JP2011248297A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ＴＦＴ基板または対向基板の配向膜表面に形成された凹凸に起因して、ラビング処理が施されない部分が生ずることを防止する。
【解決手段】ラビングステージ３０の上にＴＦＴ基板１００が配置され、ＴＦＴ基板１００の表面にはＴＦＴ配線２０に起因する凸部が形成されている。表面に凸部が形成されると、特にラビング下流側において、この凸に起因してラビングされないラビング影が生ずる。ラビング工程において、回転方向が異なるラビングローラ１０を２個配置し、ＴＦＴ基板１００を、回転方向の異なる２個のラビングローラ１０に接触させてラビングを行うことによって、ラビング影の影響を無くす。これによって、黒表示のときの光漏れを防止する。
【選択図】図１

Description

本発明は表示装置に係り、ラビングむらを改善し、黒表示において光漏れの無い液晶表示装置の製造方法に関する。

液晶表示装置に使用される液晶表示パネルは、画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を有する画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して、ＴＦＴ基板の画素電極と対応する場所にカラーフィルタ等が形成された対向基板が配置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。

液晶表示装置では、ＴＦＴ基板と対向基板に形成された配向膜によって、液晶分子の初期配向を行い、この液晶分子の初期配向の状態を、画素電極に映像信号を印加することによって、画素電極と対向電極との間に形成された電界によって変化させることによって、液晶表示パネルを透過する光の量をコントロールしている。液晶分子の初期配向の向きは配向膜をラビングすることによって規定している。

小型の液晶表示装置では、画面が高精細であることが要求され、これにしたがって、画素のサイズが小さくなる。そうすると、例えば、ＴＦＴ基板に形成された映像信号線、画素電極等の凹凸の影響によってラビングが均一に行われない場合が生ずる。ラビングは、毛を有するラビング布を周囲に配設したラビングローラを回転させながら基板を擦ることによって行われる。

この時、基板の表面に凹凸が存在すると、ラビングローラの回転の向きによって。ラビングが十分行われない部分が生ずる。「特許文献１」には、ラビングをより均一に行うために、基板を載置したラビングステージを往復させ、ラビングを１方向とその逆方向の２回行うことが記載されている。

特開２００１−１６６３１０号公報

図９は、従来技術におけるラビング工程を示す模式図である。図９において、ラビングステージ３０の上にＴＦＴ基板１００が載置されている。ＴＦＴ基板１００には種々の配線が形成され、凹凸となっている。図９では、この凹凸の状態をＴＦＴ配線２０によって代表させている。なお、ＴＦＴ配線２０とは、ＴＦＴ基板１００に形成されている配線という意味で、特定の配線を指すものではない。実際には、ＴＦＴ配線２０の上には配向膜１０９が形成されているが、図９では省略している。

ＴＦＴ基板１００を載置したラビングステージ３０が矢印の方向に移動する。Ｒ１の方向に回転しているラビングローラ１０をＴＦＴ基板１００に押し付けると、ラビングローラ１０の表面にあるラビング布１２に存在する毛１１によって、ＴＦＴ基板１００の表面がラビングされる。

図１０は、ラビングの状態を示す詳細図である。図１０において、ラビングステージ３０の上にＴＦＴ基板１００が載置されており、ラビングステージ３０は矢印の方向に移動する。一方、ラビングローラ１０はＲ１の方向に回転しており、ラビング布１２の毛１１によってＴＦＴ基板１００の表面がラビングされる。

ＴＦＴ基板１００の上には、ＴＦＴ配線２０で代表される凹凸が形成されている。図１０はＴＦＴ配線２０のような凹凸が存在している場合のラビング布１２における毛１１の挙動を示すものである。図１０において、ラビングローラ１０の回転方向の上流においては、ＴＦＴ配線２０のような凹凸が存在しても、ラビングされない領域、すなわち、ラビング影の領域は小さい。しかし、ラビングローラ１０の回転の下流においては、ラビングされない領域、すなわち、ラビング影の領域は大きい。

ラビング影の領域は、液晶分子が配向されないので、画面に黒表示をしたような場合、光が漏れて、コントラストを低下させる。したがって、ラビング工程においては、図１０におけるラビング影の領域を小さくすることが重要である。

