JP6346244B2 - 電解銅箔、電解銅箔の製造方法、銅張積層板、プリント配線板、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電解銅箔、電解銅箔の製造方法、銅張積層板、プリント配線板、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法に関する。

プリント配線板は銅箔に絶縁基板を接着させて銅張積層板とした後に、エッチングにより銅箔面に導体パターンを形成するという工程を経て製造されるのが一般的である。近年の電子機器の小型化、高性能化ニーズの増大に伴い搭載部品の高密度実装化や信号の高周波化が進展し、プリント配線板に対して導体パターンの微細化（ファインピッチ化）や高周波対応等が求められている。

電解銅箔を用いて上述のような導体パターンの微細化を実現するために、従来、電解銅箔を製造するための電解液に光沢剤を添加して析出面側の表面が平滑な電解銅箔を作製し、当該表面に回路を形成していた（特許文献１）。

特開２００４−１６２１７２号公報

しかしながら、上述のように電解銅箔を製造するための電解液に光沢剤を添加して析出面側の表面が平滑な電解銅箔を作製し、当該表面に回路を形成する場合、光沢めっきに含まれる添加剤の影響で、電解銅箔製造時に常温での再結晶およびそれに伴う収縮により銅箔にシワが発生しやすい。そして、当該シワが発生した場合、その後の電解銅箔を樹脂基板と貼り合わせるときにもシワが発生する問題がある。このように電解銅箔にシワが発生してしまうと、当該電解銅箔に回路を形成する際に、ファインピッチ化が困難となる。

そこで、本発明は、回路形成性が良好な電解銅箔を提供することを課題とする。

本発明は一側面において、光沢面側に粗化処理層を有さず、前記光沢面（前記光沢面上に表面処理層が設けられている場合には当該表面処理層を設けた後の最外層）表面の面粗さＳａが０．２７０μｍ以下であり、２乗平均平方根高さＳｑが０．３１５μｍ以下であり、常温抗張力が３０ｋｇ／ｍｍ²以上である電解銅箔である。

本発明の電解銅箔は一実施形態において、前記面粗さＳａが０．１５０μｍ以下である。

本発明の電解銅箔は別の一実施形態において、前記２乗平均平方根高さＳｑが０．２００μｍ以下である。また、本発明の電解銅箔は別の一実施形態において、前記面粗さＳａが０．１３３μｍ以下、または０．１３０μｍ以下である。

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、前記２乗平均平方根高さＳｑが０．１８０μｍ以下である。

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、前記２乗平均平方根高さＳｑが０．１２０μｍ以下である。

本発明は更に別の一側面において、光沢面側に粗化処理層を有し、前記粗化処理層（前記粗化処理層上に表面処理層が設けられている場合には当該表面処理層を設けた後の最外層）表面の面粗さＳａが０．４７０μｍ以下であり、２乗平均平方根高さＳｑが０．５５０μｍ以下である電解銅箔である。

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、前記面粗さＳａが０．３８０μｍ以下である。

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、前記面粗さＳａが０．３５５μｍ以下、または０．３００μｍ以下である。

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、前記面粗さＳａが０．２００μｍ以下である。

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、前記２乗平均平方根高さＳｑが０．４９０μｍ以下、または０．４５０μｍ以下である。

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、前記２乗平均平方根高さＳｑが０．４００μｍ以下である。

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、前記２乗平均平方根高さＳｑが０．３３０μｍ以下である。

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、前記光沢面側に粗化処理層を設ける前の光沢面の面粗さＳａが０．２７０μｍ以下、または０．１５０μｍ以下である。

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、前記面粗さＳａが０．１３３μｍ以下である。

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、前記面粗さＳａが０．１３０μｍ以下である。

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、前記光沢面側に粗化処理層を設ける前の光沢面の２乗平均平方根高さＳｑが０．３１５μｍ以下、または０．２００μｍ以下である。

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、前記２乗平均平方根高さＳｑが０．１８０μｍ以下である。

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、前記２乗平均平方根高さＳｑが０．１２０μｍ以下である。

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、常温抗張力が３０ｋｇ／ｍｍ²以上である。

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、常温伸びが３％以上である。

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、高温抗張力が１０ｋｇ／ｍｍ²以上である。

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、高温伸びが２％以上である。

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、前記電解銅箔の光沢面と反対側の面に粗化処理層を有する。

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、前記粗化処理層が、銅、ニッケル、りん、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム、鉄、バナジウム、コバルト及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか１種以上を含む合金からなる層である。

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、前記電解銅箔の光沢面側、及び、光沢面と反対側の面側の一方又は両方の粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層からなる表面処理層を有する。

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、前記電解銅箔の光沢面側、及び、光沢面と反対側の面側の一方又は両方に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層からなる表面処理層を有する。

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、前記電解銅箔の光沢面、及び、光沢面と反対側の面の一方又は両方に樹脂層を備える。

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、前記粗化処理層上に樹脂層を備える。

本発明の電解銅箔は更に別の一実施形態において、前記表面処理層の上に樹脂層を備える。

本発明は更に別の一側面において、表面の面粗さＳａが０．２７０μｍ以下であり、２乗平均平方根高さＳｑが０．３１５μｍ以下である電解ドラムを用いて前記電解銅箔を製造する方法である。また、本発明は一実施形態において、表面の面粗さＳａが０．１５０μｍ以下である前記電解銅箔を製造する方法である。

本発明は一実施形態において、表面の２乗平均平方根高さＳｑが０．２００μｍ以下である前記電解銅箔を製造する方法である。

本発明は更に別の一側面において、本発明の電解銅箔を有する銅張積層板である。

本発明は更に別の一側面において、本発明の電解銅箔を有するプリント配線板である。

本発明は更に別の一側面において、本発明の電解銅箔を用いてプリント配線板を製造するプリント配線板の製造方法である。

本発明は更に別の一側面において、本発明の電解銅箔と絶縁基板とを積層して銅張積層板を形成し、その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法である。

本発明は更に別の一側面において、本発明の方法で製造されたプリント配線板を用いて電子機器を製造する電子機器の製造方法である。

本発明によれば、回路形成性が良好な電解銅箔を提供することができる。

（ａ）は実施例２の電解銅箔の光沢面のＳＥＭ像である。（ｂ）は実施例１０の電解銅箔の光沢面のＳＥＭ像である。

以下、本発明の電解銅箔の実施形態について説明する。なお、本明細書において「光沢面の面粗さＳａ」、「光沢面の２乗平均平方根高さＳｑ」は、それぞれ、電解銅箔の光沢面に粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層等の表面処理層が設けられている場合には、当該表面処理層を設けた後の表面（最外層の表面）の面粗さＳａ、２乗平均平方根高さＳｑを示す。また、「光沢面側に粗化処理層を設ける前の光沢面の面粗さＳａ」及び「光沢面側に粗化処理層を設ける前の光沢面の２乗平均平方根高さＳｑ」は、それぞれ、光沢面側に粗化処理層を設ける前の光沢面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層等の粗化処理層以外の表面処理層が設けられている場合には、当該表面処理層を設けた後の表面（最外層の表面）の面粗さＳａ、２乗平均平方根高さＳｑを示す。

＜粗化処理層を光沢面側に有さない電解銅箔＞
本発明の電解銅箔は、一側面において、光沢面側に粗化処理層を有さず、前記光沢面の面粗さＳａが０．２７０μｍ以下であり、好ましくは０．１５０μｍ以下である。本発明において、電解銅箔の光沢面とは、当該電解銅箔が作製されるときのドラム側の表面（シャイニー面：Ｓ面）を示す。なお、本発明の電解銅箔において、光沢面と反対側の面とは、当該電解銅箔が作製されるときのドラムとは反対側（析出面側）の表面（マット面：Ｍ面）を示す。
このような構成により、当該電解銅箔を用いて形成する回路のピッチについて、Ｌ／Ｓ（ライン／スペース）＝２２μｍ以下／２２μｍ以下、好ましくは２０μｍ以下／２０μｍ以下のファインピッチが可能となる。光沢面の面粗さＳａは、０．２３０μｍ以下であるのが好ましく、０．１８０μｍ以下であるのが好ましく、０．１５０μｍ以下であるのが好ましく、０．１３３μｍ以下であるのが好ましく、０．１３０μｍ以下であるのがより好ましく、０．１２０μｍ以下であるのがより好ましい。電解銅箔の光沢面の面粗さＳａの下限は特に限定されないが、例えば０．００１μｍ以上、あるいは０．０１０μｍ以上、あるいは０．０５０μｍ以上、あるいは０．１００μｍ以上である。

