TWI228608B - Electrooptic assembly - Google Patents

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TWI228608B
TWI228608B TW092113333A TW92113333A TWI228608B TW I228608 B TWI228608 B TW I228608B TW 092113333 A TW092113333 A TW 092113333A TW 92113333 A TW92113333 A TW 92113333A TW I228608 B TWI228608 B TW I228608B
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Description

1228608 玖、發明說明： 明所屬之技術領域】 本舍明係關於以法貝但具功效之方式將/個微電子元件 和一或多個光學元件組裝的方法及其裝置；特別地本發明係 關於一種組裝技術，將一光電元件對準固定於一微電子組件 與一具有一波導的基板之間。 技術】 較高的頻寬、改善的品質、降低成本、增進小型化，都 疋現今電腦工業致力加強電腦内晶片之間通訊的目標。眾 所皆知，積體―電路元件已經增進其小型化，當目標達到時， 微電子晶粒還會變得更小。相似地也希望微電子組件能小 土化尤其疋可以降低成本以及元件外部的尺寸（形狀因 戰。這些挑戰是高頻寬，微處理器與光發射器/探測器晶片 之間的低潛在通訊，光發射器/熘、:目彳哭且&命、士憤i _
達到較高的頻寬之時，也就是每秒1〇〇億個（1〇個十億）伯 兀組（10 Gb/s)或更多的級次，光學晶片間的通訊面臨許多挑 準和轉合， 所有要求的 號的規格。
電總成來說，提供良好的對準效果之於波導結構是必要的 若能達到光學 助益，包括光學 磁干擾（EMI)和交 85258- 1228608 遠波導結構可以位於印刷電路板上，還有微處理器與光發 射态/探測洛晶片之間的低電渦流，以及相當低的製造成 本。 【發明内 所以’能夠發展新的裝置與方法會很有助益，利用該方 法和从笔子組件穩固地安置在一基板上，例如：一印刷 電路板上有一光電元件對準著一耦合器和波導，並整合成 孩印刷電路板（光電印刷電路板PCB)，以提供一適當的光電 總成。 θ施方 雖然圖1至12呈現本發明各種不同的面貌，但這些圖形並 不是用來詳細描繪微電子和光學總成。然而，這些圖形所 顯π的微電子和光學總成能更清楚地傳達本發明的概念之 型式。此外應該要注意到，在各種不同視野圖形所出現共 同的元件，是保有相同的表示數字。 本發明所包括的組裝技術，可以將一微電子組件穩固地 安置在一光電PCB上，其型式保證一光電元件精確對準該 光電PCB内的一耦合器和波導。該光電元件是位於該微電 子組件與該光電PCB之間，將來自該微電子組件内一微電 子晶粒的一電訊號，轉換成要傳遞至該耦合器和波導的一 光訊號；或者該光電元件能夠將來自該光電pCB内耦合器 和波導的一光訊號，轉換成要傳遞至該微電子組件的一電 訊號。 圖1顯示一微電子組件核心20，其包括—實質的平面材 85258 1228608 枓，用來製造具有-開口 22形成於其中的微電子組件。咳 開口心1 —的作用表面24，完整地延伸穿過該微電子 組件核〜20’到達—對面的第二表面26。誠如將會 ， :開口 22可以是任何形狀及大小，而唯-的限制是具有適 田的大能夠容納—對應的微電子晶粒於其中， 正是下面所要討論的。 圖1顯示的微電子組件核心第二表面％，是貼近著-保禮 艇28。-微電予晶粒3〇具有一作用表面“和一背部表面 34’絲電予晶粒是放置在該微電子组件核心2〇的開口 η 内，如圖2所示。如此放置該微電子晶粒％，使其作 32貼近該保護膜28，該保護膜可以是-黏著物，例如：咬， 於其上。喊護膜28貼附至該微電子組件u的第—或 作用表面24’以及該晶粒3〇的作用表面32，如圖2所示。或 者㈣護膜28也可以是一非黏著性的膜層，视其封裝步驟 而定。 特別地’可以在放置該微電子晶粒3Q和微電子組件掠心 20，於一楔型或者能夠用於一封裝步驟裝置的其他部分之 則，施加一黏著形態的保護膜2δ。該保護膜28也可以是一 非黏著性膜，例如：-EPFE(ethylene_petra £1謝。吻^ (水四氟乙烯））或Teflon®膜，其藉由能用於一封裝步驟中一 棱型或裝置之其他部分的-内表面，以維持在該微電子晶 粒作用表面32以及該微電子組件核心第一或作用表面24 上。任-的情況下，接著-封裝步驟之後，該保護膜28將從 孩微電子晶粒30的作用表面32,以及該微電子組件核心2〇的 85258- 1228608 第—或作用表面24除去。 