TWI249160B - Optical information recording medium and process for recording thereon - Google Patents

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TWI249160B
TWI249160B TW092130959A TW92130959A TWI249160B TW I249160 B TWI249160 B TW I249160B TW 092130959 A TW092130959 A TW 092130959A TW 92130959 A TW92130959 A TW 92130959A TW I249160 B TWI249160 B TW I249160B
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Description

1249160 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關相位改變光學資訊記錄媒體，而特別是 微型碟可再寫入CD-RW媒體及記錄資訊於其上之程序。 【先前技術】 於微型碟（CDs )及數位通用碟（DVDs )中，資訊係 根據反射自一媒體之光強度的改變而被再生。於唯讀記憶 體（ROM)光碟中，有一基底，其表面上具有凹偏及突起 ，以造成反射光之差異，因而干擾發生以引發強度之改變。 .於可記錄媒體中，具有不同光學性質之微域被形成於 一配置在媒體之基底上的記錄層中以引發強度之改變。記 錄層一般包含（例如）一有機上色物質於 CD可記錄 (CD-R)及可記錄（DVD + R)碟片中；或者一種相 位改變記錄材料於C D可再寫入（C D - R W )及D λ，D可再 寫入（D V D + R W )碟片中。 於任何情況下，資訊係藉由照射聚集光至記錄層附近 而被記錄於碟片上’其改變了微域之狀態，而此改變後微 域之光學性質的差異相位差異或強度差異。 記錄層中之相位改變材料的使用容許形成及抹除記錄 ^ 因爲力於用以記錄的結晶相與非晶相之間的相位改 變係可反轉的。介於結晶相與非晶相之間的相位改變可根 據包含材料之冷卻（快速冷卻）及退火（緩慢冷卻）的磁 滞現象而被控制；且資訊可藉由一照射光束之強度的調變 -5 - 1249160 (2) 而被記錄及抹除；及使用相位改變之記錄裝置可以低價被 製造。此外，記錄資訊可被再生於一唯讀（播放器），且 相位改變記錄系統已被廣泛地利用。 對於光碟已有漸增的趨勢需具有較大容量並操作以較 高的速度，隨著電子資訊之漸增的容量及資訊處理之漸增 的速度。具有較大密度之記錄媒體係滿足此等需求之最有 效機構。例如，爲了增加媒體之密度，用以記錄及再生資 訊之光學系統應被改變以具有增加的數値孔徑N A或較短 的波長，或調變系統應被改變。此改變可見於（例如）從 C D至D V D (其容量甚大於C D )之轉變。然而，習知的 CD再生裝置無法再生或讀取此等高密度DVD‘媒體上之資 訊。再生之不相容性需被避免於市面上廣怖的媒體。假如 重點放在相容性，則增加操作速度變爲最大挑戰。 已相信其使用相位改變材料之可再寫入光學資訊記錄 媒體難以具有較高的記錄及/或再生速度，相較與使用上 色物質（於其上僅可記錄資訊一次）之一次寫入媒體。爲 了以較高速度彤成記錄標記於可再寫入光碟上，一具有較 高記錄功率之光束可被照射如於使用上色物質之媒體中。 然而’於較高速度下，一次形成之記錄標記無法被抹除於 其使用相位改變材料之媒體中。此係因爲以較高速度之掃 瞄無法產生供形成結晶相（其中記錄標記被抹除）所需的 “退火條件”。 因此’相位改變可再寫入光碟之掃瞄速度的增加並不 如使用上色物質之光碟中般的多。例如，現在常見的CD- -6 - 1249160 (3) R媒體可被記錄以40-速度（48 m/s之掃瞄速度，1.7 Gbps之通道位元率），但CD-RW媒體可被記錄以10-速 度（12 m/s之掃瞄速度，432 Mbps之通道位元率）。 在本案提出申請前爲公知的專利文件係如下。 曰本專利申請案公開（JP-A)編號2000-3 1 3 1 70揭露 一種光學資訊記錄媒體，其使用（當作記錄層之材料） ((SbxTei_x)yGei_y)zM】_z，其中x5y及z滿足下列條件·· 0.7 <x <0.95 〇·8 Sy<l 5 及 0.88 <ζ<1，而 Μ 代表 In 及 /或 Ga °然而’該公開案中所指明之組成比率爲寬廣的範圍， 且此處所述之範例顯示僅有一記錄層，其中Μ爲In且並 未顯示供證實其使用G a爲Μ之優點及效果的資料。該公 開案亦並未描述Ga之必要性及介於Ga與In之間的大差 異，lit係與本發明相反的。此外，該公開案從未提及確保 儲存可靠度及增進複寫性質於2 0 m/s或更高的掃瞄速 度，這些情況之增進係本發明的目的之一。 J P - A編號2 0 0 1 - 5 6 9 5 8揭露一種具有一記錄層之光學 資訊記錄媒體，該記錄層主要包含GeSbTe且進一步包含 一選自多種金屬元素且能以高速複寫之金屬元素。於該案 之範例1 6中，揭露一種使用G a 〇 · 〇 6 G e 〇 〇 6 s b 〇. 6 s 丁 e Q 2 2之光 學資訊記錄媒體。然而，該案中所使用之術語“高速”最 高爲]0m s，例如，其申請專利範圍第3 1項中所指明。該 申請案並未教導如本發明中之2 0 m / s或更高之掃瞄速度 下之複寫性質的增進，且其範例1 6中所述之合金成分係 超出本發明所指明之範圍。此外，其既未揭露亦未指示 1249160 ’ (4) G a之功效，此係與本發明相反的。 JP-A編號200 1 -23 6690及日本專利（JP-B)編號 3255051 (JP-A編號10-172179)各揭露一種具有一記錄 層之光學資訊記錄媒體，該記錄層主要包含SbTe且進一 步包含一選自多種元素之元素。然而，其缺乏對於 GaGeSbTe合金之具體描述且並未揭露或指示以2〇 m/s或 更高之掃瞄速度的直接複寫性質，此增進係本發明的目的 之一’其亦未指不本發明所指出之Ga的功效。 JP-B 編號 262 9 74 9 ( JP-A 編號 0 1 - 1 3 8 63 4 )揭露一種 具有一主要包含GaGeSbTe記錄層之光學資訊記錄媒體。 然而，記錄層主要包含GeTe合金或金屬間化合物而因此 具有與其主要包含Sb-Te共熔合金及進一步包含微量之如 本發明的金屬元素之材料明顯不同的組成範圍及性質。 因此’本發明之一目的係提供一種光學資訊記錄媒 體，特別是一種C D - R W媒體，其9經歷高速下之直接複 寫並提供用以記錄資訊於其上之方法。 [發明內容】 ， 明確地，本發明提供一種光學資訊記錄媒體，其包含 一透明基底、至少一記錄層及一反射層，該光學資訊記錄 媒體能夠執行至少記錄、抹除及再寫入資訊之一，藉由以 聚集光照射及掃猫而藉此形成及/或抹除記錄層上之記錄 標記’其中記錄層含有至少合金與金屬間化合物之一，其 各主要含有以下列分子式所表示之組成比的Ga, Ge，Sb， 1249160 (5) 及Te :
