JP2003246140A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JP2003246140A JP2003246140A JP2002047503A JP2002047503A JP2003246140A JP 2003246140 A JP2003246140 A JP 2003246140A JP 2002047503 A JP2002047503 A JP 2002047503A JP 2002047503 A JP2002047503 A JP 2002047503A JP 2003246140 A JP2003246140 A JP 2003246140A
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高線速高密度化に対応可能で、繰返し特性と
保存特性に優れた光記録媒体の提供。 【解決手段】 （１）電磁波を照射することにより、記
録層が結晶相と非晶相の間で相転移させることで情報の
記録、再生、消去を行う相変化型記録媒体において、該
記録層がＳｂ、Ｔｅ、元素Ａ及び元素Ｂを含有し、結晶
相と非晶相との相転移の際に、元素Ａからみた（元素Ａ
を中心とする）局所構造が、相転移前後で類似してお
り、元素Ｂからみた（元素Ｂを中心とする）局所構造
が、相転移前後で異なる光記録媒体。 （２）元素Ａと元素Ｂが、Ｔｅに重みを置いて（主とし
てＴｅに）結合している請求項１記載の光記録媒体。
保存特性に優れた光記録媒体の提供。 【解決手段】 （１）電磁波を照射することにより、記
録層が結晶相と非晶相の間で相転移させることで情報の
記録、再生、消去を行う相変化型記録媒体において、該
記録層がＳｂ、Ｔｅ、元素Ａ及び元素Ｂを含有し、結晶
相と非晶相との相転移の際に、元素Ａからみた（元素Ａ
を中心とする）局所構造が、相転移前後で類似してお
り、元素Ｂからみた（元素Ｂを中心とする）局所構造
が、相転移前後で異なる光記録媒体。 （２）元素Ａと元素Ｂが、Ｔｅに重みを置いて（主とし
てＴｅに）結合している請求項１記載の光記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体に関
し、更に詳しくは、光ビームを照射することにより相変
化材料からなる記録層に光学的な変化を生じさせて、情
報の記録再生を行う書換え可能な光記録媒体に関するも
のである。
し、更に詳しくは、光ビームを照射することにより相変
化材料からなる記録層に光学的な変化を生じさせて、情
報の記録再生を行う書換え可能な光記録媒体に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】レーザビーム照射による情報の記録、再
生及び消去可能な光記録媒体の一つとして、結晶−非結
晶間又は結晶−結晶間の相転移を利用する、いわゆる相
変化型光ディスクが知られている。このディスクは、単
一ビームによるオーバライトが可能な為、コンピュータ
関連や映像、音響に関する記録媒体として応用されてい
る。その記録材料としては、ＧｅＴｅ、ＧｅＴｅＳｅ、
ＧｅＴｅＳ、ＧｅＳｅＳ、ＧｅＳｅＳｂ、ＧｅＡｓＳ
ｅ、ＩｎＴｅ、ＳｅＴｅ、ＳｅＡｓ、ＧｅＴｅ（Ｓｎ、
Ａｕ、Ｐｄ）、ＧｅＴｅＳｅＳｂ、ＧｅＴｅＳｂ、Ａｇ
ＩｎＳｂＴｅ等がある。特に、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系は、
高感度でアモルファス部分の輪郭が明確であるという特
徴を有し、マークエッジ記録用の記録層として開発され
ている（特開平３−２３１８８９号公報、特開平４−１
９１０８９号公報、特開平４−２３２７７９号公報、特
開平４−２６７１９２号公報、特開平５−３４５４７８
号公報、特開平６−１６６２６６号公報等参照）。ま
た、特開平１−３０３６４３号公報には、Ｓｂ−Ｔｅを
主成分とし、これにＡｇ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｉ等を添加し
た記録材料で単一なγ層を有するものが開示されてい
る。
生及び消去可能な光記録媒体の一つとして、結晶−非結
晶間又は結晶−結晶間の相転移を利用する、いわゆる相
変化型光ディスクが知られている。このディスクは、単
一ビームによるオーバライトが可能な為、コンピュータ
関連や映像、音響に関する記録媒体として応用されてい
る。その記録材料としては、ＧｅＴｅ、ＧｅＴｅＳｅ、
ＧｅＴｅＳ、ＧｅＳｅＳ、ＧｅＳｅＳｂ、ＧｅＡｓＳ
ｅ、ＩｎＴｅ、ＳｅＴｅ、ＳｅＡｓ、ＧｅＴｅ（Ｓｎ、
Ａｕ、Ｐｄ）、ＧｅＴｅＳｅＳｂ、ＧｅＴｅＳｂ、Ａｇ
ＩｎＳｂＴｅ等がある。特に、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系は、
高感度でアモルファス部分の輪郭が明確であるという特
徴を有し、マークエッジ記録用の記録層として開発され
ている（特開平３−２３１８８９号公報、特開平４−１
９１０８９号公報、特開平４−２３２７７９号公報、特
開平４−２６７１９２号公報、特開平５−３４５４７８
号公報、特開平６−１６６２６６号公報等参照）。ま
た、特開平１−３０３６４３号公報には、Ｓｂ−Ｔｅを
主成分とし、これにＡｇ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｉ等を添加し
た記録材料で単一なγ層を有するものが開示されてい
る。
【０００３】上記特開平３−２３１８８９号公報には、
ＩをＩ族元素、IIIをIII族元素、ＶをＶ族元素、VIをVI
族元素として、Ｉ・（III１-γＶγ）・VI２型の一般式
で表される記録層が開示されているが、このような記録
層では、繰返し記録特性に問題がある。また、上記特開
平４−１９１０８９号公報に開示された光記録媒体に使
用されている記録層によると、消去比の向上と高速記録
とは達成されるものの、繰返し記録特性に課題が残って
いる。更に、上記特開平４−２３２７７９号公報に開示
された光記録媒体に使用されている記録層のみの記録部
分（結晶化部分）の構造は、安定層（ＡｇＳｂＴｅ２）
とこの安定層の周囲に存在するアモルファス相とが混在
したものとなっており、このため、繰返し記録特性は向
上するものの、結晶化部に微細な結晶粒界が存在するこ
とになり、ノイズ発生の原因となる。このノイズは、波
長が７８０ｎｍ程度のレーザ光を記録再生に使用するＣ
Ｄ−ＲＷ（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｋ−Ｒｅｗｒｉｔａ
ｂｌｅ）等のような比較的低い記録密度を有する光記録
媒体の記録特性には重大な悪影響を与えないが、波長６
８０ｎｍ以下のレーザ光を使用し、記録密度がＣＤ−Ｒ
