JPH05152605A - アレイ状光素子及びその実装基板 - Google Patents
アレイ状光素子及びその実装基板Info
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- JPH05152605A JPH05152605A JP33968991A JP33968991A JPH05152605A JP H05152605 A JPH05152605 A JP H05152605A JP 33968991 A JP33968991 A JP 33968991A JP 33968991 A JP33968991 A JP 33968991A JP H05152605 A JPH05152605 A JP H05152605A
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- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡易で高精度にアレイ状光素子を基板に実装
できるアレイ状光素子と実装基板を提供すること。 【構成】 アレイ状光素子の裏面に接合パッド10が基
板の接合パッド12とバンプ状接続金属13を介して接
続されている。リフロー時には、バンプの表面張力によ
って双方のパッドの中心が一致するように光素子が移動
する。光素子裏面の接合パッド10は、表面の発光、あ
るいは受光点との相対位置が予め正確に設定されている
ので、結果的に光素子は基板に対して正確な位置に実装
される。
できるアレイ状光素子と実装基板を提供すること。 【構成】 アレイ状光素子の裏面に接合パッド10が基
板の接合パッド12とバンプ状接続金属13を介して接
続されている。リフロー時には、バンプの表面張力によ
って双方のパッドの中心が一致するように光素子が移動
する。光素子裏面の接合パッド10は、表面の発光、あ
るいは受光点との相対位置が予め正確に設定されている
ので、結果的に光素子は基板に対して正確な位置に実装
される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信等に用いられる
アレイ状光素子及びその実装基板に関する。
アレイ状光素子及びその実装基板に関する。
【0002】
【従来の技術】光通信は、光ファイバ,半導体レーザ
(LD),発光ダイオード(LED),フォトダイオー
ド(PD)を始めとして、光スイッチ,光変調器,アイ
ソレータ,光導波路等の受動,能動素子の高性能,高機
能化により応用範囲が拡大されつつある。
(LD),発光ダイオード(LED),フォトダイオー
ド(PD)を始めとして、光スイッチ,光変調器,アイ
ソレータ,光導波路等の受動,能動素子の高性能,高機
能化により応用範囲が拡大されつつある。
【0003】近年、より多くの情報を伝達する要求が高
まる中で、コンピュータ端末間,交換器や大型コンピュ
ータ間のデータ伝送を実時間で並列に行う並列伝送が注
目されつつある。この機能を満足するものとして、複数
の発光あるいは受光素子と複数の光ファイバを一体化し
た並列伝送モジュールがある。
まる中で、コンピュータ端末間,交換器や大型コンピュ
ータ間のデータ伝送を実時間で並列に行う並列伝送が注
目されつつある。この機能を満足するものとして、複数
の発光あるいは受光素子と複数の光ファイバを一体化し
た並列伝送モジュールがある。
【0004】通常、発光(受光)素子には、同一半導体
基板上にモノリシックに複数個配列したLEDあるいは
LD,PDアレイが用いられている(以下、発受光素子
はLEDアレイに代表させる)。LEDアレイのp,n
電極の双方が表面に形成される場合、LEDアレイの裏
面は一様にメタライズされたベタ電極が一般的で、実装
基板上に半田等のろう材、あるいは接着剤でダイボンド
される。
基板上にモノリシックに複数個配列したLEDあるいは
LD,PDアレイが用いられている(以下、発受光素子
はLEDアレイに代表させる)。LEDアレイのp,n
電極の双方が表面に形成される場合、LEDアレイの裏
面は一様にメタライズされたベタ電極が一般的で、実装
基板上に半田等のろう材、あるいは接着剤でダイボンド
される。
【0005】図4(a)は、LEDアレイの一例であ
