TWI241859B - Display unit and its manufacturing method - Google Patents
Display unit and its manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- TWI241859B TWI241859B TW092126637A TW92126637A TWI241859B TW I241859 B TWI241859 B TW I241859B TW 092126637 A TW092126637 A TW 092126637A TW 92126637 A TW92126637 A TW 92126637A TW I241859 B TWI241859 B TW I241859B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- protective film
- termination surface
- display area
- sealing substrate
- substrate
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/917—Electroluminescent
Description
1241859 坎、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明關於具有完全固態之密封結構的顯示元件,其中 以顯示區域所設置的驅動基板會與密封基板以膠黏層在其 中間黏合,及關於其製造方法,及更明確地,關於一顯示 元件’其中有機發光元件設置於其顯示區域中及關於其製 造方法。 【先前技術】 當欲以顯示元件取代液晶顯示器時,即提及使用有機發 光元件之有機發光顯示器。有機發光顯示器的特徵就是其 視野角度寬廣及其電源消耗低,因其為自體發光的發光類 型顯示器。吾人亦認為有機發光顯示器是對高清晰度高速 的視訊信號具有良好回應的顯示器,並正往實用性開發中。 在有機發光顯示器中,可能會產生一不發光的區域(黑 點),且會因為濕氣,氧氣等侵入有機發光元件而劣化照 度。習知上,會採取在後面板之框邊部份塗敷膠黏劑的方 法,將金屬或玻璃所製成的密封罐黏合於此,並將吸收劑 材料(如,鈣)封閉在後面板與密封罐間之空間。然而,使用 該密封罐的密封方法造成其製造過程及成本上的問題。此 外,無法完全杜絕濕氣經由膠黏劑等侵入密封罐内部的可 能性。 為了阻絕濕氣或氧氣,建議採用覆蓋以一薄膜的有機發 光元件或密封罐的結構,該薄膜主要成份為密封材料及 石反。(例如,參照日本未審專利申請案2 〇 〇 2 - 9 3 5 8 6及2002- 87364 1241859 93576唬)然而,在藉由以薄膜覆蓋的有機發光元件所形 成的4封中,有因為殘留應力及低階梯覆蓋所造成的薄膜 剝落,而產生一部份不為薄膜所覆蓋的問題。因此,在此 狀況中,難以完全阻絕濕氣,氧氣等侵入有機發光元件。 因此,已開發出以有機發光元件所設置的驅動基板與密 封基板以膠黏層在其中間黏合的完全固態結構。在該完全 固態的密封結構巾,有機發光元件與密封基板之間沒有剩 餘的空隙,因而防止了濕氣或氧氣的侵入,更提升了顯示 器的可靠度。 在某些疋全固態的密封結構中,在驅動基板上形成的有 機發光元件會以一保護薄膜(鈍化層)覆蓋。驅動基板周園的 框架區域是以外部連接端設置的外部連接區域,以令有機 發光元件與驅動電路等之間形成連接。當在外部連接端上 形成保護薄膜時,會降低連接端的可靠度。因此,習用上, 當保護薄膜形成時,即會罩幕外部連接端。然而,因為罩 幕造成活性劑限制及電漿分離,保護薄膜在罩幕邊緣的薄 膜厚度分配在一般的沉積程序中很重要,如濺鍍沉積, CVD(化予蒸氣沉積)等,特別是cvd。亦即,保護薄膜之薄 膜厚度漸趨增加,且在CVD程序中,雖然依賴罩幕的厚度 及形狀,但必須維持約5 mm厚度以獲得特定薄膜厚度的 90〇/。。因此,框架區域(即,外部連接區域)傾向較大。此外, 在保遵薄膜的傾斜終止面與有機發光元件間之距離變短, 造成濕氣等易於侵入,且接著造成有機發光元件之可靠度 降低。 87364 -8 - 1241859 在有機發光元件l〇R,10G,及10B中,(例)一第一電極12 作為陽極,一絕緣薄膜13,一有機層14,及一第二電極15 作為陰極,而由驅動基板11側以此順序堆積成層。在第二 電極15上形成保護薄膜11C。 第一電極12亦可作為反射層,因此希望第一電極12具有 越高越好的反射係數以增進發光效率。例如,製造第一電 極12的材料包括,純物質或具有高功函數的金屬元素合 金,如鉑(Pt),金(Au),銀(Ag),鉻(Cr),鎢(W)等。層疊方 向的第一電極12之厚度(下文簡稱為厚度)較佳由1〇〇 11111至 300 nm。對於金屬合金而言,(例)可引用銀免銅合金,其主 要元素為銀’且含有〇.3重量%至1重量%的免及〇 3重量%至 1重量%的銅。 絕緣薄膜13的功用為(例),確保相鄰有機發光元件1〇尺, 10G,及10B間之各第一電極12的絕緣。絕緣薄膜13具有約 (例)300 nm的厚度,且由絕緣材料(如,二氧化矽si〇2)所製 成0 有機層14的結構會依有機發光元件1〇的發光色彩而改 變。圖2顯示有機發光元件服及1〇B中的有機層14結構放 大圖。有機發光元件10R及l〇B的有機層14具有一結構,其 中-電子孔傳輸層14A,—發光層14B,及—電子傳輸層Μ 以此順序,由第-電極12侧堆積成層。