CN100440573C - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

显示装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN100440573C
CN100440573C CNB2003101026068A CN200310102606A CN100440573C CN 100440573 C CN100440573 C CN 100440573C CN B2003101026068 A CNB2003101026068 A CN B2003101026068A CN 200310102606 A CN200310102606 A CN 200310102606A CN 100440573 C CN100440573 C CN 100440573C
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
diaphragm
face
sealing
viewing area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB2003101026068A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1498039A (zh
Inventor
森敬郎
远田真史
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Joled Inc
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Publication of CN1498039A publication Critical patent/CN1498039A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100440573C publication Critical patent/CN100440573C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841Self-supporting sealing arrangements
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/02Details
    • H05B33/04Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842Containers
    • H10K50/8426Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/302Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023Direction of light emission
    • H10K2102/3026Top emission
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/17Passive-matrix OLED displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917Electroluminescent

Abstract

本发明提供一种显示装置及其制造方法,通过在整个显示区上形成均匀膜厚的保护膜,可以提高可靠性和减小框架区域。沿着包括密封用基板相应端面的垂直平面形成保护膜的端面。保护膜的端面在密封用基板的端面的位置上形成为近似垂直断面,并且整个显示区被均匀膜厚的保护膜覆盖。优选保护膜的端面的下端和垂直平面之间的距离设定为2mm或以下。在驱动用基板的整个面上形成保护膜之后,优选通过利用密封用基板作掩模进行各向异性刻蚀形成保护膜的端面。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种具有完全固态密封结构的显示装置及其制造方法,其中设有显示区的驱动用基板和密封用基板利用其间的粘接层被粘接在一起,特别涉及一种有机发光器件被设置在其显示区中的显示装置及其制造方法。
背景技术
作为代替液晶显示器的显示装置,采用有机发光器件的有机发光显示器已经引起人们的注意。有机发光显示器具有其视角宽和其功耗低的特性,这是因为它是自发光型显示器。有机发光显示器还被看作是对高清晰度高速视频信号具有足够响应的显示器,并且正朝着实际应用方向发展。
在有机发光显示器中,存在由于潮气、氧气等进入到有机发光器件中而产生不发光的区域(暗点)和亮度下降的可能性。这样,抑制潮气或氧气进入的密封技术是必须的。通常,已经采取了这样的措施,即将粘接剂施加于后面板的边缘部分,将由金属或玻璃构成的密封罩粘接到其上,并将诸如钙的吸气材料封闭到后面板和密封罩之间的空间内。然而,采用这种密封罩的这种密封方法具有其制造工艺及其成本的问题。此外,还存在不能完全防止潮气通过粘接剂等进入密封罩内部的可能性。
为了阻挡潮气或氧,有人已经建议了这样一种结构,其中用主要成分是密封材料和碳的薄膜覆盖有机发光器件或密封罩。(例如,参照日本未审查专利申请公报No.2002-93586和2002-93576。)然而,在通过用薄膜覆盖有机发光器件进行密封的情况下,存在的问题是由于残余应力和低台阶覆盖引起薄膜剥落从而产生没有被薄膜覆盖的部分。因此,在这种情况下,难以完全阻挡潮气、氧气等进入有机发光器件中。
因而,已经发展了一种完全固态密封结构,其中设置有有机发光器件的驱动用基板和密封用基板利用在其间的粘接层被粘接在一起。在这种完全固态密封结构中,在有机发光器件和密封用基板之间不存在导致潮气或氧气进入的剩余间隙,因此可提高显示器的可靠性。