「特許文献１」に記載のように、ラビングステージ３０を往復させてラビングする方法は、ラビング工程が少なくとも従来の２倍の時間がかかるという問題点を有する。また、ラビング工程を含む他の工程をインラインで形成しようとするばあい、レイアウトに問題を生ずる。さらに、同一のラビングローラ１０を逆回転させた場合、ラビング布１２の毛１１の向きが回転に対して最適に設定できないという問題が生ずる。

本発明の課題は、ラビング影の領域を小さくし、液晶が配向されない領域を実質的に無くし、黒表示の時の光漏れのない、コントラストの優れた液晶表示装置を実現することである。また、このような、液晶が配向されない領域を実質的に無くした液晶表示装置を、ラビング工程の時間を増大させること無く実現することである。また、これを可能にするラビング工程を前後の工程との整合性良く実現することである。

本発明は上記問題を克服するものであり、具体的な手段は次のとおりである。基板表面に凹凸が存在している場合、いわゆるラビング影が生ずる。ラビング影の範囲が大きくなると液晶の配向不良が目立つ。ラビング影はラビングローラの回転方向との関係で、ラビング上流よりもラビング下流で大きくなる。

本発明は、ラビング工程において、回転方向の異なるラビングローラを２個平行に配置する。そして、ＴＦＴ基板あるいは対向電極に対して、２個のラビングローラによって連続してラビングを行う。２個のラビングローラは回転方向が異なるので、ラビング影の大きさを、２個のラビングローラが補完する形で小さくすることが出来る。また、２個のラビングローラにおけるラビング布の毛の向き等を最適化することも出来る。

本発明によれば、ラビングローラを２個配置し、基板を載置したラビングステージを従来と同様に、１方向のみに移動すればよいので、ラビング工程の時間を長くすることなく、ラビング影の影響を無くすことが出来る。また、２個のラビングローラにおけるラビング布あるいはラビング布の毛の向き等の条件をローラ毎に最適化することによって、ラビング影の影響をより小さくすることが出来る。

また、本発明によれば、ラビングステージは、１方向にのみ移動すれば良いので、ラビング工程とその前後の工程をインラインに配置することが容易である。これによって製造工程のレイアウトを合理的に行うことが出来る。

本発明によって、黒表示において、バックライトの光漏れの無い、コントラストの優れた液晶表示装置を実現することが出来る。また、ラビング工程の工程時間を増加する必要もないので、製造コストの増加を抑えて、コントラストの優れた液晶表示装置を実現することが出来る。

本発明におけるラビング工程の模式断面図である。 本発明におけるラビング工程の斜視図である。 本発明の原理を示す模式図である。 ＩＰＳ方式の液晶表示装置のＴＦＴ基板の断面図である。 ＩＰＳ方式の画素部の平面図である。 ＩＰＳ方式の映像信号線の部分の断面図の例である。 ＴＮ方式液晶表示装置の断面図である。 カラーフィルタをＴＦＴ基板側に形成した液晶表示装置の断面図である。 従来のラビング工程の模式断面図である。 従来のラビング工程の問題点を示す模式図である。

以下に本発明の内容を実施例を用いて詳細に説明する。

図１は、本発明によるラビング工程を示す模式図である。図１において、ラビングステージ３０の上にＴＦＴ基板１００が載置されている。ＴＦＴ基板１００の上には、ＴＦＴ配線２０に代表される凹凸が形成されている。なお、ＴＦＴ配線２０は、特定の配線を指すのではなく、凹凸を代表して記載しているものである。また、図１では配向膜１０９は省略されている。ＴＦＴ基板１００を載置したラビングステージ３０は例えば、３０ｍｍ／ｓｅｃで白矢印の方向に移動する。

図１において、２個のラビングローラ１０が配置され、２個のラビングローラ１０によってＴＦＴ基板１００がラビングされる。２個のラビングローラ１０の回転方向は逆である。２個のラビングローラ１０の回転スピードは、例えば、１５００ｒｐｍである。ＴＦＴ基板１００はまず、左側のラビングローラ１０によってラビングされ、次に右側のラビングローラ１０によってラビングされる。