電子孔傳輸層Μ 的功用為增進將電子孔注入發光層14B的效率。在此實施例 中’電子孔傳輸廣14A亦具有電予孔注人層之功用。發光層 UB的功用為藉由電流注射而產生光線。電子傳輸層二 87364 -11 - 1241859 功用為增進將電子注入發光層14B的效率。 有機發光元件10R的電子孔傳輸層14A(例)具有約45 nm 的厚度,且由 3-NPD(bis[(N-naphthyl)-N-phenyl] benzidine) 所製成。有機發光元件10R的發光層14B(例)具有50 nm的厚 度,且由(2,5-bis[4-[N-(4-methoxyphenyl)-N-phenylamino]] stilbenzene-l,4-dica-bonitrile)所製成。有機發光元件 10R的 電子傳輸層14C(例)具有約30 nm的厚度,且由8-羥基鋁複合 物(Alq3)所製成。 有機發光元件10B的電子孔傳輸層14A(例)具有約30 nm 的厚度,且由α-NPD所製成。有機發光元件10B的發光層 14B(例)具有約30 nm的厚度,且由4,4’-二(2,2’_二苯基乙烯 基)二苯基(DPVBi)所製成。有機發光元件10B的電子傳輸層 14C(例)具有約30 nm的厚度,且由Alq3所製成。 圖3顯示有機發光元件10G中的有機層14之結構放大圖。 有機發光元件10G的有機層14具有一結構,即電子孔傳輸層 14A及發光層14B以此順序由第一電極12側堆積成層。電子 孔傳輸層14A亦具有如電子孔注射層的功用。發光層14B亦 具有如電子輸傳層的功用。 有機發光元件10G的電子孔傳輸層14A(例)具有約50 nm 的厚度,且由α-NPD所製成。有機發光元件10G的發光層 14B(例)具有約60 nm的厚度,且由Alq3與1體積%的香豆素6 (C6)的混合物所製成。 圖1至3所示的第二電極15具有(例)5 nm到50 nm的厚度, 及由純物質或低功函數的金屬元素合金所製成,如铭(A1), 87364 -12· 1241859 鎂(Mg),鈣(Ca),鈉(Na)等。尤其是,由鎂與銀(鎂銀合金) 所製成的合金是較佳的,且鎂對銀的重量比較佳為Mg: Ag 二5 : 1 至 20 : 1。 如圖1所示的密封基板21以膠黏層30密封有機發光元件 10R,10G,及10B。密封基板21由透光的材料(如,玻璃) 所製成’該光線由有機發光元件1 〇R,1 〇G,及1 〇B所產生, 及該密封基板置於對應驅動基板11之顯示區域的區域中。 在圖1所示的外部連接區域中,有機發光元件〗〇R,丨〇G, 及10B的第一電極12亦往保護薄膜lie的外側延伸,且成為 外部連接端16。在外部連接端16上設置外部終端17。雖未 示於圖式,同樣地亦設置第二電極15的外部連接區域丨1B。 形成圖1所示的保護薄膜11C,以覆蓋顯示區域11 a及曝 露外部連接區域11B。例如,保護薄膜lie由透明介電質 (如,二氧化矽Si〇2及氮化矽SiNx)所製成。保護薄膜lie的 終止面11D沿著垂直平面VP而形成,該垂直平面包括對應 終止面11D之密封基板21的終止面21A。因此,保護薄膜11C 的終止面11D形成在在密封基板21終止面21A位置中之幾 近垂直剖面内,及全部顯示區域11A以平均厚度的保護薄膜 11C覆蓋之。因此,可防止濕氣等侵入顯示區域11A,有機 發光元件10R,10G,並提升10B之可靠度,及減少框架區 域(即,外部連接區域11B)。 更明確地,依密封基板21終止面21A内2 mm區域内之保 護薄膜11C的薄膜厚度分配而論,當(例)在密封基板21終止 面21A内至少100 nm的充份内部位置中,薄膜厚度T為1時, 87364 -13· 1241859 相對薄膜厚度較佳為至少0.95。然而,因表面特性的影響, 邵份的相對薄膜厚度在〇. 9 5以下是必要的。相對薄膜厚度 設定為至少0.95的原因是,關於薄膜厚度改變等的允許範 圍内之值,導因於保護薄膜11C的沉積程序中之因素。另一 原因疋’當薄膜厚度分配在上述範圍内時,存在一實質因 素’即可避免濕氣等侵入顯示區域。較佳為,上述的薄膜 厚度T越薄,則在上述範園内的薄膜厚度分配之較低限制就 會越高(例如,0.97,0.98等)。 希望保護薄膜11C終止面11D為對應圖1所示之垂直平面 vp的垂直平面。然而,保護薄膜11C的終止面11D會輕微傾 斜到内部,如,由虛線11E所示的顯示區域11 a侧,或傾斜 到外部,如,由虛線11F所示的外部連接區域11B。此外, 保護薄膜11C的終止面11D可對應垂直平面VP,或由傾斜到 内邵或外部,由局部一部份到另一部份。然而,當終止面 11D不對應於上述之虛線11E及11F的垂直平面vp時,終止 面UD之較低端丨1G與垂直平面vp間的距離〇較佳設定為 不大於2 mm。當距離D在此範圍内時,由垂直平面VP至終 止面11D之較低端11G的内部差及外部差的總合至多為4 mm ’並可減少框架區域(即,外部連接區域丨1B),相較於 習用方式中,保護薄膜的薄膜厚度緩緩增加,且在由保護 薄膜較低端内約5 mm的位置即達到90%的特定薄膜厚度。 更佳設定終止面nD之較低端11G與垂直平面VP間的距 離D以滿足數學表示式1。 87364 -14- 1241859 尤其’因為終止面1 ID之較低端11G與垂直平面VP間的距 離D設定為不大於2 mm,由垂直平面VP至終止面11D較低 11G的内邵差與外部差之總和至多為4 mm,故可減少框 架區域(即,外部連接區域11B)。 再者’更明確地,因為藉由將密封基板21當作罩幕使用 的各向異性蝕刻而形成保護薄膜11C之終止面11D,故不需 要進行罩幕’因而可簡化其製程。此外,因為不可能在習 知之外部連接區域11B突出的狀態下形成保護薄膜11C,則 可增加外部連接端16的可靠度。 [範例] 接著,下文會描述本發明的具體範例。 (範例1)