GaxGey(SbzTe 卜z)卜χ· 其中χ，y 5及ζ各代表小於1之正實數的原子比率並滿足 下列條件=
0.02 ^ X ^ 0.06 0.01^ y ^ 0.06 0.80^ 0.86 X ^ y X + γ ^ 0.1 本發明亦提供一種用於製造光學資訊記錄媒體之濺射 靶，其含有至少合金與金屬間化合物之一，其各主要含有 以下列分子式所表示之組成比的Ga，Ge，Sb5及Te : G a χ G e y ( S b z T e ] . z)!. χ. y 其中x，y5及z各代表小於1之正實數的原子比率並滿足 下列條件= 0.02^ 0.06 0.01^ y ^ 0.06 -9- 1249160 (6) 0.80S zg 0.86 x ^ y x + y ^ 0.1 本發明進一步提供一種用於光學資訊記錄媒體之初始 化的方法，其包含以一具有5 00 mW或更多之功率損耗的 雷射光束照射及掃瞄本發明之光學資訊記錄媒體於丨至 2 · 5 m / s之掃瞄速度而藉此初始化光學資訊記錄媒體。初 始化係一種操作，用以於使用前將一媒體之記錄層的資訊 記錄區域轉換爲結晶相。 此外，本發明提供一種用以記錄於一光學資訊記錄媒 體上之方法，其包含以一雷射光束照射及掃瞄光學資訊記 錄媒體，其中記錄標記係藉由交替地照射及掃瞄光學資訊 記錄媒體以一具有Pw之強度的脈衝與一具有Pb之強度 的脈衝’其中具有P w之強度的脈衝之數目m滿足下列條 件之一：n = 2m (當η爲偶數時）、及η = 2 m +1 (當η爲奇 數時），其中m係一等於η或更小的自然數而η係一自 然數’假設其一記錄標記長度係甶η T w表示，其中T w係 --參考計時週期。記錄標記係藉由照射及掃瞄光學資訊記 錄媒體以其具有P e之一恆定強度的光而被抹除。同時， Pw，Pe,及Pb滿足下列條件：pw>pe>pb。 本發明之進一步目的、特徵及優點將從以下參考後附 圖形之較佳實施例的描述而變得淸楚明白。 -10- 1249160 (7) [實施方式】 本發明將被詳細地描述於下。 圖1係一槪略橫斷面圖，其顯示依據本發明之一光學 資訊記錄媒體的範例。光學資訊記錄媒體應基本上具有一 透明基底1、配置於上述透明基底1之上的至少一記錄層 3及一反射層5。用以記錄、抹除、/或再生資訊之光從基 底1進入光學資訊記錄媒體，如圖形之下側所示。基底1 最好是具有高透射比於用以記錄、抹除、及/或再生之光 的波長且具有高強度。基底1之材料包含（例如）玻璃、 陶瓷、及樹脂。其中，樹脂是較佳的，由於其高強度、低 製造成本、及絕佳的產率，而其中丙烯酸樹脂及聚碳酸鹽 樹脂由於其高強度及低雙折射而爲更理想的。 基底]可具有一用以記錄及再生光線之導引溝槽。導 引溝槽之諸如深度及寬度等尺寸係根據（例如）用以記錄 與再生之光的波長、一用以聚焦之物鏡的數値孔徑 (N A )及像差（a b e r 1· a t i ο η )而被最佳化。例如，於使用 具7 8 0 nm之波長及〇.5〇之ΝΑ的光學系統之CD-RW媒 體中，溝槽寬度及溝槽深度最好是個別從5 0 0至6 5 0 nm 及從3 0至5 0 nm，而更理想的是個別從5 8 0至6 1 0 nm及 從32至44 nm。導引溝槽可擺動，且預格式化之位址資 訊可被編碼於擺動中。一種位址預格式化系統包含（例 如）CD-R及CD-RW媒體中之預溝槽（ATIP)系統中的 絕對時間（其中擺動之頻率被調變）、及DVD + RW媒體 及DVD + R媒體中之預溝槽（ADIP )系統中的位址（其中 1249160 (8) 擺動之相位被調變）。 記錄層3之材料應爲合金及/或金屬間化合物，其主 要含有GaGeSbTe。記錄層3中之合金及/或金屬間化合物 的含量最好是90原子百分比或更多，而更理想的是96分 子百分比或更多。當記錄層3含有10分子百分比或更多 之量的雜質或添加物時，則記錄層3中之記錄區域無法以 一足夠高的速度被再結晶化且已記錄區域無法以高的掃瞄 速度被良好地抹除。此外，合金及/或金屬間化合物需具 有由下列分子式所表示之組成比：
GaxGcy(SbzT t \ _z) ι-χ-y 其中χ，y,及z各代表小於1之正實數的原子比率並滿足 下列條件：
0.02 S 0.06 0 · 0 I $ y S 0.0 6 0.80^ 0.86 x ^ y x + y ^ 0.1 記錄層之基礎材料爲 SbTe之共熔組成，亦即， Sb〇.7Te〇.3。光學資訊記錄媒體之基本性質可藉由控制此 系統中之Sb與Te的比例而被控制。藉由增加z，再結晶 -12- 1249160 (9) 化率可被增加且層可被結晶化即使於高的掃瞄速度。因 此，非晶標記可被高速地抹除，且可達成直接複寫，亦即 無須抹除操作之複寫。爲了達成28.8 m/s至33.6 m/s之 速度（相應於C D媒體中之24 X速）的直接複寫，比率z 需爲0.80或更多，而更理想的是0.815或更多。反之， 過高的z可能減少非晶標記之穩定度，雖然其可能進一步 增進高速下之複寫性質。這是極顯著的，即使材料進一步 含有如下所述之額外元素’且比率z不得超過〇 · 8 6以確 保1 0 0 0小時之儲存壽命於7 0 °C。此發現係淸楚地辨識自 其比率z於習知的l〇X速CD-RW媒體中最佳爲從〇.7至 0.7 5的事實。 藉由加入額外的元·素至SbTe，則非晶標記之穩定度 可被增進。包含 s b T e共熔混合物及進一步包含額外元素 之實際使用的材料包括（例如）進一步包含G e及I η之 GcInSbTe合金、進一步包含Ag及In之AglnSbTe合金、 及進一步包含Ag5 Ge及In之AgGelnSbTe合金。然而， 這些用於記錄層之材料明顯地顯示減小的儲存可靠度，當 比率z被設定於相當高以增加結晶化率時。明確地’這些 材料顯示良好的性質於記錄以1 4 m/s或更低之掃瞄速度 時，但無法顯示此等良好的性質於更高的掃瞄速度時。 於 AglnSbTe、 GelnSbTe > 及 AgGelnSbTe 材料中， 可藉由增加In之量而同時地獲得足夠局的結晶化率及儲 存可靠度。