然後利用一封裝材料36，填入該微電子組件核心2〇内的 開口 22中沒有被微電子晶粒观據的部分，將該微電子晶 ㈣封裝起來，如圖5所示。該微電子晶㈣的封裝可以任 何熟知的步騾完成，包括(但不限於)轉換和壓模以及配置。 、、有可w進行如此的-封裝步驟，但沒有使用—保護膜。 該，裝材料36的功能是確保該微電子組件核心⑼内的微電 子叩粒30，並且提供機械堅固性，使其與表面區域結合成 完整結構，以便於後續建構導電圖線層。 封裝之後將該保護膜28去除，如圖4所示，使得帶有該封 裝材料36的該微電子晶粒作用表面32曝露在外，該封裝材 料36是當做該微電子組件核心2〇與該微電子晶粒％之間空 隙的一填入物，而結果至少有一表面38，與該微電子晶粒 作用表面32和該微電子組件核心中第一或作用表面24，基 本上是在同一平面。圖5顯示以封裝材料刊封裝在該微電子 組件核心20内的一微電子晶粒3〇，該微電子晶粒3〇包括複 數個位於該微電子晶粒作用表面32上的電接觸器4〇，該電 接觸器40是電連接至微電子晶粒3〇内的電路（圖中未示），但 因簡化和清楚呈現的緣故，可以理解所顯示於圖5的只有四 個電接觸器40。 如圖6顯示，一電介質層42，例如：環氧基樹脂， P〇lyimide(|fc fe 亞胺）’ bisbenzocyclobutene，及其類似材料， 位於该微電子晶粒作用表面3 2上方，該電介質層4 2覆蓋著 違電接觸器4 0以及該微電子組件核心的第一或作用表面 85258 1228608 24,還有該封裝材料表面38。該電介質層42的形成可以任 何熟知的步驟完成，其包括製成薄板，旋轉塗佈，滾動塗 佈，和喷霧沉積，但不限於此。 如圖7顯示，然後以本技藝中任何熟知的方法形成複數個 通道44,穿過該電介質層42,其方法包括雷射穿馨，光微 影等’但不限於此。如果該電介質層42是光作用性材料， 該複數個通道44可以相同於一光微影製程中製做一光阻遮 罩的方式形成，如本技術中所知。 複數個導電圖線46形成於該電介質層以上，如圖8顧于。 所形成的每-個導電圖線46中一部分，使其延伸進入至少 —個該複數通道44内（參看圖7)，為了要與該微電子晶粒30 上的接觸器40形成電接觸。該複數個導電圖線私可以任何 通合的導電材料形纟，例如：銅、銘，及 電性的聚合樹脂。 导 該複數個圖線46可以任何孰知的祜 j，、、、沏的技術形成，包括（但不限 於）半附加性鍍膜和光微影技術。一 術包括沉積-種#，例f /例的切加性鑛膜技 入居人 層 <列如.-層濺鍍沉積或無電沉積的 金屬於該電介質層42上然後 私—光阻層，並在該 種子層上印製圖樣。一層金屬 M ^ ^ 例如·銅，可以電解式鍍 月吴她加在孩印有圖樣之光阻厣 ^ μ ^ ㈢中開放區域所曝露的該種子 層上，然後可將該印有圖樣的光 凰#甘u a、、 U 1臂除去，並將沒有鍍金 贫械…I 、 70成敗垅孩導電圖線46 〇 雖然耵面邵分陳述的是形 α ^ 甘仏心丄、、 包131、、杲 < 一種熟知技術，但 ，、他形成複數的導電圖線46方 對本技蟄中的技術人員 85258 1228608 也是顯而易見的。 用於沉積該電介質材料的一連串製造步驟，形成通道以 及形成圖線，可以視情況需要重複將該圖線配置在必要處， 以達成適1^的連接或者滿足電力或其他品質的要求。一 旦該導電圖線46形成，便可用於形成以接合突起物、接合 球、針狀物，及類似的導電連接器與外在元件連繫，例如： 一光學基材。舉例來說，一接合遮罩材料48，可藉由接合 遮罩開口 51位於該電介質層42和該導電圖線46上方，如圖9 所示。然後複-數的通道50可形成於該接合遮罩材料48内， 以致使每一個導電圖線46至少有一部分曝露在外。複數的 導電哭起物52，例如：一球形格線陣列（BGA)，可放置在接 觸到该導電圖線46的曝露部分，並以一回流步驟確保其穩 固接觸，如圖10所示。 圖11顯示一光電元件54，例如：一垂直腔表面發射雷射 (VCSEL)或光感測器，至少接觸一個導電圖線46，以便將來 自該微電子晶粒30的一電訊號轉換成一光訊號；或是反過 來轉換。该光電元件5 4 ’如圖11所示，是經由接合球5 6接 觸到一對導電圖線46 ’其藉著一回流步驟確定該光電元件$ * 連接至該微電子組件58，正如將會了解到，微電子組件58 是以該微電子組件核心20，該微電子晶粒3〇，該封裝材料％ 所規範，以及由該電介質層42，該導電圖線46，和該接合 遮罩材料48來規範該建構層或多重層60。 如圖12所示，以該BGA 52固定至該微電子組件58的一光 電PCB 62，具有一第一表面66以及一第二表面68，相對於 85258 -10 - 1228608 々罘一表面66。