る。4素子のLEDアレイ21は、表面に発光部22,
p電極23,n電極24が形成されてあり、裏面は実装
基板への接合のためのベタ電極25が設けられている。
る。4素子のLEDアレイ21は、表面に発光部22,
p電極23,n電極24が形成されてあり、裏面は実装
基板への接合のためのベタ電極25が設けられている。
【0006】図4(b)は、LEDアレイ21が実装基
板26へ実装された状態を示している。LED21は、
基板26表面に設けられた接合パッド27上にベタ電極
を介してダイボンドされている。LEDアレイ21の
p,n電極23,24は、基板26の表面のリード電極
28にワイヤボンドされている。
板26へ実装された状態を示している。LED21は、
基板26表面に設けられた接合パッド27上にベタ電極
を介してダイボンドされている。LEDアレイ21の
p,n電極23,24は、基板26の表面のリード電極
28にワイヤボンドされている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】通常、LEDアレイ
は、光ファイバアレイと光学的に結合され、それぞれが
金属のパッケージ内に半永久的に固定されたモジュール
の形態で用いられる。アレイデバイスの光学的結合をす
る場合、xyzθの4軸の光軸調整を必要とするので、
モジュールの製作コストの低減のためにLEDアレイ,
光ファイバ各々を数μmの精度でパッケージに固定し、
無調整で光軸合わせを行うことが望まれている。
は、光ファイバアレイと光学的に結合され、それぞれが
金属のパッケージ内に半永久的に固定されたモジュール
の形態で用いられる。アレイデバイスの光学的結合をす
る場合、xyzθの4軸の光軸調整を必要とするので、
モジュールの製作コストの低減のためにLEDアレイ,
光ファイバ各々を数μmの精度でパッケージに固定し、
無調整で光軸合わせを行うことが望まれている。
【0008】ファイバアレイと基板26とは機械精度の
嵌合等で位置合わせができるので、LEDアレイ21
は、基板26の正確な位置に固定することが必要とされ
る。
嵌合等で位置合わせができるので、LEDアレイ21
は、基板26の正確な位置に固定することが必要とされ
る。
【0009】しかしながら、上記のようなベタ電極を介
したLED21の固定方法では、マウンタの精度に支配
され、精度は通常数10μmであり、高精度のステー
ジ,画像認識装置を使用すればある程度の精度は確保で
きるが、高額な装置となり、結果的にコストの上昇を招
く。
したLED21の固定方法では、マウンタの精度に支配
され、精度は通常数10μmであり、高精度のステー
ジ,画像認識装置を使用すればある程度の精度は確保で
きるが、高額な装置となり、結果的にコストの上昇を招
く。
【0010】本発明の目的は、上記の問題点を解決し、
簡易で高精度にアレイ状光素子を基板に実装できるアレ
イ状光素子と実装基板を提供することにある。
簡易で高精度にアレイ状光素子を基板に実装できるアレ
イ状光素子と実装基板を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によるアレイ状光素子においては、複数の接
合パッドを有し、同一半導体基板にアレイ状に複数個作
り付けられた発光あるいは受光素子によるアレイ状光素
子であって、複数の接合パッドは、表面の発光あるい
は、受光位置との相対位置を規定して半導体基板の裏面
に形成されたものである。
め、本発明によるアレイ状光素子においては、複数の接
合パッドを有し、同一半導体基板にアレイ状に複数個作
り付けられた発光あるいは受光素子によるアレイ状光素
子であって、複数の接合パッドは、表面の発光あるい
は、受光位置との相対位置を規定して半導体基板の裏面
に形成されたものである。
【0012】また、接合パッドは、3つ以上で、しかも
同一直線上には位置しないものである。
同一直線上には位置しないものである。
【0013】本発明によるアレイ状光素子の実装基板に
おいては、アレイ状光素子を実装するアレイ状光素子の
実装基板であって、アレイ状光素子は、複数の接合パッ
ドを有し、複数の接合パッドは、表面の発光あるいは受
光位置との相対位置を規定して半導体基板の裏面に形成
されたものであり、アレイ状光素子の実装基板は、アレ