Ｗの約４倍であるＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａ
ｔｉｌｅ Ｄｉｓｋ）−ＲＡＭや、更に高密度なＤＶＤ
−ＲＷ等では、高密度記録を実現する上で障害となる。
また、繰返し記録特性においても問題が残っている。
ＩをＩ族元素、IIIをIII族元素、ＶをＶ族元素、VIをVI
族元素として、Ｉ・（III１-γＶγ）・VI２型の一般式
で表される記録層が開示されているが、このような記録
層では、繰返し記録特性に問題がある。また、上記特開
平４−１９１０８９号公報に開示された光記録媒体に使
用されている記録層によると、消去比の向上と高速記録
とは達成されるものの、繰返し記録特性に課題が残って
いる。更に、上記特開平４−２３２７７９号公報に開示
された光記録媒体に使用されている記録層のみの記録部
分（結晶化部分）の構造は、安定層（ＡｇＳｂＴｅ２）
とこの安定層の周囲に存在するアモルファス相とが混在
したものとなっており、このため、繰返し記録特性は向
上するものの、結晶化部に微細な結晶粒界が存在するこ
とになり、ノイズ発生の原因となる。このノイズは、波
長が７８０ｎｍ程度のレーザ光を記録再生に使用するＣ
Ｄ−ＲＷ（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｋ−Ｒｅｗｒｉｔａ
ｂｌｅ）等のような比較的低い記録密度を有する光記録
媒体の記録特性には重大な悪影響を与えないが、波長６
８０ｎｍ以下のレーザ光を使用し、記録密度がＣＤ−Ｒ
Ｗの約４倍であるＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａ
ｔｉｌｅ Ｄｉｓｋ）−ＲＡＭや、更に高密度なＤＶＤ
−ＲＷ等では、高密度記録を実現する上で障害となる。
また、繰返し記録特性においても問題が残っている。
【０００４】上記特開平４−２６７１９２号公報で使用
されている記録層の結晶化部分の構造は、一様なアモル
ファス相から相分離したＡｇＳｂＴｅ２とその他の相
（安定相又はアモルファス相）との混相状態である。そ
して、その他の相がアモルファス相である場合には、上
記特開平４−２３２７７９号公報に開示された記録媒体
の場合と同様な問題があり、その他の相が安定結晶相で
ある場合には、後述するように、良好な記録特性が得ら
れないという課題がある。また、上記特開平１−３０３
６４３号公報において開示された記録媒体では、単一な
γ層が得られ、良好な繰返し特性が得られたとしている
が、このγ層がどのような結晶構造をしているかについ
ては言及しておらず、今後の高線速、高密度対応の光記
録媒体を実現する上で問題を有するものである。
されている記録層の結晶化部分の構造は、一様なアモル
ファス相から相分離したＡｇＳｂＴｅ２とその他の相
（安定相又はアモルファス相）との混相状態である。そ
して、その他の相がアモルファス相である場合には、上
記特開平４−２３２７７９号公報に開示された記録媒体
の場合と同様な問題があり、その他の相が安定結晶相で
ある場合には、後述するように、良好な記録特性が得ら
れないという課題がある。また、上記特開平１−３０３
６４３号公報において開示された記録媒体では、単一な
γ層が得られ、良好な繰返し特性が得られたとしている
が、このγ層がどのような結晶構造をしているかについ
ては言及しておらず、今後の高線速、高密度対応の光記
録媒体を実現する上で問題を有するものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の問題点を解消した、高線速高密度化に対応可能で、
繰返し特性と保存特性に優れた光記録媒体の提供を目的
とする。
術の問題点を解消した、高線速高密度化に対応可能で、
繰返し特性と保存特性に優れた光記録媒体の提供を目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、記録層の
構造に着目して鋭意検討を重ねた結果、記録層を構成す
る元素の周囲の局所構造が、記録媒体の繰り返し特性や
保存特性に大きな影響を与えることを解明し、この知見
に基づいて上記課題が解決できるということを見出し、
本発明を完成するに至った。即ち、上記課題は、次の
１）〜７）の発明によって解決される。 １） 電磁波を照射することにより、記録層が結晶相と
非晶相の間で相転移させることで情報の記録、再生、消
去を行う相変化型記録媒体において、該記録層がＳｂ、
Ｔｅ、元素Ａ及び元素Ｂを含有し、結晶相と非晶相との
相転移の際に、元素Ａからみた（元素Ａを中心とする）
局所構造が、相転移前後で類似しており、元素Ｂからみ
た（元素Ｂを中心とする）局所構造が、相転移前後で異
なることを特徴とする光記録媒体。 ２） 元素Ａと元素Ｂが、Ｔｅに重みを置いて（主とし
てＴｅに）結合していることを特徴とする１）記載の光
記録媒体。 ３） Ｓｂの周囲の局所構造におけるＳｂと周囲の元素
との結合距離が、非晶相の場合に２．９±０．１Åであ
り、結晶相の場合に２．８±０．１Åと３．１±０．１
Åの二種類であること、及び／又は、Ｓｂの周囲の局所
構造におけるＳｂの結合配位数が、非晶相の場合に３で
あり、結晶相の場合に２と４の二種類であることを特徴
とする１）又は２）記載の光記録媒体。 ４） Ｔｅの周囲の局所構造におけるＴｅと周囲の元素
との結合距離が、非晶相の場合に２．８±０．１Åであ
り、結晶相の場合に２．９±０．１Åと３．１±０．１
Åの二種類であること、及び／又は、Ｔｅの周囲の局所
構造におけるＴｅの結合配位数が、非晶相の場合に２で
あり、結晶相の場合に２と１の二種類であることを特徴
とする１）〜３）の何れかに記載の光記録媒体。 ５） 元素Ａ及び／又は元素Ｂの周囲の局所構造におけ
る元素Ａ及び／又は元素Ｂと周囲の元素との結合距離
が、Ｓｂ及びＴｅの周囲の局所構造におけるＳｂ及びＴ
ｅと周囲の元素との結合距離よりも短いことを特徴とす
る１）〜４）の何れかに記載の光記録媒体。 ６） 元素Ａが、Ｉｎ、Ｓｍ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｎｄ、Ｇ
ａ、Ｒｅの中から選ばれた少なくとも一つの元素であ
り、元素Ｂが、Ｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｇｅ、Ｃｕ、Ｏ、Ｆｅ
の中から選ばれた少なくとも一つの元素であることを特
徴とする１）〜５）の何れかに記載の光記録媒体。 ７） 記録層を構成する材料の組成式をＡαＢβＳｂγ
Ｔｅδとするとき、α、β、γ、δが、１≦α≦８、２
≦β≦５、６１≦γ≦７９、１４≦δ≦３１の範囲にあ