在一些完全固态密封结构中,用保护膜(钝化膜)覆盖形成在驱动用基板上的有机发光器件。驱动用基板的周边框架区域是设有外部连接端子的外部连接区,以便在有机发光器件和驱动电路等之间进行连接。当保护膜形成在这种外部连接端子上时,可能会降低端子的可靠性。因此,通常,当形成保护膜时,外部连接端子被掩蔽。然而,由于掩蔽引起活化剂的限制和等离子体分离,因此在掩模边缘处的保护膜的膜厚分布在一般的淀积工艺如溅射淀积、CVD(化学汽相淀积)等、特别是CVD中将产生问题。即,保护膜的膜厚随着倾斜度而增加,并且在CVD工艺中,尽管取决于掩模厚度和形状,为获得90%的给定膜厚可能需要约5mm的宽度。因此,框架区域,即外部连接区趋于变大。此外,还有可能缩短保护膜的倾斜端面和有机发光器件之间的距离,导致潮气等容易进入,并导致有机发光器件的可靠性下降。
上述问题可通过使掩模厚度变薄来解决。然而,使掩模厚度变薄将导致掩模的粘接性下降。特别是,在包括CVD工艺的一些情况下,保护膜进入掩模和基板或外部连接端子之间的间隙,并破坏外部连接端子的可靠性。
发明内容
鉴于上述问题,本发明的目的是提供一种显示装置及其制造方法,通过在整个显示区上方形成均匀膜厚的保护膜可以提高可靠性并减少框架面积。
根据本发明的显示装置包括一具有显示区的驱动用基板和一设置在提供驱动用基板的显示区的一侧上的密封用基板。驱动用基板具有覆盖显示区并露出与显示区相邻的外部连接区的保护膜。密封用基板设置在对应于驱动用基板的显示区的区域中,并且沿着包括密封用基板端面的垂直平面形成保护膜的端面,其中密封用基板端面位于保护膜的端面所在的同一侧。
根据本发明的显示装置制造方法是制造该显示装置的方法,该显示装置包括具有显示区的驱动用基板和设置在提供驱动用基板的显示区的一侧上的密封用基板。这种制造方法包括以下步骤:在提供驱动用基板的显示区的一侧上的整个表面上形成保护膜;在对应于驱动用基板的显示区的区域中设置密封用基板;和沿着包括密封用基板的端面的垂直平面形成保护膜的端面,其中该密封用基板的端面位于保护膜的端面所在的同一侧上,并且保护膜覆盖显示区和露出与显示区相邻的外部连接区。这里,保护膜的端面优选通过采用密封用基板作为掩模的各向异性刻蚀法形成。
在根据本发明的显示装置及其制造方法中,密封用基板设置在对应于驱动用基板的显示区的区域中,并且沿着包括密封用基板的端面的垂直平面形成保护膜的端面,其中密封用基板的端面位于与保护膜的端面相同的一侧上。因此,在密封用基板的端面位置处,保护膜的端面形成为近似垂直断面,并且整个显示区被均匀膜厚的保护膜覆盖。因而,防止了潮气等进入显示区中,提高了可靠性,并减小了框架区域即外部连接区。
通过下面的说明使本发明的其它和附加目的、特点和优点更明显。
附图说明
图1是表示根据本发明实施例的显示装置的结构的剖面图;
图2是表示图1中所示有机发光器件中的有机层的放大结构的剖面图;
图3是表示图1中所示有机发光器件中的有机层的放大结构的剖面图;
图4是按照工艺顺序表示图1中所示显示装置的制造方法的剖面图;
图5是表示在图4之后的工艺的剖面图;
图6是表示在图5之后的工艺的剖面图;
图7是表示在图6之后的工艺的剖面图;
图8是表示根据本发明的比较例的显示装置制造方法的剖面图;
图9是表示在热和湿度测试之后根据本发明的实施例1的显示装置的发光面的状态的照片;
图10是表示在热和湿度测试之后根据本发明的实施例2的显示装置的发光面的状态的照片;
图11是表示在热和湿度测试之后根据本发明的比较例的显示装置的发光面的状态的照片;和
图12是表示根据本发明的比较例的显示装置的保护膜的端面的膜厚分布的示意图。
具体实施方式
下面参照附图详细说明本发明的实施例。
图1表示根据本发明实施例的显示装置的剖面结构。这种显示装置用作超薄有机发光彩色显示装置等,并且例如驱动用基板11和密封用基板21相对设置,并且它们的整个面利用粘接层30被粘接在一起。
驱动用基板11由绝缘材料如玻璃制成。驱动用基板11设有显示区11A。显示区11A设有例如在整体上以矩阵形式依次分布的发射红光的有机发光器件10R、发射绿光的有机发光器件10G、以及发射蓝光的有机发光器件10B。外部连接区11B与该显示区11A相邻设置,以便在有机发光器件10R、10G和10B与驱动电路等之间进行连接。此外,显示区11A被保护膜(钝化膜)11C覆盖,以便防止潮气等进入有机发光器件10R、10G和10B中。
在有机发光器件10R、10G和10B中,例如,从驱动用基板11一侧依次叠置作为阳极的第一电极12、绝缘膜13、有机层14、和作为阴极的第二电极15。在第二电极15上,形成保护膜11C。
第一电极12还具有作为反射层的功能,因此希望第一电极12具有尽可能高的反射率,以便提高发光效率。例如,制成第一电极12的材料包括具有高功函数的金属元素的单质或合金,如铂(Pt)、金(Au)、银(Ag)、铬(Cr)、钨(W)等。第一电极12在层叠方向的厚度(以下称为“厚度”)优选为从100nm到300nm。作为合金材料,可采用例如AgPdCu合金,它的主要成分是银,并含有0.3wt%到1wt%的钯(Pd)和0.3wt%到1wt%的铜(Cu)。
绝缘膜13的功能例如是保证相邻有机发光器件10R、10G和10B的每个第一电极12之间的绝缘。绝缘膜13的厚度例如为约300nm,并由绝缘材料如二氧化硅(SiO2)构成。
有机层14的结构根据有机发光器件10的发光颜色变化。图2示出了在有机发光器件10R和10B中的有机层14的结构的放大图。有机发光器件10R和10B的有机层14具有如下结构:其中从第一电极12一侧依次叠置空穴传输层14A、发光层14B和电子传输层14C。空穴传输层14A的功能是提高向发光层14B中注入空穴的效率。在本实施例中,空穴传输层14A还具有作为空穴注入层的功能。发光层14B的功能是通过电流注入而产生光。电子传输层14C的功能是提高向发光层14B中注入电子的效率。
