TWI242049B - Vacuum arc evaporation source and vacuum arc vapor deposition apparatus - Google Patents

Vacuum arc evaporation source and vacuum arc vapor deposition apparatus Download PDF

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TWI242049B
TWI242049B TW088122579A TW88122579A TWI242049B TW I242049 B TWI242049 B TW I242049B TW 088122579 A TW088122579 A TW 088122579A TW 88122579 A TW88122579 A TW 88122579A TW I242049 B TWI242049 B TW I242049B
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evaporation
magnetic
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TW088122579A
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Kazuki Takahara
Hirofumi Fujii
Original Assignee
Kobe Steel Ltd
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    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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Description

1242049 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(1 ) 〔發明所屬之技術領域〕 本發明,係關於真空電弧蒸發源及具備該真空電弧蒸 發源之真空電弧蒸鍍裝置者。 〔習知技藝〕 自過去,已知在真空室內使將蒸發物質做爲陰極的電 弧放電發生,由電弧電流之能量使陰極材料蒸發·離子化 ,而在基板上使薄膜堆積之真空電弧蒸鍍裝置。 在如此的真空電弧蒸鍍裝置,無法避免發生具有遠比 蒸發粒子·離子化粒子大的數μm以上之直徑的熔融粒子 ,由於這些混入薄膜中造成薄膜面粗度之惡化式薄膜組成 的不均勻性成爲缺點。 將如此的由熔融粒子的問題,設法由發生磁場而解決 者已被提案。例如,在特開平2 — 1 9 4 1 6 7號公報, 已被揭示在蒸發面和基板之間設置和蒸發面同軸狀的空心 線圈者。根據該構成時,電漿中之電子將捲著在由空心線 圈的磁場,一面旋轉運動而沿磁力線流動,電漿將會到達 基板。一方面,在中性之熔融粒子,該誘導效果將不會作 用,離子將被選擇性地引導至基板,被認爲相對地能使向 基板的熔融拉子之數減少。 〔發明所要解決之P題〕 可是,該技術時,線圈係被設在基板和蒸發面的中間 位置,由線圈之磁場將使之靠近蒸發面的半徑方向內向地 —^------------------訂·---I---•線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -4 - 1242049 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(2 ) 作用。此時,電弧點將容易靠近蒸發面之中央,蒸發物質 無法均勻地消耗。並且,該技術的情況,因磁場拉長,使 蒸發源多數鄰接而配置時,對其他之蒸發源有不良影響。 〔發明槪要〕 本發明,係鑑於如此的情況而被開發者,其目的,係 在提供由磁場能減少到達基板的熔融粒子之數,並且能減 少發生電弧點的偏位之蒸發源。 本發明,爲了達成前述目的,採取以下之技術性手段 。