圖n顯示在該第一表面和第二表面兩者之 一内部或上方提供的一耦合器70與一波導72,就像該第一 表面66或疋在—中間的位置’而且該位置是相對於該微電 T組件58的作用面側，但面對著該微電子晶粒作用面32， 與其有一間隔。圖12也呈現該微電子組件58的作用側面， 至少有部分是以該微電子晶粒30的作用面32規範，分別是 該微電子組件核心2〇的對應作用表面24和38，以及該封裝 材料36 ’丨所有都在同一平面上。圖12也進一步的顯示該 U迅子、、且件5 8-作用側面上的建構層或多重層6 〇，是提供在 至少一個，最好是所有的微電子晶粒作用表面42，以及分 別在該微電子組件核心2〇中對應的作用表面24和38，還有 該封裝材料36。圖12所呈現該BGA連接器的位置是由該接 合遮罩開口 51的位置決定，將該微電子組件58確實固定至 該光電印刷電路板64的該BGA球，與固定該光電元件54的 BGA球之於該接合遮罩開口，最好是以相同印製圖樣步驟 中的一邯分製成，或以該相同遮罩的一單一曝光製造，如 果該印上圖樣步驟是以光微影技術為主的話。 該光電元件與該耦合器之間的對準是由接合器自我校準 而完成，這樣的自我校準可以，例如：Bga回流來完成。 以此方式的成功對準要求是相對於該光學基材的Β〇α接合 遮罩開口而精準的放置該耥合器。 仍然參考圖12，該光電元件54可包括一整合的透鏡76, 將光訊號聚焦並傳遞至或從耦合器7〇以及波導72。一折射 率吻合的材料，如在78，可於該整合透鏡76的一表面上提 85258 -11- 1228608 供’其通常是連接著該耦合器7〇與該波導72。圖12也呈現 该光學基材62 ’可包含具有該耦合器7〇和該波導72於其中 的一印刷電路板’例如：在面對該微電子組件58的側面上。 儘貫洋細地討論過本發明的具體實施例，要了解到本發 明是以所附的申請專利來規範，並不受限於之前敘述列舉 的特足細節’而且其中許多明顯的變化形式是可能的，也 沒有偏離本發明的精神和範圍。 1ΜΛΛΛ說明】 雖然本發明_的特點和規格是以專利申請範圍為總結，其 特別指出並區別與本發明相關的專利項，但本發明的優點 仍可從上面關於本發明的敘述更明顯地呈現，並於閱讀敘 述時參看所附圖式，其附圖包括： 、靖， 圖1是報據本發明相鄰於一保護膜的一微電子組件核心之 側邊截面圖； ^ 圖2是位於圖1該微電子組件核心中一開口内的—微電予 晶粒之側邊截面圖； 粒已被封裝後之侧邊截 圖3是圖2中該總成於該微電子 圖5是圖4中該總成呈現該微電子 固疋圖3中该總成於去除保護膜後之側邊截面 日曰粒上的電接觸之側邊
牙過該電介質層後 圖6是圖5中該總成呈現一 邊截面圖； 圖7是圖6中該總成於形成複數個通道 85258 1228608 之側邊截面圖； 圖8是圖7中該總成呈規形成 圖； 设數個導電圖線 之倒邊4 截面 圖9是圖8中該總成呈現形成 同· 接合遮罩和通道 面圖； X <之匈邊截 圖10是圖9中該總成呈現形戌 > 初 圖； …數個接合球之侧邊截面 微電子 圖11是圖10中該總成呈現一弁雨 凡 尤兒凡件電連接至 晶粒之側邊截_面圖；以及 圖12疋圖11中該總成穩固地安置於具有一耦合器和波導 的一光電印刷電路板之側邊截面圖。 表符號說明】 20 微電子組件核 22 開口 24,66 第一（或作用） 26,68 弟二表面 28 保護性薄膜 30 微電子晶粒 32 作用表面 34 $部表面 3 6 封裝材料 38 表面 40 電接觸器 42 電介質層 85258 -13- 通道 導電圖線 接合遮罩材料 接合遮罩材料開口 導電突起物 光電元件 接合球 微電子組件 建構層 光電基材 光電印刷電路板 耦合器 波導 整合的透鏡 折射率吻合的材料 -14-

Claims (1)

1228608 拾、申请專利範園： 1 · 一種光電總成，包括： 一微電子組件； 一光學基材； -光電元件，以轉換來自該微電子組件和該光學基材 兩者之一的訊號’並傳遞至該微電子組件和該光學基材其 中之另一個；以及 一固走物，將该微電子組件穩固地連接至該光學基材。 2 ·如申丸專利多圍第1項之光電總成，其中該微電子組件具 有一微電子晶粒，並且該光學基材具有—耦合器和波導。 3. 如申請專利範圍第2項之光電總成，其中該微電子組件包 括具有一開口的核心，該微電子晶粒是位於該開口内，並 以一封裝材料黏著固定。 4. 如申請專利範圍第3項之光電總成，其中該微電子組件具 有一作用侧面，是以該微電子晶粒的一作用表面與該核心 的對應表面所規範。 5·如申請專利範圍第3項之光電總成，其中在該微電子組件 中核心之開口内的該封裝材料，與該微電子晶粒的作用表 面在同一平面上。 •如申请專利範圍第4項之光電總成，進_步包括位於該微 電予組件之作用側面上的—建構層，以支撐一導電圖線， 可電接觸到該微電子晶粒。 7·如申請專利範圍第6項之光電總成，其中該建構層包括— 3 1介質層，由此該導電圖線延伸至接觸到該微電子組件的 85258 !2286〇8 作用側面上。 8. 如申請專利範圍第6項之 ^ - 电、、、心成，包括一接合球將今Φ 电兀件穩固地連接至該導電 私遺先 接合遮罩的一印有圖樣之開口。 圪稱滑上 9. 如申請專利範圍第8項 接八社 ^ , 先电總成，其中該固定物包括— 5求，確貫固定至該光學 /tL 卷材，以及固定至讀料兩工Z 件的建構層上-印有圖樣之開口。 土子組 ⑴.如申請專利範圍第9項之光 、、 心成，其中週合該弁兩}从 與孩固定物-的該印有圖樣之 ^牛 _ . , v⑽ 疋在蔹接合遮罩於一單 -νΛ,Λ Π▼衣 rt77 风。 11·如申請專利範圍第10項之光 驴七k 心成，其中該印製圖樣的步 、、固^ 在邊先電儿件與固定物印製 m圖樣開口。 调fI 12·如申請專利範圍第2項之光電總成，並 ., /、Τ邊光電7L件轉拖 來自該微電子晶粒與該耦合器和波導 收等兩者义一的一訊號， 並傳遞該訊號至該微電子晶粒與該耗八 " 一個。 哨心力 層内以-早一印上圖樣的步驟印製而成 其中該光電元件將來 光訊號，並傳遞該光 13·如申請專利範圍第2項之光電總成， 自該微電子晶粒的一電訊號轉換成一 訊號進入該耦合器和波導。 Μ·如申請專利範圍第2項之光電總成，龙 、、 弁中咸先電兀件將來 自$亥轉合器和波導的一光訊5虎轉換成一雪^ 私成唬，並傳遞該 電訊5虎至該微電子晶粒。 15.如申請專利範圍第12項之光電總成，且幻姑沾 ^ ”匕枯的一折射率吻 85258 1228608 合之材料，位於該光電總成的一表面上，而且通常是與該 ♦馬合器和該波導相鄰。 16.如申請專利範圍第13項之光電總成，其中該光電元件包括 一整合的透鏡，將該光訊號聚焦並傳遞至該耦合器和該波 導。 17·如申凊專利範圍第1項之光電總成，其中該光電元件是介 於该微電子組件與該光學基材之間，並且包括一垂直腔表 面發射雷射（VCSEL)。 18·如申請專利-範圍第1項之光電總成，其中該光電元件是介 於该微電子組件與該光學基材之間，並且包括一感光器。 19·如申1專利範圍第i項之光電總成，其中該光學基材包括 具有一耦合器和波導於其上的一印刷電路板。 20·—種製造一光電總成的方法，包括·· 將一光電元件固定至具有一微電子晶粒的一微電子組 件上一作用側面； 將八有耦合态和一波導的一光學基材，安放在面對 該光電元件的位置上；以及 將該微電子組件固定至# 卞口疋芏邊先學基材，使得該光電元件 是對準著該耦合器。 21·如申请專利範圍第、各 、靶N弟20頁《万法，其中該光電元件是以一接 合球固定至一接合遮罩的一印 、早J即製開口，且位於該微電子組 件的作用側面之一建構層上。 22.如申請專利範園第2〇項之方 人 > 门、 万决’其中該光學基材是以一接 合球固疋至一接合遮罩的一 (7製開口，且位於該微電子組 85258 1228608 件的作用側面之一建構層上。 23.如申請專利範圍第20項之方法，其中該光電元件與該耦合 器之間的對準是利用接合器的自我校準。
85258
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11372160B2 (en) * 2020-01-31 2022-06-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package, optical device, and manufacturing method of package

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI254467B (en) * 2005-03-01 2006-05-01 Advanced Semiconductor Eng Semiconductor package having an optical device and the method of making the same
US9184131B2 (en) * 2011-06-30 2015-11-10 Murata Electronics Oy Method of making a system-in-package device
US8810024B2 (en) * 2012-03-23 2014-08-19 Stats Chippac Ltd. Semiconductor method and device of forming a fan-out PoP device with PWB vertical interconnect units