図２は、ＴＦＴ基板１００がラビングされている状態を示す斜視図である。図２において、ＴＦＴ基板１００に対して、２個のラビングローラ１０は平面的には傾斜して配置されている。したがって、液晶分子の初期配向の向きは、ＴＦＴ基板１００の辺とは傾いた方向となる。図２において、ラビングローラ１０の径は例えば、１５０ｍｍであり、ラビングローラ１０の長さＬは例えば、１５００ｍｍである。図２に示すように、ＴＦＴ基板１００は白矢印の方向に移動しながら、２個のラビングローラ１０によってラビングを受けることになる。２個のラビングローラ１０は回転の方向は異なるが、２個のラビングローラ１０は互いに平行に配置されているので、液晶分子の初期配向の向きは同じである。

図１に戻り、ラビングローラ１０の周囲にはラビング布１２が配置され、ラビング布１２はラビングのための毛１１を有している。ラビング布１２の毛１１の向きは、ラビングローラ１０の回転方向に最適なようになっており、左側のラビングローラ１０と右側のラビングローラ１０では、ラビング布１２の毛１１の向きが異なっている。しかし、いずれのラビングローラ１０においても、ラビングローラ１０が回転して、ラビングローラ１０のラビング布１２の毛１１がＴＦＴ基板１００と接触するときは、ラビングローラ１０のラビング布１２の毛１１と前記ＴＦＴ基板１００とは鋭角をなすように設定されている。

ラビング布１２の毛１１は、コットンで形成されており、断面が例えば、長径が２０μｍ、短径が６〜７μｍの楕円形であり、長さは例えば、２．２ｍｍ程度である。このラビングの毛１１の長さは、液晶表示装置における画素の短径、あるいは、長径よりもかなり大きく、ラビングの毛１１の断面の径は、画素の径に近い大きさである。画素の径とラビングの毛１１の断面の径あるいは長さが、このような関係となっているために、ＴＦＴ基板１００等の表面に凹凸が存在すると、ラビング影が生じやすい。なお、ラビング布１２の毛１１は、コットンに限らず、レーヨン等も使用される。

図３は本発明の原理を示す模式図である。図３において、ＴＦＴ基板１００がラビングステージ３０の上に載置されている。ＴＦＴ基板１００にはＴＦＴ配線２０が形成されており、このＴＦＴ配線２０のためにラビング影が生ずる。図３の左側に示すように、ＴＦＴ基板１００はまず、回転方向Ｒ２のラビングローラ１０によってラビングされる。

図３の左側において、ラビング布１２の毛１１はＴＦＴ配線２０の右側からラビングを始める。この場合、ＴＦＴ配線２０の右側にラビング上流側影２１が形成される。ラビング上流側影２１は領域が小さく、したがって、ラビング上流側影２１側のラビングは十分におこなわれる。これに対して、ＴＦＴ配線２０の左側のラビング下流側影２２は領域が大きく、ＴＦＴ配線２０の左側では、ラビングがなされていない領域が広く形成され、この部分は、このままでは、液晶の初期配向が出来ない領域となる。

ラビングステージ３０が矢印の方向に進むと、ＴＦＴ基板１００およびＴＦＴ配線２０は図３における右側の、回転方向がＲ１のラビングローラ１０によってラビングされる。回転方向がＲ１のラビングローラ１０においては、ＴＦＴ配線２０の左側にラビング上流側影２１が形成されるが、ラビング上流側影２１は領域が小さい。図３における左側の回転方向がＲ２のラビングローラ１０においては、ＴＦＴ配線２０の左側にラビング影が大きく形成されていたが、図３の右側の回転方向がＲ１のラビングローラ１０においては、この部分は、ラビング上流側となるので、左側のラビングローラ１０によってラビングされなかった領域も十分にラビングされることになる。

一方、図３の右側のラビングローラ１０において、ＴＦＴ配線２０の左側は、ラビング下流側影２２となるので、このラビングローラ１０によってはラビングされていない領域が大きいが、この部分はすでに、左側の回転方向Ｒ２のラビングローラ１０によってラビングされている。

