JP4083442B2 - 光記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録媒体に関し、更に詳しくは、光ビームを照射することにより相変化材料からなる記録層に光学的な変化を生じさせて、情報の記録再生を行う書換え可能な光記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
レーザビーム照射による情報の記録、再生及び消去可能な光記録媒体の一つとして、結晶−非結晶間又は結晶−結晶間の相転移を利用する、いわゆる相変化型光ディスクが知られている。
このディスクは、単一ビームによるオーバライトが可能な為、コンピュータ関連や映像、音響に関する記録媒体として応用されている。
その記録材料としては、ＧｅＴｅ、ＧｅＴｅＳｅ、ＧｅＴｅＳ、ＧｅＳｅＳ、ＧｅＳｅＳｂ、ＧｅＡｓＳｅ、ＩｎＴｅ、ＳｅＴｅ、ＳｅＡｓ、ＧｅＴｅ（Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ）、ＧｅＴｅＳｅＳｂ、ＧｅＴｅＳｂ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ等がある。
特に、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系は、高感度でアモルファス部分の輪郭が明確であるという特徴を有し、マークエッジ記録用の記録層として開発されている（特開平３−２３１８８９号公報、特開平４−１９１０８９号公報、特開平４−２３２７７９号公報、特開平４−２６７１９２号公報、特開平５−３４５４７８号公報、特開平６−１６６２６６号公報等参照）。
また、特開平１−３０３６４３号公報には、Ｓｂ−Ｔｅを主成分とし、これにＡｇ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｉ等を添加した記録材料で単一なγ層を有するものが開示されている。
【０００３】
上記特開平３−２３１８８９号公報には、ＩをＩ族元素、IIIをIII族元素、ＶをＶ族元素、VIをVI族元素として、Ｉ・（III１ - γＶγ）・VI２型の一般式で表される記録層が開示されているが、このような記録層では、繰返し記録特性に問題がある。
また、上記特開平４−１９１０８９号公報に開示された光記録媒体に使用されている記録層によると、消去比の向上と高速記録とは達成されるものの、繰返し記録特性に課題が残っている。
更に、上記特開平４−２３２７７９号公報に開示された光記録媒体に使用されている記録層のみの記録部分（結晶化部分）の構造は、安定層（ＡｇＳｂＴｅ２）とこの安定層の周囲に存在するアモルファス相とが混在したものとなっており、このため、繰返し記録特性は向上するものの、結晶化部に微細な結晶粒界が存在することになり、ノイズ発生の原因となる。
このノイズは、波長が７８０ｎｍ程度のレーザ光を記録再生に使用するＣＤ−ＲＷ（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｋ−Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ）等のような比較的低い記録密度を有する光記録媒体の記録特性には重大な悪影響を与えないが、波長６８０ｎｍ以下のレーザ光を使用し、記録密度がＣＤ−ＲＷの約４倍であるＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｋ）−ＲＡＭや、更に高密度なＤＶＤ−ＲＷ等では、高密度記録を実現する上で障害となる。
また、繰返し記録特性においても問題が残っている。
【０００４】
上記特開平４−２６７１９２号公報で使用されている記録層の結晶化部分の構造は、一様なアモルファス相から相分離したＡｇＳｂＴｅ２とその他の相（安定相又はアモルファス相）との混相状態である。そして、その他の相がアモルファス相である場合には、上記特開平４−２３２７７９号公報に開示された記録媒体の場合と同様な問題があり、その他の相が安定結晶相である場合には、後述するように、良好な記録特性が得られないという課題がある。
また、上記特開平１−３０３６４３号公報において開示された記録媒体では、単一なγ層が得られ、良好な繰返し特性が得られたとしているが、このγ層がどのような結晶構造をしているかについては言及しておらず、今後の高線速、高密度対応の光記録媒体を実現する上で問題を有するものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記従来技術の問題点を解消した、高線速高密度化に対応可能で、繰返し特性と保存特性に優れた光記録媒体及びその製造方法の提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、記録層の構造に着目して鋭意検討を重ねた結果、記録層を構成する元素の周囲の局所構造が、記録媒体の繰り返し特性や保存特性に大きな影響を与えることを解明し、この知見に基づいて上記課題が解決できるということを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、上記課題は、次の１）〜６）の発明によって解決される。
１） 電磁波を照射することにより、記録層を結晶相と非晶相の間で相転移させて情報の記録、再生、消去を行う相変化型光記録媒体において、該記録層を構成する材料の組成式をＡαＢβＳｂγＴｅδとするとき、α、β、γ、δが、１≦α≦８、２≦β≦５、６１≦γ≦７９、１４≦δ≦３１の範囲にあり（ここで元素Ａは、Ｉｎ、Ｓｍ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｎｄ、Ｇａ、Ｒｅの中から選ばれた少なくとも一つの元素、元素Ｂは、Ｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｇｅ、Ｃｕ、Ｏ、Ｆｅの中から選ばれた少なくとも一つの元素であり、α、β、γ、δは原子％、α＋β＋γ＋δ＝１００である。）、該記録層は、成膜後に、波長８３０ｎｍの半導体レーザと波長６５０ｎｍの半導体レーザを用いて初期結晶化されたことにより、結晶相と非晶相との相転移の際に、元素Ａからみた（元素Ａを中心とする）局所構造が、相転移前後で類似し、元素Ｂからみた（元素Ｂを中心とする）局所構造が、相転移前後で異なることを特徴とする光記録媒体。