KR102009979B1 (ko) 2012-06-07 2019-08-12 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 이를 포함하는 반도체 장치
US9254409B2 (en) 2013-03-14 2016-02-09 Icon Health & Fitness, Inc. Strength training apparatus with flywheel and related methods
EP3623020B1 (en) 2013-12-26 2024-05-01 iFIT Inc. Magnetic resistance mechanism in a cable machine
US10433612B2 (en) 2014-03-10 2019-10-08 Icon Health & Fitness, Inc. Pressure sensor to quantify work
CN106470739B (zh) 2014-06-09 2019-06-21 爱康保健健身有限公司 并入跑步机的缆索系统
US10258828B2 (en) 2015-01-16 2019-04-16 Icon Health & Fitness, Inc. Controls for an exercise device
US10953305B2 (en) 2015-08-26 2021-03-23 Icon Health & Fitness, Inc. Strength exercise mechanisms
CN108140688B (zh) * 2015-09-28 2021-01-29 曜晟光电有限公司 半导体结构
US10025033B2 (en) 2016-03-01 2018-07-17 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Optical fiber structure, optical communication apparatus and manufacturing process for manufacturing the same
US10272317B2 (en) 2016-03-18 2019-04-30 Icon Health & Fitness, Inc. Lighted pace feature in a treadmill
US10561894B2 (en) 2016-03-18 2020-02-18 Icon Health & Fitness, Inc. Treadmill with removable supports
US10493349B2 (en) 2016-03-18 2019-12-03 Icon Health & Fitness, Inc. Display on exercise device
US10625137B2 (en) 2016-03-18 2020-04-21 Icon Health & Fitness, Inc. Coordinated displays in an exercise device
US10293211B2 (en) 2016-03-18 2019-05-21 Icon Health & Fitness, Inc. Coordinated weight selection
US10252109B2 (en) 2016-05-13 2019-04-09 Icon Health & Fitness, Inc. Weight platform treadmill
US10441844B2 (en) 2016-07-01 2019-10-15 Icon Health & Fitness, Inc. Cooling systems and methods for exercise equipment
US10241264B2 (en) 2016-07-01 2019-03-26 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages
US10471299B2 (en) 2016-07-01 2019-11-12 Icon Health & Fitness, Inc. Systems and methods for cooling internal exercise equipment components