ることを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の光記
録媒体。（ここで、元素Ａは、Ｉｎ、Ｓｍ、Ａｌ、Ｓ
ｎ、Ｎｄ、Ｇａ、Ｒｅの中から選ばれた少なくとも一つ
の元素、元素Ｂは、Ｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｇｅ、Ｃｕ、Ｏ、
Ｆｅの中から選ばれた少なくとも一つの元素であり、
α、β、γ、δは原子％で、α＋β＋γ＋δ＝１００で
ある。）
構造に着目して鋭意検討を重ねた結果、記録層を構成す
る元素の周囲の局所構造が、記録媒体の繰り返し特性や
保存特性に大きな影響を与えることを解明し、この知見
に基づいて上記課題が解決できるということを見出し、
本発明を完成するに至った。即ち、上記課題は、次の
１）〜７）の発明によって解決される。 １） 電磁波を照射することにより、記録層が結晶相と
非晶相の間で相転移させることで情報の記録、再生、消
去を行う相変化型記録媒体において、該記録層がＳｂ、
Ｔｅ、元素Ａ及び元素Ｂを含有し、結晶相と非晶相との
相転移の際に、元素Ａからみた（元素Ａを中心とする）
局所構造が、相転移前後で類似しており、元素Ｂからみ
た（元素Ｂを中心とする）局所構造が、相転移前後で異
なることを特徴とする光記録媒体。 ２） 元素Ａと元素Ｂが、Ｔｅに重みを置いて（主とし
てＴｅに）結合していることを特徴とする１）記載の光
記録媒体。 ３） Ｓｂの周囲の局所構造におけるＳｂと周囲の元素
との結合距離が、非晶相の場合に２．９±０．１Åであ
り、結晶相の場合に２．８±０．１Åと３．１±０．１
Åの二種類であること、及び／又は、Ｓｂの周囲の局所
構造におけるＳｂの結合配位数が、非晶相の場合に３で
あり、結晶相の場合に２と４の二種類であることを特徴
とする１）又は２）記載の光記録媒体。 ４） Ｔｅの周囲の局所構造におけるＴｅと周囲の元素
との結合距離が、非晶相の場合に２．８±０．１Åであ
り、結晶相の場合に２．９±０．１Åと３．１±０．１
Åの二種類であること、及び／又は、Ｔｅの周囲の局所
構造におけるＴｅの結合配位数が、非晶相の場合に２で
あり、結晶相の場合に２と１の二種類であることを特徴
とする１）〜３）の何れかに記載の光記録媒体。 ５） 元素Ａ及び／又は元素Ｂの周囲の局所構造におけ
る元素Ａ及び／又は元素Ｂと周囲の元素との結合距離
が、Ｓｂ及びＴｅの周囲の局所構造におけるＳｂ及びＴ
ｅと周囲の元素との結合距離よりも短いことを特徴とす
る１）〜４）の何れかに記載の光記録媒体。 ６） 元素Ａが、Ｉｎ、Ｓｍ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｎｄ、Ｇ
ａ、Ｒｅの中から選ばれた少なくとも一つの元素であ
り、元素Ｂが、Ｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｇｅ、Ｃｕ、Ｏ、Ｆｅ
の中から選ばれた少なくとも一つの元素であることを特
徴とする１）〜５）の何れかに記載の光記録媒体。 ７） 記録層を構成する材料の組成式をＡαＢβＳｂγ
Ｔｅδとするとき、α、β、γ、δが、１≦α≦８、２
≦β≦５、６１≦γ≦７９、１４≦δ≦３１の範囲にあ
ることを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の光記
録媒体。（ここで、元素Ａは、Ｉｎ、Ｓｍ、Ａｌ、Ｓ
ｎ、Ｎｄ、Ｇａ、Ｒｅの中から選ばれた少なくとも一つ
の元素、元素Ｂは、Ｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｇｅ、Ｃｕ、Ｏ、
Ｆｅの中から選ばれた少なくとも一つの元素であり、
α、β、γ、δは原子％で、α＋β＋γ＋δ＝１００で
ある。）
【０００７】以下、上記本発明について詳しく説明す
る。本発明の光記録媒体の記録層は、ＳｂとＴｅを含有
し、これに元素Ａと元素Ｂが添加され、前記本発明１の
ような局所構造を有するものであって、これにより高密
度高線速に対応できる高速結晶化及び繰返し特性と保存
特性に優れた光記録媒体を提供することができる。本発
明の光記録媒体は、ＳｂとＴｅを含有するものである
が、ＳｂとＴｅのみから成る記録材料は、結晶化温度が
１２０℃前後の為、長期的にみると記録マークの結晶化
が進み、マークが消失してしまうので保存特性に問題を
有する。また、高線速化、例えば、線速が１５ｍ／ｓ以
上の線速に応じてオーバライトできる高速結晶化が困難
であるという問題点を有する。
る。本発明の光記録媒体の記録層は、ＳｂとＴｅを含有
し、これに元素Ａと元素Ｂが添加され、前記本発明１の
ような局所構造を有するものであって、これにより高密
度高線速に対応できる高速結晶化及び繰返し特性と保存
特性に優れた光記録媒体を提供することができる。本発
明の光記録媒体は、ＳｂとＴｅを含有するものである
が、ＳｂとＴｅのみから成る記録材料は、結晶化温度が
１２０℃前後の為、長期的にみると記録マークの結晶化
が進み、マークが消失してしまうので保存特性に問題を
有する。また、高線速化、例えば、線速が１５ｍ／ｓ以
上の線速に応じてオーバライトできる高速結晶化が困難
であるという問題点を有する。
【０００８】そこで鋭意検討した結果、記録層の局所構
造がこれらの問題を解決する為の鍵となっていることを
突き止めた。具体的には、ＳｂとＴｅに元素Ａを加えた
記録層が結晶層と非晶相の間で相転移した際、この記録
層の元素Ａから見た（元素Ａを中心とする）局所構造
が、相転移前後で類似している時に、高速結晶化が達成
されることが分った。これは、元素Ａを添加しても、相
転移の前後において、その周囲の局所構造に大きな変化
を与えないこと、即ち、非晶構造から僅かの局所構造の
変化で、結晶構造に移行できることを意味し、結晶化速
度が速いことにつながる。なお、局所構造の解析には、
ＥＸＡＦＳ（広域Ｘ線吸収微細構造）を用いた。上記の
ような特性を有する元素Ａとしては、Ｉｎ、Ｓｍ、Ａ
ｌ、Ｓｎ、Ｎｄ、Ｇａ、Ｒｅ等が挙げられる。
造がこれらの問題を解決する為の鍵となっていることを
突き止めた。具体的には、ＳｂとＴｅに元素Ａを加えた
記録層が結晶層と非晶相の間で相転移した際、この記録
層の元素Ａから見た（元素Ａを中心とする）局所構造
が、相転移前後で類似している時に、高速結晶化が達成
されることが分った。これは、元素Ａを添加しても、相
転移の前後において、その周囲の局所構造に大きな変化
を与えないこと、即ち、非晶構造から僅かの局所構造の
変化で、結晶構造に移行できることを意味し、結晶化速
度が速いことにつながる。なお、局所構造の解析には、
ＥＸＡＦＳ（広域Ｘ線吸収微細構造）を用いた。上記の
ような特性を有する元素Ａとしては、Ｉｎ、Ｓｍ、Ａ
ｌ、Ｓｎ、Ｎｄ、Ｇａ、Ｒｅ等が挙げられる。
