RU2761900C1 - Магнетронное распылительное устройство - Google Patents

Магнетронное распылительное устройство Download PDF

Info

Publication number
RU2761900C1
RU2761900C1 RU2021102967A RU2021102967A RU2761900C1 RU 2761900 C1 RU2761900 C1 RU 2761900C1 RU 2021102967 A RU2021102967 A RU 2021102967A RU 2021102967 A RU2021102967 A RU 2021102967A RU 2761900 C1 RU2761900 C1 RU 2761900C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
target
glow discharge
vacuum chamber
increase
cathode
Prior art date
Application number
RU2021102967A
Other languages
English (en)
Inventor
Валерий Альбертович Лузанов
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук filed Critical Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук
Priority to RU2021102967A priority Critical patent/RU2761900C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2761900C1 publication Critical patent/RU2761900C1/ru

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J27/00Ion beam tubes
    • H01J27/02Ion sources; Ion guns
    • H01J27/04Ion sources; Ion guns using reflex discharge, e.g. Penning ion sources

Abstract

Изобретение относится к устройствам ионно-плазменного распыления в скрещенных магнитном и электрических полях и может быть использовано в качестве базового распылительного оборудования. Технический результат изобретения - повышение эффективности использования оборудования в составе системы вакуумного распыления в магнетронах и установках катодного осаждения за счет повышения общего эксплуатационного ресурса мишени, а также упрощение конструкции устройства и повышение надежности при эксплуатации. В магнетронном распылительном устройстве, содержащем мишень, являющуюся катодом тлеющего разряда, связанную с мишенью магнитную систему, вакуумную камеру, являющуюся анодом тлеющего разряда, и источник питания тлеющего разряда, соединенный отрицательным полюсом с мишенью, а положительным полюсом - с вакуумной камерой, магнитная система выполнена в виде прилегающего к мишени кольцевого магнита. 2 ил.