本発明の電解銅箔は、別の一側面において、光沢面側に粗化処理層を有さず、前記光沢面の２乗平均平方根高さＳｑが０．３１５μｍ以下であり、好ましくは０．２００μｍ以下である。
このような構成により、当該電解銅箔を用いて形成する回路のピッチについて、Ｌ／Ｓ（ライン／スペース）＝２２μｍ以下／２２μｍ以下、好ましくは２０μｍ以下／２０μｍ以下のファインピッチが可能となる。光沢面の２乗平均平方根高さＳｑは、０．２９２μｍ以下であるのが好ましく、０．２３０μｍ以下であるのが好ましく、０．２００μｍ以下であるのが好ましく、０．１８０μｍ以下であるのが好ましく、０．１２０μｍ以下であるのが好ましく、０．１１５μｍ以下であるのがより好ましい。電解銅箔の光沢面の２乗平均平方根高さＳｑの下限は特に限定されないが、例えば０．００１μｍ以上、あるいは０．０１０μｍ以上、あるいは０．０５０μｍ以上、あるいは０．１００μｍ以上である。

＜粗化処理層を光沢面側に有する電解銅箔＞
本発明の電解銅箔は、別の一側面において、光沢面側に粗化処理層を有し、前記光沢面の面粗さＳａが０．４７０μm以下であり、好ましくは０．３８０μｍ以下である電解銅箔である。
このような構成により、当該電解銅箔を用いて形成する回路のピッチについて、Ｌ／Ｓ（ライン／スペース）＝２２μｍ以下／２２μｍ以下、好ましくは２０μｍ以下／２０μｍ以下のファインピッチが可能となる。当該光沢面の面粗さＳａは、０．３８５μｍ以下であるのが好ましく、０．３８０μｍ以下であるのが好ましく、０．３５５μｍ以下であるのが好ましく、０．３４０μｍ以下であるのが好ましく、０．３００μｍ以下であるのが好ましく、０．２９５μｍ以下であるのが好ましく、０．２３０μｍ以下であるのが好ましく、０．２００μｍ以下であるのがより好ましい。電解銅箔の光沢面の面粗さＳａの下限は特に限定されないが、例えば０．００１μｍ以上、あるいは０．０１０μｍ以上、あるいは０．０５０μｍ以上、あるいは０．１００μｍ以上である。

また、当該電解銅箔は、光沢面側に粗化処理層を設ける前の光沢面の面粗さＳａが０．２７０μｍ以下であるのが好ましく、０．２３０μｍ以下であるのが好ましく、０．１８０μｍ以下であるのが好ましく、０．１５０μｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは０．１３３μｍ以下であり、更により好ましくは０．１３０μｍ以下であり、更により好ましくは０．１２０μｍ以下である。このような構成によれば、粗化処理層を設けた後の電解銅箔の光沢面の面粗さＳａ、および／または、粗化処理層を設けた後の電解銅箔の光沢面の２乗平均平方根高さＳｑを適切な値に制御することができ、当該電解銅箔を用いて形成する回路のピッチについて、Ｌ／Ｓ（ライン／スペース）＝２２μｍ以下／２２μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下／２０μｍ以下のファインピッチが可能となる。電解銅箔の光沢面側に粗化処理層を設ける前の光沢面の面粗さＳａの下限は特に限定されないが、例えば０．００１μｍ以上、あるいは０．０１０μｍ以上、あるいは０．０５０μｍ以上、あるいは０．１００μｍ以上である。

本発明の電解銅箔は、別の一側面において、光沢面側に粗化処理層を有し、前記光沢面の２乗平均平方根高さＳｑが０．５５０μｍ以下であり、好ましくは０．４９０μｍ以下である。
このような構成により、当該電解銅箔を用いて形成する回路のピッチについて、Ｌ／Ｓ（ライン／スペース）＝２２μｍ以下／２２μｍ以下、好ましくは２０μｍ以下／２０μｍ以下のファインピッチが可能となる。光沢面の２乗平均平方根高さＳｑは、０．４９０μｍ以下であるのが好ましく、０．４５０μｍ以下であるのが好ましく、０．４３５μｍ以下であるのが好ましく、０．４００μｍ以下であるのが好ましく、０．３９５μｍ以下であるのが好ましく、０．３３０μｍ以下であるのがより好ましく、０．２９０μｍ以下であるのがより好ましい。電解銅箔の光沢面の２乗平均平方根高さＳｑの下限は特に限定されないが、例えば０．００１μｍ以上、あるいは０．０１０μｍ以上、あるいは０．０５０μｍ以上、あるいは０．１００μｍ以上である。

また、当該電解銅箔は、光沢面側に粗化処理層を設ける前の光沢面の２乗平均平方根高さＳｑが０．３１５μm以下であるのが好ましく、０．２９２μm以下であるのが好ましく、０．２３０μm以下であるのが好ましく、０．２００μｍ以下であるのが好ましく、０．１８０μｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは０．１２０μｍ以下、より好ましくは０．１１５μｍ以下である。このような構成によれば、粗化処理層を設けた後の電解銅箔の光沢面の面粗さＳａ、および／または、粗化処理層を設けた後の電解銅箔の光沢面の２乗平均平方根高さＳｑを適切な値に制御することができ、当該電解銅箔を用いて形成する回路のピッチについて、Ｌ／Ｓ（ライン／スペース）＝２２μｍ以下／２２μｍ以下、好ましくは２０μｍ以下／２０μｍ以下のファインピッチが可能となる。電解銅箔の光沢面側に粗化処理層を設ける前の光沢面の２乗平均平方根高さＳｑの下限は特に限定されないが、例えば０．００１μｍ以上、あるいは０．０１０μｍ以上、あるいは０．０５０μｍ以上、あるいは０．１００μｍ以上である。

本発明の電解銅箔は、常温抗張力が３０ｋｇ／ｍｍ²以上であるのが好ましい。「常温抗張力」とは、室温での抗張力を示し、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０に準じて測定される。常温抗張力が３０ｋｇ／ｍｍ²以上であると、ハンドリング時にシワが発生し難いという効果がある。３５ｋｇ／ｍｍ²以上であるのがより好ましい。

本発明の電解銅箔は、常温伸びが３％以上であるのが好ましい。「常温伸び」とは、室温での伸びを示し、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０に準じて測定される。常温伸びが３％以上であると、破断し難いという効果がある。常温伸びは、４％以上であるのがより好ましい。

本発明の電解銅箔は、高温抗張力が１０ｋｇ／ｍｍ²以上であるのが好ましい。「高温抗張力」とは、１８０℃での抗張力を示し、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０に準じて測定される。高温抗張力が１０ｋｇ／ｍｍ²以上であると、樹脂との張り付き時のシワが発生し難いという効果がある。１５ｋｇ／ｍｍ²以上であるのがより好ましい。

本発明の電解銅箔は、高温伸びが２％以上であるのが好ましい。「高温伸び」とは、１８０℃での伸びを示し、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０に準じて測定される。高温伸びが２％以上であると、回路のクラック発生防止に効果がある。高温伸びは、３％以上であるのが好ましく、６％以上であるのがより好ましく、１５％以上であるのがより好ましい。

本発明の電解銅箔は、後述の表面処理層が設けられている場合は当該表面処理層を除いた部分について、純銅の他、例えばＳｎ入り銅、Ａｇ入り銅、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ａｓ、Ｐ等を添加した銅合金も使用可能である。本明細書において用語「銅箔」を単独で用いたときには銅合金箔も含むものとする。これら銅合金箔は電解銅箔を製造する際に用いる電解液中に合金元素（例えば、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＡｓおよびＰからなる群から選択される一種または二種以上の元素）を添加して電解銅箔を製造することで、製造することが出来る。また、当該電解銅箔の厚みは特に限定はされないが、典型的には０．５〜３０００μｍであり、好ましくは１．０〜１０００μｍ、好ましくは１．０〜３００μｍ、好ましくは１．０〜１００μｍ、好ましくは３．０〜７５μｍ、好ましくは４〜４０μｍ、好ましくは５〜３７μｍ、好ましくは６〜２８μｍ、好ましくは７〜２５μｍ、好ましくは８〜１９μｍである。

