TWI248109B - Substrate processing apparatus and method - Google Patents

Description

1248109 五、發明說明（1) 發明所屬之技術領域 本發明大體上係H種執彳f 剝除或清洗之製程的裝置及方法，、如半導體晶圓之基板 效地處理基板，或在此稱為物件或2 ^是關於一種用以有 的控制。更具體來說’本發.明係關;件，對其剝除或清洗 的物質的裝置及方法，例如去除平、〜種用以去除不需要 或從例如一半導體晶圓、硬碟、，印刷處理時的抗蝕膜 面板等基板的表面進行蝕刻處理示螢幕或平面顯示 一、【先前技術】 、、f合物殘留物。 ^製造半導體裝置、LCD、 過程中，在此等每一基板的表面=或一印刷電路板的 再使用平版印刷及蝕刻對此表=:上一層抗蝕劑，之後 版印刷的處理。然後，再進—進行例如圖案形成等微平 之例如抗蝕膜或聚合物殘留：:除殘留於此等基板表面上 習知之去除如抗餘：不需要的物質。 氧電漿來灰化及去除抗蝕膜:f物質的技術包含使用含 (以酚或鹵素為主的溶劑）、來：漿灰化法：使用有機溶劑 方法以及使用漠硫酸或過氧：,、分解以及去除膜體的 然而，這些方法均；：=力:熱及分解的方法。 些化學物質來分解抗餘膜等目广：η’並使用某 加設施及所需之控制=大；負擔。這，，生出額外的附 的增加。另-個問題，則是：引起：::裝置體積及成本 境的要求以便控制大量二：：增加許多附加設施以及對環 里的円溫化學溶液以及該溶液和水的 ill $ 9頁 1248109 五、發明說明（2) 排放等等的問 的时論，也阻 因此，在 蝕膜等不需要 的注意，並且 質。此項技術 知技術使用的 因此，為 效率及可控制 物或物質來進 三、【發明說 題。這些問顯I γi , 礙了對基板絮程以地打消了對未來研發 _穷# & Τ 裝置設施的投資。 精⑴表面衣程科技領域中， 物質的技*，一種特 ：：去除例如抗 使用自妙ί 對地球及環境無害的物 使用自,、、、' 界可大量產 化學物質及化學製程不同。"與1 各種不同的問題，則需要-種有 、二ΐ置，利用大量對環境無害的化合 灯剝除及清洗等基板處理。 明】 大致說來，本發明之一目 對基板進行有效且實用的處理 提供一種設備及方法以執行有 果或良率在不增加設施成本的 體相關製程及例如抗蝕劑剝除 產過程提供一種投資。本發明 程、裝置、系統、儀器或方法 述如下。 在一實施例中，提供了一 法。該方法包含繞著該基板中 亦界定了圓周邊緣。該方法更 上。該蒸汽流係使用於該中心 之一點。該方法更包含將該蒸 的係提供一種設備及方法以 。且’本發明之另一目的係 效率的處理，使該處理的效 情況下而能提高，並對半導 、聚合物去除以及清洗等生 可應用於各種方式，包含製 。本發明之數個實施例將詳 種應用蒸汽於基板表面的方 心點來旋轉該基板。該方法 包含使用一蒸汽流於基板 點至該基板的圓周邊緣之間 汽流以相對於使用該蒸汽流

第10頁 1248109 五、發明說明（3) 之基板面積的相關速率在中心點與該圓周邊緣之間之一點 移動。 在另一實施例中，提供了另一種將蒸汽應用至一基板 表面的方法。該方法包含將該基板繞著該基板中心點旋 轉。该基板亦有一界定之圓周邊緣。該方法更包含應用一 条汽流至該基板上。該蒸汽流係使用於該中心點至該基板 的圓周邊緣之間之一點。該方法更包含將該蒸汽流透過複 數個沿著该基板半徑所界定的區域而從中心點與該圓周邊 緣之間之一點移動。 、 在再另一實施例中，提供一用以處理基板的剝除、清 洗及製程的基板處理設備。該基板具有一實質圓形平面基 板處理表面。該基板處理設備包含一噴嘴部，用以在該基 板處理表面之中心區域與該外側圓周邊緣之間移動時喷^ 該基板處理表面。該喷嘴部具有一噴嘴操作控制，用以控 制移動速度以及該喷嘴部的移動執跡。該基板處理設備更 $含該基板裝設於其上的底部。該底部係與該基板一同繞 著如同一旋轉軸般之該基板處理設備的中心區域旋轉。該 底部具有一底部操作控制，用以控制該底部之旋轉速度。 別^另一實施例中，提供一包含基板上㈣、清洗或 衣私其中之一的基板處理方法。該基板具有一實質圓形平 面基板處理表面，處理該基板的方法包含當一喷嘴部在該 基板處理表面之中心區域與該外侧圓周邊緣之間移動時， 以面向該處理中基板表面的方式噴覆該具有一喷嘴部之基 板的基板處理表面。該基板處理方法更包含一基板位於其