Description

Изобретение относится устройствам ионно-плазменного распыления в скрещенных магнитном и электрических полях, и может быть использовано в качестве базового распылительного оборудования.
Известно магнетронное распылительное устройство, содержащее плоскую круглую мишень, являющуюся катодом тлеющего разряда, магнитную систему, один из полюсов которой прилегает к центру внешней поверхности мишени, а второй ее полюс прилегает к периферии внешней поверхности мишени. (Патент США №3,878,085). Оно обеспечивает высокую скорость напыления за счет поддержания тлеющего разряда высокой плотности в скрещенных магнитном и электрическом полях. Однако площадь участка, распыляемого ионами, не превышает 25% от общей площади мишени.
Наиболее близким решением по технической сущности к изобретению является магнетронное распылительное устройство, содержащее плоскую круглую мишень, являющуюся катодом тлеющего разряда, магнитную систему, один из полюсов которой прилегает к центру внешней поверхности мишени, вакуумную камеру, являющуюся анодом тлеющего разряда, и источник питания тлеющего разряда, соединенный отрицательным полюсом с мишенью, а положительным полюсом - с вакуумной камерой, при этом оно снабжено охватывающим мишень и соединенным с ней электрически цилиндрическим электродом, к внешней поверхности которого прилегает второй полюс магнитной системы. (Патент РФ №2726223).
К недостаткам такой конструкции относится необходимость использования дополнительного цилиндрического электрода и прилегающей к нему магнитной системы, что приводит к усложнению и увеличению общих размеров устройства.
Технический результат изобретения заключается в повышении эффективности использования оборудования в составе системы вакуумного распыления в магнетронах и установках катодного осаждения за счет повышения общего эксплуатационного ресурса мишени, а также в упрощении конструкции устройства и повышении надежности при эксплуатации.
Указанный технический результат достигается тем, что в магнетронном распылительном устройстве, содержащем мишень, являющуюся катодом тлеющего разряда, связанную с мишенью магнитную систему, вакуумную камеру, являющуюся анодом тлеющего разряда, и источник питания тлеющего разряда, соединенный отрицательным полюсом с мишенью, а положительным полюсом - с вакуумной камерой, магнитная система выполнена в виде прилегающего к мишени кольцевого магнита
На фиг. 1 представлена схема магнетронного распылительного устройства, где (1) - магнитная система, выполненная в виде кольцевого магнита, (2) - мишень, (5) - вакуумная камера, (6) - источник питания тлеющего разряда, (7) - подложка. При этом конфигурация силовых линий создаваемого магнитного поля над распыляемой мишенью (2) такова, что существуют две кольцевых области, в который вектор магнитного поля (3) перпендикулярен вектору электрического поля (4).
В магнетронных системах используются скрещенные магнитные и электрические поля. Распыление мишени происходит за счет бомбардировки поверхности мишени ионами рабочего газа, образующимися в плазме аномального тлеющего разряда. В сильном магнитном поле достигается локализация плазмы вблизи поверхности распыляемой мишени и увеличивается плотность ионного тока.
Устройство работает следующим образом.
Вакуумную камеру с установленным внутри устройством откачивают до давления 1 мПа. затем подают в нее рабочий газ (например, аргон) и увеличивают давление в вакуумной камере до 0,5-1 Па. Далее от источника питания (6) подают отрицательный потенциал до 500 В на мишень (2), являющуюся катодом разряда. В результате зажигается плазма в виде тлеющего разряда. При бомбардировке мишени (2) ионами рабочего газа она эмитирует электроны, которые ускоряются в слое объемного заряда в области мишени (2) до энергии eU, где U - катодное падение потенциала разряда между плазмой и мишенью (2). Каждый эмитированный электрон, вылетевший из катода, движется по отрезку окружности в плоскости, перпендикулярной силовым линиям (3) магнитного поля, возвращается обратно в сторону катода. Образуется магнитная ловушка, в которой электроны проходят по замкнутым круговым траекториям вблизи мишени (2) путь, превышающий ее размеры во много раз. Высокая плотность электронов в прикатодной области позволяет им эффективно ионизировать молекулы рабочего газа, которые, в свою очередь, ускоряются в электрическом поле (4) и бомбардируют поверхность мишени, выбивая из нее молекулы распыляемого вещества, осаждаемого на подложку (7).
Таким образом, в предлагаемой конструкции магнетронного распылительного устройства область разряда представляет собой два концентрических кольца (Фиг. 2). А объект, воплощающий заявленное техническое решение, при его осуществлении способен обеспечить достижение заявленного технического результата - расширения эксплуатационных возможностей за счет повышения эффективности использования распыляемой мишени при упрощении конструкции и уменьшении общих габаритов системы.

Claims (1)

  1. Магнетронное распылительное устройство, содержащее плоскую мишень, являющуюся катодом тлеющего разряда, магнитную систему, связанную с мишенью, вакуумную камеру, являющуюся анодом тлеющего разряда, и источник питания тлеющего разряда, соединенный отрицательным полюсом с мишенью, а положительным полюсом - с вакуумной камерой, отличающееся тем, что магнитная система выполнена в виде прилегающего к мишени кольцевого магнита.
RU2021102967A 2021-02-08 2021-02-08 Магнетронное распылительное устройство RU2761900C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2021102967A RU2761900C1 (ru) 2021-02-08 2021-02-08 Магнетронное распылительное устройство

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2021102967A RU2761900C1 (ru) 2021-02-08 2021-02-08 Магнетронное распылительное устройство

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2761900C1 true RU2761900C1 (ru) 2021-12-13

Family

ID=79175076

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2021102967A RU2761900C1 (ru) 2021-02-08 2021-02-08 Магнетронное распылительное устройство

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2761900C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2794524C1 (ru) * 2022-10-14 2023-04-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технологический университет" СТАНКИН" (ФГБОУ ВО "МГТУ "СТАНКИН") Магнетронное распылительное устройство