然而，In之增加量可能升高結晶化溫度’而 無法使用高功率雷射功率以顯著地初始化所得的光學資訊 -13- 1249160 (10) 記錄媒體。一包含此一具高結晶化溫度之記錄材料的媒體 之反射率會改變，而產生具有雜訊成分之再生信號，因而 招致增加的抖動及/或誤差。此媒體因而具有減低的可靠 度。 爲了解決這些問題，使用Ga (—同種的元素）以取 代In是有效的。因此，記錄層可具有高結晶化率且可避 免增加的結晶化溫度。資訊可被記錄於其上以2 8 . 8 m/s (相應於CD媒體中之24X速）之高掃瞄速度或者以33.6 m / s (當基本線性速度被設定於1 · 4 m / s )時，結晶化溫度 可被抑制至2 0 0 °C或更低，而記錄層中之記錄區域可被輕 易地初始化。 因此，一種GaSbTe記錄層被懷疑能夠有效地同時以 高速及輕易初始化來產生記錄。然而，GaSbTe記錄層仍 具有記錄標記之低穩定度。明確地，當已記錄之非晶標記 被保持於7 (TC時，則其被結晶化並消失於]〇 〇 〇小時內。 對此問題之一種有效解答係加入G e。藉囱加入G e， 則可增加結晶化之溫度依存性。200乞或更高之高溫下的 結晶化率可被增力Π，而同時，7 0艺附近之結晶化率可被減 少。因此，媒體可於高速下具有絕佳的抹除性質（亦即’ 絕佳的複寫性質）並同時具有已記錄標記之高穩定性。 G a及G e之組成比X及y需於上述範圍內，且需滿足 下列條件：X + y S 0. 1。過量的G e及G a造成記錄層之過高 的光學吸收，且媒體已減少了反射率。因此，再生信號具 有不足的絕對振幅，其惡化了媒體之可靠度。 -14- 1249160 (11) 於高速下記錄之直接複寫性質可藉由加入微量的元素 至GaGeSbTe記錄層而被增進。此等元素之量最好是小於 1 0原子百分比，而更理想的是4原子百分比或更少，相 . 對於GaGeSbTe。藉由加入微量的Ag，Dy，Mg，Mn，Se，及/ ^ 或 S η，則記錄層之結晶化率可被細微地調整。特別地， · Μη之加入可增加結晶化率，減少結晶化溫度（如同 Ga 之加入）’以藉此增進高速下之直接複寫性質並有助於初 始化（一種其中記錄層在其形成後被結晶化的操作）。 φ Μη之量最好是從至4原子百分比（從〇.〇1至〇.〇4之原 子比率），而更理想的是從至3原子百分比。 記錄層之厚度係依據相關於記錄敏感度及複寫性質之 熱性質、以及諸如調變因數及反射率等光學性質而被最佳 化。厚度最好是從1 0 nm至2 5 nm，而更理想的是從1 2 nm至1 8 nm。於此範圍內之記錄的厚度可提供良好的複 寫性質於2 0 m/s或更多之高速記錄下的記錄。 記錄層可藉由任意方法而被形成，其中真空膜形成方 # 法由於其最小化的雜質污染及其對於樹脂基底的可適用性 而爲較佳的。真空膜形成方法之範例爲濺射、氣相沈積、 化學氣相沈積（CVD )、及離子電鍍，其中濺射由於其較 - 佳的生產率而爲較佳的。 - 於濺射時，一靶之元素組成與一所形成薄膜之元素組 成彼此間並無甚大差異，且一具有理想組成之薄膜可藉由 使用具有理想組成之靶材料而被備製。靶可爲一藉由混合 及溶解理想組成比之構成元素的純物質而備製的合金靶、 -15- 1249160 (12) 或者爲一藉由燒結合金之細微粒子或此等構成元素之純物 質而備製的靶。於一燒結的靶中，靶之密度最好是9 0 % 或更多，因爲濺射率（亦即，每單位時間所形成之膜的厚 度）可隨著iE之增加密度而被增加。 濺射靶最好是具有類似於光學資訊記錄媒體之記錄層 的材料之組成。更明確地，濺射靶最好是主要包含Ga， Ge，Sb，及Te且包含至少合金與金屬間化合物之一，其各 具有以下列分子式所表示之組成比：
GaxGey(SbzTei_z)1.x.y 其中X，y，及z .各代表小於1之正實數的原子比率並滿足 下列條件： 0.02 ^ X ^ 0.06 0.01S yg 0.06 0.80^ 0.86 x y X + y ^ 0.1 濺射靶中主要包含Ga，Ge5 Sb5及Te的至少合金與金 屬間化合物之一的含量最好是9 0原子百分比或更多。該 至少合金與金屬間化合物之一最好是進一步包含從〇.〇1 至〇· 03之原子比率的Μη。 -16- 1249160 (13) 本發明之光學資訊記錄媒體需具有一反射層於基底之 相反側上的記錄層之上或其上方。反射層係用以反射從基 底進入之記錄光或再生光。因此，具有高反射比之材料最 好是被使用於反射層，其中An，Ag5 Cii5 A1,以及主要包含 任何這些金屬之合金及金屬間化合物是更理想的。反射層 之材料可進一步包含額外的元素，諸如 A u，A g，C u，A 1， Pt5 Pd，Ta，Ti5 Co，Mn，Mo, Mg, Cr，Si，Sc5 Hf，及其他金 屬。 反射層亦作用以消散於記錄及/或抹除時被供應於記 錄層之附近的熱，除了扮演反射記錄/再生光之光學角色 以外。爲了以高速記錄資訊，一種具有高結晶化率之材料 需被使用於記錄層，而媒體本身應最好是具有一冷卻結 構。亦即，藉由使用具有高熱傳導性之材料於反射層，則 具有足夠尺寸之標記可被形成，即使使用一具有高熱傳導 性之材料於記錄層時。此等具有高熱傳導性之材料包含 (例如）A g及A g合金。於A g合金中，A g之含量最好是 95% by mol或更多，而更理想的是 99% by mol或更 多。上述金屬可被使用爲合金之一額外的元素。過量的此 一額外元素應被避免以達成令人滿意的熱傳導性。假如係 使用純的Ag，則其純度最好是99.99 % by mol或更多。 反射層最好是由一如同記錄層之氣相膜形成方法所備 製。其厚度係根據如同記錄層中之熱性質及光學性質而設 定。假如反射層過薄的話，則其可發射記錄/再生光，因 而無法確保足夠的反射比。假如其過厚，則媒體可能具有 - 17- 1249160 (14) 過高的熱 是，厚度 800N ；至 nm。 一保I 下保護層 層4被配彳 不 ° 下保I 再寫入U 其亦作用J 藉由控制； 下保言 °c或更高ί 氧化物、 物、及有4 獨垲或結Ί 化合ί Zr5 Hf? V 物、及碳/ ZnS 料。下保丨 對於樹脂: 收縮的熱: 容量且可能因而具有減小的記錄敏感度。最好 (其應由熱性質及光學性質所決定）係從 3 0 00 nm，而更理想的是從 1 00 0 nm至 220 0 丨蒦層最好是被配置於記錄層之兩側上。亦即，一 2被配置於記錄層3與基底1之間，而一上保護 置於記錄層3與反射層反射層5之間，如圖1所
