JPH0926530A - 光モジュール - Google Patents
光モジュールInfo
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- JPH0926530A JPH0926530A JP7174595A JP17459595A JPH0926530A JP H0926530 A JPH0926530 A JP H0926530A JP 7174595 A JP7174595 A JP 7174595A JP 17459595 A JP17459595 A JP 17459595A JP H0926530 A JPH0926530 A JP H0926530A
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- Japan
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- sub
- board
- led
- substrate
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Abstract
(57)【要約】
【課題】 表面発光（受光）型の光素子、光ファイバ等
を１つのパッケージに収納した光モジュールの特性の安
定化、低価格化を図る。 【解決手段】 表面発光素子（例えばＬＥＤ）１６は、
まずサブ基板１０にバンプ１８を介して一旦実装され
る。次にサブ基板は、バンプ１８を介して実装基板１１
に実装される。ＬＥＤ１６は、サブ基板１０に実装され
た段階で検査が可能であるので、不良品を排除できる。
また、ＬＥＤ１６、サブ基板１０は、ともにフリップチ
ップ実装されるので、ＬＥＤ１６の光ファイバ１３に対
する正確な位置決めも可能となる。
を１つのパッケージに収納した光モジュールの特性の安
定化、低価格化を図る。 【解決手段】 表面発光素子（例えばＬＥＤ）１６は、
まずサブ基板１０にバンプ１８を介して一旦実装され
る。次にサブ基板は、バンプ１８を介して実装基板１１
に実装される。ＬＥＤ１６は、サブ基板１０に実装され
た段階で検査が可能であるので、不良品を排除できる。
また、ＬＥＤ１６、サブ基板１０は、ともにフリップチ
ップ実装されるので、ＬＥＤ１６の光ファイバ１３に対
する正確な位置決めも可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信用モジュー
ルに関する。
ルに関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信は、光ファイバ、半導体レーザ
（ＬＤ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）、フォトダイオー
ド（ＰＤ）を始めとして、光スイッチ、光変調器、アイ
ソレータ、光導波路等の受動、能動素子の高性能、高機
能化により、応用範囲が拡大されつつある。近年、より
多くの情報を伝達する要求が高まる中で、コンピュータ
端末間、交換器や大型コンピュータ間のデータ伝送を実
時間で並列に行う並列伝送、又は一般家庭への高度情報
サービス等、加入者系への適用が考えられている。この
光加入者系の場合、光素子はもとより光素子を機能的に
構成した光モジュールの低価格化が、不可欠とされてい
る。そのためには、光素子をマイクロオプティック的に
ブロック状に配列する従来の同軸型のモジュール構成か
ら、複数の光素子を同一基板上に平面的に配列する、い
わば電子部品のプリント基板的なモジュール構成が、望
ましいとされている。図４は、発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）と光ファイバからなる平面型受信モジュールの光学
系の一例である。実装基板１１に設けられたＶ溝１２に
光ファイバ１３が固定され、ＬＥＤ１６の発光部１７か
ら出射されたレーザ光１４は、ミラー１５で光軸が折り
曲げられて光ファイバ１３に入射する。ＬＥＤ１６は、
実装基板１１上にソルダーバンプ１８を介してフリップ
チップ実装される。光ファイバ１３は、実装基板１１の
Ｖ溝１２で位置が規制され、ＬＥＤ１６は、ソルダーバ
ンプ１８のセルフアライン効果により実装基板１１上に
正確に位置決めされるので、双方の相対的な位置調整は
不要となる。
（ＬＤ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）、フォトダイオー
ド（ＰＤ）を始めとして、光スイッチ、光変調器、アイ
ソレータ、光導波路等の受動、能動素子の高性能、高機
能化により、応用範囲が拡大されつつある。近年、より
多くの情報を伝達する要求が高まる中で、コンピュータ
端末間、交換器や大型コンピュータ間のデータ伝送を実
時間で並列に行う並列伝送、又は一般家庭への高度情報