US10500473B2 (en) 2016-10-10 2019-12-10 Icon Health & Fitness, Inc. Console positioning
US10376736B2 (en) 2016-10-12 2019-08-13 Icon Health & Fitness, Inc. Cooling an exercise device during a dive motor runway condition
TWI646997B (zh) 2016-11-01 2019-01-11 美商愛康運動與健康公司 用於控制台定位的距離感測器
US10661114B2 (en) 2016-11-01 2020-05-26 Icon Health & Fitness, Inc. Body weight lift mechanism on treadmill
TWI680782B (zh) 2016-12-05 2020-01-01 美商愛康運動與健康公司 於操作期間抵銷跑步機的平台之重量
TWI722450B (zh) 2017-08-16 2021-03-21 美商愛康運動與健康公司 用於抗馬達中之軸向衝擊載荷的系統
US10729965B2 (en) 2017-12-22 2020-08-04 Icon Health & Fitness, Inc. Audible belt guide in a treadmill
CN109683261B (zh) * 2019-01-22 2020-12-01 国科光芯(海宁)科技股份有限公司 一种探测器电路板与光波导芯片的集成对准封装结构
CN111934192A (zh) * 2020-09-29 2020-11-13 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 一种光发射模组及其封装方法

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5168537A (en) 1991-06-28 1992-12-01 Digital Equipment Corporation Method and apparatus for coupling light between an optoelectronic device and a waveguide
US5420954A (en) 1993-05-24 1995-05-30 Photonics Research Incorporated Parallel optical interconnect
JPH0926530A (ja) * 1995-07-11 1997-01-28 Nec Corp 光モジュール
KR100192760B1 (ko) * 1996-02-29 1999-06-15 황인길 메탈 캐리어 프레임을 이용한 bag반도체 패키지의 제조방법 및 그반도체 패키지
DE69715504T2 (de) * 1996-04-26 2003-06-05 Dow Corning Toray Silicone Elektrisch leitfähige Silikonkautschukzusammensetzung und ihre Anwendung zur Herstellung von Halbleiteranordnungen
US5627931A (en) 1996-05-28 1997-05-06 Motorola Optoelectronic transducer
KR100236432B1 (ko) * 1996-07-31 1999-12-15 미야즈 쥰이치로 광학 편광기, 이의 제조 방법 및 광학 편광기 제조용 블레이드
EP0950204B1 (en) * 1996-12-31 2002-01-23 Honeywell Inc. Flexible optic connector assembly
JPH10319278A (ja) * 1997-05-16 1998-12-04 Nec Corp 光結合回路
US6009632A (en) * 1997-12-12 2000-01-04 Mercury Diagnostics, Inc. Alignment system for optical analyte testing meter components
JP4203152B2 (ja) * 1998-09-11 2008-12-24 株式会社日立メディアエレクトロニクス 弾性表面波装置
JP3775069B2 (ja) * 1998-09-18 2006-05-17 住友電気工業株式会社 光受信モジュール