复 % 氮 及 護 基 磁 層2係作用以保護樹脂基底自記錄、抹除、及 寫）時產生於記錄層或位於記錄層附近的熱。 根據記錄層中所記錄之非晶標記來增加對比， 光學常數（折射指數）及厚度。 層2之材料最好是具有高的折射指數及1 000 高熔點且一般爲介電質。此等介電質之範例爲 化物、硫化物、鹵化物、及金屬之其他化合 物質（諸如Si及Ge )。每一這些物質可被單 地使用。 之範例爲：M g，C a，S ]·，Ύ , L a，C e，Η 〇，E r ; T i， Nb，Ta，Zn5 Al，Si，Ge或Pb之氧化物、硫化 物。鹵化物之範例爲Mg5 Ca或Li之氟化物。 Si 02之混合物最好是被使用爲下保護層之材 層之厚度最好是從40 nm至200 nm以利減少 底之損害及避免由於重複記錄時之熱擴張及熱 滯現象所造成的破裂。厚度最好是被設定於此
-18- 1249160 (15) 〜厚度附近以獲得再生波長下之最小的反射光。因此，下 保護層之厚度最佳係從5 0 n m至9 0 n m。 下保護層可包含單一層或多數層。其最好是包含形成 自相同材料之多數層，使用多數膜形成裝置以求取較短的 製造時間及減少的媒體製造成本。光學資訊記錄媒體可進 〜步包含一鄰近記錄層之層’用以加速記錄層之結晶化並 藉此確保媒體之初始化限度。B i及G aN被一般地使用於 供加速結晶化之層。然而，氧化物最好是被使用於本發 明。氧化物之範例爲 A1203、Si02、Ti02、Zr〇2、Y203、 及ZnO。這些氧化物應能夠加速結晶化，由於其結晶相之 晶格常數相當接近於S b T e材料之晶格常數。氧化物層之 厚度最好是從1 n m至5 n m。假如其小於1 n 1Τ)，則無法形 成一均勻層，因而造成媒體之非均勻性。氧化物層之濺射 率一般爲保護層材料（諸如Z n S )之縣射率的五分之一或 更小。因此，氧化物層之厚度最好是被設於結晶化被有效 地加速的最小厚度。 當下保護層包含多層時，保護層之總厚度最好是於上 述車3圍內’且其保護可根據光學性質、熱性質、及生產率 而被設定。 上保護層作用爲一介層以避免用於記錄層及反射層之 材料彼此擴散，且當作用以控制熱性質之角色。上保護層 之材料可爲那些用於下保護層之材料，但較佳的範例爲具 有低熱傳導性之材料。假如上保護層包含一具有高熱傳導 性之材料，則所得之層具有減少的熱效率。聚集光束之供 -19- 1249160 (16) 應因而無法容許大量的記錄層材料達到其熔點或更胃。医I 此，媒體可能具有減小的敏感度、可能形成減少的記錄標 記可能無法確保再生信號之足夠振幅。 上保護層之厚度最好是從5 nm至5 0 nm ,而更理想 的是從1 〇 N ;至2 3 n m。上保護層可包含多數層。 當一硫化物及/或一鹵化物被用於上保護層而Ag或主 要包含A g之合金被用於反射層時，則反射層可能變爲易 於損壞，且媒體可能具有減少的儲存可靠度。爲了避免此 情況’最好是其上保護層包含多數層，其包括一具有對於 A g之低損害的材料之層鄰接於反射層。此等材料之範例 爲Si5 Si02，SiC5 GeN，及GaN。層之厚度最好是從2 至1 0 nm，而更理想的係從2 nm至5 nm以達成媒體之足 夠的反射比。假如其小於2 nm，則該層無法作用以避免 損害。 一由用以加速記錄層材料之結晶化的材料所製之介層 可被配置鄰近於記錄層，如同下保護層。 光學資訊記錄媒體可進一步包含一覆蓋層6，如圖] 中）所示’用以保護基底上之多數層免受物理及化學損害。 覆蓋層6 —般包含樹脂且最好是藉由塗敷及硬化而備製， 舉例而言，紫外線可硬化樹脂、電子束可硬化樹脂、或熱 固樹脂。於此等樹脂材料之中，紫外線可硬化樹脂更宜於 減少對膜形成時之媒體的損害..。覆蓋層可藉由（例如）浸 漬或旋塗而備製，其中旋塗係由於厚度之較佳均勻度而爲 較理想的。當反射層包含A g或主要包含A g之合金時， -20- 1249160 (17) 則覆蓋層之材料應最好是不會對Ag腐蝕。 媒體可進一步包含一多層膜於覆蓋層上以進一步保護 媒體免受物理及化學損害。 當所備製之媒體的記錄層爲非晶時，則記錄層可藉由 任何方法而被初始化，諸如一種方法，其中記錄層被照 射、掃瞄以一高功率雷射光束且被結晶化；及一種方法， 其中整個媒體被光照射。· 使用高功率雷射光束之方法是較佳的，其中雷射光束 之照射能量可藉由使用一物鏡而被聚集至記錄層之附近。 此外，高功率雷射光束之使用可增加記錄層附近之照射光 束的直徑且可增加掃瞄速度。有關功率損耗之高功率雷射 光束的功率最好是 5 00 mW或更多，而更理想的是 9〇0 mW或更多。雷射光束最好是具有一種橢圓形狀，在垂直 於掃瞄方向之方向上較長以利一可被初始化於一掃瞄的區 域之增加的面積。雷射光束最好是具有從0.5 μ m至2.0 // m之掃瞄方向上的長度以及從5 0 /i m至3 0 0 // m之垂直於 掃瞄方向之方向上的寬度。光束之掃瞄速度根據雷射光束 之寬度及功率而改變。掃瞄速度可被增加以每單位面積之 光束的增加能量，亦即，以光束之減小的直徑及增加的功 率。其最好是從1 .〇至12.0 m/s。當使用一具有9 00 mW 之雷射光束時，其最佳爲從1 .0至2.5 m/s。 藉由以聚集光照射及掃瞄光學資訊記錄媒體之記錄層 附近而記錄、抹除、再生、及/或再寫入資訊於光學資訊 記錄媒體上。一雷射光束被使用以記錄及再生。雷射光束 -21 - 1249160 (18) 之波長可根據（例如）記錄密度而被設定。例如，波長可 爲7 8 0 nm於CD媒體及6 5 0 nm或660 nm於DVD媒體。 用以聚集光束之物鏡的數値孔徑NA係根據雷射光束之波 長及記錄密度而被選擇。例如，NA可爲0.50於 CD-R/RW媒體、0.55於雙密度（DD) CD-RW媒體、及0.65 於DVD + R/RW媒體。 待被記錄於光學資訊記錄媒體上之資訊係藉由標記間 隔及標記長度調變程序（其係對光碟媒體施加脈衝寬度調 變（PWM))而被調變，並接著被記錄於媒體上。調變程序 之範例爲用於CD及EFM +之八至十四調變（EFM)，其 用於DVD媒體中爲八至十六調變。 資訊亦藉由施加具有調變強度之光而被記錄於光學資 訊記錄媒體上。強度可被條件，例如，藉由一種揭露於 JP-A No. 09-21 902 1中的技術或者一種揭露於 Cd-RW Ο r a n g e Β ο 〇 k P a r t 111 Z g兌明書中的技術。於後者技術 中，照射功率被調變以三種値。此記述之一範例顯示於圖 2A及2B中。圖2A係一待被記錄非晶標記的槪圖。一非 晶標記]2被形成於結晶部分11之間。圖2A被顯示以採 用八至十四調變（E F Μ )爲一範例，而相對於參考計時週 期Tw之標記長度爲3Tw，4Tw5…llTw。當標記長度被界 定爲nTw (其中η爲3，4，…1 1 )時，則用於記錄之照射 型態（於下文中稱爲“記錄策略”）被顯示於圖2Β。