在驅動基板11中,形成顯示區域丨丨八,及除了只設置有機 發光元件10G之外,以上述實施例的相同方式在相鄰顯示區 域11A處形成外部連接區域11B。再者,由SiNx所製成的保 護薄膜11C,以所設定的2 之薄膜厚度形成在驅動基板 11的整個面上。沉積的條件為,使用13.56 MHz的電漿CVD 單位,lOOsccm,40〇sccm,及2,000 ccm的流量分別施加以 SiH4,NH3,及N2,及施加60 Pa及100 W。之後,密封基板 21置於對應驅動基板11之顯示區域11A的區域中,驅動基板 11與密封基板21在其中間以膠黏層30黏合,及藉由將密封 基板21當作罩幕使用的各向異性蝕刻而形成保護薄膜丨1C 的終止面1 ID。在該各向異性蝕刻中,使用了 RIE單位,及 依蝕刻條件,在200 seem及50 seem的流量分別施加以CF 87364 -18 - 1241859 第一電極12亦可能以與上述順序相反的順序由驅動基板i i 側在驅動基板11上堆積成層,及由驅動基板丨丨側抽取光線。 再者,例如,雖然在上文實施例中,已描述將第一電極 12當作陽極使用及將第二電極15當作陰極使用的狀況,難 以將第电極12當作陰極使用及將第二電極15當作陽極使 用。在此狀況中,依第二電極15的材料而言,純物質或具 有高功函數的金,銀,鉑,銅等合金非常合適。然而,可 藉由設置第二電極15與有機層14之間的電子孔之薄膜的薄 膜層而使用其他材料。此外,亦可以是將第一電極12當作 陰極使用及將第二電極15當作陽極使用,而第二電極15, 絕緣薄膜13 ’有機層14,及第一電極12,以此順序由驅動 基板11側在驅動基板11上堆積成層,及由驅動基板丨1側抽 取光線。 再者,雖然在上文實施例中,已特別描述有機發光元件 的結構,並非所有層(如,絕緣薄膜13)皆設置,且亦可再設 置其他層。例如,第一電極12可為一雙層結構,其中一透 明導電薄膜位於一反射薄膜(如,介電多層薄膜及鋁)上。 再者,雖然而上文實施例中,已描述由半透明電極所製 成的第二電極15的狀況,第二電極丨5具有一結構,其中一 半透明電極及一透明電極以此順序由第一電極12侧堆積成 層。透明電極用以降低半透明電極之電阻,且以導電材科 所製成,該材料對發光層中產生的光線具有充份的半透明 性。依製造透明電極的材料而言,例如,ITO,或含有鋼, 鋅(Zn),及氧的化合物(IZ0)是較佳的,因為即使在室溫下 87364 -21 - 1241859 30 膠黏層 111A 顯示區域 111B 外部連接區域 me 保護薄膜 111D 終止面 111G 較低端 118 罩幕 118A 開口 121 密封基板 130 膠黏層 87364
Claims (1)
1241859 ίΐΤ::〜了—u $ 〇必1施37號專利中請案 ;$倉1錄肩 文申請專利範圍替換本(94年5月)i η ' PI! 拾、申請專利範園: 1 · 一種顯示元件,包括: 一驅動基板,其具有一顯示區域丨及 一贫封基板,其配置於設置該驅動基板之該顯示區域之 側上, 其中驅動基板具有一保護薄膜,其覆蓋該顯示區域及 曝露一相鄰該顯示區域之外部連接區域; 茲密封基板置於對應該驅動基板之該顯示區域之區域 中;及 /口著包括该岔封基板終止面之垂直平面形成該保護薄 膜之終止面,該密封基板終止面位於該保護薄膜終止面 相同之側上。 2.如申請專利範圍第1項之顯示元件,其中,關於由該密封 基板終止面2 mm區域内之保護薄膜之薄膜厚度分配,當 該密封基板終止面足夠内部位置之薄膜厚度為丨時,相對 薄膜厚度為至少0.95。 3 ·如申凊專利範圍第1項之顯示元件,其中該保護薄膜終止 面之較低端與該垂直平面間之距離〇設定為不大於2 mm。 4·如申請專利範圍第1項之顯示元件,其中該保護薄膜終止 面之較低端與該垂直平面間之距離D滿足數學表示式2。 [數學表示式2] D ^ Τ · (tan Θ ) (在數學表示式中,丁代表在由該密封基板終止面足夠内 部位置之保護薄膜之薄膜厚度,0代表一平面造成之角 1241859 度β平面位於由保護薄膜終止面之較高端拉到較低端 义面上,其相對於垂直平面之值之範圍為〇。^ ^切。)。 5·如中凊專利範圍第】項之顯示元件,其中一有機發光元件 形成在該顯示區域中,該有機發射元件具有一包括一發 光層4有機層,該有機發射層位於一第一電極與一第二 私極之間,將發光層所產生之光線由第二電極側發送。 6·如申凊專利範圍第丨項之顯示元件,其中該驅動基板與該 密封基板以膠黏層在其中間黏合。 7· 一種製造顯不元件之方法,該顯示元件包括: 一驅動基板,其具有一顯示區域;及 一密封基板,其配置於設置該驅動基板之該顯示區域 側上,該方法包括以下步驟: 在設置該驅動基板之該顯示區域側上之整個面上形成 一保護薄膜; 在對應該驅動基板之該顯示區域之區域中設置該密封 基板;及 /口著一包括忒达、封基板終止面之垂直平面形成一保護 薄膜終止面,該密封基板終止面位於該保護薄膜終止面 之相同側上,藉由該保護薄膜覆蓋該顯示區域及曝露一 相鄰該顯示區域之外部連接區域。 8.如申請專利範圍第7項之製造顯示元件之方法,其中該保 護薄膜終止面藉由將該密封基板當作一罩幕之各向異性 姓刻而形成。 9·如申請專利範圍第7項之製造顯示元件之方法,其中一有 87364-940519.doc -2 - 1241859 機發光元件形成於該顯示區域之中,該有機發光元件具 有一包括一發光層之有機層,該發光層位於一第一電極 與一第二電極之間,該有機發光元件由第二電極侧抽取 發光層中所產生之光線。 ίο. 如申請專利範圍第7項之顯示元件製造方法,其中該驅動 基板與該密封基板以一膠黏層在其中間黏人 87364-940519.doc