有机发光器件10R的空穴传输层14A例如具有约45nm的厚度,并由双[(N-萘基)-N-苯基]联苯胺(α-NPD)构成。有机发光器件10R的发光层14B例如具有约50nm的厚度,并由2,5-双[4-[N-(4-甲氧苯基)-N-苯氨基]]苯乙烯基苯-1,4-二碳腈(dicarbonitrile)(BSB)构成。有机发光器件10R的电子传输层14C例如具有约30nm的厚度并由8-羟基喹啉铝络合物(Alq3)构成。
有机发光器件10B的空穴传输层14A例如具有约30nm的厚度,并由α-NPD构成。有机发光器件10B的发光层14B例如具有约30nm的厚度,并由4,4’-双(2,2’-二苯乙烯基)联苯(DPVBi)构成。有机发光器件10B的电子传输层14C例如具有约30nm的厚度,并由Alq3构成。
图3示出了有机发光器件10G中的有机层14的结构的放大图。有机发光器件10G的有机层14具有如下结构:其中从第一电极12一侧依次叠置空穴传输层14A和发光层14B。空穴传输层14A还具有作为空穴注入层的功能。发光层14B还具有电子传输层的功能。
有机发光器件10G的空穴传输层14A例如具有约为50nm的厚度,并由α-NPD构成。有机发光器件10G的发光层14B例如具有约60nm的厚度,并由混合了1体积%香豆素6(C6)的Alq3构成。
图1~3中所示的第二电极15例如具有5nm到50nm的厚度,并由具有低功函数的金属元素的单质或合金构成,如铝(Al)、镁(Mg)、钙(Ca)、钠(Na)等。具体而言,由镁和银构成的合金(MgAg合金)是优选的,并且镁和银的质量比优选为Mg∶Ag=5∶1到20∶1。
如图1所示,密封用基板21利用粘接层30密封有机发光器件10R、10G和10B。密封用基板21由诸如玻璃的材料制成,该材料可使有机发光器件10R、10G和10B中产生的光透过,密封用基板21设置在对应于驱动用基板11的显示区11A的区域中。
在图1中所示的外部连接区11B中,有机发光器件10R、10G和10B的第一电极12延伸到保护膜11C的外部,并成为外部连接端子16。在外部连接端子16上,提供外部端子17。尽管图中未示出,也提供用于第二电极15的外部连接区11B。
图1所示的保护膜11C形成为覆盖显示区11A并露出外部连接区11B。例如,保护膜11C由透明绝缘材料构成,如二氧化硅(SiO2)和氮化硅(SiNx)。保护膜11C的端面11D沿着垂直平面VP形成,该垂直平面VP包括对应这个端面11D的密封用基板21的端面21A。这样,保护膜11C的端面11D在密封用基板21的端面21A的位置上形成为近似垂直断面,并且整个显示区11A被均匀膜厚的保护膜11C覆盖。因而,可以防止潮气等进入显示区11A中,可提高有机发光器件10R、10G和10B的可靠性,并可以减小框架区域,即外部连接区11B。
更具体地说,当在足够内部的位置处,例如距离密封用基板21的端面21A向内至少100mm处,膜厚T为1时,关于距离密封用基板21的端面21A的2mm范围内的区域中的保护膜11C的膜厚分布,相对膜厚优选为0.95或以上。然而,不用说,相对膜厚可以部分地处于0.95以下,这受到表面特性的影响。相对膜厚设置为0.95或以上的原因是这个值处于考虑由于保护膜11C的淀积工艺中的因素造成膜厚变化的容限范围内。另一原因是当膜厚分布处于上述范围内时,可以获得防止潮气等进入显示区11A中的明显效果。优选上述膜厚T越薄,膜厚分布的下限越大地处于上述范围内(例如0.97、0.98等)。
希望保护膜11C的端面11D是对应于图1所示的垂直平面VP的垂直平面。然而,保护膜11C的端面11D可以稍微向内倾斜,即朝显示区11A一侧倾斜,如图中的虚线11E所示,或者向外倾斜,即朝外部连接区11B一侧倾斜,如图中的虚线11F所示。此外,保护膜11C的端面11D可以对应于垂直平面VP,或者可以从一个部分向另一个部分向内或向外倾斜。然而,当端面11D不对应垂直平面VP时,如上述虚线11E和11F所示,优选端面11D的下端11G和垂直平面VP之间的距离D设定为2mm或以下。当距离D处于这个范围内时,端面11D的下端11G距离垂直平面VP的向内偏移和向外偏移的总量可设定为至多4mm,并且与保护膜的膜厚随着倾斜度而增加的常规方式相比,可以减小框架区域,即外部连接区11B,而且在距离保护膜的下端向内约5mm的位置处,获得给定膜厚的90%。
更优选端面11D的下端11G和垂直平面VP之间的距离D设定为满足数学式1。
[数学式1]
D≤T·(tanθ)
(在该数学式中,T表示在距离密封用基板21的端面21A向内足够深的位置处的保护膜11C的膜厚,θ表示由从保护膜11C的端面11D的上端11H到下端11G形成的面11J相对于垂直平面VP形成的角度,并且它的值在0°≤θ≤10°范围内。)
在数学式1中设定0°≤θ≤10°的原因如下所述,当利用密封用基板21作掩模通过各向异性刻蚀形成保护膜11C的端面11D时,角度θ处于上述范围内。此外,由于保护膜11C的通常设定膜厚为0.5μm到3μm,几乎难以想象端面11D的下端11G和垂直平面VP之间的距离D变得大到接近2mm,因此当满足数学式1中的0°≤θ≤10°时可以实际上获得显著效果。
这种显示装置例如可如下制造。
图4-7按工艺顺序示出了制造这种显示装置的方法。首先,如图4所示,在由上述材料制成的驱动用基板11上,通过例如DC溅射以前述厚度淀积由上述材料构成的第一电极12和绝缘膜13,采用例如光刻技术进行选择刻蚀,并将其构图成给定形状。之后,同样如图4所示,例如通过淀积依次淀积空穴传输层14A、发光层14B、电子传输层14C和第二电极15,它们都具有前述厚度并由前述材料构成,由此形成了图2和3中所示的有机发光器件10R、10G和10B。第一电极12和第二电极15通过延伸到外部连接区11B而形成外部连接端子16。此外,在外部连接端子16上,形成外部端子17。