亦即,關於本發明的真空電弧蒸發源之特徵,將成爲電 弧放電的陰極之蒸發物質,和磁場發生源如包圍該蒸發物 質地,並且,與前述蒸發物質的蒸發面交叉之所有磁力線 ,係如和前述蒸發面略垂直地交叉地被配置磁場發生源之 點。 根據如此的構成時,將由和蒸發面交叉之磁力線,能 和前述過去的技術一樣地使熔融粒子減少。然後,和前述 過去技術不同,因磁力線係和蒸發面略垂直地交叉,故電 弧點在蒸發面將不易偏位,蒸發物質會均勻地消耗。 在此,磁力線不必和蒸發面完全地垂直交叉,只要和 蒸發面略垂直地交叉即可。在本發明所謂略垂直,係指對 蒸發面的法線± 3 0度以內。只要在該範圍,將能使蒸發 物質達成某程度均勻的消耗,而在容許範圍內。因此,前 述磁場發生源只要配置在磁力線將成爲如此方向之位置即 可。 丨 7-----------4^^--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -5- 1242049 A7 B7 五、發明說明(3 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 更且,前述磁力線在蒸發面的方向,使之對蒸發面之 法線會成爲± 1 〇度以內地被配置前述磁場發生源爲理想 。此時,能使蒸發物質更均勻地消耗。 做爲本發明的磁場發生源,雖然可以爲永久磁鐵,或 電磁鐵,或者被捲繞在蒸發物質的外周側之線圈,可是在 能使裝置小型化,輕量化之點,以永久磁鐵爲理想。 做爲使磁力線和蒸發面略垂直地交叉用的磁場發生源 之具體性構成,以將前述磁場發生源配置成,前述蒸發面 將位於前述磁場發生源的N,S兩磁極之中間位置爲理想 〇 在此,所謂N,S兩磁極之中央位置,不一定需爲兩 磁極之中央。可是,如果使前述蒸發面會位於前述磁場發 生源的N,S兩磁極之略中央位置時,磁力線的方向將更 容易與蒸發面之法線方向一致,而更理想。 並且,前述磁場發生源,能做爲由包圍前述蒸發物質 的徑內側磁場發生源,和與該徑內側磁場發生源同軸狀且 使同極會向同方向地包圍前述徑內側磁場發生源之徑側磁 場發生源所構成者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此時,貫通蒸發物質的磁力線之條數將會增加,亦即 將提高磁場強度,更能強力地得到前述效果。 而且,在本發明,也能採取如下的構成。亦即,前述 磁場發生源,係由包圍蒸發物質的內周側和在外周側有磁 極之第一磁場發生源與第二磁場發生源而成,前述第一磁 場發生源和前述第二磁場發生源係被並置在軸方向,並且 -6 - 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1242049 A7 B7 五、發明說明(4 ) ,前述第一磁場發生源和前述第二磁場發生源的內周側之 磁極爲不同磁極。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 根據如此的構成時,向軸方向之磁場的擴大將更少故 很理想。此時,如果把前述第1磁場發生源和第2磁場發 生源之外周側,以磁性體結合而構成時,磁場將幾乎不會 向側方擴大,故將本發明的蒸發源在真空容器設置多數時 ,能夠排除相鄰的蒸發源之影響。 並且,爲了得到同樣的效果,也可以將前述磁場發生 源,做爲在徑內側有N,S兩磁極的斷面u字狀之永久磁 鐵,包圍蒸發物質之構成。 本發明的更理想之構成,係將磁性體設成包圍前述蒸 發物質的外周地被設置之構成。 如包圍蒸發物質的外周地設置之磁性體,將會拉入磁 力線’而在蒸發面外周部將被形成向蒸發面中心方向傾斜 之磁力線。因電弧點具有容易向磁力線的傾斜方向移動之 性質,接近蒸發面外周部的電弧點,將被推回蒸發面中央 ’而能得到更強之電弧封閉效果。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 - 並且,在蒸發物質和磁性體之間,設有將兩者電性地 絕緣的絕緣部爲理想。磁性體和蒸發面未被絕緣而爲同電 位時’將有電弧點從蒸發面向磁性體移行之虞,可是由設 置絕緣部,能夠確實將此防止。 此時,做爲絕緣部,雖然也可以使絕緣材介在於蒸發 物質外周和磁性體之間,可是前述絕緣部,以由能夠把蒸 發物質和磁性體絕緣之空隙而成爲理想。