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002288226A JP4032909B2 (ja) | 2002-10-01 | 2002-10-01 | 有機発光表示装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200420173A TW200420173A (en) | 2004-10-01 |
TWI241859B true TWI241859B (en) | 2005-10-11 |
Family
ID=32025423
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW092126637A TWI241859B (en) | 2002-10-01 | 2003-09-26 | Display unit and its manufacturing method |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7274142B2 (zh) |
JP (1) | JP4032909B2 (zh) |
KR (1) | KR100994850B1 (zh) |
CN (1) | CN100440573C (zh) |
SG (1) | SG132501A1 (zh) |
TW (1) | TWI241859B (zh) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI238449B (en) * | 2003-06-06 | 2005-08-21 | Pioneer Corp | Organic semiconductor device and method of manufacture of same |
KR100592388B1 (ko) * | 2004-04-01 | 2006-06-22 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법 |
KR20060104531A (ko) * | 2005-03-30 | 2006-10-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광표시장치의 제조방법 |
JP4631801B2 (ja) * | 2005-09-02 | 2011-02-16 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置の製造方法、および発光装置 |
JP2007123240A (ja) | 2005-09-28 | 2007-05-17 | Sony Corp | 表示装置の製造方法および表示装置 |
JP4640978B2 (ja) * | 2005-10-28 | 2011-03-02 | 京セラ株式会社 | 有機elディスプレイ |
US8263968B2 (en) * | 2005-10-31 | 2012-09-11 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Double sided emission organic light emitting diode display |
JP2007134243A (ja) * | 2005-11-11 | 2007-05-31 | Sony Corp | 表示装置の製造方法およびマスク |
JP2007234332A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Tohoku Pioneer Corp | 自発光パネルの製造方法、および自発光パネル |
US20070262051A1 (en) * | 2006-05-12 | 2007-11-15 | Advanced Chip Engineering Technology Inc. | Method of plasma etching with pattern mask |
JP2009049001A (ja) * | 2007-07-20 | 2009-03-05 | Canon Inc | 有機発光装置及びその製造方法 |
JP5071152B2 (ja) * | 2008-02-28 | 2012-11-14 | ソニー株式会社 | 表示装置の製造方法および照明装置の製造方法 |
CN102349173A (zh) * | 2008-04-08 | 2012-02-08 | 拓普纳诺斯株式会社 | 照明显示设备及其制造方法 |
JP6186697B2 (ja) * | 2012-10-29 | 2017-08-30 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el装置の製造方法、有機el装置、電子機器 |
CN105284186B (zh) * | 2013-06-07 | 2017-05-17 | 株式会社爱发科 | 元件结构体及其制造方法 |