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3878085A (en) * 1973-07-05 1975-04-15 Sloan Technology Corp Cathode sputtering apparatus
US6334405B1 (en) * 1999-01-14 2002-01-01 Kobe Steel, Ltd. Vacuum arc evaporation source and vacuum arc vapor deposition apparatus
US20030047443A1 (en) * 2001-09-07 2003-03-13 Clarke Peter J. Flat magnetron
US20070089983A1 (en) * 2005-10-24 2007-04-26 Soleras Ltd. Cathode incorporating fixed or rotating target in combination with a moving magnet assembly and applications thereof
RU2461664C2 (ru) * 2006-07-19 2012-09-20 Эрликон Трейдинг Аг, Трюббах Способ осаждения электроизолирующих слоев
RU2631553C2 (ru) * 2015-12-17 2017-09-25 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук (ИСЭ СО РАН) Магнетронная распылительная система с инжекцией электронов
RU2726223C1 (ru) * 2019-11-28 2020-07-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технологический университет "СТАНКИН" (ФГБОУ ВО "МГТУ "СТАНКИН") Магнетронное распылительное устройство

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3878085A (en) * 1973-07-05 1975-04-15 Sloan Technology Corp Cathode sputtering apparatus
US6334405B1 (en) * 1999-01-14 2002-01-01 Kobe Steel, Ltd. Vacuum arc evaporation source and vacuum arc vapor deposition apparatus
US20030047443A1 (en) * 2001-09-07 2003-03-13 Clarke Peter J. Flat magnetron
US20070089983A1 (en) * 2005-10-24 2007-04-26 Soleras Ltd. Cathode incorporating fixed or rotating target in combination with a moving magnet assembly and applications thereof
RU2461664C2 (ru) * 2006-07-19 2012-09-20 Эрликон Трейдинг Аг, Трюббах Способ осаждения электроизолирующих слоев
RU2631553C2 (ru) * 2015-12-17 2017-09-25 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук (ИСЭ СО РАН) Магнетронная распылительная система с инжекцией электронов
RU2726223C1 (ru) * 2019-11-28 2020-07-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технологический университет "СТАНКИН" (ФГБОУ ВО "МГТУ "СТАНКИН") Магнетронное распылительное устройство

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2794524C1 (ru) * 2022-10-14 2023-04-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технологический университет" СТАНКИН" (ФГБОУ ВО "МГТУ "СТАНКИН") Магнетронное распылительное устройство
RU2797697C1 (ru) * 2022-10-14 2023-06-07 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технологический университет "СТАНКИН" (ФГБОУ ВО "МГТУ СТАНКИН") Распылительное устройство

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5556519A (en) Magnetron sputter ion plating
US6254745B1 (en) Ionized physical vapor deposition method and apparatus with magnetic bucket and concentric plasma and material source
US6214183B1 (en) Combined ion-source and target-sputtering magnetron and a method for sputtering conductive and nonconductive materials
JP4722486B2 (ja) 高蒸着速度スパッタリング
US20090200158A1 (en) High power impulse magnetron sputtering vapour deposition
US6238537B1 (en) Ion assisted deposition source
US20070119701A1 (en) High-Power Pulsed Magnetron Sputtering
US6224725B1 (en) Unbalanced magnetron sputtering with auxiliary cathode
CA2803087C (en) Arc deposition source having a defined electric field
KR20020005512A (ko) 마그네트론 스퍼터링 반응기의 바이어스 차폐판
US20220181129A1 (en) Magnetron plasma apparatus
CN105655217A (zh) 一种射频偏压供电的磁控溅射金属铝离子源
JP6189406B2 (ja) マグネトロン・スパッタリング・デバイスにおいて使用するための統合したアノードおよび活性化反応性ガス源
RU2761900C1 (ru) Магнетронное распылительное устройство
RU2631553C2 (ru) Магнетронная распылительная система с инжекцией электронов
RU2313848C1 (ru) Сильноточная электронная пушка
US3530057A (en) Sputtering
US10224189B2 (en) Apparatus and a method for deposition of material to form a coating
RU2601903C2 (ru) Способ напыления тонкопленочных покрытий на поверхность полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур методом магнетронного распыления
RU2797582C1 (ru) Устройство для осаждения металлических пленок
RU2792344C1 (ru) Газоразрядная электронная пушка, управляемая источником ионов с замкнутым дрейфом электронов
RU2792344C9 (ru) Газоразрядная электронная пушка, управляемая источником ионов с замкнутым дрейфом электронов
US3516920A (en) Sputtering apparatus
Belchenko et al. Development of surface-plasma negative ions sources at BINP
KR20200081844A (ko) 플라즈마소스의 전극판 에칭 억제 수단이 마련된 스퍼터