サービス等、加入者系への適用が考えられている。この
光加入者系の場合、光素子はもとより光素子を機能的に
構成した光モジュールの低価格化が、不可欠とされてい
る。そのためには、光素子をマイクロオプティック的に
ブロック状に配列する従来の同軸型のモジュール構成か
ら、複数の光素子を同一基板上に平面的に配列する、い
わば電子部品のプリント基板的なモジュール構成が、望
ましいとされている。図４は、発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）と光ファイバからなる平面型受信モジュールの光学
系の一例である。実装基板１１に設けられたＶ溝１２に
光ファイバ１３が固定され、ＬＥＤ１６の発光部１７か
ら出射されたレーザ光１４は、ミラー１５で光軸が折り
曲げられて光ファイバ１３に入射する。ＬＥＤ１６は、
実装基板１１上にソルダーバンプ１８を介してフリップ
チップ実装される。光ファイバ１３は、実装基板１１の
Ｖ溝１２で位置が規制され、ＬＥＤ１６は、ソルダーバ
ンプ１８のセルフアライン効果により実装基板１１上に
正確に位置決めされるので、双方の相対的な位置調整は
不要となる。
【０００３】なお、その他の従来の技術が記載された文
献としては、特開平４−２０８９０５号公報及び特開平
３−１８４３８４号公報を挙げることができる。
献としては、特開平４−２０８９０５号公報及び特開平
３−１８４３８４号公報を挙げることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図４の構成の場合、Ｌ
ＥＤ１６は、実装基板１１に直接設置されるので、実装
時にＬＥＤ１６の不具合が生じると、光ファイバ１３を
含めた実装基板１１全体が不良品となり、失敗コストを
増大させる欠点がある。また、ＬＥＤ１６の下部に光フ
ァイバ１３が位置しているので、光素子の実装基板１１
への接合面積が制限される。従って、光素子が発熱を伴
うＬＥＤや半導体レーザ（ＬＤ）の場合には、放熱が不
十分となり、光素子の特性が不安定になる欠点がある。
ＥＤ１６は、実装基板１１に直接設置されるので、実装
時にＬＥＤ１６の不具合が生じると、光ファイバ１３を
含めた実装基板１１全体が不良品となり、失敗コストを
増大させる欠点がある。また、ＬＥＤ１６の下部に光フ
ァイバ１３が位置しているので、光素子の実装基板１１
への接合面積が制限される。従って、光素子が発熱を伴
うＬＥＤや半導体レーザ（ＬＤ）の場合には、放熱が不
十分となり、光素子の特性が不安定になる欠点がある。
【０００５】本発明の課題は、上記の欠点を解決し、低
コストでしかも特性の安定な光モジュールを提供するこ
とにある。
コストでしかも特性の安定な光モジュールを提供するこ
とにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するため、次の手段を採用する。
決するため、次の手段を採用する。
【０００７】（１）表面発光又は受光の光素子及び光フ
ァイバが同一実装基板上に平面的に配置され、前記光フ
ァイバの固定溝側面で光路を変換する光結合系を有する
光モジュールであって、前記光素子がサブ基板を介して
前記実装基板に配置される光モジュール。
ァイバが同一実装基板上に平面的に配置され、前記光フ
ァイバの固定溝側面で光路を変換する光結合系を有する
光モジュールであって、前記光素子がサブ基板を介して
前記実装基板に配置される光モジュール。
【０００８】（２）サブ基板が多層配線基板である前記
（１）記載の光モジュール。
（１）記載の光モジュール。
【０００９】（３）サブ基板が両面実装基板である前記
（１）記載の光モジュール。
（１）記載の光モジュール。
【００１０】（４）サブ基板が光素子制御用の電子回路
素子である前記（１）記載の光モジュール。
素子である前記（１）記載の光モジュール。
【００１１】（５）光素子がサブ基板にバンプ接合され
る前記（１）、（２）、（３）又は（４）記載の光モジ
ュール。
る前記（１）、（２）、（３）又は（４）記載の光モジ
ュール。
【００１２】（６）サブ基板が実装基板にバンプ接合さ
れる前記（１）、（２）、（３）、（４）又は（５）記
載の光モジュール。
れる前記（１）、（２）、（３）、（４）又は（５）記
載の光モジュール。
【００１３】次に、本発明の作用を説明する。
【００１４】本発明の光モジュールは、光ファイバ等の
他の構成部品が実装されている基板に、ＬＥＤ、ＰＤ等
の表面発光（受光）光素子を直接実装しないでサブ基板
を介して基板に実装する。サブ基板に光素子をマウント
し、検査による良品選別の後に実装基板に実装する方式
である。従来、光素子の実装の際に最も不良が発生する
こと、又は実装して初めて素子欠陥が発見されることか
ら、モジュール組立にはリスクが伴っていた。従って、
不良発生時には高価な実装基板を含めて廃棄せざるを得
ず、失敗コストが大きい問題があった。本方式では、サ
