TWI245082B - Electrolyte solution for manufacturing electrolytic copper foil and electrolytic copper foil manufacturing method using the same - Google Patents

Description

1245082 玖、發明說明： 發明所屬之技術領域 本發明係關於一種電解液，其用於製造二級電池集極和 印刷電路有關之電解銅箔，並關於利用前述相同的電解液 製造之電解銅箔’及前述電解銅箔製造方法。 先前技術 使用電解銅箔之印刷電路板常用做精確的控制電路，而 廣泛運用在多種電子產品、電子傳輸裝置如收音機、電視、 電腦、電話交換、無線電話機等。近來，因印刷電路板的 整合積極度提高’電路板漸趨微小及多層化。特別，在晶 片薄膜接合（COF)和軟片自動接合(TAB)兩方面來說，電解 銅箔是高度需求品，電解銅箔並廣泛的被作爲二級電池的 收集電極，以改善它的物理特性。 大致來說，電解銅箔是以電解方法製造的，其係經由金太 組成之圓柱體陰極（也叫做鼓），以鉛合金維持特定間隔 或氧化銥覆蓋之鈦所組成之陽極，以及包含一電解液及電 源之電解槽，而製造出來。電解液是由硫酸和/或硫酸銅 組成。當旋轉著圓柱體陰極而DC流於陰極及陽極間，銅 被電解沉積在陰極上，所以持續地產生電解銅箔。因此， 用電解方法把銅離子還原成金屬的程序叫做薄膜程序。 接下來，當必要時，利用絕緣基材來增加附著力，從薄 膜程序獲得之電解銅箔可通過額外的表面處理程序’包含 一粗糙處理程序（也稱作爍粒nodule處理程序）’ 一非增 生的程序去防止銅離子被急速增加’ 一反腐蝕程序去防止 11920pif.doc/〇〇8 6 1245082 來自外部的氧化作用，一化學附著力改善程序以補足對絕 緣基材附著力。如果通過表面處理程序，電解銅箔可用於 低稜線印刷電路。如果只有完成表面處理程序的反腐蝕性 程序，電解銅箔會用於二級電池。 假使電解沉積銅箔被用在印刷電路上，在表面處理後， 銅箔供應到印刷電路板（PCB)程序製造商而以薄片貼附於 絕緣基材。然而，如果供給二級電池使用，銅箔只要經反 腐蝕性程序即可供應到二級電池製造商。 爲了使銅箔適合用於精細及高整合性PCB電路，銅箔 接觸到絕緣基材的表面應該有適當小粗糙度。另外，當接 合電解銅箔與絕緣基材時，如果銅箔因爲熱脹或收縮產生 應力，加上銅箔已薄片化成多層，會導致鄰近的銅箔摩擦 而產生刮痕。更嚴重，銅箔會從絕緣基材脫落或導致電路 損壞，或者PCB可能扭曲或變形。爲了保護銅箔不受這 些問題影響，銅箔需具有適當的延展性，以避免高溫突然 破壞其機械性強度。當電解銅箔作爲二級電池的集極，電 極材料應該覆蓋銅箔的兩側。在此狀況下，如果電解銅箔 的兩邊有不一樣的粗糙度，兩邊電池特性會不一樣。因此， 電解銅箔的兩側具有相同或相似的租糙度是必要的。此 外’爲了減少電池重量和製造費用及增加電池能量密度， 電解銅箔應該製造成薄形。就算銅箔很薄，仍須在高溫具 足夠的機械性強度和延展度，才不會在後續處理程序變 爲了達到以上的要求，習知建議一種製造電解銅箔的方 11920pif.doc/008 7 1245082 法，其以增加多種的有機添加物到電解液來製造電解銅 箔。舉例來說，美國專利號第5431803號建議降低表面粗 糙度，提供一個製造電解銅箔的方法，其維持氯離子的濃 度在一公升的電解液少於一公克。