US6684007B2 (en) * 1998-10-09 2004-01-27 Fujitsu Limited Optical coupling structures and the fabrication processes
US6785447B2 (en) * 1998-10-09 2004-08-31 Fujitsu Limited Single and multilayer waveguides and fabrication process
US6048755A (en) * 1998-11-12 2000-04-11 Micron Technology, Inc. Method for fabricating BGA package using substrate with patterned solder mask open in die attach area
US6243508B1 (en) 1999-06-01 2001-06-05 Picolight Incorporated Electro-opto-mechanical assembly for coupling a light source or receiver to an optical waveguide
JP2001021775A (ja) * 1999-07-09 2001-01-26 Sumitomo Electric Ind Ltd 光学装置
DE19932430C2 (de) 1999-07-12 2002-03-14 Harting Elektrooptische Bauteile Gmbh & Co Kg Opto-elektronische Baugruppe sowie Bauteil für diese Baugruppe
JP3728147B2 (ja) * 1999-07-16 2005-12-21 キヤノン株式会社 光電気混載配線基板
US6271469B1 (en) 1999-11-12 2001-08-07 Intel Corporation Direct build-up layer on an encapsulated die package
JP2001196643A (ja) * 2000-01-11 2001-07-19 Toppan Printing Co Ltd 光・電気素子搭載用チップキャリア及びその実装方法並びに光・電気配線基板及びその製造方法並びに実装基板
US7061084B2 (en) * 2000-02-29 2006-06-13 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Lead-bond type chip package and manufacturing method thereof
US6809413B1 (en) * 2000-05-16 2004-10-26 Sandia Corporation Microelectronic device package with an integral window mounted in a recessed lip
US6586822B1 (en) * 2000-09-08 2003-07-01 Intel Corporation Integrated core microelectronic package
US6569248B1 (en) * 2000-09-11 2003-05-27 Allen David Hertz Apparatus for selectively applying solder mask
US6702413B2 (en) * 2000-11-16 2004-03-09 Canon Kabushiki Kaisha Liquid discharge head, liquid discharge apparatus, and IC package structure
NL1016779C2 (nl) * 2000-12-02 2002-06-04 Cornelis Johannes Maria V Rijn Matrijs, werkwijze voor het vervaardigen van precisieproducten met behulp van een matrijs, alsmede precisieproducten, in het bijzonder microzeven en membraanfilters, vervaardigd met een dergelijke matrijs.