參考 圖2 Β ’照射功率被調變爲三個値，ρ〜> p e〉p b，而具有p w 之功率的脈衝數爲η-1。 -22- 1249160 (19) 此記錄方法之參數被表示以 Tt0P，dToP，TmP，及 d T e r a 〇 於此記錄方法中，有一種情況其中雷射光束之回應時 間跟不上間隔，亦即，高速記錄中之脈衝寬度，其中記錄 時參考計時週期變短。以一相應於CD媒體之24X速的速 度，參考時鐘週期爲9.6 ns，而計時頻率爲104 MHz。於 此情況下，雷射光束之發射的上升及下降時序需爲1 n s 或更小。 爲了使用具有長的上升及下降時序以高速地記錄資 訊，美國專利編號5，7 3 2，0 6 2揭露一種技術，其中脈衝之 數目被減少。明確地，當ni個脈衝被用於η T w標記之資 ,訊時，η及m滿足下列條件：n = 2m (當η爲偶數時）、 及n = 2m + l (當η爲奇數時）。藉由使用此記錄策略，資 訊可被記錄以一相應於24Χ速之速度，即使一雷射光束 具有如2 n s之上升及下降時序時。 該策略之一範例被顯示於圖3，其係如同圖2 Α及2 Β 之八至十四調變（EFM )。 資訊係以9 · 6 m / s至3 3 . 6 m / s之掃瞄速度及9.6 n s至 2 9.0 n s之參考計時週期而被記錄於光學資訊記錄媒體 上。於記錄期間之掃瞄速度的資訊最好是被預格式化於光 學資訊記錄媒體上。亦即，於其可執行記錄之掃瞄速度下 的資訊最好是被加至光學資訊記錄媒體，在目標資訊被記 錄於其上之前。 掃瞄速度資訊可被預格式化以任何方法，諸如一種方 -23- 1249160 (20) 法，其中資訊被預格式化於基底本身之上、及一種方法， 其中資訊系使用一種記錄裝置而被記錄於媒體之一部分 上。其被預格式化於基底上，例如，藉由一種形成壓紋凹 部於基底上之技術或一種輸入資訊至基底上之溝槽擺動的 技術。於這些方法之中，預格式化資訊於基底上之方法由 於其較佳的媒體生產而爲較佳的。於形成壓紋凹部之技術 中，壓紋凹部及溝槽具有不同的最佳深度，其引發基底之 處理時或基底之形成的壓碎之問題。因此，將資訊預格式 化爲溝槽之擺動的技術是最理想的。 例如，於掃瞄速度或適當記錄條件下之資訊被預格式 化以取代依據ATI P或AD IP之程序的位址資訊。ATIP下 之掃猫速度的預格式化資訊之範例爲CD-R及CD-RW媒 體中之最高測試速度（HTS )及最低測試速度（LTS )。 使用ADIP之預格式化資訊的範例爲DVD + R媒體中之最 大記錄速度及參考記錄速度。一記錄裝置從光學資訊記錄 媒體讀出掃瞄速度下之資訊以藉此設定一適當的記錄掃瞄 速度。 掃瞄速度下之資訊可被寫入至媒體上，以一唯一地決 定資訊之格式。多重主掃瞄速度被預格式化於ATIP下之 CD-及CD-RW媒體中。於此情況下，掃瞄速度可根據預 格式化資訊而被決定，因爲CD媒體中之主掃瞄速度被界 定於1 .2 m/s至1 .4 m/s。例如，掃瞄速度爲28.8 m/s至 3 3.6 m/s，當預格式化的多重掃瞄速度爲24X時。 上述速度範圍需包含其記錄可依據記錄策略（其中 -24- I249160 (21) m Ί 1 )及依據記錄策略（其中η = 2 m或η = 2 m - 1 )而被執 行的範圍。依據記錄策略（其中 m = n-l，亦即，n = m+1 ) 之記錄最好是被執行以相當低的記錄速度，而更理想地是 被執行以相應於CD媒體中之1 6X速或更小的速度，亦即 以2 2 _ 4 m / s或更小的掃猫速度及1 4.4 η s或更多的參考計 時週期Tw。 [範例] 本發明將參考以下數個範例及比較範例而被更詳細地 說明，其並非用以限制本發明之範圍。 範例1 藉由以下列方式依序地形成一下保護層、一記錄層、 一上保護層、一反射層、及一覆蓋層於一聚碳酸鹽透明基 底上而備製一碟片，該透明基底具有螺旋連續溝槽。 所使用之基底係一用於具有1 2 0 m m之外直徑及1.2 mm之厚度的 CD-RW之基底。其已藉由注射模製而備製 並具有藉由使用打印器而轉移之螺旋旋轉溝槽。基底上之 轉移溝槽被觀察於一原子力顯微鏡（AFM )且被發現係具 有620 nm之溝槽寬度及40 nm之溝槽深度。溝槽被擺動 以致其平均頻率爲22.05 kHz於1.2 m/s之線性速度掃瞄 時。位址資訊係藉由頻率調變而被預格式化於擺動上。調 變方法及位址資訊係依據CD-RW上之國際標準規格，參 見 “Orange Book” Recordable Compact Disc Systems Part -25- 1249160 (22) III，Volume 2，Ver. 1.1。 爲了確保所得媒體之記錄及再生可靠度，基底之雙折 射被控制以成爲4 0 n m或更小於7 8 0 n m之記錄/再生波 長，藉由控制材料樹脂之注射速度及注射模製時之模子的 溫度。 基底被退火於6 (TC 1 2小時，在下述其他層之形成 前，以藉此有效地從基底移除已吸收的濕氣。 接下來，包含ZnS及Si 02之混合物的下保護層被形 成於透明基底上。ZnS與Si02之莫耳（molar)比爲8.0 : 20。下保護層係藉由RF磁電管濺射（一種真空膜形成方 法）而備製，其係使用惰性Ar氣體爲一濺射氣體，於4 kW之高電壓功率源的功率及15 seem (每分鐘之標準立 方公分）。所形成之下保護層具有7 5 nm之厚度。 於下保護層上，包含由下列組成分子式所表示之材料 的記錄層係使用由下列組成分子式所表示之濺射靶而被彤 成： Ο 3 X G ε y ( S b 2 T ^ ] - 2) 1 - X - y 其中X，y,及z爲如下所示之原子比率： X = 0.038 y 二 0.030 Z— 0.815 -26- (23) 1249160 記錄層係藉由D C磁電管濺射而被形成’其係使用具 有當作濺射氣體之Ar氣體的GaGeSbTe合金靶，於20 sccm之流入物及400 W之濺射功率。所形成之記錄層具 有1 6 n m之厚度。 上保護層被形成於記錄層上，其係使用如下保護層之 相同材料。i 8 nm厚之上保護層係藉由RF磁電管濺射而 被形成，其係使用Ar氣體於1.5 kW之濺射功率。 一 Si膜被形成至4 nm之厚度於上保護層上以避免 Ag之硫化。材料Si具有9 9.9 9 %之純度。Si膜係藉由DC 磁電管濺射而被形成，如同於記錄中，以0.5 kW之濺射 功率。 一 A g反射層係藉由D C磁電管濺射而被形成至1 4 0 11 m之厚度於S i層上，其係使用一具有9 9.9 9 %或更多之 純度的靶。DC磁電管濺射被執行於Ar氣體之流入物而進 入2 〇 s c c m之濺射室及3 k W之濺射功率。 