２） 元素Ａと元素Ｂが、Ｔｅに重みを置いて（主としてＴｅに）結合していることを特徴とする１）記載の光記録媒体。
３） Ｓｂの周囲の局所構造におけるＳｂと周囲の元素との結合距離が、非晶相の場合に２．９±０．１Åであり、結晶相の場合に２．８±０．１Åと３．１±０．１Åの二種類であること、及び／又は、Ｓｂの周囲の局所構造におけるＳｂの結合配位数が、非晶相の場合に３であり、結晶相の場合に２と４の二種類であることを特徴とする１）又は２）記載の光記録媒体。
４） Ｔｅの周囲の局所構造におけるＴｅと周囲の元素との結合距離が、非晶相の場合に２．８±０．１Åであり、結晶相の場合に２．９±０．１Åと３．１±０．１Åの二種類であること、及び／又は、Ｔｅの周囲の局所構造におけるＴｅの結合配位数が、非晶相の場合に２であり、結晶相の場合に２と１の二種類であることを特徴とする１）〜３）の何れかに記載の光記録媒体。
５） 元素Ａ及び／又は元素Ｂの周囲の局所構造における元素Ａ及び／又は元素Ｂと周囲の元素との結合距離が、Ｓｂ及びＴｅの周囲の局所構造におけるＳｂ及びＴｅと周囲の元素との結合距離よりも短いことを特徴とする１）〜４）の何れかに記載の光記録媒体。
６） 電磁波を照射することにより、記録層を結晶相と非晶相の間で相転移させて情報の記録、再生、消去を行う相変化型光記録媒体の製造方法において、該記録層を構成する材料の組成式をＡαＢβＳｂγＴｅδとして、α、β、γ、δが、１≦α≦８、２≦β≦５、６１≦γ≦７９、１４≦δ≦３１の範囲にあり（ここで、元素Ａは、Ｉｎ、Ｓｍ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｎｄ、Ｇａ、Ｒｅの中から選ばれた少なくとも一つの元素、元素Ｂは、Ｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｇｅ、Ｃｕ、Ｏ、Ｆｅの中から選ばれた少なくとも一つの元素であり、α、β、γ、δは原子％、α＋β＋γ＋δ＝１００である。）、該記録層を成膜した後、波長８３０ｎｍの半導体レーザと波長６５０ｎｍの半導体レーザを用いて初期結晶化を行うことを特徴とする光記録媒体の製造方法。
【０００７】
以下、上記本発明について詳しく説明する。
本発明の光記録媒体の記録層は、ＳｂとＴｅを含有し、これに元素Ａと元素Ｂが添加され、前記本発明１のような局所構造を有するものであって、これにより高密度高線速に対応できる高速結晶化及び繰返し特性と保存特性に優れた光記録媒体を提供することができる。
本発明の光記録媒体は、ＳｂとＴｅを含有するものであるが、ＳｂとＴｅのみから成る記録材料は、結晶化温度が１２０℃前後の為、長期的にみると記録マークの結晶化が進み、マークが消失してしまうので保存特性に問題を有する。また、高線速化、例えば、線速が１５ｍ／ｓ以上の線速に応じてオーバライトできる高速結晶化が困難であるという問題点を有する。
【０００８】
そこで鋭意検討した結果、記録層の局所構造がこれらの問題を解決する為の鍵となっていることを突き止めた。
具体的には、ＳｂとＴｅに元素Ａを加えた記録層が結晶層と非晶相の間で相転移した際、この記録層の元素Ａから見た（元素Ａを中心とする）局所構造が、相転移前後で類似している時に、高速結晶化が達成されることが分った。これは、元素Ａを添加しても、相転移の前後において、その周囲の局所構造に大きな変化を与えないこと、即ち、非晶構造から僅かの局所構造の変化で、結晶構造に移行できることを意味し、結晶化速度が速いことにつながる。なお、局所構造の解析には、ＥＸＡＦＳ（広域Ｘ線吸収微細構造）を用いた。
上記のような特性を有する元素Ａとしては、Ｉｎ、Ｓｍ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｎｄ、Ｇａ、Ｒｅ等が挙げられる。
【０００９】
一方、ＳｂとＴｅに元素Ｂを加えた記録層が結晶層と非晶相の間で相転移した際、この記録層の元素Ｂから見た（元素Ｂを中心とする）局所構造が、相転移前後で異なるようにすれば、保存特性が向上することが分った。その理由については現在検討中であるが、相転移前後の局所構造が異なることにより、非晶相（記録状態）から結晶相（消去状態）への経時変化が難しくなり（抑制され）、非晶相が安定状態に保たれる為と考えられる。
上記のような特性を有する元素Ｂとしては、Ｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｇｅ、Ｃｕ、Ｏ、Ｆｅ等が挙げられる。
また、元素Ａと元素Ｂは、Ｔｅに重みを置いて、即ち、主にＴｅと結合させることにより、記録時のアモルファス化を容易にし、記録感度の向上を図ることができることが分った。更に、元素Ａ及び／又は元素Ｂの局所構造における、元素Ａ及び／又は元素Ｂと周囲の元素との結合距離を、Ｓｂ及びＴｅの周囲の局所構造におけるＳｂ及びＴｅと周囲の元素との結合距離よりも短くすることにより、記録層全体の結合エネルギーを増加させることができるので、記録・消去の繰返しに対しても安定となり、繰返し特性を向上させることができる。
【００１０】
更に、Ｓｂの周囲の局所構造においては、Ｓｂと周囲の元素との結合距離が、非晶相の場合に２．９±０．１Å程度、結晶相の場合に２．８±０．１Å程度と３．１±０．１Å程度の二種類、そしてＳｂの結合配位数が、非晶相の場合に３程度、結晶相の場合に２と４程度の二種類とし、Ｔｅの周囲の局所構造においては、Ｔｅと周囲の元素との結合距離が、非晶相の場合に２．８３±０．１Å程度、結晶相の場合に２．９±０．１Åと３．１±０．１Å程度の二種類、そしてＴｅの結合配位数が、非晶相の場合に２程度、結晶相の場合に２と１程度の二種類とすることにより、繰返し特性の優れた記録層を得ることが出来る。しかし、このような結果が得られる理由については今のところ不明である。
【００１１】
以上のような記録層の局所構造を実現するには、記録層を構成する材料の組成式をＡαＢβＳｂγＴｅδとするとき、α、β、γ、δが、１≦α≦８、２≦β≦５、６１≦γ≦７９、１４≦δ≦３１の範囲にある材料が望ましい。（ここで、元素Ａは、Ｉｎ、Ｓｍ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｎｄ、Ｇａ、Ｒｅの中から選ばれた少なくとも一つの元素、元素Ｂは、Ｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｇｅ、Ｃｕ、Ｏ、Ｆｅの中から選ばれた少なくとも一つの元素であり、α、β、γ、δは原子％で、α＋β＋γ＋δ＝１００である。）