然而，依據美國專利號 第543 1803提出技術所製造之電解銅箔，在室溫機械性強 度61kgf/mm2至84kgf/mm2和180 °C下機械性強度 17kgf/mm2至25 kgf/mm2，表面處理有表面粗糖度Rmax 大約6微米。所以，這並不適合用於二級電池。而且，當 完成一個連續運作，而仍需維持氯離子的濃度在一公升的 電解液少於一公克是相當困難的。 發明內容 本發明的目的之一即是提供印刷電路所用電解液，運用 前述相同的電解液製造之電解銅箔，及其製造方法，以根 據電解液添加物控制電解銅箔兩側有著一樣或相似的糙粗 度，和控制電解液添加物的量而避免在高溫下有突然強度 改變。 本發明的另一目的即是提供一種電解液，其用於製造電 解銅箔，並關於利用前述相同的電解液製造之電解銅箔， 及前述電解銅箔製造方法，其在薄膜狀態具有2.0微米左 右Rz値粗糙度之一粗糙表面，並避免在高溫下有突然強 度改變。 實施方式 爲了完成上述目標，本發明提供一種電解液，該電解液 用以製造電解銅箔。並提供經由前述電解液而產生之一電 11920pif.doc/008 8 1245082 解銅箔，以及提供前述電解銅箔製造方法。電解液包含至 少一種物質選自硫酸和硫酸銅，其藉電解法製造電解銅 箔；該製造電解銅箔之電解液，若以1公升電解液爲基礎’ 包括有：0.5毫克至40毫克至少一硫化合物選自於雙硫化 合物、雙烷基氨基-T-甲氧基-硫烷磺酸（dialkylamino-T-oxomethyl-thioalkan sulfonic acid)和硫院碯基酸鹽；1 鼋克 至1000毫克至少一種以上有機化合物選自於聚次烴基乙 二醇型（poly alkylene glycol-type)之介面活性劑及低分子 膠所組成的群體；以及添加0·1毫克至80毫克的氯離子。 大體來說，製造印刷電路所用之電解銅箔的程序分成薄 膜程序（thin film process)和表面處理程序。 薄膜程序通常在電鑄槽（electr〇f〇rming cell)進行。在電 解槽內，半圓柱體陽極和圓柱體旋轉陰極係以若干的間隔 安排，而且電解液持續地供應在陽極和陰極間。經通入DC 於陰極及陽極之間，電解液的銅離子被還原成金屬，而在 陰極上具有特定的厚度。接下來，（未沉積的）銅箔會自陰 極的表面脫落，而不必通過後續處理程序。鉛合金被廣泛 地使用在陽極，但最近由於鉛氧化物的腐蝕會改變陰陽極 之間隔，因此，銥氧化物覆蓋鈦材料之使用漸多。陰極材 料多用鐵鍍在鉻上，然而最近，也有使用鈦覆蓋之不銹鋼 質料來延長使用壽命。 接下來，爲提供被要求的特性，若有必要可將沒有 沉積的銅箔經由反應器的額外處理程序。這個處理程序包 括一粗糙度處理程序，以在銅箔薄片貼合至絕緣基材時增 11920pif.doc/008 9 1245〇82 加附著力，一個非增生的程序以避免銅離子被急速增加， 和一個反腐飩的過程以防止在儲存、搬運或銅箔和絕緣基 材的貼合程序時氧化。在本文中，會對前述的程序有更完 整的敘述。前述的程序在具有陽極的反應器中進行，而經 週這些程序後會獲得一表面處理過之銅箔。 供應在陽極及陰極間之電解液是硫酸銅溶液，其一公升 混合組成如下·· 銅濃度是在50克和110克之間，較佳是在60克和100 克之間。硫酸濃度是在80克和200克之間，較佳是在90 克和120克之間。電解液的溫度是在40°C和80°C之間。 電流密度是在40A/dm2和ΙΟΟΑ/dm2之間；較佳是在50A/dm2 和85A/dm2之間。如果，銅濃度少於50克，電解沉積銅 箔的表面粗糙且會形成粉末而降低生產力。