ブ基板で実装不良と素子欠陥をチェックできるので、実
装基板への光素子実装時の不具合は解消される。また、
光素子はサブ基板に実装されるので、従来のように光フ
ァイバの固定溝を避けて接合する必要がなく、放熱に必
要な接合面積を十分に確保する事ができる。この時、サ
ブ基板を多層基板にすることにより、高速信号の送受信
に対応可能となる。光モジュールパッケージ内にドライ
バやプリアンプ等の光素子制御用電子部品を配置して、
より高速の信号を取り扱う場合や小型、高機能のモジュ
ールを構成する場合は、サブ基板を両面実装型に構成す
ることにより容易に可能となる。さらに、サブ基板を制
御用電子部品にすることにより、モジュールの高速化、
簡略化が同時に図れる。また、光素子をサブ基板に接合
する際に、ＡｕＳｎ等のソルダーバンプの表面張力を利
用したフリップチップ実装をすることにより、サブ基板
に対して高精度の位置決めができる。また、サブ基板の
実装基板への接合もフリップチップ実装により行うこと
によって、精度良い位置決めが可能となり、結果的に光
素子と実装基板、そして光素子と光ファイバとの正確な
位置決めができる。
他の構成部品が実装されている基板に、ＬＥＤ、ＰＤ等
の表面発光（受光）光素子を直接実装しないでサブ基板
を介して基板に実装する。サブ基板に光素子をマウント
し、検査による良品選別の後に実装基板に実装する方式
である。従来、光素子の実装の際に最も不良が発生する
こと、又は実装して初めて素子欠陥が発見されることか
ら、モジュール組立にはリスクが伴っていた。従って、
不良発生時には高価な実装基板を含めて廃棄せざるを得
ず、失敗コストが大きい問題があった。本方式では、サ
ブ基板で実装不良と素子欠陥をチェックできるので、実
装基板への光素子実装時の不具合は解消される。また、
光素子はサブ基板に実装されるので、従来のように光フ
ァイバの固定溝を避けて接合する必要がなく、放熱に必
要な接合面積を十分に確保する事ができる。この時、サ
ブ基板を多層基板にすることにより、高速信号の送受信
に対応可能となる。光モジュールパッケージ内にドライ
バやプリアンプ等の光素子制御用電子部品を配置して、
より高速の信号を取り扱う場合や小型、高機能のモジュ
ールを構成する場合は、サブ基板を両面実装型に構成す
ることにより容易に可能となる。さらに、サブ基板を制
御用電子部品にすることにより、モジュールの高速化、
簡略化が同時に図れる。また、光素子をサブ基板に接合
する際に、ＡｕＳｎ等のソルダーバンプの表面張力を利
用したフリップチップ実装をすることにより、サブ基板
に対して高精度の位置決めができる。また、サブ基板の
実装基板への接合もフリップチップ実装により行うこと
によって、精度良い位置決めが可能となり、結果的に光
素子と実装基板、そして光素子と光ファイバとの正確な
位置決めができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【００１６】図１は、本発明の光モジュールの第１実施
形態である。光ファイバ１３が実装基板１１、例えばシ
リコン基板に形成された固定用Ｖ溝１２に配置されてい
る。Ｖ溝１２は、ＫＯＨ等の選択異方性エッチングによ
り形成される。表面発（受）光素子（ここではＬＥＤを
代表させる）１６は、ＳｉやＡｌ2 Ｏ3 やＡｌＮ製のサ
ブ基板１０に実装される。ＬＥＤ１６の発光部１７から
放射したレーザ光１４は、Ａｕ等でメタライズされたＶ
溝側面を利用したミラー１５に入射して略９０°光路が
変換され、光ファイバ１３に入射する。ＬＥＤ１６は、
バンプ１８を介して接合することにより実装精度の向
上、実装の簡略化を図ることができる。バンプ１８と例
えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕで構成された接合パット１９を介
して、サブ基板１０とＬＥＤ１６と接合されている。バ
ンプ１８は、例えば５０μｍφのＰｂＳｎであり、フォ
トリソグラフィー及びメッキプロセス等によりＬＥＤ１
６又はサブ基板１０に容易に形成される。ＬＥＤ１６
は、バンプ１８の表面張力によって自動的に位置決めさ
れ、サブ基板１０上の所定の位置に約１μｍの精度で正
確に実装される。
形態である。光ファイバ１３が実装基板１１、例えばシ
リコン基板に形成された固定用Ｖ溝１２に配置されてい
る。Ｖ溝１２は、ＫＯＨ等の選択異方性エッチングによ
り形成される。表面発（受）光素子（ここではＬＥＤを
代表させる）１６は、ＳｉやＡｌ2 Ｏ3 やＡｌＮ製のサ
ブ基板１０に実装される。ＬＥＤ１６の発光部１７から
放射したレーザ光１４は、Ａｕ等でメタライズされたＶ
溝側面を利用したミラー１５に入射して略９０°光路が
変換され、光ファイバ１３に入射する。ＬＥＤ１６は、
バンプ１８を介して接合することにより実装精度の向
上、実装の簡略化を図ることができる。バンプ１８と例
えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕで構成された接合パット１９を介
して、サブ基板１０とＬＥＤ１６と接合されている。バ
ンプ１８は、例えば５０μｍφのＰｂＳｎであり、フォ
トリソグラフィー及びメッキプロセス等によりＬＥＤ１
６又はサブ基板１０に容易に形成される。ＬＥＤ１６
は、バンプ１８の表面張力によって自動的に位置決めさ
れ、サブ基板１０上の所定の位置に約１μｍの精度で正
確に実装される。
【００１７】サブ基板１０は、実装基板１１に固定され
る。この時少なくともＬＥＤ１６の厚み分、約１００μ
ｍ厚の接合材料を設ける必要があるが、バンプ１８を用
いることにより接合と位置決めを同時に容易に実現でき
る。１５０μｍφのバンプ１８をサブ基板１０又は実装
基板１１側に設けて接合する。この時もバンプ１８の表
面張力によって、サブ基板１０は、実装基板１１上の所
定の位置に２〜３μｍの精度で実装される。従って、Ｌ
ＥＤ１６は、実装基板１１に対して数μｍの精度で位置
決めが可能となる。
る。この時少なくともＬＥＤ１６の厚み分、約１００μ
ｍ厚の接合材料を設ける必要があるが、バンプ１８を用
いることにより接合と位置決めを同時に容易に実現でき
る。１５０μｍφのバンプ１８をサブ基板１０又は実装
基板１１側に設けて接合する。この時もバンプ１８の表
面張力によって、サブ基板１０は、実装基板１１上の所
定の位置に２〜３μｍの精度で実装される。従って、Ｌ
ＥＤ１６は、実装基板１１に対して数μｍの精度で位置
決めが可能となる。
【００１８】サブ基板１０接合用のバンプ１８の材料
は、ＬＥＤ接合用のＰｂＳｎと同一でも良いが、Ｉｎや
Ｂｉ等を添加したより低い溶融温度の材料が望ましい。
又は、ＬＥＤ用にＡｕＳｎ、サブ基板用にＰｂＳｎを使
用することもできる。
は、ＬＥＤ接合用のＰｂＳｎと同一でも良いが、Ｉｎや
Ｂｉ等を添加したより低い溶融温度の材料が望ましい。
又は、ＬＥＤ用にＡｕＳｎ、サブ基板用にＰｂＳｎを使
用することもできる。
【００１９】ＬＥＤ１６は、直接実装基板１１に固定さ
れないので、Ｖ溝１２に無関係にバンプ１８の大きさ、
数量を設計できる。接合面積を十分に確保できるので、
従来構成での放熱の問題も解消できる。また、サブ基板
１０でＬＥＤ１６の特性を評価できるので、ＬＥＤ１６
の接合不具合、チップ不良をチェックし、良品のみを実
装基板１１に実装できる。光モジュール組立において、
ＬＥＤ１６のような光素子の実装時に不具合が生じ、高
価な実装基板１１を含めて廃棄せざるを得なかったが、
本構成にすることにより途中で不良品を排除し、失敗コ
ストを低減することができる。
れないので、Ｖ溝１２に無関係にバンプ１８の大きさ、
数量を設計できる。接合面積を十分に確保できるので、
従来構成での放熱の問題も解消できる。また、サブ基板
１０でＬＥＤ１６の特性を評価できるので、ＬＥＤ１６
の接合不具合、チップ不良をチェックし、良品のみを実
装基板１１に実装できる。光モジュール組立において、
ＬＥＤ１６のような光素子の実装時に不具合が生じ、高
価な実装基板１１を含めて廃棄せざるを得なかったが、
本構成にすることにより途中で不良品を排除し、失敗コ
ストを低減することができる。
【００２０】次に、本発明の第２実施形態を説明する。
【００２１】高速の光信号を扱う場合、電気ノイズ、ク
ロストーク低減のためにＬＥＤ１６周辺の回路設計が必
要とされる。サブ基板１０の表面に電極を引き回さず
に、図２のようにサブ基板１０を多層基板構成にするこ
とで対応できる。
ロストーク低減のためにＬＥＤ１６周辺の回路設計が必
要とされる。サブ基板１０の表面に電極を引き回さず
に、図２のようにサブ基板１０を多層基板構成にするこ
とで対応できる。
【００２２】続いて、本発明の第３実施形態を説明す
る。
る。
【００２３】さらに高速の信号の場合、図３のようにサ
ブ基板１０を両面実装構成にして光素子制御用の電子回
路２０を近接して配置する。又は、サブ基板１０自身が
ドライバやプリアンプＩＣ等の電子回路２０であれば、
より大きな効果が得られる。
ブ基板１０を両面実装構成にして光素子制御用の電子回
路２０を近接して配置する。又は、サブ基板１０自身が
ドライバやプリアンプＩＣ等の電子回路２０であれば、
より大きな効果が得られる。
【００２４】本発明では、光素子としてＬＥＤを例に示
したが、ＬＤや他の光素子に代えることもできる。ま
た、複数の光素子がモノリシックに集積したアレイ状光
素子のモジュールに代えることもできる。
したが、ＬＤや他の光素子に代えることもできる。ま
た、複数の光素子がモノリシックに集積したアレイ状光
素子のモジュールに代えることもできる。
【００２５】また、ＰＤの代わりにバンプを支える基板
を配し、光路を下方に９０°変換し、下方に配置された
光素子に光を結合させる構成でも同様な効果が得られ
る。