做爲絕緣部,如 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1242049 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(5) 果在蒸發物質和磁性體之間設置構件(絕緣材)時,雖有 蒸發物質將蒸發而附著在其構件,發生絕緣不良之虞,可 是將絕緣部做爲空隙而構成時,將無如此的附著之虞,而 被防止絕緣不良。 並且,對將磁力線立在蒸發面的法線,在蒸發物質的 蒸發面之中央部附近設置換成向周緣側傾斜方向的方向變 更裝置將更理想。由此,將被防止電弧向蒸發面中央部集 中,而將均勻地消耗。 如此地,做爲使從磁場發生源的磁力線之方向變化的 方法,有磁鐵,線圈或磁性體。把磁鐵,線圈或磁性1¾ 置在蒸發物質之中央部背面側時,中央附近的磁力線將被 拉近磁鐵,線圈或磁性體,故蒸發面之中央部附近的磁力 線,將會對法線向外傾斜。中央之磁力線向外傾斜時,將 由電弧容易向磁力線傾斜方向移動的特徵,被防止電弧向 蒸發面中央部集中,而均勻地消耗。 並且,由磁力線的傾斜將在蒸發面發生水平磁力成份 ’電弧點雖將進行周圍運動,可是由其領域擴大,傾斜變 大而能在廣範圍加速電弧點之移動速度,結果,將能防止 標的之局部性溫度上升,而減低發生微滴。而且,做爲磁 力線方向變更方法採用磁鐵或線圈時,因磁通密度將變大 ’更能提高電弧點之移動速度,而更能防止高溫化。 然後,在真空容器備有如以上的蒸發源之真空澱積裝 置時,將能防止電弧的停火而進行有效率之運轉,並且由 減低微滴而能形成高品味之薄膜。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) -8- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線· A7 B7 1242049 五、發明說明(6 ) 〔發明之實施例〕 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 以下,根據圖面說明本發明之實施例。第1〜3圖’ 係顯示本發明的第1實施例。如第1圖所示,關於本發明 之真空電弧澱積裝置1,係在真空容器2內設置蒸發物質 3 ’由電弧放電電源4 ’在和未圖示的陽極之間發生電弧 放電,而使蒸發物質3蒸發·離子化’在塗膜處理物(基 板)5使薄膜堆積者。 前述蒸發物質3,係和使之發生與該蒸發物質3的蒸 發面略垂直地交叉之磁場的磁場發生源7 —齊構成1個蒸 發源單元9。在第1圖,磁場發生源單元9,雖然例示在 真空容器2設置1個者,可是,以在真空容器的側壁,如 包圍塗膜處理物5地設置多數爲理想。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如第3圖所示,前述蒸發物質3,係形成圓板狀,其 塗膜處理物5側之面爲電弧蒸發面1 1。和蒸發物質3 — 起構成蒸發源9的磁場發生源7,係做爲在軸方向(厚度 方向)兩端面有磁極之環狀永久磁鐵被構成。該磁場發生· 源7,係與蒸發物質3同軸狀配置成如包圍該蒸發物質3 。並且,磁場發生源7,被配置成其軸方向中央位置將和 蒸發面之位置略一致,其塗膜處理物5側的端面(前方側 之面被做爲N極,而他方之端面做爲S極。再者,磁極也 可以爲相反。如此配置的磁場發生源7,將發生如第2圖 所示之磁場。 此時,形成小環的磁力線將會通過蒸發面。環小時發 生之磁場範圍小,對其他處的影響小。更且,從磁場發生 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) " 1242049 A7 B7 五、發明說明(7 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 源7發生之磁力線,通過蒸發面後,將向徑外方向急速地 發散,捲繞在其磁力線被感應的電漿流之分佈將變寬,而 能得到更廣範圍地均勻之膜厚分佈。 而且,做爲磁場發生源7,採用永久磁鐵時,比線圈 做爲同體積的磁場發生源,其磁場強度大。因此,將成爲 蒸發面及蒸發粒子的飛行路徑被放在磁場強度大之領域, 如第4圖所示,從蒸發物質3蒸發的荷電粒子,一面捲著 在磁力線而沿磁力線飛行之螺旋運動將活潑化。由此,將 會促進從蒸發物質3蒸發的成膜粒子及反應氣體之活性化 ,而能得到密著力大而細密之薄膜。