【０００９】一方、ＳｂとＴｅに元素Ｂを加えた記録層
が結晶層と非晶相の間で相転移した際、この記録層の元
素Ｂから見た（元素Ｂを中心とする）局所構造が、相転
移前後で異なるようにすれば、保存特性が向上すること
が分った。その理由については現在検討中であるが、相
転移前後の局所構造が異なることにより、非晶相（記録
状態）から結晶相（消去状態）への経時変化が難しくな
り（抑制され）、非晶相が安定状態に保たれる為と考え
られる。上記のような特性を有する元素Ｂとしては、
Ｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｇｅ、Ｃｕ、Ｏ、Ｆｅ等が挙げられ
る。また、元素Ａと元素Ｂは、Ｔｅに重みを置いて、即
ち、主にＴｅと結合させることにより、記録時のアモル
ファス化を容易にし、記録感度の向上を図ることができ
ることが分った。更に、元素Ａ及び／又は元素Ｂの局所
構造における、元素Ａ及び／又は元素Ｂと周囲の元素と
の結合距離を、Ｓｂ及びＴｅの周囲の局所構造における
Ｓｂ及びＴｅと周囲の元素との結合距離よりも短くする
ことにより、記録層全体の結合エネルギーを増加させる
ことができるので、記録・消去の繰返しに対しても安定
となり、繰返し特性を向上させることができる。
が結晶層と非晶相の間で相転移した際、この記録層の元
素Ｂから見た（元素Ｂを中心とする）局所構造が、相転
移前後で異なるようにすれば、保存特性が向上すること
が分った。その理由については現在検討中であるが、相
転移前後の局所構造が異なることにより、非晶相（記録
状態）から結晶相（消去状態）への経時変化が難しくな
り（抑制され）、非晶相が安定状態に保たれる為と考え
られる。上記のような特性を有する元素Ｂとしては、
Ｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｇｅ、Ｃｕ、Ｏ、Ｆｅ等が挙げられ
る。また、元素Ａと元素Ｂは、Ｔｅに重みを置いて、即
ち、主にＴｅと結合させることにより、記録時のアモル
ファス化を容易にし、記録感度の向上を図ることができ
ることが分った。更に、元素Ａ及び／又は元素Ｂの局所
構造における、元素Ａ及び／又は元素Ｂと周囲の元素と
の結合距離を、Ｓｂ及びＴｅの周囲の局所構造における
Ｓｂ及びＴｅと周囲の元素との結合距離よりも短くする
ことにより、記録層全体の結合エネルギーを増加させる
ことができるので、記録・消去の繰返しに対しても安定
となり、繰返し特性を向上させることができる。
【００１０】更に、Ｓｂの周囲の局所構造においては、
Ｓｂと周囲の元素との結合距離が、非晶相の場合に２．
９±０．１Å程度、結晶相の場合に２．８±０．１Å程
度と３．１±０．１Å程度の二種類、そしてＳｂの結合
配位数が、非晶相の場合に３程度、結晶相の場合に２と
４程度の二種類とし、Ｔｅの周囲の局所構造において
は、Ｔｅと周囲の元素との結合距離が、非晶相の場合に
２．８３±０．１Å程度、結晶相の場合に２．９±０．
１Åと３．１±０．１Å程度の二種類、そしてＴｅの結
合配位数が、非晶相の場合に２程度、結晶相の場合に２
と１程度の二種類とすることにより、繰返し特性の優れ
た記録層を得ることが出来る。しかし、このような結果
が得られる理由については今のところ不明である。
Ｓｂと周囲の元素との結合距離が、非晶相の場合に２．
９±０．１Å程度、結晶相の場合に２．８±０．１Å程
度と３．１±０．１Å程度の二種類、そしてＳｂの結合
配位数が、非晶相の場合に３程度、結晶相の場合に２と
４程度の二種類とし、Ｔｅの周囲の局所構造において
は、Ｔｅと周囲の元素との結合距離が、非晶相の場合に
２．８３±０．１Å程度、結晶相の場合に２．９±０．
１Åと３．１±０．１Å程度の二種類、そしてＴｅの結
合配位数が、非晶相の場合に２程度、結晶相の場合に２
と１程度の二種類とすることにより、繰返し特性の優れ
た記録層を得ることが出来る。しかし、このような結果
が得られる理由については今のところ不明である。
【００１１】以上のような記録層の局所構造を実現する
には、記録層を構成する材料の組成式をＡαＢβＳｂγ
Ｔｅδとするとき、α、β、γ、δが、１≦α≦８、２
≦β≦５、６１≦γ≦７９、１４≦δ≦３１の範囲にあ
る材料が望ましい。（ここで、元素Ａは、Ｉｎ、Ｓｍ、
Ａｌ、Ｓｎ、Ｎｄ、Ｇａ、Ｒｅの中から選ばれた少なく
とも一つの元素、元素Ｂは、Ｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｇｅ、Ｃ
ｕ、Ｏ、Ｆｅの中から選ばれた少なくとも一つの元素で
あり、α、β、γ、δは原子％で、α＋β＋γ＋δ＝１
００である。） α、β、γ、δが上記組成範囲を外れると、局所構造が
前述の構造と異なったものとなり、保存特性、繰返し特
性が劣化し、高線速に対応した高速結晶化が難しくな
る。更に、波長の異なる二つの半導体レーザを用いて初
期結晶化を行なうと、前述の局所構造を実現し易い。ま
た、成膜時のスパッタ用の希ガスとして、Ａｒと、Ｎ
ｅ、Ｋｒ、Ｘｅの中から選ばれた少なくとも一つとの混
合物を用いてもよい。但し、このような方法により、何
故、前述の局所構造が現れるのかについては現在解明中
である。
には、記録層を構成する材料の組成式をＡαＢβＳｂγ
Ｔｅδとするとき、α、β、γ、δが、１≦α≦８、２
≦β≦５、６１≦γ≦７９、１４≦δ≦３１の範囲にあ
る材料が望ましい。（ここで、元素Ａは、Ｉｎ、Ｓｍ、
Ａｌ、Ｓｎ、Ｎｄ、Ｇａ、Ｒｅの中から選ばれた少なく
とも一つの元素、元素Ｂは、Ｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｇｅ、Ｃ
ｕ、Ｏ、Ｆｅの中から選ばれた少なくとも一つの元素で
あり、α、β、γ、δは原子％で、α＋β＋γ＋δ＝１
００である。） α、β、γ、δが上記組成範囲を外れると、局所構造が
前述の構造と異なったものとなり、保存特性、繰返し特
性が劣化し、高線速に対応した高速結晶化が難しくな
る。更に、波長の異なる二つの半導体レーザを用いて初
期結晶化を行なうと、前述の局所構造を実現し易い。ま
た、成膜時のスパッタ用の希ガスとして、Ａｒと、Ｎ
ｅ、Ｋｒ、Ｘｅの中から選ばれた少なくとも一つとの混
合物を用いてもよい。但し、このような方法により、何
故、前述の局所構造が現れるのかについては現在解明中
である。
【００１２】次に、本発明の光記録媒体の構成を図面に
基づいて説明する。図１は、本発明の光記録媒体の層構
成の一例を示す断面図であり、基板１上に下部耐熱保護
層２、記録層３、上部耐熱保護層４、反射放熱層５を有
する。耐熱保護層は、必ずしも記録層の両側に設ける必
要はないが、基板１がポリカボネート樹脂のような耐熱
性の低い材料からなる場合には、下部耐熱保護層を設け
