施例２よりも低い値となった。これは、実施例２では、液晶層によって前方散乱した光が鏡面板で反射するため、反射率が高く、その結果コントラストも高かったが、低反射板を置くと、前方散乱した光が低反射板によって吸収されてしまうためである。その結果、反射率が低くコントラストも減少する。しかし、実施例２のように鏡面板を設置した場合は、黒状態のとき、周囲の映りこみがあったが、低反射板をおいた場合は、それが改善されるという利点がある。

次に実施例４を説明する。実施例４は、実施例１で用いた液晶表示装置において、共通電極をＡｇ金属膜にした液晶表示装置を作成した。その他は実施例１で用いた液晶表示装置と同様である。このような素子構成にすることによって外部に鏡面板を設置することなく、実施例２よりも薄型の反射型液晶表示装置を作成することができた。即ちＡｇ金属膜からなる共通電極が、外付けの鏡面板の代わりとなっている。基板のうち一方の基板の液晶層側にある面に、光反射体を配置した構成である。

次に実施例５を説明する。実施例５は、実施例１で用いた液晶表示装置において、共通電極をクロムと酸化クロムの複層にした液晶表示装置を作成した。その他は実施例１で用いた液晶表示装置と同様である。このような素子構成にすることによって外部に低反射板を設置することなく、実施例３よりも薄型の反射型液晶表示装置を作成することができた。即ち、クロムと酸化クロムの複層からなる低反射性の共通電極が、外付けの黒色板の代わりになっている。一対の基板のうち一方の基板の液晶層側にある面に、黒色体を配置した構成である。

次に図９を参照して実施例６を説明する。実施例２で用いた液晶表示装置を観察すると、櫛歯電極の延設方向に散乱する散乱強度が、延設方向に対し垂直方向の散乱強度に比べ、若干弱かった。そこで実施例１で用いたセルにおいて、図９のように、櫛歯状の電極の延設方向が２種類ある画素電極１７のＩＴＯパターンを作成した。この２つの延設方向は直交している。このＩＴＯパターンを形成後、配向膜を塗布成膜した後、一度全面を、Ａ‘の方向にラビングした。その後、レジストを塗布成膜し、フォトリソグラフィーによって、Ｂの領域のみのレジストを剥離した後、再び、Ｂ‘の方向にラビングを行った。そして、レジストを剥離した。このような分割配向の工程を経ることによって、Ａの領域、およびＢの領域の配向方向は、それぞれ、櫛歯の延設方向に対して、垂直方向となる。
一方、対向基板１ａに対しても、配向膜を塗布成膜したのち、同様な分割配向の工程を経た後、２つの基板１，１ａを貼り合わせた。このとき、Ａの領域およびＢの領域の配向は図９のようにそれぞれ、アンチパラレルラビングになるように貼り合わせられた。このような構成の液晶表示装置では、電圧を印加したときの散乱強度の方向依存性が少なくなったことが確認できた。

以上、本発明の実施例を示してきたが、これらは図１０で示したようなアクティブマトリックスに適用されても、まったく同様であることはいうまでもない。ＦＦＳモードの液晶表示装置において、アクティブマトリックス駆動させる場合には、図１０に示すように、駆動基板上に行列状に、複数の走査線１２と信号線１３が配線され、これら各交差部にスリット状（櫛歯状）の画素電極１７が設けられており、ＴＦＴ１４によって駆動されている。

図１１は図１０に示したアクティブマトリックス型横電界方式（ＦＦＳモード）の液晶表示装置の一画素分を示す模式図であり、（ａ）は１画素分の平面図、（ｂ）は同じく１画素分の断面図である。（ａ）に示すように、液晶表示装置を構成する基板の上には行状の走査線１２と列状の信号線１３が形成されている。走査線１２と信号線１３は格子状に交わっており、丁度１つの格子が１画素に対応している。画素には共通電極１５と画素電極１７が形成されている。画素電極１７は層間絶縁膜を介して共通電極１５の上に配されており、櫛歯状のパターンを有する。画素電極１７と共通電極１５との間に電圧を印加して、横電界を液晶に加えその配向状態をスイッチングする。画素電極１７に電圧を印加するため、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１４が各画素に形成されている。ＴＦＴのゲート電極は対応する走査線１２に接続し、ソース電極は対応する信号線１３に接続し、ドレイン電極はコンタクト３０を介して対応する画素電極１７に接続している。各画素の共通電極１５は、共通の電位に接続している。

（ｂ）に示すように、液晶表示装置は所定の間隙を介して対向配置した一対の基板１，１ａと、この間隙に配された液晶１０とからなる。上部透明基板１ａの内表面にはカラーフィルタ３１と配向膜３２が積層されている。

下部透明基板１には、前述した共通電極１５と、層間絶縁膜１６を介して共通電極１５の上に配された櫛歯状のパターンを有する画素電極１７と、画素電極１７の上に配され液晶１０を配向する配向膜３３（配向層）と、画素電極１７と共通電極１５との間に電圧を印加して液晶層１０の配向状態を変化させるスイッチング手段とを有する。本実施形態では前述したようにこのスイッチング手段は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１４である。薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は層間絶縁膜３７で被覆されており、コンタクトホール３６を介して画素電極１７に接続している。具体的にはこの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）はそのゲートＧが走査線１２（図示せず）に接続している。このゲートＧの上にゲート絶縁膜３５を介して半導体薄膜が形成されており、ソースとドレインに分かれている。ソースは前述したように信号線１３に接続し、ドレインはコンタクトホール３６を介して画素電極１７に接続している。