再者,荷電粒子的螺 旋運動之半徑,係由荷電粒子的速度和磁場強度而定,荷 電粒子之飛行將成爲各種不同半徑的螺旋飛行之集合。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 第5圖(a)〜(d),係顯示在本發明的蒸發面 1 1上之電弧點的軌跡之像。第5圖(a )〜(d)之圖 型,將瞬間瞬間地隨機而出現。各圖型皆爲周旋運動,而 各圖型係其周旋半徑不同者。當磁力線對蒸發面1 1略垂 直時,電弧點的軌跡將在瞬間瞬間成爲半徑不同之周旋運 動,故比周旋運動的半徑一定之情況,蒸發位置將會變化 ,蒸發面的消耗將成爲均勻。因此,蒸發面將一面保持接 近和新品時之蒸發面平行的狀態而消耗,蒸發物質之利用 效率非常高。再者,周旋運動的方向’將由磁力線之方向 而反轉。 並且,因電弧點的周旋半徑將隨機地變動,故將抑制 蒸發物質之局部性溫度上升,而被抑制發生熔融粒子。 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公« ) 1242049 A7 B7 五、發明說明(8) 第6圖,係做爲比較例,顯示磁力線從蒸發面1 1的 法線方向大幅傾斜時之電弧點的像。如第6圖(A )所示 ,對蒸發物質3之蒸發面1 1,磁場發生源7向前方(塗 膜處理物5側)大幅地偏位時,在蒸發面1 1的磁力線將 向內大幅地傾斜。因此,電弧點將在蒸發面1 1之中央部 集中地放電。 一方面,如第6圖(B )所示地向後方大幅偏位時, 在蒸發面1 1的磁力線將大幅向外傾斜。因此,電弧點將 只在蒸發面1 1之邊緣部放電,電弧點容易從蒸發物質3 飛出,而使電弧放電停止。第6圖(A)和(B)中的任 何一種情況,蒸發物質3皆不會均勻地消耗,利用效率差 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 爲了防止如此的缺點,將在蒸發面1 1上之磁力線的 方向,做爲對蒸發面的法線在± 3 0度以內爲理想,而把 蒸發物質3和磁場發生源7配置成土 1 〇度以內爲更理想 。並且,雖然以磁力線對蒸發面1 1成垂直爲最理想,可 是,蒸發源單元9,係以蒸發面1 1比磁場發生源7的軸 方向中心位於前方之狀態製造爲理想。此時,蒸發物質3 消耗某程度而蒸發面1 1退後時,磁場發生源7的軸方向 中心和蒸發面1 1之位置將會一致,即使蒸發物質3更消 耗,蒸發面1 1也將僅位於比磁場發生源7的軸方向中心 稍後方,到蒸發物質3從新品時消耗之‘前,能得到經常磁 力線和蒸發面略垂直之狀態。 第7圖,係顯示關於本發明的第2實施例之蒸發源 -11- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公茇) 1242049 A7 B7___ 五、發明說明(9 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 9。該蒸發源1 9的磁場發生源1 7,係將多數之永久 磁鐵2 1排成環狀,構成使之發生和第1實施例的磁場發 生源7相同之磁場者。亦即,把在長方向兩端有磁極的多 數之桿狀磁鐵2 1配置成磁極的方向成環狀,構成實質上 和在第1實施例之磁場發生源7相同的,在軸方向兩端面 有環狀磁極之環狀磁鐵者。該磁場發生源1 7,係配置成 和第1實施例的磁場發生源7 —樣,將對蒸發物質3和第 1實施例同樣地作用。 第8圖,係顯示關於本發明的第3實施例之蒸發源 2 9。該蒸發源2 9的磁場發生裝置27,係和第1實施 例之環狀磁鐵7 —樣,由被構成,配置的徑內側環狀磁鐵 3 0,和被配置在其徑外側之徑外側環狀磁鐵3 1所構成 。徑外側環狀磁鐵3 1,係和徑內側磁鐵3 0 —樣,在軸 方向兩端具有磁極的環狀磁鐵,軸方向之厚度也被構成略 相同。該徑外側環狀磁鐵3 1,係被配置成和徑內側環狀 磁鐵3 0同軸,使相同磁極將向同方向地包圍徑內側環狀 磁鐵3 0。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如第8圖所示,根據如此構成的磁場發生裝置2 7時 ,將由兩環狀磁鐵3 0,·3 1之相互作用,貫穿蒸發物質 3的磁力線之數會比僅徑內側磁鐵3 0時增加。