＜電解銅箔の製造方法＞
本発明の電解銅箔は、硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造される。当該電解条件を以下に示す。
＜電解条件＞
電解液組成：Ｃｕ ５０〜１５０ｇ／Ｌ、Ｈ₂ＳＯ₄ ６０〜１５０ｇ／Ｌ、
電流密度：３０〜１２０Ａ／ｄｍ²
電解液温度：５０〜６０度
添加物：塩素イオン ２０〜８０ｐｐｍ、ニカワ ０．０１〜１０．０ｐｐｍ
なお、本明細書に記載の電解、エッチング、表面処理又はめっき等に用いられる処理液（エッチング液、電解液等）の残部は特に明記しない限り水である。

このとき用いる電解ドラムは、ドラム表面の面粗さＳａが０．２７０μｍ以下、好ましくは０．１５μｍ以下である。また、ドラム表面の２乗平均平方根高さＳｑが０．３１５μｍ以下、好ましくは０．２０μｍ以下である。当該面粗さＳａまたは２乗平均平方根高さＳｑを表面に有する電解ドラムは、まず、チタンやステンレスのドラムの表面を、番手が３００（Ｐ３００）〜５００（Ｐ５００）番の研磨ベルトによって研磨する。このとき、研磨ベルトを、ドラムの幅方向において所定幅だけ巻き付け、所定速度で研磨ベルトをドラムの幅方向へ移動させながら、ドラムを回転させることで研磨する。当該研磨時のドラム表面の回転速度は１３０〜１９０ｍ／分とする。また、研磨時間は、研磨ベルトの１回のパスでドラム表面の（幅方向の位置の）１点を通過する時間とパス回数との積とする。なお、前述の１回のパスでドラム表面の１点を通過する時間は、研磨ベルトの幅を、研磨ベルトのドラムの幅方向の移動速度で割った値とした。また、研磨ベルトの１回のパスとは、ドラムの周方向の表面を、ドラムの軸（幅）方向（電解銅箔の幅方向）の一方の端部からもう一方の端部まで１回研磨ベルトで研磨することを意味する。すなわち研磨時間は以下の式で表される。
研磨時間（分）＝１パス当たりの研磨ベルトの幅（ｃｍ／回）／研磨ベルトの移動速度（ｃｍ／分）×パス回数（回）
これまで電解銅箔の製造においては、研磨時間は１．６〜３分としていたが、本発明では３．５〜１０分、また、本発明において研磨時にドラム表面を水で濡らす場合は６〜１０分とする。上記研磨時間の算出の例として、例えば１０ｃｍの幅の研磨ベルトで移動速度を２０ｃｍ／分としたとき、ドラム表面の１点の１パスの研磨時間は０．５分となる。これにトータルのパス回数を掛けることで算出される（例えば０．５分×１０パス＝５分）。研磨ベルトの番手を大きくすること、および／または、ドラム表面の回転速度を高くすること、および／または、研磨時間を長くすること、および／または、研磨時にドラム表面を水でぬらすこと、によりドラム表面の面粗さＳａおよびドラム表面の２乗平均平方根高さＳｑを小さくすることができる。また、研磨ベルトの番手を小さくすること、および／または、ドラム表面の回転速度を低くすること、および／または、研磨時間を短くすること、および／または、研磨時にドラム表面を乾燥させること、によりドラム表面の面粗さＳａおよびドラム表面の２乗平均平方根高さＳｑを大きくすることができる。なお、研磨時間を長くすることで、面粗さＳａを小さくするとともに、Ｓａが小さくなる程度よりも大きな程度で２乗平均平方根高さＳｑを小さくすることが出来る。また、研磨時間を短くすることで、面粗さＳａを大きくするとともに、面粗さＳａが大きくなる程度よりも大きな程度で２乗平均平方根高さＳｑを大きくすることが出来る。なお、前述の研磨ベルトの番手は、研磨ベルトに使用されている研磨材の粒度を意味する。そして、当該研磨材の粒度はＦＥＰＡ（Ｆｅｄｅｒａｔｉｏｎ ｏｆ Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｐｒｏｄｕｃｅｒｓ ｏｆ Ａｂｒａｓｉｖｅｓ）−ｓｔａｎｄａｒｄ ４３−１：２００６、４３−２：２００６に準拠している。

また、研磨時にドラム表面を水でぬらすことにより、２乗平均平方根高さＳｑを小さくするとともに、２乗平均平方根高さＳｑが小さくなる程度よりも大きな程度で面粗さＳａを小さくすることが出来る。また、研磨時にドラム表面を乾燥させることで、２乗平均平方根高さＳｑを大きくするとともに、２乗平均平方根高さＳｑが大きくなる程度よりも大きな程度で面粗さＳａを大きくすることが出来る。
このようにして、光沢面の面粗さＳａが０．２７０μｍ以下、好ましくは０．１５０μｍ以下、および／または２乗平均平方根高さＳｑが０．３１５μｍ以下、好ましくは０．２００μｍ以下である電解銅箔を作製することができる。
また、光沢面の面粗さＳａが０．２７０μｍ以下、好ましくは０．１５０μｍ以下、および／または２乗平均平方根高さＳｑが０．３１５μｍ以下、好ましくは０．２００μｍ以下である電解銅箔の光沢面側に後述する粗化処理または表面処理を行うことにより光沢面側に粗化処理層を有し、前記光沢面の面粗さＳａが０．４７０μｍ以下、好ましくは０．３８０μｍ以下、および／または、前記光沢面の２乗平均平方根高さＳｑを０．５５０μｍ以下、好ましくは０．４９０μｍ以下である電解銅箔を作製することができる。

なお、電解ドラム表面の面粗さＳａおよび２乗平均平方根高さＳｑは以下の様にして測定することができる。
・樹脂フィルム（ポリ塩化ビニル）を溶剤（アセトン）に浸漬させることで膨潤させる。
・上記膨潤させた樹脂フィルムを電解ドラム表面に接触させ、樹脂フィルムからアセトンが揮発した後に樹脂フィルムを剥離し、電解ドラム表面のレプリカを採取する。
・当該レプリカをレーザー顕微鏡で測定し、面粗さＳａおよび２乗平均平方根高さＳｑの値を測定する。
そして、得られたレプリカの面粗さＳａおよび２乗平均平方根高さＳｑの値を電解ドラム表面の面粗さＳａおよび２乗平均平方根高さＳｑとした。

＜粗化処理およびその他の表面処理＞
電解銅箔の光沢面、及び、光沢面と反対側の面の一方又は両方には、例えば絶縁基板との密着性を良好にすること等のために粗化処理を施すことで粗化処理層を設けてもよい。粗化処理は、例えば、銅又は銅合金で粗化粒子を形成することにより行うことができる。粗化処理は微細なものであっても良く、針状、棒状または粒子状の粗化粒子を形成することにより行ってもよい。粗化処理層は、銅、ニッケル、りん、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム、鉄、バナジウム、コバルト及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか１種以上を含む合金からなる層などであってもよい。また、銅又は銅合金で粗化粒子を形成した後、更にニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で二次粒子や三次粒子を設ける粗化処理を行うこともできる。その後に、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層または防錆層を形成しても良く、更にその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。または粗化処理を行わずに、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層又は防錆層を形成し、さらにその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。すなわち、粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を形成してもよく、電解銅箔の表面に、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を形成してもよい。なお、上述の耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層はそれぞれ複数の層で形成されてもよい（例えば２層以上、３層以上など）。

また、粗化処理層は、硫酸アルキルエステル塩、タングステンイオン、砒素イオンから選択した物質の少なくとも一種類以上を含む硫酸・硫酸銅からなる電解浴を用いて形成することができる。粗化処理層は粉落ち防止、ピール強度向上のため硫酸・硫酸銅からなる電解浴でかぶせメッキを行う事が望ましい。

具体的な処理条件は、次の通りである。
（液組成１）
ＣｕＳＯ₄・５Ｈ₂Ｏ：３９．３〜１１８ｇ／Ｌ
Ｃｕ：１０〜３０ｇ／Ｌ
Ｈ₂ＳＯ₄：１０〜１５０ｇ／Ｌ
Ｎａ₂ＷＯ₄・２Ｈ₂Ｏ：０〜９０ｍｇ／Ｌ
Ｗ：０〜５０ｍｇ／Ｌ
ドデシル硫酸ナトリウム：０〜５０ｍｇ
Ｈ₃ＡｓＯ₃（６０％水溶液）：０〜６３１５ｍｇ／Ｌ
Ａｓ：０〜２０００ｍｇ／Ｌ