JP4831901B2 (ja) * 2000-12-06 2011-12-07 イビデン株式会社 多層プリント配線板
JP2002270860A (ja) * 2000-12-06 2002-09-20 Ibiden Co Ltd Ｉｃチップ実装用基板
US6785458B2 (en) * 2001-02-11 2004-08-31 Georgia Tech Research Corporation Guided-wave optical interconnections embedded within a microelectronic wafer-level batch package
US7101091B2 (en) * 2001-02-21 2006-09-05 Zarlink Semiconductor, Inc. Apparatus for coupling a fiber optic cable to an optoelectronic device, a system including the apparatus, and a method of forming the same
US6570259B2 (en) * 2001-03-22 2003-05-27 International Business Machines Corporation Apparatus to reduce thermal fatigue stress on flip chip solder connections
US6531767B2 (en) * 2001-04-09 2003-03-11 Analog Devices Inc. Critically aligned optical MEMS dies for large packaged substrate arrays and method of manufacture
US6754407B2 (en) * 2001-06-26 2004-06-22 Intel Corporation Flip-chip package integrating optical and electrical devices and coupling to a waveguide on a board
US7110640B2 (en) * 2001-07-19 2006-09-19 Evident Technologies Reconfigurable optical add/drop filter
US6498358B1 (en) * 2001-07-20 2002-12-24 Motorola, Inc. Structure and method for fabricating an electro-optic system having an electrochromic diffraction grating
US6845211B2 (en) * 2001-09-06 2005-01-18 Corona Optical Systems, Inc. Method of attenuating an optical signal
US6743153B2 (en) * 2001-09-06 2004-06-01 Icon Ip, Inc. Method and apparatus for treadmill with frameless treadbase
US6569712B2 (en) * 2001-10-19 2003-05-27 Via Technologies, Inc. Structure of a ball-grid array package substrate and processes for producing thereof
US20030113974A1 (en) * 2001-12-14 2003-06-19 Ning Xian J. Stacked metal-insulator-metal capacitor structures in between interconnection layers
SG115455A1 (en) * 2002-03-04 2005-10-28 Micron Technology Inc Methods for assembly and packaging of flip chip configured dice with interposer
US7418163B2 (en) * 2002-03-28 2008-08-26 Chakravorty Kishore K Optoelectrical package
US20040052468A1 (en) * 2002-04-02 2004-03-18 Pham Cuong Van Alignable electro-optical microelectronic package and method
US20030210865A1 (en) * 2002-05-08 2003-11-13 Kjetil Johannessen Method and apparatus for coupling of optically active devices to a planar lightwave circuit
JP2004031573A (ja) * 2002-06-25 2004-01-29 Oki Electric Ind Co Ltd 光送受信モジュール
US6673649B1 (en) * 2002-07-05 2004-01-06 Micron Technology, Inc. Microelectronic device packages and methods for controlling the disposition of non-conductive materials in such packages
US7016569B2 (en) * 2002-07-31 2006-03-21 Georgia Tech Research Corporation Back-side-of-die, through-wafer guided-wave optical clock distribution networks, method of fabrication thereof, and uses thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11372160B2 (en) * 2020-01-31 2022-06-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package, optical device, and manufacturing method of package

Also Published As

Publication number Publication date
US7039263B2 (en) 2006-05-02
AU2003274975A1 (en) 2004-04-19
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CN100468108C (zh) 2009-03-11
AU2003274975A8 (en) 2004-04-19
WO2004029680A3 (en) 2004-08-05
JP4163689B2 (ja) 2008-10-08
US20040057649A1 (en) 2004-03-25
TW200408842A (en) 2004-06-01
JP2005539274A (ja) 2005-12-22
CN1685261A (zh) 2005-10-19
MY134515A (en) 2007-12-31
WO2004029680A2 (en) 2004-04-08

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