然而如果超過 11〇克，電解液會結晶化，減低工作效率。如果硫酸濃度 少於80克，則所用電壓升高而使生產費用增加。電解液 的溫度升高，也會導致損害銅箔的機械性強度。如果硫酸 濃度超過200克，縱使電解電壓降低，電解液也有高度腐 蝕傾向，因此會快速腐蝕電解銅箔電極。 而，電解液包含一硫化合物，其濃度0.5毫克到40毫 克，且電解液包含至少一種以上有機化合物選自於1毫克 到1000毫克濃度之聚次烴基乙二醇型之介面活性劑及添 加物低分子膠。另外，添加氯離子之濃度在0.1毫克到80 毫克的範圍。 更佳，可用氮化合物來增加電解液製造電解銅箔的強 11920pif.doc/008 10 1245082 度。以硫尿素衍生物來說，它就是氮複合物，雜茂硫酮IM (2-imidazolidinethione)使用範圍0.1毫克到8毫克。至於 聚次烴基乙二醇型之介面活性劑，可使用聚乙烯型（poly ethylene-type)、聚丙烯型(poly propylene-type)或聚丁烯型 (poly butylenes-type)之介面活性劑，其中特別是聚乙二醇 可說是代表性的聚乙烯型之介面活性劑。 雙硫化合物和雙烷基氨基-T-甲氧基-硫烷磺酸，或硫烷 磺基酸鹽都包括在硫化合物之中。雙硫化合物包括雙-(3-磺基丙基雙亞硫酸鈉鹽 SPS(BiS-(3-dulf〇pr〇pyl)-diSiilfide， disodiimi salt)，而雙烷基氨基-T-甲氧基-硫院磺酸，或其 鹽類可包含雙硫氨基甲酸(dithiocarbamic acid)或其鹽類， 且以N，N-雙甲基雙硫氨基甲酸（3-磺丙基）酯鈉鹽DPS (N， N-Dimethyldithiocarbamic acid(3-sulfopropyl)ester, sodium salt)是代表性化合物。雙烷基氨基-T-甲氧基-硫烷磺酸或 其鹽類的公式顯示在化學式1中，而DSP的化學式當作是 代表性範例而顯示在化學式2，而SPS的化學式顯示在化 學式3中。 化學式1

R/,

S-(CH2)nS03X ，其中’R’在化學式中代表一個烷基(碳原子數1〜6)，’η’ 是2〜3 (乙烷、丙烷）以及’X’代表氫或鹼金屬。 11920pif.doc/008 11 1245082 化學式2 h3Q, 1 〇 N— C—S\ h3c ds〇3X H2 H2 化學式3 S—CHfCH2、CH/S〇3Na s—CH2、CHfCH2、S03Na 在上述的添加物之中，硫化合物和介面活性劑的作用是 很重要的，因爲這些化合物對表面粗糙度和伸展性的張力 直接的影響。相較於一般用膠或明膠附加的電解銅箔，硫 化合物通常顆粒小，且可細緻化顆粒或作爲光亮劑 (brightener)。附加的介面活性劑之作用，係搬運或是電解 沈積整平劑，以降低電解銅箔黯淡表面的表面粗糙度，及 影響電解沈積。在此情況下，介面活性劑會吸附至電極突 出的部分，而搬運硫化合物（作光亮劑）至陰極表面，因 而抑制突出的部分增大，也就打斷增長之過程。而硫化合 物會細緻化顆粒，首先作用在電解沈積表面的微小凹陷部 分，使得銅離子先被還原和沈積於此，而控制電解沈積表 面的粗糙度。 硫尿素衍生物，本發明之氮化合物，用以抑制銅筢在室 11920pif.doc/008 12 1245082 溫或高溫下的結晶生長，藉著共析處理（eutectoid-processing)氮在電解沈積層上，以防止（伸展性)強度惡化。 因此，當添加氮化合物(硫尿素衍生物）時’可避免(伸展性） 強度變化。