（電気めっき条件１）
温度：３０〜７０℃
（電流条件１）
電流密度：２５〜１１０Ａ／ｄｍ²
粗化クーロン量：５０〜５００Ａｓ／ｄｍ²
めっき時間：０．５〜２０秒
（液組成２）
ＣｕＳＯ₄・５Ｈ₂Ｏ：７８〜３１４ｇ／Ｌ
Ｃｕ：２０〜８０ｇ／Ｌ
Ｈ₂ＳＯ₄：５０〜２００ｇ／Ｌ
（電気めっき条件２）
温度： ３０〜７０℃
（電流条件２）
電流密度：５〜５０Ａ／ｄｍ²
粗化クーロン量：５０〜３００Ａｓ／ｄｍ²
めっき時間：１〜６０秒

また、粗化処理層としての銅−コバルト−ニッケル合金めっき層は、電解めっきにより、付着量が１５〜４０ｍｇ／ｄｍ²の銅−１００〜３０００μｇ／ｄｍ²のコバルト−１００〜１５００μｇ／ｄｍ²のニッケルであるような３元系合金層を形成するように実施することができる。Ｃｏ付着量が１００μｇ／ｄｍ²未満では、耐熱性が悪化し、エッチング性が悪くなることがある。Ｃｏ付着量が３０００μｇ／ｄｍ²を超えると、磁性の影響を考慮せねばならない場合には好ましくなく、エッチングシミが生じ、また、耐酸性及び耐薬品性の悪化がすることがある。Ｎｉ付着量が１００μｇ／ｄｍ²未満であると、耐熱性が悪くなることがある。他方、Ｎｉ付着量が１５００μｇ／ｄｍ²を超えると、エッチング残が多くなることがある。好ましいＣｏ付着量は１０００〜２５００μｇ／ｄｍ²であり、好ましいニッケル付着量は５００〜１２００μｇ／ｄｍ²である。ここで、エッチングシミとは、塩化銅でエッチングした場合、Ｃｏが溶解せずに残ってしまうことを意味しそしてエッチング残とは塩化アンモニウムでアルカリエッチングした場合、Ｎｉが溶解せずに残ってしまうことを意味するものである。

このような３元系銅−コバルト−ニッケル合金めっきを形成するためのめっき浴及びめっき条件の一例は次の通りである：
めっき浴組成：Ｃｕ１０〜２０ｇ／Ｌ、Ｃｏ１〜１０ｇ／Ｌ、Ｎｉ１〜１０ｇ／Ｌ
ｐＨ：１〜４
温度：３０〜５０℃
電流密度：２０〜３０Ａ／ｄｍ²
めっき時間：１〜５秒
このような３元系銅−コバルト−ニッケル合金めっきを形成するためのめっき浴及びめっき条件の別の例は次の通りである：
めっき浴組成：Ｃｕ１０〜２０ｇ／Ｌ、Ｃｏ１〜１０ｇ／Ｌ、Ｎｉ１〜１０ｇ／Ｌ
ｐＨ：１〜４
温度：３０〜５０℃
電流密度：３０〜４５Ａ／ｄｍ²
めっき時間：０．１〜２．０秒
なお、上述の粗化処理層を形成する処理において、めっき時間を短くすることで、光沢面側に粗化処理層を有する電解銅箔の、前記光沢面の面粗さＳａ、および／または、前記光沢面の２乗平均平方根高さＳｑを小さくすることが出来る。また、上述の粗化処理層を形成する処理において、めっき時間を長くすることで、光沢面側に粗化処理層を有する電解銅箔の、前記光沢面の面粗さＳａ、および／または、前記光沢面の２乗平均平方根高さＳｑを大きくすることが出来る。
また、上述の粗化処理層を形成する処理において、電流密度を高くかつめっき時間を非常に短くすることで、光沢面側に粗化処理層を有する電解銅箔の、前記光沢面の面粗さＳａ、および／または、前記光沢面の２乗平均平方根高さＳｑをより小さくすることが出来る。また、上述の粗化処理層を形成する処理において、電流密度を高くかつめっき時間を長くすることで、光沢面側に粗化処理層を有する電解銅箔の、前記光沢面の面粗さＳａ、および／または、前記光沢面の２乗平均平方根高さＳｑをより大きくすることが出来る。

本発明の電解銅箔は、光沢面、及び、光沢面と反対側の面の一方又は両方の上に、粗化処理層を備えても良く、粗化処理層上に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層およびシランカップリング処理層からなる群のから選択された層を一つ以上備えても良い。また、電解銅箔上に粗化処理層を備えても良く、粗化処理層上に、耐熱層、防錆層を備えてもよく、耐熱層、防錆層上にクロメート処理層を備えてもよく、クロメート処理層上にシランカップリング処理層を備えても良い。

本発明の電解銅箔は、光沢面、及び、光沢面と反対側の面の一方又は両方、あるいは粗化処理層上、あるいは耐熱層、防錆層、あるいはクロメート処理層、あるいはシランカップリング処理層の上に樹脂層を備えても良い。樹脂層は絶縁樹脂層であってもよい。

また、耐熱層、防錆層としては公知の耐熱層、防錆層を用いることができる。例えば、耐熱層および／または防錆層はニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる１種以上の元素を含む層であってもよく、ニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる１種以上の元素からなる金属層または合金層であってもよい。また、耐熱層および／または防錆層はニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる１種以上の元素を含む酸化物、窒化物、珪化物を含んでもよい。また、耐熱層および／または防錆層は銅−亜鉛合金層、亜鉛−ニッケル合金層、ニッケル−コバルト合金層、銅−ニッケル合金層、クロム−亜鉛合金層であってもよい。また、耐熱層および／または防錆層はニッケル−亜鉛合金を含む層であってもよい。また、耐熱層および／または防錆層はニッケル−亜鉛合金層であってもよい。前記ニッケル−亜鉛合金層は、不可避不純物を除き、ニッケルを５０ｗｔ％〜９９ｗｔ％、亜鉛を５０ｗｔ％〜１ｗｔ％含有するものであってもよい。前記ニッケル−亜鉛合金層の亜鉛及びニッケルの合計付着量が５〜１０００ｍｇ／ｍ²、好ましくは１０〜５００ｍｇ／ｍ²、好ましくは２０〜１００ｍｇ／ｍ²であってもよい。また、前記ニッケル−亜鉛合金を含む層または前記ニッケル−亜鉛合金層のニッケルの付着量と亜鉛の付着量との比（＝ニッケルの付着量／亜鉛の付着量）が１．５〜１０であることが好ましい。また、前記ニッケル−亜鉛合金を含む層または前記ニッケル−亜鉛合金層のニッケルの付着量は０．５ｍｇ／ｍ²〜５００ｍｇ／ｍ²であることが好ましく、１ｍｇ／ｍ²〜５０ｍｇ／ｍ²であることがより好ましい。

例えば耐熱層および／または防錆層は、付着量が１ｍｇ／ｍ²〜１００ｍｇ／ｍ²、好ましくは５ｍｇ／ｍ²〜５０ｍｇ／ｍ²のニッケルまたはニッケル合金層と、付着量が１ｍｇ／ｍ²〜８０ｍｇ／ｍ²、好ましくは５ｍｇ／ｍ²〜４０ｍｇ／ｍ²のスズ層とを順次積層したものであってもよく、前記ニッケル合金層はニッケル−モリブデン、ニッケル−亜鉛、ニッケル−モリブデン−コバルトのいずれか一種により構成されてもよい。また、耐熱層および／または防錆層は、ニッケルまたはニッケル合金とスズとの合計付着量が２ｍｇ／ｍ²〜１５０ｍｇ／ｍ²であることが好ましく、１０ｍｇ／ｍ²〜７０ｍｇ／ｍ²であることがより好ましい。また、耐熱層および／または防錆層は、［ニッケルまたはニッケル合金中のニッケル付着量］／［スズ付着量］＝０．２５〜１０であることが好ましく、０．３３〜３であることがより好ましい。

クロメート処理層とは無水クロム酸、クロム酸、二クロム酸、クロム酸塩または二クロム酸塩を含む液で処理された層のことをいう。クロメート処理層はコバルト、鉄、ニッケル、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタン等の元素（金属、合金、酸化物、窒化物、硫化物等どのような形態でもよい）を含んでもよい。クロメート処理層の具体例としては、無水クロム酸または二クロム酸カリウム水溶液で処理したクロメート処理層や、無水クロム酸または二クロム酸カリウムおよび亜鉛を含む処理液で処理したクロメート処理層等が挙げられる。