α、β、γ、δが上記組成範囲を外れると、局所構造が前述の構造と異なったものとなり、保存特性、繰返し特性が劣化し、高線速に対応した高速結晶化が難しくなる。
更に、波長の異なる二つの半導体レーザを用いて初期結晶化を行なうことにより、前述の局所構造を実現できる。また、成膜時のスパッタ用の希ガスとして、Ａｒと、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅの中から選ばれた少なくとも一つとの混合物を用いてもよい。但し、このような方法により、何故、前述の局所構造が現れるのかについては現在解明中である。
【００１２】
次に、本発明の光記録媒体の構成を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の光記録媒体の層構成の一例を示す断面図であり、基板１上に下部耐熱保護層２、記録層３、上部耐熱保護層４、反射放熱層５を有する。
耐熱保護層は、必ずしも記録層の両側に設ける必要はないが、基板１がポリカボネート樹脂のような耐熱性の低い材料からなる場合には、下部耐熱保護層を設けることが望ましい。
基板１の材料は、通常、ガラス、セラミックス又は樹脂であり、成形性、コストの点から樹脂基板が好適である。
樹脂の代表例としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられるが、加工性、光学特性等の点からポリカーボネート樹脂が好ましい。また、基板の形状は、ディスク状、カード状又はシート状の何れであってもよい。
【００１３】
耐熱保護層、即ち誘電体層は、（ＺｎＳ）・（ＳｉＯ２）を用いてスパッタ法により膜形成を行なう。
この誘電体層は、耐熱保護層としての機能と光干渉層としての機能を有することから、これらの機能を最大限に活かすことが必要であり、そのためには、膜厚を、２００〜３０００Å、好ましくは３５０〜２０００Åとする。
２００Å未満の場合は、耐熱保護層としての機能が失われ、又、３０００Åを超えると界面剥離が生じ易くなるので好ましくない。
また、本発明の記録層は、一般的にはスパッタ法により膜形成を行う。
膜厚は、１００〜１０００Å、好ましくは２００〜３５０Åとする。１００Åより薄いと、光吸収能が低下して記録層としての機能を失うし、１０００Åより厚いと、透過光が少なくなるため、干渉効果が期待できなくなる。
反射放熱層にはＡｇ合金が用いられ、通常スパッタ法により膜形成を行う。
膜厚は、５００〜２０００Å、好ましくは７００〜１５００Åとする。
【００１４】
【実施例】
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例によって、何ら限定されるものではない。
【００１５】
実施例１〜１０、比較例１〜３
トラックピッチ０．７μｍ、溝深さ４００Å、厚さ０．６ｍｍ、直径１２０ｍｍΦのポリカーボネート基板上に、表１に示す各材料からなる下部耐熱保護層、記録層、上部耐熱保護層、反射放熱層を順次スパッタ法により設け、更に反射放熱層の上に、スピンコート法により環境保護層を設けて記録媒体を得た。
次に、得られた記録媒体に対し、波長８３０ｎｍの半導体レーザと波長６５０ｎｍの半導体レーザを用いて初期結晶化を行った。
一方、記録膜の構造解析用試料を別途作成し、ＥＸＡＦＳ（広域Ｘ線吸収微細構造）により解析した。その結果を、実施例１と比較例１について表２に示す。
実施例２〜１０のＥＸＡＦＳによる局所構造の値は示していないが、Ｓｂ及びＴｅの周囲の結合距離、結合配位数の値は、請求項３、４に記載した値の範囲内にあり、元素Ａ及びＢの周囲の結合距離は、元素Ａの場合、非晶相、結晶相何れも２．６±０．１Åの範囲内にあり、結合配位数は３±１である。また、元素Ｂの場合、結合距離は、非晶相で２．６±０．１Å、結晶相で２．７±０．１Åの範囲にあり、結合配位数は、非晶相で３±１、結晶相で２〜３の範囲にある。
図２、図３はＥＸＡＦＳスペクトル、図４、図５は動径分布関数を示す。
図２、図３の横軸は照射Ｘ線エネルギー、縦軸は吸収量である。また、図４、図５の横軸は原子間距離、図４（ａ）の縦軸はＳｂのＥＸＡＦＳのフーリエ変換、図４（ｂ）の縦軸はＴｅのＥＸＡＦＳのフーリエ変換、図５（ａ）の縦軸はＧａのＥＸＡＦＳのフーリエ変換、図５（ｂ）の縦軸はＧｅのＥＸＡＦＳのフーリエ変換である。
得られた記録媒体の評価としては、記録線速、記録パワーを１１ｍ／ｓ（１３ｍＷ）、１３ｍ／ｓ（１５ｍＷ）、１５ｍ／ｓ（１７ｍＷ）の三種とし、ＥＦＭランダムパターンでオーバライトの繰返しを行ない、３Ｔ信号のジッター値で記録マークの再生信号を評価した。また、保存特性については、オーバーライト１回記録の記録媒体を、８０℃、８５％温湿下で３００時間保持した後の、オーバーライト１回目の記録マークの３Ｔ再生信号のジッター値で評価した。その結果を表３に示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【表２】
【００１８】
【表３】
【００１９】
上記表２に示したように、実施例１及び比較例１の何れも、元素ＡであるＧａ、元素ＢであるＧｅ、Ｆｅ共にＴｅとの結合が主であることが判明した。
結合距離と結合配位数については、本発明の組成範囲にある実施例１の場合、元素ＡであるＧａの周囲の局所構造の結合距離と結合配位数は、非晶相と結晶相の間で殆んど違いがなく、局所構造は極めて類似していることが分る。また、元素ＢであるＧｅとＦｅの周囲の局所構造は、非晶相と結晶相の間で大きな差があることが分る（なお、Ｆｅの結晶相の結合配位数は、測定信号が小さい為に求められなかった）。
また、ＳｂとＴｅの周囲の局所構造は、結晶相の場合は結合距離、結合配位数共に２種類あることが分り、これは本実施例の記録材料の構造が歪んでいることを示している。因みに、Ｘ線回折（スペクトルは示していない）によれば、本実施例の記録材料の構造はＮａＣｌ型であることが確認されているので、このＮａＣｌ型構造が歪んでいることを示唆している。
また、Ｇａ、Ｇｅ、Ｆｅ共に、その結合距離は、Ｓｂ及びＴｅの結合距離よりも小さいことが分る。
【００２０】
一方、比較例１の場合、実施例１の記録材料と同じ元素で構成されているが、その組成が本発明の組成範囲を外れているため、元素ＡであるＧａの局所構造が非晶相と結晶相で異なり、元素ＢであるＧｅとＦｅ周囲の局所構造は、非晶相と結晶相の間で比較的類似していて、実施例１と異なっていることが分る。