第11頁 !2481〇9 五、發明說明（4) 上的底部與該基板一同繞著如同一旋轉軸般之該基板處理 表面的中心區域旋轉。且，該方法更提供對移動速度及該 噴嘴部移動執跡的控制。 在更另一實施例中，提供一包含基板上剝除、清洗或 製程其中之一的基板處理方法且該基板具有一實質環狀平 面基板處理表面。該基板處理方法包含當一噴嘴部在核基 板處理表面之中心區域與該外側圓周邊緣之間移動時，以 面向該處理中基板表面的方式喷覆該具有一噴嘴部之基板 的基板處理表面。該基板處理方法更包含一基板位於^上 的底部與該基板一同繞著該基板處理表面的中心區域^同 一旋轉軸般地旋轉。最後，該方法更提供對該底.^透 度的控制。 本發明勝於習知技術的優點非常多。本發明之盆中〆 顯著優點即是其處理時間與傳統處理設備比^起來^ 1/10到1/5。此外，例如剝除/清洗等處理的| A 1 σ〉 ν里也大鴨改 σ。且’在基板的處理上的可再製性及可重福 了。一處理設備的參數可更輕易的設定，進而改善 ^控 制卜生’且處理中基板的溫度也穩定了 ，進而改盖立二部 =:佈。1且，不需要複雜的操作或機“ 間早的機械設計。 叩」樺 藉由以下的詳細描述’伴隨附圖及本發明之 的況明’本發明之優點將變得顯而易見。 ’、^ 四、【實施方式】 下面將說明處理基板的設備以及方法的發明。在較值

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實施例中，方、、表 ^ 備、一底部，以°又備包含一具有喷嘴部之基板處理設 制工具及-底部；安裝之至少一個喷嘴操作控 已先提出以^ :::及隨附的圖卜6，，許多特定的細節 藝者應瞭解，叙明有全.面的瞭解。然而，熟習該項技 實施。在龙他iv月即使缺乏某些或全部的特定細節仍可 述以免不必要地：Π :為人所熟知的處理操作便不再詳 、 也权糊本發明的焦點。 的構ί1。為圖意圖，說明根據本發明之一基板處理設備 圖，並包八一則為說明根據本發明之喷嘴操作控制的 據本於明:二基板處理表面的說明。圖5Α—6Β則為說明根 說明i Θ #部操作控制的圖，並包含一基板處理表面的 圖1為不意圖，說明根據本發明之一實施例之一基 f設備，以及一實施本發明之方法的設備構造。在一 处理至10中’在具有一中心23以及由一旋轉把手24旋轉之 _置底°卩（$疋轉檯）22上，有一爲狀或一板狀且大致為 圓幵》之一例如半導體晶圓的基板2 0配置（裝設）於其上。 雖然其具有一大致為圓形平面基板處理表面2 〇 ’，該基板 2 0本身雖可為一大致圓形平面狀，但不必然是。圖1之基 板20具有一如同該基板處理表面20，般的完整表面，故該 基板20亦為一圓形平面狀。 一噴嘴部1 6係配置於該基板2 0上相對於該基板處理表 面2 0 ’處，且與位於喷嘴丨6之一喷嘴端的補給開口 1 6 ’相隔