然后,如图5所示,在显示区11A的一侧以及驱动用基板11的外部连接区11B的整个面上形成由前述材料构成的保护膜11C。
接着,如图6所示,在保护膜11C上形成粘接层30,将密封用基板21设置在对应于驱动用基板11的显示区11A的区域中,并与驱动用基板11利用其间的粘接层30而粘接在一起。然后,密封用基板21的端面21A优选设置为与显示区11A和外部连接区11B之间的边界对准。
之后,如图7所示,利用密封用基板21作掩模对保护膜11C进行各向异性刻蚀,并沿着包括密封用基板21的端面21A的垂直平面VP形成保护膜11C的端面11D,其中密封用基板21的端面21A位于与端面11D相同的一侧上。这里,由于密封用基板21用作掩模,因此不需要掩蔽,因而简化了其制造工艺。此外,由于不可能像常规技术那样将保护膜11C形成为突出到外部连接区11B的状态,因此可以提高外部连接端子16的可靠性。在可确保密封用基板21和保护膜11C的刻蚀选择比的方法的情况下,不具体限制各向异性刻蚀。刻蚀的例子包括RIE(reactive ion etching,反应离子刻蚀)刻蚀和利用原子团源的刻蚀。此外,当进行各向异性刻蚀时,优选设置端面11D的下端11G和垂直平面VP之间的距离D为2mm或以下,并且更优选将该距离D设置为满足数学式1。如上所述,完成了图1-3中所示的显示装置。
在这种显示装置中,当给定电压施加于第一电极12和第二电极15之间时,电流注入到发光层14B中,并且空穴与电子复合,因此主要在发光层14B的界面处发光。这种光通过第二电极15、保护膜11C和密封用基板21射出。则,潮气等有可能通过保护膜11C的端面11D进入显示区11A。然而,在本实施例中,密封用基板21设置在对应于驱动用基板11的显示区11A的区域中,并且沿着包括密封用基板21的端面21A的垂直平面VP形成保护膜11C的端面11D,其中端面21A位于与这个端面11D相同的一侧上。因此,保护膜11C的端面11D在密封用基板21的端面21A的位置上形成为近似垂直断面,并且整个显示区11A被均匀膜厚的保护膜11C覆盖。因而,防止了潮气等进入显示区11A中,并提高了有机发光器件10R、10G和10B的可靠性。
如上所述,根据本实施例,密封用基板21设置在对应于驱动用基板11的显示区11A的区域中,并且沿着包括密封用基板21的端面21A的垂直平面VP形成保护膜11C的端面11D,其中端面21A位于与这个端面11D相同的一侧上。因此,保护膜11C的端面11D在密封用基板21的端面21A的位置上形成为近似垂直断面,并且整个显示区11A被均匀膜厚的保护膜11C覆盖。因而,可防止潮气等进入显示区11A中,并可提高有机发光器件10R、10G和10B的可靠性。此外,可以减小框架区域即外部连接区11B。结果是,特别是在安装于便携式信息装置上的小型有机发光显示器中,对于相同尺寸的显示装置,显示区11A可以扩大。
特别是,由于端面11D的下端11G和垂直平面VP之间的距离D设置为2mm或以下,则端面11D的下端11G距离垂直平面VP的向内偏移和向外偏移的总量至多为4mm,并且可以减小框架区域,即外部连接区11B。
此外,特别是,由于保护膜11C的端面11D是通过利用密封用基板21作掩模进行各向异性刻蚀形成的,因此不需要掩蔽,使得简化了其制造工艺。此外,由于不可能像常规技术那样以突出到外部连接区11B的状态形成保护膜11C,因此可以提高外部连接端子16的可靠性。
此外,下面介绍本发明的具体实施例。
实施例1
在驱动用基板11中,利用与前述实施例相同的方式,形成显示区11A和与显示区11A相邻地的外部连接区11B,除了只提供有机发光器件10G之外。此外,在驱动用基板11的整个面上形成保护膜11C,它由SiNx构成并且设置膜厚为2μm。对于淀积的条件,采用等离子体CVD装置,其具有13.56MHz,供应流速分别为100sccm、400sccm和2000sccm的SiH4、NH3和N2,并施加60Pa和100W。之后,在对应于驱动用基板11的显示区11A的区域中设置密封用基板21,驱动用基板11和密封用基板21利用其间的粘接层30被粘接在一起,并通过利用密封用基板21作掩模进行各向异性刻蚀,形成保护膜11C的端面11D。在这种各向异性刻蚀中,使用RIE装置,并且对于刻蚀条件,分别以200sccm和50sccm的流速输送CF4和O2,并且RF输出为200W。
(实施例2)
用与实施例1相同的方式制造显示装置,除了在各向异性刻蚀中使用原子团源(radical source)之外,并使CF4原子团化。作为原子团源,采用由ULVAC制造的USC。
作为实施例1和实施例2的比较例,用与实施例1相同的方式制造显示装置,除了用厚度为1mm的、由Al2O构成的掩模118覆盖外部连接区111B之外,在显示区111A中形成保护膜111C,然后保护膜111C和密封用基板121利用其间的粘接层130被粘接在一起,如图8所示。然后,掩模118形成为使得开口118A的尺寸与密封用基板121的尺寸相同,以便获得与实施例1和2的外部连接区11B尺寸相同的比较例的外部连接区111B。在图8中,对应图1中的部件用具有在图1中的标记的顶部附加数字1的标记表示。
将实施例1和2以及比较例获得的显示装置保持在65℃和相对湿度为90%的环境下1000小时后,检测它们的发光面。结果分别示于图9到11中。
如图9-11所示,实施例1和2的显示装置呈现为亮度没有下降,比较例的显示装置呈现为亮度从它的周边部分逐渐下降。当在保持1000小时之后通过扫描电子显微镜(SEM)观察各个显示装置的断面时,在实施例1和2中,保护膜11C的端面11D变为如图1所示的垂直断面,在比较例中,在保护膜111C的端面111D中的膜厚分布如图12所示。在距离端面111D的下端111G水平向内2mm的位置处,得到的膜厚是在距离端面111D的下端111G向内足够深的位置处的膜厚的约50%。