シランカップリング処理に用いられるシランカップリング剤には公知のシランカップリング剤を用いてよく、例えばアミノ系シランカップリング剤又はエポキシ系シランカップリング剤、メルカプト系シランカップリング剤を用いてよい。また、シランカップリング剤にはビニルトリメトキシシラン、ビニルフェニルトリメトキシラン、γ‐メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ‐グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、４‐グリシジルブチルトリメトキシシラン、γ‐アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ‐β（アミノエチル）γ‐アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ‐３‐（４‐（３‐アミノプロポキシ）プトキシ）プロピル‐３‐アミノプロピルトリメトキシシラン、イミダゾールシラン、トリアジンシラン、γ‐メルカプトプロピルトリメトキシシラン等を用いてもよい。

前記シランカップリング処理層は、エポキシ系シラン、アミノ系シラン、メタクリロキシ系シラン、メルカプト系シランなどのシランカップリング剤などを使用して形成してもよい。なお、このようなシランカップリング剤は、２種以上混合して使用してもよい。中でも、アミノ系シランカップリング剤又はエポキシ系シランカップリング剤を用いて形成したものであることが好ましい。

ここで言うアミノ系シランカップリング剤とは、Ｎ‐（２‐アミノエチル）‐３‐アミノプロピルトリメトキシシラン、３‐（Ｎ‐スチリルメチル‐２‐アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、３‐アミノプロピルトリエトキシシラン、ビス（２‐ヒドロキシエチル）‐３‐アミノプロピルトリエトキシシラン、アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ‐メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ‐フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ‐（３‐アクリルオキシ‐２‐ヒドロキシプロピル）‐３‐アミノプロピルトリエトキシシラン、４‐アミノブチルトリエトキシシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェネチルトリメトキシシラン、Ｎ‐（２‐アミノエチル‐３‐アミノプロピル）トリメトキシシラン、Ｎ‐（２‐アミノエチル‐３‐アミノプロピル）トリス（２‐エチルヘキソキシ）シラン、６‐（アミノヘキシルアミノプロピル）トリメトキシシラン、アミノフェニルトリメトキシシラン、３‐（１‐アミノプロポキシ）‐３，３‐ジメチル‐１‐プロペニルトリメトキシシラン、３‐アミノプロピルトリス（メトキシエトキシエトキシ）シラン、３‐アミノプロピルトリエトキシシラン、３‐アミノプロピルトリメトキシシラン、ω‐アミノウンデシルトリメトキシシラン、３‐（２‐Ｎ‐ベンジルアミノエチルアミノプロピル）トリメトキシシラン、ビス（２‐ヒドロキシエチル）‐３‐アミノプロピルトリエトキシシラン、（Ｎ，Ｎ‐ジエチル‐３‐アミノプロピル）トリメトキシシラン、（Ｎ，Ｎ‐ジメチル‐３‐アミノプロピル）トリメトキシシラン、Ｎ‐メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ‐フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、３‐（Ｎ‐スチリルメチル‐２‐アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、γ‐アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ‐β（アミノエチル）γ‐アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−３−（４−（３−アミノプロポキシ）プトキシ）プロピル−３−アミノプロピルトリメトキシシランからなる群から選択されるものであってもよい。

シランカップリング処理層は、ケイ素原子換算で、０．０５ｍｇ／ｍ²〜２００ｍｇ／ｍ²、好ましくは０．１５ｍｇ／ｍ²〜２０ｍｇ／ｍ²、好ましくは０．３ｍｇ／ｍ²〜２．０ｍｇ／ｍ²の範囲で設けられていることが望ましい。前述の範囲の場合、樹脂基材と金属箔との密着性をより向上させることができる。

前記樹脂層は接着剤であってもよく、接着用の半硬化状態（Ｂステージ状態）の絶縁樹脂層であってもよい。半硬化状態（Ｂステージ状態）とは、その表面に指で触れても粘着感はなく、該絶縁樹脂層を重ね合わせて保管することができ、更に加熱処理を受けると硬化反応が起こる状態のことを含む。

また前記樹脂層は熱硬化性樹脂を含んでもよく、熱可塑性樹脂であってもよい。また、前記樹脂層は熱可塑性樹脂を含んでもよい。その種類は格別限定されるものではないが、例えば、エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂，多官能性シアン酸エステル化合物、マレイミド化合物、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂などを含む樹脂を好適なものとしてあげることができる。

前記樹脂層は公知の樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体（無機化合物及び／または有機化合物を含む誘電体、金属酸化物を含む誘電体等どのような誘電体を用いてもよい）、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等を含んでよい。また、前記樹脂層は例えば国際公開番号ＷＯ２００８／００４３９９、国際公開番号ＷＯ２００８／０５３８７８、国際公開番号ＷＯ２００９／０８４５３３、特開平１１−５８２８号、特開平１１−１４０２８１号、特許第３１８４４８５号、国際公開番号ＷＯ９７／０２７２８、特許第３６７６３７５号、特開２０００−４３１８８号、特許第３６１２５９４号、特開２００２−１７９７７２号、特開２００２−３５９４４４号、特開２００３−３０４０６８号、特許第３９９２２２５号、特開２００３−２４９７３９号、特許第４１３６５０９号、特開２００４−８２６８７号、特許第４０２５１７７号、特開２００４−３４９６５４号、特許第４２８６０６０号、特開２００５−２６２５０６号、特許第４５７００７０号、特開２００５−５３２１８号、特許第３９４９６７６号、特許第４１７８４１５号、国際公開番号ＷＯ２００４／００５５８８、特開２００６−２５７１５３号、特開２００７−３２６９２３号、特開２００８−１１１１６９号、特許第５０２４９３０号、国際公開番号ＷＯ２００６／０２８２０７、特許第４８２８４２７号、特開２００９−６７０２９号、国際公開番号ＷＯ２００６／１３４８６８、特許第５０４６９２７号、特開２００９−１７３０１７号、国際公開番号ＷＯ２００７／１０５６３５、特許第５１８０８１５号、国際公開番号ＷＯ２００８／１１４８５８、国際公開番号ＷＯ２００９／００８４７１、特開２０１１−１４７２７号、国際公開番号ＷＯ２００９／００１８５０、国際公開番号ＷＯ２００９／１４５１７９、国際公開番号ＷＯ２０１１／０６８１５７、特開２０１３−１９０５６号に記載されている物質（樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等）および／または樹脂層の形成方法、形成装置を用いて形成してもよい。

これらの樹脂を例えばメチルエチルケトン（ＭＥＫ）、トルエンなどの溶剤に溶解して樹脂液とし、これを前記電解銅箔上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいは前記クロメート皮膜層、あるいは前記シランカップリング剤層の上に、例えばロールコータ法などによって塗布し、ついで必要に応じて加熱乾燥して溶剤を除去しＢステージ状態にする。乾燥には例えば熱風乾燥炉を用いればよく、乾燥温度は１００〜２５０℃、好ましくは１３０〜２００℃であればよい。

前記樹脂層を備えた電解銅箔は、その樹脂層を基材に重ね合わせたのち全体を熱圧着して該樹脂層を熱硬化せしめた後、所定の配線パターンを形成するという態様で使用される。

この樹脂付き電解銅箔を使用すると、多層プリント配線基板の製造時におけるプリプレグ材の使用枚数を減らすことができる。しかも、樹脂層の厚みを層間絶縁が確保できるような厚みにしたり、プリプレグ材を全く使用していなくても銅張り積層板を製造することができる。またこのとき、基材の表面に絶縁樹脂をアンダーコートして表面の平滑性を更に改善することもできる。

なお、プリプレグ材を使用しない場合には、プリプレグ材の材料コストが節約され、また積層工程も簡略になるので経済的に有利となり、しかも、プリプレグ材の厚み分だけ製造される多層プリント配線基板の厚みは薄くなり、１層の厚みが１００μm以下である極薄の多層プリント配線基板を製造することができるという利点がある。

この樹脂層の厚みは０．１〜８０μmであることが好ましい。樹脂層の厚みが０．１μmより薄くなると、接着力が低下し、プリプレグ材を介在させることなくこの樹脂付きキャリア付銅箔を内層材を備えた基材に積層したときに、内層材の回路との間の層間絶縁を確保することが困難になる場合がある。

一方、樹脂層の厚みを８０μmより厚くすると、１回の塗布工程で目的厚みの樹脂層を形成することが困難となり、余分な材料費と工数がかかるため経済的に不利となる。更には、形成された樹脂層はその可撓性が劣るので、ハンドリング時にクラックなどが発生しやすくなり、また内層材との熱圧着時に過剰な樹脂流れが起こって円滑な積層が困難になる場合がある。

更に、この樹脂付き電解銅箔のもう一つの製品形態としては、前記光沢面、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいは前記クロメート処理層、あるいは前記シランカップリング処理層の上に樹脂層で被覆し、半硬化状態とした後、樹脂付き電解銅箔の形で製造することも可能である。