また、表３に示した信号特性の結果をみると、本発明の記録材料は、実施例１〜１０の各記録媒体において、記録線速１１ｍ／ｓｅｃ、１３ｍ／ｓｅｃ、１５ｍ／ｓｅｃの何れについても、比較的低い記録パワーで記録できており、繰返し特性、保存特性も、比較例１に比べて極めて良好であることが分る。
これに対し、比較例２は、記録材料がＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなり元素Ａに相当する元素を含まない場合であるが、この場合、信号特性は、記録線速が１３ｍ／ｓ、１５ｍ／ｓの高線速になると記録ができないことが分る。
【００２１】
また、比較例３は記録材料がＧａ、Ｓｂ、Ｔｅからなり元素Ｂに相当する元素を含まない場合であるが、この場合は、記録線速１１ｍ／ｓ、１３ｍ／ｓ、１５ｍ／ｓの何れにおいてもマークは書けるものの、繰返し特性及び保存特性が悪いことが分る。
比較例２、３については、局所構造の結果を示していないが、Ｇｅ及びＧａの周囲の局所構造は、実施例１と同様の結果が得られており、このＧｅからみた局所構造が、相転移前後で変化が大きな構造となり、また、Ｇａからみた局所構造が、相転移前後で変化が少ない構造となることが、比較例２の場合の繰返し特性と保存特性が良好である結果となり、また、比較例３の場合の高線速記録が可能という結果となる。但し、比較例２は、高線速化に対応できず、比較例３は、繰返し特性と保存特性が悪い。
このような比較例の欠点を解決したのが本発明である。
【００２２】
【発明の効果】
本発明によれば、高線速高密度化に対応でき、繰返し特性と保存特性に優れた光記録媒体及びその製造方法を提供できるので、光情報記録分野の発展に寄与するところは極めて大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光記録媒体の層構成の一例を示す断面図。
【図２】実施例１のＧａ４Ｇｅ２Ｆｅ１Ｓｂ７３Ｔｅ２０の非晶相と結晶相のＳｂとＴｅのＥＸＡＦＳスペクトル。
（ａ） ＳｂのＫ吸収端スペクトル
（ｂ） ＴｅのＫ吸収端スペクトル
【図３】実施例１のＧａ４Ｇｅ２Ｆｅ１Ｓｂ７３Ｔｅ２０の非晶相と結晶相のＳｂとＴｅのＥＸＡＦＳスペクトル
（ａ） ＧａのＫ吸収端スペクトル
（ｂ） ＧｅのＫ吸収端スペクトル
【図４】実施例１のＧａ４Ｇｅ２Ｆｅ１Ｓｂ７３Ｔｅ２０の非晶相と結晶相のＳｂとＴｅのＥＸＡＦＳによる動径分布関数。
（ａ） ＳｂのＥＸＡＦＳのフーリエ変換
（ｂ） ＴｅのＥＸＡＦＳのフーリエ変換
【図５】実施例１のＧａ４Ｇｅ２Ｆｅ１Ｓｂ７３Ｔｅ２０の非晶相と結晶相のＧａとＧｅのＥＸＡＦＳによる動径分布関数。
（ａ） ＧａのＥＸＡＦＳのフーリエ変換
（ｂ） ＧｅのＥＸＡＦＳのフーリエ変換
【符号の説明】
１ 基板
２ 下部耐熱保護層
３ 記録層
４ 上部耐熱保護層
５ 反射放熱層
【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録媒体に関し、更に詳しくは、光ビームを照射することにより相変化材料からなる記録層に光学的な変化を生じさせて、情報の記録再生を行う書換え可能な光記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
レーザビーム照射による情報の記録、再生及び消去可能な光記録媒体の一つとして、結晶−非結晶間又は結晶−結晶間の相転移を利用する、いわゆる相変化型光ディスクが知られている。
このディスクは、単一ビームによるオーバライトが可能な為、コンピュータ関連や映像、音響に関する記録媒体として応用されている。
その記録材料としては、ＧｅＴｅ、ＧｅＴｅＳｅ、ＧｅＴｅＳ、ＧｅＳｅＳ、ＧｅＳｅＳｂ、ＧｅＡｓＳｅ、ＩｎＴｅ、ＳｅＴｅ、ＳｅＡｓ、ＧｅＴｅ（Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ）、ＧｅＴｅＳｅＳｂ、ＧｅＴｅＳｂ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ等がある。
特に、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系は、高感度でアモルファス部分の輪郭が明確であるという特徴を有し、マークエッジ記録用の記録層として開発されている（特開平３−２３１８８９号公報、特開平４−１９１０８９号公報、特開平４−２３２７７９号公報、特開平４−２６７１９２号公報、特開平５−３４５４７８号公報、特開平６−１６６２６６号公報等参照）。
また、特開平１−３０３６４３号公報には、Ｓｂ−Ｔｅを主成分とし、これにＡｇ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｉ等を添加した記録材料で単一なγ層を有するものが開示されている。
【０００３】
上記特開平３−２３１８８９号公報には、ＩをＩ族元素、IIIをIII族元素、ＶをＶ族元素、VIをVI族元素として、Ｉ・（III１ - γＶγ）・VI２型の一般式で表される記録層が開示されているが、このような記録層では、繰返し記録特性に問題がある。
また、上記特開平４−１９１０８９号公報に開示された光記録媒体に使用されている記録層によると、消去比の向上と高速記録とは達成されるものの、繰返し記録特性に課題が残っている。
更に、上記特開平４−２３２７７９号公報に開示された光記録媒体に使用されている記録層のみの記録部分（結晶化部分）の構造は、安定層（ＡｇＳｂＴｅ２）とこの安定層の周囲に存在するアモルファス相とが混在したものとなっており、このため、繰返し記録特性は向上するものの、結晶化部に微細な結晶粒界が存在することになり、ノイズ発生の原因となる。
このノイズは、波長が７８０ｎｍ程度のレーザ光を記録再生に使用するＣＤ−ＲＷ（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｋ−Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ）等のような比較的低い記録密度を有する光記録媒体の記録特性には重大な悪影響を与えないが、波長６８０ｎｍ以下のレーザ光を使用し、記録密度がＣＤ−ＲＷの約４倍であるＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｋ）−ＲＡＭや、更に高密度なＤＶＤ−ＲＷ等では、高密度記録を実現する上で障害となる。