即,显然,在驱动用基板11的整个面上形成保护膜11C的情况下,密封用基板21设置在对应于驱动用基板11的显示区11A的区域中,然后利用密封用基板21作掩模进行各向异性刻蚀,可以沿着包括密封用基板21的端面21A的垂直平面VP形成保护膜11C的端面11D,其中端面21A位于与端面11D相同的一侧上,整个显示区11A被均匀膜厚的保护膜11C覆盖,以便防止潮气等进入显示区11A中,并可以防止有机发光器件10R、10G和10B的亮度下降。
前面已经参照实施例介绍了本发明,但本发明不限于前述实施例,并且可以做出各种修改。例如,每层的材料、厚度、淀积方法和淀积条件不限于前述实施例中所描述的,可以采用其它材料、厚度、淀积方法和淀积条件。例如,尽管在前述实施例中,已经介绍使用由SiNx构成的保护膜11C的情况,但保护膜11C可以由AlO2构成,并且可以采用SiNx膜和AlO2膜组合的结构。此外,关于对保护膜11C进行的各向异性刻蚀,可采用高选择比气体,如八氟苯。
此外,例如,尽管在前述实施例中,已经介绍了如下情况:其中在驱动用基板11上从驱动用基板11一侧依次叠置第一电极12、绝缘膜13、有机层14和第二电极15,并且光从密封面板21一侧射出,还有可能是如下情况:从驱动用基板11一侧按照与前述顺序相反的顺序,在驱动用基板11上叠置第二电极15、绝缘膜13、有机层14和第一电极12,并且光从驱动用基板11一侧射出。
此外,例如,尽管在上述实施例中,已经介绍了用第一电极12作阳极和用第二电极15作阴极的情况,也可以反过来用第一电极12作阴极和用第二电极15作阳极。在这种情况下,作为第二电极15的材料,适于采用具有高功函数的金、银、铂、铜等的单质或合金。然而,通过在第二电极15和有机层14之间提供用于空穴注入的薄膜层,也可以采用其它材料。此外,伴随着用第一电极12作阴极和用第二电极15作阳极,有可能从驱动用基板11一侧依次在驱动用基板11上叠置第二电极15、绝缘膜13、有机层14和第一电极12,并且光从驱动用基板11一侧射出。
此外,尽管在前述实施例中,已经具体介绍了有机发光器件的结构,但是并不是所有的层都应该提供的,如绝缘膜13,并且也可提供其它层。例如,第一电极12可以是两层结构,其中透明导电膜层叠在诸如介质多层膜和Al的反射膜上。
此外,尽管在前述实施例中,已经介绍第二电极15由半透明电极构成的情况,但是第二电极15可以具有如下结构:其中半透明电极和透明电极从第一电极12一侧依次叠置。这种透明电极用于降低半透明电极的电阻,并由具有对发光层中产生的光的足够透明度的导电材料构成。关于制成透明电极的材料,例如,ITO、或含有铟、锌(Zn)、和氧的化合物(IZO)是优选的,这是因为即使在室温下进行淀积,采用这些材料也可以获得良好的导电性。透明电极的厚度例如可以为30nm到1000nm。
此外,尽管在前述实施例中,已经介绍了有机发光器件10R、10G和10B形成于显示区11A中的情况,但是本发明可适用于自然光元件如无机电致发光器件形成于显示区11A中的情况,或者液晶显示元件形成于显示区11A中的情况。
如上所述,根据本发明的显示装置或本发明的显示装置制造方法,由于密封用基板设置在对应于驱动用基板的显示区的区域中,并且沿着包括密封用基板的对应端面的垂直平面形成保护膜的端面,因此保护膜的端面在密封用基板的端面的位置上形成为近似垂直断面,并且整个显示区被均匀膜厚的保护膜覆盖。因而,可防止潮气等进入显示区中,可以改善可靠性,并可以减小框架区域,即外部连接区。结果是,特别是在安装于便携式信息装置等上的小型有机发光显示器中,对于相同尺寸的显示装置,可扩大其显示区域。
根据本发明的一个方案的显示装置,由于保护膜的端面的下端和垂直平面之间的距离D设置为2mm或以下,因此保护膜的端面的下端相对于垂直平面的偏移至多为4mm,并可以减小框架区域,即外部连接区。
根据本发明的一个方案的显示器的制造方法,由于通过用密封用基板作掩模进行各向异性刻蚀形成保护膜的端面,因此不需要掩蔽,并使得简化了其制造工艺。此外,由于不可能像常规技术那样以突出到外部连接区的形式形成保护膜,因此可以提高外部连接端子的可靠性。
显然鉴于上述教导可以对本发明做出很多修改和变化。因此,对于本领域内的技术人员,应该理解在所附权利要求书的范围内,本发明可以用前述实施例以外的其它方式实现。

Claims (9)

1、一种显示装置,包括:
具有显示区的驱动用基板;和
密封用基板,设置在提供该驱动用基板的显示区的一侧,
其中该驱动用基板具有覆盖该显示区并露出与该显示区相邻的外部连接区的保护膜;
该密封用基板设置在对应于该驱动用基板的显示区的区域中;和
沿着包括该密封用基板的端面的垂直平面形成该保护膜的端面,该密封用基板的端面位于该保护膜的端面所在的同一侧,
其中该保护膜的端面的下端和该垂直平面之间的距离D满足数学式,
D≤T·(tanθ)
其中T表示在距离该密封用基板的端面向内至少100mm深的位置处该保护膜的膜厚,θ表示由从该保护膜的端面的上端到下端形成的面相对于该垂直平面形成的角度,并且它的值在0°≤θ≤10°范围内。
2、根据权利要求1的显示装置,其中关于距离该密封用基板的端面2mm内的区域中该保护膜的膜厚分布,当距离该密封用基板的端面向内至少100mm深的位置处的膜厚为1时,相对膜厚为0.95或以上。
3、根据权利要求1的显示装置,其中该保护膜的端面的下端和该垂直平面之间的距离D设定为2mm或以下。
4、根据权利要求1的显示装置,其中在该显示区中形成一有机发光器件,该有机发光器件具有包括在第一电极和第二电极之间的发光层的有机层,并将该发光层中产生的光线从该第二电极一侧发射出去。
5、根据权利要求1的显示装置,其中该驱动用基板和该密封用基板利用其间的粘接层被粘接在一起。