このように、本発明によれば、ＴＦＴ配線２０の両側において、ラビング影は極めて小さな領域のみとなるので、液晶分子の配向に影響を与えることは無い。したがって、黒表示をした場合も、ＴＦＴ配線２０の両側において、光が漏れることは無い。

図３に示すように、２個のラビングローラ１０において、左側のラビング布１２の毛１１の向きと、右側のラビング布１２の毛１１の向きは異なっている。ラビングローラ１０を２個使用することによって、ラビング布１２の毛１１の向きを各々のラビングローラ１０において、最適な方向に選定することが出来る。また、２個のラビングローラ１０の回転速度は特に変化させる必要は無い。以上はＴＦＴ基板１００の場合を例にとって説明したが、対向基板２００の場合にも全く同様に適用することが出来る。

以下は、種々の液晶表示装置における本発明の効果を示すものである。図４〜図６は、本発明をＩＰＳ（Ｉｎ Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式の液晶表示装置に適用して効果を上げられる例を示す図である。ＩＰＳ方式の構造も種々あるが、図４はＩＰＳ方式の１例におけるＴＦＴ基板の断面図の構成である。図４において、ガラスで形成されるＴＦＴ基板１００にゲート電極１０１が形成され、ゲート電極１０１の上にゲート絶縁膜１０２が形成されている。ゲート電極１０１の上方で、ゲート絶縁膜１０２の上に半導体層１０３が形成され、半導体層１０３の上にドレイン電極１０４とソース電極１０５が対向して形成されている。これによってＴＦＴを形成している。

ゲート絶縁膜１０２の上にソース電極１０５と一部積層して画素電極１０６が平面で形成されている。なお、ゲート絶縁膜１０２の上には、映像信号線６０がソース電極１０５等と同層で形成されている。画素電極１０６の上にＴＦＴを保護するための無機パッシベーション膜１０７が形成され、その上に櫛歯状の対向電極１０８が形成されている。対向電極１０８の上には配向膜１０９が形成されている。画素電極１０６と対向電極１０８との間の電界によって液晶分子が回転し、バックライトからの光を制御することによって画像を形成する。

図５は図４の画素部の平面模式図である。図５において、横方向に延在している走査線５０と、縦方向に延在している映像信号線６０で囲まれた領域が画素である。画素領域には画素電極１０６が矩形で形成されており、図示しない無機パッシベーション膜１０７を介して櫛歯状にくりぬかれた対向電極１０８が画素電極の上方に形成されている。対向電極１０８は櫛歯状にくりぬかれた部分以外は、べたで形成されている。

図４における、櫛歯状に形成されている対向電極１０８の間の凹部がラビングされにくい領域である。あるいは、図５における櫛歯状にくりぬかれた対向電極１０８の凹部がラビングされにくい領域である。この部分がラビング不十分であると、コントラストが大きく低下し、画質を損なうことになる。本発明を適用することによって、対向電極１０８に形成された櫛歯状電極間の凹部も十分にラビングすることが出来るので、高画質のＩＰＳ液晶表示装置を得ることが出来る。

図４において、半導体層１０３は、ａ−Ｓｉ膜で形成され、映像信号線６０は例えば、ＭｏＣｒ等の金属によって形成され、画素電極１０６、対向電極１０８等は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）で形成されている。図４の映像信号線６０は１層で形成されている。

映像信号線６０は、走査線５０との交差部等における断切れを防ぐ等のために、ａ−Ｓｉ膜、金属膜、ＩＴＯ膜の３層で形成される場合がある。また、図４と異なり、無機パッシベーション膜１０７を十分に厚く形成できない場合がある。このような場合、映像信号線６０が形成された部分における表面には凹凸が形成されることになる。

図６はこのような場合を示す断面図である。図６は、図５のＡ−Ａ断面に相当する断面図である。図６において、ゲート絶縁膜１０２の上にａ−Ｓｉ、ＭｏＣｒ、ＩＴＯの３層から成る映像信号線６０が形成されている。映像信号線６０の上に無機パッシベーション膜１０７が形成されている。無機パッシベーション膜１０７の上に対向電極１０８が形成され、その上に配向膜１０９が形成されている。