亦即,在 蒸發面1 1的磁場強度會提升,能夠更加強減少熔融粒子 之效果。 第9圖,係顯示關於本發明的實施例之蒸發源3 9。 該蒸發源3 9的磁場發生源3 7,係在內周側和外周側有 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公t ) 1242049 A7 B7 五、發明說明(i〇) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1環狀磁鐵4 0,及在內周.側和外周側有磁極,並且內 周側與外周側之磁極分別和第1環狀磁鐵4 0不同之第2 環狀磁鐵41。第1環狀磁鐵40和第2環狀磁鐵41 , 係被並置成同軸狀且在其軸方向。 具體上,第1環狀磁鐵4 0,係做爲內周側爲n極, 而外周側爲S極。並且,第2環狀磁鐵41 ,係做爲內周 側爲S極,而外周側爲N極。兩環狀磁鐵4 0,4 1的外 周側,係由磁性體4 2被連接。因兩環狀磁鐵4 0,4 1 之外周側爲異極,故磁性體4 2將由兩磁鐵4 0,4 1的 磁力被結合。 如此地,成環狀地具有磁極之磁鐵,也能夠由上述構 成實現。亦即,從兩環狀磁鐵4 0,4 1的內周側發生之 磁場,將成爲和在第1實施例的磁場發生源7略相同者, 使蒸發物質3之蒸發面1 1位於兩環狀磁鐵40,4 1的 內周側磁極之中間位置時,磁場將把蒸發面1略垂直地貫 穿。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而且,根據本實施例時,因兩磁鐵4 0,4 1的外周 側由磁性體4 2被連接,故磁場不會向外周側發生。因此 ,把該蒸發源3 9做爲單元使之在真空容器2多數鄰接配 置時,能夠有效率地排除向鄰接的蒸發源3 9之磁場的影 響。 第1 0圖,係顯示關於本發明的第5實施例之蒸發源 4 9。該蒸發源4 9的磁場發生源4 7,係由在徑內側有 N,S兩磁極之斷面u字狀的永久磁鐵所構成。在本實施 -13- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) 1242049 Α7 Β7 五、發明說明(ιυ 例’蒸發物質3,也被配置成其蒸發面1 1將位於兩磁極 之中間位置,而能得到和第4實施例相同之作用效果。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 再者,本發明並不限於前述各實施例。例如,磁場發 生源不一定要將蒸發物質包圍成圓環狀,也可以爲把蒸發 物質包圍成多角形狀者。 第1 1圖係顯示關於本發明的第6實施例之真空澱積 裝置。該真空澱積裝置,係在真空容器2內設置具有將成 陰極的蒸發物質3之電弧蒸發源9,由電弧放電電源4在 和未圖示的陽極之間發生電弧放電,使蒸發物質3蒸發· 離子化,而使薄膜堆積在塗膜被處理的(基板)5者。 如第1 2圖所示,蒸發源9,係具有盤狀的蒸發物質 (標的)3,和配置成將與蒸發物質之中心軸X成同軸狀 的環狀之磁場發生源,和在磁場發生源7的內周側有在蒸 發物質3之外周能維持絕緣的微小空隙1 2被配置之環狀 的磁性體1 3,及配置在蒸發物質3之背面側(蒸發面 1 1的相反側)之中央部的磁鐵(磁力線方向變更裝置) 14。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 蒸發物質3之形狀,除了盤狀以外,能夠採用方形狀 。此時,磁場發生源7和磁性體1 3,也以非圓形狀的環 ,而採用方形狀之環形狀爲理想。 磁場發生源7,係做爲在軸方向X兩端面有磁極的環 狀之永久磁鐵被構成,配置成如包圍蒸發物質。並且,磁 場發生源7,係做爲塗膜被處理物5側的端面(前方側之 面)爲Ν極,而他方的端面爲S極。再者,磁極之配置也 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1242049 A7 B7 五、發明說明(12) 可以爲相反。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本-1) 環狀的磁性體1 3,係例如由碳鋼材所構成,配置成 被處理物5側之端面1 3 a,將和蒸發面1 1成爲略同一 平面。 