6、一种显示装置的制造方法,该显示装置包括:
具有显示区的驱动用基板;和
设置在提供该驱动用基板的显示区的一侧上的密封用基板,该方法包括以下步骤:
在提供该驱动用基板的显示区的一侧的整个表面上形成保护膜;
在对应于该驱动用基板的显示区的区域中设置该密封用基板;和
沿着包括该密封用基板的端面的垂直平面形成该保护膜的端面,其中该密封用基板的端面位于该保护膜的端面所在的同一侧,并且该保护膜覆盖该显示区和露出与该显示区相邻的外部连接区,
其中该保护膜的端面的下端和该垂直平面之间的距离D满足数学式,
D≤T·(tanθ)
其中T表示在距离该密封用基板的端面向内至少100mm深的位置处该保护膜的膜厚,θ表示由从该保护膜的端面的上端到下端形成的面相对于该垂直平面形成的角度,并且它的值在0°≤θ≤10°范围内。
7、根据权利要求6的显示装置的制造方法,其中该保护膜的端面是通过利用密封用基板作掩模进行各向异性刻蚀而形成的。
8、根据权利要求6的显示装置的制造方法,其中在该显示区中形成一有机发光器件,该有机发光器件具有包括在第一电极和第二电极之间的发光层的有机层,并将该发光层中产生的光线从该第二电极一侧发射出去。
9、根据权利要求6的显示装置的制造方法,其中该驱动用基板和该密封用基板利用其间的粘接层被粘接在一起。
CNB2003101026068A 2002-10-01 2003-10-01 显示装置及其制造方法 Expired - Fee Related CN100440573C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002288226A JP4032909B2 (ja) 2002-10-01 2002-10-01 有機発光表示装置の製造方法
JP288226/02 2002-10-01
JP288226/2002 2002-10-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1498039A CN1498039A (zh) 2004-05-19
CN100440573C true CN100440573C (zh) 2008-12-03

Family

ID=32025423

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2003101026068A Expired - Fee Related CN100440573C (zh) 2002-10-01 2003-10-01 显示装置及其制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7274142B2 (zh)
JP (1) JP4032909B2 (zh)
KR (1) KR100994850B1 (zh)
CN (1) CN100440573C (zh)
SG (1) SG132501A1 (zh)
TW (1) TWI241859B (zh)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI238449B (en) * 2003-06-06 2005-08-21 Pioneer Corp Organic semiconductor device and method of manufacture of same
KR100592388B1 (ko) * 2004-04-01 2006-06-22 엘지전자 주식회사 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법
KR20060104531A (ko) * 2005-03-30 2006-10-09 삼성에스디아이 주식회사 발광표시장치의 제조방법
JP4631801B2 (ja) * 2005-09-02 2011-02-16 セイコーエプソン株式会社 発光装置の製造方法、および発光装置
JP2007123240A (ja) 2005-09-28 2007-05-17 Sony Corp 表示装置の製造方法および表示装置
JP4640978B2 (ja) * 2005-10-28 2011-03-02 京セラ株式会社 有機elディスプレイ
US8263968B2 (en) * 2005-10-31 2012-09-11 The Hong Kong University Of Science And Technology Double sided emission organic light emitting diode display
JP2007134243A (ja) * 2005-11-11 2007-05-31 Sony Corp 表示装置の製造方法およびマスク
JP2007234332A (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Tohoku Pioneer Corp 自発光パネルの製造方法、および自発光パネル
US20070262051A1 (en) * 2006-05-12 2007-11-15 Advanced Chip Engineering Technology Inc. Method of plasma etching with pattern mask
JP2009049001A (ja) * 2007-07-20 2009-03-05 Canon Inc 有機発光装置及びその製造方法
JP5071152B2 (ja) * 2008-02-28 2012-11-14 ソニー株式会社 表示装置の製造方法および照明装置の製造方法
CN102349173A (zh) * 2008-04-08 2012-02-08 拓普纳诺斯株式会社 照明显示设备及其制造方法