イ状光素子の接合パッドと略一致した形状の接合パッド
を表面に有するものである。
おいては、アレイ状光素子を実装するアレイ状光素子の
実装基板であって、アレイ状光素子は、複数の接合パッ
ドを有し、複数の接合パッドは、表面の発光あるいは受
光位置との相対位置を規定して半導体基板の裏面に形成
されたものであり、アレイ状光素子の実装基板は、アレ
イ状光素子の接合パッドと略一致した形状の接合パッド
を表面に有するものである。
【0014】また、アレイ状光素子とその実装基板との
少なくともいずれか一方の接合パッド上には、バンプ状
接合金属が設けられたものである。
少なくともいずれか一方の接合パッド上には、バンプ状
接合金属が設けられたものである。
【0015】また、バンプ状接合金属は、AuとSnと
の重量比が8:2のAuSn合金である。
の重量比が8:2のAuSn合金である。
【0016】
【作用】本発明のアレイ状光素子では、裏面の接合パッ
ドが基板の接合パッドとバンプ状接続金属とを介して接
続されているので、リフロー時にバンプの表面張力によ
って双方のパッドの中心が一致するように光素子が移動
する。
ドが基板の接合パッドとバンプ状接続金属とを介して接
続されているので、リフロー時にバンプの表面張力によ
って双方のパッドの中心が一致するように光素子が移動
する。
【0017】光素子裏面の接合パッドは、表面の発光、
あるいは受光点との相対位置が予め正確に設定されてい
るので、結果的に光素子は基板に対して正確な位置に実
装される。この際、平面上の位置合わせに関しては、最
低2つのバンプで可能となるが、リフロー前に光素子を
基板に仮置きをする場合の安定性から、1つの直線上に
ない少なくとも3つのバンプが必要である。
あるいは受光点との相対位置が予め正確に設定されてい
るので、結果的に光素子は基板に対して正確な位置に実
装される。この際、平面上の位置合わせに関しては、最
低2つのバンプで可能となるが、リフロー前に光素子を
基板に仮置きをする場合の安定性から、1つの直線上に
ない少なくとも3つのバンプが必要である。
【0018】接合金属は、通常バンプの形成が容易なP
bSnの共晶半田が用いられるが、AuSnの共晶半田
を用いれば、クリープや位置ずれ等の長期的な信頼性を
改善できる。
bSnの共晶半田が用いられるが、AuSnの共晶半田
を用いれば、クリープや位置ずれ等の長期的な信頼性を
改善できる。
【0019】以上のように、アレイ状光素子の高精度の
基板への実装を実現できる。また、アレイ状光素子の分
割電極が裏面にある構造では、分割電極がそのまま接合
パッドになるのでチップ両面の発光点と接合パッドの目
合わせは不要となる。
基板への実装を実現できる。また、アレイ状光素子の分
割電極が裏面にある構造では、分割電極がそのまま接合
パッドになるのでチップ両面の発光点と接合パッドの目
合わせは不要となる。
【0020】
【実施例】以下、本発明について図面を参照して詳細に
説明する。図1(a)は、本発明のアレイ状光素子の一
例で外形1mm×0.5mm,ピッチ250μmの4チ
ャンネルのInGaP/InPのLEDチップ21の表
面,裏面双方の角度から描いている。表面は図4に示し
た従来例と同一で、Auによる4個のp電極23とn電
極24が設けられている。裏面には、接合パッド10が
3個設けられている。接合パッド10は、表面がAuで
100μmφである。
説明する。図1(a)は、本発明のアレイ状光素子の一
例で外形1mm×0.5mm,ピッチ250μmの4チ
ャンネルのInGaP/InPのLEDチップ21の表
面,裏面双方の角度から描いている。表面は図4に示し
た従来例と同一で、Auによる4個のp電極23とn電
極24が設けられている。裏面には、接合パッド10が
3個設けられている。接合パッド10は、表面がAuで
100μmφである。
【0021】また、両面目合わせのフォトリソグラフィ
技術により発光部22との相対位置が精度良く設定され
ている。図1(b)は、例えばAl2O3製の実装基板1
1であり、表面には、LEDアレイ21裏面の接合パッ
ドに対応するAuの接合パッド12が設けられ、接合パ
ッド12には100μmφ,高さ約60μmの接合金属
AuSn13がバンプ状に設けられている。AuSn