また、繰返し記録特性においても問題が残っている。
【０００４】
上記特開平４−２６７１９２号公報で使用されている記録層の結晶化部分の構造は、一様なアモルファス相から相分離したＡｇＳｂＴｅ２とその他の相（安定相又はアモルファス相）との混相状態である。そして、その他の相がアモルファス相である場合には、上記特開平４−２３２７７９号公報に開示された記録媒体の場合と同様な問題があり、その他の相が安定結晶相である場合には、後述するように、良好な記録特性が得られないという課題がある。
また、上記特開平１−３０３６４３号公報において開示された記録媒体では、単一なγ層が得られ、良好な繰返し特性が得られたとしているが、このγ層がどのような結晶構造をしているかについては言及しておらず、今後の高線速、高密度対応の光記録媒体を実現する上で問題を有するものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記従来技術の問題点を解消した、高線速高密度化に対応可能で、繰返し特性と保存特性に優れた光記録媒体及びその製造方法の提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、記録層の構造に着目して鋭意検討を重ねた結果、記録層を構成する元素の周囲の局所構造が、記録媒体の繰り返し特性や保存特性に大きな影響を与えることを解明し、この知見に基づいて上記課題が解決できるということを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、上記課題は、次の１）〜６）の発明によって解決される。
１） 電磁波を照射することにより、記録層を結晶相と非晶相の間で相転移させて情報の記録、再生、消去を行う相変化型光記録媒体において、該記録層を構成する材料の組成式をＡαＢβＳｂγＴｅδとするとき、α、β、γ、δが、１≦α≦８、２≦β≦５、６１≦γ≦７９、１４≦δ≦３１の範囲にあり（ここで元素Ａは、Ｉｎ、Ｓｍ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｎｄ、Ｇａ、Ｒｅの中から選ばれた少なくとも一つの元素、元素Ｂは、Ｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｇｅ、Ｃｕ、Ｏ、Ｆｅの中から選ばれた少なくとも一つの元素であり、α、β、γ、δは原子％、α＋β＋γ＋δ＝１００である。）、該記録層は、成膜後に、波長８３０ｎｍの半導体レーザと波長６５０ｎｍの半導体レーザを用いて初期結晶化されたことにより、結晶相と非晶相との相転移の際に、元素Ａからみた（元素Ａを中心とする）局所構造が、相転移前後で類似し、元素Ｂからみた（元素Ｂを中心とする）局所構造が、相転移前後で異なることを特徴とする光記録媒体。
２） 元素Ａと元素Ｂが、Ｔｅに重みを置いて（主としてＴｅに）結合していることを特徴とする１）記載の光記録媒体。
３） Ｓｂの周囲の局所構造におけるＳｂと周囲の元素との結合距離が、非晶相の場合に２．９±０．１Åであり、結晶相の場合に２．８±０．１Åと３．１±０．１Åの二種類であること、及び／又は、Ｓｂの周囲の局所構造におけるＳｂの結合配位数が、非晶相の場合に３であり、結晶相の場合に２と４の二種類であることを特徴とする１）又は２）記載の光記録媒体。
４） Ｔｅの周囲の局所構造におけるＴｅと周囲の元素との結合距離が、非晶相の場合に２．８±０．１Åであり、結晶相の場合に２．９±０．１Åと３．１±０．１Åの二種類であること、及び／又は、Ｔｅの周囲の局所構造におけるＴｅの結合配位数が、非晶相の場合に２であり、結晶相の場合に２と１の二種類であることを特徴とする１）〜３）の何れかに記載の光記録媒体。
５） 元素Ａ及び／又は元素Ｂの周囲の局所構造における元素Ａ及び／又は元素Ｂと周囲の元素との結合距離が、Ｓｂ及びＴｅの周囲の局所構造におけるＳｂ及びＴｅと周囲の元素との結合距離よりも短いことを特徴とする１）〜４）の何れかに記載の光記録媒体。
６） 電磁波を照射することにより、記録層を結晶相と非晶相の間で相転移させて情報の記録、再生、消去を行う相変化型光記録媒体の製造方法において、該記録層を構成する材料の組成式をＡαＢβＳｂγＴｅδとして、α、β、γ、δが、１≦α≦８、２≦β≦５、６１≦γ≦７９、１４≦δ≦３１の範囲にあり（ここで、元素Ａは、Ｉｎ、Ｓｍ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｎｄ、Ｇａ、Ｒｅの中から選ばれた少なくとも一つの元素、元素Ｂは、Ｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｇｅ、Ｃｕ、Ｏ、Ｆｅの中から選ばれた少なくとも一つの元素であり、α、β、γ、δは原子％、α＋β＋γ＋δ＝１００である。）、該記録層を成膜した後、波長８３０ｎｍの半導体レーザと波長６５０ｎｍの半導体レーザを用いて初期結晶化を行うことを特徴とする光記録媒体の製造方法。
【０００７】
以下、上記本発明について詳しく説明する。
本発明の光記録媒体の記録層は、ＳｂとＴｅを含有し、これに元素Ａと元素Ｂが添加され、前記本発明１のような局所構造を有するものであって、これにより高密度高線速に対応できる高速結晶化及び繰返し特性と保存特性に優れた光記録媒体を提供することができる。
本発明の光記録媒体は、ＳｂとＴｅを含有するものであるが、ＳｂとＴｅのみから成る記録材料は、結晶化温度が１２０℃前後の為、長期的にみると記録マークの結晶化が進み、マークが消失してしまうので保存特性に問題を有する。また、高線速化、例えば、線速が１５ｍ／ｓ以上の線速に応じてオーバライトできる高速結晶化が困難であるという問題点を有する。
【０００８】
そこで鋭意検討した結果、記録層の局所構造がこれらの問題を解決する為の鍵となっていることを突き止めた。
具体的には、ＳｂとＴｅに元素Ａを加えた記録層が結晶層と非晶相の間で相転移した際、この記録層の元素Ａから見た（元素Ａを中心とする）局所構造が、相転移前後で類似している時に、高速結晶化が達成されることが分った。これは、元素Ａを添加しても、相転移の前後において、その周囲の局所構造に大きな変化を与えないこと、即ち、非晶構造から僅かの局所構造の変化で、結晶構造に移行できることを意味し、結晶化速度が速いことにつながる。なお、局所構造の解析には、ＥＸＡＦＳ（広域Ｘ線吸収微細構造）を用いた。