JP6515537B2 (ja) * | 2014-04-08 | 2019-05-22 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el装置の製造方法、有機el装置、電子機器 |
JP6701777B2 (ja) | 2016-02-15 | 2020-05-27 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電子機器 |
JP6733203B2 (ja) | 2016-02-15 | 2020-07-29 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電子機器 |
JP2017157313A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置の製造方法、及び表示装置 |
JP2017168411A (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置の製造方法 |
CN107644937B (zh) * | 2016-07-22 | 2021-06-15 | 元太科技工业股份有限公司 | 电子组件封装体 |
CN106711184B (zh) * | 2017-03-14 | 2020-01-31 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板制作方法、显示面板及显示装置 |
CN107579103A (zh) * | 2017-08-31 | 2018-01-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示面板、显示装置及其制作方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1055887A (ja) * | 1996-08-08 | 1998-02-24 | Denso Corp | マトリクス表示装置 |
JP3999837B2 (ja) * | 1997-02-10 | 2007-10-31 | Tdk株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
EP1121838A4 (en) * | 1998-08-03 | 2004-10-27 | Dupont Displays Inc | ENCAPSULATION OF SOLID STATE DEVICES BASED ON POLYMERS WITH INORGANIC MATERIALS |
WO2000065670A1 (en) * | 1999-04-28 | 2000-11-02 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Flexible organic electronic device with improved resistance to oxygen and moisture degradation |
TWI226205B (en) * | 2000-03-27 | 2005-01-01 | Semiconductor Energy Lab | Self-light emitting device and method of manufacturing the same |
JP4556282B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2010-10-06 | 株式会社デンソー | 有機el素子およびその製造方法 |
JP4375699B2 (ja) * | 2000-09-14 | 2009-12-02 | 株式会社リコー | タンデム作像装置およびそれを備える画像形成装置、ならびに作像手段の配置方法 |
JP2002175877A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-06-21 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器 |
JP2002258768A (ja) * | 2001-03-02 | 2002-09-11 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、その製造方法および電子機器 |
JP2002270377A (ja) | 2001-03-08 | 2002-09-20 | Seiko Epson Corp | 発光パネル及び電子機器 |
JP2002280187A (ja) | 2001-03-16 | 2002-09-27 | Seiko Epson Corp | 有機el素子 |
JP2003187969A (ja) * | 2001-12-18 | 2003-07-04 | Sony Corp | 表示装置の製造方法 |
JP3865056B2 (ja) * | 2002-01-22 | 2007-01-10 | セイコーエプソン株式会社 | 封止用基板の製造方法 |
JP4207441B2 (ja) | 2002-03-18 | 2009-01-14 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el素子の製造方法 |