ることが望ましい。基板１の材料は、通常、ガラス、セ
ラミックス又は樹脂であり、成形性、コストの点から樹
脂基板が好適である。樹脂の代表例としては、ポリカー
ボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチ
レン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合樹脂、ポ
リエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹
脂、フッ素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げら
れるが、加工性、光学特性等の点からポリカーボネート
樹脂が好ましい。また、基板の形状は、ディスク状、カ
ード状又はシート状の何れであってもよい。
基づいて説明する。図１は、本発明の光記録媒体の層構
成の一例を示す断面図であり、基板１上に下部耐熱保護
層２、記録層３、上部耐熱保護層４、反射放熱層５を有
する。耐熱保護層は、必ずしも記録層の両側に設ける必
要はないが、基板１がポリカボネート樹脂のような耐熱
性の低い材料からなる場合には、下部耐熱保護層を設け
ることが望ましい。基板１の材料は、通常、ガラス、セ
ラミックス又は樹脂であり、成形性、コストの点から樹
脂基板が好適である。樹脂の代表例としては、ポリカー
ボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチ
レン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合樹脂、ポ
リエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹
脂、フッ素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げら
れるが、加工性、光学特性等の点からポリカーボネート
樹脂が好ましい。また、基板の形状は、ディスク状、カ
ード状又はシート状の何れであってもよい。
【００１３】耐熱保護層、即ち誘電体層は、（ＺｎＳ）
・（ＳｉＯ２）を用いてスパッタ法により膜形成を行な
う。この誘電体層は、耐熱保護層としての機能と光干渉
層としての機能を有することから、これらの機能を最大
限に活かすことが必要であり、そのためには、膜厚を、
２００〜３０００Å、好ましくは３５０〜２０００Åと
する。２００Å未満の場合は、耐熱保護層としての機能
が失われ、又、３０００Åを超えると界面剥離が生じ易
くなるので好ましくない。また、本発明の記録層は、一
般的にはスパッタ法により膜形成を行う。膜厚は、１０
０〜１０００Å、好ましくは２００〜３５０Åとする。
１００Åより薄いと、光吸収能が低下して記録層として
の機能を失うし、１０００Åより厚いと、透過光が少な
くなるため、干渉効果が期待できなくなる。反射放熱層
にはＡｇ合金が用いられ、通常スパッタ法により膜形成
を行う。膜厚は、５００〜２０００Å、好ましくは７０
０〜１５００Åとする。
・（ＳｉＯ２）を用いてスパッタ法により膜形成を行な
う。この誘電体層は、耐熱保護層としての機能と光干渉
層としての機能を有することから、これらの機能を最大
限に活かすことが必要であり、そのためには、膜厚を、
２００〜３０００Å、好ましくは３５０〜２０００Åと
する。２００Å未満の場合は、耐熱保護層としての機能
が失われ、又、３０００Åを超えると界面剥離が生じ易
くなるので好ましくない。また、本発明の記録層は、一
般的にはスパッタ法により膜形成を行う。膜厚は、１０
０〜１０００Å、好ましくは２００〜３５０Åとする。
１００Åより薄いと、光吸収能が低下して記録層として
の機能を失うし、１０００Åより厚いと、透過光が少な
くなるため、干渉効果が期待できなくなる。反射放熱層
にはＡｇ合金が用いられ、通常スパッタ法により膜形成
を行う。膜厚は、５００〜２０００Å、好ましくは７０
０〜１５００Åとする。
【００１４】
【実施例】以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を更
に詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例によっ
て、何ら限定されるものではない。
に詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例によっ
て、何ら限定されるものではない。
【００１５】実施例１〜１０、比較例１〜３
トラックピッチ０．７μｍ、溝深さ４００Å、厚さ０．
６ｍｍ、直径１２０ｍｍΦのポリカーボネート基板上
に、表１に示す各材料からなる下部耐熱保護層、記録
層、上部耐熱保護層、反射放熱層を順次スパッタ法によ
り設け、更に反射放熱層の上に、スピンコート法により
環境保護層を設けて記録媒体を得た。次に、得られた記
録媒体に対し、波長８３０ｎｍの半導体レーザと波長６
５０ｎｍの半導体レーザを用いて初期結晶化を行った。
一方、記録膜の構造解析用試料を別途作成し、ＥＸＡＦ
Ｓ（広域Ｘ線吸収微細構造）により解析した。その結果
を、実施例１と比較例１について表２に示す。実施例２
〜１０のＥＸＡＦＳによる局所構造の値は示していない
が、Ｓｂ及びＴｅの周囲の結合距離、結合配位数の値
は、請求項３、４に記載した値の範囲内にあり、元素Ａ
及びＢの周囲の結合距離は、元素Ａの場合、非晶相、結
晶相何れも２．６±０．１Åの範囲内にあり、結合配位
数は３±１である。また、元素Ｂの場合、結合距離は、
非晶相で２．６±０．１Å、結晶相で２．７±０．１Å
の範囲にあり、結合配位数は、非晶相で３±１、結晶相
で２〜３の範囲にある。図２、図３はＥＸＡＦＳスペク
トル、図４、図５は動径分布関数を示す。図２、図３の
横軸は照射Ｘ線エネルギー、縦軸は吸収量である。ま
た、図４、図５の横軸は原子間距離、図４（ａ）の縦軸
はＳｂのＥＸＡＦＳのフーリエ変換、図４（ｂ）の縦軸
はＴｅのＥＸＡＦＳのフーリエ変換、図５（ａ）の縦軸
はＧａのＥＸＡＦＳのフーリエ変換、図５（ｂ）の縦軸
はＧｅのＥＸＡＦＳのフーリエ変換である。得られた記
録媒体の評価としては、記録線速、記録パワーを１１ｍ
／ｓ（１３ｍＷ）、１３ｍ／ｓ（１５ｍＷ）、１５ｍ／
ｓ（１７ｍＷ）の三種とし、ＥＦＭランダムパターンで
オーバライトの繰返しを行ない、３Ｔ信号のジッター値
で記録マークの再生信号を評価した。また、保存特性に
ついては、オーバーライト１回記録の記録媒体を、８０
℃、８５％温湿下で３００時間保持した後の、オーバー
ライト１回目の記録マークの３Ｔ再生信号のジッター値
で評価した。その結果を表３に示す。
６ｍｍ、直径１２０ｍｍΦのポリカーボネート基板上