は、AuとSnの重量比が8:2の共晶で、メッキ,蒸
着,薄片のリフロー等でバンプを形成する。接合金属
は、通常PbSnが用いられるが、AuSnの方が長期
的な信頼性に富む。
技術により発光部22との相対位置が精度良く設定され
ている。図1(b)は、例えばAl2O3製の実装基板1
1であり、表面には、LEDアレイ21裏面の接合パッ
ドに対応するAuの接合パッド12が設けられ、接合パ
ッド12には100μmφ,高さ約60μmの接合金属
AuSn13がバンプ状に設けられている。AuSn
は、AuとSnの重量比が8:2の共晶で、メッキ,蒸
着,薄片のリフロー等でバンプを形成する。接合金属
は、通常PbSnが用いられるが、AuSnの方が長期
的な信頼性に富む。
【0022】LEDアレイ21を基板11に実装する場
合には、図2(a)のように裏面の接合パッドがAuS
nバンプ13に接触するように載せる。次に、280℃
になるまで加熱すると、AuSnバンプ13が溶融し、
LEDアレイ21は、そのときのAuSnバンプ13の
表面張力によって接合しているパッドの中心が一致する
ように移動する。
合には、図2(a)のように裏面の接合パッドがAuS
nバンプ13に接触するように載せる。次に、280℃
になるまで加熱すると、AuSnバンプ13が溶融し、
LEDアレイ21は、そのときのAuSnバンプ13の
表面張力によって接合しているパッドの中心が一致する
ように移動する。
【0023】従って、AuSnバンプへの仮搭載時に中
心がずれていても自動的に位置が修正され、結果的に基
板11の正確なLEDアレイ21が実装されることにな
る。LEDアレイ21の位置決めのためには、接合点が
最低2個あれば良いがチップの仮搭載時の安定性を考慮
すると3個以上が望ましい。
心がずれていても自動的に位置が修正され、結果的に基
板11の正確なLEDアレイ21が実装されることにな
る。LEDアレイ21の位置決めのためには、接合点が
最低2個あれば良いがチップの仮搭載時の安定性を考慮
すると3個以上が望ましい。
【0024】接合金属13であるAuSnを基板11側
にのみ設けたが、LEDチップ21側の接合パッド10
に設けた場合、さらに双方に設けた場合でも高精度のチ
ップ実装と同等の効果が得られる。ここでLEDアレイ
21は、表面に分割電極23,24を有する構成とした
が、裏面に電極を有する場合には電極と接合パッドを共
有できるので裏面への新たな接合パッドの作製が不要と
なるので、本構成の接続が極めて有効となる。
にのみ設けたが、LEDチップ21側の接合パッド10
に設けた場合、さらに双方に設けた場合でも高精度のチ
ップ実装と同等の効果が得られる。ここでLEDアレイ
21は、表面に分割電極23,24を有する構成とした
が、裏面に電極を有する場合には電極と接合パッドを共
有できるので裏面への新たな接合パッドの作製が不要と
なるので、本構成の接続が極めて有効となる。
【0025】図3は、LEDアレイ21の分割電極が裏
面にある場合のLEDチップと、基板11と組合せの一
例である。基板11の接合パッド12は、接合金属がバ
ンプ状に設けられ、またパッド電極をも兼用するので基
板11の電極リード14に接続する。
面にある場合のLEDチップと、基板11と組合せの一
例である。基板11の接合パッド12は、接合金属がバ
ンプ状に設けられ、またパッド電極をも兼用するので基
板11の電極リード14に接続する。
【0026】従って、上記のごとくアレイ状光素子の高
精度の基板への実装が可能となる。本実施例ではアレイ
数を4としたが、それ以外のアレイ数でも、単一の素子
で同様なことが言える。接合パッドの数も3のみを示し
たが、それ以上の数でもかまわない。また、LEDアレ
イのみについて述べたが、LDやPD等他の光素子でも
同一の効果が得られる。
精度の基板への実装が可能となる。本実施例ではアレイ
数を4としたが、それ以外のアレイ数でも、単一の素子
で同様なことが言える。接合パッドの数も3のみを示し
たが、それ以上の数でもかまわない。また、LEDアレ
イのみについて述べたが、LDやPD等他の光素子でも
同一の効果が得られる。
【0027】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、簡