を配し、光路を下方に９０°変換し、下方に配置された
光素子に光を結合させる構成でも同様な効果が得られ
る。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
低コストでしかも特性の安定な光モジュールを実現でき
る。
低コストでしかも特性の安定な光モジュールを実現でき
る。
【図１】本発明の第１実施形態の全体の断面図である。
【図２】本発明の第２実施形態の要部の断面図である。
【図３】本発明の第３実施形態の要部の断面図である。
【図４】従来の光モジュールの断面図である。
１０ サブ基板 １１ 実装基板 １２ Ｖ溝 １３ 光ファイバ １４ レーザ光 １５ ミラー １６ 光素子（ＬＥＤ） １７ 発光部 １８ バンプ １９ 接合パッド ２０ 電子回路
Claims (6)
- 【請求項１】 表面発光又は受光の光素子及び光ファイ
バが同一実装基板上に平面的に配置され、前記光ファイ
バの固定溝側面で光路を変換する光結合系を有する光モ
ジュールであって、前記光素子がサブ基板を介して前記
実装基板に配置されることを特徴とする光モジュール。 - 【請求項２】 サブ基板が多層配線基板であることを特
徴とする請求項１記載の光モジュール。 - 【請求項３】 サブ基板が両面実装基板であることを特
徴とする請求項１記載の光モジュール。 - 【請求項４】 サブ基板が光素子制御用の電子回路素子
であることを特徴とする請求項１記載の光モジュール。 - 【請求項５】 光素子がサブ基板にバンプ接合されるこ
とを特徴とする請求項１、２、３又は４記載の光モジュ
ール。 - 【請求項６】 サブ基板が実装基板にバンプ接合される
ことを特徴とする請求項１、２、３、４又は５記載の光
モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7174595A JPH0926530A (ja) | 1995-07-11 | 1995-07-11 | 光モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7174595A JPH0926530A (ja) | 1995-07-11 | 1995-07-11 | 光モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0926530A true JPH0926530A (ja) | 1997-01-28 |
Family
ID=15981325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7174595A Pending JPH0926530A (ja) | 1995-07-11 | 1995-07-11 | 光モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0926530A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998034285A1 (fr) * | 1997-01-31 | 1998-08-06 | Matsushita Electronics Corporation | Element electroluminescent, dispositif electroluminescent a semiconducteur, et leur procede de production |
| US6115515A (en) * | 1907-09-19 | 2000-09-05 | Nec Corporation | Optical device mounting board |
| JP2003110148A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2004341260A (ja) * | 2003-05-15 | 2004-12-02 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 光学素子実装パッケージ、光電気複合実装配線基板 |
| US6959125B2 (en) | 2002-06-06 | 2005-10-25 | Fujitsu Limited | Printed board unit for optical transmission and mounting method |
| JP2005539274A (ja) * | 2002-09-24 | 2005-12-22 | インテル・コーポレーション | 電気光学組立品 |
| JP2007318179A (ja) * | 2000-12-06 | 2007-12-06 | Ibiden Co Ltd | Ｉｃチップ実装用基板 |
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