所以，可依此來減少電解銅箔處理或製造印刷 電路之缺陷比例。甚至，可以藉著控制添加物量改變（伸 展性)強度，而調整電解銅箔的物理特性。 根據本發明之電解銅箔，如果其沒有被沈積，則粗糙表 面（暗面）的粗糙度之R値範圍爲2·〇微米。Rz以IPC TM 650 2.2.17A之方法測量。至於其他通過表面處理銅箔，其粗 糙表面的粗糙度之Rz値在1.0〜3.5微米範圍內。因爲銅箔 的鼓面（亮面）的粗糙度値根據鼓面拋光而產生，故無特殊 限制。 爲了增加對絕緣基材的附著作用’如果有必要，上述未 沈積的銅箔可通過額外的表面處理程序，包括一粗糙度處 理程序（也叫做爍粒處理程序），一非增生程序防止銅離子 急速增加，一個反腐蝕程序防止氧化作用。如果經過表面 處理程序，電解銅箔可用於低稜線印刷電路，然而，如果 只有經過反腐鈾性程序，電解銅箔可用於二級電池。 粗糙度處理程序包含兩個步驟或是三個步驟。在第一步 驟，製造微小的粉末核心，而第二步驟中接合粉末與銅箔， 因粉末對銅箔上沒有附著力。第三步驟，再將一微小的突 出賦予接合粉末。第一個步驟如下：以一公升的電解液爲 準，銅濃度是在10克到40克之間，較佳是在15克到25 克之間。硫酸濃度是在40克到150克之間，較佳是在60 11920pif.doc/008 13 1245082 克到100克之間，而且電解液的溫度是在20°c到40°c之 間。 電流密度在20A/dm2到ΙΟΟΑ/dm2之間，較佳是在 40A/dm2到80A/dm2之間。第二步驟如下：銅濃度是在50 克到110克之間，較佳是在55克到100克之間。硫酸濃 度是在80克到200克之間，較佳是在90克到120克之間。 電解液的溫度是在40 °C到80 °C之間。電流密度是在 20A/dm2 到 ΙΟΟΑ/dm2 之間，較佳是在 40A/dm2 到 80A/dm2 之間。非增生的程序如下：爲防止銅離子被急速增加，以 多種單一金屬如鋅、鎳、鐵、銘、鉬、鎢、錫、銦和鉻(chrome)， 或以二或二種合金形成一阻障層。 然後，爲防止在儲存、搬運或銅箔和絕緣基材的貼合薄 片程序時發生氧化，會進行反腐蝕程序。反腐蝕性程序以 鉻酸、重鉻酸鈉鹽，重鉻酸鉀鹽，重鉻酸酐等，進行鉻酸 沈積。接下來，會執行一增加化學凝聚力的程序。 此外’可進行化學附著力改善程序以加強對絕緣基材的 附著力。而，相關有用的附著加強劑如矽烷連接劑 (RSiX3 )’ 過氧化石夕化合物 silicon peroxygen ( R4-nSi (OOR’ ） η )，含鉻附著加強劑 ((RC02H30HCr0HCrH0H2)20H)，一個有機含鈦附著力口 強劑（（C4H9CHC2H5CH20)4Ti)，一個有機含磷酸附著加 強劑（R02P(OH)2)和其他的種類。 實施例 在下文’本發明會敘述關於實施例及比較例子之細節。 11920pif.doc/008 14 1245082 在此，符號’g/L’代表以一公升的電解液而言’其中一適當 物質的含量。 以薄膜程序而言，電解液之組成如表1所示。電解液的 銅濃度是80g/L，硫酸濃度是90g/L，電解液的溫度是45 °C。添加物敘述在表1已被加入。電流的密度是在6〇A/dm2 電解沈積，且氯離子維持在25mg/L。 在實施例1中，硫化合物是6mg/L之N，N-雙甲基雙硫 氨基甲酸（3-磺丙基）酯鈉鹽DPS，且聚次烴基乙二醇型介 面活性劑是lmg/L之聚乙二醇PEG。 在實施例2中，硫化合物是lmg/L之雙-(3-磺基丙基)-雙亞硫酸鈉鹽SPS，且聚次烴基乙二醇型介面活性劑是 30mg/L之聚丙二醇PPG。 