上記のような特性を有する元素Ａとしては、Ｉｎ、Ｓｍ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｎｄ、Ｇａ、Ｒｅ等が挙げられる。
【０００９】
一方、ＳｂとＴｅに元素Ｂを加えた記録層が結晶層と非晶相の間で相転移した際、この記録層の元素Ｂから見た（元素Ｂを中心とする）局所構造が、相転移前後で異なるようにすれば、保存特性が向上することが分った。その理由については現在検討中であるが、相転移前後の局所構造が異なることにより、非晶相（記録状態）から結晶相（消去状態）への経時変化が難しくなり（抑制され）、非晶相が安定状態に保たれる為と考えられる。
上記のような特性を有する元素Ｂとしては、Ｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｇｅ、Ｃｕ、Ｏ、Ｆｅ等が挙げられる。
また、元素Ａと元素Ｂは、Ｔｅに重みを置いて、即ち、主にＴｅと結合させることにより、記録時のアモルファス化を容易にし、記録感度の向上を図ることができることが分った。更に、元素Ａ及び／又は元素Ｂの局所構造における、元素Ａ及び／又は元素Ｂと周囲の元素との結合距離を、Ｓｂ及びＴｅの周囲の局所構造におけるＳｂ及びＴｅと周囲の元素との結合距離よりも短くすることにより、記録層全体の結合エネルギーを増加させることができるので、記録・消去の繰返しに対しても安定となり、繰返し特性を向上させることができる。
【００１０】
更に、Ｓｂの周囲の局所構造においては、Ｓｂと周囲の元素との結合距離が、非晶相の場合に２．９±０．１Å程度、結晶相の場合に２．８±０．１Å程度と３．１±０．１Å程度の二種類、そしてＳｂの結合配位数が、非晶相の場合に３程度、結晶相の場合に２と４程度の二種類とし、Ｔｅの周囲の局所構造においては、Ｔｅと周囲の元素との結合距離が、非晶相の場合に２．８３±０．１Å程度、結晶相の場合に２．９±０．１Åと３．１±０．１Å程度の二種類、そしてＴｅの結合配位数が、非晶相の場合に２程度、結晶相の場合に２と１程度の二種類とすることにより、繰返し特性の優れた記録層を得ることが出来る。しかし、このような結果が得られる理由については今のところ不明である。
【００１１】
以上のような記録層の局所構造を実現するには、記録層を構成する材料の組成式をＡαＢβＳｂγＴｅδとするとき、α、β、γ、δが、１≦α≦８、２≦β≦５、６１≦γ≦７９、１４≦δ≦３１の範囲にある材料が望ましい。（ここで、元素Ａは、Ｉｎ、Ｓｍ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｎｄ、Ｇａ、Ｒｅの中から選ばれた少なくとも一つの元素、元素Ｂは、Ｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｇｅ、Ｃｕ、Ｏ、Ｆｅの中から選ばれた少なくとも一つの元素であり、α、β、γ、δは原子％で、α＋β＋γ＋δ＝１００である。）
α、β、γ、δが上記組成範囲を外れると、局所構造が前述の構造と異なったものとなり、保存特性、繰返し特性が劣化し、高線速に対応した高速結晶化が難しくなる。
更に、波長の異なる二つの半導体レーザを用いて初期結晶化を行なうことにより、前述の局所構造を実現できる。また、成膜時のスパッタ用の希ガスとして、Ａｒと、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅの中から選ばれた少なくとも一つとの混合物を用いてもよい。但し、このような方法により、何故、前述の局所構造が現れるのかについては現在解明中である。
【００１２】
次に、本発明の光記録媒体の構成を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の光記録媒体の層構成の一例を示す断面図であり、基板１上に下部耐熱保護層２、記録層３、上部耐熱保護層４、反射放熱層５を有する。
耐熱保護層は、必ずしも記録層の両側に設ける必要はないが、基板１がポリカボネート樹脂のような耐熱性の低い材料からなる場合には、下部耐熱保護層を設けることが望ましい。
基板１の材料は、通常、ガラス、セラミックス又は樹脂であり、成形性、コストの点から樹脂基板が好適である。
樹脂の代表例としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられるが、加工性、光学特性等の点からポリカーボネート樹脂が好ましい。また、基板の形状は、ディスク状、カード状又はシート状の何れであってもよい。
【００１３】
耐熱保護層、即ち誘電体層は、（ＺｎＳ）・（ＳｉＯ２）を用いてスパッタ法により膜形成を行なう。
この誘電体層は、耐熱保護層としての機能と光干渉層としての機能を有することから、これらの機能を最大限に活かすことが必要であり、そのためには、膜厚を、２００〜３０００Å、好ましくは３５０〜２０００Åとする。
２００Å未満の場合は、耐熱保護層としての機能が失われ、又、３０００Åを超えると界面剥離が生じ易くなるので好ましくない。
また、本発明の記録層は、一般的にはスパッタ法により膜形成を行う。
膜厚は、１００〜１０００Å、好ましくは２００〜３５０Åとする。１００Åより薄いと、光吸収能が低下して記録層としての機能を失うし、１０００Åより厚いと、透過光が少なくなるため、干渉効果が期待できなくなる。
反射放熱層にはＡｇ合金が用いられ、通常スパッタ法により膜形成を行う。
膜厚は、５００〜２０００Å、好ましくは７００〜１５００Åとする。
【００１４】
【実施例】
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例によって、何ら限定されるものではない。
【００１５】
実施例１〜１０、比較例１〜３
トラックピッチ０．７μｍ、溝深さ４００Å、厚さ０．６ｍｍ、直径１２０ｍｍΦのポリカーボネート基板上に、表１に示す各材料からなる下部耐熱保護層、記録層、上部耐熱保護層、反射放熱層を順次スパッタ法により設け、更に反射放熱層の上に、スピンコート法により環境保護層を設けて記録媒体を得た。
次に、得られた記録媒体に対し、波長８３０ｎｍの半導体レーザと波長６５０ｎｍの半導体レーザを用いて初期結晶化を行った。
一方、記録膜の構造解析用試料を別途作成し、ＥＸＡＦＳ（広域Ｘ線吸収微細構造）により解析した。その結果を、実施例１と比較例１について表２に示す。