更に、プリント配線板に電子部品類を搭載することで、プリント回路板が完成する。本発明において、「プリント配線板」にはこのように電子部品類が搭載されたプリント配線板およびプリント回路板およびプリント基板およびフレキシブルプリント配線板およびリジッドプリント配線板も含まれることとする。
また、当該プリント配線板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント回路板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント基板を用いて電子機器を作製してもよい。以下に、本発明に係る電解銅箔を用いたプリント配線板の製造工程の例を幾つか示す。

本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係る電解銅箔と絶縁基板を積層して銅張積層板を形成し、その後、セミアディティブ法、モディファイドセミアディティブ法、パートリーアディティブ法及びサブトラクティブ法の何れかの方法によって、回路を形成する工程を含む。絶縁基板は内層回路入りのものとすることも可能である。

本発明において、セミアディティブ法とは、絶縁基板又は銅箔シード層上に薄い無電解めっきを行い、パターンを形成後、電気めっき及びエッチングを用いて導体パターンを形成する方法を指す。

従って、セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係る電解銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記電解銅箔を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記電解銅箔をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記樹脂および前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。

セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係る電解銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記電解銅箔と、前記絶縁樹脂基板とにスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記電解銅箔を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記電解銅箔をエッチング等により除去することにより露出した前記樹脂および前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。

セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係る電解銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記電解銅箔と、前記絶縁樹脂基板とにスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記電解銅箔を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記電解銅箔をエッチング等により除去することにより露出した前記樹脂および前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。

セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係る電解銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記電解銅箔を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記電解銅箔をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂の表面について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び電解銅箔をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。

本発明において、モディファイドセミアディティブ法とは、絶縁層上に金属箔を積層し、めっきレジストにより非回路形成部を保護し、電解めっきにより回路形成部の銅厚付けを行った後、レジストを除去し、前記回路形成部以外の金属箔を（フラッシュ）エッチングで除去することにより、絶縁層上に回路を形成する方法を指す。

従って、モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係る電解銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記電解銅箔と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記電解銅箔にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストを設けた後に、電解めっきにより回路を形成する工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストを除去することにより露出した電解銅箔をフラッシュエッチングにより除去する工程、
を含む。

モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係る電解銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記電解銅箔の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び電解銅箔をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。

本発明において、パートリーアディティブ法とは、導体層を設けてなる基板、必要に応じてスルーホールやバイアホール用の孔を穿けてなる基板上に触媒核を付与し、エッチングして導体回路を形成し、必要に応じてソルダレジストまたはメッキレジストを設けた後に、前記導体回路上、スルーホールやバイアホールなどに無電解めっき処理によって厚付けを行うことにより、プリント配線板を製造する方法を指す。

従って、パートリーアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係る電解銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記電解銅箔と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について触媒核を付与する工程、
前記電解銅箔にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記電解銅箔および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
前記電解銅箔および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して露出した前記絶縁基板表面に、ソルダレジストまたはメッキレジストを設ける工程、
前記ソルダレジストまたはメッキレジストが設けられていない領域に無電解めっき層を設ける工程、
を含む。

本発明において、サブトラクティブ法とは、銅張積層板上の銅箔の不要部分を、エッチングなどによって、選択的に除去して、導体パターンを形成する方法を指す。

従って、サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係る電解銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記電解銅箔と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面に、電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または／および前記電解銅箔の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記電解銅箔および前記無電解めっき層および前記電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。

サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係る電解銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記電解銅箔と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面にマスクを形成する工程、
マスクが形成されていない前記無電解めっき層の表面に電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または／および前記電解銅箔の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記電解銅箔および前記無電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。

スルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、及びその後のデスミア工程は行わなくてもよい。

以下に、本発明の実施例によって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明は、これらの実施例によってなんら限定されるものではない。

１．電解銅箔の作製
（実施例１〜１４、比較例１）
チタン製の回転ドラム（電解ドラム）を準備した。次に、表１に記載の電解ドラム表面制御条件にて研磨し、所定の面粗さＳａおよび２乗平均平方根高さＳｑを有する電解ドラムとした。具体的には、当該電解ドラムの表面を、表１に記載の番手の研磨ベルトによって研磨した。このとき、研磨ベルトを、ドラムの幅方向において所定幅だけ巻き付け、研磨ベルトをドラムの幅方向へ移動させながら、ドラムを回転させることで研磨した。当該研磨時のドラム表面の回転速度を表１に示す。また、研磨時間は、研磨ベルトの幅と研磨ベルトの移動速度から１回のパスでドラム表面の１点を通過する時間とパス回数の積とした。ここで、研磨ベルトの１回のパスとは、回転ドラムの周方向の表面を、軸方向（電解銅箔の幅方向）の一方の端部からもう一方の端部まで１回研磨ベルトで研磨することを意味する。
すなわち研磨時間は以下の式で表される。
研磨時間（分）＝１パス当たりの研磨ベルトの幅（ｃｍ／回）／研磨ベルトの移動速度（ｃｍ／分）×パス回数（回）

次に、電解槽の中に、上記電解ドラムと、ドラムの周囲に所定の極間距離を置いて電極を配置した。次に、電解槽において下記条件で電解を行い、電解ドラムを回転させながら当該電解ドラムの表面に銅を厚みが１８μｍとなるまで析出させた。
＜電解条件＞
電解液組成：Ｃｕ ５０〜１５０ｇ／Ｌ、Ｈ₂ＳＯ₄ ６０〜１５０ｇ／Ｌ、
電流密度：３０〜１２０Ａ／ｄｍ²
電解液温度：５０〜６０度
添加物：塩素イオン ２０〜８０質量ｐｐｍ、ニカワ ０．０１〜５．０質量ｐｐｍ
なお、実施例１、２、５、６、１０〜１２、比較例１においてはニカワ濃度を前述の範囲内で低目とした。
また、実施例３、４、７、８、９、１３、１４においてはニカワ濃度を前述の範囲内で高目とした。

次に、回転している電解ドラムの表面に析出した銅を剥ぎ取り、連続的に厚さ１８μｍの電解銅箔を製造した。

実施例１〜４、１０、比較例１ついては、上記のようにして作製した電解銅箔の電解ドラム側の表面（光沢面）に対し、さらに、以下の（１）〜（４）に示す表面処理をこの順で実施した。

（１）粗化処理
Ｃｕ、Ｈ₂ＳＯ₄、Ａｓ、Ｗから成る、以下に記す銅粗化めっき浴を用いて粗化粒子を形成した。
（液組成１）
ＣｕＳＯ₄・５Ｈ₂Ｏ：３９．３〜１１８ｇ／Ｌ
Ｃｕ：１０〜３０ｇ／Ｌ
Ｈ₂ＳＯ₄：１０〜１５０ｇ／Ｌ
Ｎａ₂ＷＯ₄・２Ｈ₂Ｏ：０〜９０ｍｇ／Ｌ
Ｗ：０〜５０ｍｇ／Ｌ
ドデシル硫酸ナトリウム：０〜５０ｍｇ
Ｈ₃ＡｓＯ₃（６０％水溶液）：０〜６３１５ｍｇ／Ｌ
Ａｓ：０〜２０００ｍｇ／Ｌ

（電気めっき条件１）
温度：３０〜７０℃
（電流条件１）
電流密度：２５〜１１０Ａ／ｄｍ²
粗化クーロン量：５０〜５００Ａｓ／ｄｍ²
めっき時間：０．５〜２０秒
（液組成２）
ＣｕＳＯ₄・５Ｈ₂Ｏ：７８〜３１４ｇ／Ｌ
Ｃｕ：２０〜８０ｇ／Ｌ
Ｈ₂ＳＯ₄：５０〜２００ｇ／Ｌ
（電気めっき条件２）
温度： ３０〜７０℃
（電流条件２）
電流密度：５〜５０Ａ／ｄｍ²
粗化クーロン量：５０〜３００Ａｓ／ｄｍ²
めっき時間：１〜６０秒

（２）バリヤー処理（耐熱処理）
ニッケル亜鉛合金めっき
（液組成）
Ｎｉ １３ｇ／Ｌ
Ｚｎ ５ｇ／Ｌ
ｐＨ ２
（電気メッキ条件）
温度 ４０℃
電流密度 ８Ａ／ｄｍ²