磁力線方向變更裝置的磁鐵(第四磁鐵)1 4,係永 久磁鐵,軸方向之被處理物5側被做爲S極,而軸方向相 反側被做爲N極。如此地,磁場發生源7和磁鐵1 4的磁 極,係被設成相反方向。因此,磁場發生源7之磁極和前 述者相反時,該磁鐵14的磁極也將配置成相反。 設置磁性體1 3時,第2圖之磁力線,將成爲如第 1 3圖所示。亦即,形成磁場發生源7的磁力線之中,貫 芽蒸發面的外周緣部附近者’將被容易通過磁力線之磁性 體1 3吸引。因此,在蒸發面1 1外周部,將被形成對蒸 發面1 1的法線向蒸發面中央部傾斜之磁力線。A 1〜 ‘ A 3係表示磁力線在和蒸發面1 1交叉的點之磁力線的切 線方向,顯示愈蒸發面外周側磁力線向中央部之傾斜愈大 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如此地,在蒸發面1 1的外周部,將能得到向中央部 側傾斜之磁力線,並且中央附近的磁力線,係和磁場發生 源7單獨時之情況幾乎相同,而對蒸發面略垂直地交叉。 因此,將能確保蒸發面的均勻之消耗,並且靠近蒸發面 1 1外周側的電弧點,將由於電弧容易向磁力線之傾斜方 向移動的特徵,而被推回蒸發面1 1之中央方向。 並且,如第1 4圖所示,由於將磁性體1 3設在蒸發 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公茇) :15- 1242049 A7 B7 五、發明說明(13) 物質3的四周,對磁性體1 3之電弧A的反撥舉動,也將 防止電弧A之跳出。亦即,當電弧A從第1 4圖(a )的 位置如第1 4圖(b )地靠近磁性體1 3時,電弧A之自 我形成磁場將由磁性體1 3被彎曲,磁性體1 3側將成高 磁通密度,而蒸發物質3側將成爲低磁通密度。電弧A將 由移動至低磁通密度的性質,而被推回低磁通密度方向之 蒸發物質3側。 而且,隨著電弧A從磁性體1 3離開,自我形成磁場 從由磁性體1 3的影響領域脫離,推回力將被逐漸減低, 最後將不受影響(第1 4圖(a )之狀態)。 由如上的作用,電弧點之封閉將更確實地被進行。 並且,因磁性體1 3和蒸發物質3被以空隙1 3設置 ,兩者係被電性地絕緣,故能確實防止電弧向磁性體1 3 側移行。 第1 5圖,顯示關於本發明的第7實施例之蒸發源 1 9。該蒸發源1 9的磁場發生源1 7,係將多數之永久 磁鐵排成環狀,被構成將形成和第1實施例的磁場發生源 7同樣之磁場者。亦即,把在長方向兩端有磁極的多數之 桿磁鐵2 1的磁極之方向排齊而配置成環狀,構成實質上 和在第1實施例的磁場發生源7相同之環狀磁鐵者。 第1 6圖,係顯示關於本發明的第8實施例之蒸發源 2 9。該蒸發源2 9的磁場發生源2 7,係被捲繞成和蒸 發物質3同軸狀之空芯線圈。 第1 7圖,係顯示在蒸發物質4的背面設置磁力線方 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---------訂---------線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -16- 1242049 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(14) 向變更裝置之磁鐵1 4時的磁力線之狀態。和第2圖比較 時顯示,貫通蒸發面1 1的中央部附近之磁力線,將被磁 鐵1 4吸引而對蒸發面1 1的法線方向成向外傾斜。因此 ,由於電弧容易向磁力線之傾斜方向移動的特徵,將被防 止電弧向蒸發面1 1中央集中。並且,由於磁鐵1 4之存 在,蒸發面1 1中央的磁通密度將變大,如第2圖之在中 央部的磁通密度之衰減也將被改善。因此將被防止電弧的 集中,而能設法使消耗均勻。 而且,如第1 8圖所示,當磁力線傾斜時,將在蒸發 面1 1發生水平磁力成份。此時,設傾斜的磁力線之磁通 密度爲B,磁力線和蒸發面1 1的角度爲0時,水平磁力 成份將成爲Bcos0。 由於電弧點,「將向和j X B相反方向移動」的特性 (j爲弧電流),在電弧點,將在第1 8圖所示之方向有 F = _」xB c 〇 s 0的力作用,雖然電弧點將在蒸發面 1 1上進行周旋運動,可是由其領域廣大,磁力線之傾斜 變大,能在廣範圍加速電弧點的移動速度,結果將會減低 微滴之發生。 