在實施例3中，硫化合物是30mg/L之DPS，且聚次烴 基乙二醇型介面活性劑是30mg/L之PEG。 在實施例4中，硫化合物是5mg/L之雙-(3-磺基丙基)-雙亞硫酸鈉鹽SPS，且聚次烴基乙二醇型介面活性劑是 lmg/L 之 PEG。 在實施例5中，硫化合物是3mg/L之DPS，且聚乙二 醇型介面活性劑是使用800ml/L之PPG和5mg/L之分子 重量小於6000克之低分子膠。 在實施例6中，硫化合物使用5mg/L之SPS，而氮化合 物爲使用添加 〇.5mg/L 之 IM (2-imidazolidinethione，其爲 硫尿素衍生物），且25mg/L之PEG作聚乙二醇型介面活 性劑。 11920pif.doc/008 15 1245082 在實施例7中，使用3mg/L之SPS和5mg/L之DPS當 作硫化合物，且使用30mg/L之PEG和30mg/L之PPG作 聚乙二醇型介面活性劑。 依照上述組成製備的電解液，配合一氧化銥覆蓋之鈦陽 極，以及一旋轉圓柱體鈦陰極，而經由如表1所示之電解 狀態，可個別地獲得對應實施例1到7條件之未沈積的銅 箔。 以硫化合物而言，當其範圍超過40mg/L時，會由於粗 糙表面的表面粗糙度增加，而有Rz値超過2.0微米的傾 向。當硫化合物少於0.5 mg/L時，表面粗糙度不會減低， 反而會增加粗糙度並減低伸展度。至於聚乙二醇型介面活 性劑，其在lmg/L至1000mg/L的範圍，有可能減低粗糙 表面的表面粗糙度。更佳，介面活性劑濃度在lmg/L至 300mg/L的範圍，可獲得一適合的表面粗糙度。但在這個 情況下，需依照其量來控制使用電流密度在較高或較低的 方法。關於硫化合物和聚乙二醇型之介面活性劑，如果濃 度高於上述的最高限度，表面粗糙且有燒焦現象（電解沈 積爲粉末狀）發生。因此，可能無法用來製造一個令人滿 意的電解銅箔。 爲控制製造的電解銅箔的硬度，較佳是電解液中額外包 括氮化合物於〇.lmg/L至8mg/L範圍。如果添加的量太少， 硬度僅會略微提高，而如果太多，硬度會較高但表面粗糙 度會上升，而減低延展度。 而關於各別未沈積的銅箔，根據IPC TM 651 2.2.17A方 11920pif.doc/008 16 1245082 法測量表面粗糙度Rz，根據ipc ΤΜ 650標準程序方法在 室溫（25°C )和180°C測量銅范的延展度和伸展張力，表 2顯示測量結果。 接下來，針對根據實施例1至7獲得之未沈積的銅箔進 行一表面處理程序。第一，進行一非增生程序，氰化鈉 110g/L，氫氧化鈉60g/L，氰化銅90g/L和氰化鋅5.3g/L， 在5〇°C、ΡΗ 11·0至II·5下，電流密度5A/dm2下被電解 沈積10秒。而進行一反腐蝕程序，在PH4.5、電流密度在 0.5A/dm2下測量10g/L重鉻酸鈉1〇秒。 比較對照例 電解液的組成和氯離子濃度和以上的實施例相同。關於 對照例1 :添加分子量少於六千之低分子膠2mg/L。關於 對照例2 :添加TU (硫尿素）lmg/L和分子量少於六千之 低分子膠2mg/L。關於到照例3 :個別地加入50mg/L之 SPS、30mg/L之PEG。至於對照例4 :個別加入DPS 3mg/L 和 PPG 1500mg/L。 在表1敘述的電解條件狀態下，根據對照例1至4 已獲得對應之未沈積的銅箔，與未沈積的銅箔之表面粗糙 度Rz和Rmax，且以IPC IM 650 2.4.18A方法在室溫（25 °C )和180°C測量延展度和伸展張力。