（３）クロメート処理
亜鉛クロメート処理
（液組成）
ＣｒＯ₃ ２．５ｇ／Ｌ
Ｚｎ ０．７ｇ／Ｌ
Ｎａ₂ＳＯ₄ １０ｇ／Ｌ
ｐＨ ４．８
（亜鉛クロメート条件）
温度 ５４℃
電流密度 ０．７Ａｓ／ｄｍ²

（４）シランカップリング処理
（液組成）
テトラエトキシシラン含有量 ０．４ｖｏｌ％
ｐＨ ７．５
塗布方法 溶液の噴霧

実施例５〜８、１４については、上記のようにして作製した電解銅箔の電解ドラム側の表面（光沢面）に対し、さらに、以下の（１）〜（５）に示す表面処理をこの順で実施した。

（１）粗化処理
３元系銅−コバルト−ニッケル合金めっきの粗化処理粒子を形成するため以下のめっき浴及びめっき条件で粗化処理を行った。
めっき浴組成：Ｃｕ１０〜２０ｇ／Ｌ、Ｃｏ１〜１０ｇ／Ｌ、Ｎｉ１〜１０ｇ／Ｌ
ｐＨ：１〜４
温度：３０〜５０℃
電流密度：２０〜３０Ａ／ｄｍ²
めっき時間：１〜５秒

（２）耐熱処理
Ｃｏ−Ｎｉ合金メッキを行った。Ｃｏ−Ｎｉ合金メッキ条件を以下に記す。
（電解液組成）
Ｃｏ：１〜３０ｇ／Ｌ
Ｎｉ：１〜３０ｇ／Ｌ
ｐＨ：１．０〜３．５
（電解液温）
３０〜８０℃
（電流条件）
電流密度５．０Ａ／ｄｍ²
めっき時間：０．１〜５秒

（３）防錆処理
亜鉛−ニッケル合金めっき
（液組成）
Ｎｉ １〜１５ｇ／Ｌ
Ｚｎ １０〜４０ｇ／Ｌ
ｐＨ ３〜４
（電気メッキ条件）
温度 ４０〜５５℃
電流密度 ２〜５Ａ／ｄｍ²

（４）クロメート処理
亜鉛クロメート処理
（液組成）
ＣｒＯ₃ ２．５ｇ／Ｌ
Ｚｎ ０．７ｇ／Ｌ
Ｎａ₂ＳＯ₄ １０ｇ／Ｌ
ｐＨ ４．８
（亜鉛クロメート条件）
温度 ５４℃
電流密度 ０．７Ａｓ／ｄｍ²

（５）シランカップリング処理
（液組成）
Ｎ‐（２‐アミノエチル）‐３‐アミノプロピルトリメトキシシラン含有量 ０．４ｖｏｌ％
ｐＨ ７．５
塗布方法 溶液の噴霧

実施例９については、上記のようにして作製した電解銅箔の電解ドラム側の表面（光沢面）に対し、さらに、以下の（１）〜（３）に示す表面処理をこの順で実施した。

（１）バリヤー処理（耐熱処理）
ニッケル−亜鉛合金めっき
（液組成）
Ｎｉ １３ｇ／Ｌ
Ｚｎ ５ｇ／Ｌ
ｐＨ ２
（電気メッキ条件）
温度 ４０℃
電流密度 ８Ａ／ｄｍ²

（２）クロメート処理
亜鉛クロメート処理
（液組成）
ＣｒＯ₃ ２．５ｇ／Ｌ
Ｚｎ ０．７ｇ／Ｌ
Ｎａ₂ＳＯ₄ １０ｇ／Ｌ
ｐＨ ４．８
（亜鉛クロメート条件）
温度 ５４℃
電流密度 ０．７Ａｓ／ｄｍ²

（３）シランカップリング処理
（液組成）
テトラエトキシシラン含有量 ０．４％
ｐＨ ７．５
塗布方法 溶液の噴霧

上述の表面処理の後、更に下記の条件で銅箔の表面処理層の表面に樹脂層の形成を行った。
（樹脂合成例）
ステンレス製の碇型攪拌棒、窒素導入管とストップコックのついたトラップ上に、玉付冷却管を取り付けた還流冷却器を取り付けた２リットルの三つ口フラスコに、3,4、3',4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物１１７．６８ｇ（４００ｍｍｏｌ）、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン８７．７ｇ（３００ｍｍｏｌ）、γ-バレロラクトン４．０ｇ（４０ｍｍｏｌ）、ピリジン４．８ｇ（６０ｍｍｏｌ）、N-メチル-2-ピロリドン(以下ＮＭＰと記す)３００ｇ、トルエン２０ｇを加え、１８０℃で１時間加熱した後室温付近まで冷却した後、3,4、3',4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物２９．４２ｇ（１００ｍｍｏｌ）、2,2-ビス{4-(4-アミノフェノキシ)フェニル}プロパン８２．１２ｇ（２００ｍｍｏｌ）、ＮＭＰ２００ｇ、トルエン４０ｇを加え、室温で１時間混合後、１８０℃で３時間加熱して、固形分３８％のブロック共重合ポリイミドを得た。このブロック共重合ポリイミドは、下記に示す一般式(１)：一般式(２)＝３：２であり、数平均分子量：７００００、重量平均分子量：１５００００であった。

合成例で得られたブロック共重合ポリイミド溶液をＮＭＰで更に希釈し、固形分１０％のブロック共重合ポリイミド溶液とした。このブロック共重合ポリイミド溶液にビス(4-マレイミドフェニル)メタン(ＢＭＩ-Ｈ、ケイ・アイ化成)を固形分重量比率３５、ブロック共重合ポリイミドの固形分重量比率６５として（即ち、樹脂溶液に含まれるビス(4-マレイミドフェニル)メタン固形分重量：樹脂溶液に含まれるブロック共重合ポリイミド固形分重量＝３５：６５）６０℃、２０分間溶解混合して樹脂溶液とした。その後、実施例９では銅箔の表面処理層の表面に、リバースロール塗工機を用いて前記樹脂溶液を塗工し、窒素雰囲気下で、１２０℃で３分間、１６０℃で３分間乾燥処理後、最後に３００℃で２分間加熱処理を行い、樹脂層を備える銅箔を作製した。なお、樹脂層の厚みは２μｍとした。

実施例１１〜１３については、上記のようにして作製した電解銅箔の電解ドラム側の表面（光沢面）に対し、さらに、以下の（１）に示す粗化処理を行った後に、実施例５の（２）〜（５）の表面処理をこの順で実施した。

（１）粗化処理
３元系銅−コバルト−ニッケル合金めっきの粗化処理粒子を形成するため以下のめっき浴及びめっき条件で粗化処理を行った。
めっき浴組成：Ｃｕ１０〜２０ｇ／Ｌ、Ｃｏ１〜１０ｇ／Ｌ、Ｎｉ１〜１０ｇ／Ｌ
ｐＨ：１〜４
温度：３０〜５０℃
電流密度：３０〜４５Ａ／ｄｍ²
めっき時間：０．１〜１．５秒

２．電解銅箔の評価
＜光沢面の面粗さＳａおよび２乗平均平方根高さＳｑ＞
表面処理前（すなわち粗化処理層を有さない）の電解銅箔の光沢面および表面処理後の電解銅箔の光沢面に対し、ＩＳＯ−２５１７８−２：２０１２に準拠して、オリンパス社製レーザー顕微鏡ＯＬＳ４１００（ＬＥＸＴ ＯＬＳ ４１００）にて、面粗さＳａおよび２乗平均平方根高さを測定した。このとき、レーザー顕微鏡における対物レンズ５０倍を使用して２００μｍ×１０００μｍ面積（具体的には２０００００μｍ²）の測定を３か所行い、面粗さＳａおよび２乗平均平方根高さＳｑを算出した。３か所で得られた面粗さＳａおよび２乗平均平方根高さＳｑの算術平均値をそれぞれ面粗さＳａおよび２乗平均平方根高さＳｑの値とした。なおレーザー顕微鏡測定において、測定結果の測定面が平面でない、曲面になった場合は、平面補正を行った後に、面粗さＳａおよび２乗平均平方根高さＳｑを算出した。なお、レーザー顕微鏡による面粗さＳａの測定環境温度は２３〜２５℃とした。

＜常温抗張力、高温抗張力＞
電解銅箔の常温抗張力及び高温抗張力は、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０に準じて測定した。

＜常温伸び、高温伸び＞
電解銅箔の常温伸び及び高温伸びは、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０に準じて測定した。なお、上述の通り「高温抗張力」とは、１８０℃での抗張力を示す。また、「高温伸び」とは、１８０℃での伸びを示す。

＜回路形成性＞
表面処理後の電解銅箔を、それぞれ光沢面側から熱圧着によりビスマレイミドトリアジン樹脂プリプレグに貼り合わせた。その後、当該プリプレグに貼り合せた電解銅箔を、プリプレグと貼り合せた側とは反対側から厚みが９μｍとなるまでエッチングした。そして、エッチングをした後の電解銅箔表面にエッチングレジストを設けた後に露光、現像を行ってレジストパターンを形成した後に、塩化第二鉄でエッチングを行い、Ｌ／Ｓ＝２５μｍ／２５μｍ、Ｌ／Ｓ＝２２μｍ／２２μｍ、Ｌ／Ｓ＝２０μｍ／２０μｍ、及び、Ｌ／Ｓ＝１５μｍ／１５μｍで長さ１ｍｍの配線をそれぞれ２０本形成した。続いて、回路上面から見た回路下端幅の最大値と最小値の差（μｍ）を測定し、５箇所を測定した平均値とした。最大値と最小値の差が２μｍ以下であれば、良好な回路直線性を有すると判断し、◎とした。また、当該最大値と最小値の差が２μｍ超え且つ４μｍ以下のとき、〇とした。また、当該最大値と最小値の差が４μｍ超えのとき、×とした。
試験条件及び試験結果を表２に示す。また、図１（ａ）は実施例２の電解銅箔の光沢面のＳＥＭ像である。図１（ｂ）は実施例１０の電解銅箔の光沢面のＳＥＭ像である。

＜評価結果＞
実施例１〜１４は、いずれも粗化処理層を有さない電解銅箔の光沢面の面粗さＳａが０．２７０μｍ以下および２乗平均平方根高さＳｑが０．３１５μｍ以下であり、また、粗化処理層を有する電解銅箔の光沢面の面粗さＳａが０．４７０μｍ以下および２乗平均平方根高さＳｑが０．５５０μｍ以下であり回路形成性が良好であった。
比較例１は、粗化処理層を有さない電解銅箔の光沢面の面粗さＳａが０．２７０μｍを超えており、および、２乗平均平方根高さＳｑが０．３１５μｍを超えており、また、粗化処理層を有する電解銅箔の光沢面の面粗さＳａが０．４７０μｍを超えており、および、２乗平均平方根高さＳｑが０．５５０μｍを超えており回路形成性が不良であった。

Claims (43)

1. 光沢面側に粗化処理層を有さず、前記光沢面（前記光沢面上に表面処理層が設けられている場合には当該表面処理層を設けた後の最外層）表面の面粗さＳａが０．２７０μｍ以下であり、２乗平均平方根高さＳｑが０．３１５μｍ以下であり、常温抗張力が３０ｋｇ／ｍｍ²以上である電解銅箔。
2. 前記面粗さＳａが０．１５０μｍ以下である請求項１に記載の電解銅箔。
3. 前記２乗平均平方根高さＳｑが０．２００μｍ以下である請求項１又は２に記載の電解銅箔。
4. 前記面粗さＳａが０．１３３μｍ以下である請求項１〜３のいずれか一項に記載の電解銅箔。
5. 前記面粗さＳａが０．１３０μｍ以下である請求項４に記載の電解銅箔。
6. 前記２乗平均平方根高さＳｑが０．１８０μｍ以下である請求項１〜５のいずれか一項に記載の電解銅箔。
7. 前記２乗平均平方根高さＳｑが０．１２０μｍ以下である請求項６に記載の電解銅箔。
8. 光沢面側に粗化処理層を有し、前記粗化処理層（前記粗化処理層上に表面処理層が設けられている場合には当該表面処理層を設けた後の最外層）表面の面粗さＳａが０．４７０μｍ以下であり、２乗平均平方根高さＳｑが０．５５０μｍ以下である電解銅箔。
9. 前記面粗さＳａが０．３８０μｍ以下である請求項８に記載の電解銅箔。
10. 前記２乗平均平方根高さＳｑが０．４９０μｍ以下である請求項８又は９に記載の電解銅箔。
11. 前記面粗さＳａが０．３５５μｍ以下である請求項８〜１０のいずれか一項に記載の電解銅箔。
12. 前記面粗さＳａが０．３００μｍ以下である請求項１１に記載の電解銅箔。
13. 前記面粗さＳａが０．２００μｍ以下である請求項１２に記載の電解銅箔。
14. 前記２乗平均平方根高さＳｑが０．４５０μｍ以下である請求項８〜１３のいずれか一項に記載の電解銅箔。
15. 前記２乗平均平方根高さＳｑが０．４００μｍ以下である請求項１４に記載の電解銅箔。
16. 前記２乗平均平方根高さＳｑが０．３３０μｍ以下である請求項１５に記載の電解銅箔。
17. 前記光沢面側に前記粗化処理層を設ける前の光沢面の面粗さＳａが０．２７０μｍ以下である請求項８〜１６のいずれか一項に記載の電解銅箔。
18. 前記面粗さＳａが０．１５０μｍ以下である請求項１７に記載の電解銅箔。
19. 前記面粗さＳａが０．１３３μｍ以下である請求項１８に記載の電解銅箔。
20. 前記面粗さＳａが０．１３０μｍ以下である請求項１９に記載の電解銅箔。
21. 前記光沢面側に粗化処理層を設ける前の光沢面の２乗平均平方根高さＳｑが０．３１５μｍ以下である請求項８〜２０のいずれか一項に記載の電解銅箔。
22. 前記２乗平均平方根高さＳｑが０．２００μｍ以下である請求項２１に記載の電解銅箔。
23. 前記２乗平均平方根高さＳｑが０．１８０μｍ以下である請求項２２に記載の電解銅箔。
24. 前記２乗平均平方根高さＳｑが０．１２０μｍ以下である請求項２３に記載の電解銅箔。
25. 常温抗張力が３０ｋｇ／ｍｍ²以上である請求項８〜２４のいずれか一項に記載の電解銅箔。
26. 常温伸びが３％以上である請求項１〜２５のいずれか一項に記載の電解銅箔。
27. 高温抗張力が１０ｋｇ／ｍｍ²以上である請求項１〜２６のいずれか一項に記載の電解銅箔。
28. 高温伸びが２％以上である請求項１〜２７のいずれか一項に記載の電解銅箔。
29. 前記電解銅箔の光沢面と反対側の面に粗化処理層を有する請求項１〜２８のいずれか一項に記載の電解銅箔。
30. 前記粗化処理層が、銅、ニッケル、りん、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム、鉄、バナジウム、コバルト及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか１種以上を含む合金からなる層である請求項８〜２９のいずれか一項に記載の電解銅箔。
31. 前記電解銅箔の光沢面側、及び、光沢面と反対側の面側の一方又は両方の粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層からなる表面処理層を有する請求項８〜３０のいずれか一項に記載の電解銅箔。
32. 前記電解銅箔の光沢面側、及び、光沢面と反対側の面側の一方又は両方に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層からなる表面処理層を有する請求項１〜７、２５〜２８のいずれか一項に記載の電解銅箔。
33. 前記電解銅箔の光沢面側、及び、光沢面と反対側の面側の一方又は両方に樹脂層を備える請求項１〜７、２５〜２８のいずれか一項に記載の電解銅箔。
34. 前記粗化処理層上に樹脂層を備える請求項８〜３０のいずれか一項に記載の電解銅箔。
35. 前記表面処理層の上に樹脂層を備える請求項３１又は３２に記載の電解銅箔。
36. 表面の面粗さＳａが０．２７０μｍ以下であり、２乗平均平方根高さＳｑが０．３１５μｍ以下である電解ドラムを用いて請求項１〜３５のいずれか一項に記載の電解銅箔を製造する方法。
37. 前記表面の面粗さＳａが０．１５０μｍ以下である請求項３６に記載の電解銅箔を製造する方法。
38. 前記表面の２乗平均平方根高さＳｑが０．２００μｍ以下である請求項３６又は３７に記載の電解銅箔を製造する方法。
39. 請求項１〜３５のいずれか一項に記載の電解銅箔を有する銅張積層板。
40. 請求項１〜３５のいずれか一項に記載の電解銅箔を有するプリント配線板。
41. 請求項１〜３５のいずれか一項に記載の電解銅箔を用いてプリント配線板を製造するプリント配線板の製造方法。
42. 請求項１〜３５のいずれか一項に記載の電解銅箔と絶縁基板とを積層して銅張積層板を形成し、その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。
43. 請求項４１又は４２に記載の方法で製造されたプリント配線板を用いて電子機器を製造する電子機器の製造方法。