再者,做爲磁力線方向變更裝置,除了永久磁鐵以外 ,也可以爲發生同樣的磁場之電磁鐵,也可以爲線圈。此 時,也使磁極的方向不會和磁場發生源7之磁力線反撥, 而使之連接即可。採用電磁鐵或線圈時,以設置使對電磁 鐵或線圈的通電電流値變化之控制裝置(未圖示)爲理想 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -17- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂——-------線. 1242049 A7 B7 五、發明說明(15) 由控制裝置使電磁鐵的發生磁力強度變化,而使蒸發 面1 1之磁力線條數(磁通密度)變化,能夠控制蒸發面 1 1的電弧點之運動領域,移動速度。結果,將能進行配 合標的之消耗程度,要求性能(粗度或成膜率)之電弧放 電。 * 並且’做爲磁力線方向變更裝置,也可以爲磁性體。 石炫性體時,係僅無使蒸發面1 1中央的磁通密度變大之作 用’關於使磁力線傾斜,將和磁鐵同樣地作用。 〔圖面之簡單說明〕 〔第1圖〕 係關於本發明的第1實施例之真空電弧澱積裝置的槪 略構成圖。 〔第2圖〕 係顯示有關本發明的第1實施例之蒸發源的斷面側視 圖。 〔第3圖〕 係關於本發明之第1實施例的蒸發源之正面圖。 〔第4圖〕 係顯示在本發明的從蒸發源之電子的飛行路徑之圖。 〔第5圖〕 係顯示在本發明的蒸發面上之電弧點的軌跡之印象圖 〇 〔第6圖〕 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線* 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -18· 1242049 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 五、發明說明(16) 係顯示做爲對本發明的比.較例之蒸發源的斷面側視圖 及正面圖,(A)係磁力線爲向內者,(B)係顯示磁力 線爲向外者。 〔第7圖〕 係顯示關於本發明的第2實施例之蒸發源,(a)爲 側視圖,(b )爲正面圖。 〔第8圖〕 係顯示關於本發明的第3實施例之蒸發源的斷面側視 圖。 〔第9圖〕 係顯示有關本發明之第4實施例,(a )爲斷面側視 圖,(b )爲正面圖。 〔第1 0圖〕 係顯示關於本發明的第5實施例之蒸發源,(a )爲 斷面側視圖,(b )爲正面圖。 〔第1 1圖〕 係有關本發明的第6實施例之真空澱積裝置的槪略構 成圖。 〔第1 2圖〕 係關於本發明之第6實施例的蒸發源之正面圖。 〔第1 3圖〕 係顯示由前述包圍蒸發物質的外周之環狀的磁性體之 磁力線的變化之斷面圖。 〔第1 4圖〕 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -I--I I 訂·— II---I I . 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -19 - 1242049 A7 B7 五、發明說明(1Ό 係顯示由前述包圍蒸發物質的外周,環狀的磁性體之 電弧反撥動作的斜視圖。 〔第1 5圖〕 係顯示有關本發明之第7實施例的蒸發源,(a )爲 側視圖,(b )爲正面圖。 〔第1 6圖〕 係顯示關於本發明之第8實施例的蒸發源之斷面圖。 〔第1 7圖〕 係顯示配置磁力線方向變更裝置的磁鐵時之磁力線的 狀態之斷面圖。 〔第1 8圖〕 係顯示電弧由傾斜的磁力線進行周旋運動之圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 [ 圖號說 明 ] 1 真 空 電 弧 澱 積裝置 2 真 空 容 器 3 蒸 發 物 質 7 磁 場 發 生 源 9 蒸 發 源 ( 單 元) 1 1 電 弧 蒸 發 面 1 7 磁 場 發 生 源 1 9 蒸 發 源 2 1 桿 狀 磁 鐵 2 7 磁 場 發 生 源 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1242049 A7 B7 