に、表１に示す各材料からなる下部耐熱保護層、記録
層、上部耐熱保護層、反射放熱層を順次スパッタ法によ
り設け、更に反射放熱層の上に、スピンコート法により
環境保護層を設けて記録媒体を得た。次に、得られた記
録媒体に対し、波長８３０ｎｍの半導体レーザと波長６
５０ｎｍの半導体レーザを用いて初期結晶化を行った。
一方、記録膜の構造解析用試料を別途作成し、ＥＸＡＦ
Ｓ（広域Ｘ線吸収微細構造）により解析した。その結果
を、実施例１と比較例１について表２に示す。実施例２
〜１０のＥＸＡＦＳによる局所構造の値は示していない
が、Ｓｂ及びＴｅの周囲の結合距離、結合配位数の値
は、請求項３、４に記載した値の範囲内にあり、元素Ａ
及びＢの周囲の結合距離は、元素Ａの場合、非晶相、結
晶相何れも２．６±０．１Åの範囲内にあり、結合配位
数は３±１である。また、元素Ｂの場合、結合距離は、
非晶相で２．６±０．１Å、結晶相で２．７±０．１Å
の範囲にあり、結合配位数は、非晶相で３±１、結晶相
で２〜３の範囲にある。図２、図３はＥＸＡＦＳスペク
トル、図４、図５は動径分布関数を示す。図２、図３の
横軸は照射Ｘ線エネルギー、縦軸は吸収量である。ま
た、図４、図５の横軸は原子間距離、図４（ａ）の縦軸
はＳｂのＥＸＡＦＳのフーリエ変換、図４（ｂ）の縦軸
はＴｅのＥＸＡＦＳのフーリエ変換、図５（ａ）の縦軸
はＧａのＥＸＡＦＳのフーリエ変換、図５（ｂ）の縦軸
はＧｅのＥＸＡＦＳのフーリエ変換である。得られた記
録媒体の評価としては、記録線速、記録パワーを１１ｍ
／ｓ（１３ｍＷ）、１３ｍ／ｓ（１５ｍＷ）、１５ｍ／
ｓ（１７ｍＷ）の三種とし、ＥＦＭランダムパターンで
オーバライトの繰返しを行ない、３Ｔ信号のジッター値
で記録マークの再生信号を評価した。また、保存特性に
ついては、オーバーライト１回記録の記録媒体を、８０
℃、８５％温湿下で３００時間保持した後の、オーバー
ライト１回目の記録マークの３Ｔ再生信号のジッター値
で評価した。その結果を表３に示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【表２】
【００１８】
【表３】
【００１９】上記表２に示したように、実施例１及び比
較例１の何れも、元素ＡであるＧａ、元素ＢであるＧ
ｅ、Ｆｅ共にＴｅとの結合が主であることが判明した。
結合距離と結合配位数については、本発明の組成範囲に
ある実施例１の場合、元素ＡであるＧａの周囲の局所構
造の結合距離と結合配位数は、非晶相と結晶相の間で殆
んど違いがなく、局所構造は極めて類似していることが
分る。また、元素ＢであるＧｅとＦｅの周囲の局所構造
は、非晶相と結晶相の間で大きな差があることが分る
（なお、Ｆｅの結晶相の結合配位数は、測定信号が小さ
い為に求められなかった）。また、ＳｂとＴｅの周囲の
局所構造は、結晶相の場合は結合距離、結合配位数共に
２種類あることが分り、これは本実施例の記録材料の構
造が歪んでいることを示している。因みに、Ｘ線回折
（スペクトルは示していない）によれば、本実施例の記
録材料の構造はＮａＣｌ型であることが確認されている
ので、このＮａＣｌ型構造が歪んでいることを示唆して
いる。また、Ｇａ、Ｇｅ、Ｆｅ共に、その結合距離は、
Ｓｂ及びＴｅの結合距離よりも小さいことが分る。
較例１の何れも、元素ＡであるＧａ、元素ＢであるＧ
ｅ、Ｆｅ共にＴｅとの結合が主であることが判明した。
結合距離と結合配位数については、本発明の組成範囲に
ある実施例１の場合、元素ＡであるＧａの周囲の局所構
造の結合距離と結合配位数は、非晶相と結晶相の間で殆
んど違いがなく、局所構造は極めて類似していることが
分る。また、元素ＢであるＧｅとＦｅの周囲の局所構造
は、非晶相と結晶相の間で大きな差があることが分る
（なお、Ｆｅの結晶相の結合配位数は、測定信号が小さ
い為に求められなかった）。また、ＳｂとＴｅの周囲の
局所構造は、結晶相の場合は結合距離、結合配位数共に
２種類あることが分り、これは本実施例の記録材料の構
造が歪んでいることを示している。因みに、Ｘ線回折
（スペクトルは示していない）によれば、本実施例の記
録材料の構造はＮａＣｌ型であることが確認されている
ので、このＮａＣｌ型構造が歪んでいることを示唆して
いる。また、Ｇａ、Ｇｅ、Ｆｅ共に、その結合距離は、
Ｓｂ及びＴｅの結合距離よりも小さいことが分る。
【００２０】一方、比較例１の場合、実施例１の記録材
料と同じ元素で構成されているが、その組成が本発明の
組成範囲を外れているため、元素ＡであるＧａの局所構
造が非晶相と結晶相で異なり、元素ＢであるＧｅとＦｅ
周囲の局所構造は、非晶相と結晶相の間で比較的類似し
ていて、実施例１と異なっていることが分る。また、表
３に示した信号特性の結果をみると、本発明の記録材料
は、実施例１〜１０の各記録媒体において、記録線速１
１ｍ／ｓｅｃ、１３ｍ／ｓｅｃ、１５ｍ／ｓｅｃの何れ
についても、比較的低い記録パワーで記録できており、
繰返し特性、保存特性も、比較例１に比べて極めて良好
であることが分る。これに対し、比較例２は、記録材料
がＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなり元素Ａに相当する元素を含
まない場合であるが、この場合、信号特性は、記録線速
が１３ｍ／ｓ、１５ｍ／ｓの高線速になると記録ができ
ないことが分る。
料と同じ元素で構成されているが、その組成が本発明の
組成範囲を外れているため、元素ＡであるＧａの局所構
造が非晶相と結晶相で異なり、元素ＢであるＧｅとＦｅ
周囲の局所構造は、非晶相と結晶相の間で比較的類似し
ていて、実施例１と異なっていることが分る。また、表
３に示した信号特性の結果をみると、本発明の記録材料
は、実施例１〜１０の各記録媒体において、記録線速１
１ｍ／ｓｅｃ、１３ｍ／ｓｅｃ、１５ｍ／ｓｅｃの何れ
についても、比較的低い記録パワーで記録できており、
繰返し特性、保存特性も、比較例１に比べて極めて良好
であることが分る。これに対し、比較例２は、記録材料
がＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなり元素Ａに相当する元素を含
まない場合であるが、この場合、信号特性は、記録線速
が１３ｍ／ｓ、１５ｍ／ｓの高線速になると記録ができ
ないことが分る。
【００２１】また、比較例３は記録材料がＧａ、Ｓｂ、
Ｔｅからなり元素Ｂに相当する元素を含まない場合であ
るが、この場合は、記録線速１１ｍ／ｓ、１３ｍ／ｓ、
１５ｍ／ｓの何れにおいてもマークは書けるものの、繰
返し特性及び保存特性が悪いことが分る。比較例２、３
については、局所構造の結果を示していないが、Ｇｅ及
びＧａの周囲の局所構造は、実施例１と同様の結果が得