図６において、ａ−Ｓｉ膜１０３が１５０ｎｍ、ＭｏＣｒ膜１０４が２００ｎｍ、ＩＴＯ膜１０６が７０ｎｍ、無機パッシベーション膜１０７が４５０ｎｍ程度である。そうすると、配向膜１０９の表面には凹凸が形成されることになる。従来例では、この部分におけるラビング効果が十分でなかったので、図５に示す、映像信号線６０の片側において、ラビング下流側影２２の影響による光漏れが発生することが多かった。これに対して、本発明を適用することによって、映像信号線６０の両側において、光漏れを防止することが出来、コントラストの高い液晶表示装置を製造することが出来る。

以上で説明したＩＰＳでは、絶縁膜である無機パッシベーション膜１０７の上に櫛歯電極状の対向電極１０８が形成され、その上に配向膜１０９が形成されている例である。ＩＰＳでは、図４で説明した構造の他に、絶縁膜の上に櫛歯状の画素電極１０６が形成され、その上に配向膜１０９が形成されているタイプも存在する。本発明は、このような構成のＩＰＳに対しても同様に効果を発揮する。

以上は、ＩＰＳ方式におけるＴＦＴ基板１００を例にとって本発明の効果を説明した。本発明は、ＩＰＳ方式に限らず、また、ＴＦＴ基板１００に限らず、対向基板２００側にも適用することが出来る。図７は通常のＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）方式液晶表示装置の断面図である。図７において、ＴＦＴ基板１００基板側におけるＴＦＴの構成は、図４で説明したのと同様である。

図７において、ＴＦＴを覆って、無機パッシベーション膜１０７が形成され、無機パッシベーション膜の上に平坦化膜を兼ねた有機パッシベーション膜１１１が形成されている。有機パッシベーション膜１１１の上には、画素電極１０６が形成され、画素電極１０６の上には配向膜１０９が形成されている。有機パッシベーション膜１１１と無機パッシベーション膜１０７にはスルーホールが形成されて、画素電極１０６とＴＦＴのソース電極１０５との導通を取っている。このように、図７におけるＴＦＴ基板１００は有機パッシベーション膜１１１が形成されている関係で、配向膜１０９の表面は比較的平坦である。

図７において、ＴＦＴ基板１００の上には液晶層１１０を挟んで対向基板２００が配置されている。配向基板には順にブラックマトリクス２０１、カラーフィルタ２０２、オーバーコート膜２０３が形成され、その上に対向電極１０８および配向膜１０９が形成されている。ブラックマトリクス２０１とカラーフィルタ２０２は積層されている。ブラックマトリクス２０１は有機材料によって形成される場合が多く、この場合のブラックマトリクス２０１の厚さは１μｍ以上になる。そうすると、図７に示すように、ブラックマトリクス２０１の両側に段差が形成される。

従来においては、ブラックマトリクス２０１の両側における段差部分におけるラビングが十分に行われず、ブラックマトリクス２０１の片側において、ラビング下流側影２２の影響による光漏れが発生することが多かった。本発明を対向基板２００に適用することによって、ブラックマトリクス２０１の両側において、ラビングを十分に行うことが出来、光漏れのない、液晶表示装置を製造することが出来る。

従来の液晶表示装置では、ＴＦＴ基板１００側に画素電極１０６およびＴＦＴを形成し、対向基板２００側にカラーフィルタ２０２を形成してきた。しかし、この構成は、カラーフィルタ２０２が形成されている対向基板２００と画素電極１０６が形成されているＴＦＴ基板１００との基板の合わせ作業を正確に行う必要があり、このための、作業時間、歩留まりが問題となっていた。そこで、図８に示すように、ＴＦＴ基板１００側にカラーフィルタ２０２をフォトリソグラフィによって形成することによって、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の合わせ作業の負担を減少させる構造が開発されている。

図８における、ＴＦＴ基板１００において、ＴＦＴの上に無機パッシベーション膜１０７を形成するまでは、図７と同様である。図８では、無機パッシベーション膜１０７の上に有機パッシベーション膜１１１が存在する部分には、カラーフィルタ２０２を形成している。また、ＴＦＴの上のように、遮光が必要な部分にはカラーフィルタ２０２を形成する前に、ブラックマトリクス２０１を形成している。そして、カラーフィルタ２０２の上に画素電極１０６を形成し、その上に配向膜１０９を形成している。一方、対向基板２００には、対向電極１０８が形成され、その上に配向膜１０９が形成されている。