実施例２〜１０のＥＸＡＦＳによる局所構造の値は示していないが、Ｓｂ及びＴｅの周囲の結合距離、結合配位数の値は、請求項３、４に記載した値の範囲内にあり、元素Ａ及びＢの周囲の結合距離は、元素Ａの場合、非晶相、結晶相何れも２．６±０．１Åの範囲内にあり、結合配位数は３±１である。また、元素Ｂの場合、結合距離は、非晶相で２．６±０．１Å、結晶相で２．７±０．１Åの範囲にあり、結合配位数は、非晶相で３±１、結晶相で２〜３の範囲にある。
図２、図３はＥＸＡＦＳスペクトル、図４、図５は動径分布関数を示す。
図２、図３の横軸は照射Ｘ線エネルギー、縦軸は吸収量である。また、図４、図５の横軸は原子間距離、図４（ａ）の縦軸はＳｂのＥＸＡＦＳのフーリエ変換、図４（ｂ）の縦軸はＴｅのＥＸＡＦＳのフーリエ変換、図５（ａ）の縦軸はＧａのＥＸＡＦＳのフーリエ変換、図５（ｂ）の縦軸はＧｅのＥＸＡＦＳのフーリエ変換である。
得られた記録媒体の評価としては、記録線速、記録パワーを１１ｍ／ｓ（１３ｍＷ）、１３ｍ／ｓ（１５ｍＷ）、１５ｍ／ｓ（１７ｍＷ）の三種とし、ＥＦＭランダムパターンでオーバライトの繰返しを行ない、３Ｔ信号のジッター値で記録マークの再生信号を評価した。また、保存特性については、オーバーライト１回記録の記録媒体を、８０℃、８５％温湿下で３００時間保持した後の、オーバーライト１回目の記録マークの３Ｔ再生信号のジッター値で評価した。その結果を表３に示す。
【００１６】
【表１】
【表２】
【表３】
上記表２に示したように、実施例１及び比較例１の何れも、元素ＡであるＧａ、元素ＢであるＧｅ、Ｆｅ共にＴｅとの結合が主であることが判明した。
結合距離と結合配位数については、本発明の組成範囲にある実施例１の場合、元素ＡであるＧａの周囲の局所構造の結合距離と結合配位数は、非晶相と結晶相の間で殆んど違いがなく、局所構造は極めて類似していることが分る。また、元素ＢであるＧｅとＦｅの周囲の局所構造は、非晶相と結晶相の間で大きな差があることが分る（なお、Ｆｅの結晶相の結合配位数は、測定信号が小さい為に求められなかった）。
また、ＳｂとＴｅの周囲の局所構造は、結晶相の場合は結合距離、結合配位数共に２種類あることが分り、これは本実施例の記録材料の構造が歪んでいることを示している。因みに、Ｘ線回折（スペクトルは示していない）によれば、本実施例の記録材料の構造はＮａＣｌ型であることが確認されているので、このＮａＣｌ型構造が歪んでいることを示唆している。
また、Ｇａ、Ｇｅ、Ｆｅ共に、その結合距離は、Ｓｂ及びＴｅの結合距離よりも小さいことが分る。
【００２０】
一方、比較例１の場合、実施例１の記録材料と同じ元素で構成されているが、その組成が本発明の組成範囲を外れているため、元素ＡであるＧａの局所構造が非晶相と結晶相で異なり、元素ＢであるＧｅとＦｅ周囲の局所構造は、非晶相と結晶相の間で比較的類似していて、実施例１と異なっていることが分る。
また、表３に示した信号特性の結果をみると、本発明の記録材料は、実施例１〜１０の各記録媒体において、記録線速１１ｍ／ｓｅｃ、１３ｍ／ｓｅｃ、１５ｍ／ｓｅｃの何れについても、比較的低い記録パワーで記録できており、繰返し特性、保存特性も、比較例１に比べて極めて良好であることが分る。
これに対し、比較例２は、記録材料がＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなり元素Ａに相当する元素を含まない場合であるが、この場合、信号特性は、記録線速が１３ｍ／ｓ、１５ｍ／ｓの高線速になると記録ができないことが分る。
【００２１】
また、比較例３は記録材料がＧａ、Ｓｂ、Ｔｅからなり元素Ｂに相当する元素を含まない場合であるが、この場合は、記録線速１１ｍ／ｓ、１３ｍ／ｓ、１５ｍ／ｓの何れにおいてもマークは書けるものの、繰返し特性及び保存特性が悪いことが分る。
比較例２、３については、局所構造の結果を示していないが、Ｇｅ及びＧａの周囲の局所構造は、実施例１と同様の結果が得られており、このＧｅからみた局所構造が、相転移前後で変化が大きな構造となり、また、Ｇａからみた局所構造が、相転移前後で変化が少ない構造となることが、比較例２の場合の繰返し特性と保存特性が良好である結果となり、また、比較例３の場合の高線速記録が可能という結果となる。但し、比較例２は、高線速化に対応できず、比較例３は、繰返し特性と保存特性が悪い。
このような比較例の欠点を解決したのが本発明である。
【００２２】
【発明の効果】
本発明によれば、高線速高密度化に対応でき、繰返し特性と保存特性に優れた光記録媒体及びその製造方法を提供できるので、光情報記録分野の発展に寄与するところは極めて大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光記録媒体の層構成の一例を示す断面図。
【図２】実施例１のＧａ４Ｇｅ２Ｆｅ１Ｓｂ７３Ｔｅ２０の非晶相と結晶相のＳｂとＴｅのＥＸＡＦＳスペクトル。
（ａ） ＳｂのＫ吸収端スペクトル
（ｂ） ＴｅのＫ吸収端スペクトル
【図３】実施例１のＧａ４Ｇｅ２Ｆｅ１Ｓｂ７３Ｔｅ２０の非晶相と結晶相のＳｂとＴｅのＥＸＡＦＳスペクトル
（ａ） ＧａのＫ吸収端スペクトル
（ｂ） ＧｅのＫ吸収端スペクトル
【図４】実施例１のＧａ４Ｇｅ２Ｆｅ１Ｓｂ７３Ｔｅ２０の非晶相と結晶相のＳｂとＴｅのＥＸＡＦＳによる動径分布関数。
（ａ） ＳｂのＥＸＡＦＳのフーリエ変換
（ｂ） ＴｅのＥＸＡＦＳのフーリエ変換
【図５】実施例１のＧａ４Ｇｅ２Ｆｅ１Ｓｂ７３Ｔｅ２０の非晶相と結晶相のＧａとＧｅのＥＸＡＦＳによる動径分布関数。
（ａ） ＧａのＥＸＡＦＳのフーリエ変換
（ｂ） ＧｅのＥＸＡＦＳのフーリエ変換
【符号の説明】
１ 基板
２ 下部耐熱保護層
３ 記録層
４ 上部耐熱保護層
５ 反射放熱層
Claims (6)
- 電磁波を照射することにより、記録層を結晶相と非晶相の間で相転移させて情報の記録、再生、消去を行う相変化型光記録媒体において、該記録層を構成する材料の組成式をＡαＢβＳｂγＴｅδとするとき、α、β、γ、δが、１≦α≦８、２≦β≦５、６１≦γ≦７９、１４≦δ≦３１の範囲にあり（ここで元素Ａは、Ｉｎ、Ｓｍ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｎｄ、Ｇａ、Ｒｅの中から選ばれた少なくとも一つの元素、元素Ｂは、Ｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｇｅ、Ｃｕ、Ｏ、Ｆｅの中から選ばれた少なくとも一つの元素であり、α、β、γ、δは原子％、α＋β＋γ＋δ＝１００である。）、該記録層は、成膜後に、波長８３０ｎｍの半導体レーザと波長６５０ｎｍの半導体レーザを用いて初期結晶化されたことにより、結晶相と非晶相との相転移の際に、元素Ａからみた（元素Ａを中心とする）局所構造が、相転移前後で類似し、元素Ｂからみた（元素Ｂを中心とする）局所構造が、相転移前後で異なることを特徴とする光記録媒体。