在表2可看到測量 結果。接下來，根據對照例1至4所獲得對應之未沈積的 銅箔會進行一表面處理程序。 表2呈現銅箔的物理特性對照比較’該些銅箱係分 別根據表1所示的實施例與對照例之條件而獲得。 11920pif.doc/008 17 1245082 如表2所示，根據本發明的實施例’硫化合物可控 制粗糖表面具有少於2.0微米的粗糙度（Rz)。因此’可 以控制硫尿素衍生物（氮化合物）的量相似地維持鼓表面 的粗糙度（Rz)和改變（伸展）強度’因此能製造爲了各 種目的而使用之電解銅箔。 表1 添加物 溶液組成~~ SPS (mg/L) DPS (mg/L) IM (mg/L) PEG (mg/L) PPG (mg/L) 低分子 膠 (mg/L) TU (mg/L) Cl- (mg/L) 銅 (g/L:Ion) 硫酸 (g/L) 實施例1 - 6 - 1 - - - 25 80 90 實施例2 1 - - 30 - - - 實施例3 - 30 - 30 - - - 實施例4 5 - - 1 - - - 實施例5 - 3 _ - 800 5 - 實施例6 5 - 0.5 25 - - - 實施例7 3 5 - 30 30 - - 對照例1 - - - - - 2 - 對照例2 - - - - - 2 1 對照例3 50 - - 30 - - - 對照例4 - 3 - - 1500 -

電流密度：60A/dm2，溶液溫度：45°C DPS = N，N-雙甲基雙硫氨基甲酸（3-磺丙基)酯鈉鹽 SPS :雙-(3-磺基丙基）-雙亞硫酸鈉鹽 IM : 2-雜茂硫酮 2-imidazolidinethione 18 11920pif.doc/008 1245082 PEG :聚乙二醇 PPG :聚丙二醇 低分子膠： 分子量少於六千之膠 TU :硫尿素 表2 粗糙表面 的 表面粗糙 度 鼓面的 表面粗糙 度 伸展張力 (室溫） 延展度 (室溫） 伸展張力 (180°C) 延展度 (180 °〇 (Rz:微 米） (Rz:微米） (kgf/mm2) (%) (kgf/mm2) (%) 實施例1 1.52 1.68 33.2 8.9 22.5 7.6 實施例2 1.83 1.76 29.5 9.6 20.9 8.0 實施例3 1.42 1.84 33.4 12.9 22.2 14.4 實施例4 1.88 1.91 30.4 12.9 20.6 10.6 實施例5 1.81 1.79 31.4 4.1 18.4 3.1 實施例6 0.50 1.75 33.2 11.4 23.6 6.0 實施例7 1.14 1.55 32.0 8.8 20.6 4.2 對照例1 3.53 1.81 37.1 5.6 22.8 2.2 對照例2 1.9 1.85 49.0 1.5 22.0 1.9 對照例3 2.23 1.88 34.2 1.9 22.2 3.5 對照例4 2.38 1.79 13.9 0.23 16.9 1.2 如表2所示之實施例1至7，依據本發明實施例製造的 電解銅箔在薄膜狀態之粗糙表面的表面粗糙度Rz値在2.0 19 11920pif.doc/008 1245082 微米範圍內。這也證實在室溫伸展張力不會在高溫（180〇 快速改變。 本發明結果 如果未沈積的話，依據本發明電解銅箔粗糙表面的粗糙 度Rz値在2.0微米範圍內。然而，如果銅箔通過表面處 理程序，則其粗糙表面的粗糙度Rz値在1.〇〜3.5微米範圍 間。所以，依據本發明之電解銅箔在粗糙表面有一個相對 較低的粗糙度，且電解銅箔的兩邊有相似的粗糙度。 