図８において、ＴＦＴ基板１００側には、カラーフィルタ２０２あるいはブラックマトリクス２０１等が形成されていることによって、配向膜１０９の表面には、凹凸が形成されている。すなわち、図８において、ＴＦＴの上にはブラックマトリクス２０１が形成され、ブラックマトリクス２０１を覆ってカラーフィルタ２０２が形成されているので、ブラックマトリクス２０１の厚さの影響による段差が形成されている。また、映像信号線６０の上には、２つのカラーフィルタ２０２が重なって形成されているので、この部分にも段差が形成されている。

このような段差は１μｍ程度に達する。従来は、この段差部分において、ラビングが十分に行われず、これらの段差の片側において、光漏れが発生することが多かった。すなわち、ラビング下流側において、ラビングが十分に行われていなかったからである。このような光漏れは特に画素電極１０６の周辺において発生する。これに対して、本発明をＴＦＴ基板１００に適用することによって、段差部の両側において、十分にラビングを行うことが出来、画素全体にわたって、光漏れのない、コントラストの優れた液晶表示装置を製造することが出来る。

以上で説明したラビング方法は、ＴＦＴ基板１００のみに適用してもよいし、対向電極１０８のみに適用してもよいし、ＴＦＴ基板１００と対向電極１０８の両方に適用してもよい。ＴＦＴ基板１００あるいは対向基板２００の配向膜１０９表面の凹凸の状態と、製造工程の合理性を鑑みて適用すればよい。

１０…ラビングローラ、 １１…ラビング布の毛、 １２…ラビング布、 ２０…ＴＦＴ配線、 ２１…ラビング上流側影、 ２２…ラビング下流側影、 ３０…ラビングステージ、 ５０…走査線、 ６０…映像信号線、 １００…ＴＦＴ基板、 １０１…ゲート電極、 １０２…ゲート絶縁膜、 １０３…半導体層、 １０４…ドレイン電極、 １０５…ソース電極、 １０６…画素電極、 １０７…無機パッシベーション膜、 １０８…対向電極、 １０９…配向膜、 １１０…液晶層、 １１１…有機パッシベーション膜、 ２０１…ブラックマトリクス、 ２０２…カラーフィルタ、 ２０３…オーバーコート膜、 １０８１…凹部、 Ｒ１…ラビングローラの回転方向、 Ｒ２…ラビングローラの回転方向。

Claims (5)

1. ＴＦＴと画素電極と配向膜を有するＴＦＴ基板と、配向膜を有する対向基板と、前記ＴＦＴ基板の前記配向膜と前記対向基板の前記配向膜との間に液晶層が挟持された液晶表示装置の製造方法であって、
   前記ＴＦＴ基板の前記配向膜あるいは前記対向基板の前記配向膜を、平行に配置され、第１の方向に回転する第１のラビングローラと第２の方向に回転する第２のラビングローラに接触させることにより前記ＴＦＴ基板の前記配向膜あるいは前記対向基板の前記配向膜を２回ラビングすることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
2. 前記第１のラビングローラおよび前記第２のラビングローラが回転して前記ＴＦＴ基板の前記配向膜あるいは前記対向基板の前記配向膜に接触するときは、前記第１のラビングローラおよび前記第２のラビングローラのラビング布の毛は前記ＴＦＴ基板の前記配向膜あるいは前記対向基板の前記配向膜と鋭角になるように接触することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
3. 前記ＴＦＴ基板は、絶縁膜の表面に櫛歯状の電極が形成され、その上に配向膜が形成されている液晶表示装置であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
4. 前記対向基板にはブラックマトリクスが形成され、前記ブラックマトリクスの上にカラーフィルタが積層されて構成されている部分を有する液晶表示装置であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
5. 前記ＴＦＴ基板には、ＴＦＴ、画素電極、カラーフィルタが形成されている液晶表示装置であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。

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