JP6186697B2 (ja) * 2012-10-29 2017-08-30 セイコーエプソン株式会社 有機el装置の製造方法、有機el装置、電子機器
CN105284186B (zh) * 2013-06-07 2017-05-17 株式会社爱发科 元件结构体及其制造方法
JP6515537B2 (ja) * 2014-04-08 2019-05-22 セイコーエプソン株式会社 有機el装置の製造方法、有機el装置、電子機器
JP6701777B2 (ja) 2016-02-15 2020-05-27 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器
JP6733203B2 (ja) 2016-02-15 2020-07-29 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器
JP2017157313A (ja) * 2016-02-29 2017-09-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法、及び表示装置
JP2017168411A (ja) * 2016-03-18 2017-09-21 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法
CN107644937B (zh) * 2016-07-22 2021-06-15 元太科技工业股份有限公司 电子组件封装体
CN106711184B (zh) * 2017-03-14 2020-01-31 上海天马微电子有限公司 显示面板制作方法、显示面板及显示装置
CN107579103A (zh) * 2017-08-31 2018-01-12 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板、显示装置及其制作方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5965980A (en) * 1996-08-08 1999-10-12 Denso Corporation Matrix-addressed electroluminescent display device panel with orthogonally provided upper and lower electrodes, passivation layers, and terminals on one side of substrate
US6091196A (en) * 1997-02-10 2000-07-18 Tdk Corporation Organic electroluminescent display device and method of manufacture thereof
JP2002258768A (ja) * 2001-03-02 2002-09-11 Seiko Epson Corp 電気光学装置、その製造方法および電子機器

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1121838A4 (en) * 1998-08-03 2004-10-27 Dupont Displays Inc ENCAPSULATION OF SOLID STATE DEVICES BASED ON POLYMERS WITH INORGANIC MATERIALS
WO2000065670A1 (en) * 1999-04-28 2000-11-02 E.I. Du Pont De Nemours And Company Flexible organic electronic device with improved resistance to oxygen and moisture degradation
TWI226205B (en) * 2000-03-27 2005-01-01 Semiconductor Energy Lab Self-light emitting device and method of manufacturing the same
JP4556282B2 (ja) * 2000-03-31 2010-10-06 株式会社デンソー 有機el素子およびその製造方法
JP4375699B2 (ja) * 2000-09-14 2009-12-02 株式会社リコー タンデム作像装置およびそれを備える画像形成装置、ならびに作像手段の配置方法
JP2002175877A (ja) * 2000-09-27 2002-06-21 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器
JP2002270377A (ja) 2001-03-08 2002-09-20 Seiko Epson Corp 発光パネル及び電子機器
JP2002280187A (ja) 2001-03-16 2002-09-27 Seiko Epson Corp 有機el素子
JP2003187969A (ja) * 2001-12-18 2003-07-04 Sony Corp 表示装置の製造方法
JP3865056B2 (ja) * 2002-01-22 2007-01-10 セイコーエプソン株式会社 封止用基板の製造方法
JP4207441B2 (ja) 2002-03-18 2009-01-14 セイコーエプソン株式会社 有機el素子の製造方法
JP3729262B2 (ja) 2002-08-29 2005-12-21 セイコーエプソン株式会社 エレクトロルミネセンス装置及び電子機器