五、發明說明(18) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 9 蒸 發 源 3 〇 徑 內 側 磁 場 發 生 源 3 1 徑 外 側 磁 場 發 生 源 3 7 磁 場 發 生 源 3 9 蒸 發 源 4 0 第 1 磁 場 發 生 源 4 1 第 2 磁 場 發 生 源 4 2 磁 性 體 4 7 磁 場 發 生 源 4 9 蒸 發 源 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本-1) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) -21 -

Claims (1)

1242049 A8 B8 JC8 D8 六、申請專利範圍 第8 8 1 2 2 5 7 9號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國94年7月21日修正 1 · 一種真空電弧蒸發源裝置,其特徵爲具備以下者, 成爲電弧放電的陰極之蒸發物質, 包圍前述蒸發物質的外周之磁性體,以及 在前述蒸發物質和前述磁性體之間將兩者電性地絕緣之 絕緣部, 和磁場發生源:在此磁場發生源係如包圍前述蒸發物質 地,並且,前述和蒸發物質之蒸發面交叉的所有磁力線,將 被配置成對前述蒸發面略垂直。 2 ·如申請專利範圍第1項之真空電弧蒸發源裝置,其 中, 上述磁力線,係將前述磁場發生裝置配置成對前述蒸發 面之法線成爲± 3 0度以內。 3 ·如申請專利範圍第1項之真空電弧蒸發源裝置,其 中, 前述蒸發面,將位於前述磁場發生源的N,S兩極之中 間。 4 .如申請專利範圍第1項之真空電弧蒸發源裝置,其 中, 前述磁場發生源,在其軸方向兩端具有磁極。 5 ·如申請專利範圍第4項之真空電弧蒸發源裝置,其 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) Φ—I (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1242049 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 中, (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 前述磁場發生源,係由包圍前述蒸發物質的徑內側磁場 發生源,和與該徑內側磁場發生源同軸上且同極將向同方向 地包圍前述徑內側磁場發生源之徑外側磁場發生源所構成。 6 ·如申請專利範圍第1項之真空電弧蒸發源裝置,其 中, 前述磁場發生源,係由在內周側和外周側有磁極之第1 磁場發生源和第2磁場發生源而成, 在此,前述第1磁場發生源和前述第2磁場發生源係向 軸方向被並置,而且,前述第1磁場發生源和前述第2磁場 發生源的內周側之磁極爲不同磁極。 7 ·如申請專利範圍第1項之真空電弧蒸發源裝置,其 中,更具備以下者, 磁力線之方向變更裝置:在此方向變更裝置係設在前述 蒸發物質的中央部背面側,將在前述蒸發物質之中央部附近 交叉的磁力線之方向,對立起在蒸發面的法線,變成在周緣 側向外傾斜之方向。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8 ·如申請專利範圍第4項之真空電弧蒸發源裝置,其 中,更具備以下者, 包圍前述蒸發物質的外周之磁性體, 磁力線之方向變更裝置:在此方向變更裝置,係設在前 述蒸發物質的中央部背面側之磁鐵,在軸方向兩端有磁極, 其磁極係和前述磁場發生源反向。 9 _如申請專利範圍第1項之真空電弧蒸發源裝置,其 ;2 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 1242049 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 中, 前述磁場發生源爲永久磁鐵 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4現格(21〇Χ297公釐)
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