られており、このＧｅからみた局所構造が、相転移前後
で変化が大きな構造となり、また、Ｇａからみた局所構
造が、相転移前後で変化が少ない構造となることが、比
較例２の場合の繰返し特性と保存特性が良好である結果
となり、また、比較例３の場合の高線速記録が可能とい
う結果となる。但し、比較例２は、高線速化に対応でき
ず、比較例３は、繰返し特性と保存特性が悪い。このよ
うな比較例の欠点を解決したのが本発明である。
Ｔｅからなり元素Ｂに相当する元素を含まない場合であ
るが、この場合は、記録線速１１ｍ／ｓ、１３ｍ／ｓ、
１５ｍ／ｓの何れにおいてもマークは書けるものの、繰
返し特性及び保存特性が悪いことが分る。比較例２、３
については、局所構造の結果を示していないが、Ｇｅ及
びＧａの周囲の局所構造は、実施例１と同様の結果が得
られており、このＧｅからみた局所構造が、相転移前後
で変化が大きな構造となり、また、Ｇａからみた局所構
造が、相転移前後で変化が少ない構造となることが、比
較例２の場合の繰返し特性と保存特性が良好である結果
となり、また、比較例３の場合の高線速記録が可能とい
う結果となる。但し、比較例２は、高線速化に対応でき
ず、比較例３は、繰返し特性と保存特性が悪い。このよ
うな比較例の欠点を解決したのが本発明である。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、高線速高密度化に対応
でき、繰返し特性と保存特性に優れた光記録媒体を提供
できるので、光情報記録分野の発展に寄与するところは
極めて大きい。
でき、繰返し特性と保存特性に優れた光記録媒体を提供
できるので、光情報記録分野の発展に寄与するところは
極めて大きい。
【図１】本発明の光記録媒体の層構成の一例を示す断面
図。
図。
【図２】実施例１のＧａ４Ｇｅ２Ｆｅ１Ｓｂ７３Ｔｅ
２０の非晶相と結晶相のＳｂとＴｅのＥＸＡＦＳスペク
トル。 （ａ） ＳｂのＫ吸収端スペクトル （ｂ） ＴｅのＫ吸収端スペクトル
２０の非晶相と結晶相のＳｂとＴｅのＥＸＡＦＳスペク
トル。 （ａ） ＳｂのＫ吸収端スペクトル （ｂ） ＴｅのＫ吸収端スペクトル
【図３】実施例１のＧａ４Ｇｅ２Ｆｅ１Ｓｂ７３Ｔｅ
２０の非晶相と結晶相のＳｂとＴｅのＥＸＡＦＳスペク
トル （ａ） ＧａのＫ吸収端スペクトル （ｂ） ＧｅのＫ吸収端スペクトル
２０の非晶相と結晶相のＳｂとＴｅのＥＸＡＦＳスペク
トル （ａ） ＧａのＫ吸収端スペクトル （ｂ） ＧｅのＫ吸収端スペクトル
【図４】実施例１のＧａ４Ｇｅ２Ｆｅ１Ｓｂ７３Ｔｅ
２０の非晶相と結晶相のＳｂとＴｅのＥＸＡＦＳによる
動径分布関数。 （ａ） ＳｂのＥＸＡＦＳのフーリエ変換 （ｂ） ＴｅのＥＸＡＦＳのフーリエ変換
２０の非晶相と結晶相のＳｂとＴｅのＥＸＡＦＳによる
動径分布関数。 （ａ） ＳｂのＥＸＡＦＳのフーリエ変換 （ｂ） ＴｅのＥＸＡＦＳのフーリエ変換
【図５】実施例１のＧａ４Ｇｅ２Ｆｅ１Ｓｂ７３Ｔｅ
２０の非晶相と結晶相のＧａとＧｅのＥＸＡＦＳによる
動径分布関数。 （ａ） ＧａのＥＸＡＦＳのフーリエ変換 （ｂ） ＧｅのＥＸＡＦＳのフーリエ変換
２０の非晶相と結晶相のＧａとＧｅのＥＸＡＦＳによる
動径分布関数。 （ａ） ＧａのＥＸＡＦＳのフーリエ変換 （ｂ） ＧｅのＥＸＡＦＳのフーリエ変換
１ 基板
２ 下部耐熱保護層
３ 記録層
４ 上部耐熱保護層
５ 反射放熱層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 田代 浩子
東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式
会社リコー内
(72)発明者 岩田 周行
東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式
会社リコー内
(72)発明者 譲原 肇
東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式
会社リコー内
(72)発明者 鈴木 栄子
東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式
会社リコー内
(72)発明者 水谷 未来
東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式
会社リコー内
(72)発明者 小名木 伸晃
東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式
会社リコー内
(72)発明者 三浦 裕司
東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式
会社リコー内
(72)発明者 伊藤 和典
東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式
会社リコー内
(72)発明者 影山 喜之
東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式
会社リコー内
Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA12 EA23 EA31 EA32
EA40 FA01 FB05 FB06 FB08
FB09 FB12 FB16 FB17 FB20
FB21 FB22 FB30
5D029 JA01 JB18
Claims (7)
- 【請求項１】 電磁波を照射することにより、記録層が
結晶相と非晶相の間で相転移させることで情報の記録、
再生、消去を行う相変化型記録媒体において、該記録層
がＳｂ、Ｔｅ、元素Ａ及び元素Ｂを含有し、結晶相と非
晶相との相転移の際に、元素Ａからみた（元素Ａを中心
とする）局所構造が、相転移前後で類似しており、元素
Ｂからみた（元素Ｂを中心とする）局所構造が、相転移
前後で異なることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 元素Ａと元素Ｂが、Ｔｅに重みを置いて
（主としてＴｅに）結合していることを特徴とする請求
項１記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 Ｓｂの周囲の局所構造におけるＳｂと周
囲の元素との結合距離が、非晶相の場合に２．９±０．
１Åであり、結晶相の場合に２．８±０．１Åと３．１
±０．１Åの二種類であること、及び／又は、Ｓｂの周
囲の局所構造におけるＳｂの結合配位数が、非晶相の場
合に３であり、結晶相の場合に２と４の二種類であるこ
とを特徴とする請求項１又は２記載の光記録媒体。 - 【請求項４】 Ｔｅの周囲の局所構造におけるＴｅと周
囲の元素との結合距離が、非晶相の場合に２．８±０．