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5965980A (en) * 1996-08-08 1999-10-12 Denso Corporation Matrix-addressed electroluminescent display device panel with orthogonally provided upper and lower electrodes, passivation layers, and terminals on one side of substrate
US6091196A (en) * 1997-02-10 2000-07-18 Tdk Corporation Organic electroluminescent display device and method of manufacture thereof
JP2002258768A (ja) * 2001-03-02 2002-09-11 Seiko Epson Corp 電気光学装置、その製造方法および電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
TWI241859B (en) 2005-10-11
KR20040030356A (ko) 2004-04-09
KR100994850B1 (ko) 2010-11-16
TW200420173A (en) 2004-10-01
CN1498039A (zh) 2004-05-19
SG132501A1 (en) 2007-06-28
US7274142B2 (en) 2007-09-25
JP4032909B2 (ja) 2008-01-16
JP2004127637A (ja) 2004-04-22
US20040061434A1 (en) 2004-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100440573C (zh) 显示装置及其制造方法
US11586244B2 (en) Display unit and its manufacturing method
US9853252B2 (en) Light-emitting device, electronic equipment, and process of producing light-emitting device
CN101042450B (zh) 显示单元
CN100441061C (zh) 有机发光器件、其制造方法以及显示器单元
CN102200596B (zh) 光学功能膜及其制造方法、显示器及其制造方法
US7169003B2 (en) Method of manufacturing a display unit
CN101667589B (zh) 顶部发射型有机发光显示器件及其制造方法
CN101931057B (zh) 有机电致发光器件及其制造方法以及包括其的显示单元
CN102738406A (zh) 有机发光器件和包括有机发光器件的显示单元
CN101859794B (zh) 显示装置及制造显示装置的方法
CN101958096B (zh) 显示单元
TWI268119B (en) Organic electroluminescent device
CN101785130A (zh) 显示装置
CN107799657A (zh) 有机发光元件及具有该具有发光元件的显示装置
US7061175B2 (en) Efficiency transparent cathode
TW200414799A (en) Organic electroluminescent device, method for manufacturing the organic electroluminescent device, and organic electroluminescent display apparatus
JP7007366B2 (ja) 発光素子、表示装置、および電子機器
JP4543336B2 (ja) 表示装置の製造方法
TWI231723B (en) Organic electroluminescence display device
CN100425104C (zh) 有机电致发光显示器
JP2003109771A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP2004134151A (ja) 有機el素子
WO2021035543A1 (zh) 发光装置、制备发光装置的方法以及电子设备
US20090079332A1 (en) Light emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: JANPAN ORGANIC RATE DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SONY CORP

Effective date: 20150730

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20150730

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: JOLED Inc.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Sony Corp.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20081203

Termination date: 20211001