JP2001209166A - フォトマスク製造用スピン処理装置 - Google Patents
フォトマスク製造用スピン処理装置Info
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
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Abstract
装置で連続的に処理可能にし、設備コストの低減、基板
サイズの変更に伴う作業量の低減および省スペース化を
図る。 【解決手段】処理槽3内に回転自在に装着された基板支
持台4と、該基板支持台に回転軸5を介して連結された
電動モータ6と、処理槽の上部に配設された現像液ノズ
ル21、エッチング液ノズル22および剥離液ノズル2
3とを備え、現像、エッチングおよび剥離の各工程終了
後、前記各ノズルから洗浄水を噴射する。
Description
表示装置やカラーフィルタ等の製造に用いられるフォト
マスク製造用スピン処理装置に属する。
(1)ガラス基板の全面にクロム、モリブデン等を主体
とした遮光層を塗布し、遮光層上にフォトレジストや電
子線レジストを塗布する工程、(2)前記レジストを紫
外線や電子線により所定のパターンに露光する工程、
(3)選択的に露光されたレジストを現像液により除去
してレジストパターンを形成する工程、(4)前記レジ
ストパターンをマスクにして遮光層をエッチングする工
程、(5)レジスト膜を剥離する工程等からなる。
グ工程、(5)の剥離工程は、通常、基板を回転(スピ
ン)させながら、処理液をスプレイ噴射し、処理が終了
した後、純水をスプレイ噴射するスピン処理装置が採用
されている。
クの製造工程において、(3)の現像工程、(4)のエ
ッチング工程、(5)の剥離工程は、それぞれ個別のス
ピン処理装置で処理されているため、設備コストが高い
とともに、基板のサイズが変更されると各設備において
サイズ変更のための調整作業が必要になり、また、設備
スペースが増大するという問題を有している。さらにフ
ォトマスクは大量生産品ではないため、設備の稼働率が
低く、設備の有効利用が課題となっている。
であって、現像、エッチングおよび剥離の各工程を一台
の装置で連続的に処理可能にし、設備コストの低減、基
板サイズの変更に伴う作業量の低減および省スペース化
を図ることができるフォトマスク製造用スピン処理装置
を提供することを目的とする。
項1記載のフォトマスク製造用スピン処理装置は、処理
槽3内に回転自在に装着された基板支持台4と、該基板
支持台に回転軸5を介して連結された電動モータ6と、
処理槽の上部に配設された現像液ノズル21、エッチン
グ液ノズル22および剥離液ノズル23とを備え、現
像、エッチングおよび剥離の各工程終了後、前記各ノズ
ルから洗浄水を噴射することを特徴とし、請求項2記載
の発明は、請求項1において、前記回転軸5の内部に形
成された洗浄水通路17と、該洗浄水通路に連通され基
板支持台の中央部に設けられた洗浄水ノズル17aを備
えたことを特徴とし、請求項3記載の発明は、請求項
1、2において、前記基板支持台4には、円板の中間部
を円弧状に切り欠きされた複数の切欠部4aが形成さ
れ、円板の外周縁に沿って、円柱の先端に突起18aを
有する一対の係止部材18が90°間隔で4組固定さ
れ、その内周側に位相をずらして同様の係止部材19が
90°間隔で4組固定されていることを特徴とする。な
お、上記構成に付加した番号は、本発明の理解を容易に
するために図面と対比させるものであり、これにより本
発明の構成が何ら限定されるものではない。
を参照しつつ説明する。図1〜図3は、本発明における
フォトマスク製造用スピン処理装置の1実施形態を示
し、図1(A)は模式的縦方向断面図、図1(B)は図
1(A)のBーB線に沿う断面図である。なお、各図面
間で同一の構成については同一番号を付けて説明を省略
する場合がある。
ジング2内に配設された処理槽3と、処理槽3内に回転
自在に装着された基板支持台4と、この基板支持台4に
回転軸5を介して連結された電動モータ6と、水平走行
レール7および昇降ロッド8により移動可能にされる基
板把持装置9と、処理槽3の上面を覆うカバー10と、
カバー10を上下方向に移動させる昇降ロッド11と、
ハウジング2内に配設された現像液タンク12、エッチ
ング液タンク13および剥離液タンク14を備えてい
る。基板把持装置9は、処理槽3の外部に移動して基板
15を把持し、水平走行レール7に沿って処理槽3の上
面に搬送され、昇降ロッド8により下降して基板支持台
4上に載置される。
図2(B)は同平面図である。基板支持台4はベース部
材16を備え、ベース部材16は回転軸5の上部に固定
されている。回転軸5および連結部材16の内部には洗
浄水通路17が形成され、ベース部材16の上面に洗浄
水ノズル17aが設けられている。前記基板支持台4に
は、円板の中間部を円弧状に切り欠きされた複数の切欠
部4aが形成され、円板の外周縁に沿って、円柱の先端
に突起18aを有する一対の係止部材18が90°間隔
で4組固定され、その内周側に45°位相をずらして同
様の係止部材19が90°間隔で4組固定され、これに
より、サイズの異なる基板15a、15bを係止可能に
している。
の裏面に洗浄水を噴射する洗浄水ノズル20が複数配設
されている。また、処理槽3の上部には、一対の現像液
ノズル21、エッチング液ノズル22、剥離液ノズル2
3が基板15に対して対向するように配設されている。
また、処理槽3の底面には排水管24が設けられてい
る。
を説明するための図である。現像液タンク12には窒素
ガスが供給され、これを駆動源としてバルブ(圧縮空気
により開閉される)の開閉により、現像液は、現像液ノ
ズル21から回転する基板15の表面に供給される。現
像工程が終了すると、バルブの切換により洗浄水が洗浄
水ノズル17a、20および現像液ノズル21から基板
15の表面および裏面に供給される。洗浄が終了する
と、基板15を所定時間回転させて乾燥させる。
22から回転する基板15の表面に供給され、エッチン
グ工程が終了すると、バルブの切換により洗浄水が洗浄
水ノズル17a、20およびエッチング液ノズル22か
ら基板15の表面および裏面に供給される。洗浄が終了
すると、基板15を所定時間回転させて乾燥させる。次
に、剥離液が剥離液ノズル23から回転する基板15の
表面に供給され、剥離工程が終了すると、バルブの切換
により洗浄水が洗浄水ノズル17a、20および剥離液
ノズル23から基板15の表面および裏面に供給され
る。洗浄が終了すると、基板15を所定時間回転させて
乾燥させる。処理槽3から排出される排液は、一旦、排
液槽25に貯留され、バルブの切換により洗浄水、現像
・剥離液およびエッチング液ごとに分離され、それぞれ
の排液成分の相違により処理が行われる。
よれば、現像、エッチングおよび剥離の各工程を一台の
装置で連続的に処理可能にし、設備コストの低減、基板
サイズの変更に伴う作業量の低減および省スペース化を
図ることができる。また、回転軸から基板の裏面中央部
に洗浄水を供給するため、基板の裏側に回り込む処理液
を効率的に除去することができる。さらに、各洗浄工程
において、現像液ノズル、エッチング液ノズルおよび剥
離液ノズルからも洗浄水を供給するため、各ノズルの目
詰まりを防止することができる。
装置の1実施形態を示し、図1(A)は模式的縦方向断
面図、図1(B)は図1(A)のBーB線に沿う断面図
である。
(B)は同平面図である。
めの図である。
Claims (3)
- 【請求項1】処理槽内に回転自在に装着された基板支持
台と、該基板支持台に回転軸を介して連結された電動モ
ータと、処理槽の上部に配設された現像液ノズル、エッ
チング液ノズルおよび剥離液ノズルとを備え、現像、エ
ッチングおよび剥離の各工程終了後、前記各ノズルから
洗浄水を噴射することを特徴とするフォトマスク製造用
スピン処理装置。 - 【請求項2】前記回転軸の内部に形成された洗浄水通路
と、該洗浄水通路に連通され基板支持台の中央部に設け
られた洗浄水ノズルを備えたことを特徴とする請求項1
記載のフォトマスク製造用スピン処理装置。 - 【請求項3】前記基板支持台には、円板の中間部を円弧
状に切り欠きされた複数の切欠部が形成され、円板の外
周縁に沿って、円柱の先端に突起を有する一対の係止部
材が4組固定され、その内周側に位相をずらして同様の
係止部材が4組固定されていることを特徴とする請求項
1または2記載のフォトマスク製造用スピン処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2000016915A JP4488322B2 (ja) | 2000-01-26 | 2000-01-26 | フォトマスク製造用スピン処理装置 |
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JP4488322B2 JP4488322B2 (ja) | 2010-06-23 |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006013156A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Hoya Corp | 基板処理装置及び基板処理方法並びにパターン形成方法 |
JP2007052300A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Pre-Tech Co Ltd | マスク基板用の洗浄装置及びそれを用いたマスク基板の洗浄方法 |
CN114554713A (zh) * | 2022-01-25 | 2022-05-27 | 富璟信息数字科技(深圳)有限公司 | 一种用于集成电路生产用的蚀刻设备 |
CN115722467A (zh) * | 2022-12-01 | 2023-03-03 | 常州瑞择微电子科技有限公司 | 掩模版侧边清洗装置 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS581934U (ja) * | 1981-06-26 | 1983-01-07 | 株式会社日立製作所 | フォトマスクの現像・エッチング装置 |
JPS62128529A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Hoya Corp | パタ−ン形成方法 |
JPS62199942U (ja) * | 1986-06-10 | 1987-12-19 | ||
JPH0363302U (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-20 | ||
JPH0466159A (ja) * | 1990-07-06 | 1992-03-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 回転式塗布装置 |
JPH06224173A (ja) * | 1993-01-21 | 1994-08-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 回転式基板処理装置 |
JPH06291098A (ja) * | 1993-03-31 | 1994-10-18 | Sony Corp | 基板洗浄方法 |
JPH07106240A (ja) * | 1993-10-01 | 1995-04-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板端縁処理装置 |
JPH07142307A (ja) * | 1993-06-15 | 1995-06-02 | Sigma Merutetsuku Kk | 薬液処理ステージ |
JPH09283508A (ja) * | 1996-04-18 | 1997-10-31 | Fujitsu Ltd | 剥離液及びそれを使用した半導体装置の製造方法 |
-
2000
- 2000-01-26 JP JP2000016915A patent/JP4488322B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS581934U (ja) * | 1981-06-26 | 1983-01-07 | 株式会社日立製作所 | フォトマスクの現像・エッチング装置 |
JPS62128529A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Hoya Corp | パタ−ン形成方法 |
JPS62199942U (ja) * | 1986-06-10 | 1987-12-19 | ||
JPH0363302U (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-20 | ||
JPH0466159A (ja) * | 1990-07-06 | 1992-03-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 回転式塗布装置 |
JPH06224173A (ja) * | 1993-01-21 | 1994-08-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 回転式基板処理装置 |
JPH06291098A (ja) * | 1993-03-31 | 1994-10-18 | Sony Corp | 基板洗浄方法 |
JPH07142307A (ja) * | 1993-06-15 | 1995-06-02 | Sigma Merutetsuku Kk | 薬液処理ステージ |
JPH07106240A (ja) * | 1993-10-01 | 1995-04-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板端縁処理装置 |
JPH09283508A (ja) * | 1996-04-18 | 1997-10-31 | Fujitsu Ltd | 剥離液及びそれを使用した半導体装置の製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006013156A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Hoya Corp | 基板処理装置及び基板処理方法並びにパターン形成方法 |
JP2007052300A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Pre-Tech Co Ltd | マスク基板用の洗浄装置及びそれを用いたマスク基板の洗浄方法 |
CN114554713A (zh) * | 2022-01-25 | 2022-05-27 | 富璟信息数字科技(深圳)有限公司 | 一种用于集成电路生产用的蚀刻设备 |
CN115722467A (zh) * | 2022-12-01 | 2023-03-03 | 常州瑞择微电子科技有限公司 | 掩模版侧边清洗装置 |
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