如上備製之五個薄膜係使用一種光譜橢圓偏光計而被 光學地測量。薄膜係使周一種薄片饋送濺射裝置而被形 成。該裝置被設定以致其薄膜層未被暴露至空氣於其形成 期間，以避免化學反應，諸如記錄層之氧化或氣體之吸 收。 覆盖層係使用巾售用於光碟之塗敷材料（U V可硬化 樹脂 SD 318’ 其可得自 Dainippon Ink and Chemicals， he·, japan )而被形成於反射層上。一塗敷材料之膜係藉 -27- 1249160 (24) 由旋塗而被塗敷且藉由以UV燈照射而被硬化。所形成的 覆蓋層具有厚度8/zm於媒體之內圓周及14// m於其外圓 周。 如上備製之光學資訊記錄媒體（光碟）在濺射後係於 冷卻狀況且整個於非晶相。記錄層因而被初始化，藉由照 射及掃瞄以一高功率雷射光束於900 mW之功率。雷射裝 置之物鏡被調整以致其雷射光束被聚集於光學資訊記錄媒 體之記錄層附近而成爲橢圓狀。橢圓狀聚集光束具有符合 掃瞄方向（亦即，碟片之圓周方向）之次要軸。光束具有 //m之次要軸及90//m之主要軸，當光束之邊緣被界定 爲其中光束具有峰値強度之Ι/e2倍的強度之位置處，其 中e係自然演算法之基。整個光學資訊記錄媒體係藉由螺 旋地以雷射光束掃瞄於2 m/s之掃瞄速度。螺旋之節距， 亦即，每旋轉之徑向上的偏移，被設定於45 A m以致其 --區域被掃瞄以雷射光束兩次。 初始化光碟係滿足Orange Book Part III中所指明之 機械性質及未記錄傳信性質的未記錄CD-RW。 資訊被記錄且複寫於如上備製之光碟，而其記錄傳信 性質係使用一種光碟測試器DDU- 1 00 0 (商標名，可得自 Pulstec Industrial Co.5 Ltd.，Japan)而被評估。測試器之 光學拾訊頭具有0.50之NA、7 8 9 nm之；I、及35 mW之 最大放射功率。於此裝置中，受測光碟之旋轉數可局達 6000rpm，其係相應於CD媒體中之30X速。 圖4中所示之一記錄策略被使用，其中脈衝發射週期 -28- 1249160 (25) 被設定於nT/m，其中m爲脈衝之數目；而nT爲待記錄 標記之參考計時週期。記錄策略之參數係如下。圖形中之 符號“Τ”具有與Tw相同之意義。
Tmp=l .0T Tmp’ = l .6T Tdl=0.5T Td2=0T ο =0. 1 25T 掃瞄速度：28.8 m/s (相應於CD媒體中之24X速） 爹考計時週期T=9.64ns 記錄功率P w，P e，及p b被設定如下。
P w = 3 3 m W P e = 1 1 m W P b = 0.5 m W 依據EFM中之規則的型態被記錄爲資訊。 藉由直接複寫之記錄程序被重複高達總數]0 0 0次。 於此程序期間，光碟之記錄信號係使用相同裝置而被評估 於ΠΤ調變因數、3T標記抖動、及3T空間抖動，以相應 於CD媒體中之IX速的1 .2 m/s之掃瞄速度。這些參數被 指明於CD-RW之標準規格中如下： Π T調變因數·· 〇 · 5 5至0.7 〇 抖動：3 5 n s或更小 其結果被顯示於圖5中，指示其光碟產生滿足從1至 1 〇〇〇重複記錄循環之標準規格的良好結果。 -29- 1249160 (26) 型態被記錄且接受評估之相同光碟的傳信性質係由上 述程序所決定，除了其記錄策略之參數及記錄功率Pw，Pe， 及Pb被改變如下。
T m p = 0.5 T T m p ’ = 0 · 8 T Tdl=0.5 丁 Td2 = 0T (5 =0. 125T
掃瞄速度：9.6 m/s (相應於CD媒體中之8X速） 參考計時週期T = 28.9 ns P w = 3 0 m W P e = 1 0 m W P b - 0.5 m W 其結果被顯示於圖6中，指示其光碟產生滿足從1至 1 〇 〇 〇重複記錄循環之標準規格的良好結杲。
如上之相同光碟被保持於 8 (TC及8 5 %之相對濕度 300小時，而記錄中之3T抖動被決定並發現爲35 ns或更 小，指示其光碟具有足夠的儲存可靠度。 因此，所備製之CD-RW碟片能夠直接複寫於8X至 2 4X速度且具有足夠的儲存可靠度。 比較範例] 藉由範例1之程序以備製並初始化一光碟，除了其用 於記錄層之材料具有下列原子比率。 X = 0.029 -30- 1249160 (27) y = 0.039 0.820 光碟招致記錄前之再生信號上的雜訊。一型態係藉由 範例1之程序而被記錄於光碟上以2 8 . 8 m/s之掃瞄速度且 其性質被評估。第一記錄循環中之抖動超過3 5 ns，其係 超出規格的。此可能係因爲 Ge之量超過 Ga之量 (x<y )，旦記錄層具有過高的結晶化溫度而因此無法形 成一均勻的結晶相。 比較範例2 藉由範例1之程序以備製並初始化一光碟，除了其用 於記錄層之材料具有下列原子比率。 〇.〇16 y 二 0·〇49 ζ- 0.793 所備製之光碟係藉由範例1之程序而被初始化，除了 其掃瞄速度被設定於4·0 m/s。 一刑轉被記錄於光碟上’且其傳丨3性負係錯由範例] 之程序而被決定，除了其記錄策略之參數及記錄功率Pw， P e 5及P b被改變如下。
T m p 二 1 · 0 T T m ρ，< 1 . 6 Τ Td 1 二 〇·5Τ Td2-〇T >31 - 1249160 (28) 5 =0·125Τ
掃目苗速度：28.8 m/s (相應於CD媒體中之24Χ速） 參考計時週期τ = 9.64 ns P w = 3 0 m W P e = 1 〇 m W P b = 〇 . 5 m W 於第一記錄循環中，光碟顯示20 ns之3T空間抖動 及1 9 ns之3 T標記抖動。然而，於第二記錄（複寫） 時，光碟顯示約42 ns之標記抖動，而因此確認其資訊無 法被複寫於光碟上，以一相應於C D媒體中之2 4 X速的速 度。 範例2 藉由範例1之程序以備製一光碟，除了其具有下列組 成分子式之材料被用於記錄層之形成的濺射靶。 [G a >: G e y ( S b z T e 1. z) 1 - X -) ] ] . w n w 其中 0.03 8 y = 0.030 0.8 1 5 0.〇2 所備製之光碟係藉由範例1之程序而被初始化，除了 -32- 1249160 (29) 其掃瞄速度被設定於2.5 m/s。 一型態被記錄於初始化的光碟上，且其傳信性質係由 範例之程序所決定。圖7及8個別顯示以2 8.8 m/s之掃瞄 速度及以9.6 m/s之掃瞄速度的結果。如圖形中所示，光 碟具有良好的結果於兩速度下，指示其將Μη加入記錄層 確保了更高掃瞄速度下之記錄的良好性質。 