共通電位に接続された共通電極１５に対して画素電極１７側に映像信号に応じた電圧を印加すると、液晶層１０に横電界が加わり、その配向状態がスイッチングして光散乱状態透となり、液晶の透過率が映像信号に応じて変調を受ける。なお横電界方式は、共通電極１５と画素電極１７を絶縁膜で隔てたＦＦＳモードに限られるものではなく、同一平面状で櫛歯状の電極を組み合わせたＩＰＳモードやその他のモードであってもよい。基本的に横電界方式は、基板面内でスイッチングする全てのモードを含む。

以上説明したように、本発明にかかる液晶表示装置は、所定の間隙を介して互いに接合した一対の基板１，１ａと、間隙に保持された液晶層１０と、少なくとも片方の基板１に形成され液晶層１０に基板１と平行な横電界を印加する電極１７とを有し、横電界を印加しない状態で、液晶層１０は光透過状態を呈する一方、横電界を印加した状態で、液晶層１０は光散乱状態を呈することを特徴とする。一態様では、液晶層１０は正の誘電異方性を有する液晶材料からなり、液晶層１０は横電界を印加しない状態で、横電界と平行な方向に配向している。他の態様では、液晶層１０は負の誘電異方性を有する液晶材料からなり、液晶層１０は、横電界を印加しない状態で、横電界と直交する方向に配向している。

最も基本的な形態として、本発明の液晶表示装置は、所定の間隙を介して互いに接合した一対の基板１，１ａと、間隙に保持された液晶層１０と、少なくとも片方の基板１に形成され液晶層１０に対して所定の方向に電界を印加する電極１５，１７とを有し、液晶層１０は正の誘電異方性を有する液晶材料からなり、液晶層１０は、電界を印加しない状態で、この電界と平行な方向に配向している。或いは、液晶層１０は負の誘電異方性を有する液晶材料からなり、液晶層１０は、電界を印加しない状態で、この電界と直交する方向に配向している。

（ａ）は高分子分散型液晶の電圧無印加時の状態を説明する模式図、（ｂ）は高分子分散型液晶の電圧印加時の状態を説明する模式図である。 （ａ）は一般的なＦＦＳモードを説明する平面図であり、（ｂ）は一般的なＦＦＳモードを説明する断面図である。 実施例１で用いた液晶表示装置の模式図である。 本発明にかかる液晶表示装置の光散乱状態を拡大表示した顕微鏡写真図である。 （ａ）は実施例１で用いた液晶表示装置の印加電圧６Ｖ時の偏光顕微鏡観察結果を示した模式図であり、（ｂ）は実施例１で用いた液晶表示装置の印加電圧７Ｖ時の偏光顕微鏡観察結果を示した模式図である。 実施例１で用いた液晶表示装置の、ラビング方向と偏光板の透過軸のなす角が２０度のときと−２０度のときの偏光顕微鏡観察結果を示した模式図である。 実施例２、３で用いた、液晶表示装置の拡散光での反射率測定時の模式図である。 実施例２で用いた液晶表示装置の、電圧を増加させていったときの拡散反射率と、減少させていったときの拡散反射率の測定結果である。 実施例６で用いた液晶表示装置の模式図である。 ＦＦＳモードのアクティブマトリックス駆動基板の平面図である。 図１０に示したアクティブマトリックス型表示装置の一画素分を示す模式的な平面図及び断面図である。

符号の説明

１・・・ガラス基板、２・・・ＩＴＯ電極、３・・・高分子ポリマー、４・・・液晶分子、５・・・駆動基板、６・・・共通電極、７・・・絶縁膜、８・・・画素電極、９・・・対向基板、１０・・・正の誘電異方性の液晶分子、１１・・・偏光板、１２・・・走査線、１３・・・信号線、１４・・・ＴＦＴ、１５・・・共通電極、１６・・・ＳｉＮｘ絶縁膜、１７・・・画素電極、１８・・・鏡面板又は低反射板、１９・・・光発射口、２０・・・受光部、２１・・・積分球、２２・・・正反射成分を逃すためのハッチ、２３・・・負の誘電異方性を持つ液晶分子

Claims (4)

1. 一対の基板の間に液晶層を挟持してなる散乱型の液晶装置において、
   前記一対の基板のうち一方の基板の前記液晶層側にある面にフリンジフィールドを発生させるよう共通電極と櫛歯状の画素電極とを互いに絶縁状態で配置し、
   前記一対の基板のそれぞれにて前記液晶層側の面に形成された配向膜に前記櫛歯状の画素電極の延設方向に対して垂直方向にアンチパラレルラビングが施され、
   前記液晶層を正の誘電異方性を有するものにして電圧無印加時の液晶の配向方向を電圧印加時に発生する横電界と平行とし、
   前記横電界を印加しない状態で前記液晶層が光透過状態を呈する一方、前記横電界を印加した状態では、前記櫛歯状の画素電極間に現れるドメインの間に屈折率の境界ができて光を強く散乱することにより前記液晶層が光散乱状態を呈する液晶装置。
   
2. 前記一対の基板のうち一方の基板の前記液晶層と接していない面に光反射板もしくは黒色板を配置した請求項１記載の液晶装置。
3. 前記一対の基板のうち一方の基板の前記液晶層側にある面に、光反射体もしくは黒色体を配置した請求項１記載の液晶装置。
4. 前記共通電極が光反射性もしくは低反射性である請求項１記載の液晶装置。