雖然從前製造的電解銅箔在室溫下可維持良好張力，但 在高溫（180°C)時，會有伸展張力快速惡化的問題。然而， 依據本發明之電解銅箔就算是在高溫也沒有呈現任何突然 的伸展（強度）張力改變。因此，依據本發明電解銅箔是適 合使用於精密高整合性的PCB電路。 此外，當使用做二級電池集極時，因爲電解銅箔兩邊的 粗糙度是相似的’因此能獲得一個更穩定的電池特性。依 據本發明電解銅箔可防止伸展強度因溫度的升高而突然降 低，而在室溫和高溫下均有良好的延展特性。因此，這個 不會在未來後續處理程序變形或扭曲，也不會產生短路。 依據本發明電解銅箔適於使用作爲二級電池集極或印刷電 路。 雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神 和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者爲準。 11920pif.doc/008 20

Claims (1)

1245082 爲第專利範圍^劃線修正本 土丈 I 拾、申請專利4圍： —ι :麽正臼期:94年3月25曰 说3 .匕〆 1·一種利用電解法以製造一電解銅箔之電解液，該電解 液包含至少一種物質選自硫酸或硫酸銅，以一公升的電解 液爲基礎，包含： 〇·5笔克至40毫克之至少一硫化合物選自於雙硫化合 物又丨兀基熱基-Τ-甲興基_硫院擴酸和硫院磺基酸鹽，其中 β又ftiL·化5物爲雙-(3-磺基丙基）-雙亞硫酸鈉鹽sps (Bis-(3-sulfopropyl).disulfide ^ disodium salt); 1毫克至1000毫克之至少一種以上有機化合物選自於聚 次烴基乙二醇型之介面活性劑及低分子膠所組成的群體； 以及 ， 添加0.1毫克至80毫克的氯離子。 2·如專利申請範圍第1項所述之利用電解法以製造一電 角牛銅泊之電解液，其中雙院基氨基-T-甲氧基-硫院擴酸和其 硫烷磺基酸鹽類，是雙硫氨基甲酸或其鹽類。 3·如專利申請範圍第1項所述之利用電解法以製造一電 解銅箔之電解液，其中該電解液之添加物更包括0」毫克/ 公升至8毫克/公升之硫尿素衍生物，其爲一種氮化合物。 4.如專利申請範圍第1項所述之利用電解法以製造一電 解銅箔之電解液，其中該有機化合物爲聚次烴基乙二醇型 之介面活性劑。 5·—種製造一電解銅箔之方法，該方法包括下列步驟： A)製備一電解液，該電解液添加0.5毫克至40毫克之至 少一硫化合物，其選自於雙硫化合物、雙烷基氨基-T-甲氧 11920pif.doc/008 21 1245082 基-硫烷磺酸和硫烷磺基酸鹽，其中該雙硫化合物爲雙-(3-磺基丙基）-雙亞硫酸鈉鹽 SPS (Bis-(3-sulfopropyl)-disulfide，disodium salt)，1 毫克至 1000 毫克之至少一種以上有機化合物選自於聚次烴基乙二醇型 之介面活性劑及低分子膠所組成的群體，以及添加0.1毫克 至80毫克的氯離子，以一公升的電解液爲基礎； B)在陽極和陰極之間注入該電解液之後，通入電流以在 陰極產生該電解銅箔。 6. 如專利申請範圍第5項所述之製造一電解銅箔之方 法，其中雙烷基氨基-T-甲氧基-硫烷磺酸是雙硫氨基甲酸， 而其硫烷磺基酸鹽類是雙硫氨基甲酸鹽類。 < 7. 如專利申請範圍第5項所述之製造一電解銅箔之方 法，其中該電解液更包括0.1毫克/公升至8毫克/公升之硫 尿素衍生物，其爲一種氮化合物。 11920pif.doc/008 22