JP3729262B2 (ja) | 2002-08-29 | 2005-12-21 | セイコーエプソン株式会社 | エレクトロルミネセンス装置及び電子機器 |
-
2002
- 2002-10-01 JP JP2002288226A patent/JP4032909B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-09-22 SG SG200305622-3A patent/SG132501A1/en unknown
- 2003-09-26 TW TW092126637A patent/TWI241859B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-09-26 US US10/671,989 patent/US7274142B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-10-01 KR KR1020030068202A patent/KR100994850B1/ko active IP Right Grant
- 2003-10-01 CN CNB2003101026068A patent/CN100440573C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20040030356A (ko) | 2004-04-09 |
CN100440573C (zh) | 2008-12-03 |
KR100994850B1 (ko) | 2010-11-16 |
TW200420173A (en) | 2004-10-01 |
CN1498039A (zh) | 2004-05-19 |
SG132501A1 (en) | 2007-06-28 |
US7274142B2 (en) | 2007-09-25 |
JP4032909B2 (ja) | 2008-01-16 |
JP2004127637A (ja) | 2004-04-22 |
US20040061434A1 (en) | 2004-04-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI241859B (en) | Display unit and its manufacturing method | |
JP4864546B2 (ja) | 有機el表示装置およびその製造方法 | |
US9312316B2 (en) | Organic light emitting diode display and manufacturing method of the same | |
US6617052B2 (en) | Organic EL element and method of manufacturing the same | |
US7250634B2 (en) | Light-emitting device, method of manufacturing the same, and display unit | |
KR101677264B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
US8008857B2 (en) | Organic light emitting display with reflective electrode | |
US20060192481A1 (en) | Organic electroluminescence type display apparatus | |
JP2004031324A (ja) | 有機電界発光素子 | |
KR100667081B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 | |
JP2020004723A (ja) | 表示装置 | |
JP2008124316A (ja) | 有機el表示装置 | |
TWI268119B (en) | Organic electroluminescent device | |
JP5117001B2 (ja) | 有機el表示装置 | |
CN102163616B (zh) | 有机发光显示设备 | |
WO2006104256A1 (ja) | 有機el素子及びその製造方法 | |
JP4453385B2 (ja) | 表示装置の製造方法 | |
JP4543336B2 (ja) | 表示装置の製造方法 | |
JPH10247587A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 | |
JP2008108533A (ja) | 有機el表示装置 | |
JP2003338366A (ja) | El装置、el装置の製造方法、及びel表示装置 | |
JP3223250B2 (ja) | 有機el表示装置、およびその製造方法 | |
JP2009123615A (ja) | 表示装置 | |
JP2002260846A (ja) | 有機el素子ディスプレイパネルとその製造方法 | |
TWI222840B (en) | Panel of organic electroluminescent display |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |