JPH07142307A - 薬液処理ステージ - Google Patents

薬液処理ステージ

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Publication number
JPH07142307A
JPH07142307A JP16860193A JP16860193A JPH07142307A JP H07142307 A JPH07142307 A JP H07142307A JP 16860193 A JP16860193 A JP 16860193A JP 16860193 A JP16860193 A JP 16860193A JP H07142307 A JPH07142307 A JP H07142307A
Authority
JP
Japan
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substrate
stage
photomask
height
developer
Prior art date
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Pending
Application number
JP16860193A
Other languages
English (en)
Inventor
Michiaki Takano
径朗 高野
Kaoru Kanda
薫 神田
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SIGMA MERUTETSUKU KK
Original Assignee
SIGMA MERUTETSUKU KK
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ホトマスクの裏面を汚染することなく安全に
保持し、また薬液流出の少ないパドル処理を可能とした
薬液処理ステージを提供することである。 【構成】 被処理基板を載置するステージと垂直部上端
の高さが前記被処理基板の上面より低い保持具と前記被
処理基板の底面を支える支持具からなることを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体、液晶パネルおよ
びそれらのホトマスク等角型基板の薬液処理装置のステ
ージに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体用ホトマスクを例にとり説明す
る。最新の半導体用のホトマスクは152mm正方で厚
み6.3mmのガラス基板に約1000オングストロー
ムのクロム膜をスパッタし、その上にレジストを塗布し
て描画装置でパターンを描画した後、レジストの現像処
理、クロム膜のエッチング処理、レジスト剥離を順次行
って完成する。
【0003】レジストの現像処理について本発明を説明
する。従来の現像方法は、露光後のホトマスクを現像装
置のステージに水平に載置して低速に回転しながら現像
液をスプレして露光部のレジストを選択的に除去した
後、純水をスプレして洗浄し、最後にステージを高速回
転して乾燥を行うスプレ方式の現像であった。
【0004】しかし、この従来のスプレ方式の現像で
は、ICの高集積化に伴い十分な均一性と寸法精度が得
られなくなったので、ホトマスク上に現像液を液盛りし
て静止状態で現像を行うパドル方式が新しい現像方式と
して注目されている。
【0005】このパドル方式の現像では、ホトマスク底
面の中央部を強い力で真空吸着してステージに保持する
ため,ホトマスクの裏面にゴミが付着するという欠点が
ある。
【0006】また、乾燥時の回転数1500〜2000
RPMでステージを高速回転した時、ホトマスクが32
5グラムと重いので真空吸着法ではマスクを十分保持で
きないという欠点があった。
【0007】また、ホトマスクの4つのコーナを保持具
で保持する方法は安全で確実ではあるが、保持具を伝わ
って現像液が流出してしまいパドル現像ができないとう
欠陥があった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ホト
マスクの裏面を汚染することなく安全に保持し、また薬
液流出の少ないパドル処理を可能とした薬液処理ステー
ジを提供することである。
【0009】
【問題を解決するための手段】本発明は、被処理基板を
載置するステージと垂直部上端の高さが前記被処理基板
の上面より低い保持具と前記被処理基板の底面を支える
支持具からなることを特徴とする。
【0010】
【実施例】以下本発明を図面を参照して説明する。図1
aは本発明のステージの斜視図、図1bは本発明のステ
ージにホトマスクを載置した平面図、図2は本発明のス
テージの拡大図である。
【0011】十字型をしたステージ1にホトマスク5の
下面を支えるピン2a〜dと、ホトマスク5のコーナを
保持するピン3a〜hが固定されている。
【0012】軸10を回転しながらノズル(図示され
ず)から現像液をスプレーしてマスク5に液盛りした
時、保持ピン3の垂直部上端4の高さをマスク5の上面
より低くすることにより、液盛りした時現像液6の流出
が少なくなり、厚み1〜3mmの液を確保することがで
きる。
【0013】被処理基板が面取りされている場合、面取
り垂直部上端9の高さより保持ピン3の垂直部上端4を
低くすれば一層効果的に薬液の流出を少なくすることが
できる。
【0014】ネジ7とナット8により支持ピン2の高さ
を自在に調整してステージ1に固定し、ホトマスク5を
水平にすることによって現像液6のかたよりをなくして
均一にし、面内の寸法精度を良くする。
【0015】上記説明では基板が半導体用ホトマスクの
場合について述べたが、本発明はこれに限定されるので
はなく、角型基板であれば全く同様に実現できる。
【0016】また、上記説明では保持ピン3が円柱であ
る場合について述べたが、角柱でも全く同様に実現でき
る。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は次のよう
な効果を奏するものである。保持具で被処理基板を確実
に保持し、薬液の流出を少なくして静止状態での薬液処
理を可能とし、均一で高精度のパターンが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1a】本発明のステージの斜視図である。
【図1b】本発明のステージにホトマスクを載置した平
面図である。
【図2】本発明のステージの拡大図である。
【符号の説明】
1…ステージ、2a〜d…支持ピン、3a〜h…保持ピ
ン、4…垂直部上端、5…ホトマスク、6…現像液、7
…ネジ、8…ナット、9…面取り垂直部上端、10…
軸。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 角型基板を水平に載置して薬液処理する
    ステージにおいて、被処理基板を載置するステージと垂
    直部上端の高さが前記被処理基板の上面より低い保持具
    と前記被処理基板の底面を支える支持具からなることを
    特徴とした薬液処理ステージ。
  2. 【請求項2】 保持具の垂直部上端の高さが前記被処理
    基板の面取りの垂直部上端の高さより低いことを特徴と
    した請求項1記載の薬液処理ステージ。
  3. 【請求項3】 支持具が高さ調整手段を具備したことを
    特徴とした請求項1記載の薬液処理ステージ。
JP16860193A 1993-06-15 1993-06-15 薬液処理ステージ Pending JPH07142307A (ja)

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JP16860193A JPH07142307A (ja) 1993-06-15 1993-06-15 薬液処理ステージ

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0921587A (ja) * 1995-07-04 1997-01-21 Shibaura Eng Works Co Ltd スピン乾燥処理装置
JP2001209166A (ja) * 2000-01-26 2001-08-03 Dainippon Printing Co Ltd フォトマスク製造用スピン処理装置
JP2011187726A (ja) * 2010-03-09 2011-09-22 Oki Semiconductor Co Ltd ウェハ処理装置、ウェハ処理方法及びハンドリングアーム

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