第13頁 1248109 五、發明說明（6) 一段預定的距離（空間）。所使用之喷霧基板物質1 8可為 所選定之各種不同之液體或氣體其中任何一個。根據本發 明之任一實施例，該喷霧基板物質可為一蒸汽體，也就是 1 )蒸汽（水蒸汽），2 )乾蒸汽（乾水蒸汽），3 )霧， 或任一蒸汽或乾蒸汽之混合物。關於喷霧基板物質之處理 ^置的其餘資訊、構造以及實施等資料，包括混合含有液 態水粒子的水霧體（霧水）以及一水蒸氣體（空氣水）並 將其混合物供應至一基板等等，均可在2 0 0 1年8月3 1曰申 請之日本專利申請案號2 0 0 1 -264 627之「供應水的方法及 裝置」、2 0 0 2年2月1 8曰申請之曰本專利申請案號 2 00 2 - 4 0 739之「供應水的方法及裝置」以及2〇〇2年5月1〇 曰申請之日本專利申請案號2〇〇2 - 1 3 6 1 59之「供應水的方 法及裝置」中發現。這些申請案均與本發明相關，因而在 此全部包含進來以供參考。 在圖1所說明的一處理設備構造中，該項處理包含去 除例如抗蝕膜等不需要的物質，該基板2 〇係處於環繞著旋 轉把手24 (基板20的中心23 )而以預定的速度旋轉1見$ 頭2 1指出旋轉）的狀態下，且當以該基板2 〇的半徑的方= $移動或掃瞄該噴嘴部丨6時（見箭頭丨7所指動作），爷噴 霧基板物質1 8便由位於該噴嘴部1 6邊緣的供給開口 i 6/嘻、 射而出，喷向該基板2 〇之基板處理表面2 〇，，以作為執行 遠表面的清洗或抗蝕膜剝除或移除的喷霧基板物質。五仃 應注意，在本處理室丨〇產生之排放物或不需要之物⑽:人 ~排出口 2 6送出（見箭頭2 5 )。 貝二由

第14頁 序的基板Μ，為一圓 個表面、一中心位置 之一實施例中，如圖 長中狀為區。之 量C圈分形 K定 等域C區圓-S界 的區域1心\所 出形區 ^中^)内 割圓狀徑一 y間 切心環半出立口之 始中指，割r域 開一 W中切圈區 1248109 五、發明說明（7) 操作控制 一進行例如剝除或清洗等處理程 形薄平板狀，具有一需進行處理的整 (中心點c )以及一半徑r。在本發明 2所示，基板Μ之一半徑r係由中心點c 度，由此而將整個表面平均地切分出 心圓形部分）Si以及相應之複數個圓 部分）S2 - Sn。在舉例說明之一實施例 10個等量的長度，因此而將整個表面 域31以及相應之9個圓形指環狀區域（ 在本發明之一實施例中，Si〜S1Q 面積比例關係如下：

Si · S2 : S3 i S4 : S5 : S6 : S7 : S8 : S9 : S10 -1:3:5:7:9:11:13:15:17:19 在這些比例當中，該中心圓形區域的Si區域與相繼之 向外的圓形指環狀區域82的關係係以Si : S2 = 1 : 3來表示。 由於基板Μ之整個表面S為Sj〜S1()的總合，整個面積S = Si + S2 +…· + S: Q。而該面積比例 (1 : 3 : 5 : 7 : 9 : 11 : 1 3 : 1 5 : 1 7 : 1 9 )之數值相加等於 1 0 0 ( 1 02， 也就是10x10 )，所以在本發明之一實施例中，Si 〜S1Q之面 積係分別表示為81 = (1/100)*3，S2 = (3/100)*S， S3 = (5/100)*S，···· S1Q = ( 19/100)*S。 依照此種方式，在具有一圓形處理表面之基板M中， 由半徑r平均切分出之任意區域X之面積Sx係表示為8)(

第15頁 1248109 五、發明說明（8) -（（2x-l)/l〇〇*S)。因此，可得出區域x的面積Sx，而每一 區域X的處理時間t便可以依照該面積sx的比例得出。 相同地，假設一具有圓形處理表面之基板Μ具有一以 半徑r平均分割出之任意區域义，且處理該基板μ所需之總 時間為t「秒」，則每一區域所需之處理時間tx係由下列算 式表示： tx 二（（2x-l)/100)*t 且’當喷嘴16 (見圖1)設定為由具有一圓形處理表 面之基板Μ的中心以半徑r的方向呈直線或線性移動時，此 喷嘵1 6的移動速度V η則由（移動距離/處理時間）所得 出。其中之移動距離等於半徑Γ，而處理時間則等於整個 處理時間t。 在所說明之實施例中，舉例來說，若基板以係沿著半 徑r平均分割為1 0等分，則每區的移動距離為"丨〇，而每 區之喷嘴移動速度V nx則以下列算式表達：

Vnx=((l/10)r)/(((2x-l)/i〇〇)t=(1〇r)/((2x_1)t) [單位· mm/ sec] 在設定噴嘴操作及數量時，可設定各種不同的情況。 例如，喷嘴數量可不只-個，因此在設計時可將lsijN個喷 嘴同步化使用。也可將噴嘴移動的方式改成使剝除或清洗 等處理由區域的某個位置開始處理，《是將該喷嘴的 方向改為由較外側的圓周邊緣位置向中心移動。在此 況下’根據本發日月之一實施例’該喷嘴的移動速 ： 由類似的計算方法而得知。

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、> %藉由喷嘴操作控制的操作，亦可分割沿著喷嘴移動的 f ^轴以便控制該喷嘴之速度使得所分割的區域面積相 等’如此於该等區域便具有相等的處理時間，下面將詳加 說明。 ▲/喷$係於一圓形基板處理表面之中心點C以及半 徑轴r上一外侧圓周邊緣間直線移動時，此種喷嘴移動的 軌跡及方向是最容易且最受歡迎的設計方式，但噴嘴移動 的軌跡和方向並不僅限於中心點c以及位於半徑軸r之一外 側圓周邊緣_之間的直線移動。例如，該噴嘴可在非具有中 =fc的^半轴之直線上移動，或是在一圓弧線上移動， 將σ亥中心點與一外侧圓周邊緣互連的拋物線上移 10等分：ΐ Ϊ2旦所示之實施例係以將一基板之半徑分割為 割之等量長；：i ί說明’在其他實施例中，料徑所分 任意數值，：ϋ::意選定由少數至無限A ( 〇〇 )之 」週當增減。 舉例來說，若^t " 八 處理之基板Μ的半徑量等量長度之份數因欲 之每一區域的噴里而土曰加或減7 ，該份數為y，該得出 Vn =( n / ;备移動速度即以下列算式表示之： .Υ/Γ)/(((2χ-1)y2)t) = (yrv((2x-l)t) L 旱位.mm/secl 根據本發明之 以使得所得之區域 理速度。該方法係 一實施例’係提供一方法來分割該半徑 均具有相同面積，因此而具有相同之處 以特定資料以及圖3〜4來加以說明。

1248109 五、發明說明（ίο) 在一實施例中，係以該半徑r將整個圓形基板處理表 面分割為四個等面積的區域，如圖3所示。而在一實施例 中，基板Μ (基板處理表面）之半徑r係將該面積S分割為 四個等面積之區域，此四區域的半徑分別以q、r2、r3及r4 來表示，Si代表中心之圓形區域面積，而S2、S3 &S4則分別 依序代表向外之圓形指環狀區域面積。 該中心之圓形面積Sj係由下列算式表示：Si二7Γ rj。相 繼的下一個向外之圓形指環狀區域S2的面積係表示如下： S2二7Γ ( r22 - rj )。在此例中，S2 = S!，如此可得下列算式： "二r22-rj。因此可得到下列算式：r2= /"21^。相同地，S3 及S4也有下列的算式：r3 = 3 q，r 4 = / 4 q。如圖3的例子 ，該等半徑可表示如下：！*，（/，4)r， r3二（/"3/，4)r，r4 = ( /~4/ /"4)r。且，整 中，r4二r。因此 r〇 = ( 2//-4)r 個表面係分割成四個等面積的區域，所以可得下列算式 SrS^SfS^Cl/GS^Trr2/^。如此，在每個區域中之喷嘴 移動距離如下： λ/ι — ~K~] - λ/Ϊ ~ΊΓ

第18頁 1248109 五、發明說明（11) ^/2 — λ/1 ~JTr Γ3~ΓΖ -\/3 — ~ir~r λ/4* — λ/3" r4 一 r3=_x~r

假定整個或所有的處理時間為t，因每一上述距離均 需在（l/4)t内處理，故每一區域中之喷嘴移動速度Vn可表 示如下 λ/ι" — λ/4 _ - λ/5 )

， -— = —........... 11 IT

λ/4 —J3 -./4 _ \/51λ/4 - ^3* -=-:-ΙΓ

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五、發明說明（12) 根據本發明之一實施例，一基板之半徑r可進行分 割’使得整個基板處理表面區分為y個（任意數值）等面 積的區域。圖4即說明此實施例。 由中心區域起算之第η個區域之半徑表示如下： rn = ( /n/ y/"y)r 該η區域之喷嘴移動速度\則表示如下： λ/γΙ — λ/π — 1 -If

Vn= 石 —=^(^/n-VnrI)r It t y 產部操」生控魁 如上述之圖1之關於處理設備之一實施例之說明，其 構造為’當基板2 0進行處理時，該具有一圓形平板狀之基 板處理表面2〇，之基板2〇便裝設於底部22之上，使得該基 板處理表面2 0，與該底部2 2如同一體般的移動或旋轉。如 圖5A所示，根據本發明之另一實施例，一欲處理的基板Μ’ 係在底部（未顯示）上以一定的旋轉數目r (rpm)旋轉，而該 基板M’上之一任意點X係位於與中心點c，相距X的位置。然 後’該任點X周圍的速度Vx係表示如下：Vx= ( (2 7Γ x)R ) / 6 0。因此可建立出如圖5 Β說明之下列關係：

第20頁 1248109 _ ______________ 五、發明說明（13)

Vx cc X 如圖5 B所示，該任意點位於越外側’其轉移速度就變 的越大。因此’如圖5 C中之圖表所示’該等資料係於一固 定旋轉數目時取得’該轉移速度[mm / sec ]係與中心點之間 的距離成比例關係。圖5 C之圖表顯示一實施例，其中該旎 轉數目設定為1 [ rPm ]’其結果顯示出該轉移速度以一線忮 方式在0-2 1 ( 20.9 43···) [mm/sec]之間改變，而與該中心 點之間的距離0 - 2 0 0 [ mm ]成比例關係。 再回到圖5 B，如上述之實施例中之該基板μ，以一固定 旋轉數目R在底部上轉動，若該喷嘴以一固定速度從該底 部之中心向外側圓周來移動以便進行基板的處理，則該喷 嘴的轉移速度Vx在中心區域與在較外側圓周區域便會產生 極大的不同。如圖5 B所示 吋間間隔内於 中心區域距離（XaQ-Xal )以及於一較外側圓周區域距離（χ 〇 -xbl)移動便產生極大的不同。結果’此種不同便反應I該 處理過之基板表面的狀態上。 實施例可控 心區域與在 為了避免此種不想要的結果，本發明之一 制該基板之旋轉速度，以使得轉移速度 圓周區域可維持相同。 在中 本發明之一實施 來做說明。在圖6 A中 其半徑r從其中心點c 明中，所謂的一旋轉 例提供了旋轉速度 ’該喷嘴應在欲處 ”向其外側之圓周 底部之速度控制， 的控制並參閱圖6A 理之基板Μ，，上依 區域移動。在本發 也就是對旋轉速度

第21頁 l248l〇9 U： " -- -- -- 五、發明說明（14) 的控制’俾使在該基板Μ ”之半徑r上的任意一點χπ的轉移 速度均可維持在一固定的轉移速度ν。。 根據本發明之一實施例，假設該欲處理的基板Μ，，上 ^任意點Xπ的周圍轉移速度ν χ等於該固定之轉移速度ν。（固 定）。也就是說，若將Vx= V。.（固定）表現在上述算svx = ((2 ΤΓ X ) R) / 6 〇中，則可得出下列關係式：R = ( 6 〇 v j / ( 2疋 x)。因此， R CC 1/χ 因此，將轉移速度控制實施在本發明之一實施例中， 將可能控制例如剝除和清洗等處理中基板之旋轉數目，而 使得該轉移速度vx不論在中心區域或是外側圓周區域均可 維持固定不變，進而獲得該基板之整個處理表面上之一致 且相同的效果。 根據本發明之一實施例，圖6 B之圖表說明一例，當轉 移速度維持固定的情況下，其旋轉數目[rpm ]與其與中心 點之間距離[m m ]的關係。在所說明的例子中，係分別以四 種轉移速度1 〇、40、42及50 [ mm/sec]來取得關係的資 料。如圖表可見，根據與中心的距離[mm ]來控制旋轉數目 [rpm ]，便可獲得一固定之轉移速度。因此，沿著該喷嘴 移動之半徑軸來平均分割以便將該處理表面分割成複數個 區域，或是依照固定時間選取一喷嘴沿著與處理表面中心 相關之半徑軸移動的位置以便計算旋轉數目，如此便可能 分別控制每一區域的旋轉數目、旋轉速度或噴嘴的位置，