１Åであり、結晶相の場合に２．９±０．１Åと３．１
±０．１Åの二種類であること、及び／又は、Ｔｅの周
囲の局所構造におけるＴｅの結合配位数が、非晶相の場
合に２であり、結晶相の場合に２と１の二種類であるこ
とを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の光記録媒
体。 - 【請求項５】 元素Ａ及び／又は元素Ｂの周囲の局所構
造における元素Ａ及び／又は元素Ｂと周囲の元素との結
合距離が、Ｓｂ及びＴｅの周囲の局所構造におけるＳｂ
及びＴｅと周囲の元素との結合距離よりも短いことを特
徴とする請求項１〜４の何れかに記載の光記録媒体。 - 【請求項６】 元素Ａが、Ｉｎ、Ｓｍ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｎ
ｄ、Ｇａ、Ｒｅの中から選ばれた少なくとも一つの元素
であり、元素Ｂが、Ｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｇｅ、Ｃｕ、Ｏ、
Ｆｅの中から選ばれた少なくとも一つの元素であること
を特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の光記録媒
体。 - 【請求項７】 記録層を構成する材料の組成式をＡαＢ
βＳｂγＴｅδとするとき、α、β、γ、δが、１≦α
≦８、２≦β≦５、６１≦γ≦７９、１４≦δ≦３１の
範囲にあることを特徴とする請求項１〜６の何れかに記
載の光記録媒体。（ここで、元素Ａは、Ｉｎ、Ｓｍ、Ａ
ｌ、Ｓｎ、Ｎｄ、Ｇａ、Ｒｅの中から選ばれた少なくと
も一つの元素、元素Ｂは、Ｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｇｅ、Ｃ
ｕ、Ｏ、Ｆｅの中から選ばれた少なくとも一つの元素で
あり、α、β、γ、δは原子％で、α＋β＋γ＋δ＝１
００である。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002047503A JP4083442B2 (ja) | 2002-02-25 | 2002-02-25 | 光記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002047503A JP4083442B2 (ja) | 2002-02-25 | 2002-02-25 | 光記録媒体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003246140A true JP2003246140A (ja) | 2003-09-02 |
| JP4083442B2 JP4083442B2 (ja) | 2008-04-30 |
Family
ID=28660545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002047503A Expired - Fee Related JP4083442B2 (ja) | 2002-02-25 | 2002-02-25 | 光記録媒体及びその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4083442B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005044578A1 (ja) * | 2003-11-10 | 2005-05-19 | Ricoh Company, Ltd. | 光記録媒体及びその製造方法、スパッタリングターゲット、並びに光記録媒体の使用方法及び光記録装置 |
| WO2005051672A1 (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-09 | Ricoh Company, Ltd. | 光記録媒体 |
| WO2007046769A1 (en) * | 2005-10-17 | 2007-04-26 | Agency For Science, Technology And Research | Novel phase change magnetic material |
| US7351516B2 (en) * | 2002-11-06 | 2008-04-01 | Ricoh Company, Ltd. | Optical information recording medium |
-
2002
- 2002-02-25 JP JP2002047503A patent/JP4083442B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7351516B2 (en) * | 2002-11-06 | 2008-04-01 | Ricoh Company, Ltd. | Optical information recording medium |
| WO2005044578A1 (ja) * | 2003-11-10 | 2005-05-19 | Ricoh Company, Ltd. | 光記録媒体及びその製造方法、スパッタリングターゲット、並びに光記録媒体の使用方法及び光記録装置 |
| WO2005051672A1 (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-09 | Ricoh Company, Ltd. | 光記録媒体 |
| US7485357B2 (en) | 2003-11-26 | 2009-02-03 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium |
| WO2007046769A1 (en) * | 2005-10-17 | 2007-04-26 | Agency For Science, Technology And Research | Novel phase change magnetic material |
| JP2009514195A (ja) * | 2005-10-17 | 2009-04-02 | エージェンシー フォー サイエンス，テクノロジー アンド リサーチ | 新規な相変化磁性材料 |
| US20090148649A1 (en) * | 2005-10-17 | 2009-06-11 | Agency For Science, Technology And Research | Novel phase change magnetic material |
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