範例3 藉由範例1之程序以備製一光碟，除了其一包含 Zr02 ( 11 % by mole ) 、Ti02 ( 20 % by mole )、及 Y2〇3 ( 3% by mole )之氧化物層被形成於下保護層與記 錄層之間。氧化物層係藉由RF磁電管濺射所形成，如同 下保護層。 所備製之光碟係藉由範例1之程序而被初始化，除了 其掃瞄速度被設定於2 · 5 m/s。記錄前之光碟的再生信號 上之雜訊被決定且被發現爲實質上等於依據範例1之光碟 的雜訊。一型態係藉由範例1之程序而被記錄於光碟上以 288 Μ ;之掃瞄速度，且其傳信性質被決定。光碟具有減 小的抖動於23 ns之第一記錄時。 此等結果證實其光碟可藉由形成一鄰近記錄層之氧化 物層而被初始化以較高的掃瞄速度。 比較範例3 藉由範例1之程序以備製一光碟’除了其用於記錄層 -33- 1249160 (30) 之材料具有下列原子比率。 X = 0.072 y= 0.029 z- 0.7 9 0 . (x+y=0.101) · 所備製之光碟係藉由範例1之程序而被初始化，除了 其掃瞄速度被設定於2.0 m/s。 初化之先碟具有0.14之低反射率（在記錄之前） 且並未滿足從0 · 1 5至0 · 2 5之標準規格。 一型態係藉由範例1之程序而被記錄於光碟上以2 8.8 m/s之掃瞄速度，且其性質被評估。第二記錄循環中之抖 動超過5 0 ns，顯示其光碟無法具有令人滿意的性質。 此可能係因爲X與y之總數（x + y )超過〇·丨，而記錄 層因此具有過高的吸收係數並具有減小的反射率，且光碟 無法具有另人滿意的複寫抖動。 比較範例4 藉自3範例1之程序以備製竝初始化一光碟，除了其用 於記錄層之材料具有下列原子比率。 X = 0.048 y - 0.031 z — 0.863 一型態係藉由範例1之程序而被記錄於光碟上以28.8 m/s之掃猫速度’且其性質被評估。結果，光碟具有〇42 -34- 1249160 (31) 之1 1 T調變因數，顯示其光碟無法具有足夠的再生信號振 幅。 範例4 藉由範例1之程序以備製並初始化一光碟，除了其初 始化被執行於以下條件。
初始化功率： 9 0 0 m W 掃瞄速度：3.0 m/s 每一旋轉之徑向的偏移：2 0 // m 一型態係藉由範例1之程序而被記錄於光碟上以2 8 · 8 m/s之掃瞄速度，且光碟之傳信性質被決定。在十個複寫 循環後Z抖動爲3 0 n s。相反地，在記錄前之再生信號顯 不其由晶體之精細結構所造成的雜訊，而第一記錄循環中 之先碟的j斗動爲3 2 n s ’其係局於依據範例1至3之光 碟。 比較範例5 藉由範例1之程序以備製一光碟，除了其具有下列組 成分子式之：in GeSbTe被使用爲記錄層之材料，亦即，範 例中之材料的G a被取代以In。
InxGey(SbzTei.z)i.x.y 其中X，？，及Z之原子比率係如下。 -35 - 1249160 (32) x = 0.035 y- 0.02 z= 0.802 一型態係藉由範例1之程序而被記錄於如上備製之光 碟上一次，且已記錄光碟被保持於8 0 °c之溫度及8 5 %之 相對濕度3 00小時。光碟在環境測試前顯示23 ns之抖動 但是在測試後顯示42 ns之顯著惡化的抖動。 相同的光碟接受兩記錄循環，亦即，一複寫程序，藉 由範例1之程序以28.8 m/s之掃瞄速度，並顯示45 ns之 抖動，其係顯著地超出規格。 這些結果顯示其使用In以取代Ga無法確保令人滿意 的.儲存可靠度及複寫性質。 本發明可產生下列優點。資訊可藉由直接複寫而被記 錄以良好的性質於9.6至3 3.6 m/s之掃瞄速度，其係相應 於CD-RW媒體之8X至24X速，而已記錄資訊可具有令 人滿意的儲存壽命。記錄層之結晶化溫度可被減少，而記 錄層可被結晶化於照射以一高功率雷射光束時。因此，可 獲得具有低雜訊、高信號雜訊比及均勻反射率之再生信 號。資訊可被記錄、抹除及/或再寫入以一適當的掃瞄速 度。記錄可被輕易地冷卻於資訊之記錄及/或再寫入時， 由於反射層之增加的熱傳導性。記錄可因而被轉換爲非晶 相，即使當無足夠的能量被供應至媒體於記錄以20 m/s 或更多之高掃瞄速度時。因此，光學資訊記錄媒體可具有 良好的記錄敏感度，即使於高速記錄時。藉由配置一氧化 -36- 1249160 (33) 物膜層鄰近記錄層，則記錄層之結晶化可被進一步加速。 局功率雷射先束之猫速度被最佳化，且足夠的能量可被 供應至用於記錄層之材料以變得更爲均勻而具有較少的光 學各向異性，並減少再生信號中之雜訊。此外，本發明提 供一用以形成光學資訊記錄媒體之記錄層的縣射靶並提供 一種用以記錄資訊於本發明之光學資訊記錄媒體上的適當 方法。 雖然本發明已參考其目前被視爲最佳的實施例而被描 述，但應瞭解本發明並不限定於所揭露之實施例。枏反 地，本發明應涵蓋包含於後附申請專利範圍之精神及範圍 內之各種而被描述，但應瞭解本發明並不限定於所揭露之 實施例。相反地，本發明應涵蓋包含於後附申請專利範圍 之精神及範圍內之各種及同等的配置。下列申請專利範圍 之範圍應被當作最寬廣的解讀以包含所有此等修改及同等 結構與功能。 【圖式簡單說明】 圖I係一槪略橫斷面圖，其顯示依據本發明之一光學 資訊記錄媒體的範例； 圖2A及2B各爲施加具有調變強度之光的技術之範 例的示圖，其中圖2 A槪略地說明待記錄之非晶標記的範 例，而圖2 B顯示用於記錄之一照射型態（記錄策略）的 範例； 圖3係一圖形，其顯示用以減少脈衝數之示範策略； -37- 1249160 (34) 圖4係一圖形，其顯示用於評估一依據範例1之光學 資訊記錄媒體的記錄送信性質之記錄策略； 圖5係一圖形，其顯示以2 8 . 8 m/s之掃瞄速度量測的 範例1之光學資訊記錄媒體的性質； 圖6係一圖形，其顯示以9.6 m/s之掃瞄速度量測的 範例1之光學資訊記錄媒體的性質； 圖7係一圖形，其顯示以2 8 . 8 m/s之掃瞄速度量測的 範例2之光學資訊記錄媒體的性質；及 圖8係一圖形，其顯示以9.6 m/s之掃瞄速度量測的 範例2之光學資訊記錄媒體的性質。 主要元彳牛對照表 ， 1透明基底 2下保護層 3記錄層 4上保護層 5 反射層 復盈層 -38-

Claims (1)