22 1248109 五、發明說明（15) 根據本發明之實施例，雖然該噴嘴操作控制工具與該 底部操作控制工具均可獨立控制處理，此兩種方法亦可根 據各種狀況來設定而合併在一起，因此在此種情況下可提 供一更有效率且具高適應性的基板潛在處理方式。 吾人應注意，當該喷’操作控制與該底部操作控制同 時使用時，從工業上及貫用上的觀點來看，較好是將該噴 嘴沿著移動的一半徑軸加以分割，以便將該處理表面分割 成複數個區域，而可控制每一區域的移動速度或旋轉速 度。雖然從設計的角度上看來，將該處理表面平均分割成 複數個區域是非常有利，但也可不平均分割該處理表面 (例如，將半徑分割成所有區域均具有相同面積及處理速 度）。分割後的區域數目可適當地選定由少數幾個到無限 大（00)。在無限大（〇〇)的情況下，分割將無法取得任何區 域。除此之外，控制旋轉數目的方法亦可在一固定時間 内’适取一喷嘴沿著與處理表面中心相關之半徑軸移動的 位置’以便計算旋轉數目。 雖然為了清楚瞭解起見，前述内容已對本發明有詳細 的敛述，然而顯而易見的是，可在附屬的申請專利範圍内 進行特定的變化與修改。因此，發明之實施例應屬說明性 質’而不具有限制性，而本發明亦不受限於本文所述之細 節’並可在附屬之申請專利範圍的等義範圍内進行修改。

第23頁 1248109 圖式簡單說明 五、【圖式簡單說明】 藉由以下的詳細描述、並伴隨附圖，將可對本發明的 原理以及本發明之示範實施例有更清楚的瞭解。 圖1顯示一示意圖，說明根據本發明之一實施例之一 基板處理設備； 圖2顯示一圖，說明根據本發明之其中一個實施例的 喷嘴操作控制； 圖3顯示另一圖，說明根據本發明之其中一個實施例 的喷嘴操作控制； 圖4顯示再另一圖，說明根據本發明之其中一個實施 例的喷嘴操作控制； 圖5A顯示一圖，說明根據本發明之其中一個實施例的 底部操作控制； 圖5B顯示一圖，說明根據本發明之一實施例，同一時 間間隔中一喷嘴行經的距離； 圖5C顯示一圖表，說明根據本發明之轉移速度與距離 的關係， 圖6A顯示另一圖，說明根據本發明之一實施例之底部 操作控制； 圖6B顯示另一圖表，說明根據本發明之一實施例中， 旋轉數目與距離的關係。 元件符號說明 10 處理室

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Claims (1)

1248109 六、申請專利範圍 1 · 一種應用蒸汽至一基板表面的方法，包含·· a ) ·將該基板繞著其中心點旋轉，該基板具有一圓周 邊緣； 〃 b ) ·使用一蒸汽流於該基板上，該蒸汽流係一開始使 用於該中心點至該基板的圓周邊緣之間之一點；以及 C ).將該蒸汽流以相對於使用該蒸汽流之基板面積的 目關速率在中心點與該圓周邊緣之間之一點移動。 2 ·如申請專利範圍第1項之應用蒸汽至一基板表面的 方法’更包含·· 在該基板上界定出複數個區域，每一區域具有相同的 面積； ^ 將忒蒸况流通過複數個該基板上所界定的區域的每一 而於該中心點與該圓周邊緣之間之一點移動； 其中該蒸汽流流經該基板上複數個區域中之每一個的 移動速率與該區域的面積相關。 3如申請專利範圍第之應用蒸汽至—基板表面的 控制該基板繞著該中心點的旋轉 、口 口、”尤 者該基板半徑的距離變換旋轉速率。 4·如申請專利範圍第3項之應 方法，其中該基板旋轉的控制包含界定、純，面白 區域，而該複數個區域包含—巾、、 2 ^ 之禝數伯 :巧板半徑的距離之至少-個較外側之圓形指環 域，使得該蒸汽流的移動速率與其旋轉速率其d