- 元素Ａと元素Ｂが、Ｔｅに重みを置いて（主としてＴｅに）結合していることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
- Ｓｂの周囲の局所構造におけるＳｂと周囲の元素との結合距離が、非晶相の場合に２．９±０．１Åであり、結晶相の場合に２．８±０．１Åと３．１±０．１Åの二種類であること、及び／又は、Ｓｂの周囲の局所構造におけるＳｂの結合配位数が、非晶相の場合に３であり、結晶相の場合に２と４の二種類であることを特徴とする請求項１又は２記載の光記録媒体。
- Ｔｅの周囲の局所構造におけるＴｅと周囲の元素との結合距離が、非晶相の場合に２．８±０．１Åであり、結晶相の場合に２．９±０．１Åと３．１±０．１Åの二種類であること、及び／又は、Ｔｅの周囲の局所構造におけるＴｅの結合配位数が、非晶相の場合に２であり、結晶相の場合に２と１の二種類であることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の光記録媒体。
- 元素Ａ及び／又は元素Ｂの周囲の局所構造における元素Ａ及び／又は元素Ｂと周囲の元素との結合距離が、Ｓｂ及びＴｅの周囲の局所構造におけるＳｂ及びＴｅと周囲の元素との結合距離よりも短いことを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の光記録媒体。
- 電磁波を照射することにより、記録層を結晶相と非晶相の間で相転移させて情報の記録、再生、消去を行う相変化型光記録媒体の製造方法において、該記録層を構成する材料の組成式をＡαＢβＳｂγＴｅδとして、α、β、γ、δが、１≦α≦８、２≦β≦５、６１≦γ≦７９、１４≦δ≦３１の範囲にあり（ここで、元素Ａは、Ｉｎ、Ｓｍ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｎｄ、Ｇａ、Ｒｅの中から選ばれた少なくとも一つの元素、元素Ｂは、Ｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｇｅ、Ｃｕ、Ｏ、Ｆｅの中から選ばれた少なくとも一つの元素であり、α、β、γ、δは原子％、α＋β＋γ＋δ＝１００である。）、該記録層を成膜した後、波長８３０ｎｍの半導体レーザと波長６５０ｎｍの半導体レーザを用いて初期結晶化を行うことを特徴とする光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002047503A JP4083442B2 (ja) | 2002-02-25 | 2002-02-25 | 光記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002047503A JP4083442B2 (ja) | 2002-02-25 | 2002-02-25 | 光記録媒体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003246140A JP2003246140A (ja) | 2003-09-02 |
| JP4083442B2 true JP4083442B2 (ja) | 2008-04-30 |
Family
ID=28660545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002047503A Expired - Fee Related JP4083442B2 (ja) | 2002-02-25 | 2002-02-25 | 光記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4083442B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7351516B2 (en) * | 2002-11-06 | 2008-04-01 | Ricoh Company, Ltd. | Optical information recording medium |
| WO2005044578A1 (ja) * | 2003-11-10 | 2005-05-19 | Ricoh Company, Ltd. | 光記録媒体及びその製造方法、スパッタリングターゲット、並びに光記録媒体の使用方法及び光記録装置 |
| JP2005153338A (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体 |
| US8329319B2 (en) * | 2005-10-17 | 2012-12-11 | Agency For Science, Technology And Research | Phase change magnetic material |
-
2002
- 2002-02-25 JP JP2002047503A patent/JP4083442B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2003246140A (ja) | 2003-09-02 |
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Legal Events
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| A621 | Written request for application examination |
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|
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|
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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