易で高精度にアレイ状光素子を基板に実装できるアレイ
状光素子と実装基板法を実現できる。
易で高精度にアレイ状光素子を基板に実装できるアレイ
状光素子と実装基板法を実現できる。
【図1】本発明の実施例を示す構成図であり、(a)は
アレイ状光素子の接合パッド構成図、(b)は実装基板
の接合パッドの構成図である。
アレイ状光素子の接合パッド構成図、(b)は実装基板
の接合パッドの構成図である。
【図2】アレイ状光素子が基板に実装された状態を示す
図である。
図である。
【図3】分割電極が裏面にある光素子の場合の光素子、
実装基板の接合パッドの構成を示す図である。
実装基板の接合パッドの構成を示す図である。
【図4】(a)は、従来のアレイ状光素子用の接合パッ
ドを示す図、(b)は、アレイ状光素子と実装基板との
従来の接合方法を示す図である。
ドを示す図、(b)は、アレイ状光素子と実装基板との
従来の接合方法を示す図である。
11 実装基板 10,12 接合パッド 13 バンプ 14 電極リード 21 LEDアレイ 22 発光部 23 p電極 24 n電極
Claims (5)
- 【請求項1】 複数の接合パッドを有し、同一半導体基
板にアレイ状に複数個作り付けられた発光あるいは受光
素子によるアレイ状光素子であって、 複数の接合パッドは、表面の発光あるいは、受光位置と
の相対位置を規定して半導体基板の裏面に形成されたも
のであることを特徴とするアレイ状光素子。 - 【請求項2】 接合パッドは、3つ以上で、しかも同一
直線上には位置しないものである請求項1に記載のアレ
イ状光素子。 - 【請求項3】 アレイ状光素子を実装するアレイ状光素
子の実装基板であって、 アレイ状光素子は、複数の接合パッドを有し、 複数の接合パッドは、表面の発光あるいは受光位置との
相対位置を規定して半導体基板の裏面に形成されたもの
であり、 アレイ状光素子の実装基板は、アレイ状光素子の接合パ
ッドと略一致した形状の接合パッドを表面に有するもの
であることを特徴とするアレイ状光素子の実装基板。 - 【請求項4】 アレイ状光素子とその実装基板との少な
くともいずれか一方の接合パッド上には、バンプ状接合
金属が設けられたものである請求項3に記載のアレイ状
光素子の実装基板。 - 【請求項5】 バンプ状接合金属は、AuとSnとの重
量比が8:2のAuSn合金である請求項4に記載のア
レイ状光素子の実装基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33968991A JPH05152605A (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | アレイ状光素子及びその実装基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33968991A JPH05152605A (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | アレイ状光素子及びその実装基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05152605A true JPH05152605A (ja) | 1993-06-18 |
Family
ID=18329869
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33968991A Pending JPH05152605A (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | アレイ状光素子及びその実装基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05152605A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5432358A (en) * | 1994-03-24 | 1995-07-11 | Motorola, Inc. | Integrated electro-optical package |
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