1248109 六、申請專利範圍 應於該複數個區域的每一個來控制。 5. 如申請專利範圍第2項之應用蒸汽至一基板表面的 方法，其中該複數個區域的每一個均具有相同的面積。 6. 如申請專利範圍第1項之應用蒸汽至一基板表面的 方法，其中該蒸汽流包含一水蒸汽的蒸汽流、乾水蒸汽的 乾蒸汽流以及蒸汽或乾蒸汽之混合物的霧流等其中之一。 7. 一種應用蒸汽至一基板表面的方法，其中包含： a).將該基板繞著其中心點旋轉，該基板並具有一圓 周邊緣； b ). 使用一蒸汽流於該基板上，該蒸汽流係一開始使 用於該中心點至該基板的圓周邊緣之間之一點；以及 c ). 將該蒸汽流通過沿著該基板半徑界定之複數個區 域而在該中心點與該圓周邊緣之間之一點移動。 8. 如申請專利範圍第7項之應用蒸汽至一基板表面的 方法，其中該蒸汽流的移動係與該複數個區域的每一個的 面積相關。 9. 如申請專利範圍第7項之應用蒸汽至一基板表面的 方法，其中該基板的旋轉率係與沿著該基板半徑之中心點 之間的距離相關。 10. 如申請專利範圍第7項之應用蒸汽至一基板表面 的方法，其中該複數個區域係根據沿著該基板半徑而與該 中心點之間的距離而由一中心圓形狀區域以及至少一個較 外側圓形指環狀區域所界定。 11. 如申請專利範圍第1 0項之應用蒸汽至一基板表面

第27頁 1248109 六、申請專利範圍 ~ 的方法，其中該一中心圓形狀區域以及至少一個圓形指環 狀區域具有相同的面積。 12·如申請專利範圍第7項之應用蒸汽至一基板表面 的方法’其中該蒸汽流包含一水蒸汽的蒸汽流、乾水蒸汽 的乾蒸汽流以及蒸汽或乾蒸汽之混合物的霧流等其中之 13. 種用以處理基板之包含剝除、清洗及製程之基 板處理設備，該基板具有一實質圓形平面基板處理表面， 該基板處理設備更包含： 喷嘴部’用以在該基板處理表面之中心區域與該外 側圓周邊緣之間移動時喷覆該基板處理表面，該噴嘴部具 f 一噴嘴操作控制，用以控制移動速度以及該喷嘴部的 動軌跡；以及 ^ :底部，該基板裝設於其上，係與該基板一同繞著如 ^ $疋轉轴般之該基板處理表面的中心區域旋轉，該底部 一有底部操作控制，用以控制該底部之旋轉速度。 除If ·如申請專利範圍第1 3項之用以處理基板之包含剝 ^ Μ二洗及製程之基板處理設備，其中該噴嘴操作控制係 Λ喷’與该基板處理表面之中心區域間的距離而定。 除、1f.、如申請專利範圍第1 3項之用以處理基板之包含剝 二摅Ϊ ί及製程之基板處理設備，其中該底部操作控制係 μ 、_與該基板處理表面之中心區域間的距離而定。 除、=·、如申請專利範圍第1 4項之用以處理基板之包含剝 'β洗及製程之基板處理設備，其中該噴嘴係於該基板

1248109 六、申請專利範圍 處理表面之半徑轴上線性移動。 17. 如申請專利範圍第1 4項之用以處理基板之包含剝 除、清洗及製程之基板處理設備，其中該喷嘴操作控制包 含將該基板處理表面根據與該中心區域間的距離而分割成 一個中心圓形區域以及至少一個較外側之圓形指環狀區 域，使得其移動速度與其旋轉速度其中之一分別對應於該 一中心圓形區域以及至少一個較外侧之圓形指環狀區域中 的每一個來控制。

18. 如申請專利範圍第1 5項之用以處理基板之包含剝 除、清洗及製程之基板處理設備，其中該底部操作控制包 含將該基板處理表面根據與該中心區域間的距離而分割成 一個中心圓形區域以及至少一個較外側之圓形指環狀區 域，使得其移動速度與其旋轉速度其中之一分別對應於該 一中心圓形區域以及至少一個較外側之圓形指環狀區域中 的每一個來控制。