  1. ι_"丨ι· ιι ι «γ*λ«»···»ιιι· ........ _ ................. _____|丨_"丨_"，_rt 抑鮮^ 一 (1) 拾、申請專利範圍 第92 1 30959號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 - 民國94年10月14日修正 1 · 一種光學資訊記錄媒體，其包含： 一透明基底； 一記錄層，其係配置於透明基底上；及 一反射層，其係配置於記錄層上， # 該光學資訊記錄媒體能夠執行至少記錄、抹除及再寫 入資訊之一 ’藉由以聚集光照射及掃瞄而藉此形成及/或 抹除記錄層上之記錄標記， 其中記錄層包含至少合金與金屬間化合物之一，其各 主要包含以下列分子式所表示之組成比的Ga，Ge，Sb，及 Te ： GaxGey(SbzTei.z)1„x.y 其中χ，y，及z各代表小於〗之正實數的原子比率並滿足 下列條件： 0.02 ^ X ^ 0.06 0.01 ^ 0.06 0.80^ 0.86 x ^ y χ + y $ 0 . 1。 &Μβ〇 (2) 2 ·如申請專利範圍第1項之光學資訊記錄媒體，其中 原子比率滿足下列條件： 0.8 15^ ζ ^ 0.86 3 ·如申請專利範圍第1項之光學資訊記錄媒體，其中 於記錄層中各主要包含Ga，Ge，Sb，及Te的至少合金與金 屬間化合物之一的含量最好是90原子百分比或更多。 4·如申請專利範圍第1項之光學資訊記錄媒體，其中 各主要包含Ga，Ge，Sb及Te的至少合金與金屬間化合物 之一進一步包含至少選自其原子比率從0.01至0.04之Ag D y，M g，Μ η，S e，及S η所組成的族群之一。 5·如申請專利範圍第1項之光學資訊記錄媒體，其中 各主要包含Ga，Ge，Sb及Te的至少合金與金屬間化合物 之一進一步包含其原子比率從0.01至0.04的 Μη。 6.如申請專利範圍第1項之光學資訊記錄媒體，其中 記錄層具有l〇nm至25 nm之厚度。 7·如申請專利範圍第1項之光學資訊記錄媒體，其係 具有至少記錄、抹除及再寫入程序之一的預格式化掃瞄速 度，且其中預格式化掃瞄速度係從9.6 m/s至33.6 m/s。 8 ·如申請專利範圍第1項之光學資訊記錄媒體，其中 反射層包含至少Ag與一包含95% by mole或更多Ag的 合金之一° 9 ·如申請專利範圍第1項之光學資訊記錄媒體，其中 反射層具有800n m至3000 η m之厚度。 1 〇 ·如申請專利範圍第1項之光學資訊記錄媒體，進 1249160 (3) 一步包含一鄰近至少記錄層之一側的氧化物層，氧化物層 主要包含至少一氧化物且具有1 nm至5 nm之厚度。 1 1 ·如申請專利範圍第1 0項之光學資訊記錄媒體，其 中氧化物層主要包含至少選自其包括 ai2o3、Si02、 Ti02、Zr02、Υ2〇3、及 ZnO 的族群之一。 12·如申請專利範圍第1項之光學資訊記錄媒體，進 一步包含至少一具有5 nm至50 nm之厚度的保護層。 1 3 ·如申請專利範圍第1項之光學資訊記錄媒體，其 可經歷藉由以一具有5 00 mW或更多之功率損耗的雷射光 束照射於1 m/s至2.5 m/s之掃瞄速度的初始化。 14·一種用於製造光學資訊記錄媒體之濺射靶’其包 含至少合金與金屬間化合物之一，其各主要包含以下列分 子式所表示之組成比的Ga，Ge，Sb，及Te : G a χ G ey(SbzT e】- z)】 - x- y 其中x，y，及z各代表小於l之正實數的原子比率並滿足 下列條件： 0.02 ^ X ^ 0.06 0.0 1^ y ^ 0.06 0.80 ^ 0.86 X ^ y X + y $ 0· 1 〇 1 5 ·如申請專利範圍第1 4項之濺射靶，其中各主要包 -3 - 9!2_60 (4) 含Ga，Ge，Sb，及Te的至少合金與金屬間化合物之一的含 量最好是90原子百分比或更多。 1 6 ·如申請專利範圍第1 4項之濺射靶，其中各主要包 含Ga，Ge，Sb及Te的至少合金與金屬間化合物之一進一 步包含其原子比率從0.01至0.03的 Μη。 1 7 . —種用以初始化光學資訊記錄媒體之方法，其包 含以一具有500 mW或更多之功率損耗的雷射光束照射及 掃瞄光學資訊記錄媒體於1至2.5 m/s之掃瞄速度而藉此 初始化光學資訊記錄媒體， 其中光學資訊記錄媒體包含： 一透明基底； 一記錄層，其係配置於透明基底上；及 一反射層，其係配置於記錄層上， 其中該光學資訊記錄媒體能夠執行至少記錄、抹除及 再寫入資訊之一，藉由以聚集光照射及掃瞄而藉此形成及 /或抹除記錄層上之記錄標記，及 其中記錄層包含至少合金與金屬間化合物之一，其各 主要包含以下列分子式所表示之組成比的Ga，Ge，Sb，及 Te ： GaxGey(SbzTei.z)j.x.y 其中x，y，及z各代表小於1之正實數的原子比率並滿足 下列條件： -4- 般梢60 (5) 0.02^ 0.06 0.01^ y ^ 0.06 0.80^ 0.86 x ^ y χ + y S 〇· l。 1 8 ·如申請專利範圍第1 7項之用以初始化光學資訊記 錄媒體之方法，其中雷射光束具有900 mW或更多的功率 損耗。 1 9 · 一種用以記錄於一光學資訊記錄媒體上之方法， 其包含以一雷射光束照射及掃瞄光學資訊記錄媒體， 其中光學資訊記錄媒體包含： 一透明基底； 一記錄層，其係配置於透明基底之一側上；及 一反射層，其係配置於記錄層上， 其中該光學資訊記錄媒體能夠執行至少記錄、抹除及 再寫入資訊之一，藉由以聚集光照射及掃瞄而藉此形成及 /或抹除記錄層上之記錄標記，及 其中記錄層包含至少合金與金屬間化合物之一，其各 主要包含以下列分子式所表示之組成比的G a，G e，S b，及 T e : GaxGey(SbzTe】.z)】_x-y 其中x，y，及z各代表小於】之正實數的原子比率並滿足 81249160 (6) 下列條件： 0.02^ X ^ 0.06 0.01 ^ y ^ 0.06 0.80^ 0.86 X ^ y x + y ^ 0.1
    其中記錄標記係藉由交替地照射及掃瞄光學資訊記錄 媒體以一具有Pw之強度的脈衝與一具有pb之強度的脈 衝而被形成， 其中具有Pw之強度的脈衝之數目m滿足下列條件之 一 ·_η = 2ηι (當η爲偶數時）、及n = 2m+l (當η爲奇數 時），其中m係一等於η或更小的自然數而η係一自然 數，假設其一記錄標記長度係由nTw表示，其中Tw係一 參考計時週期，
    其中記錄標記係藉由照射及掃瞄光學資訊記錄媒體以 其具有Pe之一恆定強度的光而被抹除，及 其中Pw, Pe，及Pb滿足下列條件： Pw>Pe>Pb 〇 20·如申請專利範圍第19項之用以記錄於一光學資訊 記錄媒體上之方法，其中η及m係滿足下列條件： n = m+l，當掃瞄速度爲22·4 m/s或更小且Tw爲14.4 ns 或更大時。 -6 -
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