19. 如申請專利範圍第1 7項之用以處理基板之包含剝 除、清洗及製程之基板處理設備，其中一個中心圓形區域 以及至少一個較外侧之圓形指環狀區域的分割方式係以均 分該基板處理表面之半徑軸來執行。 20. 如申請專利範圍第1 8項之用以處理基板之包含剝 除、清洗及製程之基板處理設備，其中一個中心圓形狀區 域以及至少一個較外側之圓形指環狀區域的分割方式係以 均分該基板處理表面之半徑軸來執行。 21. 如申請專利範圍第1 7項之用以處理基板之包含剝

第29頁 1248109 六、申請專利範圍 - -- 除、清洗及製程之基板處理設備，其中該一中心圓形區域 以及至少一個較外側之圓形指環狀區域具有相同的面積。 2 2·如申請專利範圍第1 8項之用以處理基板之包含剝 除、清洗及製程之基板處理設備，其中該一中心圓形區域 以及至少一個較外侧之圓形指環狀區域具有相同的面積。

2 3·如申#專利範圍第1 7項之用以處理基板之包含剝 除、清洗及製程之基板處理設備，其中該喷嘴操作控制包 含分割而得之喷嘴移動子速度之數目之噴嘴移動，而分割 而得之喷鳴移動子速度之數目係設定為對應至該基板處理 表面之分割區域數。 2 4·如申清專利範圍第1 8項之用以處理基板之包含剝 除、清洗及製程之基板處理設備，其中該底部操作控制包 含分割而得之旋轉檯子速度之數目的底部旋轉，而分割而 得之旋轉檯子速度之數目係設定為對應至該基板處理表面 所分割之區域數。

25.如申請專利範圍第2 3項之用以處理基板之包含剝 除、清洗及製程之基板處理設備’其中分割而得之噴嘴移 動子速度之數目係設定為相等於该處理中基板表面被分割 的區域數。 2 6.如申請專利範圍第2 4項之用以處理基板之包含剝 除、清洗及製程之基板處理設備’其中分割而得之旋轉檯 子速度之數目係設定為相等於該處理中基板表面被分割的 區域數。 2 7.如申請專利範圍第1 5項之用以處理基板之包含剝

第30頁 1248109 六、申請專利範圍 除、清洗及製程之基板處理設 含控制該底部之旋轉速度，以 心於一固定時間内選取該喷嘴 2 8· —種基板處理方法， 面基板處理表面的基板上進行 —的處理，其中包含： 當一喷嘴部在該基板處理 周邊緣之間移動時，以面向該 該基板之該基板處理表面； 將具有^一基板位於其上的 一旋轉軸般之該基板處理表面 控制移動速度及該噴嘴部 2 9·如申請專利範圍第2 8 移動速度及該喷嘴部移動的執 塗佈之基板處理面的面積而對 軌跡作改變。 3 0 · —種基板處理方法， 面基板處理表面的基板上進行 一的處理，其中包含： 當一喷嘴部在該基板處理 周邊緣之間移動時’以面向該 該基板之該基板處理表面； 將具有一基板位於其上的 一旋轉軸般之該基板處理表面 備，其 相對於 部的位置 包含在一 剝除 中該底部操 該基板處理 作控制包 表面的中 具有一實質圓形平 等其中之 表面之 處理中 底部與 的中心 移動的 項之基 跡的控 該喷嘴 包含在 剝除、 表面之 處理中 清洗及製程 中心區域與 基板表面的 該基板共同 區域旋轉； 執跡。 板處理方法 制包含根據 部之移動速 一具有一實 該外側圓 方式喷覆 繞著如同 以及 ，其中對 該喷嘴部 度及移動 質圓形平 清洗及製程等其中之 中心區域與 基板表面的 該基板共同 區域旋轉； 該外側圓 方式喷覆 繞著如同 以及 底部與 的中心

1248109 々、申請專利範圍 控制該底部之旋轉速度。 31.如申請專利範圍第3 0項之基板處理方法，其中對 該底部之旋轉速度的控制包含根據該喷嘴部塗佈之基板處 理表面的面積而對該底部之旋轉速度作改變。

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